加熱的噴頭組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明一般而言包含加熱的噴頭組件，其可用來供應(yīng)處理氣體至處理腔室。該處理腔室可以是蝕刻腔室。當(dāng)該處理氣體從該處理腔室排出時，均勻處理該襯底會有難度。將該處理氣體抽離該襯底并朝向該真空泵推送時，襯底上的等離子體，在蝕刻的情況下可能會不均勻。不均勻的等離子體可造成不均勻蝕刻。為了避免不均勻蝕刻，可將該噴頭組件分為兩個區(qū)域，每一個區(qū)域均具有可獨立控制的氣體導(dǎo)入及溫度控制。該第一區(qū)域?qū)?yīng)該襯底的邊緣，而該第二區(qū)域?qū)?yīng)該襯底的中心。通過獨立控制溫度及通過該噴頭區(qū)域的氣流，可增加該襯底的蝕刻均勻性。
【專利說明】
加熱的噴頭組件
[00011 本申請是申請?zhí)枮?00980102058.4、申請日為2009年1月7日、優(yōu)先權(quán)日為2008年1 月10日并且于2010年7月12日進(jìn)入中國國家階段的PCT專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明的實施例一般涉及一種加熱的噴頭組件。
【背景技術(shù)】
[0003] 集成電路已演進(jìn)成復(fù)雜組件，其可在單個芯片上包含數(shù)百萬個部件（諸如，晶體 管、電容、電阻及諸如此類者）。芯片設(shè)計的演進(jìn)持續(xù)要求更快的電路及更大的電路密度。要 求更大的電路密度需要縮減集成電路部件的尺寸。這種組件的特征結(jié)構(gòu)的最小尺寸在技術(shù) 中通常稱為關(guān)鍵尺寸。該關(guān)鍵尺寸一般包含該特征結(jié)構(gòu)的最小寬度，例如導(dǎo)線、柱體 (co lumn)、開口、導(dǎo)線間的間距及諸如此類者。
[0004] 隨著這些關(guān)鍵尺寸縮小，襯底上的處理均勻性對于維持高產(chǎn)量而言變得最為重 要。集成電路制造中所使用的傳統(tǒng)的等離子體蝕刻處理的一個問題是襯底上的蝕刻速度不 均勻，這可能是因為，在某種程度上，將該處理氣體朝排氣口抽送并遠(yuǎn)離該襯底的真空栗。 因為較容易從該腔室靠近該排氣口的區(qū)域抽出氣體（即該襯底的邊緣），該蝕刻氣體遂被朝 該排氣口推送并遠(yuǎn)離該襯底，因此在設(shè)置在其內(nèi)的襯底上產(chǎn)生不均勻蝕刻。此不均勻性可 嚴(yán)重影響效能，并增加生產(chǎn)集成電路的成本。
[0005] 因此，在技術(shù)中需要一種用來在集成電路制造期間均勻蝕刻材料層的設(shè)備。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 本發(fā)明一般而言包含加熱的噴頭組件，其可用來供應(yīng)處理氣體至處理腔室。在一 個實施例中，噴頭含有噴頭主體，其具有環(huán)繞第二區(qū)域的第一區(qū)域。該第一區(qū)域包含第一氣 室，設(shè)置在該主體的第一側(cè);一或多個第二氣室，設(shè)置在該主體的第二側(cè)；以及復(fù)數(shù)個第一 孔，設(shè)置在復(fù)數(shù)個第一環(huán)狀圖案中，該復(fù)數(shù)個第一孔從該第一氣室延伸至該一或多個第二 氣室。該第二區(qū)域包含第三氣室，設(shè)置在該主體的該第一側(cè);一或多個第四氣室，設(shè)置在該 主體的該第二側(cè)；以及復(fù)數(shù)個第二孔，設(shè)置在復(fù)數(shù)個第二環(huán)狀圖案中，該復(fù)數(shù)個第二孔從該 第三氣室延伸至該一或多個第四氣室。
[0007]在另一實施例中，噴頭組件包含第一氣體擴(kuò)散板，其具有第一側(cè)、第二側(cè)以及兩個 或多個區(qū)域，每一個區(qū)域皆具有從該第一側(cè)延伸通過該第一氣體擴(kuò)散板至該第二側(cè)的復(fù)數(shù) 個第一孔；以及第二氣體擴(kuò)散板，其具有第三側(cè)、第四側(cè)、以及從該第三側(cè)延伸通過該第二 氣體擴(kuò)散板至該第四側(cè)的復(fù)數(shù)個第二孔，其中該第二氣體擴(kuò)散板的第三側(cè)與該第一氣體擴(kuò) 散板的第二側(cè)耦接，并且第二孔的數(shù)量超過第一孔的數(shù)量。
