襯底處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法以及爐口部罩的制作方法
【專利摘要】提供一種能夠抑制副生成物的附著且能夠抑制產(chǎn)生微粒的技術(shù)。具有：反應(yīng)管，其處理襯底；爐口部，其設(shè)置在反應(yīng)管的下端，在爐口部的上表面的內(nèi)周面?zhèn)?，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，該鼓出部形成有將凹陷部與內(nèi)周面連通的至少一個(gè)缺口；罩，其從爐口部的內(nèi)周面隔開(kāi)規(guī)定間隔地設(shè)置，并覆蓋爐口部的至少所述內(nèi)周面；和至少一個(gè)氣體供給部，其向爐口部的凹陷部供給氣體。
【專利說(shuō)明】
襯底處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法以及爐口部罩
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及襯底處理裝置、半導(dǎo)體器件的制造方法以及爐口部罩。
【背景技術(shù)】
[0002]作為襯底處理裝置的一例而公知有半導(dǎo)體制造裝置。
[0003]襯底處理裝置例如具有:反應(yīng)管，其收納襯底;氣體導(dǎo)入管，其向反應(yīng)管內(nèi)供給處理氣體;加熱裝置，其對(duì)反應(yīng)管內(nèi)的襯底進(jìn)行加熱;排氣管，其將反應(yīng)管內(nèi)的環(huán)境氣體排氣；和襯底保持件，其保持多張襯底并將其搬入到反應(yīng)管內(nèi)，當(dāng)將保持有多張襯底的襯底保持件從反應(yīng)管的下端(爐口)搬入到反應(yīng)管之后，通過(guò)加熱裝置對(duì)搬入到反應(yīng)管內(nèi)的襯底進(jìn)行加熱，并且從氣體導(dǎo)入管向反應(yīng)管內(nèi)供給處理氣體，由此在襯底上形成所期望的膜(參照專利文獻(xiàn)I)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)2009-99608號(hào)公報(bào)
[0006]在如上所述的裝置中，具有構(gòu)成為在反應(yīng)管的下端設(shè)有例如金屬制的爐口部，需要將氣體導(dǎo)入管固定在該爐口部上的情況。附著在該爐口部的內(nèi)周面上的副生成物可能成為產(chǎn)生微粒的原因。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠抑制產(chǎn)生微粒的技術(shù)。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一種方式，提供一種襯底處理裝置，其具有:
[0009]反應(yīng)管，其處理襯底；
[0010]爐口部，其設(shè)置在所述反應(yīng)管的下端，在所述爐口部的上表面的內(nèi)周面?zhèn)?，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，該鼓出部形成有將所述凹陷部與所述內(nèi)周面連通的至少一個(gè)缺口；
[0011]罩，其從所述爐口部的內(nèi)周面隔開(kāi)規(guī)定間隔地設(shè)置，并覆蓋所述爐口部的至少所述內(nèi)周面;和
[0012]至少一個(gè)氣體供給部，其向所述爐口部的所述凹陷部供給氣體。
[0013]發(fā)明效果
[0014]根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制產(chǎn)生微粒。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式中適用的襯底處理裝置的概略構(gòu)成圖。
[0016]圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中適用的爐口部209的俯視圖。
[0017]圖3是表示在本發(fā)明的實(shí)施方式中適用的爐口部209上安裝有爐口部罩320的狀態(tài)的立體圖。
[0018]圖4是圖3的B-B線的立體剖視圖。
[0019]圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中適用的反應(yīng)管的下端部，即惰性氣體供給口321周圍的縱剖視圖。
[0020]圖6是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的襯底處理裝置中適用的成膜工序和清洗工序進(jìn)行說(shuō)明的流程圖。
[0021]圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中適用的襯底處理裝置的反應(yīng)管的下端部的立體剖視圖。
[0022]圖8是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式的襯底處理裝置的反應(yīng)管的下端部的立體剖視圖。
[0023]圖9是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式的爐口部409的俯視圖。
[0024]圖10是表示在本發(fā)明的其他實(shí)施方式的爐口部409上安裝有爐口部罩520的狀態(tài)的立體圖.
[0025]圖11表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式的爐口部罩部件520-1的圖，圖11的(a)是立體圖，圖11的(b)是(a)的C-C線剖視圖。
[0026]圖12是圖10的D-D線的立體剖視圖。
[0027]圖13是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式的反應(yīng)管的下端部，即惰性氣體供給口321周圍的縱剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]接下來(lái)，基于【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0029]如圖1所示，處理爐202具有作為加熱設(shè)備(加熱機(jī)構(gòu))的加熱器207。加熱器207是圓筒形狀，并由作為保持板的加熱器基座來(lái)支承，由此垂直地安裝。
[0030]在加熱器207的內(nèi)側(cè)，與加熱器207為同心圓狀地配設(shè)有作為反應(yīng)管的工藝管(process pipe)203。工藝管203例如由石英(Si02)或碳化娃(SiC)等耐熱材料構(gòu)成，形成為上端封閉且下端開(kāi)口的圓筒形狀。在工藝管203的筒中空部中形成有處理室201，其構(gòu)成為，通過(guò)作為襯底保持件的舟皿217而將作為襯底的晶片200在以水平姿勢(shì)沿垂直方向排列為多層的狀態(tài)下收納。
