具有金屬樁互連的底部封裝的制作方法
【專利摘要】提供了包括多個(gè)金屬樁的底部封裝基板，該多個(gè)金屬樁通過管芯側(cè)重分布層電耦合至多個(gè)管芯互連。金屬樁和管芯互連被鍍敷到底部封裝基板上的晶種層上。
【專利說明】具有金屬樁互連的底部封裝
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2014年2月18日提交的美國臨時(shí)專利申請(qǐng)序列號(hào)61/941,345的提交日的優(yōu)先權(quán)，該臨時(shí)申請(qǐng)要求于2014年4月16日提交的美國專利申請(qǐng)序列號(hào)14/254，494的提交日的優(yōu)先權(quán)，這兩篇申請(qǐng)的全部內(nèi)容通過援弓I納入于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本申請(qǐng)涉及集成電路封裝，尤其涉及具有金屬粧互連的底部封裝。
[0004]背景
[0005]有機(jī)基板由于其低成本而通常在層疊封裝架構(gòu)中使用。例如，觸發(fā)器管芯(諸如微處理器)可通過多個(gè)焊料凸塊或銅柱耦合至用于底部封裝的有機(jī)基板的第一表面。為了支持至頂部封裝基板的耦合或互連，底部封裝基板具有足夠大的占用面積，從而底部封裝管芯在底部封裝基板的第一表面上存在周界。該周界可隨后支持至頂部封裝的焊球互連。盡管結(jié)果所得的層疊封裝架構(gòu)由于其低成本而非常流行，但是有機(jī)基板通常不適于現(xiàn)代的細(xì)間距管芯，因?yàn)橛袡C(jī)基板僅容適相對(duì)粗略的互連間距。該互連間距是基板至管芯互連(諸如，微凸塊或銅柱)與底部封裝至頂部封裝互連(諸如，焊球)之間的分隔。
[0006]由于針對(duì)有機(jī)基板的互連間距限制，用于現(xiàn)代的細(xì)間距管芯的底部封裝基板通常包括玻璃或半導(dǎo)體中介體。與有機(jī)基板形成對(duì)比，玻璃或半導(dǎo)體中介體支持細(xì)間距互連。因此將細(xì)間距管芯安裝到中介體上是常規(guī)的，因?yàn)椴ＡЩ蚬柚薪轶w實(shí)現(xiàn)必要的細(xì)間距互連。多個(gè)細(xì)間距管芯(諸如，第一處理器管理和第二處理器管芯)可安裝到同一中介體上。中介體通過重分布層(RDL)從每個(gè)管芯接收細(xì)間距互連(諸如，微凸塊或銅柱)，該互連使得每個(gè)管芯能通過RDL與其他(諸)管芯通信。盡管結(jié)果所得的中介體封裝因此是有利的，因?yàn)樗葸m必要的細(xì)間距互連，但是使處理器與相關(guān)聯(lián)的外部存儲(chǔ)器(諸如，使用層疊封裝(PoP)構(gòu)造的DRAM管芯)對(duì)接是常規(guī)的。但是中介體的占用面積已經(jīng)有點(diǎn)大，因?yàn)樗仨毦哂斜匾谋砻婷娣e以支持細(xì)間距管芯。
[0007]如果此類中介體還包括圍繞細(xì)間距管芯的周界以向上存儲(chǔ)器封裝基板提供用于常規(guī)PoP焊球互連的空間，則中介體占用面積變得過多。例如，在底部封裝的制造期間用模塑復(fù)合物來包裹中介體上的管芯和焊球互連是常規(guī)的。被包住的焊球必須隨后被暴露，諸如通過使用對(duì)模塑復(fù)合物的激光鉆孔。來自激光的熱要求焊球與管芯之間的某個(gè)禁用(keep-out)距離。用于底部封裝的結(jié)果所得的中介體因此需要相對(duì)較大的占用面積以不僅支持管芯和焊球，而且還支持焊球與管芯之間的禁用距離。另外，焊球必須相對(duì)較大以耦合至上封裝。此種相對(duì)較大的互連尺寸要求相應(yīng)較大的互連間距。中介體占用面積因此必須足夠大以支持具有其必不可少的間距的焊球以及焊球與管芯之間的相關(guān)聯(lián)的禁用面積兩者，這減少了密度并且是昂貴的。作為替換方案，中介體可包括支持互連條(諸如，印刷電路條或硅或玻璃互連條)的周界?；ミB條包括與焊球相對(duì)的數(shù)個(gè)鍍敷通孔。但在互連條中制造鍍敷通孔還要求關(guān)于互連條外周界的某個(gè)距離或禁用面積。因此，不管常規(guī)中介體包括焊球還是互連條，中介體占用面積必須相對(duì)較大。
