像素化電容受控的esc的制作方法
【專利摘要】本文所述的實(shí)現(xiàn)方式提供一種像素化靜電夾盤，該像素化靜電夾盤能夠?qū)o電夾盤與置于該靜電夾盤上的基板之間的RF耦接進(jìn)行側(cè)向調(diào)諧和方位角調(diào)諧。在一個(gè)實(shí)施例中，像素化靜電夾盤(ESC)可包括：電介質(zhì)體，具有工件支撐表面，該工件支撐表面配置成在其上接受基板；一個(gè)或多個(gè)夾緊電極，安置在該像素化靜電夾盤中；以及多個(gè)像素電極。該多個(gè)像素電極可在浮動(dòng)狀態(tài)與接地狀態(tài)之間切換，具有對(duì)地的可變電容，或者既可在浮動(dòng)狀態(tài)與接地狀態(tài)之間切換，又具有對(duì)地的可變電容。像素電極和夾緊電極形成電路，該電路可操作以將該基板靜電地夾緊至該工件支撐表面。
【專利說(shuō)明】
像素化電容受控的ESC 背景
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本文所述的實(shí)現(xiàn)方式總體上關(guān)于半導(dǎo)體制造，并且更特定地關(guān)于靜電夾盤W及使 用該靜電夾盤的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著器件圖案的特征尺寸變得更小，對(duì)運(yùn)些特征的臨界尺寸（C r i t i C a 1 dimension;CD)的要求成為對(duì)于穩(wěn)定且可重現(xiàn)的器件性能的更重要的準(zhǔn)則。由于腔室的不 對(duì)稱性(諸如，腔室和基板溫度、流導(dǎo)和RF場(chǎng)），跨處理腔室內(nèi)經(jīng)處理的基板的可允許的CD變 化難W達(dá)成。
[0003] 在利用靜電夾盤的工藝中，由于在基板下方的夾盤的非均質(zhì)構(gòu)造，跨基板的表面 的蝕刻的均勻性具有挑戰(zhàn)性。例如，靜電夾盤中的一些區(qū)域具有氣孔，而其他區(qū)域則具有從 所述氣孔側(cè)向偏離的升舉銷孔。又一些其他區(qū)域具有夾緊電極，而其他區(qū)域則具有從夾緊 電極側(cè)向偏離的加熱器電極。夾盤的非均質(zhì)構(gòu)造導(dǎo)致射頻(radio打equency;RF)場(chǎng)的不均 勻性，此不均勻性直接影響跨基板表面的蝕刻。
[0004] 靜電夾盤的結(jié)構(gòu)可能在側(cè)向上且在方位角上變化，運(yùn)使夾盤與基板之間的RF場(chǎng)的 均勻性復(fù)雜化且難W獲得，從而導(dǎo)致跨夾盤表面的RF場(chǎng)中的局部變化性?；诘入x子體的 工藝可能對(duì)于至靜電夾盤的小局部RF禪接變化非常敏感。由此，局部射頻禪接變化導(dǎo)致沿 基板的表面的處理結(jié)果的不均勻性。
[0005] 因此，存在對(duì)改進(jìn)的靜電夾盤的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本文所述的實(shí)現(xiàn)方式提供一種像素化ESC，該像素化ESC允許對(duì)對(duì)ESC與置于該ESC 上的基板之間的RF禪接進(jìn)行側(cè)向調(diào)諧和方位角調(diào)諧。在一個(gè)實(shí)施例中，像素化靜電夾盤 (pixelated elec化OS化tic chuck;ESC)可包括：電介質(zhì)體，具有工件支撐表面，所述工件 支撐表面配置成在其上接受基板;一個(gè)或多個(gè)夾緊電極，安置于像素化ESC中；W及多個(gè)像 素電極。多個(gè)像素電極可在浮動(dòng)狀態(tài)與接地狀態(tài)之間切換，具有對(duì)地的可變電容，或者既可 在浮動(dòng)狀態(tài)與接地狀態(tài)之間切換，又具有對(duì)地的可變電容。像素電極和夾緊電極形成電路， 該電路可操作W將基板靜電地夾緊至工件支撐表面。
[0007] 在另一實(shí)施例中，提供一種處理腔室。所述處理腔室包括腔室主體，該腔室主體中 安置有像素化靜電夾盤化SC)。像素化ESC可如上所述那樣配置。
[000引在又一實(shí)施例中，提供一種用于處理基板的方法，該方法包括：向形成于像素化靜 電夾盤中的主夾緊電極施加功率;將側(cè)向分布在像素化靜電夾盤內(nèi)的多個(gè)像素電極中的一 個(gè)或多個(gè)選擇性地禪接到地面W將基板緊固至像素化靜電夾盤；W及在像素化靜電夾盤上 處理基板。
【附圖說(shuō)明】
[0009] 因此，為了可詳細(xì)地理解本發(fā)明的上述特征的方式，可通過(guò)參考實(shí)現(xiàn)方式對(duì)上文 中簡(jiǎn)要概述的本發(fā)明進(jìn)行更特定的描述，運(yùn)些實(shí)現(xiàn)方式中的一些在附圖中示出。然而，將注 意的是，附圖僅示出本發(fā)明的典型實(shí)現(xiàn)方式，因此附圖將不被視作限制本發(fā)明的范圍，因?yàn)?本發(fā)明可承認(rèn)其他同樣有效的實(shí)現(xiàn)方式。
[0010] 圖1是處理腔室的示意性橫剖面?zhèn)纫晥D，該處理腔室中具有像素化靜電夾盤的一 個(gè)實(shí)施例；
[0011] 圖2是詳細(xì)說(shuō)明像素化靜電夾盤和基板支撐組件的多個(gè)部分的部分示意性橫剖面 側(cè)視圖；
[0012] 圖3是示出在像素化靜電夾盤中的可調(diào)電容器和電極的布局的部分平面頂視圖； [001引圖4是沿圖3的剖面線A-A截取的橫剖面視圖，運(yùn)些圖示出電容器在像素化靜電夾 盤中的簡(jiǎn)化布線示意圖；
[0014] 圖5是示出RF可變電容器的部分布線示意圖；W及
[0015] 圖6是利用像素化靜電夾盤處理基板的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
[0016] 為了便于理解，已在可能的情況下使用完全相同的附圖標(biāo)記指定諸圖所共有的完 全相同的元件。構(gòu)想了在一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中公開(kāi)的元件可有利地用于其他實(shí)現(xiàn)方式而無(wú)需特 定的陳述。