[0031]在工藝管203的下方設(shè)有使處理室201內(nèi)的環(huán)境氣體排氣的排氣管231。在排氣管231上經(jīng)由作為壓力檢測(cè)器的壓力傳感器245以及作為壓力調(diào)整器的APC(自動(dòng)壓力控制器)閥243而連接有作為真空排氣裝置的真空栗246，基于由壓力傳感器245檢測(cè)到的壓力信息來(lái)調(diào)整APC閥243的開(kāi)度，由此能夠以使處理室201內(nèi)的壓力成為規(guī)定壓力(真空度)的方式進(jìn)行真空排氣。此外，APC閥243是如下的開(kāi)閉閥，其構(gòu)成為，將閥開(kāi)閉而能夠?qū)崿F(xiàn)處理室201內(nèi)的真空排氣/真空排氣停止，而且調(diào)整閥開(kāi)度而能夠調(diào)整處理室201內(nèi)的壓力。
[0032]在工藝管203的下方(下端)配設(shè)有與工藝管203形成為同心圓狀的爐口部(也有稱為進(jìn)氣口或總管的情況)209 ο爐口部209例如由不銹鋼(SUS材料)、鎳(Ni)合金等的金屬構(gòu)成，形成為上端以及下端開(kāi)口的圓筒形狀。在該爐口部209上固定有氣體導(dǎo)入部等。另外，爐口部209以支承工藝管203的方式設(shè)置。此外，在爐口部209與工藝管203之間設(shè)有作為密封部件的O型環(huán)220a。通過(guò)工藝管203和爐口部209形成反應(yīng)容器。
[0033]在爐口部209上以貫穿爐口部209的側(cè)壁(具體來(lái)說(shuō)是設(shè)置在爐口部209的側(cè)壁上的端口)的方式連接有作為第一氣體導(dǎo)入部的第一噴嘴233a、作為第二氣體導(dǎo)入部的第二噴嘴233b和作為第三氣體導(dǎo)入部的第三噴嘴233e。第一噴嘴233a、第二噴嘴233b和第三噴嘴233e分別為具有水平部和垂直部的L字形狀，水平部與爐口部209的側(cè)壁連接，垂直部從工藝管203的下部沿著上部的內(nèi)壁，以向著晶片200的裝載方向立起的方式設(shè)置在工藝管203的內(nèi)壁與晶片200之間的圓弧狀的空間內(nèi)。在第一噴嘴233a、第二噴嘴233b和第三噴嘴233e的垂直部的側(cè)面上，分別設(shè)有作為供給氣體的供給孔的第一氣體供給孔248a、第二氣體供給孔248b和第三氣體供給孔248e。
[0034]在工藝管203內(nèi)以貫穿爐口部209的側(cè)壁的方式設(shè)有作為溫度檢測(cè)器的溫度傳感器263?；谟蓽囟葌鞲衅?63檢測(cè)到的溫度信息來(lái)調(diào)整向加熱器207的通電情況，由此使處理室201內(nèi)的溫度成為規(guī)定的溫度分布。溫度傳感器263與第一噴嘴233a、第二噴嘴233b以及第三噴嘴233e同樣地，沿著工藝管203的內(nèi)壁設(shè)置。
[0035]在本實(shí)施方式中，在第一噴嘴233a上連接有供給原料氣體和惰性氣體的氣體供給部232a，在第二噴嘴233b上連接有供給反應(yīng)氣體和惰性氣體的氣體供給部232b。即，在本實(shí)施方式中，原料氣體和反應(yīng)氣體通過(guò)獨(dú)立的噴嘴供給。在第三噴嘴233e上連接有供給清洗氣體的清洗氣體供給部232e。
[0036]并且，在爐口部209上連接有供給N2氣體(氮?dú)?等的惰性氣體的惰性氣體供給部232c、232d0
[0037]在爐口部209的下方設(shè)有密封蓋219，其作為能夠?qū)t口部209的下端開(kāi)口氣密地封閉的爐口蓋體。密封蓋219從垂直方向下側(cè)與爐口部209的下端抵接。密封蓋219例如由不銹鋼等的金屬構(gòu)成并形成為圓盤狀。在密封蓋219的上表面設(shè)有作為與爐口部209的下端抵接的密封部件的O型環(huán)220b。在密封蓋219的與處理室201相反的一側(cè)設(shè)有使后述的舟皿217旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267。旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267的旋轉(zhuǎn)軸255貫穿密封蓋219而與舟皿217連接，以通過(guò)使舟皿217旋轉(zhuǎn)而使晶片200旋轉(zhuǎn)的方式構(gòu)成。舟皿217以及密封蓋219通過(guò)配置在工藝管203的外部的作為升降機(jī)構(gòu)的舟皿升降機(jī)215以沿垂直方向升降的方式構(gòu)成，由此能夠?qū)⒅勖?17相對(duì)于處理室201內(nèi)搬進(jìn)搬出。
[0038]舟皿217例如由石英(S12)或碳化硅(SiC)等構(gòu)成。
[0039]此外，在舟皿217的下部設(shè)有例如由石英(S12)或碳化硅(SiC)等的耐熱材料構(gòu)成的隔熱部件218，以使來(lái)自加熱器207的熱難以傳遞到密封蓋219側(cè)的方式構(gòu)成。
[0040]如圖2所示，爐口部209例如由不銹鋼(SUS材料)、鎳(Ni)合金等的金屬構(gòu)成，形成為上端以及下端開(kāi)口的圓筒形狀。爐口部209具有上表面209a、內(nèi)周面209b和下表面209c(參照后述的圖4)，在內(nèi)周面209b上設(shè)有多個(gè)端口 319，多個(gè)端口 319安裝有氣體供給部232a、232b、惰性氣體供給部232c、232d、清洗氣體供給部232e和溫度傳感器263，在本實(shí)施方式中，設(shè)有端口319a、319b、319c、319d、319e以及319f。
[0041 ]在端口 319a上安裝有氣體供給部232a。在端口 319b上安裝有氣體供給部232b。另夕卜，在端口 319c以及319d上分別安裝有供給氮?dú)獾鹊亩栊詺怏w的惰性氣體供給部232c、232d。另外，在端口 319e上安裝有清洗氣體供給部232e。另外，在端口 310f上安裝有溫度傳感器263。
[0042]在爐口部209的上表面209a以同心圓狀地形成有凹凸。具體來(lái)說(shuō)，從內(nèi)周側(cè)起通過(guò)凸部(鼓出部)209a-l、作為緩沖槽而構(gòu)成有凹面(凹陷面)的凹部(凹陷部)209a-2、鼓出部209a-3、凹陷部209a-4和鼓出部209a-5來(lái)構(gòu)成上表面209a。在鼓出部209a-l上形成有多個(gè)作為從凹陷部209a-2與內(nèi)周面209b連通的連通路的爐口部槽209d。在本實(shí)施方式中，爐口部槽209d形成為槽或者缺口。此外，爐口部槽209d也可以是貫穿鼓出部209a-l的孔。在凹陷部209a-2的端口 319c、端口 319d的上方形成有與該端口 319c、端口 319d分別連通的孔209e、209e。由惰性氣體供給部232c、232d所供給的惰性氣體從分別安裝有惰性氣體供給部232c、232d的端口 319c、端口 319d以及與其連通的孔209e、209e通過(guò)而供給到凹陷部209a-2。該作為緩沖槽的凹陷部209a-2作為間隙322(參照后述的圖4)來(lái)發(fā)揮作用，該間隙322作為供惰性氣體流動(dòng)的流路。