[0008]相應(yīng)地，在本領(lǐng)域存在對(duì)具有減少的占用面積的底部封裝基板(諸如，中介體)的需要。
[0009]概述
[0010]底部封裝被提供有用于形成至頂部封裝的互連的鍍敷金屬粧。與使用焊球或互連條以形成至上封裝或附加管芯的互連的常規(guī)底部封裝相比，該鍍敷金屬粧實(shí)現(xiàn)底部封裝的減少的占用面積。底部封裝包括支持一個(gè)或多個(gè)管芯的底部封裝基板。在一些實(shí)施例中，底部封裝基板可包括支持多個(gè)管芯的玻璃、硅、或?qū)盈B有機(jī)中介體。在替換性實(shí)施例中，底部封裝基板可包括支持單個(gè)管芯的玻璃基板、半導(dǎo)體基板、或?qū)盈B有機(jī)基板。
[0011]為了提供減少的占用面積，底部封裝基板包括通過重分布層(RDL)耦合至管芯互連的多個(gè)鍍敷金屬粧。由底部封裝基板支持的(諸)管芯通過管芯互連耦合至RDL，從RDL耦合至金屬粧，以及從金屬粧耦合至頂部封裝基板。與常規(guī)條互連實(shí)施例形成對(duì)比，金屬粧和管芯互連兩者被鍍敷到覆蓋RDL的晶種層上。管芯互連和金屬粧可在管芯(或多個(gè)管芯)被附連至底部封裝基板之前被鍍敷到晶種層上。與常規(guī)的條互連或焊球?qū)嵤├纬蓪?duì)比，金屬粧可因此被沉積而無需禁用面積。與常規(guī)架構(gòu)相比，本文公開的結(jié)果所得的底部封裝基板因此具有有利地增強(qiáng)的密度。
[0012]附圖簡述
[0013]圖1A是根據(jù)本公開的實(shí)施例的包括金屬粧的底部封裝的橫截面視圖。
[0014]圖1B是圖1A的底部封裝在其接收頂部封裝以形成層疊封裝(PoP)構(gòu)造時(shí)的橫截面視圖。
[0015]圖2A是在沉積管芯互連和金屬粧之前用于形成圖1A的底部封裝的中介體的橫截面視圖。
[0016]圖2B是在沉積晶種層之后的圖2A的中介體的橫截面視圖。
[0017]圖2C是在沉積并圖案化第一掩模層以形成管芯互連之后的圖2B的中介體的橫截面視圖。
[0018]圖2D是在沉積管芯互連并移除第一掩模層之后的圖2C的中介體的橫截面視圖。
[0019]圖2E是在沉積并圖案化第二掩模層以形成金屬粧之后的圖2D的中介體的橫截面視圖。
[0020]圖2F是在沉積金屬粧并移除第二掩模層之后的圖2E的中介體的橫截面視圖。
[0021]圖2G是在一對(duì)管芯的附連之后的圖2F的中介體的橫截面視圖。
[0022]圖2H是在沉積模塑復(fù)合物以包裹管芯并在附連焊球之后的圖2G的中介體的橫截面視圖。
[0023]圖21是在背側(cè)研磨并形成面向板的重分布層和焊球之后的圖2H的中介體的橫截面視圖。
[0024]圖21是在劃片以完成底部封裝的構(gòu)造之后的圖21的中介體的橫截面視圖。
[0025]圖3是示出關(guān)于管芯的金屬粧的布置的圖2J的底部封裝的平面圖。
[0026]圖4是根據(jù)本公開的實(shí)施例的概述用于底部封裝的制造方法的流程圖。
[0027]圖5解說了根據(jù)本公開的實(shí)施例的納入底部封裝的一些示例電子系統(tǒng)。
[0028]本公開的各實(shí)施例及其優(yōu)勢(shì)通過參考以下詳細(xì)描述而被最好地理解。應(yīng)當(dāng)領(lǐng)會(huì)，在一個(gè)或多個(gè)附圖中，相同的參考標(biāo)記被用來標(biāo)識(shí)相同的元件。
[0029]詳細(xì)描述
