一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體和發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特征在于，包括無機化合物熒光體、棱角種植劑、滲透種植劑，其中，棱角種植劑與無機化合物熒光體的表面一次鍵合，形成有種植棱角的無機化合物熒光體；滲透種植劑與有棱角形狀的無機化合物熒光體的表面二次鍵合，形成有種植棱角及滲透擴散層的熒光體。本發(fā)明的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體具有優(yōu)異的冷?熱態(tài)性能且化學穩(wěn)定性好，適用于各種發(fā)光器件；本發(fā)明的制備方法簡便可靠，適用于工業(yè)化批量生產(chǎn)制造。
【專利說明】
一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體和發(fā)光 器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明屬于LED熒光體及發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種可被紫外、紫光或藍 光有效激發(fā)的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體和發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 在全球能源短缺的背景下，LED照明產(chǎn)品備受矚目，隨著白光LED技術(shù)的迅猛發(fā)展， 對傳統(tǒng)照明光源和背光的替代不斷加速，半導(dǎo)體照明將快速普及。在LED封裝領(lǐng)域，成品LED 燈珠的穩(wěn)定性和良品率備受關(guān)注，尤其是LED燈珠在使用過程中的色溫穩(wěn)定性，因現(xiàn)有熒光 粉的使用需要調(diào)和在LED封裝材料中，而LED封裝材料的導(dǎo)熱系數(shù)遠小于熒光粉，所以熒光 粉的自散熱性能很差，無法滿足封裝點亮后的色溫穩(wěn)定性要求，常出現(xiàn)隨點亮時間的延長， LED成品燈珠色溫升高或降低的現(xiàn)象，嚴重阻礙了白光LED的普及使用。再者，現(xiàn)有的白光 LED大多采用兩種或兩種以上熒光粉混合封裝，熒光粉的粒徑不一致而使得其在封裝材料 中的沉降速率不一致，最終導(dǎo)致LED成品燈珠的光色一致性差。如何克服現(xiàn)有熒光粉使用過 程中所存在的冷-熱態(tài)色溫飄移和封裝光色一致性差等難題已成為當今LED熒光體及發(fā)光 器件技術(shù)領(lǐng)域中亟待解決的重大難題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的是為克服現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足而提供一種基于新概念的有種植 棱角及滲透擴散層的熒光體和發(fā)光器件，本發(fā)明的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體具有 優(yōu)異的冷-熱態(tài)性能且化學穩(wěn)定性好，適用于各種發(fā)光器件;本發(fā)明的制備方法簡便可靠， 適用于工業(yè)化批量生產(chǎn)制造。
[0004] 根據(jù)本發(fā)明提出的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特征 在于，包括無機化合物熒光體、棱角種植劑、滲透種植劑，其中：
[0005 ]所述棱角種植劑與無機化合物焚光體的表面一次鍵合，形成有種植棱角的無機化 合物焚光體;所述棱角種植劑的材質(zhì)包括Si、Al、Ca、Sr、Y元素的單質(zhì)中的一種或多種組合； 或者包括3^1、〇3、51'、￥元素的化合物中的一種或多種組合 ;或者包括5;[、41、03、51'、￥元素 的單質(zhì)和31^1、0&、3^￥元素的化合物中的一種或多種組合；
[0006] 所述滲透種植劑與有棱角形狀的無機化合物熒光體的表面二次鍵合，形成有種植 棱角及滲透擴散層的熒光體;其中：
[0007] 所述滲透種植劑的材質(zhì)包括微米或納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化 鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔和氧化釓中的一種或多種組合;或者包 括硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合;或者包括二 氧化娃、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化錯、氧化紀、氧化 釓、硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合；
[0008] 所述滲透擴散層包括微米或納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化 鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔和氧化釓中的一種或多種組合的密堆積的非晶 層;或者包括硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合的 致密的有機物膜層。
[0009] 本發(fā)明提出的一種發(fā)光器件，其特征在于，至少含有發(fā)紫外光、紫光或藍光的LED 芯片和熒光體，其中熒光體至少包括本發(fā)明上述的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體。
[0010] 本發(fā)明的實現(xiàn)原理是:針對現(xiàn)有無機化合物熒光體應(yīng)用中普遍存在的自散熱性能 差、在封裝應(yīng)用中冷-熱態(tài)色溫飄移嚴重的問題，本發(fā)明開拓性地提出了一種基于新概念的 有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，屬本領(lǐng)域首創(chuàng)。本發(fā)明巧妙地引入棱角種植劑、滲透種 植劑，通過化學鍵結(jié)合方式對無機化合物熒光體的表面進行改性;具體是，首先將棱角種植 劑與無機化合物熒光體的表面進行一次鍵合并形成有種植棱角的無機化合物熒光體，再將 滲透種植劑與有棱角形狀的無機化合物熒光體的表面進行二次鍵合，形成有種植棱角及滲 透擴散層的熒光體，其中將有種植棱角的無機化合物熒光體的棱角作為與滲透擴散層穩(wěn)固 結(jié)合的媒介，以強化有種植棱角的無機化合物熒光體與滲透擴散層的協(xié)同作用，十分有利 于熒光體自散熱過程的連續(xù)熱傳導(dǎo)，從而很好地解決了現(xiàn)有技術(shù)所存在的難題。
[0011] 本發(fā)明鑒于有種植棱角的無機化合物熒光體與滲透擴散層的協(xié)同作用，一是大大 增加了有種植棱角的無機化合物熒光體的比表面積，二是在有種植棱角的無機化合物熒光 體的表面鍵合了導(dǎo)熱系數(shù)遠高于LED封裝材料的滲透擴散層，這樣就協(xié)同產(chǎn)生了良好自散 熱性能及新功效，具體是:第一，微/納米顆粒滲透擴散層吸收有種植棱角的無機化合物熒 光體被光激發(fā)時產(chǎn)生的熱量;第二，微/納米顆粒滲透擴散層在封裝應(yīng)用中可形成大表面積 的連續(xù)散熱通道，快速散去所吸收的熱量;第三，微/納米顆粒滲透擴散層的密度遠低于有 種植棱角的無機化合物熒光體的密度，使得帶滲透擴散層的有種植棱角的無機化合物熒光 體在封裝材料中均勻懸浮分散，以致其沉降速率明顯降低，從而有效地提升了 LED封裝成品 的光色一致性，顯著地提升了 LED成品的良品率。當采用致密有機物膜時，致密有機物膜通 過化學鍵作用力鍵合在有種植棱角的無機化合物熒光體的表面，作為界面種植材料，還具 有提升有種植棱角及滲透擴散層的熒光體和封裝材料之間相容性的優(yōu)點；當種植由微/納 米顆粒滲透擴散層和致密的有機物膜組成的復(fù)合滲透擴散層時，既有吸熱/散熱的優(yōu)異性 能，又有增強界面連接力的作用。
[0012] 本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比其顯著優(yōu)點在于：
[0013] 一是化學穩(wěn)定性好。將棱角種植劑與無機化合物熒光體的表面鍵合并形成棱角形 狀，該棱角作為無機化合物熒光體與滲透擴散層結(jié)合的媒介，將無機化合物熒光體和滲透 擴散層緊密結(jié)合，這種通過化學鍵結(jié)合的熒光體具有很好的化學穩(wěn)定性。
[0014] 二是冷-熱態(tài)性能優(yōu)異。引入導(dǎo)熱率遠高于LED封裝材料的滲透擴散層，有效降低 無機化合物熒光體被激發(fā)后的溫度提升幅度，維持其冷-熱態(tài)穩(wěn)定性，降低無機化合物熒光 體在被激發(fā)前后的色坐標漂移，其中的滲透擴散層更是增加了熱量的導(dǎo)出面積，散熱效率 顯著提升。
[0015] 三是高良品率。微/納米顆粒的密度遠低于無機化合物熒光體的密度，使得帶滲透 擴散層的無機化合物熒光體在LED封裝材料中均勻懸浮分散，以致其沉降速率明顯降低，從 而有效提升了 LED封裝成品的光色一致性，有效緩解了因沉降問題而導(dǎo)致的LED封裝成品光 色一致性差的問題，提升了良品率。