[0008]在另一實施例中，一種翻新噴頭的方法包含將第一噴頭主體從第二噴頭主體拆 下，清潔至少該第一噴頭主體，以及接合該第一噴頭主體至一第三噴頭主體。該第一噴頭主 體具有環(huán)繞第二區(qū)域的第一區(qū)域。該第一區(qū)域包含第一氣室，設(shè)置在該第一噴頭主體的第 一側(cè);一或多個第二氣室，設(shè)置在該第一噴頭主體的第二側(cè)；以及復(fù)數(shù)個第一孔，設(shè)置在復(fù) 數(shù)個第一環(huán)狀圖案中，該復(fù)數(shù)個第一孔從該第一氣室延伸至該一或多個第二氣室。該第二 區(qū)域包含第三氣室，設(shè)置在該第一噴頭主體的該第一側(cè);一或多個第四氣室，設(shè)置在該第一 噴頭主體的該第二側(cè)；以及復(fù)數(shù)個第二孔，設(shè)置在復(fù)數(shù)個第二環(huán)狀圖案中，該復(fù)數(shù)個第二孔 從該第三氣室延伸至該一或多個第四氣室。
【附圖說明】
[0009] 因此可以詳細(xì)了解上述本發(fā)明的特征的方式，可參考實施例對簡短地在前面概述 過的本發(fā)明進(jìn)行更明確的描述，其中某些實施例在附圖中示出。但是應(yīng)注意的是，附圖僅示 出本發(fā)明的一般實施例，因此不應(yīng)視為對其范圍的限制，因為本發(fā)明可允許其它等效實施 例。
[0010] 圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的蝕刻設(shè)備的示意剖面圖。
[0011] 圖2A是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的噴頭組件200的示意剖面圖。
[0012]圖2B是圖2A的內(nèi)部區(qū)域218的近觀圖。
[0013]圖2C是該第一擴(kuò)散板214和該第二擴(kuò)散板216之間接口的近觀圖。
[0014]圖2D是圖2A所示的第一擴(kuò)散板214的底部圖。
[0015]圖3是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的噴頭組件300的示意頂視圖。
[0016]圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的噴頭組件400的示意底部圖。
[0017]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明一個實施例的翻新理方法的處理步驟的流程圖。
[0018] 為了促進(jìn)理解，在可能的情況下使用相同的符號來表示附圖中共有的相同元件。 預(yù)期到在一個實施例中揭示的元件可有益地用于其它實施例，而不需特別注明。
【具體實施方式】
[0019] 本發(fā)明一般而言包含加熱的噴頭組件，其可用來供應(yīng)處理氣體至處理腔室。該處 理腔室可以是蝕刻腔室。當(dāng)該處理氣體從該處理腔室排出時，均勻處理該襯底會有難度。將 該處理氣體抽離該襯底并朝向該真空栗推送時，襯底上的等離子體在蝕刻的情況下可能不 會均勻。不均勻的等離子體可造成不均勻蝕刻。為了避免不均勻蝕刻，可將該噴頭組件分為 兩個區(qū)域，每一個區(qū)域均具有可獨立控制的氣體導(dǎo)入及溫度控制。該第一區(qū)域?qū)?yīng)該襯底 的邊緣，而該第二區(qū)域?qū)?yīng)該襯底的中心。通過獨立控制溫度及通過該噴頭區(qū)域的氣流，可 增加該襯底的蝕刻均勻性。
[0020] 本發(fā)明會在下文參照蝕刻腔室進(jìn)行敘述。但是，多種等離子體沉積和蝕刻腔室可 從本文揭露的教導(dǎo)受惠，尤其是例如ENABLER?蝕刻腔室的介電蝕刻腔室，其可以是半導(dǎo) 體晶體處理系統(tǒng)的一部分，例如CENTURA.-·系統(tǒng)、PRODUCER?蝕刻腔室、Max?蝕刻腔室 等，所有這些皆可從加州圣塔克拉拉的應(yīng)用材料公司取得。預(yù)期到其它等離子體反應(yīng)器(包 含來自其它制造商的)也適于從本發(fā)明受惠。
[0021] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的蝕刻設(shè)備的示意剖面圖。該設(shè)備包含腔室100， 其具有多個壁102,其從腔室底部104往上延伸。在該腔室100內(nèi)，存在有基座（susceptor) 106,可在其上支撐襯底108以進(jìn)行處理。該襯底108可通過狹縫閥開口 120導(dǎo)入該腔室100 內(nèi)。
