用于使預(yù)熱構(gòu)件自定中心的裝置的制造方法
【專利摘要】在此所描述的【具體實施方式】一般地涉及用于對準預(yù)熱構(gòu)件的裝置。在一個【具體實施方式】中，提供對準組件用于處理腔室。所述對準組件包括：下襯墊；預(yù)熱構(gòu)件；在所述預(yù)熱構(gòu)件的底表面上形成的對準機構(gòu)；以及在所述下襯墊的頂表面內(nèi)形成且經(jīng)配置以與所述對準機構(gòu)嚙合的拉長的槽。
【專利說明】
用于使預(yù)熱構(gòu)件自定中心的裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明的【具體實施方式】一般地涉及等離子體處理腔室內(nèi)的預(yù)熱構(gòu)件?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]半導(dǎo)體基板被處理以用于多種應(yīng)用，包括集成器件和微器件的制造。處理基板的一種方法包括將材料(例如介電材料或?qū)щ娊饘?沉積在基板的上表面上。例如，外延生長為在基板的表面上生長薄的、超純層(通常為硅層或鍺層)的沉積工藝。通過流動與安置在支座上的基板的表面平行的處理氣體，以及熱分解所述處理氣體以將來自所述氣體的材料沉積在基板表面上，可將所述材料沉積在橫向流動腔室內(nèi)。
[0003]現(xiàn)代硅技術(shù)中使用的最常見的外延薄膜沉積反應(yīng)器在設(shè)計上相類似。然而，除了基板和處理條件之外，沉積反應(yīng)器(即處理腔室)的設(shè)計對在薄膜沉積中使用精密氣流的外延生長中的薄膜品質(zhì)而言是必不可少的。布置在沉積反應(yīng)器中的基座支撐組件和預(yù)熱構(gòu)件的設(shè)計影響外延沉積的均勾性。在碳化娃微粒(silicon carbide particulate:SiCP)的外延處理中，厚度均勻性受基座與預(yù)熱構(gòu)件之間的縫隙距離變化的不利影響。在預(yù)熱構(gòu)件的安裝或運動期間，由于熱膨脹(例如行走)，預(yù)熱構(gòu)件的微小的對準不良都會引起基座與預(yù)熱構(gòu)件之間不對稱的縫隙。所述不對稱的縫隙導(dǎo)致在經(jīng)受外延處理的基板上的“傾斜的”沉積圖案，在所述基板上，基板的一邊的沉積比另一邊厚。
[0004]因此，需要提供用于均勻沉積的在預(yù)熱構(gòu)件與基座之間的改良的縫隙均勻性。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在此所描述的【具體實施方式】一般地涉及用于對準預(yù)熱環(huán)的裝置，以及具有所述預(yù)熱環(huán)的沉積反應(yīng)器。在一個【具體實施方式】中，用于對準預(yù)熱環(huán)的裝置為對準組件的形式。所述對準組件包括設(shè)置在拉長的徑向?qū)实牟壑械膶蕶C構(gòu)。所述對準機構(gòu)和槽設(shè)置在預(yù)熱環(huán)的底表面與下襯墊的頂表面之間。所述對準機構(gòu)和槽經(jīng)配置以限制預(yù)熱環(huán)相對于下襯墊角向地(azthumally)和/或旋轉(zhuǎn)地移動?！靖綀D說明】
[0006]以上簡要總結(jié)的本發(fā)明的上述特征可被詳細理解的方式、對本發(fā)明更加特定的描述可通過參考本發(fā)明的【具體實施方式】獲得，所述【具體實施方式】中的一些在附圖中示出。然而，需要注意的是，所述附圖僅示出本發(fā)明的典型的【具體實施方式】，因此不能認為是對本發(fā)明的范圍的限制，因為本發(fā)明可允許其它等效的【具體實施方式】。
[0007]圖1為處理腔室的示意圖。
[0008]圖2示出了圖1的處理腔室的俯視圖，所述處理腔室移除了上圓頂，且以虛線顯示用于預(yù)熱環(huán)和下襯墊的對準組件。
[0009] 圖3為截面圖，顯示了圖2的對準組件。