[0016] 四是綜合性能好。當采用致密有機物膜時，作為界面種植材料，還具有提升無機化 合物熒光體和LED封裝材料之間相容性的優(yōu)點；當采用微/納米顆粒滲透擴散層和致密的有 機物膜組成的復(fù)合滲透擴散層時，既有吸熱/散熱優(yōu)異性能，又有增強界面連接力的作用。
【附圖說明】
[0017] 圖1是本發(fā)明提出的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體的結(jié)構(gòu) 示意圖；圖1中的編號1為無機化合物熒光體、編號2為種植棱角、編號3為滲透擴散層。
[0018] 圖2是實施例1-4和比較例1的發(fā)射光譜示意圖。
[0019] 圖3是實施例4的SEM示意圖，包括：圖3-1、圖3-2和圖3-3;其中：圖3-1為（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體；圖3-2為有種植氧化鍶棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3: Eu2+紅色熒光體；圖 3-3為有種植二氧化硅滲透擴散層和氧化鍶棱角的(Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體。
[0020] 圖4是實施例5-8和比較例1的XRD示意圖。
[0021]圖5是實施例9-12和比較例1的發(fā)射光譜示意圖。
[0022]圖6是實施例13-16和比較例1的發(fā)射光譜示意圖。
[0023] 圖7是實施例17-20和比較例1的XRD示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的【具體實施方式】進一步進行詳細說明。
[0025] 結(jié)合圖1，本發(fā)明提出的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，包 括無機化合物熒光體、棱角種植劑、滲透種植劑，其中：
[0026] 所述棱角種植劑與無機化合物焚光體的表面一次鍵合，形成有種植棱角的無機化 合物焚光體;所述棱角種植劑的材質(zhì)包括Si、Al、Ca、Sr、Y元素的單質(zhì)中的一種或多種組合； 或者包括3^1、〇3、51'、￥元素的化合物中的一種或多種組合 ;或者包括5;[、41、03、51'、￥元素 的單質(zhì)和31^1、0&、3^￥元素的化合物中的一種或多種組合；
[0027] 所述滲透種植劑與有棱角形狀的無機化合物熒光體的表面二次鍵合，形成有種植 棱角及滲透擴散層的熒光體;其中：
[0028] 所述滲透種植劑的材質(zhì)包括微米或納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化 鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔和氧化釓中的一種或多種組合;或者包 括硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物的一種或多種組合;或者包括二氧 化娃、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化錯、氧化紀和氧化 釓、硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合；
[0029] 所述滲透擴散層包括微米或納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化 鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔和氧化釓中的一種或多種組合的密堆積的非晶 層;或者包括硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合的 致密的有機物膜層。
[0030] 所述滲透擴散層和種植棱角的外表面有界面鍵合作用力。
[0031] 本發(fā)明提出的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體的進一步優(yōu) 選方案是：
[0032] 所述無機化合物熒光體是指在紫外或藍光激發(fā)下發(fā)射綠色、黃色、橙色或紅色熒 光的無機化合物發(fā)光材料。
[0033] 所述無機化合物發(fā)光材料包括￥以1如)5012^ 3+黃色熒光體兒1^15012^3+綠色 熒光體、（Ba，Sr)Si〇4:Eu 2+綠色熒光體、（318&)說055112+橙色熒光體、（31〇 &從13丨此$112+ 紅色熒光體、β-SiAlON熒光體或K2SiF6:Mn4+紅色熒光體。
[0034] 所述棱角種植劑的質(zhì)量為無機化合物焚光體質(zhì)量的0. lwt%~5wt%。
[0035] 所述一次鍵合的溫度為20(TC~ΙΟΟΟΓ。
[0036] 所述棱角形狀為波浪形、鋸齒形、三角形中的一種或多種組合。
[0037] 所述微米或納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化 鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔和氧化釓中的一種或多種組合的密堆積的非晶層的導(dǎo)熱率為 10-100W/m.k 〇
[0038] 所述微米或納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化 鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔和氧化釓中的一種或多種組合的密堆積的非晶層的厚度為0.01 ~100μπ?ο
[0039] 所述微米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化 銦、氧化鋯、氧化釔或氧化釓顆粒的粒徑為〇 . 2~5μπι;所述納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧 化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔或氧化釓顆粒的粒徑為2~ 50nm〇
[0040] 所述微米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化 銦、氧化鋯、氧化釔或氧化釓顆粒的比表面積為200~1000cm 2/g;所述納米級的二氧化硅、 二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔或氧化釓顆粒 的比表面積為80~500cm 2/g。
[0041] 所述可見光透過率不低于85 %的透明聚合物包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、 環(huán)狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯。
[0042] 所述硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合的 致密的有機物膜層的導(dǎo)熱率為0.01 -1 〇〇W/m. k。
[0043] 所述硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合的 致密的有機物膜層的厚度為0.001-5μπι。
[0044] 本發(fā)明提出的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體的具體實施 例及比較例進一步公開如下。其中：
[0045] 實施例1-31是指本發(fā)明提出的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體。
[0046] 比較例1是指本發(fā)明所述的無機化合物熒光體。
[0047]比較例2-5是指本發(fā)明所述的有種植棱角的無機化合物熒光體。
[0048] 通過LED冷-熱態(tài)封裝和LED光色一致性測試分別得到實施例1-20、比較例1和比較 例2-5的對比結(jié)果，參見附表1-6。
[0049] 實施例1。
[0050] 稱取100g的（51〇&從151犯5112+紅色熒光體、0.18的氧化鈣棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至200°C，保溫12h，得到有種植氧化鈣棱角的（31〇 &從131犯5112+紅色熒光體;稱取1008所 得有種植氧化鈣棱角的（31〇 &^131仏5112+紅色熒光體、0.58導(dǎo)熱率為101/111.1^、粒徑為 2nm、比表面積為80cm2/g的納米二氧化硅和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配 有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng) 抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米二氧化硅滲透擴散層和氧化鈣棱角的（Sr， Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述納米二氧化硅滲透擴散層的厚度為10nm。