【具體實(shí)施方式】
[0017] 隨著半導(dǎo)體工業(yè)正在將電子特征尺寸縮小至亞納米水平，蝕刻速率和臨界尺寸均 勻性要求同樣縮至接近原子尺寸的埃(A)水平。在運(yùn)種情況下，基板溫度必須非常均勻（例 如對(duì)于小于20納米的節(jié)點(diǎn)，小于約0.5°C)或能W使用非常精細(xì)的分辨率來(lái)調(diào)諧W定制跨基 板的工藝均勻性。然而，對(duì)于小于10納米的半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)而言，即使低至〇.25°C或更低的 溫度均勻性也不足W維持工藝均勻性。影響工藝均勻性的一個(gè)因素是在靜電夾盤的圓盤內(nèi) 的夾緊電極的電介質(zhì)深度。電介質(zhì)深度是圓盤的頂部與包括夾緊電極的高電壓柵格之間的 距離。圓盤的基板支撐表面地形與電介質(zhì)深度都顯著地影響基板對(duì)ESC的RF禪接。對(duì)基板的 較強(qiáng)的射頻(RF)禪接可增加蝕刻速率，反之亦然。由此，跨ESC側(cè)向地控制工件對(duì)地的局部 電容是重要的工藝控制參數(shù)，在本文中公開(kāi)的本發(fā)明的所述工藝控制參數(shù)已經(jīng)證實(shí)為有效 的工藝控制屬性，W用于定制對(duì)使用ESC執(zhí)行的工藝的側(cè)向和/或方位角蝕刻速率均勻性 和/或CD控制。
[0018] 本文所述的實(shí)現(xiàn)方式提供像素化靜電夾盤化SC),該像素化ESC允許對(duì)像素化ESC 與諸如基板之類的工件的RF禪接進(jìn)行局部調(diào)諧、側(cè)向調(diào)諧W及方位角調(diào)諧，進(jìn)而允許對(duì)像 素化ESC上的基板與地面的側(cè)向RF禪接進(jìn)行側(cè)向調(diào)諧和方位角調(diào)諧。此外，針對(duì)基板與地面 的禪接而對(duì)像素化ESC中的電容的局部變化的控制通過(guò)消除(或在一些情況下誘發(fā))受RF禪 接影響的工藝變化，來(lái)大幅增強(qiáng)在該像素化ESC上執(zhí)行的工藝。由此，像素化ESC允許對(duì)在跨 基板的幾乎任何位置之間的埃(A)水平蝕刻速率和臨界尺寸(CD)均勻性進(jìn)行控制。本文還 描述對(duì)在像素化ESC上處理的基板的RF禪接進(jìn)行調(diào)諧的方法。盡管在下文中描述了像素化 ESC處于蝕刻處理腔室中，但像素化ESC可用于其他類型的等離子體處理腔室中，所述腔室 諸如物理氣相沉積腔室、化學(xué)氣相沉積腔室、離子注入腔室等，W及期望跨ESC的基板支撐 表面的RF分布進(jìn)行方位角調(diào)諧、側(cè)向調(diào)諧和/或局部調(diào)諧中的至少一個(gè)調(diào)諧所在的其他系 統(tǒng)。還構(gòu)想到像素化電極也可用于控制其他表面(包括不用于半導(dǎo)體處理的那些表面）的RF 偏置或禪接。
[0019] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，像素化ESC允許在真空工藝（諸如，蝕刻、沉積、注入，等 等)期間通過(guò)利用像素電極來(lái)補(bǔ)償腔室不均勻性(諸如，溫度、流導(dǎo)、電場(chǎng)、等離子體密度，等 等)對(duì)邊緣處或跨基板的其他位置處的臨界尺寸(CD)變化進(jìn)行校正。此外，一些實(shí)施例已證 實(shí)將基板對(duì)地的電容控制到自約20pF至約數(shù)百PF范圍中的任一電容的能力。
[0020] 圖1是示例性蝕刻處理腔室100的示意性橫剖面視圖，該蝕刻處理腔室100具有像 素化ESC132。如上文所討論，像素化ESC132可用于其他處理腔室中，例如等離子體處理腔 室、退火腔室、物理氣相沉積腔室、化學(xué)氣相沉積腔室，W及離子注入腔室等等，W及期望有 控制將表面或工件(諸如，基板)禪接至地面的RF分布的能力的其他系統(tǒng)中。對(duì)跨表面(即像 素化ESC132的基板支撐表面)的許多離散區(qū)域的RF禪接進(jìn)行獨(dú)立控制和局部控制有益地允 許RF分布的側(cè)向調(diào)諧和/或方位角調(diào)諧W及局部RF不平度(諸如，高或低RF禪接)的減小RF， 所述RF不平度可影響蝕刻處理腔室100中的局部工藝結(jié)果。
[0021] 處理腔室100包括接地腔室主體102。腔室主體102包括壁104、底部106, W及蓋 108,上述各項(xiàng)圍成內(nèi)部體積124?；逯谓M件126安置于內(nèi)部體積124中。像素化ESC132安 置于基板支撐組件126上并且在處理期間在其上支撐基板134。
[0022] 處理腔室100的壁104包括開(kāi)口（未示出），能W機(jī)器人方式將基板134經(jīng)由該開(kāi)口 移送進(jìn)出內(nèi)部容積124。累送口 110形成在腔室主體102的壁104或底部106中的一個(gè)中并且 流體地連接至累送系統(tǒng)(未示出）。累送系統(tǒng)用W在處理腔室100的內(nèi)部體積124內(nèi)維持真空 環(huán)境，同時(shí)移除處理副產(chǎn)物。
[0023] 氣體面板112通過(guò)一個(gè)或多個(gè)進(jìn)氣端口 114將工藝氣體和/或其他氣體提供至處理 腔室100的內(nèi)部容積124,該進(jìn)氣端口 114穿過(guò)腔室主體102的蓋108或壁104中的至少一個(gè)而 形成。由氣體面板112提供的工藝氣體在內(nèi)部體積124內(nèi)被激勵(lì)W形成等離子體122,該等離 子體122用W處理安置在像素化ESC132上的基板134?？捎筛行远U接至處理氣體的RF功率來(lái) 激勵(lì)此工藝氣體，該RF功率來(lái)自定位在腔室主體102外部的等離子體施加器120。在圖1中示 出的實(shí)施例中，等離子體施加器120是經(jīng)由匹配電路118禪接至RF功率源116的一對(duì)共軸線 圈或容性禪接等離子體(capacitively coupled plasma;CCP)腔室。
