半導體制造裝置及半導體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導體制造裝置以及半導體裝置的制造方法。本發(fā)明的實施方式是當在將多個半導體零件隔著接著層貼附在擴張片上的狀態(tài)下拉伸擴張片而將接著層分割時，抑制未分割區(qū)域的產(chǎn)生。實施方式的半導體制造裝置包括：第二環(huán)，對于具備第一環(huán)、被所述第一環(huán)固定的擴張片及隔著接著層貼附在所述擴張片上并且相互被分割的多個半導體零件的被處理體，壓接所述擴張片；第三環(huán)，壓制所述第一環(huán)；以及驅(qū)動機構(gòu)，使所述被處理體及所述第二環(huán)中的至少一個升降，以使所述第一環(huán)與所述第二環(huán)之間產(chǎn)生高低差而拉伸所述擴張片；并且所述第二環(huán)的外周或所述第三環(huán)的內(nèi)周具有如下形狀：與第一方向正交的第二方向的寬度比所述第一方向的寬度小。
【專利說明】
半導體制造裝置及半導體裝置的制造方法
[0001] [相關(guān)申請案]
[0002] 本申請案享受以日本專利申請案2014-188530號（申請日：2014年9月17日）為 基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 實施方式的發(fā)明涉及一種半導體制造裝置以及半導體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 已知如下方法：在半導體封裝體的制造步驟中，在將通過切割而分割的半導體芯 片等多個半導體零件隔著接著層貼附在擴張片上的狀態(tài)下，拉伸擴張片而對應(yīng)于半導體零 件將接著層分割。通過將接著層分割，可與例如經(jīng)分割的接著層一起拾取半導體零件，從而 直接貼附到另一襯底等。
[0005] 在通過拉伸擴張片而將接著層分割的情況下，有容易在接著層的一部分產(chǎn)生未分 割區(qū)域等問題。如果在接著層產(chǎn)生未分割區(qū)域，則在例如拾取步驟中接著層容易從半導體 零件剝離。為了抑制接著層產(chǎn)生未分割區(qū)域，例如考慮加強擴張片的拉伸力的方法。然而， 如果對擴張片的拉伸力過強，則容易引起半導體零件破裂或剝離等。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的實施方式是當在將多個半導體零件隔著接著層貼附在擴張片上的狀態(tài) 下通過拉伸擴張片而將接著層分割時，抑制產(chǎn)生未分割區(qū)域。
[0007] 實施方式的半導體制造裝置包括：第二環(huán)，對于具備第一環(huán)、被所述第一環(huán)固定的 擴張片及隔著接著層貼附在所述擴張片上并且相互被分割的多個半導體零件的被處理體， 壓接所述擴張片；第三環(huán)，壓制所述第一環(huán)；以及驅(qū)動機構(gòu)，使所述被處理體及所述第二環(huán) 中的至少一個升降，以使所述第一環(huán)與所述第二環(huán)之間產(chǎn)生高低差而拉伸所述擴張片；并 且所述第二環(huán)的外周或所述第三環(huán)的內(nèi)周具有如下形狀：與第一方向正交的第二方向的寬 度比所述第一方向的寬度小。
【附圖說明】
[0008] 圖1是用以說明接著層的分割方法例的圖。
[0009] 圖2是用以說明接著層的分割方法例的圖。
[0010] 圖3(A)~（C)是表示拉伸試驗結(jié)果的圖。
[0011] 圖4(A)及（B)是拉伸擴張片時的平面方向的被處理體的一部分的放大圖。
[0012] 圖5(A)及（B)是用以說明拉伸時的擴張片的拉伸量的計算例的圖。
[0013] 圖6是表示半導體裝置的制造方法例的流程圖。
