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      有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置、面板的制作方法

      文檔序號(hào):10614555閱讀:389來(lái)源:國(guó)知局
      有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置、面板的制作方法
      【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置、面板。有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括:玻璃基板;緩沖層;絕緣層;開(kāi)關(guān)器件層,開(kāi)關(guān)器件層包括薄膜晶體管開(kāi)關(guān)、掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn),薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括:多晶硅層;柵極;源極,源極的至少兩第一接觸面與多晶硅層接觸;漏極,漏極的至少兩第二接觸面與多晶硅層接觸;平坦化層;顯示器件層,包括:陽(yáng)極層;空穴注入層;空穴傳輸層;發(fā)光材料層;電子傳輸層;電子注入層;陰極層;蓋板。本發(fā)明可以使得有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板在不增加額外的輸入至TFT中的電流的情況下取得預(yù)期的顯示效果。
      【專(zhuān)利說(shuō)明】
      有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置、面板
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域,特別涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置、面板。
      【背景技術(shù)】
      [0002]傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板一般采用TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)來(lái)作為開(kāi)關(guān)器件。
      [0003]目前,上述傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中的TFT存在漏電流較大的問(wèn)題,這會(huì)導(dǎo)致上述傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中的TFT的輸出電流下降。
      [0004]為了使得有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板達(dá)到預(yù)期的顯示效果,需要增大輸入至TFT中的電流值,因此,傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板需要耗費(fèi)較多的電能。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置、面板,其能使得所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板在不增加額外的輸入至TFT中的電流的情況下取得預(yù)期的顯示效果。
      [0006]為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
      一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括:數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路;掃描驅(qū)動(dòng)電路;有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板與所述掃描驅(qū)動(dòng)電路和所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路連接,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括:玻璃基板;緩沖層,所述緩沖層設(shè)置在所述玻璃基板上;絕緣層;開(kāi)關(guān)器件層,所述開(kāi)關(guān)器件層包括薄膜晶體管開(kāi)關(guān)、掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn),所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括:多晶硅層,所述多晶硅層設(shè)置在所述緩沖層上,所述絕緣層覆蓋所述多晶硅層;柵極,所述柵極設(shè)置在所述絕緣層上,并且所述柵極的位置與所述多晶硅層的位置對(duì)應(yīng),所述柵極與所述掃描線(xiàn)連接;源極,所述源極的至少兩第一接觸面與所述多晶硅層接觸,所述源極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接;漏極,所述漏極的至少兩第二接觸面與所述多晶