存儲(chǔ)器電路的跨接結(jié)構(gòu)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器電路，包括第一存儲(chǔ)單元和與第一存儲(chǔ)單元相鄰的第二存儲(chǔ)單元。第一存儲(chǔ)單元包括：第一字線跨接線部，與第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件電耦接；和第二字線跨接線部。第二存儲(chǔ)單元包括：第一字線跨接線部；和第二字線跨接線部，與第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件電耦接。第一存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部和第二存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部在第一互連層處相互連接。第一存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部和第二存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部在第一互連層處相互連接。
【專(zhuān)利說(shuō)明】存儲(chǔ)器電路的跨接結(jié)構(gòu)
[0001 ]優(yōu)先權(quán)聲明
[0002]本申請(qǐng)要求于2015年3月16日提交的第62/133，928號(hào)美國(guó)臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。其全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此作為參考。
[0003]相關(guān)申請(qǐng)
[0004]本申請(qǐng)涉及于2008年2月28日提交的名稱(chēng)為“ROM CELL⑶NNECT1N STRUCTURE”的第12/039,711號(hào)(現(xiàn)在為美國(guó)專(zhuān)利第7，920，403號(hào))美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)以及于2010年6月30日提交的名稱(chēng)為 “ROM CELL CIRCUIT FOR FINFET DEVICES” 的第 12/827,406號(hào)(現(xiàn)在為美國(guó)專(zhuān)利第8，212，295號(hào))美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)。上述申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容結(jié)合于此作為參考。
技術(shù)領(lǐng)域
[0005]本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及存儲(chǔ)器電路。
【背景技術(shù)】
[0006]半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了快速發(fā)展。IC材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)生了多代1C，其中，每一代都具有比先前一代更小且更復(fù)雜的電路。在集成電路演化過(guò)程中，功能密度(即，每芯片面積的互連器件的數(shù)量)通常在增大，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝產(chǎn)生的最小組件(或線))減小。在一些應(yīng)用中，存儲(chǔ)器陣列包括多行柵電極，以電連接存儲(chǔ)器陣列的存儲(chǔ)單元的傳輸器件(pass device)的各行。當(dāng)諸如存儲(chǔ)器陣列中的柵電極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的寬度變得更小時(shí)，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的單位長(zhǎng)度電阻變得更大。在一些應(yīng)用中，當(dāng)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的單位長(zhǎng)度電阻變得更大時(shí)，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上傳輸?shù)臄?shù)字信號(hào)具有更長(zhǎng)的上升或下降時(shí)間。因此，在一些應(yīng)用中，存儲(chǔ)器陣列的不同位置處的不同的存儲(chǔ)單元的傳輸器件的導(dǎo)通或截止的速度不同。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種存儲(chǔ)器電路，包括:第一存儲(chǔ)單元，包括:傳輸器件;字線部;第一字線跨接線部，與所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件和所述第一存儲(chǔ)單元的字線部電耦接;和第二字線跨接線部；以及第二存儲(chǔ)單元，與所述第一存儲(chǔ)單元相鄰，所述第二存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件;字線部;第一字線跨接線部;和第二字線跨接線部，與所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件和所述第二存儲(chǔ)單元的字線部電耦接，其中，所述第一存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部和所述第二存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接；以及所述第一存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部和所述第二存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。
[0008]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)單元的字線部和所述第二存儲(chǔ)單元的字線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層上方的所述存儲(chǔ)器電路的第二互連層處。
[0009]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)單元還包括:位線部;所述第二存儲(chǔ)單元還包括:位線部；以及所述第一存儲(chǔ)單元的位線部和所述第二存儲(chǔ)單元的位線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。
[0010]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)單元還包括:接觸結(jié)構(gòu)，與所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的漏極端和所述第一存儲(chǔ)單元的位線部電親接;所述第二存儲(chǔ)單元還包括:接觸結(jié)構(gòu)，與所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的漏極端和所述第一存儲(chǔ)單元的位線部電耦接；以及所述第一存儲(chǔ)單元的接觸結(jié)構(gòu)和所述第二存儲(chǔ)單元的接觸結(jié)構(gòu)是同一接觸結(jié)構(gòu)。
[0011 ]優(yōu)選地，該存儲(chǔ)器電路還包括:第三存儲(chǔ)單元，與所述第一存儲(chǔ)單元相鄰，所述第三存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件;字線部，與所述第一存儲(chǔ)單元的字線部電耦接;第一字線跨接線部，所述第三存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部和所述第一存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部是同一線部；以及第二字線跨接線部，與所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件和所述第三存儲(chǔ)單元的字線部電耦接；以及第四存儲(chǔ)單元，與所述第三存儲(chǔ)單元和所述第二存儲(chǔ)單元相鄰，所述第四存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件;字線部，與所述第二存儲(chǔ)單元的字線部電耦接;第一字線跨接線部，與所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件和所述第四存儲(chǔ)單元的字線部電耦接，所述第四存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部和所述第二存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部是同一線部;和第二字線跨接線部，其中，所述第三存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部和所述第四存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。
[0012]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件包括:柵極結(jié)構(gòu);所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件包括:柵極結(jié)構(gòu);所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件包括:柵極結(jié)構(gòu);所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件包括:柵極結(jié)構(gòu);所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)連接；以及所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)連接。
[0013]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)單元還包括:隔離器件，具有柵極結(jié)構(gòu)；所述第三存儲(chǔ)單元還包括:隔離器件，具有柵極結(jié)構(gòu);所述第二存儲(chǔ)單元還包括:隔離器件，具有柵極結(jié)構(gòu);所述第四存儲(chǔ)單元還包括:隔離器件，具有柵極結(jié)構(gòu);所述第一存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第三存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)連接；以及所述第二存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第四存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)連接。
[0014]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)單元的字線部與所述第三存儲(chǔ)單元的字線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層上方的所述存儲(chǔ)器電路的第二互連層處連接；以及所述第二存儲(chǔ)單元的字線部與所述第四存儲(chǔ)單元的字線部在所述存儲(chǔ)器電路的第二互連層處連接。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種存儲(chǔ)器電路，包括:第一存儲(chǔ)單元，所述第一存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件;和字線部;第二存儲(chǔ)單元，與所述第一存儲(chǔ)單元相鄰，所述第二存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件；和字線部;第三存儲(chǔ)單元，所述第三存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件；和字線部;第四存儲(chǔ)單元，與所述第三存儲(chǔ)單元相鄰，所述第四存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件;和字線部;第一跨接單元，介于所述第一存儲(chǔ)單元與所述第三存儲(chǔ)單元之間，所述第一跨接單元包括:第一柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu);字線部，連接所述第一存儲(chǔ)單元的字線部與所述第三存儲(chǔ)單元的字線部;第一字線跨接線部，與所述第一跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第一跨接單元的字線部電耦接;和第二字線跨接線部；以及第二跨接單元，介于所述第二存儲(chǔ)單元與所述第四存儲(chǔ)單元之間，所述第二跨接單元包括:第一柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)；字線部，連接所述第二存儲(chǔ)單元的字線部與所述第四存儲(chǔ)單元的字線部;第一字線跨接線部;和第二字線跨接線部，與所述第二跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二跨接單元的字線部電耦接，其中，所述第一跨接單元的第一字線跨接線部和所述第二跨接單元的第一字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接；以及所述第一跨接單元的第二字線跨接線部和所述第二跨接單元的第二字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。