[0014] 圖7⑷及⑶是表示擴張環(huán)的構(gòu)造例的圖。
[0015] 圖8是用以說明半導體裝置的制造方法例的圖。
[0016] 圖9是用以說明半導體裝置的制造方法例的圖。
【具體實施方式】
[0017] 以下，參照附圖對實施方式進行說明。另外，附圖為示意性圖，存在例如厚度與平 面尺寸的關(guān)系、各層的厚度的比率等與實物不同的情況。而且，在實施方式中，對實質(zhì)上相 同的構(gòu)成要素標附相同的符號并且省略說明。
[0018] 圖1及圖2是用以說明使用半導體制造裝置在將多個半導體零件隔著接著層貼附 在擴張片上的狀態(tài)下通過拉伸擴張片而分割接著層的示例（接著層的分割方法例）的圖。 圖1是俯視圖，圖2是側(cè)視圖。另外，在圖1或圖2中，方便起見而省略一部分構(gòu)成要素。
[0019] 圖1及圖2中，示出了被處理體1、壓制用環(huán)2、擴張環(huán)3、以及驅(qū)動機構(gòu)4。被處理 體1具備晶片環(huán)11、擴張片12、接著層13、以及被處理襯底14。實施方式的半導體制造裝 置至少具備壓制用環(huán)2、擴張環(huán)3、以及驅(qū)動機構(gòu)4即可，被處理體1例如在使用半導體制造 裝置時從外部被搬送。
[0020] 晶片環(huán)11具備中空部。晶片環(huán)11具有固定擴張片12的功能。晶片環(huán)11的中空 部例如具有圓狀的平面形狀。
[0021] 擴張片12的周緣被晶片環(huán)11固定。擴張片12具有例如用以搭載被處理襯底14 的第一粘附區(qū)域、以及設(shè)置在第一接著區(qū)域的外周并且貼附在晶片環(huán)11的第二粘附區(qū)域。 此時，擴張片12以在晶片環(huán)11的中空部露出第一粘附區(qū)域的方式被固定。
[0022] 擴張片12的平面形狀并無特別限定，但例如優(yōu)選為圓形狀。作為擴張片12,例如 可使用積層膜等，所述積層膜具有以氯乙烯、聚烯烴等為主成分的基材、以及設(shè)置在基材上 并且以環(huán)氧樹脂等紫外線硬化型樹脂為主成分的粘附層。
[0023] 由于擴張片12是將樹脂成形為片材狀而形成，因此具有樹脂行進方向（Machine Direction :MD)、以及垂直于樹脂行進方向的垂直方向（Transverse Direction :TD)。例 如，在將擴張片形成為片材狀并且切下片材的一部分用作擴張片12的情況下，擴張片12的 片材的長軸方向成為樹脂行進方向（MD)。另外，所謂垂直，也可以包含垂直方向±10度以 內(nèi)的狀態(tài)（大致垂直）。
[0024] 接著層13設(shè)置在擴張片12上。接著層13具有接著擴張片12與被處理襯底14 的功能。優(yōu)選為接著層13相對于被處理襯底14的接著強度高于相對于擴張片12的接著 強度。作為接著層13,例如可使用粘片膜（Die Attach Film :DAF)等。作為DAF，例如可 使用以環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂等為主成分的粘片。另外，在圖1中，接著層 13具有圓狀的平面形狀，但也可以根據(jù)被處理襯底14的平面形狀而使用具有不同平面形 狀的接著層13。
[0025] 被處理襯底14隔著接著層13貼附在擴張片12上。被處理襯底14具有經(jīng)分割的 多個半導體零件14a。圖1中，被處理襯底14具有圓狀的平面形狀，但不限定于此，也可以 具有例如四邊形狀的平面形狀。
[0026] 作為被處理襯底14,例如可列舉形成著半導體元件的半導體襯底、或者具有配線 襯底及積層在配線襯底上的多個半導體芯片的封裝體襯底等。例如，可通過將半導體襯底 分割而形成半導體芯片作為半導體零件14a。而且，可通過將封裝體襯底分割而形成封裝體 零件（半導體封裝體）作為半導體零件14a。