硅層接觸;平坦化層,所述平坦化層設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)器件層上;顯示器件層,所述顯示器件層設(shè)置在所述平坦化層上,所述顯示器件層包括:陽(yáng)極層,所述陽(yáng)極層設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)器件層上,所述陽(yáng)極層與所述漏極連接;空穴注入層,所述空穴注入層設(shè)置在所述陽(yáng)極層上;空穴傳輸層,所述空穴傳輸層設(shè)置在所述空穴注入層上;發(fā)光材料層,所述發(fā)光材料層設(shè)置在所述空穴傳輸層上;電子傳輸層,所述電子傳輸層設(shè)置在所述發(fā)光材料層上;電子注入層,所述電子注入層設(shè)置在所述電子傳輸層上;陰極層,所述陰極層設(shè)置在所述電子注入層上;蓋板。
      [0007]在上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板還包括:密封膠構(gòu)件,所述密封膠構(gòu)件設(shè)置在所述玻璃基板的邊緣部,所述密封膠構(gòu)件在所述邊緣部處與所述蓋板和所述基板接觸,所述密封膠構(gòu)件用于在所述邊緣部處密封所述蓋板與所述基板之間的縫隙。
      [0008]在上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,所述密封膠構(gòu)件中混合有結(jié)構(gòu)鞏固顆粒,所述結(jié)構(gòu)鞏固顆粒用于加強(qiáng)所述密封膠構(gòu)件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
      [0009]在上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,所述結(jié)構(gòu)鞏固顆粒為金屬顆粒。
      [0010]在上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,所述多晶硅層中摻雜有P離子。
      [0011]一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括:玻璃基板;緩沖層,所述緩沖層設(shè)置在所述玻璃基板上;絕緣層;開(kāi)關(guān)器件層,所述開(kāi)關(guān)器件層包括薄膜晶體管開(kāi)關(guān)、掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn),所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括:多晶硅層,所述多晶硅層設(shè)置在所述緩沖層上,所述絕緣層覆蓋所述多晶硅層;柵極,所述柵極設(shè)置在所述絕緣層上,并且所述柵極的位置與所述多晶硅層的位置對(duì)應(yīng),所述柵極與所述掃描線(xiàn)連接;源極,所述源極的至少兩第一接觸面與所述多晶硅層接觸,所述源極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接;漏極,所述漏極的至少兩第二接觸面與所述多晶硅層接觸;平坦化層,所述平坦化層設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)器件層上;顯示器件層,所述顯示器件層設(shè)置在所述平坦化層上,所述顯示器件層包括:陽(yáng)極層,所述陽(yáng)極層設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)器件層上,所述陽(yáng)極層與所述漏極連接;空穴注入層,所述空穴注入層設(shè)置在所述陽(yáng)極層上;空穴傳輸層,所述空穴傳輸層設(shè)置在所述空穴注入層上;發(fā)光材料層,所述發(fā)光材料層設(shè)置在所述空穴傳輸層上;電子傳輸層,所述電子傳輸層設(shè)置在所述發(fā)光材料層上;電子注入層,所述電子注入層設(shè)置在所述電子傳輸層上;陰極層,所述陰極層設(shè)置在所述電子注入層上;蓋板。
      [0012]在上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板還包括:密封膠構(gòu)件,所述密封膠構(gòu)件設(shè)置在所述玻璃基板的邊緣部,所述密封膠構(gòu)件在所述邊緣部處與所述蓋板和所述基板接觸,所述密封膠構(gòu)件用于在所述邊緣部處密封所述蓋板與所述基板之間的縫隙。
      [0013]在上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中,所述密封膠構(gòu)件中混合有結(jié)構(gòu)鞏固顆粒,所述結(jié)構(gòu)鞏固顆粒用于加強(qiáng)所述密封膠構(gòu)件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
      [0014]在上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中,所述結(jié)構(gòu)鞏固顆粒為金屬顆粒。
      [0015]在上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中,所述多晶硅層中摻雜有P離子。
