半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其具有功率元件和檢測(cè)功率元件的溫度的熱敏元件，其中，通過(guò)對(duì)構(gòu)成功率元件的晶體管的一部分進(jìn)行變形而將熱敏元件配置在發(fā)熱源附近，以使得熱敏元件能夠更準(zhǔn)確地檢測(cè)功率元件的溫度。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
半導(dǎo)體裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及具有檢測(cè)過(guò)熱的功能的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體集成電路中，由于有源元件的動(dòng)作和電荷從外部的流入等引起發(fā)熱。因此，配置熱敏元件，根據(jù)來(lái)自熱敏元件的信號(hào)對(duì)半導(dǎo)體集成電路進(jìn)行控制，以不讓由過(guò)熱引起的動(dòng)作異?；蚱茐漠a(chǎn)生。作為熱敏元件，利用例如PN結(jié)的正向電壓。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，如果恒定電流在PN結(jié)的正向上通過(guò)，則會(huì)在PN結(jié)的兩端產(chǎn)生電位差。由于該電位差根據(jù)溫度而變化，因此，該電位差被用作過(guò)熱檢測(cè)的信號(hào)(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2)。
[0003]專(zhuān)利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)平08-236709號(hào)公報(bào)
[0004]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)平03-034360號(hào)公報(bào)
[0005]在半導(dǎo)體集成電路中，微型化正處于發(fā)展中。由于溫度上升與面積成反比例地增大，因此，伴隨著近年來(lái)的微型化的發(fā)展，局部的溫度上升變得急劇。當(dāng)局部的發(fā)熱變大時(shí)，發(fā)熱源和熱敏元件之間的溫度差增大。為了解決該問(wèn)題，盡可能地將發(fā)熱源和熱敏元件接近地配置是有效的。
[0006]在專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2中，都通過(guò)使用借助絕緣膜來(lái)分離發(fā)熱源的半導(dǎo)體層I和熱敏元件的半導(dǎo)體層2的方法而能夠?qū)l(fā)熱源和熱敏元件接近地配置。
[0007]—般地，發(fā)熱源的面積比熱敏元件的面積大。因此，像專(zhuān)利文獻(xiàn)I的圖1所示那樣平面地挖出發(fā)熱源的一部分并將熱敏元件配置于此處是較佳的。這是因?yàn)?熱敏元件被發(fā)熱源包圍，因此能夠更準(zhǔn)確地感知發(fā)熱源的溫度。
[0008]在專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2中，對(duì)功率元件為縱型(縱向)晶體管的情況進(jìn)行了具體的描述。由于縱型晶體管的基本單元一般是正方形或?qū)φ叫紊晕⒆冃蔚玫降男螤?，因此，像?zhuān)利文獻(xiàn)I的圖1所示那樣配置成平面地挖出發(fā)熱源的一部分的形狀是容易的。
[0009]然而，在功率元件為橫型(橫向)晶體管的情況下，由于存在下面描述的困難，以往沒(méi)有形成為平面地挖出發(fā)熱源的一部分的形狀。這里，關(guān)于橫型晶體管，將寬度較長(zhǎng)的晶體管等間距地排列。并且，一個(gè)源區(qū)(source)是將兩個(gè)晶體管的溝道的源區(qū)共用化得到的。并且，一個(gè)漏區(qū)(drain)是將兩個(gè)晶體管的溝道的漏區(qū)共用化得到的。即，源區(qū)、漏區(qū)在相鄰的兩個(gè)晶體管中被共用化，因此，很難僅改變一部分的寬度。