[0027] 作為封裝體零件，例如可列舉具有使多個半導體芯片積層而成的TSV(Through Silicon Via，娃穿孔）方式的積層構(gòu)造的半導體封裝體。TSV方式的積層構(gòu)造的半導體封 裝體例如具備引線框架等襯底、以及積層在襯底上的多個半導體芯片。多個半導體芯片通 過設(shè)置在半導體芯片的凸塊及貫通半導體芯片的貫通電極而相互電連接。這樣一來，通過 使用TSV方式的積層構(gòu)造的半導體封裝體，可減小芯片面積，可增加連接端子數(shù)量，因此， 可抑制連接不良等。
[0028] 壓制用環(huán)2具有中空部。壓制用環(huán)2具有如下功能：以拉伸擴張片12時在中空部 中至少露出多個半導體零件14a的方式壓制晶片環(huán)11。
[0029] 擴張環(huán)3以當拉伸擴張片12時，相對于被處理體1與擴張片12重疊的方式被抵 壓。圖1中，擴張環(huán)3為具有中空部的環(huán)狀構(gòu)造，但不限定于此，也可以未必設(shè)置中空部。
[0030] 圖1中，擴張環(huán)3的外周具有與第一方向正交的第二方向的寬度小于第一方向的 寬度的形狀，例如具有以第一方向為長徑并且以第二方向為短徑的橢圓形狀。此時，壓制用 環(huán)2的內(nèi)周例如具有圓形狀，擴張環(huán)3的長徑比晶片環(huán)11的內(nèi)周的直徑及壓制用環(huán)2的內(nèi) 周的直徑短。而且，擴張環(huán)3的短徑大于被處理襯底14的直徑。由此，可使擴張片12的拉 伸量在擴張片12的樹脂行進方向（MD)與垂直方向（TD)上不同。
[0031] 另外，擴張環(huán)3的外周也可以具有以第一方向為長邊方向并且以第二方向為短邊 方向的大致長方形形狀。
[0032] 另外，也可以取代擴張環(huán)3而使壓制用環(huán)2的內(nèi)周具有與第一方向正交的第二方 向的寬度小于第一方向的寬度的形狀、例如以第一方向為長徑并且以第二方向為短徑的橢 圓形狀。此時，擴張環(huán)3的外周具有圓形狀，擴張環(huán)3的直徑小于壓制用環(huán)2的內(nèi)周的短徑 并且大于被處理襯底14的直徑。
[0033] 另外，在該情況下，壓制用環(huán)2的內(nèi)周也可以具有以第一方向為長邊方向并且以 第二方向為短邊方向的大致長方形形狀。
[0034] 驅(qū)動機構(gòu)4具有如下功能：使被處理體1及擴張環(huán)3中的至少一個升降，以使晶 片環(huán)11與擴張環(huán)3之間產(chǎn)生高低差而拉伸擴張片12。驅(qū)動機構(gòu)4例如具備使被處理體 1及擴張環(huán)3中的至少一個升降的驅(qū)動部、以及控制驅(qū)動部的控制部?？刂撇坷缇哂?CPU(Central ?1'〇〇688；[1^1]11；[1:，中央處理器）、存儲器、邏輯電路等。另外，在圖2中，驅(qū)動 機構(gòu)4連接于擴張環(huán)3,但不限定于此，也可以連接于壓制用環(huán)2。
[0035] 在接著層的分割方法例中，當拉伸擴張片12時，擴張片12的垂直方向（TD)上的 壓制用環(huán)2的內(nèi)周與擴張環(huán)3的外周之間隔（D1)小于樹脂行進方向（MD)上的壓制用環(huán)2 的內(nèi)周與擴張環(huán)3的外周之間隔（D2) (Dl < D2)。
[0036] 多數(shù)情況下擴張片具有樹脂行進方向（MD)的伸長率與垂直方向（TD)的伸長率不 同的各向異性。認為所述各向異性是因在例如擴張片的制造步驟中一邊沿抽出方向抽出卷 取成卷筒狀的片材狀的擴張片一邊施加壓力而產(chǎn)生或者因材料特性而產(chǎn)生。
