用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具及其應(yīng)用
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具及其應(yīng)用，所述包括第一夾板、第二夾板、第一滑桿、第二滑桿和手柄，第一夾板和第二夾板平行設(shè)置；第一滑桿一端垂直的固定在第一夾板上，另一端配合的穿過第二夾板；第二滑桿一端垂直的固定在第二夾板上，另一端配合的穿過第一夾板；手柄固定在第一滑桿或第二滑桿上，第一夾板和第二夾板相互正對的一面上分別設(shè)有相互配合的卡槽。第一夾板、第二夾板、第一滑桿、第二滑桿和手柄均由鐵氟龍材料加工而成。該夾具結(jié)構(gòu)簡單、夾取方便；該夾具可以應(yīng)用于半導(dǎo)體微納器件的清洗、刻蝕、顯影、潤洗、去膠等濕法工藝中，效率高，操作方便。
【專利說明】
用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具及其應(yīng)用
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體微納器件的微加工工藝領(lǐng)域，具體涉及一種用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具及其應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前，單晶硅、碳化硅、帶氧化層基板、玻璃基板、陶瓷基板及光刻掩模板在半導(dǎo)體器件的微加工工藝中，所有與基板接觸的外部媒介都是基板上沾有雜質(zhì)污染的可能來源。這主要包括以下幾個(gè)方面:基板在加工成型過程中的污染、紫外光刻過程中的污染、環(huán)境污染、水造成的污染、試劑帶來的污染、工業(yè)氣體造成的污染、工藝本身造成的污染、人體造成的污染等。半導(dǎo)體微納器件制作中，基板和掩模板必須在超凈環(huán)境中經(jīng)嚴(yán)格清洗才能進(jìn)行下一步工藝，否則其帶有的微量污染和雜質(zhì)會導(dǎo)致器件性能下降和器件失效。
[0003]基板和掩模板清洗的目的在于清除基板和掩模板表面的污染雜質(zhì)，包括金屬、有機(jī)物和無機(jī)物等。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)存在，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于基板和掩模板表面。半導(dǎo)體微納器件的制作是以清洗并得到干凈基板為起點(diǎn)的，基板清洗是半導(dǎo)體器件制造中最重要最頻繁的步驟，而且其效率將直接影響到器件的成品率、性能和可靠性，這就對清洗工藝的高效性和可靠性提出了很高的要求。而光刻掩模板是否干凈是光刻工藝是否成功的一個(gè)重要原因，若掩模板上有污染物，會阻礙紫外線的穿過，最終導(dǎo)致光刻的失敗。因此，開發(fā)出一種在微納器件制作過程中，用于4/6英寸或更大尺寸的晶圓、光刻掩模板和各種不同尺寸樣品的用于清洗、顯影、潤洗、去膠、濕法刻蝕、適度甩干等程序的樣品夾具成為現(xiàn)實(shí)之需。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具，該夾具結(jié)構(gòu)簡單、夾取方便;該夾具可以應(yīng)用于半導(dǎo)體微納器件的清洗、刻蝕、顯影、潤洗、去膠等濕法工藝中，效率高，操作方便。
[0005]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
一種用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具，包括第一夾板、第二夾板、第一滑桿、第二滑桿和手柄，第一夾板和第二夾板平行設(shè)置;第一滑桿一端垂直的固定在第一夾板上另一端配合的穿過第二夾板;第二滑桿一端垂直的固定在第二夾板上，另一端配合的穿過第一夾板;手柄固定在第一滑桿或第二滑桿上，第一夾板和第二夾板相互正對的一面上分別設(shè)有相互配合的卡槽。第一夾板、第二夾板、第一滑桿、第二滑桿和手柄均由鐵氟龍材料加工而成。
[0006]進(jìn)一步地，卡槽為半圓形的直線槽。
[0007]進(jìn)一步地，第一滑桿與第一夾板、第二滑桿與第二夾板、手柄與第一滑桿或第二滑桿分別通過螺紋連接固定。
