陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，屬于液晶面板制造領域。所述陣列基板包括：襯底基板；該襯底基板上依次形成有像素電極、源漏極圖形、鈍化層和公共電極圖形；其中，源漏極圖形包括源極、漏極和導電極，像素電極分別與導電極和源極電連接，公共電極圖形包括相互絕緣的測試電極和公共電極，測試電極與導電極電連接，導電極與像素電極在襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，且重疊區(qū)域位于測試電極在襯底基板上的正投影內。本發(fā)明通過對公共電極圖形的設計，在不改變像素開口率的情況下，實現(xiàn)了對采用H?ADS技術的陣列基板的TFT性能測試。
【專利說明】
陣列基板及其制造方法、顯示裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及液晶面板制造領域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]目前的液晶顯示器中，對于面板中公共電極的設置有多種情況，其中一種是將公共電極和像素電極都設置于陣列基板上的情況，例如高級超維場開關(英文= Advanced-Super Dimens1nal Switching;簡稱:ADS)技術。ADS技術是通過同一平面內狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉。為了進一步提高開口率，進而提高面板的透過率，高開口率(High opening rate)H_ADS技術被廣泛采用。
[0003]采用H-ADS技術的陣列基板可以包括:襯底基板，依次形成于該襯底基板上的柵極、柵絕緣層、有源層、像素電極、源漏極圖形、鈍化層和公共電極，其中，源漏極圖形包括源極和漏極，像素電極可以和源極相連。
[0004]通常，進行薄膜晶體管(英文:Thin Film Transistor;簡稱:TFT)性能測量時，需要給源極、柵極以及漏極施加電信號，但是采用H-ADS技術的陣列基板的有效顯示區(qū)(英文:active area;簡稱:AA區(qū))中，源極位于公共電極下方，探針不能直接接觸，源極上無法加載電信號，因此，采用H-ADS技術的陣列基板無法進行TFT性能測試。

【發(fā)明內容】

[0005]為了解決采用H-ADS技術的陣列基板無法進行TFT性能測試的問題，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。所述技術方案如下:
[0006]第一方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括:襯底基板；
[0007]所述襯底基板上依次形成有像素電極、源漏極圖形、鈍化層和公共電極圖形；
[0008]其中，所述源漏極圖形包括源極、漏極和導電極，所述像素電極分別與所述導電極和所述源極電連接，所述公共電極圖形包括相互絕緣的測試電極和公共電極，所述測試電極與所述導電極電連接，所述導電極與所述像素電極在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，所述重疊區(qū)域位于所述測試電極在所述襯底基板上的正投影內。
[0009]可選的，所述公共電極圖形還包括:環(huán)形鏤空區(qū)域，所述環(huán)形鏤空區(qū)域圍繞在所述測試電極周圍，所述測試電極和所述公共電極通過所述環(huán)形鏤空區(qū)域絕緣。
[0010]可選的，位于所述導電極上的鈍化層上形成有過孔，所述測試電極通過所述過孔與所述導電極電連接。
[0011]可選的，所述襯底基板上依次形成有柵極、柵絕緣層、有源層、所述像素電極、所述源漏極圖形、鈍化層和所述公共電極圖形。
[0012]可選的，所述像素電極和所述公共電極的材料均為氧化銦錫ΙΤ0。
[0013]可選的，所述陣列基板包括在所述襯底基板上陣列排布的多個像素定義區(qū)，至少一個所述像素定義區(qū)的邊緣上形成有所述導電極。
[0014]第二方面，提供了一種陣列基板的制造方法，所述方法包括:在襯底基板上依次形成像素電極、源漏極圖形、鈍化層和公共電極圖形；
[0015]其中，所述源漏極圖形包括源極、漏極和導電極，所述像素電極分別與所述導電極和所述源極電連接，所述公共電極圖形包括相互絕緣的測試電極和公共電極，所述測試電極與所述導電極電連接，所述導電極與所述像素電極在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，所述重疊區(qū)域位于所述測試電極在所述襯底基板上的正投影內。