[0010]圖4示出了用于圖3的對準組件的下襯墊中的槽設(shè)計。
[0011]圖5示出了用于圖3的對準組件的預(yù)熱環(huán)中的對準機構(gòu)。
[0012]為便于理解，已在盡可能的情況下，使用相同的參考數(shù)字指示在這些附圖共通的相同元件。可以考慮到的是，一個【具體實施方式】中的元件和特征可有利地并入其它【具體實施方式】中而無需贅述?！揪唧w實施方式】
[0013]為解釋起見，在下面的描述中，許多具體細節(jié)被闡明以便為本公開內(nèi)容的【具體實施方式】提供徹底的理解。在某些情況中，眾所熟知的結(jié)構(gòu)和器件以方塊圖形顯示，而不是詳細描述，以避免模糊本公開內(nèi)容。對所述【具體實施方式】進行足夠詳細的描述以使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，且應(yīng)當理解的是，可利用其它【具體實施方式】，以及可產(chǎn)生邏輯、機械、電和其它的改變而不脫離本公開內(nèi)容的范圍。
[0014] 圖1示出了具有對準組件190的處理腔室100的示意圖。處理腔室100可用來處理一個或多個基板108,包括在基板108的上表面上沉積材料。處理腔室100可包括連同其它部件一起用于加熱的輻射加熱燈102的陣列、基座支撐組件106的背側(cè)104以及設(shè)置在處理腔室 100的壁101內(nèi)的預(yù)熱構(gòu)件180(所述預(yù)熱構(gòu)件可為環(huán)、矩形構(gòu)件或具有任意方便形狀的構(gòu)件)。
[0015] 處理腔室100包括上圓頂110、下圓頂112以及設(shè)置在上圓頂110和下圓頂112之間的下襯墊114。上下圓頂110、112大體界定處理腔室100的內(nèi)部區(qū)域。在一些【具體實施方式】中，輻射加熱燈102的陣列可設(shè)置于上圓頂110上方。
[0016] —般而言，上圓頂110的中央窗部分和下圓頂112的底部由例如石英的光學(xué)透明材料形成。可環(huán)繞基座支撐組件106,以規(guī)定的、最佳所期望的方式在靠近下圓頂112和下圓頂 112的下方設(shè)置一個或多個燈(例如燈102的陣列)以當處理氣體從此處流過的時候，獨立控制基板108的各個區(qū)域的溫度，進而便于材料沉積在基板108的上表面上。雖然在此并未詳細論述，但是所述沉積材料可包括砷化鎵、氮化鎵、氮化鋁鎵以及類似材料。[〇〇17] 燈102可經(jīng)配置以包括燈泡136且經(jīng)配置以加熱處理腔室100的內(nèi)部至大約200攝氏度到大約1600攝氏度范圍之內(nèi)的一溫度。每個燈102都被耦接至電力分配板(未示出)，經(jīng)由電力分配板為每個燈102提供電力。將燈102安置在燈頭138之內(nèi)，在利用將例如冷卻流體引入至位于燈102之間的通道140、152處理期間或之后，燈頭138可被冷卻。燈頭138傳導(dǎo)地和輻射地將下圓頂112冷卻，部分是因為燈頭138與下圓頂112極為接近。燈頭138還可冷卻燈壁和環(huán)繞燈的反射體(未示出)的壁?；蛘?，可通過在本行業(yè)中已知的的對流方法冷卻下圓頂112。取決于應(yīng)用，燈頭138可以與或可以不與下圓頂112接觸。
[0018]反射體144可以可選擇地放置在上圓頂110外面以將從基板108輻射出去的紅外光反射回基板108上。反射體144可由例如鋁或不銹鋼的金屬制成?？梢酝ㄟ^用例如黃金的高反射涂層涂布反射體區(qū)域以改良反射效率?？梢酝ㄟ^一個或多個通道146將反射體144耦接至冷卻源(未示出)。通道146與在反射體144的一側(cè)面上或在反射體144中形成的通路(未圖示)連接。所述通路經(jīng)配置以傳送流體(例如水)流且可沿著反射體144的側(cè)面，以任意所期望的覆蓋反射體144部分或整個表面的圖案流動，以用于冷卻反射體144。