[0022] 可由通過真空口 156與該腔室壁102耦接的真空栗112來排空該腔室100。該腔室 100可通過抽取該處理氣體繞行并通過擋板110來排空，該檔板110外接該基座106和襯底 108。距離該真空栗112越遠(yuǎn)，可檢測到越弱的真空吸引。相反地，距離該真空栗112越近，可 檢測到越強(qiáng)的真空吸引。因此，為了補(bǔ)償不均勻的真空吸引，可在該腔室100內(nèi)設(shè)置流量均 衡器116。該流量均衡器116可外接該基座106。與該流量均衡器116在最接近該真空口 156位 置處的寬度(如箭頭"C"所示)相比，該流量均衡器116的寬度在距離該真空口 156較遠(yuǎn)處可 較小(如箭頭"B"所示）。排出的氣體可在該流量均衡器周圍流動，然后通過較低的襯里114。 該較低的襯里114可具有一或多個通過其間的孔，以容許該處理氣體通過其間排出。空間 118存在于該較低的襯里114和該腔室100的壁102之間，以容許該氣體在該較低的襯里114 后方流動至該真空口 156。可利用阻流器154堵住該真空口 156,以避免處理氣體從接近該襯 底108的區(qū)域直接被抽入該真空栗112內(nèi)。排出的氣體可沿著箭頭"A"所示路徑流動。
[0023] 處理氣體可通過噴頭122引入該處理腔室100。該噴頭122可利用來自RF(射頻)功 率源152的RF電流偏壓，并且該噴頭122可包含第一擴(kuò)散板126和第二擴(kuò)散板124。在一個實 施例中，該第一擴(kuò)散板126可含鋁。在另一實施例中，該第二擴(kuò)散板124可含碳化硅。該第一 擴(kuò)散板126和該第二擴(kuò)散板124可接合在一起。在一個實施例中，該第一擴(kuò)散板126和該第二 擴(kuò)散板124可焊接在一起。在另一實施例中，該第一擴(kuò)散板126和該第二擴(kuò)散板124可利用彈 性體接合在一起。該噴頭122可分為內(nèi)部區(qū)域158和外部區(qū)域160。該內(nèi)部區(qū)域158可具有加 熱元件128。在一個實施例中，該加熱元件128可以是環(huán)狀。該加熱元件128可與加熱源148耦 接。該外部區(qū)域160也可包含與加熱源150耦接的加熱元件130。在一個實施例中，該加熱元 件128、130可包含環(huán)狀導(dǎo)管，其充滿來自該加熱源148、150的加熱流體。在另一實施例中，該 加熱元件128、130可包含由該加熱源148、150供電的加熱線圈。雖未示出，但是熱偶可提供 實時的溫度回饋至控制器，該控制器控制供應(yīng)給該內(nèi)部區(qū)域158和該外部區(qū)域160的熱量。 [0024]該內(nèi)部區(qū)域158可通過管道146與氣源138耦接。來自該氣源138的氣體可流經(jīng)該管 道146至設(shè)置在該噴頭122的第一擴(kuò)散板126后方的氣室132?？裳刂摴艿?46設(shè)置閥142以 控制從該氣源138流至該氣室132的氣體量。一旦該氣體進(jìn)入該氣室132,該氣體接著可通過 該擴(kuò)散板124、126。同樣地，該外部區(qū)域160可通過管道144與氣源138耦接?？裳刂摴艿?144設(shè)置閥140以控制從該氣源136流至該氣室134的氣體量。
[0025] 應(yīng)了解雖然在圖1中已經(jīng)示出分開的氣源136、138,但可使用單一共同氣源。使用 單一共同氣源時，分離的管道144、146可耦接至該氣源，并且閥140、142可控制抵達(dá)該氣室 132、134的處理氣體量。
[0026]圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的噴頭組件200的示意剖面圖。該噴頭組件200包 含背板212,其與第一擴(kuò)散板214和第二擴(kuò)散板216耦接。該噴頭組件200包含內(nèi)部區(qū)域218和 外部區(qū)域220。該內(nèi)部區(qū)域可與加熱源222耦接，該加熱源222供熱給該加熱元件226。氣源 204也可通過管道208與該內(nèi)部區(qū)域218耦接。閥210可沿著該管道208耦接，以控制提供給該 氣室230的處理氣體量。該內(nèi)部區(qū)域218和該外部區(qū)域220可以是環(huán)狀。加熱源224也可與該 外部區(qū)域220的加熱元件228耦接。氣源202可通過管道206與該外部區(qū)域220的氣室232耦 接。沿著該管道206的閥210可控制抵達(dá)該氣室232的處理氣體量。
