一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本申請公開了一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，配置用于封裝晶圓，基板中設(shè)有可供晶圓嵌入的腔體；腔體的下方設(shè)有第一金屬焊盤，第一金屬焊盤與晶圓之間通過第一金屬通孔連通；腔體的上方設(shè)有銅箔，銅箔與第一金屬焊盤之間通過第二金屬通孔連通，銅箔的上方設(shè)有第二金屬焊盤，第二金屬焊盤與銅箔之間通過第三金屬通孔連通；第一金屬通孔、第一金屬焊盤、第二金屬通孔、銅箔、第三金屬通孔和第二金屬焊盤通過層壓固定設(shè)置在所述基板中。本發(fā)明的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)更加輕、薄及緊湊。
【專利說明】
一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本公開一般涉及半導(dǎo)體技術(shù)，具體涉及晶圓封裝，尤其涉及再嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，以及再布線工藝和打線結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]晶圓級封裝較多的產(chǎn)品采用金屬再布線的連接方式，部分采用銅柱再布線工藝，但是銅柱再布線的成本和輔助工藝難度。
[0003]在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，打線技術(shù)被廣泛地使用在芯片或基板等承載件上，其通常通過多條焊線電性連接該芯片上的焊墊與該基板上的接墊。而隨著電子產(chǎn)品的需求效能愈來愈高，各焊線的電性信號彼此之間的噪聲干擾也愈來愈多，部分電性信號在傳遞中會效率下降或者失真。
[0004]隨著便攜式電子產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體器件日益需要小型化和大容量。為了實現(xiàn)小型化和大容量，大量的半導(dǎo)體芯片需要安裝在半導(dǎo)體封裝件中，并且半導(dǎo)體封裝件需要輕、薄及緊湊。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種再布線工藝，以及一種打線結(jié)構(gòu)和一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]根據(jù)本公開的第一方面，提供了一種再布線工藝，包括
[0007]在晶圓上形成緩沖層；
[0008]在所述緩沖層上形成鈦籽晶層；
[0009]在所述鈦籽晶層上形成金屬薄膜；
[0010]在所述金屬薄膜上鋪滿光刻膠；
[0011]剝離金屬薄膜上無效區(qū)域的光刻膠，所述無效區(qū)域?qū)?yīng)于用于非電性連接的區(qū)域；
[0012]腐蝕掉無效區(qū)域?qū)?yīng)位置處的金屬薄膜和鈦籽晶層；以及
[0013]浸泡剝離剩余的光刻膠。
[0014]優(yōu)選地，在晶圓上形成緩沖層之前，還包括:
[0015]所述晶圓表面上設(shè)置有晶圓金屬焊盤和鈍化層;所述晶圓金屬焊盤設(shè)置在所述晶圓表面和所述鈍化層之間，所述鈍化層覆蓋所述晶圓表面并露出所述晶圓金屬焊盤；
[0016]在所述鈍化層表面形成所述緩沖層，并且所述緩沖層露出所述晶圓金屬焊盤。
[0017]優(yōu)選地，所述緩沖層為聚酰亞胺膠層，所述鈍化層為氮化硅層。
[0018]優(yōu)選地，所述在所述緩沖層上形成鈦籽晶層包括:
[0019]在所述聚酰亞胺膠層表面濺鍍鈦籽晶層。
[0020 ]優(yōu)選地，所述鈦籽晶層的厚度是I OOnm。
[0021 ]優(yōu)選地，所述在所述鈦籽晶層上形成金屬薄膜包括:
[0022]在所述鈦籽晶層表面濺鍍或蒸鍍金屬薄膜。
[0023]優(yōu)選地，所述金屬薄膜的厚度是Ιμπι以上。
[0024]優(yōu)選地，所述剝離金屬薄膜上無效區(qū)域的光刻膠包括:
[0025]通過曝光或顯影工藝，剝離金屬薄膜上無效區(qū)域的光刻膠。
[0026]優(yōu)選地，所述腐蝕掉無效區(qū)域?qū)?yīng)位置處的金屬薄膜和鈦籽晶層包括:
[0027]采用鋁腐蝕液先將無效區(qū)域?qū)?yīng)位置處的金屬薄膜腐蝕，再將露出的鈦籽晶層腐蝕。
[0028]優(yōu)選地，所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜。
[0029]根據(jù)本公開的第二方面，提供了一種打線結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括:
[0030]框架，所述框架上設(shè)有至少一個焊點；
[0031]晶圓，所述晶圓設(shè)置在所述框架上，所述晶圓上設(shè)有金屬薄膜層；以及
[0032]至少一個連接線，所述連接線設(shè)置于所述框架與所述晶圓之間，并構(gòu)成了所述焊點與所述金屬薄膜層的電性連接。
[0033]優(yōu)選地，所述晶圓的上表面向上順序設(shè)有鈦籽晶層和所述金屬薄膜層。
[0034]優(yōu)選地，所述晶圓上設(shè)有晶圓金屬焊盤，所述晶圓金屬焊盤上設(shè)有鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述晶圓的上表面并露出所述晶圓金屬焊盤，所述鈦籽晶層設(shè)置在所述鈍化層上。
[0035]優(yōu)選地，所述鈍化層與所述鈦籽晶層之間設(shè)有緩沖層，所述緩沖層覆蓋所述鈍化層的上表面并露出所述晶圓金屬焊盤。
[0036]優(yōu)選地，所述緩沖層為聚酰亞胺膠層。
[0037]優(yōu)選地，所述鈍化層為氮化硅層。
[0038]優(yōu)選地，所述連接線為鍵合線。
[0039]優(yōu)選地，所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜。
[0040]優(yōu)選地，所述鋁金屬薄膜的厚度是Ιμπι以上。
[0041 ]根據(jù)本公開的第三方面，提供了一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括:
[0042]基板，配置用于封裝晶圓，所述基板中設(shè)有可供所述晶圓嵌入的腔體；
[0043]所述腔體的下方設(shè)有第一金屬焊盤，所述第一金屬焊盤與所述晶圓之間通過第一金屬通孔連通;所述腔體的上方設(shè)有銅箔，所述銅箔與所述第一金屬焊盤之間通過第二金屬通孔連通，所述銅箔的上方設(shè)有第二金屬焊盤，所述第二金屬焊盤與所述銅箔之間通過第三金屬通孔連通;所述第一金屬通孔、所述第一金屬焊盤、所述第二金屬通孔、所述銅箔、所述第三金屬通孔和所述第二金屬焊盤通過層壓固定設(shè)置在所述基板中。
[0044]優(yōu)選地，所述第一金屬通孔、所述第一金屬焊盤、所述第二金屬通孔、所述銅箔、所述第三金屬通孔和所述第二金屬焊盤分別壓合在各自的樹脂材料中，再通過各個樹脂材料層壓合固定于所述基板中。
[0045]優(yōu)選地，還包括晶圓，所述晶圓倒裝并嵌入于所述腔體中；以及再布線結(jié)構(gòu)，所述再布線結(jié)構(gòu)電性連接所述晶圓與所述基板。
[0046]優(yōu)選地，所述再布線結(jié)構(gòu)電性連接所述晶圓和所述第一金屬焊盤。
[0047]優(yōu)選地，再布線結(jié)構(gòu)包括鈦籽晶層和金屬薄膜層，所述鈦籽晶層設(shè)置在所述晶圓上，所述金屬薄膜層與所述第一金屬焊盤電性連接。
[0048]優(yōu)選地，所述晶圓上設(shè)有晶圓金屬焊盤，所述晶圓金屬焊盤上設(shè)有鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述晶圓的上表面并露出所述晶圓金屬焊盤，所述鈦籽晶層設(shè)置在所述鈍化層上。
[0049]優(yōu)選地，所述鈍化層與所述鈦籽晶層之間設(shè)有緩沖層，所述緩沖層也露出所述晶圓金屬焊盤。
[0050]優(yōu)選地，所述緩沖層為聚酰亞胺膠層。
[0051 ]優(yōu)選地，所述鈍化層為氮化硅層。
[0052]優(yōu)選地，所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜，且所述鋁金屬薄膜的厚度是Ιμπι以上。
[0053]根據(jù)本申請的再布線工藝，由于采用鋁金屬薄膜，效降了成本和工藝難度。