[0051 ] 實施例2。
[0052] 稱取100g的（31〇&從13丨犯5112+紅色熒光體、0.28的氧化鋁棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至400°C，保溫12h，得到有種植氧化鋁棱角的（31〇&從131犯5112+紅色熒光體 ;稱取1008所 得有種植氧化鋁棱角的（31〇&^13丨仏511 2+紅色熒光體、1.(^導(dǎo)熱率為201/111.1^、粒徑為 15nm、比表面積為150cm2/g的納米氧化鎂和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配 有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng) 抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米氧化鎂滲透擴散層和氧化鋁棱角的（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述納米氧化鎂層的厚度為25nm。
[0053] 實施例3。
[0054] 稱取100g的（31〇&從131犯5112+紅色熒光體、0.88的氧化鍶棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至800°C，保溫12h，得到有種植氧化鍶棱角的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體;稱取100g所 得有種植氧化鍶棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3: Eu2+紅色熒光體、1.8g導(dǎo)熱率為40W/m. k、粒徑為 50nm、比表面積為500cm2/g的納米氧化鋅和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配 有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng) 抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米氧化鋅滲透擴散層和氧化鍶棱角的（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述納米氧化鋅滲透擴散層的厚度為45nm。
[0055] 比較例1。
[0056] (Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體。
[0057]比較例2。
[0058] 稱取100g的（31〇&從13丨犯5112+紅色熒光體、0.48的二氧化硅種植劑，將以上原料 充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫至 600°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅棱角的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體。
[0059] 上述實施例1-3和比較例1和2所得的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒光體發(fā)射光譜參 見圖2,其發(fā)射光譜沒有差異。將上述實施例1-3和比較例1和2所述的成品分別制成發(fā)光器 件，測試結(jié)果得到：比較例1和2的冷-熱態(tài)色溫穩(wěn)定性能和封裝光色一致性均低于實施例1-3，參見表1。實驗參數(shù):將上述實施例1-3和比較例1和2所得的（Sr，Ca)AlSiN 3: Eu2+紅色熒光 體分別與峰波長537nm的GaYAG熒光體混合，制作2700K色溫燈珠，其熱性能色飄為環(huán)境溫度 25°C和100°C下的對比，光色一致性為2700K±50K范圍的燈珠數(shù)量百分比，總樣本數(shù)為5000 顆。
[0060] 表1:實施例1-3、比較例1和比較例2的冷-熱態(tài)色溫和光色一致性參數(shù)
[0062] 實施例4。
[0063] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的氧化鋁和O.lg鋁棱角種植劑， 將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下 逐漸升溫至200°C，保溫12h，得到有種植氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體;稱 取100g所得有種植氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3: Eu2+紅色熒光體、0.5g導(dǎo)熱率為40W/m. k、 粒徑為15nm、比表面積為100cm2/g的納米氧化鋁和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中 的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反 應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米氧化鋁滲透擴散層和氧化鋁棱角的 (Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述納米氧化鋁滲透擴散層的厚度為13nm。
[0064] 實施例4的SEM示意圖如圖3所示，圖3包括：圖3-1、圖3-2和圖3-3;其中：圖3-1為 (Sr，Ca)AlSiN 3: Eu2+紅色熒光體；圖3-2為有種植氧化鍶棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒 光體；圖3-3為有種植二氧化硅滲透擴散層和氧化鍶棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光 體。
[0065] 實施例5。
[0066] 稱取100g的（31〇&從131犯5112+紅色熒光體、0.28的鋁棱角種植劑，將以上原料充 分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫至 400°C，保溫12h，得到有種植氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體;稱取100g所得 有種植氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3: Eu2+紅色熒光體、1.0g導(dǎo)熱率為50W/m. k、粒徑為20nm、 比表面積為220cm2/g的納米氧化錫和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四 氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、 無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米氧化錫滲透擴散層和氧化鋁棱角的（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述納米氧化錫滲透擴散層的厚度為24nm。
[0067] 實施例6。
[0068] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的氧化鋁、O.lg的硅和O.lg的二 氧化硅棱角種植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然 后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫至1000 °C，保溫12h，得到有種植二氧化硅和氧化鋁棱角的 (Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒光體;稱取100g所得有種植二氧化硅和氧化鋁棱角的（Sr，Ca) AlSiN3 :Eu2+紅色熒光體、1.8g導(dǎo)熱率為60W/m. k、粒徑為30nm、比表面積為360cm2/g的納米 氧化鎵和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三 頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得 到有種植納米氧化鎵滲透擴散層和二氧化硅、氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光 體的成品，所述納米氧化鎵滲透擴散層的厚度為46nm。
[0069] 比較例3。
[0070] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的鋁和O.lg的硅棱角種植劑，將 以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐 漸升溫至600°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅和氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒 光體。