[0019]處理腔室100的內(nèi)部容積被分成:在預(yù)熱構(gòu)件180和基板108之上的處理氣體區(qū)域 128;以及在預(yù)熱構(gòu)件180和基座支撐組件106之下的凈化氣體區(qū)域130。從處理氣體供應(yīng)源148供應(yīng)的處理氣體通過在下襯墊114的側(cè)壁中形成的處理氣體進口 150引入至處理氣體區(qū)域128。處理氣體進口 150經(jīng)配置以大體徑向向內(nèi)的方向引導(dǎo)處理氣體。在薄膜形成過程期間，基座支撐組件106可位于處理位置中，所述處理位置與處理氣體進口 150的高度接近且大致相同，允許處理氣體沿著跨越基板108的上表面所界定的流動路徑以層流方式流動。處理氣體通過氣體出口 155流出處理氣體區(qū)域128,所述氣體出口位于處理腔室100的側(cè)面，與處理氣體進口 150相對。耦接至氣體出口 155的真空栗156促進通過氣體出口 155的處理氣體的移除。因為處理氣體進口 150和氣體出口 155彼此對準，且大約設(shè)置在相同高度，相信當與較平的上圓頂110組合使用時，如此平行的安排可以使得大體平坦、均勻的氣流流過基板 108〇
[0020]凈化氣體可自凈化氣源158通過在下襯墊114的側(cè)壁中形成的可選凈化氣體進口 160(或通過處理氣體進口 150)供應(yīng)至凈化氣體區(qū)域130。將凈化氣體進口 160的高度設(shè)置低于處理氣體進口 150的高度。凈化氣體進口 160經(jīng)配置以大體徑向向內(nèi)的方向引導(dǎo)凈化氣體。在薄膜形成過程期間，預(yù)熱構(gòu)件180和基座支撐組件106可位于一個位置，以使得凈化氣體向下且環(huán)繞沿著跨越基座支撐組件106的背側(cè)104所界定的流動路徑以層流方式流動。未受任何特定理論限制，凈化氣體的流動被認為能大體上防止處理氣體進入凈化氣體區(qū)域 130(即在預(yù)熱構(gòu)件180和基座支撐組件106下方的區(qū)域)。凈化氣體通過在預(yù)熱構(gòu)件180與基座支撐組件106之間形成的縫隙182流出凈化氣體區(qū)域130并進入處理氣體區(qū)域128。凈化氣體可進而通過氣體出口 155從處理腔室100排放而出。
[0021]基座支撐組件106可包括如圖所示的盤狀的基座支座，或可為帶有中心開口的環(huán)狀的基座支座，且從基板邊緣支撐基板108以便于將基板暴露至燈102的熱輻射中?；谓M件106包括基座支座118和基座120。基座支撐組件106可由碳化硅或涂布有碳化硅的石墨形成以從燈102處吸收輻射能并將輻射能傳導(dǎo)至基板108。
[0022]下襯墊114可由石英材料制成且具有唇部116,唇部116經(jīng)配置以接受置放在所述唇部上的預(yù)熱構(gòu)件180?？稍谙乱r墊114上的唇部116與預(yù)熱構(gòu)件180之間提供空隙184。通過將預(yù)熱構(gòu)件180置于下襯墊114的唇部116上中心位置，對準組件190可均勻地維持空隙184。 空隙184可在下襯墊114與預(yù)熱構(gòu)件180之間提供熱隔絕。另外，空隙184可允許預(yù)熱構(gòu)件180 因溫度的改變而膨脹(和收縮)，而沒有來自下襯墊114的干擾。
[0023]預(yù)熱構(gòu)件180可由碳化硅(SiC)材料制成且具有經(jīng)配置以接受基座支撐組件106以及預(yù)熱構(gòu)件180與基座支撐組件106之間的空隙184的內(nèi)部周長。通過維持跨越縫隙182的均勻?qū)挾龋A(yù)熱構(gòu)件180進一步經(jīng)配置以控制底部凈化氣體對處理氣體的稀釋。在用于SiCP薄膜的外延處理中，底部凈化氣體對處理氣體具有很大的稀釋效應(yīng)。在一個【具體實施方式】中， 外延處理處理氣流在大約30-40SLM的范圍內(nèi)，且底部凈化氣體大約為5SLM。在用于SiCP處理的另一個【具體實施方式】中，外延處理處理氣流在大約5SLM的范圍內(nèi)，且底部凈化氣體大約為5SLM。頂部與底部氣體之間的比率可為幾乎相等的。用于底部氣體到達頂側(cè)的主要路徑在基座支撐組件106與預(yù)熱構(gòu)件180之間界定的縫隙182之間。因此，底部凈化氣體更傾向于稀釋頂側(cè)處理氣體。