[0054]根據(jù)本申請的打線結(jié)構(gòu)，由于在金屬薄膜層與焊點之間打線，實現(xiàn)電連接，因此使電性信號能夠保持高效率，且不失真。
[0055]根據(jù)本申請，由于設(shè)計了嵌入式的結(jié)構(gòu)形式，因此使得封裝件結(jié)構(gòu)上更加輕、薄及緊湊。
【附圖說明】
[0056]通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0057]圖1根據(jù)本申請實施例的再布線工藝的流程圖；
[0058]圖2根據(jù)本申請實施例的再布線工藝SlO后得到的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖3根據(jù)本申請實施例的再布線工藝S20后得到的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0060]圖4根據(jù)本申請實施例的再布線工藝S30后得到的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖5根據(jù)本申請實施例的再布線工藝S50后得到的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖6根據(jù)本申請實施例的再布線工藝S60后得到的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0063]圖7根據(jù)本申請實施例的再布線工藝S70后得到的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064]圖8根據(jù)本申請實施例的再布線工藝Sll后得到的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0065]圖9根據(jù)本申請實施例的打線結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0066]圖10根據(jù)本申請實施例的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實施方式】
[0067]下面結(jié)合附圖和實施例對本申請作進一步的詳細說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。
[0068]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細說明本申請。
[0069]請參考圖1，其示出了本申請實施例的再布線工藝的流程圖。如圖所示，再布線工藝包括:
[0070]S10:在晶圓101上形成緩沖層201，形成如圖2所示結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地緩沖層201為聚酰亞胺膠層。
[0071]S20:在緩沖層201上形成鈦籽晶層301，鈦籽晶層301將位于緩沖層201內(nèi)的區(qū)域全部覆蓋，形成如圖3所示結(jié)構(gòu)。
[0072]S30:在鈦籽晶層301上形成金屬薄膜302，形成如圖4所示結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，金屬薄膜302為鋁金屬薄膜。
[0073]S40:在金屬薄膜上鋪滿光刻膠303。
[0074]S50:剝離金屬薄膜302上無效區(qū)域的光刻膠303，無效區(qū)域?qū)?yīng)于用于非電性連接的區(qū)域，形成如圖5所示結(jié)構(gòu)。
[0075]S60:腐蝕掉無效區(qū)域?qū)?yīng)位置處的金屬薄膜302和鈦籽晶層301，形成如圖6所示結(jié)構(gòu)。
[0076]S70:浸泡剝離剩余的光刻膠303，形成如圖7所示結(jié)構(gòu)，使金屬薄膜用于非電性連接的有效區(qū)域無連接，形成再布線結(jié)構(gòu)。
[0077]采用本實施方式的再布線工藝，形成緩沖層，將晶圓表面的結(jié)構(gòu)平坦化，有效釋放應(yīng)力。而且，在用于非電性連接的有效區(qū)域設(shè)置鋁金屬薄膜302，并通過鋁金屬薄膜302與外界打線，實現(xiàn)電性連接。鋁金屬薄膜302的面積較大，用以打線和實現(xiàn)電性連接的位置較多，使得電性信號能夠穩(wěn)定地傳遞。從而，使得電性信號能夠保持高效率且不失真。