[0016]可選的，所述公共電極圖形還包括:環(huán)形鏤空區(qū)域，所述環(huán)形鏤空區(qū)域圍繞在所述測試電極周圍，所述測試電極和所述公共電極通過所述環(huán)形鏤空區(qū)域絕緣。
[0017]可選的，在形成所述鈍化層之后，所述方法還包括:在位于所述導電極上的鈍化層上形成過孔；
[0018]形成所述公共電極圖形包括:在形成有所述過孔的所述鈍化層上形成所述公共電極圖形，使所述測試電極通過所述過孔與所述導電極電連接。
[0019]可選的，在形成所述像素電極之前，所述方法還包括:在所述襯底基板上依次形成柵極、柵絕緣層和有源層。
[0020]可選的，所述像素電極和所述公共電極的材料均為氧化銦錫ΙΤ0。
[0021]可選的，所述陣列基板包括在所述襯底基板上陣列排布的多個像素定義區(qū)，至少一個所述像素定義區(qū)的邊緣上形成有所述導電極。
[0022]第三方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第一方面所述的陣列基板。
[0023]本發(fā)明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0024]本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制造方法、顯示裝置，由于像素電極分別與導電極、源極電連接，測試電極與導電極電連接，在進行TFT測試時，可以通過探針在測試電極上施加電信號，使得該電信號通過與該測試電極電連接的導電極傳輸至像素電極上，再由像素電極傳輸至源極上，而由于測試電極和公共電極相互絕緣，該電信號不影響公共電極，因此，可以實現(xiàn)源極上加載電信號，從而實現(xiàn)采用H-ADS技術的陣列基板的TFT性能測試。
【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的膜層結構示意圖；
[0027]圖2是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的膜層結構示意圖；
[0028]圖3是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0029]圖4是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0030]圖5是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖。
[0031]其中，附圖標記為:1、襯底基板;2、柵極;3、柵絕緣層;4、像素電極;5、源漏極圖形；
6、鈍化層;7、公共電極圖形;51、源極;52、導電極;71、測試電極;72、公共電極;73、環(huán)形鏤空區(qū)域;8、過孔。
【具體實施方式】
[0032]為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0033]目前，在對常規(guī)的陣列基板進行TFT性能測量時，需要給TFT的源極、柵極以及漏極施加電信號，但是如圖1所示，圖1為一種采用傳統(tǒng)的H-ADS技術的陣列基板的AA區(qū)的結構示意圖，其中包括:襯底基板1、柵極2、柵極絕緣層3、像素電極4、源極51、鈍化層6和公共電極72。
[0034]其中，源極51位于公共電極72下方，探針不能直接接觸，源極51上無法加載電信號，因此，采用傳統(tǒng)的H-ADS技術的陣列基板無法進行TFT性能測試。
[0035]圖2是本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖。該陣列基板包括:
[0036]襯底基板I。
[0037]該襯底基板I上依次形成有像素電極4、源漏極圖形5、鈍化層6和公共電極圖形7。
[0038]其中，源漏極圖形5包括源極51、漏極(圖2中未繪出)和導電極52，像素電極4分別與源極51和導電極52電連接，公共電極圖形7包括相互絕緣的測試電極71和公共電極72，測試電極71與導電極52電連接，參見圖3，圖3為本發(fā)明實施例提供的陣列基板的部分結構的俯視圖，圖3中導電極52與像素電極4在襯底基板I上的正投影存在重疊區(qū)域，該重疊區(qū)域位于測試電極71在襯底基板I上的正投影內。這樣可以保證三者有效電連接。
[0039]可選的，該像素電極4和公共電極72的材料可以均為氧化銦錫(英文:IndiumTinOxides ；簡稱:ΙΤ0)。