[0024]預(yù)熱構(gòu)件180可經(jīng)配置以在預(yù)熱構(gòu)件180與基座支撐組件106之間形成縫隙182,以控制凈化氣體對處理氣體的稀釋。當預(yù)熱構(gòu)件180由于熱膨脹而移動時，縫隙182的大小可以改變。在預(yù)熱構(gòu)件180與基座支撐組件106之間的縫隙182的大小直接控制底部凈化對頂側(cè)氣流的影響程度。在一個【具體實施方式】中，縫隙182可具有大約0.015英寸的距離。[〇〇25]在熱循環(huán)期間，預(yù)熱構(gòu)件180可明顯移動且在處理腔室100內(nèi)安裝冷的預(yù)熱構(gòu)件 180之后，移動可更復(fù)雜。在常規(guī)的處理腔室內(nèi)，預(yù)熱環(huán)的移動傾向于徑向、旋轉(zhuǎn)及角向地發(fā)生。當預(yù)熱環(huán)移動且不再同心地以基座為中心時，可在基座與預(yù)熱環(huán)之間形成不對稱的縫隙(假定完全以基座為中心旋轉(zhuǎn))，這導(dǎo)致在基板的一側(cè)上相對于另一側(cè)的“傾斜的”沉積厚度。為確保在熱膨脹期間，預(yù)熱構(gòu)件180可受熱膨脹及收縮，同時維持與基座支撐組件106同心，在預(yù)熱構(gòu)件180與下襯墊114的唇部116之間提供對準組件190。[〇〇26]圖2示出了處理腔室100的俯視圖，移除了上圓頂，顯示出多個用于預(yù)熱構(gòu)件180和下襯墊114的多個對準組件190(虛線)。預(yù)熱構(gòu)件180具有中線(centerline)240。預(yù)熱構(gòu)件 180的中線240可與基座支撐組件106的中心重合，這導(dǎo)致縫隙182具有在預(yù)熱構(gòu)件180與基座支撐組件106之間界定的均勻性。[〇〇27]預(yù)熱構(gòu)件180還可具有在環(huán)內(nèi)形成的狹縫260。狹縫260可完全穿過預(yù)熱構(gòu)件180形成，以使得狹縫260的第一側(cè)面266不接觸狹縫260的第二側(cè)面268。狹縫260可具有寬度262。 寬度262可經(jīng)配置以允許預(yù)熱構(gòu)件180在沒有導(dǎo)致熱應(yīng)力的情況下膨脹。寬度262可另外經(jīng)配置以允許凈化氣體從預(yù)熱構(gòu)件180的下側(cè)流通至氣體出口 155,用于從處理腔室100抽空。 [〇〇28] 對準組件190可具有對準機構(gòu)210和槽202(兩者均在圖2中用虛線顯示)。對準機構(gòu) 210可在預(yù)熱構(gòu)件180內(nèi)或上形成且槽202可在下襯墊114內(nèi)形成。例如，對準機構(gòu)210可從預(yù)熱構(gòu)件180的底表面117伸出，且經(jīng)配置以與在預(yù)熱構(gòu)件180的頂表面181內(nèi)形成的槽202配合?；蛘撸瑢蕶C構(gòu)210可在下襯墊114內(nèi)或上形成且槽202可在預(yù)熱構(gòu)件180內(nèi)形成。例如， 對準機構(gòu)210可從下襯墊114的頂表面117伸出，且經(jīng)配置以與在預(yù)熱構(gòu)件180的底表面181 內(nèi)形成的槽202配合。對準機構(gòu)210還可獨立地位于且運動于狹縫內(nèi)，所述狹縫由在預(yù)熱構(gòu)件180和下襯墊114中形成的對準的槽202形成。在一個【具體實施方式】中，對準機構(gòu)210為球狀物。在另一個【具體實施方式】中，對準機構(gòu)210為凸塊或突出。對準機構(gòu)210和槽202限制預(yù)熱構(gòu)件180相對于下襯墊114的移動，同時仍允許預(yù)熱構(gòu)件180相對于與構(gòu)件180的熱膨脹和收縮關(guān)聯(lián)的基座支撐組件106的中線240徑向移動。
