一種晶圓減薄方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶圓減薄方法，包括下述步驟：提供半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓正面形成鈍化層，并蝕刻所述鈍化層以形成溝槽；形成覆蓋所述晶圓邊緣以及所述溝槽和鈍化層的填充層；去除晶圓邊緣和溝槽區(qū)域之外的填充層；在所述鈍化層上形成膠帶；對所述晶圓進(jìn)行晶背研磨；去除所述膠帶；去除所述填充層。本發(fā)明提供的晶圓減薄方法在切割道等縫隙處以及晶圓邊緣處形成填充層，這樣當(dāng)進(jìn)行晶背研磨時(shí)，由于在切割道等縫隙處以及晶圓邊緣處由填充層填充，研磨過程中產(chǎn)生的硅粉末不論是從晶圓側(cè)面還是底面都無法進(jìn)入芯片，因此可完全解決目前晶背研磨過程中硅粉末進(jìn)入芯片的問題。
【專利說明】
_種晶圓減薄方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種晶圓減薄方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體工藝后端，由于不同工藝需求，有時(shí)候需要將晶圓進(jìn)行減薄，S卩，對進(jìn)行晶背研磨(backside grinding)將晶圓背面多余的基體材料去除一定的厚度使晶圓背面減到一定厚度，如常見有19豪寸(mil)，12豪寸等。比如通常在集成電路封裝前，要把2層或2層以上芯片堆疊在一起進(jìn)行系統(tǒng)封裝，而為了適應(yīng)集成電路芯片封裝的輕小化發(fā)展趨勢，人們希望晶圓的厚度能夠做到非常的薄(即制造超薄晶圓)，因此在晶圓切割前對晶圓進(jìn)行減薄，比如將晶圓片減薄到150um甚至150um以下。
[0003]如圖1a所示，目前晶圓減薄的大致過程為先在晶圓100正面(晶圓100的正面是指在半導(dǎo)體襯底上形成元件、疊層、互連線以及焊墊等的表面)形成鈍化膜層(passivat1n film) 101，然后蝕刻鈍化膜層101露出切割道(scriber line) 102等，然后進(jìn)行清洗去除蝕刻試劑和其他殘余物質(zhì)，接著進(jìn)行晶片可接受測試(WAT)來測試晶片的電學(xué)性能等，當(dāng)測試合格后則在鈍化膜層101粘結(jié)膠帶103，再利用膠103帶將晶圓放置在研磨機(jī)的機(jī)臺上然后進(jìn)行晶背研磨。此外，為了增強(qiáng)膠帶103與鈍化膜層101的粘附力，可在膠帶103與鈍化膜層101的粘附力增加粘結(jié)劑104。
[0004]但是在晶背研磨過程中，除了常見的晶片破碎等風(fēng)險(xiǎn)外，還有磨后的硅粉末(S1-dust)會帶入芯片中的問題；而一旦硅粉末進(jìn)入芯片中比較深的地方，后續(xù)的清洗很難完全清除掉，如圖1b所示，區(qū)域B中的切割道內(nèi)充滿硅粉末，不僅目檢不能過關(guān)，影響外觀，而且嚴(yán)重情況的還會影響后續(xù)切割過程。
[0005]目前硅粉末進(jìn)入芯片中的問題主要發(fā)生在具有厚頂部金屬層的產(chǎn)品上，這是因?yàn)轫敳拷饘賹雍穸缺容^大時(shí)，比如20K，33K, 40K，相應(yīng)的鈍化膜層101也會很厚，鈍化膜層101刻蝕之后臺階(step high)(比如切割道102)更大，硅粉末進(jìn)入后更難清洗掉。這樣不僅后續(xù)清洗影響產(chǎn)能，而且有些客戶拒絕接受這類晶片。為了減少硅粉末進(jìn)入芯片，之前的做法是改變膠帶103，通過換更有粘附力的膠來盡量蓋住縫隙(比如切割道102)，但還是不能解決硅粉末從晶圓側(cè)面的進(jìn)入芯片中的問題，而且如圖1a所示，當(dāng)鈍化膜層101厚度較大時(shí)，縫隙(比如切割道102)深寬比很大，膠帶103只能覆蓋縫隙上部區(qū)域，而縫隙底部區(qū)域仍然可以進(jìn)入硅粉末。此外，就是后續(xù)對晶圓或芯片進(jìn)行多次清洗，但是者并不能完全去掉芯片中的娃粉末。
[0006]因此，有必要提出一種新的制作方法，以解決上述存在的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0008]為了克服目前存在的問題，本發(fā)明一方面提供一種晶圓減薄方法，其包括下述步驟:提供半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓正面形成鈍化層，并蝕刻所述鈍化層以形成溝槽；形成覆蓋所述晶圓邊緣以及所述溝槽和鈍化層的填充層；去除晶圓邊緣和溝槽區(qū)域之外的填充層；在所述鈍化層上形成膠帶；對所述晶圓進(jìn)行晶背研磨；去除所述膠帶；去除所述填充層。
[0009]本發(fā)明提供的晶圓減薄方法在切割道等縫隙處以及晶圓邊緣處形成填充層，這樣當(dāng)進(jìn)行晶背研磨時(shí)，由于在切割道等縫隙處以及晶圓邊緣處由填充層填充，研磨過程中產(chǎn)生的硅粉末不論是從晶圓側(cè)面還是底面都無法進(jìn)入芯片，因此可完全解決目前晶背研磨過程中娃粉末進(jìn)入芯片的冋題。