[0010]或者，不進(jìn)行上述那樣的源區(qū)或漏區(qū)的共用化，由此，減小一部分的晶體管的寬度，從而實(shí)現(xiàn)平面地挖空的形狀。但是，在該方法中，配置晶體管的間距變大，因此，具有每單位面積的發(fā)熱量減少而熱敏元件附近的溫度降低的缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明鑒于上述的問(wèn)題，其課題在于提供如下的半導(dǎo)體裝置:在該半導(dǎo)體裝置中，通過(guò)在由橫型晶體管構(gòu)成的功率元件中，對(duì)構(gòu)成晶體管的源區(qū)、漏區(qū)、溝道以及電場(chǎng)緩和區(qū)域進(jìn)行變形而能夠更準(zhǔn)確地感知功率元件的溫度。
[0012]為了解決上述課題，在本發(fā)明中使用以下手段。
[0013]—種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有由于在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)電流流動(dòng)而有可能導(dǎo)致熱損壞的功率元件、和用于檢測(cè)溫度的熱敏元件，所述功率元件形成于第一半導(dǎo)體層，所述熱敏元件形成于第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層借助絕緣膜而分離，平面觀察時(shí)，所述熱敏元件的至少兩邊與所述功率元件相鄰，在所述功率元件中，多個(gè)橫型MOS晶體管以相等的間距配置，在多個(gè)所述MOS晶體管中的與所述熱敏元件相鄰的至少一個(gè)MOS晶體管中，源區(qū)寬度和漏區(qū)寬度之差、跟不與所述熱敏元件相鄰的所述MOS晶體管的源區(qū)寬度和漏區(qū)寬度之差不同。
[0014]發(fā)明效果
[0015]通過(guò)使用上述手段，能夠提供可以更準(zhǔn)確地感知功率元件的溫度的半導(dǎo)體裝置。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1的(A)和(B)分別是本發(fā)明的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置中的功率元件和熱敏元件的平面配置圖和剖視圖。
[0017]圖2是現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中的功率元件和熱敏元件的平面配置圖。
[0018]圖3是現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置中的功率元件和熱敏元件的平面配置圖。
[0019]圖4是本發(fā)明的實(shí)施例2的半導(dǎo)體裝置中的功率元件和熱敏元件的平面配置圖。
[0020]圖5是實(shí)施寄生溝道對(duì)策后的本發(fā)明的實(shí)施例3的半導(dǎo)體裝置中的功率元件和熱敏元件的平面配置圖。
[0021]圖6是實(shí)施寄生雙極對(duì)策后的本發(fā)明的實(shí)施例4的半導(dǎo)體裝置中的功率元件和熱敏元件的平面配置圖。
[0022]圖7是實(shí)施寄生雙極對(duì)策后的本發(fā)明的實(shí)施例5的半導(dǎo)體裝置中的功率元件和熱敏元件的平面配置圖。
[0023]圖8是實(shí)施寄生溝道對(duì)策和寄生雙極對(duì)策后的本發(fā)明的實(shí)施例6的半導(dǎo)體裝置中的功率元件和熱敏元件的平面配置圖。
[0024]圖9是實(shí)施寄生雙極對(duì)策后的本發(fā)明的實(shí)施例7的半導(dǎo)體裝置中的功率元件和熱敏元件的平面配置圖。