[0030]為了避免來自常規(guī)使用焊球或條互連以將底部封裝電耦合至頂部封裝的過量占用面積需求，底部封裝被提供有鍍敷金屬粧以形成至頂部封裝的互連。與使用焊球或互連條以形成至上封裝或附加管芯的互連的常規(guī)底部封裝相比，該電鍍金屬粧實(shí)現(xiàn)底部封裝的減少的占用面積。底部封裝包括支持一個(gè)或多個(gè)管芯的底部封裝基板。在一些實(shí)施例中，底部封裝基板可包括支持多個(gè)管芯的玻璃、硅、或?qū)盈B有機(jī)中介體。在替換性實(shí)施例中，底部封裝基板可包括支持單個(gè)管芯的玻璃、半導(dǎo)體或?qū)盈B有機(jī)基板。
[0031]因?yàn)楸疚墓_的金屬粧被鍍敷在底部封裝基板上，所以與要求將互連條嵌入到底部封裝基板中的額外處理步驟的常規(guī)使用互連條相比，制造成本顯著降低。此外，互連條制造通常要求對(duì)通孔的激光鉆孔，該通孔隨后被鍍敷以在互連條中形成金屬粧?；ミB條因此要求圍繞其整個(gè)周界的相對(duì)較大的禁用面積。相反，本文公開的用于底部封裝的金屬粧的鍍敷不需要激光鉆孔。與不僅關(guān)于(諸)管芯而且還關(guān)于底部封裝基板的周界使用互連條相比，被鍍敷的金屬粧因此需要減少的禁用面積。相應(yīng)地，所公開的底部封裝提供增加的密度和降低的制造成本。
[0032]為了提供減少的占用面積并增加密度，被鍍敷的金屬粧在底部封裝中通過重分布層(RDL)電耦合至管芯互連。在一個(gè)實(shí)施例中，管芯互連包括金屬柱。就此而言，常規(guī)中介體還可具有將管芯互連(諸如，金屬柱)電耦合至條互連中的金屬粧的重分布層。但常規(guī)的條互連是與底部封裝基板分開制造的。在常規(guī)制造過程中，形成條互連的基板被鉆孔(諸如通過激光或機(jī)械鉆孔)以形成隨后被鍍敷以完成條互連粧的多個(gè)通孔。由于在條互連基板中形成通孔的鉆孔或機(jī)械加工工藝，各通孔(以及因此將最終填充各通孔的金屬粧)必須與條互連基板周界間隔某個(gè)禁用距離。如較早所討論的，包含條互連的底部封裝基板中的結(jié)果所得的禁用距離限制密度并且因此增加成本。
[0033]截然不同地，本文公開的金屬粧不是在條互連中被分開制造的。相反，所公開的金屬粧就地被制造在底部封裝基板上。為了實(shí)現(xiàn)該就地形成，晶種層覆蓋重分布層。介電層隨后覆蓋晶種層。窗口在介電層中敞開以形成互連開口以及還有金屬粧開口。金屬隨后可被鍍敷到暴露于管芯互連開口和金屬粧開口中的晶種層部分上以形成管芯互連和金屬粧。
[0034]因?yàn)楸┞队诠苄净ミB開口中的晶種層與暴露于金屬粧開口中的晶種層相同，該晶種層在本文也被標(biāo)記為單個(gè)晶種層。管芯互連和金屬粧可在管芯(或多個(gè)管芯)被附連至底部封裝基板之前被沉積到晶種層上。與使用互連條相比，金屬粧可因此被形成而無需減少的關(guān)于基板邊緣和關(guān)于(諸)管芯兩者的禁用面積。相反，互連條從此類條的晶片劃片并因此需要較大的禁用面積。與常規(guī)架構(gòu)相比，本文公開的結(jié)果所得的底部封裝基板因此具有有利地增強(qiáng)的密度和較低的制造成本。可參考以下示例實(shí)施例更好地領(lǐng)會(huì)這些有利特征。
[0035]示例實(shí)施例
[0036]現(xiàn)在轉(zhuǎn)向附圖，圖1A解說了包括半導(dǎo)體或玻璃中介體115的金屬粧增強(qiáng)型底部封裝100。替換地，中介體115可包括層疊有機(jī)中介體。在替換性實(shí)施例中，中介體115可取而代之包括僅支持單個(gè)管芯105的基板。類似于中介體的實(shí)施例，用于底部封裝單芯片實(shí)施例的基板可包括玻璃、半導(dǎo)體或?qū)盈B有機(jī)聚合物。