[0043]多個(gè)爐口部槽209d根據(jù)離孔209e的間隔距離而不均等地配置。優(yōu)選為，爐口部槽209d的間隔隨著遠(yuǎn)離孔209而變小。對(duì)于離孔209e越近的爐口部槽209d，惰性氣體向爐口部209內(nèi)周面的供給量越大，對(duì)于離孔209e越遠(yuǎn)的爐口部槽209d，惰性氣體向爐口部209內(nèi)周面的供給量越小。這是因?yàn)?，由于從?09e所供給的惰性氣體在流經(jīng)凹陷部209a-2(間隙322)的過(guò)程中從各自形成的爐口部槽209d被供給到爐口部209內(nèi)周面，所以到達(dá)至離孔209e遠(yuǎn)的爐口部槽209d之前，惰性氣體的流量自身會(huì)減少。通過(guò)使?fàn)t口部槽209d的間隔隨著從孔209e離開(kāi)而變小，能夠向離孔209e遠(yuǎn)的爐口部槽209d也供給充分流量的惰性氣體，從而能夠使從各爐口部槽209d供給到爐口部209內(nèi)周面的惰性氣體的供給量均等。
[0044]另外，根據(jù)爐口部209的溫度分布和氣體供給部的配置關(guān)系等，在爐口部209表面產(chǎn)生了副生成物特別容易附著的地方，或者產(chǎn)生了副生物反而難以附著的地方。即使在這樣的情況下，通過(guò)適當(dāng)調(diào)整爐口部槽209d的間隔，能夠?qū)?lái)自爐口部槽209d的惰性氣體的供給量設(shè)置大小關(guān)系。例如，也可以在副生成物難以附著的區(qū)域擴(kuò)展?fàn)t口部槽209d的形成間隔，在副生成物容易附著的區(qū)域使?fàn)t口部槽209d的形成間隔變窄。
[0045]并且，還能夠通過(guò)改變爐口部槽209d的大小調(diào)整來(lái)自爐口部槽209d的惰性氣體的供給量。例如，使越接近孔209e的爐口部槽209d的開(kāi)口面積越小，使離孔209e越遠(yuǎn)的爐口部槽209d的開(kāi)口面積越大。
[0046]如圖3所示，在爐口部209上安裝有將爐口部的內(nèi)周面209b覆蓋的作為罩部件的爐口部罩320。爐口部罩320例如由石英(S12)等的耐熱材料構(gòu)成，以將構(gòu)成處理室201的爐口部209的上表面的鼓出部209a-l以及凹陷部209-2和內(nèi)周面209b的整周或者大致整周覆蓋的方式構(gòu)成。也就是說(shuō)，爐口部罩320由沿著內(nèi)周面209b的側(cè)面、和使側(cè)面的上端向水平方向折曲的水平部分構(gòu)成，其截面構(gòu)成為L(zhǎng)字形狀。
[0047]在爐口部罩320的內(nèi)周面上形成有多個(gè)切缺部323，這些切缺部323用于在端口319上安裝作為氣體導(dǎo)入部的噴嘴233a、233b、233e以及溫度傳感器263。在爐口部罩320的上表面外周側(cè)形成有多個(gè)爐口部罩的槽320a。在本實(shí)施方式中，爐口部罩的槽320a形成為槽或者缺口。此外，爐口部罩的槽320a也可以是貫穿爐口部罩320的上表面的孔。由此，能夠從間隙322向爐口部罩320的上方供給惰性氣體，并能夠防止在爐口部209的與工藝管203的接觸面上附著副生成物。
[0048]在此，優(yōu)選為，爐口部罩的槽320a間的間隔隨著從孔209e離開(kāi)而變小。由此，防止越遠(yuǎn)離惰性氣體供給部232c、232d而惰性氣體的供給量變得越低，從而能夠向爐口部罩320的內(nèi)周面均等地供給惰性氣體(吹掃氣體)。
[0049]如圖5所示，在爐口部209上安裝有爐口部罩320的狀態(tài)下，在爐口部209的上表面的凹陷部209a-2與爐口部罩320之間形成有作為供惰性氣體流動(dòng)的流路的間隙322。另外，在爐口部209的內(nèi)周面209b與爐口部罩320之間形成有作為供惰性氣體流動(dòng)的流路的間隙324。另外，在爐口部罩320的下方形成有作為供惰性氣體流動(dòng)的流路的間隙325。
[0050]S卩，N2氣體等的惰性氣體從與端口 319c、319d連接的惰性氣體供給部232c、232d經(jīng)由孔209e而在間隙322內(nèi)流動(dòng)，并經(jīng)由爐口部槽209d而在處于爐口部209的內(nèi)周面整周的間隙324S卩爐口部209與爐口部罩320之間的空間、以及間隙325內(nèi)流動(dòng)，從而吹掃爐口部209的上表面以及內(nèi)周面。
[0051 ]在本實(shí)施方式中，雖然說(shuō)明了在爐口部209的上表面形成有間隙322的結(jié)構(gòu)，但并不限定于此，也可以在與爐口部209的上表面相對(duì)的爐口部罩320的表面上形成間隙并與爐口部的內(nèi)周面209b連通。由此，能夠向爐口部209與爐口部罩320之間均等地供給惰性氣體，從而能夠更加有效地抑制產(chǎn)生微粒。
[0052]另外，雖然說(shuō)明了在端口319(:、319(1上連接惰性氣體供給部232(3、232(1并向爐口部209的內(nèi)周面與爐口部罩320之間供給惰性氣體(吹掃氣體)的例子，但是也可以為，將供給氟化氫(HF)等的清洗氣體的清洗氣體供給部232e與第三端口 319c以及/或者第四端口 319e連接。通過(guò)向爐口部209的內(nèi)周面與爐口部罩320之間供給清洗氣體來(lái)除去副生成物，從而能夠防止產(chǎn)生微粒。
[0053]作為控制部(控制機(jī)構(gòu))的控制器280控制APC閥243、加熱器207、溫度傳感器263、真空栗246、旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)267、舟皿升降機(jī)215等的動(dòng)作。
[0054]接下來(lái)，邊參照?qǐng)D1以及圖6邊說(shuō)明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的襯底處理工序。本實(shí)施方式的襯底處理工序具有:在晶片200上形成S1膜的S1膜形成工序(S100);和除去附著在處理室201的內(nèi)壁等上的堆積物的清洗工序(S200)。此外，在以下的說(shuō)明中，通過(guò)控制器280控制構(gòu)成襯底處理裝置的各部分的動(dòng)作。
[0055]在此，從在工藝管203的下端部進(jìn)行供給的氣體供給部232a、232d、惰性氣體供給部232c、232d，至少在處理著晶片200的狀態(tài)下供給有作為惰性氣體的惰性氣體。此外，雖然可以不間斷地供給惰性氣體，但優(yōu)選為，也可以當(dāng)旋轉(zhuǎn)軸255等的一部分在處理室內(nèi)露出的金屬會(huì)被腐蝕的狀態(tài)時(shí)、例如向處理室201內(nèi)供給腐蝕性氣體的狀態(tài)或在處理室201內(nèi)殘留有腐蝕性氣體的狀態(tài)時(shí)供給惰性氣體。
[0056]〈S1 膜形成工序(S100)>