      [0016]相對(duì)現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明可以有效降低所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中的TFT的漏電流,從而可以使得所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板在不增加額外的輸入至TFT中的電流的情況下取得預(yù)期的顯示效果。
      【附圖說(shuō)明】
      [0017]圖1為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的示意圖。
      [0018]圖2為圖1中的顯示器件層的示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0019]參考圖1和圖2,圖1為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板的示意圖,圖2為圖1中的顯示器件層的示意圖。
      [0020]本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路、掃描驅(qū)動(dòng)電路、有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。
      [0021]所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板與所述掃描驅(qū)動(dòng)電路和所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路連接,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括: 玻璃基板101。
      [0022]緩沖層102,所述緩沖層設(shè)置在所述玻璃基板上。
      [0023]絕緣層。
      [0024]開(kāi)關(guān)器件層103,所述開(kāi)關(guān)器件層包括薄膜晶體管開(kāi)關(guān)、掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn),所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括:
      多晶硅層,所述多晶硅層設(shè)置在所述緩沖層上,所述絕緣層覆蓋所述多晶硅層。
      [0025]柵極,所述柵極設(shè)置在所述絕緣層上,并且所述柵極的位置與所述多晶硅層的位置對(duì)應(yīng),所述柵極與所述掃描線(xiàn)連接。
      [0026]源極,所述源極的至少兩第一接觸面與所述多晶硅層接觸,所述源極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接。
      [0027]漏極,所述漏極的至少兩第二接觸面與所述多晶硅層接觸。
      [0028]平坦化層104,所述平坦化層設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)器件層上。
      [0029]顯示器件層105,所述顯示器件層設(shè)置在所述平坦化層上,所述顯示器件層包括: 陽(yáng)極層1051,所述陽(yáng)極層設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)器件層上,所述陽(yáng)極層與所述漏極連接。
      [0030]空穴注入層1052,所述空穴注入層設(shè)置在所述陽(yáng)極層上。
      [0031]空穴傳輸層1053,所述空穴傳輸層設(shè)置在所述空穴注入層上。
      [0032]發(fā)光材料層1054,所述發(fā)光材料層設(shè)置在所述空穴傳輸層上。
      [0033]電子傳輸層1055,所述電子傳輸層設(shè)置在所述發(fā)光材料層上。
      [0034]電子注入層1056,所述電子注入層設(shè)置在所述電子傳輸層上。
      [0035]陰極層1057,所述陰極層設(shè)置在所述電子注入層上。
      [0036]蓋板106。
      [0037]在本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板還包括: 密封膠構(gòu)件107,所述密封膠構(gòu)件設(shè)置在所述玻璃基板的邊緣部,所述密封膠構(gòu)件在所述邊緣部處與所述蓋板和所述基板接觸,所述密封膠構(gòu)件用于在所述邊緣部處密封所述蓋板與所述基板之間的縫隙。
      [0038]在本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,所述密封膠構(gòu)件中混合有結(jié)構(gòu)鞏固顆粒,所述結(jié)構(gòu)鞏固顆粒用于加強(qiáng)所述密封膠構(gòu)件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。
      [0039]在本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,所述結(jié)構(gòu)鞏固顆粒為金屬顆粒。
      [0040]在本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置中,所述多晶硅層中摻雜有P離子。