[0008]—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行晶圓的濕法清洗工藝，包括如下步驟:
1)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，用丙酮超聲清洗；
2)取晶圓(通過鑷子)，將晶圓放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將晶圓夾緊固定；
3)拿住手柄，將晶圓依次放入乙醇和丙酮中超聲清洗或放入兩者的混合液中超聲清洗；
4)取出晶圓(通過鑷子)，將晶圓轉(zhuǎn)移到烘箱中或熱臺上烘干，烘干溫度保持為135-180
。匕
[0009]—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行光刻掩模板的濕法清洗工藝，包括如下步驟:
I)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，依次用乙醇和丙酮超聲清洗；
2 )取光刻掩模板，將光刻掩模板放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將光刻掩模板夾緊固定；
3)拿住手柄，將光刻掩模板依次放入乙醇和丙酮中超聲清洗或放入兩者的混合溶液中超聲清洗；
4)取出光刻掩模板，用無塵紙拭擦干凈，將光刻掩模板轉(zhuǎn)移到烘箱中或熱臺上烘干，烘干溫度保持為100-150 °C。
[0010]—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行晶圓的金屬膜濕法刻蝕工藝，包括如下步驟:
1)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，依次用乙醇和丙酮超聲清洗;
2)將已進(jìn)行紫外光刻的晶圓放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將晶圓夾緊固定；
3)將晶圓置于裝有刻蝕液的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使晶圓與刻蝕液充分接觸，浸泡后將晶圓放置在燒杯中并用去離子水水流沖洗晶圓，沖洗后將刻蝕液和去離子水倒入回收瓶；
4)將晶圓置于裝有去膠液的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使晶圓與去膠液充分接觸，浸泡后將晶圓放置在燒杯中并用去離子水流沖洗晶圓，沖洗后將去膠液和去離子水倒入回收瓶；
5)取出晶圓(通過鑷子)，將晶圓轉(zhuǎn)移到烘箱中或熱臺上烘干，烘干溫度保持為135-180
。匕
[0011]—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行晶圓的濕法刻蝕工藝，包括如下步驟:
1)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，依次用乙醇和丙酮超聲清洗;
2)(通過鑷子)將已進(jìn)行紫外光刻的晶圓放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將晶圓夾緊固定；
3)將晶圓置于裝有刻蝕液的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使晶圓與刻蝕液充分接觸，浸泡后將晶圓放置在燒杯中并用去離子水水流沖洗晶圓，沖洗后將刻蝕液和去離子水倒入回收瓶；
4)取出晶圓(通過鑷子)，將晶圓轉(zhuǎn)移到烘箱中烘干，烘干溫度保持為135-180 °C。
[0012]一種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行顯影、潤洗、去膠的濕法工藝，包括如下步驟:
1)準(zhǔn)備好已進(jìn)行過紫外光刻加工的半導(dǎo)體微納器件樣品；
2)將用于顯影和潤洗的燒杯及用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具采用去離子水在超聲裝置中清洗，再將用于顯影的燒杯中注入適量顯影液；
3)將已進(jìn)行紫外光刻的樣品放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將光刻掩模板夾緊固定，將樣品置于顯影的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使樣品與顯影液充分接觸，浸泡后擺動手柄將樣品適當(dāng)甩干，然后將顯影液倒入回收瓶；