[0057]在本工序中，相對(duì)于晶片200，反復(fù)進(jìn)行含硅層在晶片上的形成、和含硅層的氧化處理，由此在晶片200上形成S1膜，其中，含硅層在晶片上的形成是將作為氯硅烷類原料氣體的六氯乙硅烷(Si2Cl6,簡(jiǎn)稱:HCDS氣體)用作原料氣體來(lái)進(jìn)行的，含硅層的氧化處理是在不足大氣壓的壓力環(huán)境下使用O2氣體來(lái)進(jìn)行的。在以下具體地說(shuō)明S1膜成形工序(S100)。
[0058](步驟SlOl、步驟 SlO2)
[0059 ]將多張晶片200裝填到舟皿217 (晶片裝填S1I)后，爐口部209的下端開(kāi)口會(huì)開(kāi)放。如圖1所示，支承多張晶片200的舟皿217通過(guò)舟皿升降機(jī)215升起而被搬入到處理室201內(nèi)(舟皿裝載S102)。在該狀態(tài)下，成為密封蓋219經(jīng)由O型環(huán)220b將爐口部209的下端密封的狀
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[0060](步驟S103)
[0061]以使處理室201內(nèi)成為所期望的壓力(真空度)的方式通過(guò)壓力傳感器245、APC閥243以及真空栗246來(lái)調(diào)整壓力。另外，以使處理室201內(nèi)成為所期望的溫度的方式通過(guò)溫度傳感器263以及加熱器207來(lái)加熱、調(diào)整溫度。然后，按順序?qū)嵭泻笫龅乃膫€(gè)膜形成步驟(S104?S107)。
[0062](步驟S104)
[0063]在使真空栗246工作的狀態(tài)下，從第一噴嘴233a流出作為原料氣體一例的HCDS氣體。HCDS氣體通過(guò)質(zhì)量流量控制器(未圖示)來(lái)調(diào)整流量。進(jìn)行了流量調(diào)整的HCDS氣體經(jīng)由第一噴嘴233a供給到處理室201內(nèi)并從排氣管231排氣(H⑶S氣體供給)。此時(shí)，同時(shí)地向第一噴嘴233a內(nèi)流動(dòng)犯氣體等惰性氣體。惰性氣體與HCDS氣體一起供給到處理室201內(nèi)并從排氣管231排氣。
[0064]作為包括Si的原料，除HCDS之外，不僅可以使用例如二氯氫硅(SiH2Cl2、簡(jiǎn)稱DCS)氣體、四氯硅烷(SiCl4、簡(jiǎn)稱TCS)氣體、硅烷(SiH4)氣體等的無(wú)機(jī)原料氣體，也可以使用氨基硅烷類的四(二甲氨基)硅烷(3丨(叫(^3)2)4、簡(jiǎn)稱401^5)氣體、三(二甲氨基)硅烷(510(CH3)2)3H、簡(jiǎn)稱 3DMAS)氣體、二 (二甲氨基)二甲基硅(Si(N(C2H5)2)2H2、簡(jiǎn)稱 2DEAS)氣體、雙(叔丁基氨基)硅烷(31(出(冊(cè)(04119))2、簡(jiǎn)稱^'843)氣體等的有機(jī)原料氣體。作為惰性氣體除N2氣體之外例如也可以使用Ar氣體、He氣體、Ne氣體、Xe氣體等的稀有氣體。
[0065](步驟S105)
[0066]當(dāng)在晶體200的表面等形成含硅層之后，停止HCDS氣體的供給。此時(shí)，在打開(kāi)排氣管231的APC閥243的狀態(tài)下，通過(guò)真空栗246對(duì)處理室201內(nèi)進(jìn)行真空排氣，將殘留的HCDS氣體從處理室201內(nèi)排除。此時(shí)，將惰性氣體供給到處理室201內(nèi)的話，會(huì)更加提高將殘留的HCDS氣體排除的效果(吹掃)。
[0067](步驟S106)
[0068]當(dāng)對(duì)處理室201內(nèi)進(jìn)行了吹掃之后，從第二噴嘴233b流出作為含氧氣體的O2氣體和N2氣體等的惰性氣體。O2氣體以及惰性氣體在從第二氣體供給孔248b供給到處理室201內(nèi)后從排氣管231排氣。
[0069]作為含氧氣體，除氧氣(O2)氣體之外還可以使用例如臭氧(O3)氣體等。
[0070](步驟S107)
[0071]將含硅層改性為硅氧化層后停止O2氣體的供給。此時(shí)，在打開(kāi)排氣管231的APC閥243的狀態(tài)下，通過(guò)真空栗246對(duì)處理室201內(nèi)進(jìn)行真空排氣，將殘留的O2氣體從處理室201內(nèi)排除。此時(shí)，將惰性氣體供給到處理室201內(nèi)的話，會(huì)更加提高將殘留的O2氣體排除的效果O
[0072](步驟S108)
[0073]并且，將上述步驟S104?S108作為一個(gè)循環(huán)并將該循環(huán)實(shí)施規(guī)定次數(shù)。由此，能夠?qū)?00上以及舟皿217的表面、處理室201內(nèi)壁等的處理室201內(nèi)的部件等，成膜出規(guī)定膜厚的S1膜。
[0074](步驟S109、步驟 S110)
[0075]規(guī)定膜厚的S1膜成膜后，分別從第一噴嘴233a、第二噴嘴233b向處理室201內(nèi)供給惰性氣體并從排氣管231排氣。惰性氣體作為吹掃氣體而發(fā)揮作用，并由此由惰性氣體來(lái)吹掃處理室201內(nèi)，將殘留在處理室201內(nèi)的氣體從處理室201內(nèi)除去(吹掃)。之后，將處理室201內(nèi)的環(huán)境氣體置換為惰性氣體，且處理室201內(nèi)的壓力恢復(fù)為常壓(大氣壓恢復(fù))。
[0076](步驟SI 11、步驟 SI 12)
[0077]之后，密封蓋219通過(guò)舟皿升降機(jī)215下降，爐口部209的下端開(kāi)口，并且使處理后的晶片200在保持于舟皿217上的狀態(tài)下從爐口部209的下端向反應(yīng)管203的外部搬出(舟皿卸載)。在舟皿卸載之后，爐口部209的下端開(kāi)口經(jīng)由O型環(huán)220c通過(guò)未圖示的遮板密封(關(guān)閉遮板)。之后，從舟皿217取出已處理的晶片200(晶片取出)。
[0078]接著，說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的處理爐202的清洗工序S200。
[0079]〈清洗工序(S200)>
[0080]當(dāng)重復(fù)上述的S1膜形成工序(S100)時(shí)，S1會(huì)堆積在處理室201內(nèi)的部件上。即包括S1的堆積物附著在工藝管203的內(nèi)壁等而堆積。在該附著于內(nèi)壁等而堆積的堆積物的厚度到達(dá)堆積物發(fā)生剝離、落下之前的規(guī)定厚度(例如I微米?5微米)時(shí)，進(jìn)行工藝管203內(nèi)的清洗。向加熱到規(guī)定溫度的處理室201內(nèi)，作為清洗氣體來(lái)單獨(dú)地供給例如HF氣體、或者供給由惰性氣體稀釋的HF氣體，從而除去在處理室201內(nèi)所堆積的堆積物，由此進(jìn)行清洗。以下，具體地說(shuō)明清洗工序(S200)。
[0081](步驟S201)