【附圖說明】
[0010]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0011]附圖中:
[0012]圖1A示出了待進(jìn)行晶背掩膜的晶圓剖面示意圖；
[0013]圖1B不出了娃粉末進(jìn)入芯片的晶圓的不意圖；
[0014]圖2A?圖21示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶圓減薄方法依次實(shí)施各步驟所獲得器件的剖面示意圖；
[0015]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的晶圓減薄方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0017]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標(biāo)記表示相同的元件。
[0018]應(yīng)當(dāng)明白，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在…上”、“與…相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，其可以直接地在其它元件或?qū)由?、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或?qū)?，或者可以存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在…上”、“與…直接相鄰”、“直接連接至IJ”或“直接耦合到”其它元件或?qū)訒r(shí)，則不存在居間的元件或?qū)印?yīng)當(dāng)明白，盡管可使用術(shù)語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區(qū)、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)、層和/或部分不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅僅用來區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)、層或部分。因此，在不脫離本發(fā)明教導(dǎo)之下，下面討論的第一元件、部件、區(qū)、層或部分可表示為第二元件、部件、區(qū)、層或部分。
[0019]空間關(guān)系術(shù)語例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在這里可為了方便描述而被使用從而描述圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)明白，除了圖中所示的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語意圖還包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附圖中的器件翻轉(zhuǎn)，然后，描述為“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征將取向?yàn)樵谄渌蛱卣鳌吧稀?。因此，示例性術(shù)語“在…下面”和“在…下”可包括上和下兩個(gè)取向。器件可以另外地取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)并且在此使用的空間描述語相應(yīng)地被解釋。
[0020]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0021]本發(fā)明提供一種晶圓減薄方法，用于減薄晶圓厚度，以使其輕薄化和小型化，該方法包括下述步驟:提供半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓正面形成鈍化層，并蝕刻所述鈍化層以形成溝槽；形成覆蓋所述晶圓邊緣以及所述溝槽和鈍化層的填充層；去除晶圓邊緣和溝槽區(qū)域之外的填充層；在所述鈍化層上形成膠帶；對所述晶圓進(jìn)行晶背研磨；去除所述膠帶；去除所述填充層。
[0022]本發(fā)明提出的晶圓減薄方法，在切割道等縫隙處以及晶圓邊緣處形成填充層，這樣當(dāng)進(jìn)行晶背研磨時(shí)，由于在切割道等縫隙處以及晶圓邊緣處由填充層填充，研磨過程中產(chǎn)生的硅粉末不論是從晶圓側(cè)面還是底面都無法進(jìn)入芯片，因此可完全解決目前晶背研磨過程中硅粉末進(jìn)入芯片的問題。
[0023]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的結(jié)構(gòu)及步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0024]下面結(jié)合圖2A?圖21以及圖3對本發(fā)明一實(shí)施方式的晶圓減薄方法做詳細(xì)描述。