[0025]圖10是實(shí)施寄生雙極對(duì)策后的本發(fā)明的實(shí)施例8的半導(dǎo)體裝置中的功率元件和熱敏元件的平面配置圖。
[0026]標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0027]1:第一半導(dǎo)體層;2:第二半導(dǎo)體層、熱敏元件；3:L0C0S氧化膜、元件分離部;4:柵極;5:源區(qū);6、6A、6B:漏區(qū)；7:漏區(qū)電場(chǎng)緩和區(qū)域、漏區(qū)低濃度區(qū)域;8:襯底接觸區(qū)域。
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下，使用附圖按照各個(gè)實(shí)施例對(duì)用于實(shí)施發(fā)明的方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0029]【實(shí)施例1】
[0030]圖1的(A)是示出本發(fā)明的功率元件和熱敏元件的配置的平面圖。圖1的(B)是沿圖1的(A)的切割線A-A的剖視圖。功率元件形成于第一半導(dǎo)體層I。熱敏元件2形成于與第一半導(dǎo)體層I不同的第二半導(dǎo)體層2。熱敏元件2大致上具有矩形的形狀，由四邊圍著。第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層隔著元件分離的LOCOS氧化膜3而被分離。這里，第一半導(dǎo)體層I是半導(dǎo)體襯底，第二半導(dǎo)體層2是例如多晶硅。
[0031]形成功率元件的晶體管是橫型MOS晶體管，由柵極4、源區(qū)5、漏區(qū)6A、6B以及漏區(qū)電場(chǎng)緩和區(qū)域7構(gòu)成。由于發(fā)熱與電壓和電流的積即功率成比例，因此，在電壓較高的高耐圧的功率元件中，發(fā)熱多成為課題。因此，記載有如下類(lèi)型的高耐圧晶體管:該高耐圧晶體管將一般用作元件分離的LOCOS氧化膜3作為漏區(qū)的電場(chǎng)緩和區(qū)域7使用。以后，將其稱(chēng)為L(zhǎng)OCOS漏型。
[0032]將大的溝道寬度的晶體管等間距地排列的配置是在功率元件那樣的流過(guò)大電流的元件中經(jīng)常使用的方法。這里，如圖1的(A)所示，縮短構(gòu)成功率元件的多個(gè)晶體管之一的漏區(qū)6A的寬度，將熱敏元件配置于空出的空間。溝道寬度由源區(qū)5的寬度決定，在本實(shí)施例中，源區(qū)的寬度和溝道寬度相同。
[0033]LOCOS漏型的晶體管是通常的晶體管的一種，漏區(qū)6A、6B被漏區(qū)電場(chǎng)緩和區(qū)域7包圍。即，漏區(qū)電場(chǎng)緩和區(qū)域7的寬度比漏區(qū)6A、6B的寬度寬。因此，考慮到漏區(qū)電場(chǎng)緩和區(qū)域7的尺寸，漏區(qū)6的寬度多比源區(qū)5的寬度小。這樣，通常在漏區(qū)和源區(qū)的寬度中存在差。
[0034]在圖1的(A)中，縮短了一個(gè)漏區(qū)6A的寬度，但是沒(méi)有縮短使電流流到該漏區(qū)的源區(qū)的寬度。因此，與熱敏元件相鄰的晶體管的源區(qū)和漏區(qū)的寬度之差、跟不與熱敏元件相鄰的晶體管的源區(qū)和漏區(qū)的寬度之差不同，差變大。
[0035]為了避免對(duì)寬度的方向是上下、左右中的哪一個(gè)產(chǎn)生混淆，由于晶體管中流動(dòng)的電流通常與溝道的寬度成正比例并與溝道的長(zhǎng)度成反比例，因此將與該寬度相同的朝向稱(chēng)作寬度。在附圖中指圖面的上下方向的長(zhǎng)度。
[0036]這里，對(duì)第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層被LOCOS氧化膜分離的情況進(jìn)行了描述，但不限于此。使用其他絕緣膜代替LOCOS氧化膜，也不會(huì)失去本發(fā)明的本質(zhì)。