[0082]從舟皿217取出已處理的晶片200后，通過(guò)舟皿升降機(jī)215升起空的舟皿21并將其搬入到處理室201內(nèi)(舟皿裝載)。在該狀態(tài)下，成為密封蓋219經(jīng)由O型環(huán)220b將爐口部209的下端密封的狀態(tài)。
[0083](步驟S202)
[0084]以成為所期望的壓力(真空度)的方式通過(guò)真空栗246對(duì)處理室201內(nèi)進(jìn)行真空排氣。此時(shí)，由壓力傳感器245測(cè)定處理室201內(nèi)的壓力，基于該測(cè)定的壓力信息來(lái)反饋控制(壓力調(diào)整)APC閥243。另外，以成為所期望的溫度的方式通過(guò)加熱器207對(duì)處理室201內(nèi)進(jìn)行加熱。此時(shí)，以使處理室201內(nèi)成為所期望的溫度(清洗溫度)的方式，基于溫度傳感器263檢測(cè)到的溫度信息來(lái)反饋控制向加熱器207的通電狀況(溫度調(diào)整)。
[0085](步驟S203)
[0086]接著，在將處理室201內(nèi)的溫度、壓力分別維持在規(guī)定的溫度、壓力的狀態(tài)下，使作為清洗氣體的HF氣體流動(dòng)至第三噴嘴233e內(nèi)(HF氣體供給)。冊(cè)氣體從第三噴嘴233e供給到舟皿217和處理室201的內(nèi)壁等，并從排氣管213排氣。
[0087]導(dǎo)入到處理室201內(nèi)的HF氣體或者稀釋了的HF氣體在從處理室201內(nèi)通過(guò)時(shí)與在處理室201的內(nèi)壁和舟皿217的表面堆積的包括S1等薄膜的堆積物接觸，此時(shí)通過(guò)熱化學(xué)反應(yīng)而除去堆積物。即，通過(guò)由HF氣體的熱分解所生成的活性種和堆積物之間的浸蝕反應(yīng)而除去堆積物。
[0088](步驟S204)
[0089]當(dāng)經(jīng)過(guò)了預(yù)先設(shè)定的堆積物的浸蝕時(shí)間，處理室201內(nèi)的清洗結(jié)束時(shí)，停止向處理室201內(nèi)供給HF氣體、或者稀釋了的HF氣體。之后，向處理室201內(nèi)供給N2氣體等的惰性氣體，并從排氣管231排氣，由此對(duì)處理室201內(nèi)進(jìn)行吹掃。
[0090]作為清洗氣體，除了HF氣體以外，例如還可以使用三氟化氯(ClF3)氣體、三氟化氮(NF3)氣體、氟氣(F2)等的含氟氣體。
[0091](步驟S205)
[0092]當(dāng)由惰性氣體對(duì)處理室201內(nèi)進(jìn)行吹掃，而從處理室201內(nèi)除去殘留在處理室201內(nèi)的氣體之后，處理室201內(nèi)的環(huán)境氣體置換為惰性氣體，并且處理室201內(nèi)的壓力恢復(fù)到常壓(大氣壓恢復(fù))。
[0093](步驟S206)
[0094]之后，通過(guò)舟皿升降機(jī)215使密封蓋219下降，爐口部209的下端開(kāi)口，并且將空的舟皿217從爐口部209的下端向工藝管203的外部搬出(舟皿卸載)。
[0095]如圖7所示，惰性氣體從與端口319c、319d連接的惰性氣體供給部232c、232d流動(dòng)至爐口部209上表面的間隙322內(nèi)，并經(jīng)由爐口部槽209d從處于爐口部209的內(nèi)周面整周的間隙3 24以及間隙325流過(guò)，從而吹掃爐口部209的上表面以及內(nèi)周面。由此，爐口部的表面由惰性氣體覆蓋。因此，使?fàn)t口部209的上表面、內(nèi)周面與處理氣體接觸的面積減少，即使對(duì)于處理氣體使用了腐蝕性的氣體，也能夠抑制爐口部的腐蝕并能夠抑制產(chǎn)生微粒。另外，經(jīng)由間隙322向爐口部209的內(nèi)周面209b與爐口部罩320之間供給惰性氣體，由此，爐口部209與爐口部罩320之間的間隙324中的惰性氣體的流動(dòng)成為下降流，因此，即使附著在間隙322以及間隙324上的副生成物發(fā)生剝離，也能夠抑制其在晶片區(qū)域中作為微粒而飛揚(yáng)。
[0096]在此，為了提高爐口部的吹掃效果，如圖7所示，希望爐口部209與爐口部罩320之間是狹窄的，優(yōu)選為2mm以下。由此，能夠有效地防止副生成物向爐口部209的內(nèi)周面的附著。能夠通過(guò)從端口 319c以及端口 319d供給惰性氣體來(lái)除去附著于爐口部209的內(nèi)周面上的副生成物。另外，也可以在端口 319c以及端口 319d上連接清洗氣體供給部并供給清洗氣體。
[0097]接下來(lái)，使用圖8對(duì)本發(fā)明的其他實(shí)施方式的襯底處理裝置進(jìn)行說(shuō)明。在圖8的實(shí)施方式中，供惰性氣體供給部232c、232d連接的端口 319c以及端口 319d從爐口部209的側(cè)壁貫穿，不經(jīng)由間隙322地，向在爐口部209內(nèi)周面與爐口部罩320之間形成的間隙324內(nèi)供給惰性氣體。
[0098]如圖8所示，即使將爐口部209的內(nèi)周面與爐口部罩320之間擴(kuò)寬也能夠形成惰性氣體的流路，抑制爐口部的腐蝕并能夠抑制產(chǎn)生微粒。此外，即使代替惰性氣體而使用清洗氣體，也能夠提升清洗效率并且能夠縮短維護(hù)時(shí)間。此外，本實(shí)施方式即使在使用復(fù)雜形狀的爐口部的情況下也能夠形成惰性氣體的流路。
[0099]因此，以覆蓋爐口部209的上表面與內(nèi)周面的方式設(shè)有爐口部罩320，并向該爐口部209與爐口部罩320之間供給惰性氣體以及/或者清洗氣體，由此爐口部209的處理室201內(nèi)側(cè)的表面被惰性氣體以及/或者清洗氣體覆蓋，從而防止副生成物對(duì)爐口部209的附著或者腐蝕。
[0100]接下來(lái)，對(duì)于本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行詳述。此外，省略對(duì)于與本發(fā)明的第一實(shí)施方式共同的構(gòu)成的說(shuō)明。
[0101]圖9是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式的爐口部409的俯視圖。
[0102]與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于:爐口部罩520劃分為多個(gè)圓弧形狀。在爐口部409的內(nèi)周面409b上設(shè)有多個(gè)突起部410，這些突起部410向內(nèi)周側(cè)突出且用于安裝爐口部罩520。這些突起部410間隔不均等地配置。
[0103]如圖10所示，爐口部罩520由尺寸不同的沿圓周方向被劃分的多個(gè)爐口部罩部件構(gòu)成。在圖10中，通過(guò)尺寸不同的多個(gè)爐口部罩部件來(lái)覆蓋除了在爐口部409上形成有噴嘴233和支承噴嘴233的噴嘴支承部521以外的部位，由此保護(hù)爐口部409。爐口部罩520例如由四個(gè)爐口部罩部件構(gòu)成，在爐口部409上安裝有四個(gè)爐口部罩部件520-1、520-2、520-3、520-4。由此，防止?fàn)t口部409的腐蝕。