[0037] 圖3是表示使用擴張片的拉伸試驗結(jié)果的一例的圖。圖3(A)至圖3(C)的各圖中， 示出了沿樹脂行進方向（MD)拉伸的樣品的拉伸試驗結(jié)果（實線）與沿垂直方向（TD)拉伸 的樣品的拉伸試驗結(jié)果（虛線）。
[0038] 如圖3㈧至圖3 (C)所示，片伸長率為100%時的沿樹脂行進方向（MD)拉伸的樣 品相對于沿垂直方向（TD)拉伸的樣品的拉伸強度的比（ 〇 MD/〇 TD)分別為1. 1、1. 6、1. 9。無 論哪種結(jié)果，均是沿樹脂行進方向（MD)拉伸的樣品的拉伸強度高于沿垂直方向（TD)拉伸 的樣品的拉伸強度。由此可知，擴張片具有如下特性：在垂直方向（TD)上比在樹脂行進方 向（MD)上更容易降伏。
[0039] 在使用所述具有在垂直方向（TD)上比在樹脂行進方向（MD)上更容易降伏這一特 性的擴張片作為圖1及圖2所示的擴張片12的情況下，如果例如壓制用環(huán)2的內(nèi)周與擴張 環(huán)3的外周之間隔為D1 = D2,則拉伸擴張片12時的接著層13的伸長難易度在樹脂行進方 向（MD)與垂直方向（TD)方向上也不同。
[0040] 圖4是拉伸擴張片時的平面方向的被處理體的一部分的放大圖。當D1 = D2時，由 于擴張片12在樹脂行進方向（MD)上容易伸長，因此，如圖4(A)所示，多個半導體零件14a 間的接著層13充分地擴展。另一方面，由于擴張片12在垂直方向（TD)上難以伸長，因此 多個半導體零件14a間的接著層13難以擴展。因此，在垂直方向（TD)上容易產(chǎn)生接著層 13的未分割區(qū)域。
[0041] 相對于此，當Dl < D2時，可在垂直方向（TD)上增大擴張片12的拉伸量。因此， 如圖4(B)所示，在垂直方向（TD)上，多個半導體零件14a間的接著層13的擴展變大，可容 易地將接著層13分割。
[0042] 如果考慮圖3所示的拉伸試驗結(jié)果，則垂直方向（TD)與樹脂行進方向（MD)的拉 伸強度的比（。 MD/。TD)為大于1. 〇且小于2. 0的范圍。因此，為了減小垂直方向（TD)的多 個半導體零件14a間的接著層13的擴展與樹脂行進方向的多個半導體零件14a間的接著 層13的擴展的差，優(yōu)選為增大垂直方向（TD)的擴張片12的拉伸量。
[0043] 拉伸時的擴張片的拉伸量可根據(jù)拉伸前的擴張片12的長度與拉伸時的擴張片12 的長度的差求出。例如，當將拉伸時的壓制用環(huán)2的內(nèi)周與擴張環(huán)3的外周之間的擴張片 12的長度設(shè)為L aftCT，將拉伸前的壓制用環(huán)2的內(nèi)周與擴張環(huán)3的外周之間的擴張片12的 長度設(shè)為，將決定擴張片12的拉伸力的壓制用環(huán)2與擴張環(huán)3的高低差設(shè)為Ex' d 時，根據(jù)勾股定理（Pythagorean theorem)，LaftCT= (LbefOTe2+Ex' d2)°·5的關(guān)系成立。因此， 通過求出LaftCT-L brf_的值，可求出拉伸時的擴張片12的拉伸量。
[0044] 此時，下述式（1)所表示的拉伸擴張片12時的擴張片12的垂直方向（TD)的拉伸 量相對于樹脂行進方向（MD)的拉伸量的比L Mte例如優(yōu)選為大于1.0且小于2.0,進而優(yōu)選 為1. 1以上且1.9以下。
[0045]
[0046] (式⑴中，分別為，Lbrf__MD表示拉伸前的樹脂行進方向（MD)上的壓制用環(huán)2的 內(nèi)周與擴張環(huán)3的外周之間的擴張片12的長度，L tef__TD表示拉伸前的垂直方向（TD)上的 壓制用環(huán)2的內(nèi)周與擴張環(huán)3的外周之間的擴張片12的長度，Ex' d表示壓制用環(huán)2與擴 張環(huán)3的高低差。）