[0037]這里，作為橫型MOS晶體管，對(duì)將LOCOS氧化膜用于電場(chǎng)緩和區(qū)域這一類(lèi)型的晶體管的情況進(jìn)行了敘述，但是不限于此。本發(fā)明的本質(zhì)對(duì)于橫型MOS晶體管一般是相通的。
[0038]雖然漏區(qū)和源區(qū)的寬度不同的情況是較普遍的，但即使在差為零的情況下也不會(huì)失去本發(fā)明的本質(zhì)。在該情況下，不與熱敏元件相鄰的晶體管的源區(qū)和漏區(qū)的寬度之差為零，而與熱敏元件相鄰的晶體管的源區(qū)和漏區(qū)的寬度之差不為零。
[0039]作為比較例，在圖2、3中示出了現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的平面圖。圖2是基于現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的平面圖。熱敏元件被配置成與將相同寬度的晶體管等間距地排列成的功率元件相鄰。圖3是使用現(xiàn)有技術(shù)而以熱敏元件被功率元件夾著的方式配置的情況的平面圖。由于在熱敏元件的兩邊方向具有功率元件，因此，能夠比圖2更準(zhǔn)確地感知功率元件的溫度。對(duì)此，由于在圖1所示的本實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中，在熱敏元件的四個(gè)方向上具有功率元件，因此，能夠比圖2、3所示的現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置更準(zhǔn)確地感知功率元件的溫度。
[0040]【實(shí)施例2】
[0041]若像實(shí)施例1那樣只對(duì)一個(gè)漏區(qū)進(jìn)行變形的話，有時(shí)無(wú)法得到配置熱敏元件的廣度。在該情況下，需要對(duì)溝道、源區(qū)進(jìn)行變形。對(duì)該情況進(jìn)行圖示的是圖4。不僅是近前的漏區(qū)6A，還去除鄰近的柵極4和源區(qū)5的一部分，縮窄了溝道的寬度。這里，溝道是指包圍源區(qū)5的不存在LOCOS氧化膜的區(qū)域(稱(chēng)為有源區(qū))和柵極4重疊的部分。在圖中畫(huà)在熱敏元件2的左右兩旁的由源區(qū)5和漏區(qū)6B構(gòu)成的晶體管中，源區(qū)5的熱敏元件側(cè)的一部分被去除而變細(xì)，但其影響幾乎沒(méi)有。
[0042]【實(shí)施例3】
[0043]如果存在熱敏元件，則有時(shí)會(huì)由于熱敏元件的電位、針對(duì)熱敏元件的布線而形成寄生溝道。因此，在圖4的配置中，有可能形成寄生溝道，電流從源區(qū)經(jīng)由寄生溝道流到漏區(qū)。因此，通過(guò)配置圖5所示那樣的將寬度被縮短后的柵極彼此連結(jié)起來(lái)的柵極，能夠不使電流經(jīng)由寄生溝道流到漏區(qū)。
[0044]該方法有時(shí)對(duì)于不面對(duì)熱敏元件的功率元件的邊也適用。但是，與本發(fā)明無(wú)關(guān)，因此省略。
[0045]【實(shí)施例4】
[0046]在實(shí)際的功率元件中，經(jīng)常有干擾從芯片外部進(jìn)入漏端子的情況。有時(shí)因這樣的干擾引起寄生雙極電流過(guò)渡性地流動(dòng)。寄生雙極電流通常由于在源區(qū)/襯底的接合處成為流動(dòng)正向電流的狀態(tài)而產(chǎn)生。由于該電流不是限定于溝道而流動(dòng)的電流，因此，即使沒(méi)有溝道，如果比漏區(qū)的寬度大很多的源區(qū)位于附近，則電流也會(huì)集中于漏區(qū)的一部分。如果電流集中，則溫度局部地增大，功率元件容易熱損壞。圖4、圖5所示的實(shí)施例是沒(méi)有考慮這樣的因素的、用于示出原理的基本形，因此，容易產(chǎn)生該電流集中。實(shí)施了該對(duì)策的是圖6。將源區(qū)的不與溝道相接的部分去除直至兩旁的晶體管的部分。即使在半導(dǎo)體制造中發(fā)生經(jīng)常出現(xiàn)的配置偏差，也會(huì)可靠地在該部分不形成源區(qū)。兩旁的晶體管的溝道的一部分也不會(huì)被形成而消失。這樣，能夠防止從源區(qū)流出的寄生雙極電流集中于漏區(qū)的一部分。