[0016]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)單元的字線部、所述第二存儲(chǔ)單元的字線部、所述第三存儲(chǔ)單元的字線部、所述第四存儲(chǔ)單元的字線部、所述第一跨接單元的字線部以及所述第二跨接單元的字線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層上方的所述存儲(chǔ)器電路的第二互連層處。
[0017]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)單元還包括:隔離器件;和參考電壓線部;所述第二存儲(chǔ)單元還包括:隔離器件;和參考電壓線部;所述第三存儲(chǔ)單元還包括:隔離器件;和參考電壓線部;所述第四存儲(chǔ)單元還包括:隔離器件;和參考電壓線部;所述第一跨接單元還包括:第二柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第一存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第三存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)；和參考電壓線部，連接所述第一存儲(chǔ)單元的參考電壓線部與所述第三存儲(chǔ)單元的參考電壓線部；以及所述第二跨接單元還包括:第二柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第二存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第四存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)；和參考電壓線部，連接所述第二存儲(chǔ)單元的參考電壓線部與所述第四存儲(chǔ)單元的參考電壓線部。
[0018]優(yōu)選地，從頂向下看，所述第一跨接單元的第一字線跨接線部和所述第一跨接單元的第二字線跨接線部未覆蓋所述第一跨接單元的第二柵極結(jié)構(gòu)；以及從頂向下看，所述第二跨接單元的第一字線跨接線部和所述第二跨接單元的第二字線跨接線部未覆蓋所述第二跨接單元的第二柵極結(jié)構(gòu)。
[0019]優(yōu)選地，該存儲(chǔ)器電路還包括:第三跨接單元，至少通過(guò)所述第一存儲(chǔ)單元或所述第三存儲(chǔ)單元與所述第一跨接單元分離，所述第三跨接單元包括:柵極結(jié)構(gòu)，與所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極和所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極電耦接;字線部，與所述第一存儲(chǔ)單元的字線部和所述第三存儲(chǔ)單元的字線部電耦接;第一字線跨接線部，與所述第一跨接單元的柵極結(jié)構(gòu)和所述第一跨接單元的字線部電耦接;和第二字線跨接線部；以及第四跨接單元，至少通過(guò)所述第二存儲(chǔ)單元或所述第四存儲(chǔ)單元與所述第二跨接單元分離，所述第四跨接單元包括:柵極結(jié)構(gòu)，與所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極和所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極電耦接;字線部，與所述第二存儲(chǔ)單元的字線部和所述第四存儲(chǔ)單元的字線部電耦接;第一字線跨接線部;和第二字線跨接線部，與所述第二跨接單元的柵極結(jié)構(gòu)和所述第二跨接單元的字線部電耦接，其中，所述第三跨接單元的第一字線跨接線部和所述第四跨接單元的第一字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接；以及所述第三跨接單元的第二字線跨接線部和所述第四跨接單元的第二字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。
[0020]優(yōu)選地，所述第三跨接單元通過(guò)多個(gè)第一存儲(chǔ)單元與所述第一跨接單元分離，所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元彼此串聯(lián)鄰接;所述第四跨接單元通過(guò)多個(gè)第二存儲(chǔ)單元與所述第二跨接單元分離，所述多個(gè)第二存儲(chǔ)單元彼此連續(xù)鄰接;所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元不具有位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處的任何字線跨接線部；以及所述多個(gè)第二存儲(chǔ)單元不具有位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處的任何字線跨接線部。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種存儲(chǔ)器電路，包括:第一存儲(chǔ)單元，所述第一存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件；隔離器件;和字線部;第二存儲(chǔ)單元，與所述第一存儲(chǔ)單元相鄰，所述第二存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件；隔離器件;和字線部;第三存儲(chǔ)單元，所述第三存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件；隔離器件;和字線部;第四存儲(chǔ)單元，與所述第三存儲(chǔ)單元相鄰，所述第四存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件;隔離器件;和字線部;第一跨接單元，介于所述第一存儲(chǔ)單元與所述第三存儲(chǔ)單元之間，所述第一跨接單元包括:第一柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極與所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極;第二柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第一存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極與所述第三存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極;字線部，連接所述第一存儲(chǔ)單元的字線部與所述第三存儲(chǔ)單元的字線部;字線跨接線部，與所述第一跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第一跨接單元的字線部電耦接;和隔離柵極跨接線部，與所述第一跨接單元的第二柵極結(jié)構(gòu)電耦接；以及第二跨接單元，介于所述第二存儲(chǔ)單元與所述第四存儲(chǔ)單元之間，所述第二跨接單元包括:第一柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極與所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極;第二柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第二存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極與所述第四存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極;字線部，連接所述第二存儲(chǔ)單元的字線部與所述第四存儲(chǔ)單元的字線部;字線跨接線部，與所述第二跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二跨接單元的字線部電耦接;和隔離柵極跨接線部，與所述第二跨接單元的第二柵極結(jié)構(gòu)電耦接，其中，所述第一跨接單元的隔離柵極跨接線部和所述第二跨接單元的隔離柵極跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接;所述第一跨接單元的字線跨接線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處；以及所述第二跨接單元的字線跨接線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處。
[0022]優(yōu)選地，所述第一存儲(chǔ)單元的字線部、所述第二存儲(chǔ)單元的字線部、所述第三存儲(chǔ)單元的字線部、所述第四存儲(chǔ)單元的字線部、所述第一跨接單元的字線部以及所述第二跨接單元的字線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層上方的所述存儲(chǔ)器電路的第二互連層處。
[0023]優(yōu)選地，該存儲(chǔ)器電路還包括:第三跨接單元，至少通過(guò)所述第一存儲(chǔ)單元或所述第三存儲(chǔ)單元與所述第一跨接單元分離，所述第三跨接單元包括:第一柵極結(jié)構(gòu)，與所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極和所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極電耦接;第二柵極結(jié)構(gòu)，與所述第一存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極和所述第三存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極電耦接;字線部，與所述第一存儲(chǔ)單元的字線部和所述第三存儲(chǔ)單元的字線部電耦接;字線跨接線部，與所述第三跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第三跨接單元的字線部電耦接;和隔離柵極跨接線部，與所述第三跨接單元的第二柵極結(jié)構(gòu)電耦接；以及第四跨接單元，至少通過(guò)所述第二存儲(chǔ)單元或所述第四存儲(chǔ)單元與所述第二跨接單元分離，所述第四跨接單元包括:第一柵極結(jié)構(gòu)，與所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極和所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極電耦接;第二柵極結(jié)構(gòu)，與所述第二存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極和所述第四存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極電耦接;字線部，與所述第二存儲(chǔ)單元的字線部和所述第四存儲(chǔ)單元的字線部電耦接;字線跨接線部，與所述第四跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第四跨接單元的字線部電耦接;和隔離柵極跨接線部，與所述第四跨接單元的第二柵極結(jié)構(gòu)電耦接，其中，所述第三跨接單元的隔離柵極跨接線部和所述第四跨接單元的隔離柵極跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接;所述第三跨接單元的字線跨接線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處；以及所述第四跨接單元的字線跨接線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處。
[0024]優(yōu)選地，所述第三跨接單元通過(guò)多個(gè)第一存儲(chǔ)單元與所述第一跨接單元分離，所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元彼此連續(xù)鄰接;所述第四跨接單元通過(guò)多個(gè)第二存儲(chǔ)單元與所述第二跨接單元分離，所述多個(gè)第二存儲(chǔ)單元彼此連續(xù)鄰接;所述多個(gè)第一存儲(chǔ)單元不具有位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處的任何字線跨接線部；以及所述多個(gè)第二存儲(chǔ)單元不具有位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處的任何字線跨接線部。