[0037]每個(gè)管芯105通過多個(gè)互連(諸如，焊料凸塊107)耦合至基板115上的相應(yīng)多個(gè)管芯互連110。管芯互連110還電耦合至管芯側(cè)重分布層，該重分布層進(jìn)而電耦合至多個(gè)金屬粧160。在底部封裝100中，管芯側(cè)重分布層包括上部或第一管芯側(cè)RDL 140和下部或第二管芯側(cè)RDL 205。替換性實(shí)施例可具有用于管芯側(cè)重分布層的恰好單個(gè)金屬層或者可具有兩個(gè)以上金屬層。在底部封裝100中，互連110電耦合至下部管芯側(cè)RDL 205。進(jìn)而，下部管芯側(cè)RDL 205電耦合至上部管芯側(cè)RDL 140,RDL 140隨后電耦合至金屬粧160。在一個(gè)實(shí)施例中，管芯互連110可被認(rèn)為包括用于將管芯105電耦合至管芯側(cè)重分布層(諸如，下部管芯側(cè)RDL205)的裝置。管芯互連110和金屬粧160可包括任何合適的鍍敷金屬，諸如銅或鎳。類似地，本文公開的各種重分布層(諸如，銅和下部管芯側(cè)重分布層140和205)可包括銅、鎳、或其他導(dǎo)電金屬。上部和下部管芯側(cè)重分布層140和205在介電層130內(nèi)形成導(dǎo)體或互連以將管芯互連110電耦合至金屬粧160中的相應(yīng)各個(gè)金屬粧。例如，特定管芯互連110(諸如，管芯互連IlOa)可能需要電耦合至特定金屬粧160，諸如金屬粧160a。上部管芯側(cè)RDL 140和下部管芯側(cè)RDL 205因此將這些結(jié)構(gòu)電耦合在一起。另外，上部和下部管芯側(cè)RDL 140和205包括導(dǎo)體(未解說)以在管芯105之間電耦合管芯至管芯信號(hào)。類似地，下部管芯側(cè)RDL 205將管芯105電耦合至多個(gè)穿板通孔185。
[0038]穿板通孔185從下部管芯側(cè)RDL205通過基板115的核心層120延伸至面向板的重分布層(RDL) 150，RDL 150進(jìn)而電耦合至面向板的焊球155。核心層120的組成取決于在底部封裝100中使用的基板。例如，在玻璃中介體實(shí)施例中，核心層120將包括玻璃。類似地，在半導(dǎo)體中介體實(shí)施例中，核心層120將包括半導(dǎo)體。面向板的重分布層150可通過介電層156與核心層120絕緣。例如，介電層156可被層疊到核心層120上以還使穿板通孔185排成一行。板側(cè)阻焊或鈍化層136包括開口，以使得面向板的重分布層150的暴露焊盤部分可接收焊球155。焊球155電耦合至電路板(未解說)或底層封裝。
[0039]模塑復(fù)合物165部分包覆管芯105和金屬粧160。金屬粧160還可電親合至模塑復(fù)合物165和管芯105上的頂側(cè)重分布層170。頂側(cè)阻焊或鈍化層190覆蓋頂側(cè)重分布層170。在替換性實(shí)施例中，頂側(cè)重分布層170可通過鈍化層190與管芯105絕緣，鈍化層190包括開口以暴露頂側(cè)重分布層170中的焊盤。這些開口可接收來自頂部封裝200的互連206(諸如，焊料凸塊或銅柱)，如圖1B中所示。上部封裝200在圖1B中被示為恰好在其被安裝到底部封裝100之前。因此凸塊206尚不與圖1B中的頂側(cè)重分布層170接觸。頂側(cè)重分布層170允許柱160與來自頂部封裝200的互連206之間的扇出。現(xiàn)在將討論示例制造方法。
[0040]示例制造方法
[0041]圖1A和IB中示出的底部封裝100的制造可在晶片級(jí)工藝(WLP)實(shí)施例中或個(gè)體地執(zhí)行。在WLP實(shí)施例中，中介體核120可能最初是將作為整體被處理的晶片或面板(未解說)的一部分。該面板或晶片可能包括多個(gè)中介體核120，在將中介體核120從該面板或晶片劃片之前用管芯互連110和金屬粧160來處理中介體核120。替換地，每個(gè)中介體核120可在其從面板或晶片劃片之后被個(gè)體地處理。
[0042]中介體核120可用各種方法配置有穿板通孔185。例如，中介體核120可以被激光鉆孔或鍍敷以形成通孔185。替換地，例如，可使用激光鉆孔或機(jī)械加工來形成數(shù)個(gè)盲通孔，并且隨后在暴露這些盲通孔的盲端的研磨步驟之前在中介體核120中鍍敷該數(shù)個(gè)盲通孔，由此這些盲通孔形成穿板通孔185。例如，圖2A解說了包括多個(gè)導(dǎo)電盲通孔200的中介體核120的橫截面。在該實(shí)施例中，中介體核120是晶片或面板215的一部分，從而實(shí)現(xiàn)WLP制造技術(shù)。為了形成導(dǎo)電盲通孔200，中介體核120的面向管芯的表面被激光鉆孔、蝕刻或機(jī)械鉆孔以形成多個(gè)盲通孔，該多個(gè)盲通孔隨后被鍍敷以形成導(dǎo)電盲通孔200。在鍍敷之前，盲通孔可用介電層(未解說)(諸如，圖1A中示出的介電層156)來作襯里。