[0047]【實(shí)施例5】
[0048]在功率元件為N型MOS晶體管的情況下，在實(shí)施例4(圖6)中進(jìn)行了敘述的寄生雙極電流由于在N型的源區(qū)和P型的襯底之間流動(dòng)正向電流而產(chǎn)生。因此，在保留圖4、圖5中變細(xì)了的源區(qū)的有源區(qū)的狀態(tài)下，使該有源區(qū)為與P型襯底極性相同的P型，由此，能夠消除從源區(qū)流向襯底的正向電流。對(duì)圖4應(yīng)用了該想法的配置是圖7。將在圖4的源區(qū)處，將成為電流集中的主要因素的部位變?yōu)榕c襯底極性相同的襯底接觸區(qū)域8。這樣，能夠形成不作為MOS晶體管工作的區(qū)域，防止寄生雙極電流集中于漏區(qū)的一部分。
[0049]【實(shí)施例6】
[0050]在對(duì)實(shí)施例5進(jìn)行說(shuō)明的圖7所示的平面圖中，電流有可能從源區(qū)經(jīng)由寄生溝道流到漏區(qū)。作為該對(duì)策之一，存在實(shí)施例3(圖5)中示出的方法，但作為其他方法，存在使面對(duì)元件分離區(qū)域的源區(qū)的部分為與襯底相同極性的襯底接觸區(qū)域的方法。對(duì)圖7使用了該想法的配置是圖8。
[0051]在功率元件為N型的MOS晶體管的情況下，元件分離區(qū)域是P型，源區(qū)和漏區(qū)是N型。如果因?yàn)椴季€等的影響而元件分離區(qū)域的P型發(fā)生N型化，則從源區(qū)經(jīng)由元件分離區(qū)域到達(dá)漏區(qū)的路徑全部變?yōu)镹型，因此，電流流動(dòng)。將該電流路徑稱(chēng)為寄生溝道，將電流稱(chēng)為寄生溝道泄漏電流。如果使面對(duì)元件分離區(qū)域的源區(qū)的部分為與襯底極性相同的P型，則不會(huì)發(fā)生上述路徑全部變?yōu)镹型的情況，因此，寄生溝道泄漏電流不會(huì)流動(dòng)。
[0052]在圖8中，在為了配置熱敏元件而進(jìn)行了變形的源區(qū)域中，將面對(duì)作為元件分離區(qū)域的LOCOS氧化膜的區(qū)域全都形成為襯底接觸區(qū)域8。由此，防止了寄生溝道的產(chǎn)生。
[0053]【實(shí)施例7】
[0054]圖9是防止實(shí)施例4(圖6)中進(jìn)行了描述的寄生雙極電流局部集中于漏區(qū)的一部分的方法之一。為了配置熱敏元件而縮小漏區(qū)6A的寬度，與該縮小了的漏區(qū)6A的寬度對(duì)應(yīng)地縮小由縮小了的漏區(qū)6A構(gòu)成的晶體管的溝道寬度和源區(qū)5的寬度。這樣，如圖9所示，不與熱敏元件相鄰的漏區(qū)6B變得比與熱敏元件相鄰的源區(qū)5大。由于寄生雙極電流是當(dāng)從源區(qū)向襯底流動(dòng)正向電流而產(chǎn)生的，因此，在像這樣地漏區(qū)6B比源區(qū)5大的情況下，不會(huì)產(chǎn)生電流集中。
[0055]【實(shí)施例8】
[0056]圖1O是對(duì)實(shí)施例1中進(jìn)彳丁了說(shuō)明的圖1實(shí)施寄生雙極電流對(duì)策后的圖。由于在圖1中存在源區(qū)比漏區(qū)大的部位，因此，通過(guò)將源區(qū)的一部分形成為襯底接觸區(qū)域而使得不會(huì)產(chǎn)生電流集中。對(duì)于圖1，也可以通過(guò)使用圖6、圖9中示出的方法來(lái)防止電流集中。對(duì)此，與實(shí)施例4、實(shí)施例7中所述的內(nèi)容相同。