[0025]優(yōu)選地，該存儲(chǔ)器電路還包括:第五跨接單元，至少通過(guò)所述第一存儲(chǔ)單元或所述第三存儲(chǔ)單元與所述第一跨接單元分離，所述第五跨接單元包括:柵極結(jié)構(gòu)，與所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極和所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極電耦接;字線部，與所述第一存儲(chǔ)單元的字線部和所述第三存儲(chǔ)單元的字線部電耦接;第一字線跨接線部，與所述第五跨接單元的柵極結(jié)構(gòu)和所述第五跨接單元的字線部電耦接;和第二字線跨接線部；以及第六跨接單元，至少通過(guò)所述第二存儲(chǔ)單元或所述第四存儲(chǔ)單元與所述第二跨接單元分離，所述第六跨接單元包括:柵極結(jié)構(gòu)，與所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極和所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極電耦接;字線部，與所述第二存儲(chǔ)單元的字線部和所述第四存儲(chǔ)單元的字線部電耦接;第一字線跨接線部;和第二字線跨接線部，與所述第六跨接單元的柵極結(jié)構(gòu)和所述第六跨接單元的字線部電耦接，其中，所述第五跨接單元的第一字線跨接線部和所述第六跨接單元的第一字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接；以及所述第五跨接單元的第二字線跨接線部和所述第六跨接單元的第二字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。
[0026]優(yōu)選地，該存儲(chǔ)器電路還包括:第七跨接單元，與所述第二跨接單元相鄰，所述第七跨接單元包括:字線跨接線部;和隔離柵極跨接線部，與所述第二跨接單元的隔離柵極跨接線部連接；以及第八跨接單元，與所述第七跨接單元相鄰，所述第八跨接單元包括:字線跨接線部;和隔離柵極跨接線部，與所述第二跨接單元的隔離柵極跨接線部連接。
【附圖說(shuō)明】
[0027]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒(méi)有被按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以被任意增加或減少。
[0028]圖1A是根據(jù)一些實(shí)施例的只讀存儲(chǔ)器(ROM)電路中的兩個(gè)ROM單元的電路示意圖。
[0029]圖1B是根據(jù)一些實(shí)施例的另一只讀存儲(chǔ)器(ROM)電路中的兩個(gè)ROM單元的電路示意圖。
[0030]圖2A是根據(jù)一些實(shí)施例的基于圖1A的ROM單元的ROM電路的四個(gè)ROM單元的頂視圖，其中省略了關(guān)于ROM電路的第二互連層中和上面的組件的所有描述。
[0031]圖2B是根據(jù)一些實(shí)施例的圖2A的四個(gè)ROM單元的頂視圖，其中描述了關(guān)于從ROM電路的第一互連層至第二互連層的組件。
[0032]圖3是根據(jù)一些實(shí)施例的圖2A和圖2B的ROM電路沿著參考線A-A’截取的截面圖。
[0033]圖4是根據(jù)一些實(shí)施例的基于圖2A和圖2B的ROM單元所實(shí)施的存儲(chǔ)器電路的一部分的布線圖。
[0034]圖5是根據(jù)一些實(shí)施例的基于圖1A或圖1B的ROM單元的ROM電路的多個(gè)ROM單元和四個(gè)跨接單元的頂視圖，其中省略了關(guān)于ROM單元的一些組件的描述。
[0035]圖6是根據(jù)一些實(shí)施例的基于圖1A或圖1B的ROM單元的另一ROM電路的多個(gè)ROM單元和四個(gè)跨接單元的頂視圖，其中省略了關(guān)于ROM單元的一些組件的描述。
[0036]圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的具有圖5和/或圖6的跨接單元的存儲(chǔ)器件的布線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]以下公開(kāi)內(nèi)容提供了許多不同實(shí)施例或?qū)嵗?，用于?shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同特征。以下將描述組件和布置的特定實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不意欲限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實(shí)施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。另外，本發(fā)明可以在多個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個(gè)實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。
[0038]此外，為了便于描述，本文中可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)以描述如圖所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除圖中所示的方位之外，空間關(guān)系術(shù)語(yǔ)意欲包括使用或操作過(guò)程中的器件的不同的方位。裝置可以以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空間關(guān)系描述符可同樣地作相應(yīng)地解釋。
[0039]根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，只讀存儲(chǔ)器(ROM)電路的同一行的兩個(gè)相鄰的ROM單元共用在第一互連層處沿著其單元邊界跨接所實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)的字線，以減小ROM電路的字線結(jié)構(gòu)的等效單位長(zhǎng)度電阻。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，同一列的兩個(gè)相鄰的跨接單元共用第一互連層處的至少一個(gè)跨接線。
[0040]圖1A是根據(jù)一些實(shí)施例的ROM電路100A中的兩個(gè)ROM單元110[ i ]和110[ i + Ι ]的電路示意圖。指數(shù)“i”是大于零的正整數(shù)。
[0041 ] ROM電路100A包括字線WL[i]和WL[i+l]以及位線BL。字線WL[i]與ROM單元110[i]電耦接，并且字線WL[i+l]與ROM單元110[i+l]電耦接。位線BL與ROM單元110[i]和110[i+l]電耦接。ROM電路100A還包括被相鄰的ROM單元共用并且被配置為電隔離該相鄰的ROM單元的隔離器件122。在一些實(shí)施例中，ROM電路100A包括具有與ROM單元110[i]和110[i+l]類(lèi)似的配置的多個(gè)ROM單元對(duì)。
[0042]ROM單元110[i]包括傳輸器件112[i]和編碼開(kāi)關(guān)114[i]。傳輸器件112[i]是N型晶體管并且還被稱(chēng)為晶體管112[i]。晶體管112[i]的漏極端與位線BL電耦接。晶體管112[i]的柵極端與字線WL[i]電耦接。晶體管112[i]的源極端與編碼開(kāi)關(guān)114[i]電耦接。編碼開(kāi)關(guān)114[i]設(shè)置在晶體管112[i]與參考電壓節(jié)點(diǎn)116[i]之間。將編碼開(kāi)關(guān)114[i]設(shè)定為“打開(kāi)”或處于高阻態(tài)，以存儲(chǔ)預(yù)定的邏輯值，諸如邏輯高值。將參考電壓節(jié)點(diǎn)116[i]配置為接收參考電壓VSS13ROM單元110[i+l]包括:傳輸器件112[i+l]，由N型晶體管實(shí)現(xiàn);和編碼開(kāi)關(guān)114[1+1]，以與1?01單元110[1]類(lèi)似的方式與位線此、字線胃1^+1]和參考電壓節(jié)點(diǎn)116[1+1]電耦接，但是編碼開(kāi)關(guān)114[i+l]設(shè)定為“閉合”或處于低阻態(tài)，以存儲(chǔ)另一預(yù)定的邏輯值，諸如邏輯低值。
[0043]在一些實(shí)施例中，通過(guò)選擇性地形成或省略位線BL與對(duì)應(yīng)的傳輸器件112[i]或112[i+l]之間的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電通孔插塞或?qū)Ь€來(lái)實(shí)施編碼開(kāi)關(guān)114[i]和114[i+l]。在這種配置中，在制造ROM電路100A之后，存儲(chǔ)在ROM單元110[i]和110[i+l]中的邏輯值是固定的(hardwired)。在一些實(shí)施例中，通過(guò)電恪絲(e-fuse)器件來(lái)實(shí)施編碼開(kāi)關(guān)114[i]和114[1+1]。在這種配置中，在制造如1電路10(^之后，存儲(chǔ)在1?01單元110[1]和110[1 + 1]中的邏輯值是可編程的或可一次性編程的。
[0044]隔離器件122被配置為電隔離對(duì)應(yīng)的ROM單元110[i]和110[i+ l]的編碼開(kāi)關(guān)114[i]與114[i+l]。由N型晶體管來(lái)實(shí)施隔離器件122并且還被稱(chēng)為晶體管122。晶體管122的柵極端與參考電壓節(jié)點(diǎn)124電耦接。晶體管122的第一漏極/源極端與ROM單元110[i]的編碼開(kāi)關(guān)114[i]電耦接。晶體管122的第二漏極/源極端與ROM單元110[i+l]的編碼開(kāi)關(guān)114[i+l]電耦接。還將參考電壓節(jié)點(diǎn)124配置為接收參考電壓VSS。將參考電壓VSS的電壓電平設(shè)定為足以使晶體管122截止。
[0045]圖1B是根據(jù)一些實(shí)施例的另一只讀存儲(chǔ)器(ROM)電路100B中的兩個(gè)ROM單元130[i]和130[i + l]的電路示意圖。圖1B中的與圖1A中的組件相同或類(lèi)似的組件具有相同的參考標(biāo)號(hào)，并且省略其詳細(xì)描述。
[0046]ROM電路100B包括字線WL[i]和WL[i+l]以及位線BL AOM電路100B還包括被配置為電隔離相鄰的ROM單元的隔離器件122。在一些實(shí)施例中，ROM電路100B包括具有與ROM單元130[i]和130[i+l]類(lèi)似的配置的多個(gè)ROM單元對(duì)。
[0047]ROM單元130[i]包括傳輸器件132[i]和編碼開(kāi)關(guān)134[i]。傳輸器件132[i]是N型晶體管。晶體管132[i]的漏極端與編碼開(kāi)關(guān)134[i]電耦接。晶體管132[i]的柵極端與字線WL[i]電耦接。晶體管132[i]的源極端與參考電壓節(jié)點(diǎn)136[i]電耦接。將參考電壓節(jié)點(diǎn)136[i]配置為接收參考電壓VSS。編碼開(kāi)關(guān)134[i]設(shè)置在晶體管132[i]與位線BL之間。將編碼開(kāi)關(guān)134[i]設(shè)定為“打開(kāi)”或處于高阻態(tài)，以存儲(chǔ)預(yù)定的邏輯值，諸如邏輯高值。ROM單元130[i+I]包括:傳輸器件132[i+l]，由N型晶體管實(shí)施；和編碼開(kāi)關(guān)134[i+l]，以與ROM單元130[i]類(lèi)似的方式與位線BL、字線WL[i+l]和參考電壓節(jié)點(diǎn)136[i+l]電耦接，但是編碼開(kāi)關(guān)134[i+I]設(shè)定為“閉合”或處于低阻態(tài)，以存儲(chǔ)另一預(yù)定的邏輯值，諸如邏輯低值。
[0048]在一些實(shí)施例中，通過(guò)選擇性地形成或省略一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電通孔插塞或?qū)Ь€來(lái)實(shí)施編碼開(kāi)關(guān)134[i]和134[i + l]。在這種配置中，在制造ROM電路100B之后，存儲(chǔ)在ROM單元130[i]和130[i+l]中的邏輯值是固定的。在一些實(shí)施例中，通過(guò)電熔絲(e-fuse)器件來(lái)實(shí)施編碼開(kāi)關(guān)134[i]和134[i + l]。在這種配置中，在制造ROM電路100B之后，存儲(chǔ)在ROM單元130[i]和130[i+l]中的邏輯值是可編程的或可一次性編程的。
[0049]在一些實(shí)施例中，用于實(shí)施ROM電路100A和ROM電路100B的布局設(shè)計(jì)在其晶體管部分處是相同的而在通孔和互連層處是不同的。
[0050]圖2A是根據(jù)一些實(shí)施例的基于圖1A的ROM單元110[i]和110[i+l]的ROM電路200的四個(gè)ROM單元210-11、210-12、210-21和210-22的頂視圖，其中省略了關(guān)于ROM電路200的第二互連層中和上面的組件的所有描述。結(jié)合圖3示出了關(guān)于ROM電路200的第二互連層的細(xì)
-K-
T O
[0051 ] 通過(guò)表示其參考單元邊界的虛線來(lái)在圖2A中確定ROM單元210-11、210-12、210-21和210-22。圖2A還示出了沿著Y方向延伸的參考線X^X2和X3以及沿著X方向延伸的參考線Υι、Υ2和Y3C3ROM單元210-11的單元邊界沿著參考線X1、參考線χ2、參考線YjP參考線Y2延伸。ROM單元210-12的單元邊界沿著參考線X1、參考線X2、參考線Y2和參考線Y3延伸。ROM單元210-21的單元邊界沿著參考線Χ2、參考線Χ3、參考線YjP參考線Y2延伸。ROM單元210-22的單元邊界沿著參考線Χ2、參考線Χ3、參考線Υ2和參考線Υ3延伸。
[0052]在一些實(shí)施例中，Y方向還被稱(chēng)為ROM電路200的列方向，并且X方向還被稱(chēng)為ROM電路200的行方向。