[0043]如圖2A中所示，中介體核120的面向板的表面202尚未被接地以暴露導(dǎo)電盲通孔200的末端，從而形成關(guān)于圖1A和IB討論的穿板通孔185。因?yàn)閳D2A正解說初始制造步驟，所以圖1A和IB中不出的穿板通孔185尚未形成。在形成導(dǎo)電盲通孔200之后，介電層135被沉積在支持介電層135的中介體核120的面向管芯的表面203上。例如，介電層135可以被層疊到面向管芯的表面203上。在此類實(shí)施例中，介電層135可包括聚酰亞胺、味之素構(gòu)建膜、基于苯并環(huán)丁烯的聚合物、或其他合適的電介質(zhì)材料。替換地，介電層135可被旋涂到面向管芯的表面203上或使用化學(xué)氣相沉積技術(shù)來沉積。介電層135可分階段地沉積以允許掩模步驟，因此可在介電層135內(nèi)形成管芯側(cè)重分布層(諸如，上部管芯側(cè)重分布層140)。例如，金屬(諸如銅或鎳)可使用鍍敷或無電鍍敷技術(shù)來沉積以形成上部管芯側(cè)RDL 140。如以上所討論的，在本文公開的各種重分布層中可使用多個(gè)金屬層。因此，介電層135可包括附加的管芯側(cè)重分布層(諸如，如關(guān)于上部管芯側(cè)RDL 140所討論的類似地形成的下部管芯側(cè)RDL205)。在一些實(shí)施例中，中介體核120可包括半導(dǎo)體，諸如具有一些導(dǎo)電性的硅。為了防止此類導(dǎo)電基板短路，下部管芯側(cè)RDL 205可通過介電層135與中介體核120絕緣，如圖2B中所示。替換地，如果中介體核120包括玻璃或有機(jī)材料，則下部管芯側(cè)RDL 205可接觸中介體核120，如圖1A中所示。
[0044]在其沉積之后，介電層135可被處理，諸如通過蝕刻以形成開口以供后續(xù)形成金屬粧160和管芯互連110，如關(guān)于圖1A和IB所討論的。例如，介電層135可被圖案化以包括管芯互連開口 201，管芯互連開口 201使下部管芯側(cè)RDL205的相應(yīng)部分暴露。類似地，介電層135可被圖案化以包括金屬粧開口 225，金屬粧開口 225還使上部管芯側(cè)RDL 140的相應(yīng)部分暴
Mo
[0045]在形成管芯互連開口 201和金屬粧開口 225之后，可隨后用金屬晶種層210來覆蓋介電層135，如圖2B中所示。例如，金屬晶種層210可包括例如使用物理氣相技術(shù)沉積的TiCu、TiW或銅。注意，單個(gè)晶種層210使管芯互連開口 201和金屬粧開口 225兩者排成一行。
[0046]如圖2C中所示，第一掩模層215(諸如，濕或干蝕刻掩模層)可隨后被沉積在晶種層210上并被圖案化以重新暴露管芯互連開口 201。在一些實(shí)施例中，與其在圖2A中的尺寸相比，重新暴露可擴(kuò)大管芯互連開口 201。第一掩模層215因此是以與將填充管芯互連開口201的管芯互連(尚未形成)的期望高度匹配的厚度來沉積的。以此方式，管芯互連110可隨后被鍍敷到管芯互連開口201中，如圖2D中所示。例如，合適的金屬(諸如，銅或鎳)可被電鍍以形成管芯互連110。圖2C的第一掩模層215可隨后在此時(shí)從面板或晶片215剝離或移除。
[0047]圖1A和IB的金屬粧160具有與管芯互連110相比更大的高度或長度。因此，在一些實(shí)施例中，金屬粧160在鍍敷管芯互連110時(shí)不被鍍敷，因?yàn)榈谝谎谀?15具有與管芯互連110而非金屬粧160的期望高度匹配的高度。金屬粧160的形成可隨后始于在晶種層210上沉積第二掩模層220，如圖2E中所示。與第一掩模層215 (圖2C)相比，第二掩模層220具有更大厚度或高度以便與管芯互連110相比容適金屬粧160的更大高度。類似于第一掩模層215，第二掩模層220被圖案化以重新暴露并擴(kuò)大金屬粧開口 225。