[0057]在圖1中，由于與溝道相接的源區(qū)的寬度比漏區(qū)的寬度大，因此，流過(guò)通常的溝道的電荷會(huì)局部地集中于漏區(qū)。因此，流過(guò)溝道的電荷在漏區(qū)附近被電場(chǎng)加速而產(chǎn)生的電離碰撞(電離衝突)的密度局部地較大。因此，容易產(chǎn)生下述現(xiàn)象:由于因電離碰撞產(chǎn)生的襯底電流而襯底電位上升，從源區(qū)向襯底流動(dòng)正向電流。并且，由于電離碰撞的密度大，因此，通常被稱(chēng)作熱載流子漂移的特性劣化局部地變大。如果使用之前所述的方法，則這些問(wèn)題也會(huì)得到解決。
[0058]【實(shí)施例9】
[0059]形成有熱敏元件的第二半導(dǎo)體層是多晶硅，與柵極所使用的多晶硅相同。這樣，能夠不需要附加工序而形成熱敏元件。由于在實(shí)施例1至實(shí)施例8中所述的所有配置中，柵極和熱敏元件沒(méi)有重疊，因此，能夠用于之前所述的所有實(shí)施例。
[0060]在實(shí)施例1至8的說(shuō)明中，省略了柵極之上的層間絕緣膜、包含接觸孔(contact)的布線。這些是通過(guò)半導(dǎo)體裝置的普通的技術(shù)來(lái)配置的，關(guān)于怎樣配置，是本領(lǐng)域技術(shù)人員所了解的事情，因此省略。
[0061]在實(shí)施例1至8的說(shuō)明中，能夠?qū)崦粼乃膫€(gè)方向全被功率元件包圍的配置進(jìn)行了敘述，但不限于該配置。例如，采用使功率元件的一邊凹入的凹型的配置，將熱敏元件配置于凹入的區(qū)域。在該情況下，熱敏元件的三個(gè)方向被功率元件包圍。這種情況下也不會(huì)失去本發(fā)明的本質(zhì)。與四個(gè)方向全被包圍的情況相比，在該情況下，功率元件的最高溫度地點(diǎn)和熱敏元件地點(diǎn)的溫度差變大。但是，從熱敏元件引出布線變得容易。在布線層較少的情況下，有時(shí)這種方法是有利的。
[0062]并且，在將MOS晶體管排列來(lái)形成長(zhǎng)方形的功率元件，并對(duì)其頂點(diǎn)附近的MOS晶體管進(jìn)行變形來(lái)配置熱敏元件的情況下，熱敏元件的兩邊被功率元件包圍。該情況下也不會(huì)失去本發(fā)明的本質(zhì)。與上述的三個(gè)方向被包圍的情況相比，在該情況下，功率元件的最高溫度地點(diǎn)和熱敏元件地點(diǎn)的溫度差進(jìn)一步變大。然而，在功率元件處的發(fā)熱比較小的情況下，有時(shí)這樣的配置也能滿足性能。在該情況下，也可以綜合地考慮其他電路和芯片面積等而選擇該配置。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: 功率元件，其形成于第一半導(dǎo)體層；以及 矩形的熱敏元件，其形成于借助絕緣膜與所述第一半導(dǎo)體層分離的第二半導(dǎo)體層，用于檢測(cè)所述功率元件的溫度， 平面觀察時(shí)，所述熱敏元件的至少兩邊與所述功率元件相鄰， 在所述功率元件中，多個(gè)橫型MOS晶體管以相等的間距配置， 縮短所述橫型MOS晶體管的漏區(qū)的一部分的寬度而配置所述熱敏元件， 在所述多個(gè)橫型MOS晶體管中的與所述熱敏元件相鄰的至少一個(gè)MOS晶體管中，源區(qū)寬度和漏區(qū)寬度之差比不與所述熱敏元件相鄰的所述MOS晶體管的源區(qū)寬度和漏區(qū)寬度之差大。2.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: 功率元件，其形成于第一半導(dǎo)體層；以及 矩形的熱敏元件，其形成于借助絕緣膜與所述第一半導(dǎo)體層分離的第二半導(dǎo)體層，用于檢測(cè)所述功率元件的溫度， 平面觀察時(shí)，所述熱敏元件的至少兩邊與所述功率元件相鄰， 在所述功率元件中，多個(gè)橫型MOS晶體管以相等的間距配置， 縮短所述橫型MOS晶體管的漏區(qū)的一部分的寬度而配置所述熱敏元件， 在所述多個(gè)橫型MOS晶體管中的與所述熱敏元件相鄰的至少一個(gè)MOS晶體管中，柵極的一部分被去除，從而溝道寬度變得比源區(qū)寬度小。