4)將樣品轉(zhuǎn)移到用于潤洗的燒杯中，并注入適量潤洗液，持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使樣品與潤洗液充分接觸，浸泡后擺動手柄將樣品適當(dāng)甩干，然后將潤洗液倒入回收瓶；
5)將上述各燒杯采用去離子水在超聲裝置中清洗；
6)將已顯影、潤洗的樣品烘干；
7)將潤洗干凈的樣品表面鍍一層金屬或非金屬薄膜，再將樣品放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將樣品夾緊固定，向用于去膠的干凈燒杯中注入適量的去膠液(如用于正膠或負(fù)膠的相應(yīng)有機(jī)溶劑或?qū)Ｓ萌ツz液)；
8)將樣品置于去膠的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使樣品與去膠液充分接觸，浸泡后擺動手柄將樣品適當(dāng)甩干，然后將去膠液倒入回收瓶；
9)將樣品轉(zhuǎn)移到用于潤洗的干凈燒杯中，并注入適量潤洗液，持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使樣品與潤洗液充分接觸，浸泡后擺動手柄將樣品適當(dāng)甩干，然后將潤洗液倒入回收瓶；
10)將上述各燒杯采用去離子水在超聲裝置中清洗；
11)將已去膠和潤洗的樣品烘干。
[0013]本發(fā)明的有益效果是:
1.使用時(shí)，將樣品放置在卡槽上，通過移動第一滑桿或第二滑桿調(diào)整第一夾板和第二夾板之間的距離即可將樣品夾緊，操作方便;該夾具可放置不同形狀的樣品，第一夾板和第二夾板可以左右自由移動，方便放入和取出不同尺寸的樣品；整個(gè)夾具由鐵氟龍材料加工而成，具有抗強(qiáng)酸腐蝕、抗強(qiáng)堿腐蝕、在各種有機(jī)溶劑中完全適用等優(yōu)點(diǎn)，可以保證在多種溶液環(huán)境中有效清洗和濕法加工微納器件，而不至于損壞裝置和沾污樣品。
[0014]2.半圓形卡槽適用于晶圓等具有曲面的半導(dǎo)體微納器件樣品的夾取固定。
[0015]3.通過螺紋連接固定，可以將夾具快速安裝和拆卸，便于攜帶。
【附圖說明】
[0016]圖1是用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具的實(shí)施例的主視圖。
[0017]圖2是圖1的俯視圖。
[0018]圖中:1-摩擦紋;2_螺紋柱和螺紋孔;3_第二滑桿;4_第一夾板;5_通孔;6_手柄;7_第一滑桿;8-第二夾板;9-卡槽。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
[0020]如圖1和圖2所示，一種用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具，包括第一夾板4、第二夾板8、第一滑桿7、第二滑桿3和手柄6，第一夾板4和第二夾板8平行設(shè)置，第一滑桿7—端垂直的固定在第一夾板4上，另一端配合的穿過第二夾板8，第二滑桿3—端垂直的固定在第二夾板8上，另一端配合的穿過第一夾板4(第一夾板4上設(shè)有與第二滑桿3配合的通孔5，第二夾板8上設(shè)有與第一滑桿7配合的通孔5)，手柄6固定在第一滑桿7上(手柄6上設(shè)有摩擦紋I)，第一夾板4和第二夾板8相互正對的一面上分別設(shè)有相互配合的卡槽9，第一夾板4、第二夾板8、第一滑桿7、第二滑桿3和手柄6均由鐵氟龍材料加工而成。使用時(shí)，將樣品放置在卡槽9上，通過移動第一滑桿7或第二滑桿3調(diào)整第一夾板4和第二夾板8之間的距離即可將樣品夾緊，操作方便;該夾具可放置不同形狀的樣品，第一夾板4和第二夾板8可以左右自由移動，方便放入和取出不同尺寸的樣品；整個(gè)夾具由鐵氟龍所制成，具有抗強(qiáng)酸腐蝕、抗強(qiáng)堿腐蝕、在各種有機(jī)溶劑中完全適用等優(yōu)點(diǎn)，可以保證在多種溶液環(huán)境中有效清洗和濕法加工微納器件而不至于損壞裝置和沾污樣品。
[0021]如圖2所示，在本實(shí)施例中，卡槽9為半圓形的直線槽。半圓形卡槽適用于晶圓等具有曲面的半導(dǎo)體微納器件樣品的夾取固定。
[0022]如圖1和圖2所示，在本實(shí)施例中，第一滑桿7與第一夾板4、第二滑桿3與第二夾板
8、手柄6與第一滑桿7分別通過螺紋連接固定(第一滑桿7的一端和第二滑桿3的一端分別設(shè)有螺紋柱，第一夾板4和第二夾板8上分別設(shè)有與相應(yīng)螺紋柱配合的螺紋孔，手柄6的一端設(shè)有螺紋柱，第一滑桿7上設(shè)有與之配合的螺紋孔)。通過螺紋柱和螺紋孔2連接固定，可以將夾具快速安裝和拆卸，便于攜帶。