[0027]圖2B是圖2A的內(nèi)部區(qū)域218的近觀圖。進(jìn)入該氣室230的處理氣體因為孔口 238而 在該氣室內(nèi)平均分布。該孔口 238的尺寸經(jīng)設(shè)計而在該第一擴(kuò)散板214的氣體通道246間產(chǎn) 生平均的處理氣體分布。該孔口 238可具有箭頭"D"所示的直徑。因為該孔口 238的直徑比該 氣室230小，故處理氣體可在該氣室內(nèi)累積，并且實質(zhì)上等量的處理氣體可通過該孔口 238。 一旦通過該孔口，該處理氣體可在第一擴(kuò)張管道240內(nèi)擴(kuò)張。該第一擴(kuò)張管道240可具有箭 頭"E"所示的直徑。該第一擴(kuò)張管道240的直徑比該孔口 238的直徑大。在通過該第一擴(kuò)張管 道240后，該處理氣體進(jìn)入第二擴(kuò)張管道242。該第二擴(kuò)張管道242具有箭頭所示的寬度。 [0028]該第二擴(kuò)散板216也包含復(fù)數(shù)個氣體通道244。該氣體通道244與該第一擴(kuò)散板214 的第二擴(kuò)張管道242耦接，使得每一個第二擴(kuò)張管道242形成至少一個環(huán)狀氣室，以讓氣體 流入該氣體通道244。該第二擴(kuò)散板216的氣體通道244的每一個皆具有箭頭"G"所示的寬度 或直徑。該氣體通道244的寬度或直徑小于該第二擴(kuò)張管道242的寬度或直徑。該第二擴(kuò)張 管道242可用作該第二擴(kuò)散板216的氣體通道244的氣室。因為每一個氣體通道244的寬度或 直徑實質(zhì)上相同，該處理氣體可在進(jìn)入該氣體通道244之前在該第二擴(kuò)張管道242內(nèi)平均分 布。因此，實質(zhì)上等量的處理氣體可流經(jīng)每一個氣體通道244。該氣體通道244、246可穿入該 擴(kuò)散板214、216內(nèi)。該氣體通道244全體設(shè)置在環(huán)繞該擴(kuò)散板216的環(huán)狀圖案內(nèi)。在一個實施 例中，該氣體通道244的環(huán)狀圖案的寬度實質(zhì)上等于該第二擴(kuò)張管道242的寬度。
[0029] 該第一擴(kuò)散板214可接合至該第二擴(kuò)散板216。在一個實施例中，該第一擴(kuò)散板214 可經(jīng)陽極化，然后接合至該第二擴(kuò)散板216。在一個實施例中，該接合材料248可含有一種硅 膠基接合材料。圖2C是該第一擴(kuò)散板214和該第二擴(kuò)散板216之間接口的近觀圖。如圖2C所 示，該第一擴(kuò)散板214的底表面具有復(fù)數(shù)個擴(kuò)張管道242,處理氣體在進(jìn)入該第二擴(kuò)散板216 之前進(jìn)入其內(nèi)擴(kuò)張。設(shè)置在環(huán)狀圖案內(nèi)的每一個氣體通道246皆饋入共同的擴(kuò)張管道242。 該擴(kuò)張管道242可允許該處理氣體平均分布，然后進(jìn)入該第二擴(kuò)散板216的氣體通道244。在 一個實施例中，每一個擴(kuò)張管道242是環(huán)狀溝槽，其穿入該第一擴(kuò)散板214的底表面。圖2D是 圖2A所示的第一擴(kuò)散板214的底部圖。該第一擴(kuò)散板214的氣體通道246可饋入擴(kuò)張管道 242,在此該氣體可在進(jìn)入該第二擴(kuò)散板216的氣體通道244之前平均分布。
[0030] 一或多個接合溝槽250可穿入該第一擴(kuò)散板214內(nèi)。該接合溝槽250可以是設(shè)置在 相鄰的擴(kuò)張管道242之間的環(huán)狀管道。該接合溝槽250可具有箭頭"L"所示的高度。在一個實 施例中，該接合溝槽250的高度可低于如箭頭"N"所示的擴(kuò)張管道242的高度。在另一實施例 中，該接合溝槽250的高度實質(zhì)上可等于該擴(kuò)張管道242的高度?？臻g252可保留在該第一擴(kuò) 散板214和該第二擴(kuò)散板216之間。該空間252可設(shè)置在該擴(kuò)張管道242和相鄰的接合溝槽 250之間。若該空間252太小，微?？赡軙氯谄渲?。若該空間252太大，則會有太多接合材 料248暴露在該處理氣體中并可能被該處理氣體攻擊而毀壞該接合材料248。該空間252可 具有箭頭"M"所示的高度，其足夠小而減少可能在處理期間暴露在處理氣體中的任何接合 材料248逸出并通過該第二擴(kuò)散板216的氣體通道244。在一個實施例中，該空間252的高度 可在約0.005英寸至約0.009英寸之間。應(yīng)了解雖然該接合溝槽250已經(jīng)穿入該第一擴(kuò)散板 214內(nèi)，但該接合溝槽250也可穿入該第二擴(kuò)散板216內(nèi)，只要該接合溝槽250不會阻礙該第 二擴(kuò)散板216的氣體通道244,或危及該第二擴(kuò)散板216的結(jié)構(gòu)完整性。