[0071] 上述實施例4-6和比較例1和3所得的（31〇&從13丨此5112+紅色熒光體的乂1^參見圖 4,其XRD譜圖沒有差異。將上述實施例和比較例所述的成品分別制成發(fā)光器件，測試結(jié)果得 到:比較例1和3的冷-熱態(tài)色溫穩(wěn)定性能和封裝光色一致性均低于實施例4-6,參見表2。實 驗參數(shù):將上述實施例4-6和比較例1和3所得的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體分別與峰波 長537nm的GaYAG熒光體混合，制作3000K色溫燈珠，其熱性能色飄為環(huán)境溫度25°C和100°C 下的對比，光色一致性為3000K±50K范圍的燈珠數(shù)量百分比，總樣本數(shù)為5000顆。
[0072] 表2:實施例4-6、比較例1和比較例3的冷-熱態(tài)色溫和光色一致性參數(shù)
[0073]
[0074] 實施例7。
[0075] 稱取100g的（51〇&從151犯5112+紅色熒光體、0.28的氧化鈣棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至600°C，保溫12h，得到種植有氧化鈣棱角的（31〇 &從131犯5112+紅色熒光體;稱取10(^所 得種植有氧化鈣棱角的（31〇 &^13丨仏5112+紅色熒光體、5.(^導(dǎo)熱率為801/111.1^、粒徑為 200nm、比表面積為200cm 2/g的氧化鋁和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有 四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽 濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植氧化鋁滲透擴散層和氧化鈣棱角的（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述氧化鋁滲透擴散層的厚度為0.86μπι。
[0076] 實施例8。
[0077]稱取100g的（31〇&從151犯5112+紅色熒光體、0.38的氧化鈣棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至600°C，保溫12h，得到有種植氧化鈣棱角的（31〇 &從131犯5112+紅色熒光體;稱取10(^所 得有種植氧化鈣棱角的（31〇 &^13丨仏5112+紅色熒光體、8.(^導(dǎo)熱率為851/111.1^、粒徑為 400nm、比表面積為410cm2/g的氧化錯和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有 四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽 濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植氧化鋯滲透擴散層和氧化鈣棱角的（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述氧化鋯滲透擴散層的厚度為1.68μπι。
[0078] 實施例9。
[0079] 稱取100g的（51〇&從151犯5112+紅色熒光體、0.58的氧化鈣棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至600°C，保溫12h，得到有種植氧化鈣棱角的（31〇 &從131犯5112+紅色熒光體;稱取10(^所 得有種植氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3: Eu2+紅色熒光體、15.0g導(dǎo)熱率為100W/m. k、粒徑為 700nm、比表面積為1000cm2/g的氧化紀和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有 四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽 濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植氧化釔滲透擴散層和氧化鈣棱角的（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述氧化釔滲透擴散層的厚度為4.10μπι。
[0080] 比較例4。
[0081] 稱取100g的（31〇&從131犯5112+紅色熒光體、0.48的氧化鈣棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至600°C，保溫12h，得到有種植氧化鈣棱角的（Sr，Ca)A1 SiN3:Eu2+紅色熒光體。
[0082] 上述實施例7-9和比較例1和4所得的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu 2+紅色熒光體的發(fā)射光譜 參見圖4,其發(fā)射光譜沒有差異。將上述實施例7-9和比較例1和4所述的成品分別制成發(fā)光 器件，測試結(jié)果得到：比較例1和4的冷-熱態(tài)色溫穩(wěn)定性能和封裝光色一致性均低于實施例 7-9，參見表3。實驗參數(shù):將上述實施例7-9和比較例1和4所得的（Sr，Ca) A1 SiN3: Eu2+紅色熒 光體分別與峰波長537nm的GaYAG熒光體混合，制作4000K色溫燈珠，其熱性能色飄為環(huán)境溫 度25°C和100°C下的對比，光色一致性為4000K± 50K范圍的燈珠數(shù)量百分比，總樣本數(shù)為 5000顆。
[0083] 表3:實施例7-9、比較例1和比較例4的冷-熱態(tài)色溫和光色一致性參數(shù)
[0084]
[0085] 實施例10。
[0086] 稱取100g的（31〇&從131犯5112+紅色熒光體、1.(^的氧化鍶和1.(^的氧化鋁棱角 種植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣 氛保護下逐漸升溫至800°C，保溫12h，得到有種植氧化鍶和氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒光體;稱取lOOg所得有種植氧化鍶和氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒光 體、5. Og導(dǎo)熱率為25W/m. k、粒徑為2μπι、比表面積為300cm2/g的二氧化硅和200mL無水乙醇， 分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70 °C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植二氧化硅滲透擴散 層和氧化鍶、氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述二氧化硅滲透擴散 層的厚度為5.50μηι。
[0087] 實施例11。
[0088] 稱取100g的（31〇&從131犯5112+紅色熒光體、1.(^的氧化鍶和1.(^的氧化鈣棱角 種植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣 氛保護下逐漸升溫至800°C，保溫12h，得到有種植氧化鍶和氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3: Eu2+紅色熒光體;稱取100g所得有種植氧化鍶和氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒光 體、6.0g導(dǎo)熱率為31W/m. k、粒徑為3μπι、比表面積為360cm2/g的二氧化硅和200mL無水乙醇， 分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70 °C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植二氧化硅滲透擴散 層和氧化鍶、氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述二氧化硅滲透擴散 層的厚度為6.82μηι。
[0089] 實施例12。
[0090] 稱取100g的（31〇&從13丨犯5112+紅色熒光體、4.(^的氧化鍶和1.(^的硅棱角種植 劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保 護下逐漸升溫至800°C，保溫12h，得到有種植氧化鍶和二氧化硅棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+ 紅色熒光體;稱取l〇〇g所得有種植氧化鍶和二氧化硅棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒光 體、10.0g導(dǎo)熱率為39W/m. k、粒徑為5μηι、比表面積為510cm2/g的二氧化娃和200mL無水乙 醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫 至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植二氧化硅滲透 擴散層和氧化鍶、二氧化硅棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述二氧化硅滲 透擴散層的厚度為11 ·52μηι。