[0053]ROM電路200包括:沿著X方向延伸的柵極帶222、224、226和228 ；沿著Y方向延伸的鰭結(jié)構(gòu)232和234;沿著X方向延伸的接觸結(jié)構(gòu)242、244、252、254、256和258;以及沿著Y方向延伸的導(dǎo)線 262、264、266、268、272、274和276。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)線262、264、266、268、272、274和276位于ROM電路200的第一互連層中。第二互連層設(shè)置在第一互連層上面。結(jié)合圖3示出了關(guān)于ROM電路200的第一互連層的細(xì)節(jié)。
[0054]ROM電路200還包括設(shè)置在第一通孔插塞層(標(biāo)注為Vl或Vl_Coding)處的各個(gè)通孔插塞以及柵極接觸結(jié)構(gòu)GC以電連接各個(gè)柵極帶、接觸結(jié)構(gòu)或?qū)Ь€。
[0055]鰭結(jié)構(gòu)232和234以及導(dǎo)線262、264、266和268延伸越過(guò)1?01單元210-11、210-12、210-21和210-22并且可用作ROM電路200在圖2A中未示出的ROM單元的一部分。
[0056]ROM單元210-11包括第一柵極結(jié)構(gòu)222a、第二柵極結(jié)構(gòu)226a、第一字線跨接線部274a、第二字線跨接線部272a、位線部262a以及參考電壓線部264a。第一柵極結(jié)構(gòu)222a是柵極帶222的位于從參考線乂工至參考線X2的區(qū)域內(nèi)的一部分。第二柵極結(jié)構(gòu)226a是柵極帶226的位于從參考線&至參考線X2的區(qū)域內(nèi)的一部分。第一字線跨接線部274a是導(dǎo)線274的位于從參考線^至參考線Y2的區(qū)域內(nèi)的一部分。第二字線跨接線部272a是導(dǎo)線272的位于從參考線Yi至參考線Y2的區(qū)域內(nèi)的一部分。位線部262a是導(dǎo)線262的位于從參考線￥工至參考線Y2的區(qū)域內(nèi)的一部分。參考電壓線部264a是導(dǎo)線264的位于從參考線^至參考線￥2的區(qū)域內(nèi)的一部分。ROM單元210-11還包括鰭結(jié)構(gòu)232的位于從參考線￥工至參考線Y2的區(qū)域內(nèi)的一部分。
[0057]在一些實(shí)施例中，ROM單元210-11對(duì)應(yīng)于圖1A中的ROM單元110[i]，并且位線部262a對(duì)應(yīng)于圖1A中的位線BL。在一些實(shí)施例中，參考電壓線部264a對(duì)應(yīng)于參考電壓節(jié)點(diǎn)116[i]和124，并且被配置為接收參考電壓VSS。鰭結(jié)構(gòu)232、第一柵極結(jié)構(gòu)222a以及接觸結(jié)構(gòu)242和254—起對(duì)應(yīng)于傳輸器件112[i](圖1A)。鰭結(jié)構(gòu)232、第二柵極結(jié)構(gòu)226a和接觸結(jié)構(gòu)254以及位于第二柵極結(jié)構(gòu)226a的相對(duì)側(cè)上的對(duì)應(yīng)的接觸結(jié)構(gòu)(未示出)一起對(duì)應(yīng)于隔離器件 122(圖 1A)。
[0058]第一柵極結(jié)構(gòu)222a對(duì)應(yīng)于晶體管112[i]的柵極端。接觸結(jié)構(gòu)242對(duì)應(yīng)于晶體管112
[i]的漏極端并且通過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl與位線部262a電連接。接觸結(jié)構(gòu)254對(duì)應(yīng)于晶體管112[i]的源極端并且通過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl_Coding與參考電壓線部264a電連接，以存儲(chǔ)邏輯低值。
[0059]第二柵極結(jié)構(gòu)226a對(duì)應(yīng)于晶體管122的柵極端并且通過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl和對(duì)應(yīng)的柵極接觸結(jié)構(gòu)GC與參考電壓線部264a電連接，以使晶體管122截止。接觸結(jié)構(gòu)254對(duì)應(yīng)于晶體管122的第一漏極/源極端。第二柵極結(jié)構(gòu)226a的相對(duì)側(cè)上的對(duì)應(yīng)的接觸結(jié)構(gòu)(未示出)對(duì)應(yīng)于晶體管122的第二漏極/源極端。
[0060]第一字線跨接線部274a沿著參考線X2延伸并且通過(guò)通孔插塞Vl-1和柵極接觸結(jié)構(gòu)GC-1與第一柵極結(jié)構(gòu)222a電連接。第二字線跨接線部272a沿著參考線X1延伸并且未與ROM單元210-11的單元邊界內(nèi)的第一柵極結(jié)構(gòu)222a電連接。
[0061 ] ROM單元210-12包括第一柵極結(jié)構(gòu)224a、第二柵極結(jié)構(gòu)228a、第一字線跨接線部274b、第二字線跨接線部272b、位線部262b以及參考電壓線部264b。第一柵極結(jié)構(gòu)224a是柵極帶224的位于從參考線乂工至參考線X2的區(qū)域內(nèi)的一部分。第二柵極結(jié)構(gòu)228a是柵極帶228的位于從參考線&至參考線X2的區(qū)域內(nèi)的一部分。第一字線跨接線部274b是導(dǎo)線274的位于從參考線Y2至參考線Y3的區(qū)域內(nèi)的一部分。第二字線跨接線部272b是導(dǎo)線272的位于從參考線Y2至參考線Y3的區(qū)域內(nèi)的一部分。位線部262b是導(dǎo)線262的位于從參考線Y2至參考線Y3的區(qū)域內(nèi)的一部分。參考電壓線部264b是導(dǎo)線264的位于從參考線￥2至參考線Y3的區(qū)域內(nèi)的一部分。ROM單元210-12還包括鰭結(jié)構(gòu)232的位于從參考線Y2至參考線Y3的區(qū)域內(nèi)的一部分。
[0062]ROM單元210-12的第一柵極結(jié)構(gòu)224a、第二柵極結(jié)構(gòu)228a、第一字線跨接線部274b、第二字線跨接線部272b、位線部262b和參考電壓線部264b對(duì)應(yīng)于ROM單元210-11的第一柵極結(jié)構(gòu)222a、第二柵極結(jié)構(gòu)224a、第一字線跨接線部274a、第二字線跨接線部272a、位線部262a和參考電壓線部264a，因此省略其詳細(xì)描述。接觸結(jié)構(gòu)242對(duì)應(yīng)于ROM單元210-12的傳輸器件的漏極端。接觸結(jié)構(gòu)252對(duì)應(yīng)于ROM單元210-12的傳輸器件的源極端和ROM單元210-12的隔離器件的漏極/源極端。
[0063]字線跨接線部274a和字線跨接線部274b在ROM電路200的第一互連層處相互連接。字線跨接線部272a和字線跨接線部274b在ROM電路200的第一互連層處相互連接。
[0064]位線部262a和位線部262b在ROM電路200的第一互連層處相互連接。參考電壓線部264a和參考電壓線部264b在ROM電路200的第一互連層處相互連接。
[0065]與ROM單元210-11相比，第一字線跨接線部274b未與ROM單元210-12的單元邊界內(nèi)的第一柵極結(jié)構(gòu)224a電連接。而且，第二字線跨接線部272b通過(guò)通孔插塞V1-2和柵極接觸結(jié)構(gòu)GC-2與第一柵極結(jié)構(gòu)224a電連接。
[0066]ROM單元210-21包括第一柵極結(jié)構(gòu)222b、第二柵極結(jié)構(gòu)226b、第一字線跨接線部276a、第二字線跨接線部274a、位線部266a以及參考電壓線部268a。第一柵極結(jié)構(gòu)222b是柵極帶222的位于從參考線X2至參考線X3的區(qū)域內(nèi)的一部分。第二柵極結(jié)構(gòu)226b是柵極帶226的位于從參考線X2至參考線X3的區(qū)域內(nèi)的一部分。柵極結(jié)構(gòu)222a和222b相互連接。柵極結(jié)構(gòu)226a和226b相互連接。
[0067]第一字線跨接線部276a是導(dǎo)線276的位于從參考線￥:至參考線￥2的區(qū)域內(nèi)的一部分。第二字線跨接線部274a是與ROM單元210-11的第一字線跨接線部274a所使用的相同的接觸結(jié)構(gòu)。位線部266a是導(dǎo)線266的位于從參考線￥工至參考線Y2的區(qū)域內(nèi)的一部分。參考電壓線部268a是導(dǎo)線268的位于從參考線￥工至參考線Y2的區(qū)域內(nèi)的一部分。ROM單元210-21還包括鰭結(jié)構(gòu)234的位于從參考線Yi至參考線Y2的區(qū)域內(nèi)的一部分。
[0068]ROM單元210-21的第一柵極結(jié)構(gòu)222b、第二柵極結(jié)構(gòu)226b、第一字線跨接線部276a、第二字線跨接線部274a、位線部266a和參考電壓線部268a對(duì)應(yīng)于ROM單元210-11的第一柵極結(jié)構(gòu)222a、第二柵極結(jié)構(gòu)224a、第一字線跨接線部274a、第二字線跨接線部272a、位線部262a和參考電壓線部264a，因此省略其詳細(xì)描述。接觸結(jié)構(gòu)244對(duì)應(yīng)于ROM單元210-21的傳輸器件的漏極端。接觸結(jié)構(gòu)258對(duì)應(yīng)于ROM單元210-21的傳輸器件的源極端和ROM單元210-21的隔離器件的漏極/源極端。
[0069]與ROM單元210-11相比，第一字線跨接線部276a未與ROM單元210-21的單元邊界內(nèi)的第一柵極結(jié)構(gòu)222b電連接。而且，第二字線跨接線部274a通過(guò)通孔插塞Vl-1和柵極接觸結(jié)構(gòu)GC-1與第一柵極結(jié)構(gòu)222b電連接。接觸結(jié)構(gòu)258未與參考電壓線部268a電連接，以存儲(chǔ)邏輯高值。
[0070]ROM單元210-22包括第一柵極結(jié)構(gòu)224b、第二柵極結(jié)構(gòu)228b、第一字線跨接線部276b、第二字線跨接線部274b、位線部266b以及參考電壓線部268b。第一柵極結(jié)構(gòu)224b是柵極帶224的位于從參考線X2至參考線X3的區(qū)域內(nèi)的一部分。第二柵極結(jié)構(gòu)228b是柵極帶228的位于從參考線X2至參考線X3的區(qū)域內(nèi)的一部分。柵極結(jié)構(gòu)224a和224b相互連接。柵極結(jié)構(gòu)228a和228b相互連接。
[0071]第一字線跨接線部276b是導(dǎo)線276的位于從參考線￥2至參考線Y3的區(qū)域內(nèi)的一部分。第二字線跨接線部274b是導(dǎo)線274的位于從參考線￥2至參考線Y3的區(qū)域內(nèi)的一部分。第二字線跨接線部274b是與ROM單元210-12的第一字線跨接線部274b所使用的相同的接觸結(jié)構(gòu)。位線部266b是導(dǎo)線266的位于從參考線Y2至參考線Y3的區(qū)域內(nèi)的一部分。參考電壓線部268b是導(dǎo)線268的位于從參考線Y2至參考線Y3的區(qū)域內(nèi)的一部分。ROM單元210-22還包括鰭結(jié)構(gòu)234的位于從參考線Y2至參考線Y3的區(qū)域內(nèi)的一部分。
[0072]ROM單元210-22的第一柵極結(jié)構(gòu)224b、第二柵極結(jié)構(gòu)228b、第一字線跨接線部276b、第二字線跨接線部274b、位線部266b和參考電壓線部268b對(duì)應(yīng)于ROM單元210-11的第一柵極結(jié)構(gòu)222a、第二柵極結(jié)構(gòu)224a、第一字線跨接線部274a、第二字線跨接線部272a、位線部262a和參考電壓線部264a，因此省略其詳細(xì)描述。接觸結(jié)構(gòu)244對(duì)應(yīng)于ROM單元210-22的傳輸器件的漏極端。接觸結(jié)構(gòu)256對(duì)應(yīng)于ROM單元210-22的傳輸器件的源極端和ROM單元210-22的隔離器件的漏極/源極端。
[0073]字線跨接線部276a和字線跨接線部276b在ROM電路200的第一互連層處相互連接。位線部266a和位線部266b在ROM電路200的第一互連層處相互連接。參考電壓線部268a和參考電壓線部268b在ROM電路200的第一互連層處相互連接。
[0074]與ROM單元210-11相比，第一字線跨接線部276b還通過(guò)通孔插塞V1-3和柵極接觸結(jié)構(gòu)GC-3與第一柵極結(jié)構(gòu)224b電連接。第二字線跨接線部274b未與ROM單元210-22的單元邊界內(nèi)的第一柵極結(jié)構(gòu)224b電連接。
[0075]此外，鰭結(jié)構(gòu)232包括沿著Y方向延伸的三個(gè)鰭結(jié)構(gòu)，并且鰭結(jié)構(gòu)234包括沿著Y方向延伸的三個(gè)鰭結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，鰭結(jié)構(gòu)232和鰭結(jié)構(gòu)234中的每一個(gè)都具有三個(gè)以上或以下的鰭結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，通過(guò)形成多個(gè)平行的鰭結(jié)構(gòu)，然后去除間隙區(qū)域236內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)來(lái)制造鰭結(jié)構(gòu)232和鰭結(jié)構(gòu)234。在一些實(shí)施例中，間隙區(qū)域236的寬度足以容納用于形成字線跨接結(jié)構(gòu)的字線跨接線部和對(duì)應(yīng)的通孔插塞。在這種情況下，包含圖2A中所示的字線跨接結(jié)構(gòu)不需要損失ROM電路200的附加區(qū)域。