[0047] 圖5是用以說明擴張片的拉伸量的計算例的圖。例如，將拉伸前的被處理襯底14 的直徑設(shè)為300mm，將擴張環(huán)3的短徑設(shè)為330mm，將擴張環(huán)3的長徑設(shè)為332mm，將晶片環(huán) 11的內(nèi)周的直徑設(shè)為350mm，將壓制用環(huán)2的內(nèi)周的直徑設(shè)為340mm，將壓制用環(huán)2與擴張 環(huán)3的高低差（Ex' d)設(shè)為10mm，通過接著層13的擴展使樹脂行進方向（MD)的拉伸后的 被處理襯底14的直徑為312. 4_，通過接著層13的擴展使垂直方向（TD)的拉伸后的被處 理襯底14的直徑為314. 2mm。
[0048] 此時，如圖5 (A)所示，樹脂行進方向（MD)上的LaftCT MD-Lbrf__MD成為（11. 2mm-5mm) =6. 2mm，兩端合計為12. 4mm。另一方面，如圖5⑶所示，垂直方向（TD)上的LaftCT_TD-LbefOTe_ TD成為（10. 8mm-4mm) = 6. 8mm，兩端合計為 13. 6mm。而且，此時的 Lrate成為 6.8/6.2 4 1.1 0 這樣一來，通過使擴張環(huán)3的長徑相對于擴張環(huán)3的短徑大0. 6%左右，可使垂直方向（TD) 上的擴張片12的拉伸量增大10%左右。
[0049] 如上所述，在本實施方式的半導體制造裝置中，可通過在拉伸擴張片時使擴張片 的垂直方向（TD)上的壓制用環(huán)的內(nèi)周與擴張環(huán)的外周之間隔小于樹脂行進方向（MD)上的 壓制用環(huán)的內(nèi)周與擴張環(huán)的外周之間隔，而增大垂直方向（TD)上的擴張片的拉伸量。因 此，可抑制接著層產(chǎn)生未分割區(qū)域。
[0050] 而且，可通過減小垂直方向（TD)上的接著層的擴展量與樹脂行進方向（MD)上的 接著層的擴展量的差，而使接著層更加均勻地擴展，因此可抑制因局部的接著層的擴展而 導致半導體零件破裂或剝離等。
[0051] 接下來，參照圖6對半導體裝置的制造方法例進行說明。圖6是用以說明半導體裝 置的制造方法例的流程圖。圖6所示的半導體裝置的制造方法例包括分割被處理襯底的步 驟S1 (被處理襯底分割）、配置包括貼附在擴張片上的被處理襯底的被處理體的步驟S2 (被 處理體配置）、拉伸擴張片的步驟S3 (片拉伸）、進行半導體零件的圖像識別的步驟S4(圖 像識別）、以及拾取半導體零件的步驟S5 (拾?。?。另外，半導體裝置的制造方法例的步驟 內(nèi)容以及步驟順序未必限定于所述步驟。
[0052] 在步驟S1 (被處理襯底分割）中，例如可通過利用使用金剛石刀片或激光等的切 割對應(yīng)于半導體零件14a將被處理襯底14切斷，而對應(yīng)于半導體零件14a分割被處理襯底 14。當被處理襯底14為半導體襯底時，也可以通過切割在被處理襯底14形成切口，并且以 覆蓋切口的方式貼附以氯乙烯或聚烯烴等為主成分的保護片，從保護片的貼附面的相反面 也就是被處理襯底14的露出面研削被處理襯底14的一部分，由此分割被處理襯底14。
[0053] 另外，也可以在將被處理襯底14隔著接著層13貼附在周緣被晶片環(huán)11固定的擴 張片12上的狀態(tài)下，通過切割對應(yīng)于半導體零件14a而切斷被處理襯底14。此時，也可以 使用搬送臂等將被處理襯底14貼附在擴張片12上。而且，也可以使用預先形成著接著層 13的擴張片作為擴張片12,通過在接著層13上貼附被處理襯底14并且進行熱處理其后進 行冷卻，而接著被處理襯底14。
[0054] 在步驟S1(被處理襯底分割）中，也可以切斷接著層13的至少一部分。此時，不 切斷擴張片12。進而，也可以通過在切割前調(diào)整例如晶片環(huán)11的高度，而以擴張片12不撓 曲的方式拉伸。