[0024] 控制器148禪接至處理腔室100 W控制處理腔室100的操作和基板134的處理?？刂?器148可W是任何形式的通用數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)中的一個(gè)，該處理系統(tǒng)可在工業(yè)設(shè)定中使用W 用于控制多種子處理器和子控制器?？傮w上，控制器148包括與存儲(chǔ)器174和輸入/輸出（1/ 0)電路176通信的中央處理單元(CPU) 172及其他常見(jiàn)部件。由控制器148的CPU執(zhí)行的軟件 命令使處理腔室:例如將蝕刻劑氣體混合物（即處理氣體）引入內(nèi)部體積124,通過(guò)施加來(lái)自 等離子體施加器120的RF功率由處理氣體形成等離子體122, W及蝕刻存在于基板134上的 材料的層。
[0025] 基板支撐組件126總體上至少包括基板支撐件。在圖1的實(shí)施例中，基板支撐件為 ESC并且在下文中描述為像素化ESC132?；逯谓M件126可附加地包括加熱器組件170。基 板支撐組件126也可包括冷卻基座130?；蛘?，冷卻基座可與基板支撐組件126分離?；逯?撐組件126可W可移除地禪接至支撐臺(tái)125。支撐臺(tái)125安裝至腔室主體102并且可包括臺(tái)基 座128。支撐臺(tái)125可任選地包括設(shè)施盤180。可周期性地將基板支撐組件126從支撐臺(tái)125移 除W允許對(duì)基板支撐組件126的一個(gè)或多個(gè)部件進(jìn)行整修。
[0026] 設(shè)施盤180配置成容納多個(gè)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)配置成升高和降低多個(gè)升舉 銷。此外，設(shè)施盤180還配置成容納來(lái)自像素化ESC132和冷卻基座130的多個(gè)流體連接。設(shè)施 盤180還配置成容納來(lái)自像素化ESC132和加熱器組件170的多個(gè)電連接。許多連接可在基板 支撐組件126外部或內(nèi)部運(yùn)行，而設(shè)施盤180為運(yùn)些連接提供至相應(yīng)終點(diǎn)的接口。
[0027] 溫度受控的冷卻基座130禪接至熱傳遞流體源144。熱傳遞流體源144提供諸如液 體、氣體或其組合的熱傳遞流體，該熱傳遞流體循環(huán)通過(guò)安置于冷卻基座130中的一個(gè)或多 個(gè)導(dǎo)管160。流經(jīng)相鄰導(dǎo)管160的流體可被隔離W允許對(duì)在像素化ESC132與冷卻基座130的 不同區(qū)域之間的熱傳遞進(jìn)行局部控制，運(yùn)輔助控制基板134的側(cè)向溫度分布。
[0028] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，流體分配器可流體地禪接在熱傳遞流體源144的出口與 溫度受控的冷卻基座130之間。流體分配器操作W控制經(jīng)提供至導(dǎo)管160的熱傳遞流體的 量。流體分配器可安置在處理腔室100的外部、基板支撐組件126內(nèi)、臺(tái)基座128內(nèi)或其他適 合的位置。
[00巧]加熱器組件170可包括嵌入在主體152中的一個(gè)或多個(gè)主電阻式加熱器154和任選 的多個(gè)二級(jí)加熱器(未示出）。主電阻式加熱器154可被提供W將基板支撐組件126的溫度升 高至用于執(zhí)行腔室工藝的溫度。二級(jí)加熱器（當(dāng)存在時(shí)）可對(duì)由主電阻式加熱器154產(chǎn)生的 像素化ESC132的溫度分布提供幾攝氏度的局部化調(diào)整。由此，主電阻式加熱器154在全局化 的大尺度上操作，而二級(jí)加熱器則在局部化的小尺度上操作。主電阻式加熱器154經(jīng)由RF濾 波器184禪接至主加熱器功率源156。功率源156可向主電阻式加熱器154提供500瓦特或更 高的功率?？刂破?48可控制主加熱器功率源156的操作，該主加熱器功率源156的操作一般 被設(shè)定為加熱基板134。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，主電阻式加熱器154包括多個(gè)側(cè)向分開(kāi)的 加熱區(qū)，其中控制器148使主電阻式加熱器154的一個(gè)區(qū)能夠相對(duì)于位于其他區(qū)中一個(gè)或多 個(gè)區(qū)中的主電阻式加熱器154優(yōu)先被加熱。例如，主電阻式加熱器154可同屯、地布置在多個(gè) 分開(kāi)的加熱區(qū)中W實(shí)現(xiàn)邊緣至中屯、溫度控制。
[0030] 或者，一個(gè)或多個(gè)主電阻式加熱器154和/或二級(jí)加熱器可形成在像素化ESC132 中。在主電阻式加熱器154和二級(jí)加熱器都形成在像素化ESC132中的那些實(shí)施例中，基板支 撐組件126可被形成為不具有加熱器組件170并且像素化ESC132可直接安置于冷卻基座130 上。
[0031] 處理腔室100中的基板134的表面的溫度可受到由累對(duì)工藝氣體的抽空、狹縫閥 n、等離子體122W及其他因素的影響。冷卻基座130、一個(gè)或多個(gè)主電阻式加熱器154W及 二級(jí)加熱器全都有助于控制基板134的表面溫度。
[0032] 像素化ESC132具有安裝表面131和與安裝表面131相對(duì)的工件表面133。像素化 ESC132的工件表面133可包括氣道(未示出）W用于將背側(cè)熱傳遞氣體提供至限定在基板 134與像素化ESC132的工件表面133之間的間隙空間。像素化ESC132還可包括升舉銷孔W用 于容納升舉銷(兩者都未示出），所述升舉銷用于將基板134升高至像素化ESC132的工件表 面133上方W便于W機(jī)器人方式移送進(jìn)和移送出處理腔室100。
[0033] 像素化ESC132-般包括電介質(zhì)體150,該電介質(zhì)體150中嵌入有一個(gè)或多個(gè)夾緊電 極136。電介質(zhì)體150中還可嵌入有一個(gè)或多個(gè)像素電極140。像素電極140可與夾緊電極136 共面。像素電極140可與夾緊電極136散布，例如像素電極140可W W柵格或極性陣列的方式 布置(該柵格或極性陣列散布在形成于單個(gè)夾緊電極136中的孔徑內(nèi)），或可在多個(gè)夾緊電 極136之間散布。