[0076]圖2B是根據(jù)一些實(shí)施例的圖2A的四個(gè)ROM單元210-11、210-12、210-21和210-22的頂視圖，其中描述了關(guān)于從ROM電路200的第一互連層至第二互連層的組件。與圖2A中的組件相同或類(lèi)似的組件具有相同的參考標(biāo)號(hào)，因此省略其詳細(xì)描述。
[0077]ROM電路200還包括沿著X方向延伸的導(dǎo)線282、284、286和288。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)線282、284、286和288位于ROM電路200的第二互連層中。ROM電路200還包括設(shè)置在第二通孔插塞層(標(biāo)注為V2)處的各個(gè)通孔插塞以電連接ROM電路200的第一互連層與第二互連層之間的各個(gè)導(dǎo)線。
[0078]ROM單元210-11包括字線部282a和參考電壓線部286a。字線部282a是導(dǎo)線282的位于從參考線Xi至參考線X2的區(qū)域內(nèi)的一部分。參考電壓線部286a是導(dǎo)線286的位于從參考線Xi至參考線X2的區(qū)域內(nèi)的一部分。字線部282a對(duì)應(yīng)于圖1A中的字線WL[i]。參考電壓線部286a對(duì)應(yīng)于參考電壓節(jié)點(diǎn)116[i]和124，并且被配置為接收參考電壓VSS。
[0079]字線部282a通過(guò)通孔插塞V2-1與第一字線跨接線部274a電連接，并且未與ROM單元210-11的單元邊界內(nèi)的第二字線跨接線部272a電連接。參考電壓線部286a通過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔插塞V2與導(dǎo)線264電連接。
[0080]ROM單元210-12包括字線部284a和參考電壓線部288a。字線部284a是導(dǎo)線284的位于從參考線Xi至參考線X2的區(qū)域內(nèi)的一部分。參考電壓線部288a是導(dǎo)線288的位于從參考線Xi至參考線X2的區(qū)域內(nèi)的一部分。字線部284a和參考電壓線部288a對(duì)應(yīng)于ROM單元210-11的字線部282a和參考電壓線部286a，因此省略其詳細(xì)描述。
[0081 ] 與ROM單元210-11相比，字線部284a通過(guò)通孔插塞V2-2與第二字線跨接線部272b電連接，并且未與ROM單元210-12的單元邊界內(nèi)的第一字線跨接線部274b電連接。參考電壓線部288a通過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔插塞V2與導(dǎo)線264電連接。
[0082]ROM單元210-21包括字線部282b和參考電壓線部286b。字線部282b是導(dǎo)線282的位于從參考線X2至參考線X3的區(qū)域內(nèi)的一部分。參考電壓線部286b是導(dǎo)線286的位于從參考線X2至參考線X3的區(qū)域內(nèi)的一部分。字線部282a和282b在ROM電路200的第二互連層處相互連接。參考電壓線部286a和286b在ROM電路200的第二互連層處相互連接。字線部282b和參考電壓線部286b對(duì)應(yīng)于ROM單元210-11的字線部282a和參考電壓線部286a，因此省略其詳細(xì)描述。
[0083]與ROM單元210-11相比，字線部282b通過(guò)通孔插塞V2-1與第二字線跨接線部274a電連接，其是與ROM單元210-11的第一字線跨接線部274a所配置的相同的字線跨接線部。而且，字線線部282b未與ROM單元210-21的單元邊界內(nèi)的第一字線跨接線部276a電連接。參考電壓線部286b通過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔插塞V2與導(dǎo)線268電連接。
[0084]ROM單元210-22包括字線部284b和參考電壓線部288b。字線部284b是導(dǎo)線284的位于從參考線X2至參考線X3的區(qū)域內(nèi)的一部分。參考電壓線部288b是導(dǎo)線288的位于從參考線X2至參考線X3的區(qū)域內(nèi)的一部分。字線部284a和284b在ROM電路200的第二互連層處相互連接。參考電壓線部288a和288b在ROM電路200的第二互連層處相互連接。字線部284b和參考電壓線部288b對(duì)應(yīng)于ROM單元210-11的字線部282a和參考電壓線部286a，因此省略其詳細(xì)描述。
[0085]與ROM單元210-11相比，字線部284b通過(guò)通孔插塞V2-3與第一字線跨接線部276b電連接，并且未與ROM單元210-22的單元邊界內(nèi)的第二字線跨接線部274b電連接。將第二字線跨接線部274b配置為ROM單元210-12的第一字線跨接線部274b。參考電壓線部288b通過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔插塞V2與導(dǎo)線268電連接。
[0086]圖3是根據(jù)一些實(shí)施例的圖2A和圖2B的ROM電路200沿著參考線A-A’截取的截面圖。圖3中的與圖2A和圖2B中的組件相同或類(lèi)似的組件具有相同的參考標(biāo)號(hào)，因此省略其詳細(xì)描述。參考線Li對(duì)應(yīng)于參考線Xi與參考線A-A ’相交的位置。參考線L2對(duì)應(yīng)于參考線X2與參考線A-A ’相交的位置。參考線L3對(duì)應(yīng)于參考線X3與參考線A-A ’相交的位置。
[0087]ROM電路200包括:襯底310;襯底310上方的多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)232和234;位于襯底310上方并且圍繞鰭結(jié)構(gòu)232和234的隔離層320;以及位于隔離層320以及鰭結(jié)構(gòu)232和234上方的柵極帶224 AOM電路200還包括:柵極帶224上方的柵極接觸結(jié)構(gòu)GC-2和GC-3;位于ROM電路200的第一通孔層處并且位于柵極接觸結(jié)構(gòu)GC-2和GC-3上方的通孔插塞V1-2和V1-3;位于ROM電路200的第一互連層處并且位于第一通孔層上方的導(dǎo)線262、264、266、268、272、274和276;位于ROM電路200的第二通孔層處并且位于第一互連層上方的通孔插塞V2-2和V2-3;以及位于ROM電路200的第二互連層處并且位于第二通孔層上方的導(dǎo)線284。
[0088]導(dǎo)線284通過(guò)沿著參考線1^堆疊的通孔插塞V2-2、導(dǎo)線272、通孔插塞V1-2以及柵極接觸結(jié)構(gòu)GC-2與柵極帶224電耦接。導(dǎo)線284通過(guò)沿著參考線L3堆疊的通孔插塞V2-3、導(dǎo)線276、通孔插塞V1-3以及柵極接觸結(jié)構(gòu)GC-3與柵極帶224電耦接。
[0089]在一些實(shí)施例中，襯底310包括:兀素半導(dǎo)體，諸如晶體娃、多晶娃、晶體錯(cuò)、多晶鍺、無(wú)定形結(jié)構(gòu)的硅或無(wú)定形結(jié)構(gòu)的鍺;化合物半導(dǎo)體，包括碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、氮化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦;合金半導(dǎo)體，包括SiGe、GaAsP、Al InAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP和/或GaInAsP;或它們的組合。在至少一個(gè)實(shí)施例中，襯底310是具有梯度SiGe部件的合金半導(dǎo)體襯底，其中Si和Ge組分從梯度SiGe部件的一個(gè)位置處的一個(gè)比率變化至另一位置處的另一比率。在另一實(shí)施例中，合金SiGe形成在硅襯底上方。在又一實(shí)施例中，SiGe襯底受到應(yīng)變。在一些實(shí)施例中，襯底310是絕緣體上半導(dǎo)體。在一些實(shí)例中，襯底310包括外延層或掩埋層。在其他的實(shí)例中，襯底310具有多層結(jié)構(gòu)，或襯底310包括多層化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
[0090]在一些實(shí)施例中，柵極帶222、224、226和228是多晶硅柵極結(jié)構(gòu)或金屬柵極結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，鰭結(jié)構(gòu)232和234是可用作ROM電路200的有源區(qū)域或各個(gè)晶體管的摻雜的半導(dǎo)體材料。在一些實(shí)施例中，接觸結(jié)構(gòu)242、244、252、254、256和258包括諸如多晶硅、硅化物或金屬的材料。
[0091]在一些實(shí)施例中，通孔插塞Vl、Vl_Coding或V2具有包括鋁、銅、鎢、它們的組合的材料或其他合適的材料。在一些實(shí)施例中，柵極接觸結(jié)構(gòu)GC具有包括多晶硅、硅化物、鋁、銅、鎢、它們的組合的材料或其他合適的材料。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)線262、264、266、268、272、274、276和/或284具有包括鋁、銅、它們的組合的材料或其他合適的材料。
[0092]圖4是根據(jù)一些實(shí)施例的基于圖2A和圖2B的ROM單元210-11、210-12、210-21和210-22所實(shí)施的存儲(chǔ)器電路400的一部分的布線圖。
[0093]存儲(chǔ)器電路400包括布置為列0)1^11-1]、0)1111]、0)1111+1]、0^[11+2]和0^[11+3]以及行 R0W[m-3]、R0W[m-2]、R0W[m-l]、R0W[m]、R0W[m+l]和 R0W[m+2]的多個(gè) ROM 單元。存儲(chǔ)器電路400的每一個(gè)ROM單元都具有與圖2A和圖2B中所示的ROM單元210-11、210-12、210-21和210-22中的一個(gè)類(lèi)似的配置。存儲(chǔ)器電路400還包括:在存儲(chǔ)器電路400的第一互連層處沿著方向￥延伸的多個(gè)位線此[11-1]、81111]、81111+1]、81111+2]和此[11+3];在存儲(chǔ)器電路400的第二互連層處沿著X方向延伸的多個(gè)字線WL[m-3]、WL[m-2]、WL[m-l]、WL[m]、WL[m+l]和乳[111+2];在第一互連層處沿著￥方向延伸的第一組參考電壓線410[11-1]、410[11]、410[11+l]、410[n+2]和410[n+3];以及在第二互連層處沿著X方向延伸的第二組參考電壓線420[k]和420[k-l]。指數(shù)“m”、“η”、“k”是可用于確定圖4中的單獨(dú)組件的整數(shù)。
[0094]存儲(chǔ)器電路400包括與圖2A的字線跨接部對(duì)應(yīng)的多個(gè)字線跨接結(jié)構(gòu)(如圖4中的矩形所示)和與圖2A的通孔插塞Vl和Vl_Coding對(duì)應(yīng)的多個(gè)通孔插塞Vl和Vl_Coding。區(qū)域430對(duì)應(yīng)于圖2A和圖2B的ROM單元210-11、210-12、210-21和210-22。通過(guò)復(fù)制區(qū)域430而形成陣列并且選擇性設(shè)置通孔插塞Vl_Coding來(lái)形成記錄數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器電路400。
[0095]與圖2相比，字線WL[m-3]至WL[m+2]還對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器電路400的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)的位置，并且參考電壓線420[k]和420[k-l]還對(duì)應(yīng)于存儲(chǔ)器電路400的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)的位置。
[0096]如圖4所示，在每一行R0W[m_3]至R0W[m+2]中，每?jī)蓚€(gè)相鄰的ROM單元共用電連接至對(duì)應(yīng)的字線WL[m-3]至WL[m+2]的一個(gè)字線跨接結(jié)構(gòu)。而且，每一個(gè)字線跨接結(jié)構(gòu)都未延伸越過(guò)兩個(gè)對(duì)應(yīng)的、相鄰的參考電壓線420[k]和420[k-l]。在每一列C0L[n-l]至C0L[n+3]中，兩個(gè)對(duì)應(yīng)的、相鄰的參考電壓線420[k]與420[k-l]之間的每?jī)蓚€(gè)相鄰的ROM單元都具有兩個(gè)字線跨接結(jié)構(gòu):一個(gè)字線跨接結(jié)構(gòu)用于兩個(gè)相鄰的ROM單元的對(duì)應(yīng)的一個(gè)字線。