3.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: 功率元件，其形成于第一半導(dǎo)體層；以及 矩形的熱敏元件，其形成于借助絕緣膜與所述第一半導(dǎo)體層分離的第二半導(dǎo)體層，用于檢測(cè)所述功率元件的溫度， 平面觀察時(shí)，所述熱敏元件的至少兩邊與所述功率元件相鄰， 在所述功率元件中，多個(gè)橫型MOS晶體管以相等的間距配置， 縮短所述橫型MOS晶體管的漏區(qū)的一部分的寬度而配置所述熱敏元件， 在所述多個(gè)橫型MOS晶體管中的與所述熱敏元件相鄰的至少一個(gè)MOS晶體管中，去除至與其他的漏區(qū)對(duì)置的源區(qū)的一部分，從而在所述至少一個(gè)MOS晶體管中，溝道的一部分不存在。4.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: 功率元件，其形成于第一半導(dǎo)體層；以及 矩形的熱敏元件，其形成于借助絕緣膜與所述第一半導(dǎo)體層分離的第二半導(dǎo)體層，用于檢測(cè)所述功率元件的溫度， 平面觀察時(shí)，所述熱敏元件的至少兩邊與所述功率元件相鄰， 在所述功率元件中，多個(gè)橫型MOS晶體管以相等的間距配置， 縮短所述橫型MOS晶體管的漏區(qū)的一部分的寬度而配置所述熱敏元件， 在所述多個(gè)橫型MOS晶體管中的與所述熱敏元件相鄰的至少一個(gè)MOS晶體管中，柵極的一部分被去除，并包含源區(qū)的和其他的漏區(qū)對(duì)置的部分處的有源區(qū)的極性與襯底相同而不作為MOS晶體管工作的區(qū)域。5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: 功率元件，其形成于第一半導(dǎo)體層；以及 矩形的熱敏元件，其形成于借助絕緣膜與所述第一半導(dǎo)體層分離的第二半導(dǎo)體層，用于檢測(cè)所述功率元件的溫度， 平面觀察時(shí)，所述熱敏元件的至少兩邊與所述功率元件相鄰， 在所述功率元件中，多個(gè)橫型MOS晶體管以相等的間距配置， 縮短所述橫型MOS晶體管的漏區(qū)的一部分的寬度而配置所述熱敏元件， 在所述多個(gè)橫型MOS晶體管中的與所述熱敏元件相鄰的至少一個(gè)MOS晶體管中，柵極和源區(qū)的一部分被去除，與其他的漏區(qū)對(duì)置的溝道和源區(qū)至少一部分不存在。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 在面對(duì)所述熱敏元件的源區(qū)中，源區(qū)的與元件分離區(qū)域相接的部分的極性與襯底相同。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 而且，源區(qū)的與所述熱敏元件對(duì)置的一部分被去除，變得比所述源區(qū)的其他部分細(xì)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 漏區(qū)的與所述熱敏元件相接的邊被柵極包圍。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 形成有所述熱敏元件的半導(dǎo)體層與形成有功率元件的柵極的半導(dǎo)體層是相同的。
【文檔編號(hào)】H01L29/78GK105977297SQ201610119815
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年3月3日
【發(fā)明人】津村和宏
【申請(qǐng)人】精工半導(dǎo)體有限公司