      [0041]通過(guò)上述技術(shù)方案,可以有效降低所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板中的TFT的漏電流,從而可以使得所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板在不增加額外的輸入至TFT中的電流的情況下取得預(yù)期的顯示效果,進(jìn)而降低能耗。
      [0042]所述蓋板與所述顯示器件層之間設(shè)置有防護(hù)緩沖板,所述防護(hù)緩沖板用于在所述蓋板受到外力的作用時(shí)防止所述外力透過(guò)所述蓋板施加到所述顯示器件層上。
      [0043]所述防護(hù)緩沖板包括第一板體、柔性材料層和第二板體,所述柔性材料層設(shè)置在所述第一板體和所述第二板體之間。
      [0044]所述第一板體朝向所述柔性材料層的一面上設(shè)置有第一彈簧陣列,所述第一彈簧陣列包括至少兩第一彈簧。
      [0045]所述第二板體朝向所述柔性材料層的一面上設(shè)置有第二彈簧陣列,所述第二彈簧陣列包括至少兩第二彈簧。
      [0046]所述柔性材料層包括通孔陣列,所述通孔陣列包括至少兩通孔,所述通孔貫穿所述柔性材料層。所述第一彈簧和所述第二彈簧均設(shè)置在所述通孔內(nèi)。
      [0047]所述第一彈簧的一端固定在所述第一板體上,所述第一彈簧的另一端往遠(yuǎn)離所述第一板體的方向延伸。所述第二彈簧的一端固定在所述第二板體上,所述第二彈簧的另一端朝遠(yuǎn)離所述第二板體的方向延伸。
      [0048]其中,所述第一彈簧的內(nèi)徑大于所述第二彈簧的外徑。
      [0049]所述防護(hù)緩沖板還包括至少兩第一柔性管和至少兩第二柔性管。
      [0050]所述第一彈簧嵌套于所述第一柔性管內(nèi),所述第一柔性管嵌套于所述第二彈簧內(nèi),所述第二彈簧嵌套于所述第二柔性管內(nèi)。即,所述第一柔性管將所述第一彈簧與所述第二彈簧隔開(kāi),所述第二柔性管用于將所述第二彈簧與所述通孔的內(nèi)壁隔開(kāi),這樣有利于防止所述第一彈簧與所述第二彈簧相互卡設(shè)(互相繞合為一體),以及防止所述通孔的開(kāi)口部或內(nèi)壁與所述第二彈簧相卡設(shè),從而避免所述第一彈簧和所述第二彈簧失效。
      [0051]所述第一柔性管和所述第二柔性管均為橡膠管,所述第一柔性管的內(nèi)壁與所述第一彈簧相固定,所述第二柔性管的內(nèi)壁與所述第二彈簧相固定。或者,所述第一柔性管的外壁與所述第二彈簧相固定。
      [0052]具體地,所述第一柔性管的內(nèi)壁設(shè)置有第一卡設(shè)部,所述第一彈簧的第一筋條卡設(shè)在所述第一卡設(shè)部處,所述第二柔性管的內(nèi)壁設(shè)置有第二卡設(shè)部,所述第二彈簧的第二筋條卡設(shè)在所述第二卡設(shè)部處?;蛘?,所述第二柔性管的外壁還設(shè)置有第三卡設(shè)部,所述第二彈簧的所述第二筋條卡設(shè)在所述第三卡設(shè)部處。
      [0053]所述第一板體朝向所述柔性材料層的一面設(shè)置有第一防靜電材料層,所述柔性材料層朝向所述第一板體的一面設(shè)置有第二防靜電材料層,所述第二板體朝向所述柔性材料層的一面設(shè)置有第三防靜電材料層,所述柔性材料層朝向所述第二板體的一面設(shè)置有第四防靜電材料層。
      [0054]所述第一防靜電材料層和所述第二防靜電材料層用于在所述第一板體與所述柔性材料層摩擦?xí)r防止靜電的產(chǎn)生,所述第三防靜電材料層和所述第四防靜電材料層用于在所述第二板體與所述柔性材料層摩擦?xí)r防止靜電的產(chǎn)生。
      [0055]所述柔性材料層所對(duì)應(yīng)的材料為泡沫材料。
      [0056]綜上所述,雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例揭露如上,但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括: 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路; 掃描驅(qū)動(dòng)電路; 有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板與所述掃描驅(qū)動(dòng)電路和所述數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路連接,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括: 玻璃基板; 緩沖層,所述緩沖層設(shè)置在所述玻璃基板上; 絕緣層; 開(kāi)關(guān)器件層,所述開(kāi)關(guān)器件層包括薄膜晶體管開(kāi)關(guān)、掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn),所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括: 多晶硅層,所述多晶硅層設(shè)置在所述緩沖層上,所述絕緣層覆蓋所述多晶硅層; 柵極,所述柵極設(shè)置在所述絕緣層上,并且所述柵極的位置與所述多晶硅層的位置對(duì)應(yīng),所述柵極與所述掃描線(xiàn)連接; 