[0055] 在步驟S2 (被處理體配置）中，以擴張片12重疊于擴張環(huán)3的方式配置被處理體 1。例如，在擴張環(huán)3的外周或壓制用環(huán)2的內(nèi)周具有橢圓形狀的情況下，以周的短徑位于 擴張片12的樹脂行進方向（MD)、長徑位于擴張片12的垂直方向（TD)的方式配置擴張環(huán) 3。由此，可使擴張片12的垂直方向（TD)上的壓制用環(huán)2的內(nèi)周與擴張環(huán)3的外周之間隔 (D1)小于樹脂行進方向（MD)上的壓制用環(huán)2的內(nèi)周與擴張環(huán)3的外周之間隔（D2)。
[0056] 而且，可通過壓制用環(huán)2以中空部中露出多個半導體零件14a的方式壓制晶片環(huán) 11。例如，通過利用壓制用環(huán)2從上方向壓制晶片環(huán)11，可將晶片環(huán)11固定。
[0057] 在步驟S3 (片拉伸）中，在晶片環(huán)11與擴張環(huán)3之間設(shè)置高低差而拉伸擴張片12。 例如，通過驅(qū)動機構(gòu)4使擴張環(huán)3上下移動。由此，擴張片12呈放射狀地被拉伸，可拉伸擴 張片12。擴張片12的拉伸力是根據(jù)晶片環(huán)11與擴張環(huán)3的高低差而適當設(shè)定。另外，也 可以通過驅(qū)動機構(gòu)4使壓制用環(huán)2上下移動。
[0058] 如果拉伸擴張片12,則接著層13的多個半導體零件14a間的區(qū)域擴展，接著層13 對應(yīng)于半導體零件14a被分割。本實施方式中，通過設(shè)為D1<D2,而以垂直方向（TD)的擴 張片12的拉伸量大于樹脂行進方向（MD)上的擴張片的拉伸量的方式拉伸擴張片12。由 此，可抑制接著層13中產(chǎn)生未分割區(qū)域。而且，通過減小垂直方向（TD)上的接著層13的 擴展量與樹脂行進方向（MD)上的接著層13的擴展量的差，可抑制半導體零件破裂或剝離 等。
[0059] 另外，在步驟S1(切割）中，當在擴張片12上對被處理襯底14進行切割時，由于 接著層13具有軟性，因此，有在至少一部分接著層13產(chǎn)生未切斷區(qū)域的情況或者在切斷 后因加熱而導致已被切斷的區(qū)域彼此再次接著的情況。即便在這種情況下，也可以在步驟 S3 (片拉伸）中對應(yīng)于半導體零件14a將接著層13分割。
[0060] 另外，作為擴張環(huán)3,也可以使用具有旋轉(zhuǎn)軸的擴張環(huán)。圖7是表示具有旋轉(zhuǎn)軸的 擴張環(huán)的構(gòu)造例的圖，圖7(A)是俯視圖，圖7(B)是側(cè)視圖。圖7所示的擴張環(huán)3具備平臺 31、旋轉(zhuǎn)軸32、以及多個輥33。
[0061] 平臺31的外周例如具有橢圓形狀。另外，也可以在拉伸擴張片12時將平臺31整 體抵壓于擴張片12。
[0062] 旋轉(zhuǎn)軸32沿著擴張環(huán)3的高度方向（擴張片12的厚度方向）設(shè)置。因此，可將擴 張環(huán)3的外周視為橢圓形。旋轉(zhuǎn)軸32具有使平臺31沿擴張片12的平面旋轉(zhuǎn)的功能。旋 轉(zhuǎn)軸32的旋轉(zhuǎn)角度例如通過驅(qū)動機構(gòu)4而控制。
[0063] 多個輥33沿著平臺31的周緣設(shè)置。此時，也可以將多個輥33的形成區(qū)域視為擴 張環(huán)3的環(huán)部分。輥33具有沿平臺31的周緣的切線的旋轉(zhuǎn)軸。作為輥33,例如可使用軸 承輥等。通過使各輥33旋轉(zhuǎn)而放射狀地拉伸擴張片12,從而容易將力傳遞給擴張片12,擴 張片12與擴張環(huán)3的摩擦系數(shù)變小，因此，可高效率地拉伸擴張片12。另外，也可以未必設(shè) 置輥33。