[0031] 再參見圖2A，該內(nèi)部區(qū)域218可具有通過該第一擴(kuò)散板214的復(fù)數(shù)個氣體通道246。 在一個實施例中，五個氣體通道246可存在于該內(nèi)部區(qū)域218內(nèi)。該外部區(qū)域220也可具有通 過該第一擴(kuò)散板214的復(fù)數(shù)個氣體通道246。在一個實施例中，三個氣體通道246可存在于該 外部區(qū)域220中。該內(nèi)部區(qū)域218內(nèi)的氣體通道246的數(shù)量可大于該外部區(qū)域220內(nèi)的氣體通 道246的數(shù)量。應(yīng)理解可在該內(nèi)部區(qū)域218和該外部區(qū)域220中使用較多或較少的氣體通道 246，這取決于特定腔室的流動特性。
[0032]通過該噴頭組件200的內(nèi)部區(qū)域218的氣流可大于通過該噴頭組件200的外部區(qū)域 220的氣流。當(dāng)在該處理腔室內(nèi)抽真空時，該襯底的邊緣可能會暴露在較大量的處理氣體 中，因為對應(yīng)于該襯底中心的處理氣體在前往該真空栗的路徑上會經(jīng)過該襯底邊緣。通過 在該噴頭組件200的內(nèi)部區(qū)域218中具有較大氣流，該襯底中心可如同該襯底邊緣那樣暴露 在實質(zhì)上等量的處理氣體中。
[0033]可通過加熱該噴頭組件200至高于該接合材料248的熔點的溫度來去接合 (debond)該噴頭組件200。之后，可從該第二擴(kuò)散板216上移除該第一擴(kuò)散板214,并除去該 接合材料248。然后可清潔該第一擴(kuò)散板214和該第二擴(kuò)散板216兩者。若任一個板214、216 無法修復(fù)，則可置換該板214、216并再接合至另一個板214、216上。在一個實施例中，該第一 擴(kuò)散板214可再陽極化。在一個實施例中，可使用一冷去接合處理。該冷去接合處理可包含 將該第二擴(kuò)散板216從該第一擴(kuò)散板214物理切下。然后可從該擴(kuò)散板214、216上除去該接 合材料248。在一個實施例中，可利用蝕刻來除去該接合材料248。在另一實施例中，可通過 例如研磨的處理來加工該接合材料以除去該接合材料248。
[0034]圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的噴頭組件300的概要頂視圖。該噴頭組件300包 含外部區(qū)域302和內(nèi)部區(qū)域304。該外部區(qū)域302包含加熱組件308,而該內(nèi)部區(qū)域包含加熱 組件310。在該內(nèi)部區(qū)域304和該外部區(qū)域302內(nèi)，示出復(fù)數(shù)個孔口306。在該外部區(qū)域302內(nèi)， 該孔口306設(shè)置在三個環(huán)狀圖案中。應(yīng)理解雖然示出三個環(huán)狀圖案，但該孔口306可設(shè)置在 更多或更少個環(huán)狀圖案中。此外，該孔口 306可隨機(jī)散布在該外部區(qū)域302內(nèi)。在所示實施例 中，該環(huán)狀圖案相隔由箭頭"H"所示的距離。
[0035] 在該內(nèi)部區(qū)域304內(nèi)，該孔口306設(shè)置在五個環(huán)狀圖案中。應(yīng)理解雖然示出五個環(huán) 狀圖案，但該孔口306可設(shè)置在更多或更少個環(huán)狀圖案中。此外，該孔口306可隨機(jī)散布在該 內(nèi)部區(qū)域304內(nèi)。在所示實施例中，該環(huán)狀圖案相隔由箭頭"Γ所示的距離。該外部區(qū)域302 和該內(nèi)部區(qū)域304的環(huán)狀圖案之間的距離由箭頭"J"示出。在一個實施例中，"J"實質(zhì)上等于 "1"，并且實質(zhì)上等于"兒'。