[0091] 比較例5。
[0092] 稱取100g的（31〇&從13丨犯5112+紅色熒光體、2.(^的氧化鍶和1.(^的二氧化硅棱 角種植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣 氣氛保護下逐漸升溫至800°C，保溫12h，得到有種植氧化鍶和二氧化硅棱角的（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體。
[0093] 上述實施例10-12和比較例1和5所得的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu 2+紅色熒光體的發(fā)射光 譜參見圖5,其發(fā)射光譜沒有差異。將上述實施例10-12和比較例1和5所述的成品分別制成 發(fā)光器件，測試結(jié)果得到：比較例1和5的冷-熱態(tài)色溫穩(wěn)定性能和封裝光色一致性均低于實 施例10-12,參見表4。實驗參數(shù):將上述實施例10-12和比較例1所得的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+ 紅色熒光體分別與峰波長537nm的GaYAG熒光體混合，制作5000K色溫燈珠，其熱性能色飄為 環(huán)境溫度25 °C和100 °C下的對比，光色一致性為5000K ± 50K范圍的燈珠數(shù)量百分比，總樣本 數(shù)為5000顆。
[0094] 表4:實施例10-12、比較例1和比較例5的冷-熱態(tài)色溫和光色一致性參數(shù)
[0097] 實施例13。
[0098] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的氧化鍶和O.lg的氧化鋁棱角 種植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣 氛保護下逐漸升溫至600°C，保溫12h，得到有種植氧化鍶和氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3: Eu2+紅色熒光體;稱取100g所得有種植氧化鍶和氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒光 體、5.0g導(dǎo)熱率為24W/m.k、粒徑為4nm、比表面積為180cm2/g的納米二氧化娃、1.0g導(dǎo)熱率 為60W/m. k、粒徑為200nm、比表面積為500cm2/g的氧化錯和200mL無水乙醇，分別加入置于 水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然 后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米二氧化硅、氧化鋁滲透擴散 層和氧化鍶、氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體的成品，參見X射線衍射圖譜見 圖2,所述納米二氧化硅、氧化鋁滲透擴散層的厚度為15.8μπι。
[0099] 實施例14。
[0100] 稱取l〇〇g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的氧化鍶和O.lg的鈣棱角種植 劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保 護下逐漸升溫至600°C，保溫12h，得到有種植氧化鍶和氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅 色熒光體;稱取l〇〇g所得有種植氧化鍶和氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體、 l〇.〇g導(dǎo)熱率為24W/m.k、粒徑為4nm、比表面積為180cm2/g的納米二氧化硅、l.Og導(dǎo)熱率為 60W/m. k、粒徑為200nm、比表面積為500cm2/g的氧化錯和200mL無水乙醇，分別加入置于水 浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后 結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米二氧化硅、氧化鋁滲透擴散層 和氧化鎖、氧化1丐棱角的（Sr，Ca) A1SiN3: Eu2+紅色焚光體的成品，所述納米二氧化娃、氧化 鋁滲透擴散層的厚度為38.6μπι。
[0101] 實施例15。
[0102] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的二氧化硅和O.lg的氧化鈣種 植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛 保護下逐漸升溫至600°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅和氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒光體;稱取100g所得有種植二氧化硅和氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒 光體、15.0g導(dǎo)熱率為24W/m.k、粒徑為4nm、比表面積為180cm2/g的納米二氧化娃、1.0g導(dǎo)熱 率為60W/m. k、粒徑為200nm、比表面積為500cm2/g的氧化鋁和200mL無水乙醇，分別加入置 于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h， 然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米二氧化硅、氧化鋁滲透擴 散層和二氧化硅、氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述納米二氧化 硅、氧化鋁滲透擴散層的厚度為68.5μπι。
[0103] 實施例16。
[0104] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的硅、O.lg的氧化鈣和O.lg的氧 化鍶棱角種植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后 在氮氣氣氛保護下逐漸升溫至600 °C，保溫12h，得到有種植二氧化硅、氧化鈣和氧化鍶棱角 的（3^0&從131此511 2+紅色熒光體;稱取10(^所得有種植二氧化硅、氧化鈣和氧化鍶棱角的 (Sr，Ca)AlSiN3:Eu 2+紅色熒光體、20.0g導(dǎo)熱率為24W/m.k、粒徑為4nm、比表面積為180cm2/g 的納米二氧化硅、l.〇g導(dǎo)熱率為60W/m.k、粒徑為200nm、比表面積為500cm2/g的氧化鋁和 200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中， 攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納 米二氧化硅、氧化鋁滲透擴散層和二氧化硅、氧化鈣、氧化鍶棱角的（Sr，Ca) A1S iN3: Eu2+紅 色熒光體的成品，所述納米二氧化硅、氧化鋁滲透擴散層的厚度為1〇〇μπι。
[0105] 上述實施例13-16和比較例1所得的（31〇&從13丨犯5112+紅色熒光體的乂1^參見圖 6,其XRD譜圖沒有差異。將上述實施例13-16和比較例1所述的成品分別制成發(fā)光器件，測試 結(jié)果得到：比較例1的冷-熱態(tài)色溫穩(wěn)定性能和封裝光色一致性均低于實施例13-16,參見表 5。實驗參數(shù):將上述實施例13-16和比較例1所得的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體分別與 峰波長537nm的GaYAG熒光體混合，制作6000K色溫燈珠，其熱性能色飄為環(huán)境溫度25°C和 100°C下的對比，光色一致性為6000K±50K范圍的燈珠數(shù)量百分比，總樣本數(shù)為5000顆。
[0106] 表5:實施例13-16和比較例1的冷-熱態(tài)色溫和光色一致性參數(shù)
[0107]
[0108] 實施例17。
[0109] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的氧化鍶棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至600°C，保溫12h，得到有種植氧化鍶棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體;稱取100g所 得有種植氧化鍶棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3: Eu2+紅色熒光體、1.0g的硅烷偶聯(lián)劑、1.0g去離子水 和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶 中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種 植硅烷偶聯(lián)劑滲透擴散層和氧化鍶棱角的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述硅 烷偶聯(lián)劑滲透擴散層的厚度為1 · Onm〇