[0064] 參照圖8及圖9對使用圖7所示的擴張環(huán)3時的步驟S2 (被處理體配置）及步驟 S3(片拉伸）進行說明。圖8及圖9是用以說明半導體裝置的制造方法例的圖。
[0065] 在步驟S2(被處理體配置）中，如上所述，以擴張片12重疊于擴張環(huán)3的方式配 置被處理體1，利用壓制用環(huán)2以壓制用環(huán)2的中空部中露出多個半導體零件14a的方式壓 制晶片環(huán)11。
[0066] 在步驟S2 (被處理體配置）之前的步驟中，有擴張片12的樹脂行進方向（MD)與 擴張環(huán)3的長徑方向不一致的情況。在該情況下，可如圖8所示那樣通過利用旋轉(zhuǎn)軸32使 平臺31旋轉(zhuǎn)而以長徑位于擴張片12的樹脂行進方向（MD)的方式配置擴張環(huán)3。例如，可 預先在被處理襯底14的一部分形成對準標記，根據(jù)基于對準標記的方向數(shù)據(jù)，通過驅(qū)動機 構(gòu)4控制旋轉(zhuǎn)軸32的旋轉(zhuǎn)角度。關(guān)于其他說明，由于與所述說明相同，因此在此處省略說 明。
[0067] 在步驟S3(片拉伸）中，如圖9所示，在晶片環(huán)11與擴張環(huán)之間設(shè)置高低差而拉 伸擴張片12。關(guān)于其他拉伸方法，由于與所述說明相同，因此在此處省略說明。
[0068] 這樣一來，當擴張環(huán)的外周具有橢圓形的外周時，通過使用具有沿高度方向的旋 轉(zhuǎn)軸的擴張環(huán)，而即便在擴張片的樹脂行進方向（MD)與擴張環(huán)的長徑的方向不一致的情 況下，也能夠以長徑位于擴張片的樹脂行進方向（MD)的方式配置擴張環(huán)。
[0069] 在步驟S4(圖像識別）中，通過對貼附在擴張片12上的半導體零件14a進行拍攝 而進行半導體零件14a的圖像識別。例如，可利用CCD(Charge Coupled Device，電荷親合 器件）傳感器或CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補性金屬氧化半導 體）傳感器等光學式傳感器或紅外線傳感器等攝像元件拍攝半導體零件14a，并且利用攝 像元件檢測來自半導體零件14a的反射光，由此進行圖像識別。
[0070] 在步驟S5 (拾?。┲校叭∨c經(jīng)分割的接著層13 -起被進行圖像識別后的半導體 零件14a。例如，根據(jù)由圖像識別而獲得的半導體零件14a的位置信息及角度信息等拾取半 導體零件14a。由此，可準確地拾取特定的半導體零件14a。例如可利用吸嘴等進行拾取。
[0071] 在拾取時也可以使用按壓器按壓擴張片12的與供半導體零件14a貼附一面為相 反側(cè)的面。由此，可使半導體零件14a間之間隙擴大，故而，半導體零件14a的拾取變得容 易。另外，也可以通過進行動作試驗等，從動作頻率或溫度特性等觀點出發(fā)對半導體零件 14a進行分級，從而針對各等級分多次拾取半導體零件。
[0072] 經(jīng)拾取后的半導體零件14a經(jīng)由例如標記步驟等而被制造成一個半導體封裝體。 進而，也可以于在所述封裝體作為一個半導體芯片搭載于另一配線襯底上后，再次進行所 述步驟S1至步驟S5,從而形成積層具有不同功能的多個半導體芯片而成的SIP (System in Package，系統(tǒng)級封裝）型的半導體封裝體。
[0073] 如上所述，本實施方式中的半導體裝置的制造方法例中，可通過在拉伸擴張片時 增大垂直方向（TD)上的擴張片的拉伸量，而抑制垂直方向（TD)上的接著層產(chǎn)生未分割區(qū) 域。而且，可通過減小垂直方向（TD)上的接著層的擴展量與樹脂行進方向（MD)上的接著 層的擴展量的差，而抑制半導體零件破裂或剝離等。