[0048]金屬粧160可隨后被鍍敷到金屬粧開口225中，且第二掩模層220被剝離或以其他方式移除，如圖2F中所示。類似地，晶種層210的所暴露部分也在此時(shí)被蝕刻掉。然而，將保留管芯互連110和金屬粧160被鍍敷到其上的晶種層210的那些部分(未解說)。晶種層210的蝕刻可在管芯互連110和金屬粧160下方保留的那些部分上產(chǎn)生相同的底切量(未解說)。
[0049]圖2G中解說了管芯105的附連。管芯105上的互連(諸如，焊料凸塊107或銅柱)電耦合至面板或晶片215上的相應(yīng)管芯互連110。底部填料240還可在此時(shí)被應(yīng)用以輔助將管芯105固定至面板或晶片215。
[0050]在管芯105已經(jīng)被附連之后，模塑復(fù)合物245可隨后被應(yīng)用以至少部分地封裝管芯105，如圖2H中所示。模塑復(fù)合物也部分地封裝金屬粧160。金屬粧和管芯105兩者的上表面可在應(yīng)用模塑復(fù)合物245之后暴露。替換地，研磨過程可被用于使金屬粧160暴露。
[0051]穿板通孔185可隨后暴露在中介體核120的底表面或面向板的表面上。例如，制造商可研磨晶片或面板215的面向板的一側(cè)202以暴露導(dǎo)電盲通孔200的盲端(例如，圖2H中示出)從而形成穿板通孔185。面向板的重分布層150可隨后連同阻焊或鈍化層136—起被沉積在面向板的表面202上，該阻焊或鈍化層136被圖案化以形成焊球155的開口，如圖21中所不O
[0052]因?yàn)橐陨详P(guān)于圖2A到圖21討論的制造步驟涉及WLP實(shí)施例，所以這些步驟可全部在完整晶片或面板215上執(zhí)行。從面板215劃片因此提供了完整的底部封裝250，如圖2J中所不O
[0053]為了提供對(duì)底部封裝250的密度優(yōu)勢(shì)的較好領(lǐng)會(huì)，在圖3中的平面圖中示出了其面向管芯的表面。金屬粧160被安排在關(guān)于管芯105的底部封裝250的周界上。模塑復(fù)合物245填充金屬粧160與管芯105之間的空間。但此類安排不需要如在常規(guī)互連條封裝中那樣在金屬粧160與管芯105之間包括禁用面積。如先前所討論的，互連條的制造要求關(guān)于其周界的某個(gè)禁用面積，因?yàn)榛ミB條基板通常被激光鉆孔以形成用于金屬粧的后續(xù)鍍敷的通孔。此類鉆孔不能距互連條基板周界太近地執(zhí)行。截然不同地，金屬粧160被沉積在與在其上沉積管芯互連110相同的晶種層210上，如關(guān)于例如圖2F所討論的。對(duì)于將焊球用于至頂部封裝的互連的常規(guī)底部封裝而言，密度變得甚至更差。因此，與常規(guī)辦法相比，底部封裝250已經(jīng)有利地增加了密度?，F(xiàn)在將討論概述制造過程的流程圖。
[0054]示例制造概述方法
[0055]該制造方法可概述為如圖4的流程圖中所示。步驟400包括通過基板表面上的介電層內(nèi)的多個(gè)管芯互連開口和多個(gè)金屬粧開口來暴露重分布層。圖4C中示出的管芯互連開口201的形成以及圖2E中示出的金屬粧開口 235的形成是步驟400的示例。步驟405包括在管芯互連開口中形成管芯互連。圖2D中示出的管芯互連110的形成提供了步驟402的示例。最后，步驟410包括在金屬粧開口中形成金屬粧。圖2F中示出的金屬粧160的形成提供了步驟410的示例。
[0056]示例電子系統(tǒng)
[0057]包括如本文所公開的具有金屬粧的底部封裝的集成電路封裝可被納入到各種各樣的電子系統(tǒng)中。例如，如圖5中所示，蜂窩電話500、膝上型設(shè)備505和平板PC 510都可以包括納入根據(jù)本公開構(gòu)建的包含金屬粧的底部封裝的集成電路封裝。其他示例性電子系統(tǒng)(諸如音樂播放器、視頻播放器、通信設(shè)備和個(gè)人計(jì)算機(jī))也可以用根據(jù)本公開構(gòu)建的集成電路封裝來配置。