源極,所述源極的至少兩第一接觸面與所述多晶硅層接觸,所述源極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接; 漏極,所述漏極的至少兩第二接觸面與所述多晶硅層接觸; 平坦化層,所述平坦化層設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)器件層上; 顯示器件層,所述顯示器件層設(shè)置在所述平坦化層上,所述顯示器件層包括: 陽(yáng)極層,所述陽(yáng)極層設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)器件層上,所述陽(yáng)極層與所述漏極連接; 空穴注入層,所述空穴注入層設(shè)置在所述陽(yáng)極層上; 空穴傳輸層,所述空穴傳輸層設(shè)置在所述空穴注入層上; 發(fā)光材料層,所述發(fā)光材料層設(shè)置在所述空穴傳輸層上; 電子傳輸層,所述電子傳輸層設(shè)置在所述發(fā)光材料層上; 電子注入層,所述電子注入層設(shè)置在所述電子傳輸層上; 陰極層,所述陰極層設(shè)置在所述電子注入層上; 蓋板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板還包括: 密封膠構(gòu)件,所述密封膠構(gòu)件設(shè)置在所述玻璃基板的邊緣部,所述密封膠構(gòu)件在所述邊緣部處與所述蓋板和所述基板接觸,所述密封膠構(gòu)件用于在所述邊緣部處密封所述蓋板與所述基板之間的縫隙。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述密封膠構(gòu)件中混合有結(jié)構(gòu)鞏固顆粒,所述結(jié)構(gòu)鞏固顆粒用于加強(qiáng)所述密封膠構(gòu)件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述結(jié)構(gòu)鞏固顆粒為金屬顆粒。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置,其特征在于,所述多晶硅層中摻雜有P離子。6.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括: 玻璃基板; 緩沖層,所述緩沖層設(shè)置在所述玻璃基板上; 絕緣層; 開(kāi)關(guān)器件層,所述開(kāi)關(guān)器件層包括薄膜晶體管開(kāi)關(guān)、掃描線(xiàn)、數(shù)據(jù)線(xiàn),所述薄膜晶體管開(kāi)關(guān)包括: 多晶硅層,所述多晶硅層設(shè)置在所述緩沖層上,所述絕緣層覆蓋所述多晶硅層; 柵極,所述柵極設(shè)置在所述絕緣層上,并且所述柵極的位置與所述多晶硅層的位置對(duì)應(yīng),所述柵極與所述掃描線(xiàn)連接; 源極,所述源極的至少兩第一接觸面與所述多晶硅層接觸,所述源極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)連接; 漏極,所述漏極的至少兩第二接觸面與所述多晶硅層接觸; 平坦化層,所述平坦化層設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)器件層上; 顯示器件層,所述顯示器件層設(shè)置在所述平坦化層上,所述顯示器件層包括: 陽(yáng)極層,所述陽(yáng)極層設(shè)置在所述開(kāi)關(guān)器件層上,所述陽(yáng)極層與所述漏極連接; 空穴注入層,所述空穴注入層設(shè)置在所述陽(yáng)極層上; 空穴傳輸層,所述空穴傳輸層設(shè)置在所述空穴注入層上; 發(fā)光材料層,所述發(fā)光材料層設(shè)置在所述空穴傳輸層上; 電子傳輸層,所述電子傳輸層設(shè)置在所述發(fā)光材料層上; 電子注入層,所述電子注入層設(shè)置在所述電子傳輸層上; 陰極層,所述陰極層設(shè)置在所述電子注入層上; 蓋板。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板還包括: 密封膠構(gòu)件,所述密封膠構(gòu)件設(shè)置在所述玻璃基板的邊緣部,所述密封膠構(gòu)件在所述邊緣部處與所述蓋板和所述基板接觸,所述密封膠構(gòu)件用于在所述邊緣部處密封所述蓋板與所述基板之間的縫隙。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,所述密封膠構(gòu)件中混合有結(jié)構(gòu)鞏固顆粒,所述結(jié)構(gòu)鞏固顆粒用于加強(qiáng)所述密封膠構(gòu)件的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,所述結(jié)構(gòu)鞏固顆粒為金屬顆粒。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板,其特征在于,所述多晶硅層中摻雜有P離子。
      【文檔編號(hào)】H01L27/32GK105977281SQ201610632152
      【公開(kāi)日】2016年9月28日
      【申請(qǐng)日】2016年8月4日
      【發(fā)明人】劉彥龍, 蘇俊武, 丁杰, 李濤
      【申請(qǐng)人】深圳愛(ài)易瑞科技有限公司
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