[0110] 實施例18。
[0111] 稱取l〇〇g的（Sr，Ca)AlSiN3 :Eu2+紅色熒光體、0. lg的二氧化硅和0. lg的氧化鍶棱 角種植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣 氣氛保護下逐漸升溫至800°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅和氧化鍶棱角的（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體;稱取100g所得有種植二氧化硅和氧化四棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2 +紅色熒光體、5.0g的甲基丙烯酸甲酯、O.lg的偶氮二異丁腈和200mL無水乙醇，分別加入置 于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，通氮氣，攪拌并升溫至70°C， 持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植聚甲基丙烯酸甲酯滲 透擴散層和二氧化硅、氧化鍶棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述聚甲基丙 烯酸甲酯滲透擴散層的厚度為〇. 52μπι。
[0112] 實施例19。
[0113] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的二氧化硅和O.lg的氧化鈣棱 角種植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣 氣氛保護下逐漸升溫至800°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅和氧化鈣棱角的（Sr，Ca) AlSiN3: Eu2+紅色熒光體;稱取100g所得有種植二氧化硅和氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2 +紅色焚光體、l〇.〇g的苯乙稀、0. lg的偶氮二異丁脒鹽酸鹽、50g的去離子水和200mL無水乙 醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，通氮氣，攪拌 并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植聚苯乙 烯滲透擴散層和二氧化硅、氧化鈣棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述聚苯 乙烯滲透擴散層的厚度為1.24μπι。
[0114] 實施例20。
[0115] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的二氧化硅和O.lg的氧化鋁棱 角種植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣 氣氛保護下逐漸升溫至800°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅和氧化鋁棱角的（Sr，Ca) AlSiN3: Eu2+紅色熒光體;稱取100g所得有種植二氧化硅和氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2 +紅色熒光體、15.0g的降冰片烯、5.0g的丙烯、O.lg的二茂鐵催化劑和200mL甲苯，分別加入 置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，通氮氣，攪拌并升溫至70 °C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植聚環(huán)烯烴滲透擴散 層和二氧化硅、氧化鋁棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述聚環(huán)烯烴滲透擴 散層的厚度為5.0μηι。
[0116] 將上述實施例17-20和比較例1所述的成品分別制成發(fā)光器件，測試結(jié)果得到：比 較例1的冷-熱態(tài)色溫穩(wěn)定性能和封裝光色一致性均低于實施例17-20，參見表6。實驗參數(shù)： 將上述實施例17-20和比較例1所得的（31〇 &從13丨犯5112+紅色熒光體分別與峰波長53711111 的GaYAG熒光體混合，制作7000Κ色溫燈珠，其熱性能色飄為環(huán)境溫度25 °C和100 °C下的對 比，光色一致性為7000K±50K范圍的燈珠數(shù)量百分比，總樣本數(shù)為5000顆。
[0117] 實施例17-20和比較例1的XRD示意圖如圖7所示。
[0118] 表6:實施例17-20和比較例1的冷-熱態(tài)色溫和光色一致性參數(shù)
[0119]
[0120] 實施例21。
[0121] 稱取100g的Y3(Al，Ga)5012:Ce3+黃色熒光體、O.lg的二氧化硅棱角種植劑，將以上 原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升 溫至800°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅棱角的￥ 3以1，6&)5012:&3+黃色熒光體;稱取100 8 所得有種植二氧化硅棱角的Y3(A1，Ga)5〇12: Ce3+黃色熒光體、2.0g導(dǎo)熱率為36W/m. k、粒徑為 25nm、比表面積為220cm2/g的納米二氧化鈦和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝 配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)， 經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米二氧化鈦滲透擴散層和二氧化硅棱角的 Y3(Al，Ga)5〇12:Ce3+黃色熒光體的成品，所述納米二氧化鈦滲透擴散層的厚度為0.46μπι。
[0122] 實施例22。
[0123] 稱取100g的Lu3Al5012:Ce 3+綠色熒光體、O.lg的二氧化硅和O.lg的氧化鋁棱角種植 劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保 護下逐漸升溫至800°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅和氧化鋁棱角的Lu 3Al5〇12:Ce3+綠色 熒光體;稱取l〇〇g所得有種植二氧化硅和氧化鋁棱角的Lu 3A15〇12 : Ce3+綠色熒光體、2.0g導(dǎo) 熱率為36W/m.k、粒徑為25nm、比表面積為220cm2/g的納米二氧化鈦、2.0g導(dǎo)熱率為39W/ m.k、粒徑為60nm、比表面積為390cm2/g的納米氧化錯和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴 鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié) 束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米二氧化鈦、氧化鋁滲透擴散層和 二氧化娃、氧化鋁棱角的L113AI5O12: Ce3+綠色熒光體的成品，所述納米二氧化鈦、氧化鋁滲透 擴散層的厚度為〇.81μπι。
[0124] 實施例23。
[0125] 稱取100g的(Ba，Sr)Si〇4:Eu2+綠色熒光體、O.lg的二氧化硅、O.lg的氧化鋁和O.lg 的氧化釔棱角種植劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中， 然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫至600°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅、氧化鋁和氧化釔 棱角的(Ba，Sr) Si04: Eu2+綠色熒光體;稱取100g所得有種植二氧化硅、氧化鋁和氧化釔棱角 的(Ba，Sr) Si〇4: Eu2+綠色熒光體、2.0g導(dǎo)熱率為36W/m. k、粒徑為25nm、比表面積為220cm2/g 的納米二氧化鈦、2.0g導(dǎo)熱率為39W/m.k、粒徑為60nm、比表面積為390cm2/g的納米氧化錯、 2.0g導(dǎo)熱率為18W/m. k、粒徑為llnm、比表面積為160cm2/g的納米二氧化娃和200mL無水乙 醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫 至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米二氧化 鈦、氧化鋁、二氧化娃滲透擴散層和二氧化娃、氧化鋁、氧化紀棱角的(Ba，Sr) Si〇4: Eu2+綠色 熒光體的成品，所述納米二氧化鈦、氧化鋁、二氧化硅滲透擴散層的厚度為1.14μπι。