[0078]進一步優(yōu)選地實施方式，步驟SlO之前，晶圓表面上設(shè)置有晶圓金屬焊盤和鈍化層，優(yōu)選地，鈍化層為氮化硅層。晶圓金屬焊盤102設(shè)置在晶圓101表面和鈍化層103之間，鈍化層103覆蓋晶圓101表面并露出晶圓金屬焊盤102;在鈍化層103表面形成緩沖層201，并且緩沖層201露出晶圓金屬焊盤102，如圖8所示結(jié)構(gòu)。這樣，在氮化硅層上形成聚酰亞胺膠層，可以增加氮化物結(jié)構(gòu)的表面平整度，有效釋放應(yīng)力，防止了因脆性材料斷裂，導(dǎo)致的底層漏電問題。
[0079]進一步優(yōu)選地實施方式，步驟S20，具體包括:在聚酰亞胺膠層201表面濺鍍鈦籽晶層301，其中鈦籽晶層301不僅要覆蓋于緩沖層201的表面也要將晶圓金屬焊盤102覆蓋，形成圖3所示結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，鈦籽晶層301的厚度是lOOnm。
[0080]進一步優(yōu)選地實施方式，步驟S30，具體包括:在鈦籽晶層301表面濺鍍或蒸鍍金屬薄膜302，形成如圖4所示結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，金屬薄膜302的厚度是Ιμπι以上。
[0081 ]進一步優(yōu)選地實施方式，步驟S40，具體包括:通過曝光或顯影工藝，剝離金屬薄膜302上無效區(qū)域的光刻膠303。
[0082]進一步優(yōu)選地實施方式，步驟S50，具體包括:在剝離掉無效區(qū)域的光刻膠303后，采用鋁腐蝕液先將無效區(qū)域?qū)?yīng)位置處的金屬薄膜302腐蝕，金屬薄膜302被腐蝕掉后露出鈦籽晶層301，再將露出鈦籽晶層301腐蝕。
[0083]采用本申請的再布線工藝，較低了工藝難度較低，而且利用鋁金屬薄膜實現(xiàn)再布線結(jié)構(gòu)，鋁金屬價格便宜，可有效降低了再布線的成本。
[0084]請參考圖9，其示出了本申請實施例的打線結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案。如圖9所示，打線結(jié)構(gòu)包括:框架401、晶圓和連接線402，晶圓設(shè)置在框架401上，晶圓上設(shè)有金屬薄膜302。其中框架401上設(shè)有至少一個焊點，而連接線402也至少為一個。并且，連接線402設(shè)置于框架401與晶圓之間，并構(gòu)成了焊點與金屬薄膜302的電性連接，即完成了焊點與金屬薄膜302之間的打線。金屬薄膜302的面積較大，可以用來與焊點打線和實現(xiàn)電性連接的位置較多，這樣，能夠使得電性信號能夠穩(wěn)定地在晶圓和框架401之間傳遞。從而，使得電性信號能夠保持高效率且不失真。優(yōu)選地，金屬薄膜302為鋁金屬薄膜層，鋁材料便宜，降低生產(chǎn)成本;進一步優(yōu)選地，金屬薄膜302的厚度是Ιμπι以上。優(yōu)選地，連接線402為鍵合線，具有優(yōu)異的電氣、導(dǎo)熱、機械性能以及化學(xué)穩(wěn)定性。
[0085]進一步優(yōu)選地實施方式，晶圓101的上表面設(shè)有鈦籽晶層301，金屬薄膜302在鈦籽晶層301上。鈦籽晶層可以促進晶圓形成，因而可以提供更多的能夠與外界打線的有效區(qū)域。
[0086]進一步優(yōu)選地實施方式，晶圓101上設(shè)有晶圓金屬焊盤102，金屬焊盤上方設(shè)有鈍化層103，鈍化層103覆蓋晶圓101的上表面并露出晶圓金屬焊盤102，優(yōu)選地，鈍化層103為氮化硅層。鈍化層103覆蓋晶圓1I的上表面，鈦籽晶層301設(shè)置在鈍化層103上。鈍化層相當(dāng)于晶圓的保護層，防止晶圓被腐蝕。
[0087]進一步優(yōu)選地實施方式，鈍化層103與鈦籽晶層301之間設(shè)有緩沖層201，緩沖層201覆蓋鈍化層103的上表面并露出晶圓金屬焊盤102，鈦籽晶層301不僅要覆蓋于緩沖層201的表面也要將晶圓金屬焊盤102覆蓋，優(yōu)選地，緩沖層201為聚酰亞胺膠層。緩沖層能夠?qū)⒕A表面的結(jié)構(gòu)平坦化，有效釋放應(yīng)力。