[0034] 使用MEMS技術(shù)可直接將像素電極140和夾緊電極136集成到圓盤228中。每一個(gè)像 素電極140可通過(guò)夾緊電極136而與相鄰像素電極140隔開(kāi)。像素電極140和夾緊電極136可 通過(guò)電鍛、噴墨打印、絲網(wǎng)印刷、物理氣相沉積、沖壓、金屬絲網(wǎng)或其他適合的方式形成。
[0035] 往回參見(jiàn)電介質(zhì)體150,電介質(zhì)體150可具有配置成在直徑上與基板相同或略大于 基板的平盤形式?；蛘撸娊橘|(zhì)體150可具有其他形式，諸如，矩形、正方形或其他平面形式。 電介質(zhì)體150可由陶瓷材料(諸如，AlN或Al2〇3)制成。當(dāng)由陶瓷材料制成時(shí)，電介質(zhì)體150可 被稱作圓盤(在圖2中示為圓盤228)。或者，電介質(zhì)體150可由聚合物制成，諸如聚酷亞胺、聚 酸酸酬、聚芳酸酬，等等。當(dāng)由聚合物制成時(shí)，電介質(zhì)體150可被稱作彎曲疊層。
[0036] 像素化ESC132的主體150可由兩層個(gè)或更多個(gè)層形成，運(yùn)些層在壓力下經(jīng)加熱W 形成單塊主體150。例如，主體152可由聚酷亞胺層形成，并且像素電極140和夾緊電極136在 運(yùn)些聚酷亞胺層之上或之間。在一些實(shí)施例中，主電阻式加熱器154也可形成在聚酷亞胺層 之上或之間?；蛘撸袼鼗疎SC132可由陶瓷材料形成。像素化ESC132可經(jīng)燒結(jié)并且可包含嵌 入其中的一個(gè)或多個(gè)夾緊電極136和像素電極140。
[0037] 夾緊電極136可配置為雙極性電極，或其他適合的布置。夾緊電極136經(jīng)由RF濾波 器182禪接至夾緊功率源138,該夾緊功率源138提供RF或DC電功率W將基板134靜電地固定 至像素化ESC132的上表面。RF濾波器182防止用于在處理腔室100內(nèi)形成等離子體122的RF 功率損害電氣設(shè)備或在腔室外部造成電氣危害。在一個(gè)實(shí)施例中，夾緊功率源138向一個(gè)或 多個(gè)夾緊電極136提供高電壓。
[0038] 多個(gè)像素電極140可安置在像素化ESC132中并且緊鄰?qiáng)A緊電極136。像素電極140 經(jīng)由電引線146、經(jīng)過(guò)像素電容器（圖4和圖5中示出）禪接至地面142。像素電容器可配置成 具有固定的或可變的電容，其中每一個(gè)像素電容器的值被選擇成獨(dú)立地且局部地控制跨像 素化ESC132的許多離散區(qū)域的RF禪接，W使得能夠?qū)迮cESC132之間的功率禪接進(jìn)行局 部調(diào)諧、側(cè)向調(diào)諧和/或方位角調(diào)諧，進(jìn)而能夠在蝕刻處理腔室100中調(diào)諧局部、側(cè)向和/或 方位角工藝結(jié)果。
[0039] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，像素電容器可W是可變電容器，該可變電容器的電容能 W機(jī)械方式或電子方式改變。像素控制器210可用于控制像素電容器的電容。像素電容器的 電容的改變可用于通過(guò)一個(gè)或多個(gè)像素電極140來(lái)影響夾緊電極136通過(guò)基板134而至地面 142之間的功率的禪接的親和性(曰''111^7)，由此將基板134靜電地夾緊至像素化65(：132。
[0040] 像素電容器與電阻器、電感器及憶阻器(memristor)都屬于用于電子設(shè)備中的"被 動(dòng)部件"群組，運(yùn)些被動(dòng)部件用于傳輸夾持功率，同時(shí)允許對(duì)處理結(jié)果進(jìn)行可調(diào)諧控制。像 素電容器可具有固定電容值，和/或具有可變電容器，所述可變電容器具有可變(修整器 (trimmer))或可調(diào)整的（可調(diào)諧的）電容值。像素電容器可W是電容可由像素控制器210控 制的數(shù)字調(diào)諧電容器，諸如集成電路（IC)可變電容器。像素電容器的電容值可被配置成調(diào) 諧RF信號(hào)W控制蝕刻處理腔室100中的蝕刻速率。
[0041] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，像素電容器可被制造為固態(tài)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（field- effect transisto;r;FET)開(kāi)關(guān)。像素電容器可W是微型機(jī)電系統(tǒng) (microelectromechanical system;MEMS)、基于鐵酉《鎖領(lǐng)（barium strontium titanate ； BST)的器件、基于絕緣體上娃（si I icon-on-insulator ; SOI)的器件/基于藍(lán)寶石上娃 (silicon-on-sap地ire; SOS)的器件、基于鐵電體的器件，或其他適合的器件技術(shù)。MEMS器 件是高度線性的，因此適合于天線孔徑調(diào)諧、動(dòng)態(tài)阻抗匹配、功率放大器負(fù)載匹配，W及可 調(diào)濾波器。BST器件通過(guò)向該等器件施加高壓來(lái)改變電容。調(diào)諧準(zhǔn)確度僅受限于產(chǎn)生高壓的 D-A(直流-交流)轉(zhuǎn)換器電路的準(zhǔn)確度。在需求嚴(yán)格的應(yīng)用中，BST器件具有在變化的溫度上 的優(yōu)良穩(wěn)定性和線性。S0I/S0S調(diào)諧器件使用W二進(jìn)制加權(quán)值布置的金屬-絕緣體-金屬 (metal-insulator-metal ;MIM)覆層W獲取不同電容值。S0I/S0S開(kāi)關(guān)具有高度線性并且十 分適合于不存在高電壓的低功率應(yīng)用。高電壓耐受性要求串聯(lián)的多個(gè)FET器件，運(yùn)增加串聯(lián) 電阻并且降低質(zhì)量因子。在一個(gè)實(shí)施例中，像素電極140是數(shù)字調(diào)諧的可變MEMS器件。