[0023]本發(fā)明的夾具可以應(yīng)用于半導(dǎo)體微納器件的清洗、刻蝕、顯影、潤洗、去膠等濕法工藝中，具體過程如下。
[0024]—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行晶圓的濕法清洗工藝，包括如下步驟:
1)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，用丙酮超聲清洗；
2)(通過鑷子)取晶圓(取常用的晶圓尺寸為4寸和6寸，也可以是其它尺寸的晶圓，也可以是玻璃基板)，將晶圓放置在卡槽9內(nèi)并通過第一夾板4和第二夾板8將晶圓夾緊固定；
3)拿住手柄6，將晶圓依次放入乙醇和丙酮中超聲清洗或放入兩者的混合液中超聲清洗；
4)取出晶圓(通過鑷子)，將晶圓轉(zhuǎn)移到烘箱中或熱臺上烘干，烘干溫度保持為135-180° C(烘干時(shí)間一般為20-60分鐘)。
[0025]—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行光刻掩模板的濕法清洗工藝，包括如下步驟:
I)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，依次用乙醇和丙酮超聲清洗;
2)取光刻掩模板，將光刻掩模板放置在卡槽9內(nèi)并通過第一夾板4和第二夾板8將光刻掩模板夾緊固定；
3)拿住手柄6，將光刻掩模板依次放入乙醇和丙酮中超聲清洗或放入兩者的混合溶液中超聲清洗；
4)取出光刻掩模板，用無塵紙拭擦干凈，將光刻掩模板轉(zhuǎn)移到烘箱中或熱臺上烘干，烘干溫度保持為100-150 °C。
[0026]—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行晶圓的金屬膜濕法刻蝕工藝，包括如下步驟:
1)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，依次用乙醇和丙酮超聲清洗;
2)(通過鑷子)將已進(jìn)行紫外光刻的晶圓(在本實(shí)施例中，為6寸的帶有Au金屬膜和光刻膠圖案的單晶硅晶圓)放置在卡槽9內(nèi)并通過第一夾板4和第二夾板8將晶圓夾緊固定；
3)將晶圓置于裝有刻蝕液(在本實(shí)施例中，為KI+I2)的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄6使其上下左右晃動，使晶圓與刻蝕液充分接觸，浸泡后將晶圓放置在燒杯中并用去離子水水流沖洗晶圓，沖洗后將刻蝕液和去離子水倒入回收瓶；
4)將晶圓置于裝有去膠液的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄6使其上下左右晃動，使晶圓與去膠液充分接觸，浸泡后將晶圓放置在燒杯中并用去離子水水流沖洗晶圓，沖洗后將去膠液和去離子水倒入回收瓶；
5)取出晶圓(通過鑷子)，將晶圓轉(zhuǎn)移到烘箱中或熱臺上烘干，烘干溫度保持為135-180° C(烘干時(shí)間一般為20-60分鐘)。
[0027]—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行晶圓的濕法刻蝕工藝，包括如下步驟:
1)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，依次用乙醇和丙酮超聲清洗;
2)(通過鑷子)將已進(jìn)行紫外光刻的晶圓(在本實(shí)施例中，為6寸的帶有光刻膠圖案的單晶硅晶圓)放置在卡槽9內(nèi)并通過第一夾板4和第二夾板8將晶圓夾緊固定；
3)將晶圓置于裝有刻蝕液(一般為HF、H3P04、K0H、TMAH等刻蝕液)的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄6使其上下左右晃動，使晶圓與刻蝕液充分接觸，浸泡后將晶圓放置在燒杯中并用去離子水水流沖洗晶圓，沖洗后將刻蝕液和去離子水倒入回收瓶；
4)取出晶圓(通過鑷子)，將晶圓轉(zhuǎn)移到烘箱中或熱臺上烘干，烘干溫度保持為135-180° C( 一般烘干時(shí)間為20-60分鐘)。
[0028]一種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行顯影、潤洗、去膠的濕法工藝，包括如下步驟:
1)準(zhǔn)備好已進(jìn)行過紫外光刻加工的半導(dǎo)體微納器件樣品；