[0097]結(jié)合圖2A至圖4示出的存儲(chǔ)器電路200和400基于圖A的存儲(chǔ)器電路100A。在一些實(shí)施例中，修改存儲(chǔ)器電路200和400，以實(shí)施圖1B的存儲(chǔ)器電路100B。例如，對(duì)于存儲(chǔ)單元210-11，接觸結(jié)構(gòu)242對(duì)應(yīng)于晶體管132[i]的源極結(jié)構(gòu)并且通過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl與導(dǎo)線264而不是導(dǎo)線262電連接，并且接觸結(jié)構(gòu)254對(duì)應(yīng)于晶體管132[i]的漏極端并且通過(guò)對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl_Coding與導(dǎo)線262而不是導(dǎo)線264電連接。為了實(shí)施基于存儲(chǔ)器電路100B的存儲(chǔ)器電路，以與上述用于ROM單元210-11的修改的類(lèi)似的方式來(lái)修改ROM單元210-12、210-21和210-22。
[0098]圖5是根據(jù)一些實(shí)施例的基于圖1A或圖1B的ROM單元的ROM電路500的多個(gè)ROM單元和四個(gè)跨接單元的頂視圖，其中省略了關(guān)于ROM單元的一些組件的描述。在一些實(shí)施例中，圖5的ROM單元與圖1A和圖1B的ROM單元不同。
[0099]存儲(chǔ)器電路500包括布置為列COL[ I ]、COL[ 2 ]、COL[ 3 ]和COL[ 4]以及行ROW[ I ]、ROW
[2]、R0W[3]和R0W[4]的多個(gè)ROM單元。存儲(chǔ)器電路500還包括跨接單元列C0L[S]。在一些實(shí)施例中，ROM單元存儲(chǔ)器電路500被分為若干組存儲(chǔ)器陣列，其中列COL[ I ]和COL[ 2 ]屬于一個(gè)存儲(chǔ)器陣列，并且列C0L[3]和C0L[4]屬于另一個(gè)存儲(chǔ)器陣列。圖5利用細(xì)的虛線示出了各個(gè)單元的單元邊界。
[0100]存儲(chǔ)器電路500還包括:在存儲(chǔ)器電路500的第一互連層處沿著方向Y延伸的位線BL[1]、BL[2]、BL[3]和BL[4];在存儲(chǔ)器電路500的第二互連層處沿著X方向延伸的多個(gè)字線WL[1]、WL[2]、WL[3]和WL[4];在第一互連層處沿著Y方向延伸的第一組參考電壓線510[1]、510[2]、510[3]和510[4];以及在第二互連層處沿著乂方向延伸的第二組參考電壓線520[1]、520[2]和520[3]。存儲(chǔ)器電路500還包括與存儲(chǔ)器電路500的傳輸器件的柵電極對(duì)應(yīng)的柵極帶530[1]、530[2]、530[3]和530[4]以及與存儲(chǔ)器電路500的隔離器件的柵電極對(duì)應(yīng)的柵極帶 532[1]、532[2]和 532[3]。
[0101]在一些實(shí)施例中，每一個(gè)ROM單元都具有與圖2A和圖2B所示的ROM單元210-11、210-12、210-21和210-22中的一個(gè)類(lèi)似的配置，因此省略其詳細(xì)描述。在一些實(shí)施例中，每一個(gè)ROM單元都具有與圖2A和圖2B所示的ROM單元210-11、210-12、210-21和210-22中的一個(gè)類(lèi)似的配置，但是不具有用于形成字線跨接結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線272、274和276以及對(duì)應(yīng)的通孔插塞。
[0102]跨接單元542S (未標(biāo)注，位于R0W[ I ]行⑶L [ S ]列處)介于ROM單元542L(未標(biāo)注，位于R0W[1]行C0L[2]列處)與ROM單元542R(未標(biāo)注，位于R0W[1]行C0L[3]列處)之間。跨接單元542S具有為柵極帶530[ I ]的位于跨接單元542S的單元邊界內(nèi)的一部分的第一柵極結(jié)構(gòu)?？缃訂卧?42S的第一柵極結(jié)構(gòu)與ROM單元542L的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)和ROM單元542R的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)連接。跨接單元542S具有為字線WL[1]的位于跨接單元542S的單元邊界內(nèi)的一部分的字線部?？缃訂卧?42S的字線部與ROM單元542L的字線部和ROM單元542R的字線部連接。
[0103]跨接單元542S具有位于ROM電路500的第一互連層處的第一字線跨接線部552a和位于ROM電路500的第一互連層處的第二字線跨接線部554a。第一字線跨接線部552a通過(guò)對(duì)應(yīng)的柵極接觸結(jié)構(gòu)GC和第一通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl與跨接單元542S的第一柵極結(jié)構(gòu)連接。第一字線跨接線部552a通過(guò)第二通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞V2與跨接單元542S的字線部連接。因此，字線WL[1]的一部分(S卩，跨接單元542S的字線部)與跨接單元542S的單元邊界內(nèi)的柵極帶530 [ I ]電耦接。
[0104]另一跨接單元544S(未標(biāo)注，位于R0W[2]行⑶L[S]列處)介于ROM單元544L(未標(biāo)注，位于ROW [ 2 ]行COL [ 2 ]列處)與ROM單元544R (未標(biāo)注，位于ROW [ 2 ]行COL [ 3 ]列處)之間?？缃訂卧?44S具有為柵極帶530[2]的位于跨接單元544S的單元邊界內(nèi)的一部分的第一柵極結(jié)構(gòu)。跨接單元544S的第一柵極結(jié)構(gòu)與ROM單元544L的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)和ROM單元544R的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)連接。跨接單元544S具有為字線WL[2]的位于跨接單元544S的單元邊界內(nèi)的一部分的字線部?？缃訂卧?44S的字線部與ROM單元544L的字線部和ROM單元544R的字線部連接。
[0105]跨接單元544S具有位于ROM電路500的第一互連層處的第一字線跨接線部552b和位于ROM電路500的第一互連層處的第二字線跨接線部554b。字線跨接線部552a和552b相互連接，并且字線跨接線部554a和554b互相連接。第二字線跨接線部554b通過(guò)對(duì)應(yīng)的柵極接觸結(jié)構(gòu)GC和第一通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl與跨接單元544S的第一柵極結(jié)構(gòu)連接。第二字線跨接線部554b通過(guò)第二通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞V2與跨接單元544S的字線部連接。因此，字線WL[2]的一部分(S卩，跨接單元544S的字線部)與跨接單元544S的單元邊界內(nèi)的柵極帶530[2]電耦接。
[0106]跨接單元546S (未標(biāo)注，位于R0W[ 3 ]行C0L[ S]列處)具有與跨接單元542S的字線跨接線部552a和554a對(duì)應(yīng)的字線跨接線部556a和558a?？缃訂卧?48S(未標(biāo)注，位于R0W[4]行C0L[S]列處)具有與跨接單元544S的字線跨接線部552b和554b對(duì)應(yīng)的字線跨接線部556b和558b?？缃訂卧?46S和跨接單元548S具有從跨接單元542S和跨接單元544S復(fù)制的配置，因此省略其詳細(xì)描述。在一些實(shí)施例中，跨接單元546S和跨接單元548S具有以跨接單元542S和跨接單元544S的配置為鏡像的配置，其中字線WL[3]通過(guò)字線跨接線部556a與柵極帶530
[3]電耦接，并且字線WL[4]通過(guò)字線跨接線部558b與柵極帶530[4]電耦接。
[0107]圖6是根據(jù)一些實(shí)施例的基于圖1A或圖1B的ROM單元的另一 ROM電路600的多個(gè)ROM單元和四個(gè)跨接單元的頂視圖，其中省略了關(guān)于ROM單元的一些組件的描述。在一些實(shí)施例中，圖6的ROM單元與圖1A和圖1B的ROM單元不同。
[0108]圖6中的與圖5中的組件相同或類(lèi)似的組件具有相同的參考標(biāo)號(hào)，因此省略其詳細(xì)描述。圖6還利用細(xì)的虛線示出了各個(gè)單元的單元邊界。
[0109]跨接單元612S(未標(biāo)注，位于R0W[1]行⑶L[S]列處)介于ROM單元612L(未標(biāo)注，位于R0W[1]行C0L[2]列處)與ROM單元612R(未標(biāo)注，位于R0W[1]行C0L[3]列處)之間?？缃訂卧?12S的單元邊界包括沿著參考線X4的左邊界和沿著參考線X5的右邊界?？缃訂卧?12S具有為柵極帶530 [ I ]的位于跨接單元612S的單元邊界內(nèi)的一部分的第一柵極結(jié)構(gòu)?？缃訂卧?12S的第一柵極結(jié)構(gòu)與ROM單元612L的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)和ROM單元612R的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)連接?？缃訂卧?12S具有為柵極帶532[ I ]的位于參考線X4與參考線X5以?xún)?nèi)的一部分的第二柵極結(jié)構(gòu)?？缃訂卧?12S的第二柵極結(jié)構(gòu)與ROM單元612L的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)和ROM單元612R的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)連接?？缃訂卧?12S具有為字線WL [ I ]的位于跨接單元612S的單元邊界內(nèi)的一部分的字線部?？缃訂卧?12S的字線部與ROM單元612L的字線部和ROM單元612R的字線部連接。
[0110]跨接單元612S具有位于ROM電路600的第一互連層處的隔離柵極跨接線部622a和位于ROM電路600的第一互連層處的字線跨接線部632。
[0111]字線跨接線部632通過(guò)對(duì)應(yīng)的柵極接觸結(jié)構(gòu)GC和第一通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl與跨接單元612S的第一柵極結(jié)構(gòu)連接。字線跨接線部632還通過(guò)第二通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞V2與跨接單元612S的字線部連接。因此，字線WL[ I ]的一部分(S卩，跨接單元612S的字線部)與跨接單元612S的單元邊界內(nèi)的柵極帶530[1]電耦接。
[0112]隔離柵極跨接線部622a通過(guò)對(duì)應(yīng)的柵極接觸結(jié)構(gòu)GC和第一通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl與跨接單元612S的第二柵極結(jié)構(gòu)連接。隔離柵極跨接線部622a還通過(guò)第二通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞V2與參考線520[ I ]連接。
[0113]另一跨接單元614S(未標(biāo)注，位于R0W[2]行⑶L[S]列處)介于ROM單元614L(未標(biāo)注，位于ROW [ 2 ]行COL [ 2 ]列處)與ROM單元614R (未標(biāo)注，位于ROW [ 2 ]行COL [ 3 ]列處)之間?？缃訂卧?14S具有為柵極帶530[2]的位于跨接單元614S的單元邊界內(nèi)的一部分的第一柵極結(jié)構(gòu)?？缃訂卧?14S的第一柵極結(jié)構(gòu)與ROM單元614L的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)和ROM單元614R的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)連接?？缃訂卧?14S具有為柵極帶532[2]的位于參考線X4與參考線X5以?xún)?nèi)的一部分的第二柵極結(jié)構(gòu)。跨接單元614S的第二柵極結(jié)構(gòu)與ROM單元614L的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)和ROM單元614R的隔離器件的柵極結(jié)構(gòu)連接。跨接單元614S具有位于ROM電路600的第一互連層處的隔離柵極跨接線部622b和位于ROM電路600的第一互連層處的字線跨接線部634。
[0114]字線跨接線部634通過(guò)對(duì)應(yīng)的柵極接觸結(jié)構(gòu)GC和第一通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl與跨接單元614S的第一柵極結(jié)構(gòu)連接。字線跨接線部634還通過(guò)第二通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞V2與跨接單元614S的字線部連接。因此，字線WL[2]的一部分(S卩，跨接單元614S的字線部)與跨接單元614S的單元邊界內(nèi)的柵極帶530[2]電耦接。
[0115]隔離柵極跨接線部622b通過(guò)對(duì)應(yīng)的柵極接觸結(jié)構(gòu)GC和第一通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞Vl與跨接單元614S的第二柵極結(jié)構(gòu)連接。隔離柵極跨接線部622b還通過(guò)第二通孔層處的對(duì)應(yīng)的通孔插塞V2與參考線520[2]連接。隔離柵極跨接線部622a和隔離柵極跨接線部622b相互連接。