[0042] 基于等離子體的工藝可能對(duì)ESC的小局部RF(RF)禪接變化非常敏感。像素化 ESC132允許控制表面電容，W便對(duì)跨基板134的側(cè)向剖面的離散位置處的蝕刻速率提供埃 (A)水平CD控制。
[0043] 圖2是示出基板支撐組件126的多個(gè)部分的部分橫剖面示意圖。圖2中包括像素化 ESC132、加熱器組件170、冷卻基座130W及設(shè)施盤180的部分。
[0044] 加熱器組件170可W是任選的并且具有絕緣區(qū)域264。絕緣區(qū)域264可保護(hù)加熱器 組件170不接觸電引線146,所述電引線146通過(guò)像素電容器和像素控制器210而將像素電極 140連接至地面142。在主電阻式加熱器154位于像素化ESC132中的實(shí)施例中，基板支撐組件 126中可不存在加熱器組件170。
[0045] 可利用結(jié)合劑244將加熱器組件170可禪接至像素化ESC132的安裝表面131。結(jié)合 劑244可W是粘合劑，諸如，丙締酸基粘合劑、環(huán)氧樹(shù)脂、娃基粘合劑、基于氯下橡膠的粘合 劑，或其他適合的粘合劑。在一個(gè)實(shí)施例中，結(jié)合劑244是環(huán)氧樹(shù)脂。結(jié)合劑244可具有選自 從0 . Ol至200W/mK的范圍中的熱傳導(dǎo)系數(shù)，且在一個(gè)示例性實(shí)施例中，具有選自從0.1至 lOW/mK的范圍中的熱傳導(dǎo)系數(shù)。包括結(jié)合劑244的粘合劑材料可附加地包括至少一種熱傳 導(dǎo)陶瓷填充物，例如氧化侶(Ab化）、氮化侶(AlN)，及二棚化鐵(TiBs)，等等。當(dāng)整修像素化 ESC132或加熱器組件170時(shí)，可去除結(jié)合劑244。在其他實(shí)施例中，像素化ESC132利用緊固件 或夾具(未示出）可移除地禪接至加熱器組件170。
[0046] 像素化ESC132的主體150-般可W是平面形式的圓柱形，但還能W其他幾何形狀 來(lái)形成。主體150可W是陶瓷并且可燒結(jié)至圖2中示出的圓盤228內(nèi)。圓盤228具有工件表面 133W在其上支撐基板134。此外，主體150可包括面對(duì)加熱器組件170的安裝表面131。
[0047] 圓盤228的安置在電極136、140與基板134的頂表面之間的部分形成電介質(zhì)226,該 電介質(zhì)226用于將功率容性地禪接至基板134。由電介質(zhì)226的較厚深度或圓盤228的較平的 地形而導(dǎo)致的禪接至基板134的較多功率可能降低蝕刻速率，反之亦然。由于甚至低至0.25 °C的溫度均勻性也不足W維持良好的側(cè)向蝕刻均勻性，功率至基板134的禪接在形成小于 10納米的半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)時(shí)具有十分重要的作用。由此，已發(fā)現(xiàn)在側(cè)向地跨像素化ESC 132 的離散位置處對(duì)基板134與像素化ESC 132之間的功率禪接的獨(dú)立控制允許在像素化 ESC132中與像素電極140 W及該像素電極140周圍的夾緊電極136中的一個(gè)相關(guān)聯(lián)的每一個(gè) 位置處獨(dú)立地控制蝕刻速率。
[0048] 取決于ESC設(shè)計(jì)和所用的材料，常規(guī)ESC在基板與夾緊電極之間的離散位置處可具 有不同的電容。例如，完全平坦的晶片與完全平坦的常規(guī)ESC之間的電容可W是約22化F?？?慮到圓盤表面平坦度和粗糖度W及其他因素(諸如，電介質(zhì)深度、夾緊電極與ESC表面的距 離和圓盤的材料，W及其他因素）中的變化，ESCESC的一個(gè)區(qū)域中電容相比其他區(qū)域可能高 得多。例如，一些常規(guī)ESC跨基板支撐表面可具有約數(shù)千皮(Pico)法拉第的電容變化。
[0049] 本文所述的像素化ESC132的實(shí)施例允許通過(guò)將跨像素化ESC132的基板支撐表面 的局部電容變化控制為低于10%而允許將蝕刻速率均勻性控制在約5 A之內(nèi)。例如，跨像 素化ESC132的基板支撐表面的局部電容變化可被控制在約20pF至約數(shù)百皮法拉第之間。
[0050] 在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可通過(guò)充分地縮緊電介質(zhì)226的深度容限來(lái)控制跨像素 化ESC 132的基板支撐表面的局部電容變化W便獲得小于10%的電容變化。例如，如果另外 的5%與滲雜變化有關(guān)，則可將電介質(zhì)226的深度容限縮緊至小于約5%，從而獲得小于10% 的電容變化。
[0051] 附加于或替代于除縮緊電介質(zhì)226的深度容限可通過(guò)充分改進(jìn)圓盤228的表面的 平坦度和地形均勻性來(lái)控制跨像素畫(huà)ESC 132的基板支撐表面的局部電容變化。例如，圓盤 228的平坦度的容限可小于約10皿。附加于或替代于改進(jìn)圓盤228的平坦度，圓盤228的表面 粗糖度變化可小于約1 Owii。
[0052] 附加于或替代于改進(jìn)電介質(zhì)226和圓盤228的物理屬性（即深度容限、平坦度、粗糖 度，等等）中的一者或更多者，可通過(guò)為禪接至各個(gè)像素電極140的每一個(gè)像素電容器選擇 適當(dāng)?shù)碾娙輥?lái)控制跨像素化ESC132的基板支撐表面的局部電容變化。通過(guò)為禪接至各個(gè)像 素電極140的每一個(gè)像素電容器選擇適當(dāng)?shù)碾娙?，可補(bǔ)償電介質(zhì)226和圓盤228的物理屬性 的變化或處理環(huán)境中的變化W獲得期望的處理結(jié)果，諸如將蝕刻速率均勻性維持在約受A 內(nèi)。
[0053] 像素控制器210可用于為禪接至各個(gè)像素電極140的每一個(gè)像素電容器選擇適當(dāng) 的電容。例如，像素控制器210可利用由像素控制器210產(chǎn)生的控制信號(hào)來(lái)控制每一個(gè)像素 電容器的電容。