[0029]在一個【具體實施方式】中，對準機構(gòu)210由SiC形成且是預(yù)熱構(gòu)件180的成整體的一部分。對準機構(gòu)210位于在下襯墊214的不透明的石英中形成的槽202內(nèi)。槽202的主軸為自中心240如以徑向線220所示徑向定向。對準機構(gòu)210可在槽202內(nèi)相對于中線240徑向移動， 但不能橫向地、旋轉(zhuǎn)地以及角向地移動。一個或多個對準組件190可被均勻間隔在預(yù)熱構(gòu)件 180和下襯墊114周圍。在一個【具體實施方式】中，三個對準組件190被均勻間隔的在預(yù)熱構(gòu)件 180和下襯墊114周圍，例如以極性陣列的方式間隔。例如，用于對準組件190的空隙250可分開大約120度?；蛘?，空隙250可為不規(guī)則的。例如，相對第二對準組件，第一對準組件190可具有大約為100度的空隙250,相對第三對準組件，第二對準組件可具有大約為130度的空隙，且相對第一對準組件190,第三對準組件可具有大約為130度的空隙。
[0030]雖然可使用任意數(shù)量的對準組件190,但對準組件190的配置可影響縫隙182。例如，單一對準組件190可防止預(yù)熱構(gòu)件180旋轉(zhuǎn)而不能防止移動以及產(chǎn)生不對稱的縫隙182。 若兩個對準組件190互相對準，兩個對準組件190在縫隙182內(nèi)可具有類似的不對稱問題。使對準組件190偏移，以使得空隙大約為120度，幫助將預(yù)熱構(gòu)件180定中心并跨越縫隙182維持對稱的寬度。在一個【具體實施方式】中，預(yù)熱構(gòu)件180和下襯墊114具有三個對準組件190，對準組件190使預(yù)熱構(gòu)件180相對于中線240自定中心，且防止預(yù)熱構(gòu)件180相對于基座支撐組件206橫向地或角向地旋轉(zhuǎn)、移動。
[0031]圖3為截面圖，顯示出圖2的對準組件190。預(yù)熱構(gòu)件180具有經(jīng)配置以與下襯墊114 的唇部116介面連接的唇部310。當對準機構(gòu)210被設(shè)置在槽202內(nèi)時，在預(yù)熱構(gòu)件180與下襯墊114的唇部116之間可形成第一縫隙342。在下襯墊114的唇部116和預(yù)熱構(gòu)件180的唇部 310之間可形成第二縫隙340。第一縫隙342的大小可與第二縫隙340類似，且縫隙342、340兩者可為比例相關(guān)。即，隨著第一縫隙340的大小增加，第二縫隙342的大小同樣增加?？捎械谌p隙346(以及第四縫隙182)設(shè)置在預(yù)熱構(gòu)件180與下襯墊114之間。第三及第四縫隙182、 346可為成反比的。例如，隨著預(yù)熱構(gòu)件180熱收縮，第三縫隙182的大小可增加，而第四縫隙 346的大小減小。[〇〇32]熱膨脹預(yù)熱構(gòu)件180導(dǎo)致對準機構(gòu)210向槽202的遠端303移動。同樣地，收縮預(yù)熱構(gòu)件180導(dǎo)致球狀物移動遠離槽202的遠端303。對準機構(gòu)210和槽202經(jīng)配置以使得預(yù)熱構(gòu)件180的熱膨脹和收縮不會導(dǎo)致對準機構(gòu)210離開槽202。在槽202上可形成唇部以使得預(yù)熱構(gòu)件180具有受限的橫向移動。然而，預(yù)熱構(gòu)件180仍能大體上均勻地圍繞中線240徑向移動。[〇〇33] 通過對準機構(gòu)210和設(shè)置在預(yù)熱構(gòu)件180與下襯墊114之間的槽202,可以減少起因于常規(guī)沉積反應(yīng)器內(nèi)的熱膨脹和安裝設(shè)置造成的縫隙變化。對準機構(gòu)210和槽202允許預(yù)熱構(gòu)件180相對于基座支撐組件106對準并自定中心，如此跨越縫隙182維持均勻的寬度，促進均勻沉積結(jié)果。圖4示出了在圖3的下襯墊114中形成的槽202，同時圖5示出了從圖3的預(yù)熱構(gòu)件180伸出的對準機構(gòu)210。