[0088]請參考圖10，其示出了根據(jù)本申請實施例的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案。如圖10所示，一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，包括基板501，配置用于封裝晶圓101，基板中設(shè)有可供晶圓101嵌入的腔體。腔體的下方設(shè)有第一金屬焊盤504，第一金屬焊盤504與晶圓404之間通過第一金屬通孔503連通。腔體的上方設(shè)有銅箔502，銅箔502與第一金屬焊盤504之間通過第二金屬通孔505連通。這樣，晶圓101上的用于電性連接的有效區(qū)域通過第一金屬通孔503、第一金屬焊盤504和第二金屬通孔505導(dǎo)通至銅箔502。銅箔的上方設(shè)有第二金屬焊盤507，第二金屬焊盤507與銅箔502之間通過第三金屬通孔506連通。這樣，晶圓101上的有效區(qū)域再通過第三金屬通孔506導(dǎo)通至第二金屬焊盤507，并可以在第二金屬焊盤507處于其他元件實現(xiàn)外部的電性連接。其中，第一金屬通孔503、第二金屬通孔505和第三金屬通孔506，不僅可以起到導(dǎo)電作用；在與外部元件電連接時還可以起到散熱作用，減少了基本內(nèi)部的熱量聚集，提高了導(dǎo)電效率。同時，在基板中設(shè)置銅箔，由圖10所示，銅箔橫向設(shè)置，這樣可以將第二金屬焊盤507的位置向基板的兩側(cè)擴展，從而在基板501中可以留有更大的腔體空間。優(yōu)選地，腔體中可以設(shè)有多個晶圓。并且，第二金屬焊盤的507位置向基板501的兩側(cè)擴展，可以使得設(shè)置在上方的晶圓可以與第二金屬焊盤之間存在足夠長的打線距離。
[0089]進一步優(yōu)選地實施方式，第一金屬通孔503、第一金屬焊盤504、第二金屬通孔505、銅箔502、第三金屬通孔506和第二金屬焊盤507通過層壓固定設(shè)置在基板中。優(yōu)選地，通過樹脂材料層壓合固定基板中。
[0090]進一步優(yōu)選地實施方式，嵌入式封裝結(jié)構(gòu)還包括晶圓101和再布線結(jié)構(gòu)，晶圓倒裝并嵌入于腔體中，通過再布線結(jié)構(gòu)電性連接晶圓與基板，進一步地，通過再布線結(jié)構(gòu)電性連接晶圓和第一金屬焊盤504。這樣，晶圓倒裝設(shè)置更加安全，而且嵌入式的封裝，結(jié)構(gòu)上更加輕、薄及緊湊。
[0091]進一步優(yōu)選地實施方式，如圖10所示，再布線結(jié)構(gòu)包括鈦籽晶層301和金屬薄膜層302，所述鈦籽晶層301設(shè)置在所述晶圓102上。鈦籽晶層可以促進晶圓形成，因而可以提供更多的能夠與外界打線的有效區(qū)域。
[0092]進一步優(yōu)選地實施方式，晶圓101上設(shè)有晶圓金屬焊盤102，金屬焊盤上方設(shè)有鈍化層103，優(yōu)選地，鈍化層103為氮化硅層。鈍化層103覆蓋晶圓1I的上表面并露出晶圓金屬焊盤102，鈦籽晶層301設(shè)置在鈍化層103上。鈍化層相當(dāng)于晶圓的保護層，防止晶圓被腐蝕。
[0093]進一步優(yōu)選地實施方式，鈍化層103與鈦籽晶層301之間設(shè)有緩沖層201，緩沖層201覆蓋于鈍化層103上并露出晶圓金屬焊盤102，其中，鈦籽晶層301不僅要覆蓋于緩沖層201的表面也要將晶圓金屬焊盤102覆蓋。優(yōu)選地，緩沖層201為聚酰亞胺膠層。緩沖層能夠?qū)⒕A表面的結(jié)構(gòu)平坦化，有效釋放應(yīng)力。
[0094]在本申請的設(shè)備和方法中，顯然，各部件或各步驟是可以分解、組合和/或分解后重新組合的。這些分解和/或重新組合應(yīng)視為本發(fā)明的等效方案。還需要指出的是，執(zhí)行上述系列處理的步驟可以自然地按照說明的順序按時間順序執(zhí)行，但是并不需要一定按照時間順序執(zhí)行。某些步驟可以并行或彼此獨立地執(zhí)行。同時，在上面對本申請具體實施例的描述中，針對一種實施方式描述和/或示出的特征可以以相同或類似的方式在一個或更多個其它實施方式中使用，與其它實施方式中的特征相組合，或替代其它實施方式中的特征。