[0104]雖然爐口部罩部件520-1?520-4的尺寸不同，但其主要構(gòu)成是相同的。在此，使用圖11以爐口部罩部件520-1為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0105]爐口部罩部件520-1是圓弧形狀，具有:在內(nèi)周側(cè)向水平方向突出的上部520a;和從上部520a的外周側(cè)大致垂直地形成，并與爐口部520的內(nèi)周面409b相對(duì)的側(cè)面部520b。在側(cè)面部520b上形成有例如兩個(gè)開(kāi)口部522，該開(kāi)口部522是用于在爐口部409的L字形狀的突起部410上設(shè)置爐口部罩部件520的開(kāi)口。在兩個(gè)開(kāi)口部522、522之間具有向外周側(cè)(爐口部409側(cè))突出的突出部524。兩個(gè)開(kāi)口部522分別與突起部410鉤掛，由此爐口部罩部件520設(shè)置在爐口部409上。另外，在將爐口部罩部件520設(shè)置在爐口部409上時(shí)，爐口部罩部件520的高度至少比爐口部409的上表面的凹陷部409a-2高。更理想的是，該高度為鼓出部409a_l的上表面以上的高度。
[0106]爐口部罩部件520-1?520-4覆蓋構(gòu)成處理室201的爐口部409的內(nèi)周面409b的大致整周，開(kāi)口部522與爐口部409的突起部410鉤掛，突出部524與爐口部409的內(nèi)周面抵接而安裝。由此，爐口部罩520確保與爐口部409的內(nèi)周面之間的余隙而形成了作為供惰性氣體流動(dòng)的流路的間隙。另外，抑制了爐口部罩520相對(duì)于爐口部409的晃動(dòng)。另外，設(shè)為使?fàn)t口部罩520與爐口部409鉤掛的構(gòu)成，由此即使不拆下?tīng)t口部409，也能夠簡(jiǎn)單地更換爐口部罩520。
[0107]此外，雖然說(shuō)明了爐口部罩520的上端向內(nèi)周側(cè)突出為L(zhǎng)字形狀的例子，并不限定于此，也可以構(gòu)成為，以使?fàn)t口部罩520的上端還向外周側(cè)伸出I?2_左右的方式使截面形成為T字形狀。也就是說(shuō)，爐口部罩320也可以為，由沿著內(nèi)周面209b的側(cè)面、和使側(cè)面的上端沿側(cè)面的遍及前后的水平方向延伸而成的延伸部分形成。另外，突起部410可以不為L(zhǎng)字形狀，而可以為塊形狀(柱狀)，以使開(kāi)口部522嵌入至突起部410的方式設(shè)置爐口部罩部件520。
[0108]如圖12以及圖13所示，工藝管203的下表面安裝在爐口部409的上表面409a上。在爐口部409上安裝有工藝管203的狀態(tài)下，在爐口部409的上表面的凹陷部409a-2與工藝管203的下表面之間形成有作為供惰性氣體流動(dòng)的流路的間隙322。另外，在爐口部409的內(nèi)周面409b與爐口部罩520的外周面之間形成有作為供惰性氣體流動(dòng)的流路的間隙324。另外，在爐口部罩520的下方形成有作為供惰性氣體流動(dòng)的流路的間隙325。
[0109]S卩，N2等的惰性氣體從與端口 319c、319d連接的惰性氣體供給部232c、232d，經(jīng)由孔409e而從間隙322沿圓周方向流過(guò)工藝管203的下表面，并經(jīng)由爐口部槽409d流過(guò)處于爐口部409的內(nèi)周面整周的間隙324S卩爐口部409與爐口部罩520之間的空間、以及間隙325，從而吹掃爐口部409的上表面以及內(nèi)周面。由此，爐口部的表面由惰性氣體覆蓋。因此，爐口部409的上表面、內(nèi)周面與處理氣體接觸的面積變少，即使對(duì)于處理氣體使用了腐蝕性的氣體也能夠抑制爐口部的腐蝕，并能夠抑制產(chǎn)生微粒。另外，通過(guò)經(jīng)由間隙3 2 2以及爐口部槽409d而向間隙324以及間隙325供給惰性氣體，由此在爐口部409與爐口部罩520之間的間隙324中的惰性氣體的流動(dòng)成為下降流，從而能夠防止微粒向晶片區(qū)域的侵入或堵塞。
[0110]在本實(shí)施方式中，雖然說(shuō)明了從端口319c以及端口 319d供給惰性氣體的例子，但是并不限定于此，也可以代替惰性氣體而供給HF氣體等的清洗氣體，也可以組合惰性氣體和清洗氣體進(jìn)行供給。
[0111]以上，根據(jù)所說(shuō)明的實(shí)施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)如下的(I)?(6)的效果之中的至少一個(gè)或者多個(gè)。(I)以覆蓋爐口部209的上表面和內(nèi)周面的方式設(shè)有爐口部罩320，向該爐口部209和爐口部罩320之間供給惰性氣體以及/或者清洗氣體，由此爐口部209的處理室201內(nèi)側(cè)的表面被惰性氣體以及/或者清洗氣體覆蓋而防止副生成物向爐口部209的附著或腐蝕。
(2)隨著從孔209e離開(kāi)而使?fàn)t口部槽209d的間隔變小，由此能夠防止越從孔209e離開(kāi)而惰性氣體的供給量越降低，并能夠高效地對(duì)爐口部209內(nèi)周面進(jìn)行吹掃(排氣、置換)。(3)通過(guò)適當(dāng)調(diào)整爐口部槽209d的間隔和/或開(kāi)口面積的大小而能夠調(diào)整惰性氣體向爐口部209內(nèi)周面的供給量，從而能夠更加有效地進(jìn)行吹掃。(4)通過(guò)在爐口部罩320的上表面外周側(cè)上形成多個(gè)爐口部罩的槽320a，而能夠從間隙322向爐口部罩320的上方供給惰性氣體，并能夠防止在爐口部209的與工藝管203的接觸面上附著副生成物。此外，優(yōu)選為爐口部罩的槽320a間的間隔隨著從孔209離開(kāi)而變小。由此，能夠防止越從惰性氣體供給部232c、232d離開(kāi)而惰性氣體的供給量越小，并能夠向爐口部罩320的內(nèi)周面均等地供給惰性氣體(吹掃氣體)。另外，也可以在爐口部罩的槽320a的上方設(shè)有排氣管231。由此，能夠更加均等且有效地供給惰性氣體。(5)通過(guò)經(jīng)由間隙322向爐口部209的內(nèi)周面209b與爐口部罩320之間供給惰性氣體，在爐口部209與爐口部罩320之間的間隙324中的惰性氣體的流動(dòng)成為下降流，因此即使附著于間隙322以及間隙324的副生成物發(fā)生剝離，也能夠抑制其在晶片區(qū)域作為微粒飛揚(yáng)。(6)由多個(gè)爐口部罩部件520-1?520-4構(gòu)成爐口部罩520，多個(gè)爐口部罩部件520-1?520-4將構(gòu)成處理室201的爐口部409的內(nèi)周面409b的大致整周覆蓋，開(kāi)口部522與爐口部409的突起部410鉤掛，突出部524與爐口部409的內(nèi)周面抵接而安裝，由此爐口部罩520確保與爐口部409的內(nèi)周面之間的余隙并形成有作為供惰性氣體流動(dòng)的流路的間隙，并抑制爐口部罩520相對(duì)于爐口部409的晃動(dòng)。(7)構(gòu)成為，爐口部罩520與爐口部409鉤掛，其中，該爐口部罩520設(shè)為在內(nèi)周側(cè)沿水平方向突出的L字形狀，由此不卸下?tīng)t口部409也能夠簡(jiǎn)單地更換爐口部罩520 ο (8)使設(shè)置在爐口部409上時(shí)的爐口部罩520的高度比爐口部409的爐口部槽409d高，由此能夠使從爐口部槽409d通過(guò)的惰性氣體不逸出至處理爐內(nèi)地，高效地導(dǎo)入間隙324。