[0074] 另外，所述實施方式是作為示例而提出的，并不意圖限定發(fā)明的范圍。所述新穎的 實施方式能夠以其他各種方式實施，可在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進行各種省略、置換、 變更。這些實施方式或其變形包含在發(fā)明的范圍或主旨內(nèi)，并且包含在權(quán)利要求書所記載 的發(fā)明及其均等的范圍內(nèi)。
[0075] [符號的說明]
[0076] 1 被處理體
[0077] 11 晶片環(huán)
[0078] 12擴張片
[0079] 13接著層
[0080] 14被處理襯底
[0081] 14a半導體零件
[0082] 14a被處理襯底
[0083] 2 壓制用環(huán)
[0084] 3 擴張環(huán)
[0085] 31 平臺
[0086] 32旋轉(zhuǎn)軸
[0087] 33 輥
[0088] 4 驅(qū)動機構(gòu)
【主權(quán)項】
1. 一種半導體制造裝置，其特征在于包括： 第二環(huán)，對于具備第一環(huán)、被所述第一環(huán)固定的擴張片、及隔著接著層貼附在所述擴張 片上并且相互被分割后的多個半導體零件的被處理體，壓接所述擴張片； 第=環(huán)，壓制所述第一環(huán)；W及 驅(qū)動機構(gòu)，能使所述被處理體及所述第二環(huán)中的至少一個升降，W使所述第一環(huán)與所 述第二環(huán)之間產(chǎn)生高低差而拉伸所述擴張片；并且 所述第二環(huán)的外周或所述第=環(huán)的內(nèi)周具有如下形狀：與第一方向的寬度相比，正交 于所述第一方向的第二方向的寬度較小。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體制造裝置，其特征在于： 當拉伸所述擴張片時，所述擴張片的垂直于樹脂行進方向的垂直方向的所述第=環(huán)的 內(nèi)周與所述第二環(huán)的外周的間隔，小于所述樹脂行進方向的所述間隔。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體制造裝置，其特征在于： 下述式（1)所表示的拉伸所述擴張片時的所述垂直方向的拉伸量相對于所述擴張片 的所述樹脂行進方向的拉伸量的比大于1. O且小于2. O :式（1)中，示拉伸前的所述樹脂行進方向上的所述第S環(huán)的內(nèi)周與所述第二 環(huán)的外周之間的所述擴張片的長度，表示拉伸前的所述垂直方向上的所述第=環(huán) 的內(nèi)周與所述第二環(huán)的外周之間的所述擴張片的長度，Ex' d表示拉伸時的所述第=環(huán)與 所述第二環(huán)的高低差。4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導體制造裝置，其特征在于： 當所述第二環(huán)的外周具有所述形狀時，所述第二環(huán)具有沿著高度方向的旋轉(zhuǎn)軸。5. -種半導體裝置的制造方法，其特征在于：對于包含第一環(huán)、被所述第一環(huán)固定的 擴張片、及隔著接著層貼附在所述擴張片上且被分割后的多個半導體零件的被處理體，將 所述擴張片壓接于第二環(huán)； 利用第=環(huán)壓制所述第一環(huán)； W所述擴張片的垂直于樹脂行進方向的垂直方向的拉伸量大于所述樹脂行進方向的 拉伸量的方式拉伸所述擴張片，並針對各所述半導體零件分割所述接著層。
【文檔編號】H01L21/78GK105990187SQ201510097273
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年3月4日
【發(fā)明人】藤田努
【申請人】株式會社東芝