[0034]對準機構(gòu)210可為球狀或其它適當?shù)男螤?。用于對準機構(gòu)210的圓形形狀幫助減少在預(yù)熱構(gòu)件180與下襯墊114之間的接觸面面積。減少的接觸面面積允許預(yù)熱構(gòu)件180相對于下襯墊114更容易移動。在一個【具體實施方式】中，對準機構(gòu)210由包含氮化硅、藍寶石、氧化鋯、氧化鋁、石英、石墨涂層、或任意其它適當?shù)墓┩庋映练e腔室內(nèi)用的材料的組中材料制成。在一個【具體實施方式】中，對準機構(gòu)210具有約5mm與約15mm之間的直徑，例如10mm。雖然圖2中僅示出了三個球狀物210,但是可以考慮到的是任意數(shù)量的球狀物210都可以放在預(yù)熱構(gòu)件180內(nèi)。然而，三個球狀物210能有利地接觸到在任意平面上的點。[〇〇35] 如圖4所示，槽202可為進入下襯墊114的埋頭孔(countersunk)且形成帶有深V字 (deep-Vee)形、梯形軌道或其它形狀的橢圓形狀，所述橢圓形狀經(jīng)適當配置以接觸和保持對準機構(gòu)210在至少兩個接觸點上。槽202具有短軸430。短軸430具有尺寸432,尺寸432經(jīng)調(diào)整大小以保持對準機構(gòu)210，同時在預(yù)熱構(gòu)件180與下襯墊114之間提供縫隙342、340 (如圖3 所示)。槽202的壁410可為平坦的以促使在對準機構(gòu)210與槽202的每個壁410之間的單一接觸點。如此，在預(yù)熱構(gòu)件180和下襯墊114之間的傳熱被最小化，這有利地允許預(yù)熱構(gòu)件180 的更快的加熱和冷卻，相應(yīng)地允許基板的溫度控制更快且更精確。或者，壁410可為彎曲的以更好地支撐對準機構(gòu)210。[〇〇36] 槽202為拉長的且具有徑向與中線240對準的主軸420。槽202可具有經(jīng)配置以允許當預(yù)熱構(gòu)件180熱膨脹和收縮時，對準機構(gòu)210在槽202內(nèi)移動的大小422。當對準機構(gòu)210在槽202內(nèi)移動時，對準機構(gòu)210的側(cè)面接觸槽202的壁410以防止預(yù)熱構(gòu)件180旋轉(zhuǎn)。未以共用的直徑對準的至少兩個對準組件190將大體上防止預(yù)熱構(gòu)件180與基座支撐組件106變得不對準(即將維持跨越縫隙182的均勻性)。[〇〇37]預(yù)熱構(gòu)件180具有將V形槽202埋頭孔嵌入下襯墊114內(nèi)的球狀對準機構(gòu)210。多個對準組件190環(huán)繞下襯墊的直徑而定位，且在一個范例中，多個對準組件190大約隔開120 度，多個對準組件190的每個對準組件都具有對準機構(gòu)210和槽202。對準組件190允許預(yù)熱構(gòu)件180和下襯墊114可重復(fù)熱膨脹及冷卻。在熱處理循環(huán)期間，對準組件190消除了預(yù)熱構(gòu)件180的橫向地、角向地或旋轉(zhuǎn)地移動。
[0038]雖然上述針對本發(fā)明的【具體實施方式】，但是可設(shè)計本發(fā)明的其它以及進一步的【具體實施方式】，而不脫離本發(fā)明的基本范圍，且本發(fā)明的范圍由下述所要求保護的技術(shù)方案所確定。
【主權(quán)項】