[0036]圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的噴頭組件400的概要底部圖。該噴頭組件400包 含擴(kuò)散板402,其具有復(fù)數(shù)個環(huán)狀圖案404。在每一個環(huán)狀圖案中的是開口 406的環(huán)狀圖案。 雖然在每一個圖案404內(nèi)示出三個開口 406的環(huán)狀圖案，但應(yīng)理解到可存在更多或更少個開 口406的環(huán)狀圖案。在該環(huán)狀圖案404內(nèi)，開口406的環(huán)狀圖案可等距相隔。該環(huán)狀圖案404可 等距相隔箭頭"K"所示的距離。雖然示出八個環(huán)狀圖案404,但應(yīng)理解到可存在更多或更少 環(huán)狀圖案404。
[0037] 一旦噴頭組件已經(jīng)使用一段時間，該噴頭組件可能會變臟，該氣體通道可能會阻 塞，或者該噴頭組件可能劣化，因此繼續(xù)使用該噴頭組件會是不明智的。在某些情況中，可 對該噴頭組件進(jìn)行翻新，因此其可再度使用。圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的噴頭翻新方 法的流程圖500。
[0038]首先，可拆卸該噴頭組件(步驟502)。該拆卸包含將該第一氣體擴(kuò)散板從該第二氣 體擴(kuò)散板拆下。該拆卸可包含單純地將該板拉開、加熱該組件至將該板接合在一起的材料 的熔點或更高的溫度、或?qū)⒃摪迩虚_。
[0039] 在拆卸該組件的后，檢測該第一及第二氣體擴(kuò)散板(步驟504)。檢測該板以判定其 是否可在適當(dāng)?shù)那鍧嵉暮笤偈褂茫蛘咂涫欠褚褤p壞(步驟506)。若板已損壞、無法清潔、或 因其它原因而無法使用，則丟棄該板(步驟508)，并取得第三或置換板(步驟510)。
[0040] 若一或多個板是可清潔的，則清潔該板(步驟512)，以從該板除去任何接合材料以 及可能沉積在該板上或該氣體通道內(nèi)的任何材料。在清潔之后，可能需要再陽極化該板(步 驟514)。之后，可再接合該清潔板，或者在置換板的情況中，可將該清潔板接合至該置換板 (步驟516)。
[0041] 在蝕刻處理中，具有內(nèi)部區(qū)域和外部區(qū)域的噴頭會是有益的。該區(qū)域的個別氣源 和溫度控制讓技術(shù)員可控制該處理腔室內(nèi)的等離子體，并補(bǔ)償處理期間在該腔室內(nèi)抽取的 真空。
[0042]雖然前述針對本發(fā)明實施例，但本發(fā)明的其它及進(jìn)一步實施例可在不背離其基本 范圍下設(shè)計出，并且其范圍由權(quán)利要求界定。
【主權(quán)項】
1. 一種噴頭翻新方法，其包含： 將第一噴頭主體從第二噴頭主體拆下，所述第一噴頭主體具有環(huán)繞第二區(qū)域的第一區(qū) 域，其中，所述第一區(qū)域具有： 第一氣室，設(shè)置在所述主體的第一側(cè)； 一或多個第二氣室，設(shè)置在所述主體的第二側(cè)；以及 多個第一孔，配置在多個第一環(huán)狀圖案中，所述多個第一孔從所述第一氣室延伸至所 述一或多個第二氣室;并且 所述第二區(qū)域具有： 第三氣室，設(shè)置在所述主體的第一側(cè)； 一或多個第四氣室，設(shè)置在所述主體的第二側(cè)；以及 多個第二孔，配置在多個第二環(huán)狀圖案中，所述多個第二孔從所述第三氣室延伸至所 述一或多個第四氣室； 清潔至少所述第一噴頭主體;并且 接合所述第一噴頭主體至第三噴頭主體。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二噴頭主體和所述第三噴頭主體是相同的 噴頭主體。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，所述方法還包含： 清潔所述第二噴頭主體。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一噴頭主體包含陽極化鋁。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，所述方法還包含： 在接合前再陽極化所述第一噴頭主體。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包含： 針對損壞檢測所述第一和第二噴頭主體。