2)將用于顯影和潤洗的燒杯及用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具采用去離子水在超聲裝置中清洗，再將用于顯影的燒杯中注入適量顯影液；
3)將已進(jìn)行紫外光刻的樣品放置在卡槽9內(nèi)并通過第一夾板4和第二夾板8將光刻掩模板夾緊固定，將樣品置于顯影的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄6使其上下左右晃動，使樣品與顯影液充分接觸，浸泡后擺動手柄6將樣品適當(dāng)甩干，然后將顯影液倒入回收瓶；
4)將樣品轉(zhuǎn)移到用于潤洗的燒杯中，并注入適量潤洗液，持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄6使其上下左右晃動，使樣品與潤洗液充分接觸，浸泡后擺動手柄6將樣品適當(dāng)甩干，然后將潤洗液倒入回收瓶；
5)將上述各燒杯采用去離子水在超聲裝置中清洗；
6)將已顯影、潤洗的樣品烘干；
7)將潤洗干凈的樣品表面鍍一層金屬或非金屬薄膜，再將樣品放置在卡槽9內(nèi)并通過第一夾板4和第二夾板8將樣品夾緊固定，向用于去膠的干凈燒杯中注入適量的去膠液(如用于正膠或負(fù)膠的相應(yīng)有機(jī)溶劑或?qū)Ｓ萌ツz液)；
8)將樣品置于去膠的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄6使其上下左右晃動，使樣品與去膠液充分接觸，浸泡后擺動手柄6將樣品適當(dāng)甩干，然后將去膠液倒入回收瓶；
9)將樣品轉(zhuǎn)移到用于潤洗的干凈燒杯中，并注入適量潤洗液，持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄6使其上下左右晃動，使樣品與潤洗液充分接觸，浸泡后擺動手柄6將樣品適當(dāng)甩干，然后將潤洗液倒入回收瓶；
10)將上述各燒杯采用去離子水在超聲裝置中清洗；
11)將已去膠和潤洗的樣品烘干。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具，其特征在于:包括第一夾板、第二夾板、第一滑桿、第二滑桿和手柄，第一夾板和第二夾板平行設(shè)置;第一滑桿一端垂直的固定在第一夾板上，另一端配合的穿過第二夾板;第二滑桿一端垂直的固定在第二夾板上，另一端配合的穿過第一夾板;手柄固定在第一滑桿或第二滑桿上，第一夾板和第二夾板相互正對的一面上分別設(shè)有相互配合的卡槽，第一夾板、第二夾板、第一滑桿、第二滑桿和手柄均由鐵氟龍材料加工而成。2.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具，其特征在于:卡槽為半圓形的直線槽。3.如權(quán)利要求1所述的用于晶圓和光刻掩模板濕法工藝的鐵氟龍夾具，其特征在于:第一滑桿與第一夾板、第二滑桿與第二夾板、手柄與第一滑桿或第二滑桿分別通過螺紋連接固定。4.一種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行晶圓的濕法清洗工藝，其特征在于:包括如下步驟， 1)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，用丙酮超聲清洗； 2)取晶圓，將晶圓放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將晶圓夾緊固定； 3)拿住手柄，將晶圓依次放入乙醇和丙酮中超聲清洗或放入兩者的混合液中超聲清洗； 4)取出晶圓，將晶圓轉(zhuǎn)移到烘箱中或加熱臺上烘干，烘干溫度保持為135-180°C。5.—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行光刻掩模板的濕法清洗工藝，其特征在于:包括如下步驟， 1)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，依次用乙醇和丙酮超聲清洗； 2)取光刻掩模板，將光刻掩模板放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將光刻掩模板夾緊固定； 3)拿住手柄，將光刻掩模板依次放入乙醇和丙酮中超聲清洗或放入兩者的混合溶液中超聲清洗； 4)取出光刻掩模板，用無塵紙擦拭干凈，將光刻掩模板轉(zhuǎn)移到烘箱中或熱臺上烘干，烘干溫度保持為100-150 °C。6.