[0116]跨接單元616S(未標(biāo)注，位于R0W[3]行C0L[S]列處)具有與跨接單元612S的隔離柵極跨接線部622a和字線跨接線部632對(duì)應(yīng)的隔離柵極跨接線部622c和字線跨接線部636。跨接單元616S和跨接單元614S共用同一隔離器件。隔離柵極跨接線部622b和隔離柵極跨接線部622c相互連接?？缃訂卧?18S(未標(biāo)注，位于R0W[4]行C0L[S]列處)具有與跨接單元614S的隔離柵極跨接線部622b和字線跨接線部634對(duì)應(yīng)的隔離柵極跨接線部622d和字線跨接線部638。隔離柵極跨接線部622c和隔離柵極跨接線部622d相互連接?？缃訂卧?16S和跨接單元618S具有從跨接單元612S和跨接單元614S復(fù)制的配置，因此省略其詳細(xì)描述。
[0117]圖7是根據(jù)一些實(shí)施例的具有圖5和/或圖6的跨接單元的存儲(chǔ)器件700的布線圖。
[0118]存儲(chǔ)器件700包括存儲(chǔ)單元陣列712、714、716和718以及列邊緣單元722a、722b、724a、724b、726a、726b、728a和728b。存儲(chǔ)單元陣列712、714、716和718中的每一個(gè)存儲(chǔ)單元陣列都具有M列和N行ROM單元。M和N是正整數(shù)。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元陣列712、714、716和718中的每一個(gè)ROM單元都具有與圖2A和圖2B中所示的ROM單元210-11、210-12、210-21和210-22中的一個(gè)類(lèi)似的配置。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)單元陣列712、714、716或718中的每一個(gè)存儲(chǔ)單元都具有與圖2A和圖2B所示的ROM單元210-11、210-12、210-21和210-22中的一個(gè)類(lèi)似的配置，但是省略用于形成字線跨接結(jié)構(gòu)的導(dǎo)線272、274和276以及對(duì)應(yīng)的通孔插塞。
[0119]存儲(chǔ)單元陣列712沿著列方向(如，Y方向)放置于列邊緣單元722a與722b之間，存儲(chǔ)單元陣列714沿著Y方向放置于列邊緣單元724a與724b之間，存儲(chǔ)單元陣列716沿著Y方向放置于列邊緣單元726a與726b之間，以及存儲(chǔ)單元陣列718沿著Y方向放置于列邊緣單元728a與728b之間。將四個(gè)存儲(chǔ)單元陣列712、714、716和718描述為非限制性的實(shí)例。在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件700包括四個(gè)以上或以下的存儲(chǔ)單元陣列。
[0120]存儲(chǔ)器件700還包括偽單元區(qū)域(在圖7中被確定為“DUMMY”)以及介于各個(gè)偽單元區(qū)域之間的跨接單元732、734和736的列和兩列邊緣跨接單元742和744。存儲(chǔ)單元陣列712沿著行方向(如，X方向)放置于邊緣跨接單元742與跨接單元732之間，存儲(chǔ)單元陣列714沿著X方向放置于跨接單元732的列與跨接單元734的列之間，存儲(chǔ)單元陣列716沿著X方向放置于跨接單元734的列與跨接單元736的列之間，以及存儲(chǔ)單元陣列718沿著X方向放置于跨接單元736的列與跨接單元744的列之間。
[0121]在一些實(shí)施例中，存儲(chǔ)器件700包括沿著X方向至少延伸穿過(guò)存儲(chǔ)單元陣列712、714、716和718以及跨接單元732、734和736的列的多個(gè)柵極帶和字線。
[0122]在一些實(shí)施例中，跨接單元732、734和736的列具有與圖5的跨接單元542S、544S、546S和548S的列類(lèi)似的配置。在一些實(shí)施例中，與跨接單元542S、544S對(duì)應(yīng)的跨接單元734的列的兩個(gè)相鄰的跨接單元:通過(guò)存儲(chǔ)器陣列714的兩行ROM單元與和跨接單元542S、544S對(duì)應(yīng)的跨接單元732的列的兩個(gè)相鄰的跨接單元分離，并且通過(guò)存儲(chǔ)器陣列716的兩行ROM單元與和跨接單元542S、544S對(duì)應(yīng)的跨接單元736的列的兩個(gè)相鄰的跨接單元分離。
[0123]在一些實(shí)施例中，跨接單元732、734和736的列具有與圖6的跨接單元612S、614S、616S和618S的列類(lèi)似的配置。在一些實(shí)施例中，與跨接單元612S、614S對(duì)應(yīng)的跨接單元734的列的兩個(gè)相鄰的跨接單元:通過(guò)存儲(chǔ)器陣列714的兩行ROM單元與和跨接單元612S、614S對(duì)應(yīng)的跨接單元732的列的兩個(gè)相鄰的跨接單元分離，并且通過(guò)存儲(chǔ)器陣列716的兩行ROM單元與和跨接單元612S、614S對(duì)應(yīng)的跨接單元736的列的兩個(gè)相鄰的跨接單元分離。
[0124]在一些實(shí)施例中，跨接單元732、734和736的列中的至少一列具有與圖5中所示的跨接單元的列類(lèi)似的配置，并且跨接單元732、734和736的列中的至少一列具有與圖6中所示的跨接單元的列類(lèi)似的配置。
[0125]例如，在一些實(shí)施例中，跨接單元734的列具有與圖6的跨接單元612S、614S、616S和618S的列類(lèi)似的配置，并且跨接單元732和736的列具有與圖5的跨接單元542S、544S、546S和548S的列類(lèi)似的配置。在一些實(shí)施例中，與跨接單元612S、614S對(duì)應(yīng)的跨接單元734的列的兩個(gè)相鄰的跨接單元:通過(guò)存儲(chǔ)器陣列714的兩行ROM單元與和跨接單元542S、544S對(duì)應(yīng)的跨接單元732的列的兩個(gè)相鄰的跨接單元分離，并且通過(guò)存儲(chǔ)器陣列716的兩行ROM單元與和跨接單元542S、544S對(duì)應(yīng)的跨接單元736的列的兩個(gè)相鄰的跨接單元分離。
[0126]在一些實(shí)施例中，跨接單元邊緣跨接單元742和744的列是邊緣講跨接單元。邊緣阱跨接單元包括被配置為接收一種或多種偏壓的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)并且將該一種或多種偏壓施加于形成存儲(chǔ)器件700的晶體管所使用的對(duì)應(yīng)的阱區(qū)域。在一些實(shí)施例中，跨接單元邊緣跨接單元742和744的列是結(jié)合的邊緣跨接單元，并且結(jié)合的邊緣跨接單元中的每一個(gè)都包括邊緣阱跨接單元和圖6中所示的跨接單元。
[0127]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，存儲(chǔ)器電路包括第一存儲(chǔ)單元和與第一存儲(chǔ)單元相鄰的第二存儲(chǔ)單元。第一存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件;字線部;第一字線跨接線部，與第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件和第一存儲(chǔ)單元的字線部電耦接；以及第二字線跨接線部。第二存儲(chǔ)單元包括:傳輸器件;字線部;第一字線跨接線部；以及第二字線跨接線部，與第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件和第二存儲(chǔ)單元的字線部電耦接。第一存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部和第二存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部在存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。第一存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部和第二存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部在存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。
[0128]根據(jù)另一實(shí)施例，存儲(chǔ)器電路包括第一存儲(chǔ)單元、與第一存儲(chǔ)單元相鄰的第二存儲(chǔ)單元、第三存儲(chǔ)單元、與第三存儲(chǔ)單元相鄰的第四存儲(chǔ)單元、介于第一存儲(chǔ)單元與第三存儲(chǔ)單元之間的第一跨接單元以及介于第二存儲(chǔ)單元與第四存儲(chǔ)單元之間的第二跨接單元。第一存儲(chǔ)單元包括傳輸器件和字線部。第二存儲(chǔ)單元包括傳輸器件和字線部。第三存儲(chǔ)單元包括傳輸器件和字線部。第四存儲(chǔ)單元包括傳輸器件和字線部。第一跨接單元包括:第一柵極結(jié)構(gòu)，連接第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)與第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)；字線部，連接第一存儲(chǔ)單元的字線部與第三存儲(chǔ)單元的字線部;第一字線跨接線部，與第一跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和第一跨接單元的字線部電耦接；以及第二字線跨接線部。第二跨接單元包括:第一柵極結(jié)構(gòu)，連接第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)與第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu);字線部，連接第二存儲(chǔ)單元的字線部與第四存儲(chǔ)單元的字線部;第一字線跨接線部;以及第二字線跨接線部，與第二跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和第二跨接單元的字線部電耦接。第一跨接單元的第一字線跨接線部和第二跨接單元的第一字線跨接線部在存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。第一跨接單元的第二字線跨接線部和第二跨接單元的第二字線跨接線部在存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。
[0129]根據(jù)另一實(shí)施例，存儲(chǔ)器電路包括第一存儲(chǔ)單元、與第一存儲(chǔ)單元相鄰的第二存儲(chǔ)單元、第三存儲(chǔ)單元、與第三存儲(chǔ)單元相鄰的第四存儲(chǔ)單元、介于第一存儲(chǔ)單元與第三存儲(chǔ)單元之間的第一跨接單元以及介于第二存儲(chǔ)單元與第四存儲(chǔ)單元之間的第二跨接單元。第一存儲(chǔ)單元包括傳輸器件、隔離器件和字線部。第二存儲(chǔ)單元包括傳輸器件、隔離器件和字線部。第三存儲(chǔ)單元包括傳輸器件、隔離器件和字線部。第四存儲(chǔ)單元包括傳輸器件、隔離器件和字線部。第一跨接單元包括:第一柵極結(jié)構(gòu)，連接第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極與第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極;第二柵極結(jié)構(gòu)，連接第一存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極與第三存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極;字線部，連接第一存儲(chǔ)單元的字線部與第三存儲(chǔ)單元的字線部;字線跨接線部，與第一跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和第一跨接單元的字線部電耦接；以及隔離柵極跨接線部，與第一跨接單元的第二柵極結(jié)構(gòu)電耦接。第二跨接單元包括:第一柵極結(jié)構(gòu)，連接第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極與第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極；第二柵極結(jié)構(gòu)，連接第二存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極與第四存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極；字線部，連接第二存儲(chǔ)單元的字線部與第四存儲(chǔ)單元的字線部;字線跨接線部，與第二跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和第二跨接單元的字線部電耦接；以及隔離柵極跨接線部，與第二跨接單元的第二柵極結(jié)構(gòu)電耦接。第一跨接單元的隔離柵極跨接線部和第二跨接單元的隔離柵極跨接線部在存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。第一跨接單元的字線跨接線部位于存儲(chǔ)器電路的第一互連層處。第二跨接單元的字線跨接線部位于存儲(chǔ)器電路的第一互連層處。