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述清潔至少所述第一噴頭主體包括去除接合材 料。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，去除所述接合材料包括加工或者蝕刻所述接合材 料。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，拆下所述第一噴頭主體和第二噴頭主體包括將所 述第一噴頭主體和第二噴頭主體加熱到接合材料的熔點以上的溫度，或者從所述第二噴頭 主體切除所述第一噴頭主體。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述接合所述第一噴頭主體至第三噴頭主體包 括用接合材料將所述第一噴頭主體接合到所述第三噴頭主體。11. 一種噴頭翻新方法，其包含： 將第一噴頭主體從噴頭組件的第二噴頭主體拆下； 清潔所述第一噴頭主體或者置換所述第一噴頭主體，其中，所述第一噴頭主體包括： 第一側(cè)； 與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)；以及 兩個或者多個區(qū)域，其中，每個區(qū)域具有限定在所述第一側(cè)上的氣室、限定在所述第二 側(cè)上的至少一個擴(kuò)張管道、一個或者多個加熱線圈以及從所述氣室延伸通過所述第一噴頭 主體至所述至少一個擴(kuò)張管道并形成在一個或者多個第一環(huán)狀圖案中的多個第一孔，并且 其中，所述兩個或者多個區(qū)域中的第一區(qū)域環(huán)繞所述兩個或者多個區(qū)域中的第二區(qū)域； 清潔所述第二噴頭主體或者置換所述第二噴頭主體，其中，所述第二噴頭主體包括： 第三側(cè)； 與所述第三側(cè)相對的第四側(cè)；以及 多個第二孔，所述多個第二孔從所述第三側(cè)延伸通過所述第二噴頭主體至所述第四側(cè) 并形成在兩個或者多個第二環(huán)狀圖案中，其中， 所述第二孔的數(shù)量超過所述第一孔的數(shù)量;并且 將所述第一噴頭主體的所述第二側(cè)再接合到所述第二噴頭主體的所述第三側(cè)以形成 所述噴頭組件，其中，當(dāng)形成所述噴頭組件時，所述多個第二孔與所述擴(kuò)張管道流體連通。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包含： 針對損壞檢測所述第一噴頭主體和所述第二噴頭主體。13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，清潔所述第一噴頭主體和所述第二噴頭主體包 括去除接合材料。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，去除所述接合材料包括加工所述接合材料。15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，去除所述接合材料包括蝕刻所述接合材料。16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一噴頭主體包含陽極化鋁。17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，所述方法還包含： 在接合前再陽極化所述第一噴頭主體。18. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，拆下所述第一噴頭主體和第二噴頭主體包括將 所述噴頭組件加熱到接合材料的熔點以上的溫度。19. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，拆下所述第一噴頭主體和第二噴頭主體包括從 所述第二噴頭主體切除所述第一噴頭主體。20. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述再接合所述第一噴頭主體和所述第二噴頭 主體包括用接合材料將所述第一噴頭主體接合到所述第二噴頭主體。
【文檔編號】H01J37/32GK106024618SQ201610352823
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2009年1月7日
【發(fā)明人】詹姆斯·D·卡達(dá)希, 歐加·萊格拉曼, 卡洛·貝拉, 道格拉斯·A·布池貝爾格爾, 保羅·比瑞哈特
【申請人】應(yīng)用材料公司