[0058]如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員至此將領(lǐng)會(huì)的并取決于手頭的具體應(yīng)用，可以在本公開的設(shè)備的材料、裝置、配置和使用方法上做出許多修改、替換和變動(dòng)而不會(huì)脫離本公開的精神和范圍。有鑒于此，本公開的范圍不應(yīng)當(dāng)被限定于本文中所解說和描述的特定實(shí)施例(因?yàn)槠鋬H是作為本公開的一些示例)，而應(yīng)當(dāng)與所附權(quán)利要求及其功能等同方案完全相當(dāng)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種封裝，包括: 基板； 管芯側(cè)重分布層； 所述管芯側(cè)重分布層上的晶種層； 通過所述晶種層電耦合至所述管芯側(cè)重分布層的多個(gè)管芯互連；以及 通過所述晶種層電耦合至所述管芯側(cè)重分布層的多個(gè)金屬粧。2.如權(quán)利要求1所述的封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括電耦合至所述多個(gè)管芯互連的至少子集的至少一個(gè)管芯。3.如權(quán)利要求2所述的封裝，其特征在于，所述基板包括玻璃中介體，并且其中所述至少一個(gè)管芯包括多個(gè)管芯，每個(gè)管芯電耦合至所述管芯互連的相應(yīng)子集。4.如權(quán)利要求3所述的封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括至少部分地封裝所述多個(gè)管芯的模塑復(fù)合物，并且其中所述管芯互連和所述金屬粧兩者都包括選自由銅和鎳構(gòu)成的組中的金屬。5.如權(quán)利要求2所述的封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括電耦合至所述多個(gè)金屬粧的頂部封裝。6.如權(quán)利要求1所述的封裝，其特征在于，所述管芯互連包括多個(gè)焊料凸塊。7.如權(quán)利要求1所述的封裝，其特征在于，所述管芯互連包括多個(gè)焊柱。8.如權(quán)利要求1所述的封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括: 延伸通過所述基板的多個(gè)穿板通孔； 與所述基板的面向板的表面毗鄰的面向板的重分布層，其中所述穿板通孔的至少子集將所述面向管芯的重分布層電耦合至所述面向板的重分布層。9.如權(quán)利要求8所述的封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括毗鄰所述基板的所述面向板的表面的多個(gè)焊球，其中所述多個(gè)焊球電耦合至所述面向板的重分布層。10.如權(quán)利要求8所述的封裝，其特征在于，所述管芯側(cè)重分布層和所述面向板的重分布層各自包括經(jīng)圖案化的銅金屬層。11.一種方法，包括: 在基板上通過毗鄰重分布層的介電層來形成多個(gè)管芯互連開口； 通過所述介電層來形成多個(gè)金屬粧開口 ； 在所述管芯互連開口中形成管芯互連；以及 在所述金屬粧開口中形成金屬粧。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括: 在所述重分布層上沉積晶種層，其中形成所述管芯互連包括將所述管芯互連鍍敷到所述晶種層的暴露于所述管芯互連開口內(nèi)的部分上，并且其中形成所述金屬粧包括將所述金屬粧鍍敷到所述晶種層的暴露于所述金屬粧開口內(nèi)的部分上。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，鍍敷所述管芯互連和所述金屬粧包括鍍敷選自由銅和鎳構(gòu)成的組中的金屬。