[0054] 使用可獨(dú)立控制的像素電容器來(lái)平滑化或校正像素化ESC132的功率禪接分布能 夠?qū)⒖缁?34的局部RF均勻性控制到非常小的容限。跨基板134的局部RF均勻性使得在處 理基板134時(shí)允許精確處理和CD控制。此外，像素電極140的小尺寸和高密度使得能夠在基 板上不影響像素化ESC 132的相鄰區(qū)域的功率禪接的情況下，允許通過(guò)基板134而在單個(gè)像 素電極140與相鄰?qiáng)A緊電極136之間進(jìn)行的功率禪接進(jìn)行離散的局部控制，ESC禪接由此允 許對(duì)功率禪接的局部控制。具有多個(gè)像素電極140的基板支撐組件126已經(jīng)被證實(shí)具有如下 能力：將在該基板支撐組件126上處理的基板134的電容均勻性控制到小于約10%，從而控 制蝕刻均勻性的工藝偏差向下控制到約5 A。
[0055] 圖3是沿圖2中的剖面線A-A截取的像素化ESCl 32的部分橫剖面頂視平面圖。ESC像 素電極140和夾緊電極136在像素化ESC 132中的布局借助示例而提供并且W可選的方式排 列。沿圖2中穿過(guò)像素化ESC132的剖面線A-A的平面來(lái)安置像素電極140。示出的像素電極 140和夾緊電極136的數(shù)量?jī)H為了說(shuō)明并且任何數(shù)量的實(shí)施例可具有大幅地更多（或更少） 的像素電極140和夾緊電極136。此外，夾緊電極136可W是獨(dú)立可偏置區(qū)段的形式，可作為 多個(gè)共同偏置的區(qū)段，或其他配置?？缦袼鼗疎SC132的工件支撐表面的局部電容可由像素 電容器來(lái)控制W提供蝕刻速率的埃(A)水平控制。
[0化6]
[0057] 諸如圖2中示出的像素控制器210的像素控制器可控制每一個(gè)像素電容器。在一個(gè) 實(shí)施例中，像素電容器和用于將像素電容器禪接至選定像素電極140的開(kāi)關(guān)安置于像素控 制器210中。像素控制器210可將單個(gè)像素電極140禪接至電容器，該電容器具有與相鄰像素 電極140相同或不同的電容。在其他實(shí)施例中，像素控制器210可將一組相鄰像素電極140禪 接至具有相同電容的電容器(該電容可與相鄰組的像素電極140的電容相同或不同），由此 限定可獨(dú)立于其他區(qū)而受控的像素化ESC132中的一部分或一區(qū)。像素控制器210可禪接多 個(gè)像素電極140,運(yùn)些像素電極140經(jīng)群組化W限定內(nèi)模、周邊群組、餅狀區(qū)域，或其他期望 的幾何形狀配置，包括不郵鄰的配置。由此，通過(guò)控制每一個(gè)像素電極140的局部電容，可在 沿像素化ESC132的表面的獨(dú)立位置處精確地控制RF禪接，運(yùn)使得能夠更精確地控制基板處 理結(jié)果。盡管針對(duì)像素電極140示出的圖案布置為小單元的柵格，但該圖案可替代地具有更 大和/或更小的單元，延伸至邊緣，或處于其他布置。
[0058] 像素電極140的數(shù)量可基板上等于夾緊電極136的數(shù)量?；蛘撸袼仉姌O140的數(shù)量 可大幅超過(guò)或小于夾緊電極136的數(shù)量。跨基板支撐組件126而定位的像素電極140的數(shù)量 可容易地超過(guò)數(shù)百個(gè)。在一個(gè)實(shí)施例中，對(duì)于每一個(gè)夾緊電極136,存在對(duì)應(yīng)的像素電極 140。在替代實(shí)施例中，對(duì)于一個(gè)或多個(gè)夾緊電極，存在對(duì)應(yīng)的像素電極140的群組。
[0059] 能W高效地生成基板與地面之間期望的RF禪接分布的圖案來(lái)配置像素電極140。 該圖案可W是圍繞中點(diǎn)而對(duì)稱的柵格(如圖所示)或其他適合的圖案，所述其他適合的圖案 在孔中且圍繞孔為升舉銷或其他機(jī)械連接、流體連接或電連接和端口（未示出）提供空隙。
[0060] 圖4是沿圖3的B-B剖面線截取的像素化ESC132的橫剖面視圖。圖4示出禪接至像素 化ESC 132中的像素電極140的電容器的簡(jiǎn)化示例性布線示意圖ESC。圖4中的像素化ESC132 示出在其中形成的像素電極140和夾緊電極136。像素電極140禪接至例如駐留在電容器組 410中的一個(gè)或多個(gè)電容器440。電容器組410可安置在像素控制器210中或其他適合的位 置。電容器440可具有固定的或可變的電容。在電容是可變的實(shí)施例中，可響應(yīng)于來(lái)自像素 控制器210的信號(hào)來(lái)選擇電容器440的電容。
[0061] 像素控制器210可具有控制器412W用于斷開(kāi)和/或閉合各電路，運(yùn)些電路經(jīng)由電 引線141而選擇性地將電容器440禪接至相應(yīng)的像素電極140。當(dāng)像素控制器210的電路處于 閉合位置時(shí)，像素電極140經(jīng)由電容器440中的至少一個(gè)禪接至地面142。在一個(gè)實(shí)施例中， 控制器412可經(jīng)由電引線141F將像素電極140F和電容器440F連接至地面142,而其他電容器 440中的一個(gè)或多個(gè)則相對(duì)于地面142是浮動(dòng)的（因?yàn)槟切╇娐诽幱跀嚅_(kāi)狀態(tài)）。在此配置 中，像素化ESC132中位于像素電極140F局部的區(qū)域可比例如像素化ESC132中位于電極140G 具有的區(qū)域具有更強(qiáng)的RF禪接。控制器412可控制像素電極140F和電容器440F接至地面142 或相對(duì)于地面處于浮動(dòng)狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間或占空比?？刂破?12可附加地相對(duì)于像素電極 140F或其他像素電極140控制其他像素電極140和電容器440接至地面142或相對(duì)于地面處 于浮動(dòng)狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間或占空比。W此方式，可隨著時(shí)間的推移來(lái)控制跨像素化ESC132的 基板支撐表面的每一個(gè)位置處的相對(duì)電容，由此允許對(duì)局部RF禪接進(jìn)行控制，并且因此能 夠按需定制局部處理結(jié)果。