1.一種用于處理腔室的對準組件，所述對準組件包含:下襯墊，所述下襯墊具有唇部；預(yù)熱構(gòu)件，所述預(yù)熱構(gòu)件具有底表面；對準機構(gòu)，所述對準機構(gòu)從所述預(yù)熱構(gòu)件的所述底表面延伸；以及拉長的槽，所述拉長的槽在所述唇部的頂表面內(nèi)形成，且經(jīng)配置以接受所述對準機構(gòu)。2.如權(quán)利要求1所述的對準組件，其中，所述對準機構(gòu)為所述預(yù)熱構(gòu)件的成整體的一部 分。3.—種用于處理腔室的對準組件，所述對準組件包含:下襯墊，所述下襯墊具有唇部；預(yù)熱構(gòu)件，所述預(yù)熱構(gòu)件具有底表面；對準機構(gòu)，所述對準機構(gòu)從所述唇部的頂表面延伸；以及拉長的槽，所述拉長的槽在所述預(yù)熱構(gòu)件的所述底表面中形成，且經(jīng)配置以接受所述 對準機構(gòu)。4.如權(quán)利要求3所述的對準組件，其中，所述對準機構(gòu)為所述唇部的成整體的一部分。5.如權(quán)利要求3所述的對準組件，其中，所述對準機構(gòu)獨立位于且運動于狹縫內(nèi)，所述 狹縫由與在所述預(yù)熱構(gòu)件內(nèi)的所述拉長的槽對準的在所述唇部內(nèi)的槽形成。6.如權(quán)利要求4所述的對準組件，其中，所述對準機構(gòu)為球狀物。7.如權(quán)利要求1或3所述的對準組件，其中，所述預(yù)熱構(gòu)件和下襯墊具有相對于所述下 襯墊的中線使所述預(yù)熱構(gòu)件自定中心的三個對準組件。8.如權(quán)利要求1或3所述的對準組件，所述對準組件進一步包含:當所述對準機構(gòu)被設(shè)置在所述槽中時，在所述預(yù)熱構(gòu)件與所述下襯墊的所述唇部之間 形成的第一縫隙。9.如權(quán)利要求1或3所述的對準組件，其中，所述拉長的槽為帶有深V字形的橢圓形狀。10.如權(quán)利要求1或3所述的對準組件，其中，所述拉長的槽為帶有梯形軌道的橢圓形狀。11.一種處理腔室，所述處理腔室包含:上圓頂；下圓頂；下襯墊，所述下襯墊設(shè)置在所述上圓頂和所述下圓頂之間，其中，所述上圓頂、下圓頂 和下襯墊界定處理氣體區(qū)域；基座支撐組件，所述基座支撐組件設(shè)置在所述處理氣體區(qū)域內(nèi)；預(yù)熱構(gòu)件，所述預(yù)熱構(gòu)件設(shè)置在所述基座支撐組件上；以及多個對準組件，所述多個對準組件設(shè)置在所述預(yù)熱構(gòu)件與所述下襯墊之間，其中兩個 對準組件不在共用的直徑上，每個對準組件包含:對準機構(gòu)；以及拉長的槽，所述拉長的槽與所述基座支撐組件的中線徑向?qū)?，所述對準機構(gòu)和槽經(jīng) 配置以在所述預(yù)熱構(gòu)件和所述下襯墊之間維持均勻的縫隙。12.如權(quán)利要求11所述的處理腔室，所述處理腔室進一步包含:當在所述槽內(nèi)設(shè)置所述對準機構(gòu)時，在所述預(yù)熱構(gòu)件與所述基座支撐組件之間形成的縫隙。13.如權(quán)利要求12所述的處理腔室，其中，所述縫隙大約為0.015英寸。14.如權(quán)利要求12所述的處理腔室，其中，所述預(yù)熱構(gòu)件與所述基座同心。15.如權(quán)利要求11所述的處理腔室，其中，所述預(yù)熱構(gòu)件和下襯墊具有三個對準組件， 所述三個對準組件相對于中線使所述預(yù)熱構(gòu)件自定中心并防止所述預(yù)熱構(gòu)件相對于所述 基座支撐組件旋轉(zhuǎn)、橫向地或角向地移動。
【文檔編號】H05H1/46GK105981142SQ201480065524
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2014年10月9日
【發(fā)明人】凱文·約瑟夫·鮑蒂斯塔, 理查德·O·柯林斯, 尼歐·謬
【申請人】應(yīng)用材料公司