[0112]并且，在襯底處理裝置中能夠防止襯底的污染、延長(zhǎng)保養(yǎng)周期并提高生產(chǎn)效率。
[0113]在實(shí)施方式中雖然說(shuō)明了在爐口部209的上表面形成有間隙322的構(gòu)成，但并不限定于此，也可以在與爐口部209的上表面相對(duì)的爐口部罩320的表面上形成有間隙并與爐口部的內(nèi)周面209連通。由此，能夠向爐口部209與爐口部罩320之間均等地供給惰性氣體或清洗氣體并能夠有效地抑制產(chǎn)生微粒。
[0114]此外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，雖然僅說(shuō)明了工藝管作為單重管的樣式，但并不限定于此，例如即使作為外管、內(nèi)管的雙重管樣式、三重管以上的樣式也能夠適用。
[0115]另外，在本實(shí)施方式中，在工藝管203的下部設(shè)有兩個(gè)惰性氣體供給部，但并不限定于此，也可以為一個(gè)。在一個(gè)的情況下構(gòu)成于與排氣管231相對(duì)一側(cè)。由此，能夠形成對(duì)于氣體的供給和排氣均順暢的流路。
[0116]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其涉及在將被處理襯底收納在處理室內(nèi)并由加熱器加熱的狀態(tài)下實(shí)施處理的熱處理技術(shù)，例如其能夠利用于如下的襯底處理裝置而適用于有效的處理中，該襯底處理裝置使用于對(duì)組裝至半導(dǎo)體集成電路裝置(半導(dǎo)體器件)中的半導(dǎo)體晶體進(jìn)行氧化處理和擴(kuò)散處理、用于離子注入后的載體活性化或平坦化的回流或退火、以及基于熱CVD反應(yīng)而實(shí)現(xiàn)的成膜處理等。
[0117]〈本發(fā)明的優(yōu)選方式〉
[0118]以下，對(duì)于本發(fā)明的優(yōu)選方式進(jìn)行附記。
[0119](附記I)
[0120]根據(jù)本發(fā)明的一種方式，提供一種襯底處理裝置，其具有:
[0121]反應(yīng)管；
[0122]爐口部，其設(shè)置在所述反應(yīng)管的下端，并在上表面形成有槽、和使所述槽與內(nèi)周面連通的連通路；
[0123]爐口部罩，其從所述爐口部的內(nèi)周面隔開(kāi)規(guī)定間隔地設(shè)置，并覆蓋所述爐口部的至少所述內(nèi)周面;和
[0124]惰性氣體供給部，其與所述爐口部連接，并向所述槽供給惰性氣體。
[0125](附記2)
[0126]根據(jù)附記I所述的襯底處理裝置，優(yōu)選為，
[0127]在所述爐口部罩的下方形成有供惰性氣體流通的間隙，供給到所述槽的惰性氣體按照順序從所述槽、所述連通路、所述爐口部與所述爐口部罩之間的所述規(guī)定的空間、所述間隙通過(guò)。
[0128](附記3)
[0129]根據(jù)附記I或2所述的襯底處理裝置，優(yōu)選為，
[0130]所述爐口部在其內(nèi)周具有突起部，所述爐口部罩具有與所述突起部鉤掛的開(kāi)口部。
[0131](附記4)
[0132]根據(jù)附記I?3中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，優(yōu)選為，
[0133]所述爐口部罩具有向所述爐口部的內(nèi)周方向突出的突出部。
[0134](附記5)
[0135]根據(jù)附記I?4中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，優(yōu)選為，
[0136]所述爐口部罩由沿圓周方向劃分的多個(gè)部件構(gòu)成。
[0137](附記6)
[0138]根據(jù)附記I?5中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，優(yōu)選為，
[0139]所述流通路或者所述槽形成有多個(gè)，各流通路或者各槽的間隔隨著從所述惰性氣體供給部離開(kāi)而變小。
[0140](附記7)
[0141]根據(jù)附記I?6中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，優(yōu)選為，
[0142]所述爐口部在所述反應(yīng)管上連接有供給處理氣體的氣體供給部，并且在連接有所述氣體供給部的位置上形成有所述流通路或者所述槽。
[0143](附記8)
[0144]根據(jù)附記I?7中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，優(yōu)選為，
[0145]所述爐口部罩以覆蓋所述爐口部的所述槽的方式形成，并且具有將所述槽與所述爐口部罩的上表面連通的第二流通路或者孔。
[0146](附記9)
[0147]根據(jù)附記8所述的襯底處理裝置，優(yōu)選為，
[0148]所述第二流通路或者孔形成有多個(gè)，該第二流通路或者孔的間隔隨著從所述惰性氣體供給部離開(kāi)而變小。
[0149](附記10)
[0150]根據(jù)附記I?9中任一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，優(yōu)選為，
[0151 ]在所述爐口部與所述爐口部罩之間具有供給清洗氣體的清洗氣體供給部。
[0152](附記11)
[0153]根據(jù)附記10所述的襯底處理裝置，優(yōu)選為，
[0154]具有對(duì)所述反應(yīng)管內(nèi)的氣體進(jìn)行排氣的排氣部，所述清洗氣體供給部設(shè)在與所述排氣部相對(duì)的位置上。
[0155](附記12)
[0156]根據(jù)本發(fā)明的其他方式，提供一種爐口部，其設(shè)在襯底處理裝置的反應(yīng)管的下部，該爐口部具有:
[0157]形成于上表面的槽;和
[0158]使所述槽與內(nèi)周面連通的連通路，
[0159]所述爐口部連接有向所述槽供給惰性氣體的惰性氣體供給部。
[0160](附記13)
[0161 ]根據(jù)附記12所述的爐口部，優(yōu)選為，
[0162]所述爐口部形成有多個(gè)所述流通路或者所述槽，各流通路或者各槽的間隔隨著從連接有所述惰性氣體供給部的位置離開(kāi)而變小。
[0163](附記14)
[0164]根據(jù)本發(fā)明的另一其他的方式，提供一種爐口部罩，其覆蓋設(shè)在襯底處理裝置的反應(yīng)管的下部的爐口部的內(nèi)周面，該爐口部罩具有:
[0165]開(kāi)口部，其與形成在所述爐口部的內(nèi)周面上的突起部鉤掛;和
[0166]突出部，其向所述爐口部的內(nèi)周面方向突出。
[0167](附記15)
[0168]根據(jù)附記14所述的爐口部罩，優(yōu)選為，
[0169]所述爐口部罩是由沿圓周方向劃分的多個(gè)部件構(gòu)成的。
[0170](附記16)
[0171]根據(jù)本發(fā)明的另一其他的方式，提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其具有:
[0172]襯底收納工序，將襯底收納于在下部設(shè)有爐口部的反應(yīng)管的內(nèi)部，其中，在該爐口部的上表面形成有槽、和使所述槽與內(nèi)周面連通的連通路;和
[0173]襯底處理工序，對(duì)于收納在所述反應(yīng)管的內(nèi)部的所述襯底從處理氣體供給部供給處理氣體來(lái)處理襯底，
[0174]在所述襯底處理工序中，從與所述爐口部連接的惰性氣體供給部向所述槽、所述連通路、和將所述爐口部的至少所述內(nèi)周面覆蓋的爐口部罩與所述爐口部之間的空間供給惰性氣體。
[0175]此外，該專利申請(qǐng)基于2014年3月26日提交的日本專利申請(qǐng)?zhí)卦?014-063073號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，并通過(guò)引用而將其公開(kāi)的全部?jī)?nèi)容援引至此。
[0176]工業(yè)實(shí)用性
[0177]根據(jù)本發(fā)明能夠抑制產(chǎn)生微粒。
[0178]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0179]100襯底處理裝置，200晶片，201處理室，202處理爐，203反應(yīng)管，207加熱器，209、409爐口部，209d、409d爐口部槽，209e、409e孔，217舟皿，219密封蓋，231氣體排氣管，232氣體供給部，319端口，320、520爐口部罩，320a爐口部罩的槽，322間隙，324間隙，325間隙。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種襯底處理裝置，其特征在于，具有: 反應(yīng)管，其處理襯底； 爐口部，其設(shè)置在所述反應(yīng)管的下端，在所述爐口部的上表面的內(nèi)周面?zhèn)?，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，該鼓出部形成有將所述凹陷部與所述內(nèi)周面連通的至少一個(gè)缺P； 罩，其從所述爐口部的內(nèi)周面隔開(kāi)規(guī)定間隔地設(shè)置，并覆蓋所述爐口部的至少所述內(nèi)周面;和 至少一個(gè)氣體供給部，其向所述爐口部的所述凹陷部供給氣體。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于， 還具有將所述爐口部的下端封閉的蓋， 在所述罩與所述蓋之間形成有間隙。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于， 所述罩由沿著所述爐口部的側(cè)面部和與所述側(cè)面部的上端垂直相交的水平部形成。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其特征在于， 所述水平部朝向所述爐口部的方向形成，并且所述水平部以?shī)A在所述鼓出部與所述反應(yīng)管之間的方式構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其特征在于， 所述爐口部還具有用于設(shè)置所述罩的突起部， 所述罩在所述側(cè)面部上具有供所述突起部鉤掛的開(kāi)口部。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理裝置，其特征在于， 所述水平部朝向所述反應(yīng)管的中央方向形成。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理裝置，其特征在于， 在所述水平部的端部形成有與所述凹陷部連通的槽。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理裝置，其特征在于， 在所述側(cè)面部具有向所述爐口部的所述內(nèi)周方向突出的突出部。9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其特征在于， 所述罩沿圓周方向劃分為多個(gè)。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理裝置，其特征在于， 所述突起部形成有多個(gè)，各突起部的間隔不均等地配置。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于， 兩個(gè)所述氣體供給部與所述爐口部連接，并且所述氣體供給部在圓周上相對(duì)的位置與所述爐口部連接。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于， 還具有對(duì)所述爐口部供給清洗氣體的清洗氣體供給部。13.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，具有: 將襯底收納在反應(yīng)管的內(nèi)部的工序，其中，該反應(yīng)管在下端設(shè)有爐口部，在該爐口部的上表面的內(nèi)周面?zhèn)?，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，該鼓出部形成有將所述凹陷部與所述內(nèi)周面連通的至少一個(gè)缺口 ；和 對(duì)收納在所述反應(yīng)管的內(nèi)部的所述襯底供給處理氣體來(lái)處理襯底的工序， 在所述襯底處理工序中，向所述凹陷部供給惰性氣體，并經(jīng)由所述缺口而使惰性氣體流動(dòng)至將所述爐口部的至少所述內(nèi)周面覆蓋的爐口部罩與所述爐口部之間的間隔。14.一種爐口部罩，其將設(shè)在襯底處理裝置的反應(yīng)管的下部的爐口部的內(nèi)周面覆蓋，其特征在于，具有: 開(kāi)口部，其供形成在所述爐口部的內(nèi)周面的突起部鉤掛;和 突出部，其向所述爐口部的內(nèi)周面方向突出。
【文檔編號(hào)】C23C16/44GK105981140SQ201580008398
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2015年2月16日
【發(fā)明人】高木康祐, 森田慎也, 赤江尚德, 山崎惠信
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社日立國(guó)際電氣