[0040]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，由于像素電極分別與導電極、源極電連接，測試電極與導電極電連接，在進行TFT測試時，可以通過探針在測試電極上施加電信號，使得該電信號通過與該測試電極電連接的導電極傳輸至像素電極上，再由像素電極傳輸至源極上，而由于測試電極和公共電極相互絕緣，該電信號不影響公共電極，因此，可以實現(xiàn)源極上加載電信號，從而實現(xiàn)采用H-ADS技術的陣列基板的TFT性能測試。
[0041]可選的，如圖3所示，公共電極圖形7還可以包括:環(huán)形鏤空區(qū)域73，該環(huán)形鏤空區(qū)域73圍繞在測試電極71周圍，測試電極71和公共電極72通過該環(huán)形鏤空區(qū)域73絕緣。需要說明的是，本發(fā)明實施例對通過環(huán)形鏤空區(qū)域73將測試電極71和公共電極72絕緣的方式只是示意性說明，實際應用中，還可以通過其他方式使絕緣，例如通過其他形狀的鏤空區(qū)域將測試電極71和公共電極72隔離，本發(fā)明實施例對鏤空區(qū)域的形狀不做具體限定。
[0042]可選的，如圖2和圖3所示，位于導電極52上的鈍化層6上形成有過孔8，測試電極71通過該過孔8與導電極52電連接。
[0043]在進行TFT測試時，可以將探針直接插入該過孔，使測試信號有效傳輸至導電極上。
[0044]實際應用中，陣列基板還包括:柵極、柵絕緣層和有源層，如圖2所示，該襯底基板上I依次形成有柵極2、柵絕緣層3、有源層(圖2中未繪出)、像素電極4、源漏極圖形5、鈍化層6和公共電極圖形7。
[0045]可選的，該導電極52可以為透明電極，這樣不影響陣列基板的顯示效果。實際應用中，該導電極52也可以為不透明電極，如圖4所示，該陣列基板包括在襯底基板I上陣列排布的多個像素定義區(qū)，每個像素定義區(qū)對應一個像素，可以由相鄰的兩根柵線與相鄰的兩根數(shù)據(jù)線圍成，至少一個像素定義區(qū)的邊緣上形成有該導電極52。該導電極52與TFT相鄰，以便于彩膜基板上黑矩陣能夠有效遮擋該導電極。相應的，在至少一個像素定義區(qū)的邊緣上還形成位于有該導電極52上方的測試電極71，兩者可以視為一種測試結構，實際應用中，每個像素定義區(qū)可以分布一個測試結構，這樣可以實現(xiàn)對每個像素定義區(qū)中的TFT的測試，或者，一行像素定義區(qū)分布一個測試結構，這樣可以實現(xiàn)對每行像素定義區(qū)中的TFT的測試，又或者一列像素定義區(qū)分布一個測試結構，這樣可以實現(xiàn)對每列像素定義區(qū)中的TFT的測試，本發(fā)明實施例中，對導電極與測試電極所形成的測試結構的位置不做限定，只要能夠實現(xiàn)TFT的有效測試即可。
[0046]需要說明的是，導電極設置在像素區(qū)的邊緣上，可以與彩膜基板的黑矩陣對應，從而減少像素開口率的影響。
[0047]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板，由于像素電極分別與導電極、源極電連接，測試電極與導電極電連接，在進行TFT測試時，可以通過探針在測試電極上施加電信號，使得該電信號通過與該測試電極電連接的導電極傳輸至像素電極上，再由像素電極傳輸至源極上，而由于測試電極和公共電極相互絕緣，該電信號不影響公共電極，因此，可以實現(xiàn)源極上加載電信號，從而實現(xiàn)采用H-ADS技術的陣列基板的TFT性能測試。并且導電極設置在像素區(qū)的邊緣上，可以與彩膜基板的黑矩陣對應，避免對像素開口率的影響。
[0048]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制造方法，包括:
[0049]在襯底基板上依次形成像素電極、源漏極圖形、鈍化層和公共電極圖形；
[0050]其中，源漏極圖形包括源極、漏極和導電極，像素電極分別與導電極和源極電連接，公共電極圖形包括相互絕緣的測試電極和公共電極，測試電極與導電極電連接，導電極與像素電極在襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，重疊區(qū)域位于測試電極在襯底基板上的正投影內。
[0051]綜上所述，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，由于像素電極分別與導電極、源極電連接，測試電極與導電極電連接，在進行TFT測試時，可以通過探針在測試電極上施加電信號，使得該電信號通過與該測試電極電連接的導電極傳輸至像素電極上，再由像素電極傳輸至源極上，而由于測試電極和公共電極相互絕緣，該電信號不影響公共電極，因此，可以實現(xiàn)源極上加載電信號，從而實現(xiàn)采用H-ADS技術的陣列基板的TFT性能測試。