—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行晶圓的金屬膜濕法刻蝕工藝，其特征在于:包括如下步驟， 1)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，依次用乙醇和丙酮超聲清洗； 2)將已進(jìn)行金屬膜沉積和紫外光刻、顯影及潤洗的晶圓放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將晶圓夾緊固定； 3)將晶圓置于裝有刻蝕液的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使晶圓與刻蝕液充分接觸，浸泡后將晶圓放置在燒杯中并用去離子水水流沖洗晶圓，沖洗后將刻蝕液和去離子水倒入回收瓶； 4)將晶圓置于裝有去膠液的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使晶圓與去膠液充分接觸，浸泡后將晶圓放置在燒杯中并用去離子水水流沖洗晶圓，沖洗后將去膠液和去離子水倒入回收瓶； 5)取出晶圓，將晶圓轉(zhuǎn)移到烘箱中或熱臺上烘干，烘干溫度保持為135-180 °C。7.—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行晶圓的濕法刻蝕工藝，其特征在于:包括如下步驟， 1)將用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具放在燒杯中，依次用乙醇和丙酮超聲清洗; 2)將已進(jìn)行紫外光刻的晶圓放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將晶圓夾緊固定； 3)將晶圓置于裝有刻蝕液的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使晶圓與刻蝕液充分接觸，浸泡后將晶圓放置在燒杯中并用去離子水水流沖洗晶圓，沖洗后將刻蝕液和去離子水倒入回收瓶； 4)取出晶圓，將晶圓轉(zhuǎn)移到烘箱中或熱臺上烘干，烘干溫度保持為135-180°C。8.—種利用上述用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具進(jìn)行顯影、潤洗、去膠的濕法工藝，其特征在于:包括如下步驟， 1)準(zhǔn)備好已進(jìn)行過紫外光刻加工的半導(dǎo)體微納器件樣品； 2)將用于顯影和潤洗的燒杯及用于半導(dǎo)體微納器件濕法工藝的鐵氟龍夾具采用去離子水在超聲裝置中清洗，再將用于顯影的燒杯中注入適量顯影液； 3)將已進(jìn)行紫外光刻的樣品放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將光刻掩模板夾緊固定，將樣品置于顯影的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使樣品與顯影液充分接觸，浸泡后擺動手柄將樣品適當(dāng)甩干，然后將顯影液倒入回收瓶； 4)將樣品轉(zhuǎn)移到用于潤洗的燒杯中，并注入適量潤洗液，持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使樣品與潤洗液充分接觸，浸泡后擺動手柄將樣品適當(dāng)甩干，然后將潤洗液倒入回收瓶； 5)將上述各燒杯采用去離子水在超聲裝置中清洗； 6)將已顯影、潤洗的樣品烘干； 7)將潤洗干凈的樣品表面鍍一層金屬或非金屬薄膜，再將樣品放置在卡槽內(nèi)并通過第一夾板和第二夾板將樣品夾緊固定，向用于去膠的干凈燒杯中注入適量的去膠液； 8)將樣品置于去膠的燒杯中持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使樣品與去膠液充分接觸，浸泡后擺動手柄將樣品適當(dāng)甩干，然后將去膠液倒入回收瓶； 9)將樣品轉(zhuǎn)移到用于潤洗的干凈燒杯中，并注入適量潤洗液，持續(xù)浸泡至所需時(shí)間，在浸泡過程中控制手柄使其上下左右晃動，使樣品與潤洗液充分接觸，浸泡后擺動手柄將樣品適當(dāng)甩干，然后將潤洗液倒入回收瓶； 10)將上述各燒杯采用去離子水在超聲裝置中清洗； 11)將已去膠和潤洗的樣品烘干。
【文檔編號】H01L21/02GK106024693SQ201610336237
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月20日
【發(fā)明人】何亮, 袁慧, 楊威, 麥立強(qiáng)
【申請人】武漢理工大學(xué)