[0095]應(yīng)該強調(diào)，術(shù)語“包括/包含”在本文使用時指特征、要素、步驟或組件的存在，但并不排除一個或更多個其它特征、要素、步驟或組件的存在或附加。
[0096]雖然已經(jīng)詳細說明了本發(fā)明及其優(yōu)點，但是應(yīng)當(dāng)理解在不超出由所附的權(quán)利要求所限定的本申請的精神和范圍的情況下可以進行各種改變、替代和變換。而且，本申請的范圍不僅限于說明書所描述的過程、設(shè)備、手段、方法和步驟的具體實施例。本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員從本申請的公開內(nèi)容將容易理解，根據(jù)本申請可以使用執(zhí)行與在此所述的相應(yīng)實施例基本相同的功能或者獲得與其基本相同的結(jié)果的、現(xiàn)有和將來要被開發(fā)的過程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。因此，所附的權(quán)利要求旨在在它們的范圍內(nèi)包括這樣的過程、設(shè)備、手段、方法或者步驟。
【主權(quán)項】
1.一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括: 基板，配置用于封裝晶圓，所述基板中設(shè)有可供所述晶圓嵌入的腔體； 所述腔體的下方設(shè)有第一金屬焊盤，所述第一金屬焊盤與所述晶圓之間通過第一金屬通孔連通;所述腔體的上方設(shè)有銅箔，所述銅箔與所述第一金屬焊盤之間通過第二金屬通孔連通，所述銅箔的上方設(shè)有第二金屬焊盤，所述第二金屬焊盤與所述銅箔之間通過第三金屬通孔連通;所述第一金屬通孔、所述第一金屬焊盤、所述第二金屬通孔、所述銅箔、所述第三金屬通孔和所述第二金屬焊盤通過層壓固定設(shè)置在所述基板中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一金屬通孔、所述第一金屬焊盤、所述第二金屬通孔、所述銅箔、所述第三金屬通孔和所述第二金屬焊盤分別壓合在各自的樹脂材料中，再通過各個樹脂材料層壓合固定于所述基板中。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括晶圓，所述晶圓倒裝并嵌入于所述腔體中；以及再布線結(jié)構(gòu)，所述再布線結(jié)構(gòu)電性連接所述晶圓與所述基板。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述再布線結(jié)構(gòu)電性連接所述晶圓和所述第一金屬焊盤。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，再布線結(jié)構(gòu)包括鈦籽晶層和金屬薄膜層，所述鈦籽晶層設(shè)置在所述晶圓上，所述金屬薄膜層與所述第一金屬焊盤電性連接。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶圓上設(shè)有晶圓金屬焊盤，所述晶圓金屬焊盤上設(shè)有鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述晶圓的上表面并露出所述晶圓金屬焊盤，所述鈦籽晶層設(shè)置在所述鈍化層上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層與所述鈦籽晶層之間設(shè)有緩沖層，所述緩沖層也露出所述晶圓金屬焊盤。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層為聚酰亞胺膠層。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層為氮化硅層。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬薄膜為鋁金屬薄膜，且所述鋁金屬薄膜的厚度是Um以上。
【文檔編號】H01L23/485GK106024657SQ201610465118
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年6月24日
【發(fā)明人】高國華
【申請人】南通富士通微電子股份有限公司