14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括將至少一個(gè)管芯附連至所述管芯互連的至少子集。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，附連所述至少一個(gè)管芯包括將多個(gè)管芯附連至所述多個(gè)管芯互連。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括至少部分地用模塑復(fù)合物來封裝管芯。17.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括: 形成所述重分布層作為與所述基板的面向管芯的表面毗鄰的面向管芯的重分布層；以及 在所述基板的面向板的表面上形成面向板的重分布層。18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括: 形成延伸通過所述基板的多個(gè)穿板通孔，以使得所述穿板通孔電耦合在所述面向管芯的重分布層與所述面向板的重分布層之間。19.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，鍍敷所述管芯互連包括在所述介電層上沉積第一掩模層，圖案化所述第一掩模層以暴露所述管芯互連開口，以及將所述管芯互連鍍敷到所暴露的管芯互連開口中。20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，鍍敷所述金屬粧包括在所述介電層上沉積第二掩模層，圖案化所述第二掩模層以暴露所述金屬粧開口，以及將所述金屬粧鍍敷到所暴露的金屬粧開口中。21.—種封裝，包括: 中介體； 多個(gè)管芯； 管芯側(cè)重分布層； 所述管芯側(cè)重分布層上的晶種層； 用于通過所述晶種層來將所述多個(gè)管芯電耦合至所述管芯側(cè)重分布層的裝置；以及 電耦合至所述管芯側(cè)重分布層的多個(gè)金屬粧。22.如權(quán)利要求21所述的封裝，其特征在于，所述中介體包括玻璃中介體。23.如權(quán)利要求21所述的封裝，其特征在于，所述中介體包括半導(dǎo)體中介體。24.如權(quán)利要求21所述的封裝，其特征在于，進(jìn)一步包括延伸通過所述中介體的多個(gè)穿板通孔，其中所述多個(gè)穿板通孔電耦合至所述管芯側(cè)重分布層。25.如權(quán)利要求21所述的封裝，其特征在于，所述封裝被納入到以下至少一者中:蜂窩電話、膝上型設(shè)備、平板設(shè)備、音樂播放器、通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)和視頻播放器。26.如權(quán)利要求21所述的封裝，其特征在于，所述金屬粧包括經(jīng)鍍敷的銅金屬粧。27.一種方法，包括: 將金屬粧和管芯互連鍍敷到中介體上；以及 將多個(gè)管芯安裝到所述管芯互連上。28.如權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，鍍敷所述金屬粧和所述管芯互連包括將所述金屬粧和所述管芯互連鍍敷到晶種層上。29.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過原子層沉積來沉積所述晶種層。30.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括用模塑復(fù)合物來部分地包覆所述管芯和所述金屬粧。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK106030791SQ201580008881
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2015年2月6日
【發(fā)明人】S·顧, R·拉多伊契奇, D·W·金
【申請(qǐng)人】高通股份有限公司