[0126] 實施例24。
[0127] 稱取100g的（518&)說05伽2+橙色熒光體、0.4的氧化鋁棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至800°C，保溫12h，得到有種植氧化鋁棱角的（Sr，Ba) 3Si05:Eu2+橙色熒光體;稱取100g所得 有種植氧化鋁棱角的（3^8 &)331055112+橙色熒光體、2.(^導(dǎo)熱率為361/111.1^粒徑為25腦、 比表面積為220cm 2/g的納米二氧化鈦、2.0g導(dǎo)熱率為39W/m.k、粒徑為50nm、比表面積為 400cm2/g的納米二氧化鈦、2.0g導(dǎo)熱率為18W/m.k、粒徑為llnm、比表面積為138cm 2/g的納米 二氧化鈦和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的 三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后， 得到有種植納米二氧化鈦滲透擴散層和氧化鋁棱角的（Sr，Ba) 3Si05:Eu2+橙色熒光體的成 品，所述納米二氧化鈦滲透擴散層的厚度為1 .〇2μπι。
[0128] 實施例25。
[0129] 稱取100g的β-SiAlON熒光體、O.lg的二氧化硅棱角種植劑，將以上原料充分混合 3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫至500°C，保 溫12h，得到有種植二氧化硅棱角的β-SiAlON熒光體;稱取100g所得有種植二氧化硅棱角的 β-SiAlON熒光體、1.0g的硅烷偶聯(lián)劑、0.5g去離子水和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴 鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié) 束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植硅烷偶聯(lián)劑滲透擴散層和二氧化硅棱 角的β-SiAlON熒光體。稱取100g的有種植硅烷偶聯(lián)劑滲透擴散層和二氧化硅棱角的β-SiAlON熒光體、2.0g導(dǎo)熱率為27W/m.k、粒徑為13nm、比表面積為215cm 2/g的納米二氧化硅 和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶 中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種 植納米二氧化硅、硅烷偶聯(lián)劑滲透擴散層和二氧化硅棱角的β-SiAlON熒光體的成品，所述 納米二氧化硅、硅烷偶聯(lián)劑滲透擴散層的厚度為〇.28μπι。
[0130] 實施例26。
[0131] 稱取10(^^K2SiF6:Mn4+紅色熒光體、O.lg的氧化鋁棱角種植劑，將以上原料充分 混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫至500 °C，保溫12h，得到有種植氧化鋁棱角的K 2SiF6:Mn4+紅色熒光體;稱取100g所得有種植氧化 錯棱角的K2SiF6:Mn 4+紅色焚光體、5.0g的甲基丙稀酸甲酯、0. lg的偶氮二異丁腈和200mL無 水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并 升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植聚甲基丙 烯酸甲酯滲透擴散層和氧化鋁棱角的1( 251化:1114+紅色熒光體。稱取100g的有種植聚甲基丙 烯酸甲酯滲透擴散層和氧化鋁棱角的心31?6: Mn4+紅色熒光體、2.0g導(dǎo)熱率為54W/m. k、粒徑 為48nm、比表面積為375cm2/g的納米氧化鋁和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝 配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)， 經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植納米氧化鋁、聚甲基丙烯酸甲酯滲透擴散層和 氧化鋁棱角的K2SiF6:Mn4+紅色熒光體的成品，所述納米氧化鋁、聚甲基丙烯酸甲酯滲透擴 散層的厚度為〇.34μπι。
[0132] 實施例27。
[0133] 稱取100g的K2SiF6:Mn4+紅色熒光體、O.lg的二氧化硅和O.lg的氧化鋁棱角種植 劑，將以上原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保 護下逐漸升溫至500°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅和氧化鋁棱角的1( 231?61114+紅色熒 光體;稱取l〇〇g所得有種植氧化鋁棱角的K 2SiF6:Mn4+紅色熒光體、5.0g的甲基丙烯酸甲酯、 O.lg的偶氮二異丁腈和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒 和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌 和烘干后，得到有種植聚甲基丙烯酸甲酯滲透擴散層和二氧化硅、氧化鋁棱角的1( 251&1114 +紅色熒光體。稱取l〇〇g的有種植聚甲基丙烯酸甲酯滲透擴散層和二氧化硅、氧化鋁棱角的 K2SiF6:Mn4+紅色熒光體、2.0g導(dǎo)熱率為54W/m.k、粒徑為48nm、比表面積為375cm 2/g的納米氧 化鋁和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸 燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到 有種植納米氧化鋁、聚甲基丙烯酸甲酯滲透擴散層和二氧化硅、氧化鋁棱角的1( 251?61114+ 紅色熒光體的成品，所述納米氧化鋁、聚甲基丙烯酸甲酯滲透層的厚度為〇.38μπι。
[0134] 實施例28。
[0135] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的氧化鋁棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至600°C，保溫12h，得到有種植氧化鋁棱角的（31〇 &從131犯5112+紅色熒光體;稱取10(^所 得有種植氧化鋁棱角的（31〇 &^13丨仏5112+紅色熒光體、8.(^導(dǎo)熱率為501/111.1^、粒徑為 500nm、比表面積為510cm 2/g的氧化銦和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有 四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽 濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植氧化銦滲透擴散層和氧化鋁棱角的（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述氧化銦滲透擴散層的厚度為1.58μπι。
[0136] 實施例29。
[0137] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的氧化鋁棱角種植劑，將以上原 料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升溫 至600°C，保溫12h，得到有種植氧化鋁棱角的（31〇 &從131犯5112+紅色熒光體;稱取10(^所 得有種植氧化鋁棱角的（31〇 &^13丨仏5112+紅色熒光體、8.(^導(dǎo)熱率為831/111.1^、粒徑為 800nm、比表面積為650cm 2/g的氧化IL和200mL無水乙醇，分別加入置于水浴鍋中的裝配有 四氟乙烯攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至70°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)抽 濾、無水乙醇洗滌和烘干后，得到有種植氧化釓滲透擴散層和氧化鋁棱角的（Sr，Ca) AlSiN3:Eu2+紅色熒光體的成品，所述氧化釓滲透擴散層的厚度為2.14μπι。
[0138] 實施例30。