[0052]圖5是本發(fā)明實施例提供的一種列陣基本的制造方法的流程圖，該陣列基板的制造方法可以應用于制造本發(fā)明實施例提供的陣列基板。該陣列基板的制造方法可以包括如下幾個步驟:
[0053]步驟501、在襯底基板上依次形成柵極、柵絕緣層和有源層。
[0054]可選的，如圖2所示，在襯底基板的制作材料包括玻璃、硅片、石英以及塑料等材料，優(yōu)選為玻璃。該襯底基板為透明基板。
[0055]示例的，可以在襯底基板上先形成柵極，在形成柵極的襯底基板上形成柵絕緣層，在形成有柵絕緣層的襯底基板上形成有源層。
[0056]具體的，在襯底基板通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的任一種形成柵極金屬層，然后對該柵極金屬層通過一次構圖工藝形成柵極，該一次構圖工藝可以包括:光刻膠涂覆、曝光、顯影、亥_和光刻膠剝離;然后，通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的任一種形成柵絕緣層;再通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的任一種形成有源層。
[0057]步驟502、在襯底基板上依次形成像素電極、源漏極圖形和鈍化層。
[0058]示例的，可以在形成有有源層的徹底基板上形成像素電極，在形成有像素電極的襯底基板上形成源漏極圖形，在形成有源漏極圖形的襯底基板上形成鈍化層。
[0059]具體的，在形成有有源層的襯底基板上通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的任一種形成像素電極膜層，然后對該像素電極膜層通過一次構圖工藝形成像素電極，該一次構圖工藝可以包括:光刻涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離;進一步地，通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的任一種形成源漏極膜層，再對該源漏極膜層通過一次構圖工藝形成源漏極圖形，該一次構圖工藝可以包括:光刻涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離;進一步地，通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的任一種形成鈍化層。
[0060]其中，源漏極圖形包括源極、漏極和導電極，像素電極分別與導電極和源極電連接。
[0061]步驟503、在位于導電極上的鈍化層上形成過孔。
[0062]具體的，在位于導電極上的鈍化層通過一次構圖工藝形成過孔，該一次構圖工藝可以包括:光刻涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離。
[0063]步驟504、在形成有過孔的鈍化層上形成公共電極圖形，使測試電極通過過孔與導電極電連接。
[0064]具體的，在形成鈍化層的襯底基板上通過沉積、涂敷、濺射等多種方式中的任一種形成公共電極膜層，然后對公共電極膜層通過一次構圖工藝形成公共電極圖形，該一次構圖工藝可以包括:光刻涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離。
[0065]其中，公共電極圖形包括測試電極、公共電極和環(huán)形鏤空區(qū)域，該環(huán)形鏤空區(qū)域圍繞在測試電極周圍，測試電極與公共電極通過該環(huán)形區(qū)域絕緣，且該測試電極與導電極電連接。導電極與像素電極在襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，重疊區(qū)域位于測試電極在襯底基板上的正投影內。
[0066]可選的，像素電極和公共電極的材料均為氧化銦錫。
[0067]可選的，該陣列基板包括在襯底基板上陣列排布的多個像素定義區(qū)，至少一個像素定義區(qū)的邊緣上形成有導電極。
[0068]綜上，本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造方法，由于像素電極分別與導電極、源極電連接，測試電極與導電極電連接，在進行TFT測試時，可以通過探針在測試電極上施加電信號，使得該電信號通過與該測試電極電連接的導電極傳輸至像素電極上，再由像素電極傳輸至源極上，而由于測試電極和公共電極相互絕緣，該電信號不影響公共電極，因此，可以實現(xiàn)源極上加載電信號，從而實現(xiàn)采用H-ADS技術的陣列基板的TFT性能測試。