[0130]描述了許多實(shí)施例。然而，應(yīng)該理解，可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下做出多種修改。例如，為了說(shuō)明的目的，將各個(gè)晶體管示出為特定的摻雜劑類(lèi)型(如，N型或P型金屬氧化物半導(dǎo)體(NM0S或PM0S))。本發(fā)明的實(shí)施例不限于特定的類(lèi)型。對(duì)于特定的晶體管選擇不同的摻雜劑類(lèi)型，這在各個(gè)實(shí)施例的范圍內(nèi)。以上描述中使用的多種信號(hào)的低或高邏輯值也是為了說(shuō)明。當(dāng)信號(hào)被激活和/或未被激活時(shí)，各個(gè)實(shí)施例不限于特定的邏輯值。選擇不同的邏輯值在各個(gè)實(shí)施例的范圍內(nèi)。在各個(gè)實(shí)施例中，可以將晶體管的源極端配置為漏極端，并且可以將漏極端配置為源極端。
[0131]上面論述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或更改其他用于達(dá)到與這里所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)的處理和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等效構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種存儲(chǔ)器電路，包括: 第一存儲(chǔ)單元，包括: 傳輸器件； 字線部； 第一字線跨接線部，與所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件和所述第一存儲(chǔ)單元的字線部電親接;和 第二字線跨接線部；以及 第二存儲(chǔ)單元，與所述第一存儲(chǔ)單元相鄰，所述第二存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件； 字線部； 第一字線跨接線部;和 第二字線跨接線部，與所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件和所述第二存儲(chǔ)單元的字線部電耦接， 其中，所述第一存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部和所述第二存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接；以及 所述第一存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部和所述第二存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器電路，其中: 所述第一存儲(chǔ)單元的字線部和所述第二存儲(chǔ)單元的字線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層上方的所述存儲(chǔ)器電路的第二互連層處。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器電路，其中: 所述第一存儲(chǔ)單元還包括: 位線部； 所述第二存儲(chǔ)單元還包括: 位線部；以及 所述第一存儲(chǔ)單元的位線部和所述第二存儲(chǔ)單元的位線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器電路，其中: 所述第一存儲(chǔ)單元還包括: 接觸結(jié)構(gòu)，與所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的漏極端和所述第一存儲(chǔ)單元的位線部電親接； 所述第二存儲(chǔ)單元還包括: 接觸結(jié)構(gòu)，與所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的漏極端和所述第一存儲(chǔ)單元的位線部電耦接;以及 所述第一存儲(chǔ)單元的接觸結(jié)構(gòu)和所述第二存儲(chǔ)單元的接觸結(jié)構(gòu)是同一接觸結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器電路，還包括: 第三存儲(chǔ)單元，與所述第一存儲(chǔ)單元相鄰，所述第三存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件； 字線部，與所述第一存儲(chǔ)單元的字線部電耦接； 第一字線跨接線部，所述第三存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部和所述第一存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部是同一線部；以及 第二字線跨接線部，與所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件和所述第三存儲(chǔ)單元的字線部電耦接;以及 第四存儲(chǔ)單元，與所述第三存儲(chǔ)單元和所述第二存儲(chǔ)單元相鄰，所述第四存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件； 字線部，與所述第二存儲(chǔ)單元的字線部電耦接； 第一字線跨接線部，與所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件和所述第四存儲(chǔ)單元的字線部電耦接，所述第四存儲(chǔ)單元的第一字線跨接線部和所述第二存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部是同一線部;和 第二字線跨接線部， 其中，所述第三存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部和所述第四存儲(chǔ)單元的第二字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器電路，其中: 所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件包括: 柵極結(jié)構(gòu)； 所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件包括: 柵極結(jié)構(gòu)； 所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件包括: 柵極結(jié)構(gòu)； 所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件包括: 柵極結(jié)構(gòu)； 所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)連接；以及 所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)連接。7.—種存儲(chǔ)器電路，包括: 第一存儲(chǔ)單元，所述第一存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件;和 字線部； 第二存儲(chǔ)單元，與所述第一存儲(chǔ)單元相鄰，所述第二存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件;和 字線部； 第三存儲(chǔ)單元，所述第三存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件;和 字線部； 第四存儲(chǔ)單元，與所述第三存儲(chǔ)單元相鄰，所述第四存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件;和 字線部； 第一跨接單元，介于所述第一存儲(chǔ)單元與所述第三存儲(chǔ)單元之間，所述第一跨接單元包括: 第一柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)； 字線部，連接所述第一存儲(chǔ)單元的字線部與所述第三存儲(chǔ)單元的字線部； 第一字線跨接線部，與所述第一跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第一跨接單元的字線部電耦接;和 第二字線跨接線部；以及 第二跨接單元，介于所述第二存儲(chǔ)單元與所述第四存儲(chǔ)單元之間，所述第二跨接單元包括: 第一柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)與所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極結(jié)構(gòu)； 字線部，連接所述第二存儲(chǔ)單元的字線部與所述第四存儲(chǔ)單元的字線部； 第一字線跨接線部;和 第二字線跨接線部，與所述第二跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二跨接單元的字線部電耦接， 其中，所述第一跨接單元的第一字線跨接線部和所述第二跨接單元的第一字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接；以及 所述第一跨接單元的第二字線跨接線部和所述第二跨接單元的第二字線跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器電路，其中: 所述第一存儲(chǔ)單元的字線部、所述第二存儲(chǔ)單元的字線部、所述第三存儲(chǔ)單元的字線部、所述第四存儲(chǔ)單元的字線部、所述第一跨接單元的字線部以及所述第二跨接單元的字線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層上方的所述存儲(chǔ)器電路的第二互連層處。9.一種存儲(chǔ)器電路，包括: 第一存儲(chǔ)單元，所述第一存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件； 隔離器件;和 字線部； 第二存儲(chǔ)單元，與所述第一存儲(chǔ)單元相鄰，所述第二存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件； 隔離器件;和 字線部； 第三存儲(chǔ)單元，所述第三存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件； 隔離器件;和 字線部； 第四存儲(chǔ)單元，與所述第三存儲(chǔ)單元相鄰，所述第四存儲(chǔ)單元包括: 傳輸器件； 隔離器件;和 字線部； 第一跨接單元，介于所述第一存儲(chǔ)單元與所述第三存儲(chǔ)單元之間，所述第一跨接單元包括: 第一柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第一存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極與所述第三存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極； 第二柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第一存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極與所述第三存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極； 字線部，連接所述第一存儲(chǔ)單元的字線部與所述第三存儲(chǔ)單元的字線部； 字線跨接線部，與所述第一跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第一跨接單元的字線部電親接;和 隔離柵極跨接線部，與所述第一跨接單元的第二柵極結(jié)構(gòu)電耦接；以及第二跨接單元，介于所述第二存儲(chǔ)單元與所述第四存儲(chǔ)單元之間，所述第二跨接單元包括: 第一柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第二存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極與所述第四存儲(chǔ)單元的傳輸器件的柵極； 第二柵極結(jié)構(gòu)，連接所述第二存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極與所述第四存儲(chǔ)單元的隔離器件的柵極； 字線部，連接所述第二存儲(chǔ)單元的字線部與所述第四存儲(chǔ)單元的字線部； 字線跨接線部，與所述第二跨接單元的第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二跨接單元的字線部電親接;和 隔離柵極跨接線部，與所述第二跨接單元的第二柵極結(jié)構(gòu)電耦接， 其中，所述第一跨接單元的隔離柵極跨接線部和所述第二跨接單元的隔離柵極跨接線部在所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處相互連接； 所述第一跨接單元的字線跨接線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處；以及 所述第二跨接單元的字線跨接線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層處。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器電路，其中: 所述第一存儲(chǔ)單元的字線部、所述第二存儲(chǔ)單元的字線部、所述第三存儲(chǔ)單元的字線部、所述第四存儲(chǔ)單元的字線部、所述第一跨接單元的字線部以及所述第二跨接單元的字線部位于所述存儲(chǔ)器電路的第一互連層上方的所述存儲(chǔ)器電路的第二互連層處。
【文檔編號(hào)】H01L27/02GK105990333SQ201610071611
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2016年2月2日
【發(fā)明人】廖忠志
【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司