[0139] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的二氧化硅棱角種植劑，將以上 原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升 溫至800°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅棱角的（31〇 &從13丨此5112+紅色熒光體;稱取1(^ 所得有種植二氧化硅棱角的（Sr，Ca)AlSiN3: Eu2+紅色熒光體、10.0 g的對苯二甲酸和10.0 g 的乙二醇、O.lg的三氧化二銻分別加入置于油浴鍋中的裝配有四氟乙烯攪拌棒和溫度計的 三頸燒瓶中，抽真空，攪拌并升溫至180°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)無水乙醇洗滌和烘干 后，得到有種植聚對苯二甲酸乙二醇酯滲透擴散層和二氧化硅棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+ 紅色熒光體的成品，所述聚對苯二甲酸乙二醇酯滲透擴散層的厚度為1.24μπι。
[0140] 實施例31。
[0141] 稱取100g的（Sr，Ca)AlSiN3:Eu2+紅色熒光體、O.lg的二氧化硅棱角種植劑，將以上 原料充分混合3h，裝入鉬坩堝中，再將其迅速移入管式爐中，然后在氮氣氣氛保護下逐漸升 溫至800°C，保溫12h，得到有種植二氧化硅棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+紅色熒光體;稱取 l〇〇g所得有種植二氧化硅棱角的（31〇&^151犯$112+紅色熒光體、10.(^的光氣和10.(^的 雙酚A、100g的PH值為10的水和100g的二氯甲烷分別加入置于水浴鍋中的裝配有四氟乙烯 攪拌棒和溫度計的三頸燒瓶中，攪拌并升溫至60°C，持續(xù)2h，然后結(jié)束反應(yīng)，經(jīng)過濾、無水乙 醇洗滌和烘干后，得到有種植聚碳酸酯滲透擴散層和二氧化硅棱角的（Sr，Ca)AlSiN 3:Eu2+ 紅色熒光體的成品，所述聚碳酸酯滲透擴散層的厚度為1.24μπι。
[0142] 本發(fā)明的【具體實施方式】中未涉及的說明屬于本領(lǐng)域公知的技術(shù)，可參考公知技術(shù) 加以實施。
[0143] 本發(fā)明經(jīng)反復(fù)試驗驗證，取得了滿意的試用效果。
[0144] 以上【具體實施方式】及實施例是對本發(fā)明提出的一種基于新概念的有種植棱角及 滲透擴散層的熒光體和發(fā)光器件技術(shù)思想的具體支持，不能以此限定本發(fā)明的保護范圍， 凡是按照本發(fā)明提出的技術(shù)思想，在本技術(shù)方案基礎(chǔ)上所做的任何等同變化或等效的改 動，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特征在于，包括無機化合 物熒光體、棱角種植劑、滲透種植劑，其中： 所述棱角種植劑與無機化合物焚光體的表面一次鍵合，形成有種植棱角的無機化合物 熒光體;所述棱角種植劑的材質(zhì)包括31^1、0&、5^￥元素的單質(zhì)中的一種或多種組合;或者 包括3;[、41、0&、51'、￥元素的化合物中的一種或多種組合 ;或者包括5;[、41、0&、51'、￥元素的單 質(zhì)和31^1、0&、3^￥元素的化合物中的一種或多種組合； 所述滲透種植劑與有棱角形狀的無機化合物熒光體的表面二次鍵合，形成有種植棱角 及滲透擴散層的熒光體;其中： 所述滲透種植劑的材質(zhì)包括微米或納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧 化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔和氧化釓中的一種或多種組合;或者包括硅 烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合;或者包括二氧化 娃、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化錯、氧化紀、氧化IL、娃 烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合； 所述滲透擴散層包括微米或納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧 化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔和氧化釓中的一種或多種組合的密堆積的非晶層;或 者包括硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合的致密的 有機物膜層。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述無機化合物熒光體是指在紫外或藍光激發(fā)下發(fā)射綠色、黃色、橙色或紅色熒光 的無機化合物發(fā)光材料。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述無機化合物發(fā)光材料包括Y3 (Al，Ga) 5〇12: Ce3+黃色熒光體、Lu3A15〇12 : Ce3+綠色 熒光體、（Ba，Sr)Si〇4:Eu2+綠色熒光體、（318 &)說055112+橙色熒光體、（31〇&從13丨此$11 2+ 紅色熒光體、β-SiAlON熒光體或K2SiF6:Mn4+紅色熒光體。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述棱角種植劑的質(zhì)量為無機化合物焚光體質(zhì)量的0. lwt%~5wt%。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述一次鍵合的溫度為200°C~1000°C。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述種植棱角的形狀為波浪形、鋸齒形、三角形中的一種或多種組合。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述微米或納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化 鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔和氧化釓中的一種或多種組合的密堆積的非晶層的導(dǎo)熱率為 10-100W/m.k 〇8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述微米或納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化 鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔和氧化釓中的一種或多種組合的密堆積的非晶層的厚度為0.01 ~100μπ?ο9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述微米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化 銦、氧化鋯、氧化釔或氧化釓顆粒的粒徑為0.2~5μL?;所述納米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧 化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔或氧化釓的顆粒的粒徑為2 ~50nm 〇10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述微米級的二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化 銦、氧化鋯、氧化釔或氧化釓顆粒的比表面積為200~1000cm 2/g;所述納米級的二氧化硅、 二氧化鈦、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵、氧化銦、氧化鋯、氧化釔或氧化釓的顆 粒的比表面積為80~500cm 2/g。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述可見光透過率不低于85%的透明聚合物包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、環(huán) 狀聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯。12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合的 致密的有機物膜層的導(dǎo)熱率為0.01 -1 〇〇W/m. k。13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于新概念的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體，其特 征在于，所述硅烷偶聯(lián)劑、可見光透過率不低于85%的透明聚合物中的一種或多種組合的 致密的有機物膜層的厚度為0. 〇〇1-5μπι。14. 一種發(fā)光器件，其特征在于，至少含有發(fā)紫外光、紫光或藍光的LED芯片和熒光體， 其中熒光體至少包括權(quán)利要求1-13任一項所述的有種植棱角及滲透擴散層的熒光體。
【文檔編號】H01L33/50GK106025043SQ201610368788
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月30日
【發(fā)明人】何錦華, 梁超, 符義兵, 李樹亞
【申請人】江蘇博睿光電有限公司