[0062] 在另一實(shí)施例中，附加于或替代于控制像素電極140與地面之間的相對(duì)連接的占 空比和持續(xù)時(shí)間，控制器412也可程序化地改變每一個(gè)電容器440的電容，W使得可控制跨 像素化ESC132的基板支撐表面的每一個(gè)位置處的相對(duì)電容。像素電極140的數(shù)量和密度有 助于將跨基板134的RF禪接的均勻性控制至非常小的容限的能力。由此，相對(duì)與另一個(gè)像素 電極140在每一個(gè)像素電極140與地面之間的電容的單獨(dú)控制允許對(duì)在基板134與像素化 ESC132之間的特定位置處對(duì)RF禪接的局部和側(cè)向控制，運(yùn)進(jìn)而允許在處理基板134時(shí)的精 確的工藝和CD控制。
[0063] 圖5示出用于將像素電極140禪接至地面142的針對(duì)可變電容器500的部分布線示 意圖的一個(gè)實(shí)施例，?？勺冸娙萜?00可例如通過(guò)替換圖4中示出的電容器440而用于像素電 極140中任一個(gè)與地面142之間的上述像素控制器210中?？勺冸娙萜?00可包括可變電容器 505和固定電容器570的混合，運(yùn)兩個(gè)電容器經(jīng)由去禪電阻器506禪接至薄膜晶體管（TFT) 508?？勺冸娙萜?00-般用作電壓受控的可變電容器(變?nèi)萜?varactor))，并且可將MEMS 控制元件用作可變電容器505?？勺冸娙萜?00包括分支510、520、530、540、550、560，運(yùn)些分 支各自包括至少一個(gè)可變電容器505和至少一個(gè)固定電容器570。
[0064] 當(dāng)可變電容器505配置為MEMS控制元件時(shí)，可變電容器505為二進(jìn)制(開(kāi)/關(guān))受控 的，即可切換的?？勺冸娙萜?05可向可變電容器500提供約化F至約3.4pF之間的電容。每一 個(gè)固定電容器570可向可變電容器500提供約0.5pF至約74pF之間的總電容。此外，安置在 TFT 508與電容器505、570之間的去禪電阻器506可單獨(dú)提供約5歐姆的電阻。
[00化]沿包括可變電容器500的一個(gè)或多個(gè)分支510、520、530、540、550、560，能^可選擇 的二進(jìn)制加權(quán)電容來(lái)配置可變電容器500的電容。TFT 508可用于選擇分支510、520、530、 540、550、560中的哪一個(gè)或哪些為浮動(dòng)的，W及分支510、520、530、540、550、560中的哪一個(gè) 或哪些將像素電極140禪接至地面142。
[0066] 每一個(gè)分支510、520、530、540、550、560的總電容是兩組電容器(即可變電容器505 與固定電容器570)的組合。每一個(gè)分支510、520、530、540、550、560可具有相同范圍的電容 或不同的電容。例如，分支560可配置最大總電容，分支550配置第二大總電容，W此類推，分 支510具有最小總電容。分支560可由六個(gè)可切換的可變電容器505構(gòu)成，每一個(gè)可切換的可 變電容器具有設(shè)定為約3.4pF的電容(總電容為約20.4pF)，且每一個(gè)可切換的可變電容器 與固定電容器576并聯(lián)布置，該固定電容器576具有約74pF的電容。運(yùn)對(duì)于分支560產(chǎn)生16pF 的總電容。分支550、540、530、520、510^類似方式建構(gòu)并且可分別具有89。、49。、29。、1口尸和 〇.5pF的總電容。具有小于3.4pF的總電容的分支530、520、510可使用與單個(gè)固定電容器570 并聯(lián)或串聯(lián)的單個(gè)MEMS可變電容器505。固定電容器570可配置成將分支530、520、510的總 電容降低至期望值。例如，最小分支510可具有與大約0.6pF的固定電容器570并聯(lián)的單個(gè)可 變電容器505。由此，當(dāng)可變電容器505被激勵(lì)（即接通)時(shí)，最小分支510可具有0.5pF的有效 電容。因此，通過(guò)選擇性地接通/關(guān)閉多個(gè)分支510、520、530、540、550、560中的可變電容器 505，可獲得約0.5pF至約31.5pF之間的總電容。
[0067] 或者，固定電容器576可與諸如MEMS可變電容器505的RF MEMS電容器單元串聯(lián)。一 個(gè)或多個(gè)直列式電容器可與像素電極140串聯(lián)連接。在該種配置中，與電容器576、505并聯(lián) 置放的配置中的電壓相比，電容器576、505可經(jīng)受更高的電壓。由此，諸如MEMS可變電容器 505的RFMEMS電容器單元的串聯(lián)配置可配置成用于處理高電壓。
[0068] 圖6是用于利用像素化靜電夾盤(諸如上述像素化靜電夾盤等等)處理基板的方法 600的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。方法600通過(guò)向形成于像素化靜電夾盤中的主電極施加功率而 開(kāi)始于框602。主電極可W是單個(gè)電極，或分段到多個(gè)區(qū)中。主電極在像素化ESC中的區(qū)可W 是可獨(dú)立控制的。
[0069] 在框604處，選擇性地將側(cè)向分布在像素化ESC內(nèi)的多個(gè)像素電極中的一個(gè)或多個(gè) 禪接至地面，從而有效地將該基板夾緊至ESC的表面。可相對(duì)于安置在像素畫(huà)靜電夾盤內(nèi)的 其他像素電極來(lái)控制對(duì)每一個(gè)像素電極與地面的禪接的持續(xù)時(shí)間和/或占空比，從而控制 對(duì)安置在ESC上的基板的RF禪接。在一些實(shí)施例中，可跨像素化ESC順序掃描每一個(gè)像素電 極至地面的禪接。在其他實(shí)施例中，任選地附加于每一個(gè)像素電極至地面的禪接的持續(xù)時(shí) 間和/或占空比可相對(duì)于安置在像素化靜電夾盤內(nèi)的其他像素電極的接地路徑可控地選擇 單個(gè)像素電極至地面之間的電容。通過(guò)定制像素電極與地面之間的局部電容，可實(shí)現(xiàn)對(duì)跨 基板的處理結(jié)果的局部調(diào)諧、側(cè)向調(diào)諧，和/或方位角調(diào)諧。