[0069]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，其包括本發(fā)明實施例提供的任意一種陣列基板。顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0070]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 襯底基板； 所述襯底基板上依次形成有像素電極、源漏極圖形、鈍化層和公共電極圖形； 其中，所述源漏極圖形包括源極、漏極和導電極，所述像素電極分別與所述導電極和所述源極電連接，所述公共電極圖形包括相互絕緣的測試電極和公共電極，所述測試電極與所述導電極電連接，所述導電極與所述像素電極在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，所述重疊區(qū)域位于所述測試電極在所述襯底基板上的正投影內。2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述公共電極圖形還包括:環(huán)形鏤空區(qū)域，所述環(huán)形鏤空區(qū)域圍繞在所述測試電極周圍，所述測試電極和所述公共電極通過所述環(huán)形鏤空區(qū)域絕緣。3.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，位于所述導電極上的鈍化層上形成有過孔，所述測試電極通過所述過孔與所述導電極電連接。4.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板上依次形成有柵極、柵絕緣層、有源層、所述像素電極、所述源漏極圖形、鈍化層和所述公共電極圖形。5.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極和所述公共電極的材料均為氧化銦錫ITO。6.根據(jù)權利要求1至5任一所述的陣列基板，其特征在于， 所述陣列基板包括在所述襯底基板上陣列排布的多個像素定義區(qū)，至少一個所述像素定義區(qū)的邊緣上形成有所述導電極。7.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上依次形成像素電極、源漏極圖形、鈍化層和公共電極圖形； 其中，所述源漏極圖形包括源極、漏極和導電極，所述像素電極分別與所述導電極和所述源極電連接，所述公共電極圖形包括相互絕緣的測試電極和公共電極，所述測試電極與所述導電極電連接，所述導電極與所述像素電極在所述襯底基板上的正投影存在重疊區(qū)域，所述重疊區(qū)域位于所述測試電極在所述襯底基板上的正投影內。8.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板，其特征在于， 所述公共電極圖形還包括:環(huán)形鏤空區(qū)域，所述環(huán)形鏤空區(qū)域圍繞在所述測試電極周圍，所述測試電極和所述公共電極通過所述環(huán)形鏤空區(qū)域絕緣。9.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，在形成所述鈍化層之后，所述方法還包括: 在位于所述導電極上的鈍化層上形成過孔； 形成所述公共電極圖形包括: 在形成有所述過孔的所述鈍化層上形成所述公共電極圖形，使所述測試電極通過所述過孔與所述導電極電連接。10.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，在形成所述像素電極之前，所述方法還包括: 在所述襯底基板上依次形成柵極、柵絕緣層和有源層。11.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極和所述公共電極的材料均為氧化銦錫ITO。12.根據(jù)權利要求7至11任一所述的陣列基板，其特征在于， 所述陣列基板包括在所述襯底基板上陣列排布的多個像素定義區(qū)，至少一個所述像素定義區(qū)的邊緣上形成有所述導電極。13.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求1至6任一所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L27/12GK106024812SQ201610639721
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年8月5日
【發(fā)明人】李少茹, 汪銳, 邱海軍, 吳海龍
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 重慶京東方光電科技有限公司