[0070] 在框606處，可在像素化ESC上處理基板。例如，可在真空腔室中（例如使用等離子 體工藝)來(lái)處理基板。真空工藝(任選地可在等離子體存在于處理腔室的情況下執(zhí)行的真空 工藝)可W是蝕刻、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、離子注入、等離子體處理、退火、氧化物去 除、減排(abatement)或其他等離子體工藝之一。構(gòu)想在用于其他應(yīng)用的其他環(huán)境(例如在 大氣條件下），可在像素化靜電夾盤的RF受控的表面上處理工件。在一個(gè)實(shí)施例中，像素化 靜電夾盤上的基板經(jīng)蝕刻W形成亞10納米(sub 1 Onm)的半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)。
[0071] 任選地，在框606處中，可響應(yīng)于工藝條件的變化或工藝配方的變化而改變?cè)谙袼?化靜電夾盤內(nèi)側(cè)向分布的多個(gè)像素電極中的一個(gè)或多個(gè)與地面之間的禪接。例如，可響應(yīng) 于工藝條件的變化或工藝配方的變化，利用來(lái)自像素控制器210的命令來(lái)改變像素電極中 的一個(gè)或多個(gè)與地面之間的電容。在另一個(gè)示例中，可響應(yīng)于工藝條件的變化或工藝配方 的變化而利用來(lái)自像素控制器210的命令在浮動(dòng)與接地之間切換像素電極中的一個(gè)或多 個(gè)。
[0072] 盡管前述內(nèi)容針對(duì)本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式，但可設(shè)計(jì)本發(fā)明的其他和進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)方式 而不背離本發(fā)明的基本范圍，且本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書(shū)來(lái)確定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種像素化靜電夾盤(ESC)，所述ESC包括： 電介質(zhì)體，具有工件支撐表面，所述工件支撐表面配置成在其上接受基板； 一個(gè)或多個(gè)夾緊電極，安置在所述像素化ESC中；以及 多個(gè)像素電極，所述多個(gè)像素電極可在浮動(dòng)狀態(tài)與接地狀態(tài)之間切換，所述多個(gè)像素 電極具有對(duì)地的可變電容，或者既可在浮動(dòng)狀態(tài)與接地狀態(tài)之間切換，又具有對(duì)地的可變 電容;所述多個(gè)像素電極和夾緊電極形成一電路，所述電路可操作以將所述基板靜電地夾 緊至所述工件支撐表面。2. 如權(quán)利要求1所述的像素化ESC，進(jìn)一步包括： 電容器組，耦接在所述多個(gè)像素電極與地面之間。3. 如權(quán)利要求1所述的像素化ESC，其中所述電容器中的至少一個(gè)是MEMS電容器。4. 如權(quán)利要求1所述的像素化ESC，其中夾緊電極布置在柵格中。5. 如權(quán)利要求1所述的像素化ESC，其中所述電容器集成到所述主體中。6. 如權(quán)利要求1所述的像素化ESC，其中所述像素電容器是RF可變電容器。7. 如權(quán)利要求1所述的像素化ESC，其中所述電容器跨所述主體具有小于約10 %的電容 均勻性。8. 如權(quán)利要求1所述的像素化ESC，其中所述像素電極中的至少一個(gè)與地面之間的電容 為約20pF。9. 一種處理腔室，包括： 腔室主體； 像素化靜電夾盤(ESC)，安置在所述腔室主體中，所述像素化ESC包括： 電介質(zhì)體，具有工件支撐表面，所述工件支撐表面配置成在所述工件支撐表面上接受 基板； 一個(gè)或多個(gè)夾緊電極，安置在所述像素化ESC中；以及 多個(gè)像素電極，所述多個(gè)像素電極可在浮動(dòng)狀態(tài)與接地狀態(tài)之間切換，具有對(duì)地的可 變電容，或者既可在浮動(dòng)狀態(tài)與接地狀態(tài)之間切換，又具有對(duì)地的可變電容;所述像素電極 和夾緊電極形成一電路，所述電路可操作以將所述基板靜電地夾緊至所述工件支撐表面。10. 如權(quán)利要求9所述的處理腔室，進(jìn)一步包括： 電容器組，耦接在所述像素電極與地面之間。11. 如權(quán)利要求9所述的處理腔室，其中所述電容器中的至少一個(gè)是MEMS電容器。12. 如權(quán)利要求9所述的處理腔室，其中所述像素電容器是RF可變電容器。13. -種用于處理基板的方法，包括以下步驟： 向形成于像素化靜電夾盤中的主夾緊電極施加功率； 將側(cè)向分布在所述像素化靜電夾盤內(nèi)的多個(gè)像素電極中的一或更多一個(gè)或多個(gè)選擇 性地耦接到地面，以將基板固定至所述像素化靜電夾盤;以及 在所述像素化靜電夾盤上處理所述基板。14. 如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟： 相對(duì)于安置在所述像素化靜電夾盤內(nèi)的其他像素電極來(lái)控制每一個(gè)像素電極至地面 的耦接的持續(xù)時(shí)間和占空比中的至少一個(gè)。15. 如權(quán)利要求13所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟： 相對(duì)于安置在所述像素化靜電夾盤內(nèi)的其他像素電極來(lái)控制至少一個(gè)像素電極與地 面之間的電容。
【文檔編號(hào)】B23Q3/15GK105981156SQ201580007797
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2015年2月9日
【發(fā)明人】R·薩德賈迪, W·G·小博伊德, V·D·帕科, M·M·諾基諾夫
【申請(qǐng)人】應(yīng)用材料公司