[0025]首先，執(zhí)行步驟S301，提供半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓正面形成鈍化層，并蝕刻所述鈍化層以形成溝槽。
[0026]如圖2A所示，提供半導(dǎo)體晶圓200，在半導(dǎo)體晶圓200正面形成鈍化層201，并蝕刻鈍化層201以形成溝槽202。其中晶圓200正面是指在半導(dǎo)體襯底上形成元件、疊層、互連線以及焊墊等的表面，與正面相對的即為晶圓背面。也就是將要進(jìn)行研磨的表面。
[0027]半導(dǎo)體晶圓200可以是以下所提到的材料中的至少一種:硅、鍺、絕緣體上硅(SOI)、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。在半導(dǎo)體晶圓200中形成有諸如PMOS和NMOS晶體管的元件。此外，在半導(dǎo)體晶圓200可以形成有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結(jié)構(gòu)。同樣，半導(dǎo)體晶圓200中還可以形成有導(dǎo)電構(gòu)件，導(dǎo)電構(gòu)件可以是晶體管的柵極、源極或漏極，也可以是與晶體管電連接的金屬互連結(jié)構(gòu)，等等。
[0028]作為示例，在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體晶圓200為單晶硅，并且其上形成有諸如PMOS和NMOS元件以及互連金屬層等。
[0029]鈍化層201用于保護(hù)晶圓200正面的元件，鈍化層201可采用二氧化硅、氮化硅、
氮氧化硅、磷硅酸玻璃、硼磷硅酸玻璃等常用材料中的一種或多種，并通過諸如其可此采用熱氧化法、沉積法等本領(lǐng)域常用方法形成。
[0030]作為示例，在本實(shí)施例中，通過等離子體化學(xué)氣相沉積形成二氧化硅和氮化硅的復(fù)合層來作為鈍化層201。
[0031]當(dāng)形成鈍化層201后，對鈍化層201進(jìn)行蝕刻，以形成溝槽202。其中溝槽202，其中溝槽202對應(yīng)于晶圓200的切割道等地方。
[0032]鈍化層201的蝕刻采用常規(guī)的光刻方法，即在鈍化層201上形成光刻膠材料，并使用預(yù)定形狀的掩膜進(jìn)行曝光，然后通過顯影等步驟形成圖案化的光刻膠層，并以圖案化的光刻膠層為掩膜進(jìn)行刻蝕以形成預(yù)設(shè)形狀的溝槽。
[0033]接著，執(zhí)行步驟S302，形成覆蓋所述晶圓邊緣以及所述溝槽和鈍化層的填充層。
[0034]如圖2B所示，形成覆蓋晶圓200邊緣200A以及溝槽202和鈍化層201的填充層203。其中填充層203為負(fù)光阻或負(fù)光刻膠材料，當(dāng)曝光后，未被光照射的部分可用顯影液去除以形成預(yù)設(shè)圖形。填充層203可通過涂覆方法(比如旋轉(zhuǎn)涂覆)或沉積法形成。
[0035]作為示例，在本實(shí)施例中，采用化學(xué)氣相沉積法形成聚酰亞胺(polyimide)材料的填充層20。
[0036]接著，執(zhí)行步驟S303，進(jìn)行晶圓邊緣曝光，以使覆蓋所述晶圓邊緣的填充層經(jīng)受光照。
[0037]如圖2C所示，對晶圓200進(jìn)行晶圓邊緣曝光，以使覆蓋晶圓200邊緣200A的填充層203A經(jīng)受光照。具體地，可將晶圓200的一邊緣對準(zhǔn)照射光，并通過旋轉(zhuǎn)晶圓200來使晶圓200的整個(gè)邊緣經(jīng)受光照，由于覆蓋晶圓200邊緣200A的填充層203A為聚酰亞胺負(fù)光阻材料，這樣經(jīng)過晶圓邊緣曝光后，覆蓋晶圓200邊緣200A的填充層203A將不溶于顯影液。
[0038]接著，執(zhí)行步驟S304，對所述晶圓進(jìn)行鈍化層曝光；以使覆蓋所述溝槽的填充層經(jīng)受光照。
[0039]如圖2D所示，對晶圓200進(jìn)行鈍化層曝光；以使覆蓋溝槽202的填充層203B經(jīng)受光照。具體地，在本實(shí)施例中，使用步驟S301中刻蝕鈍化層201時(shí)所使用的預(yù)定形狀的掩膜進(jìn)行鈍化層曝光，使得覆蓋溝槽202的填充層203B經(jīng)受光照，而位于鈍化層201上方的填充層203C未經(jīng)受光照，這樣經(jīng)過鈍化層曝光后，覆蓋溝槽202的填充層203B不溶于顯影液，而位于鈍化層201上方的填充層203C則溶于顯影液。
[0040]接著，執(zhí)行步驟S305，進(jìn)行顯影、固化和灰化操作，以去除所述晶圓邊緣和溝槽區(qū)域之外的填充層，并使晶圓邊緣和所述溝槽內(nèi)的填充層固化。
[0041]如圖2E所示，對晶圓200進(jìn)行顯影、固化和灰化操作，以去除晶圓200邊緣200A和溝槽202區(qū)域之外的填充層，并使晶圓邊緣200A和溝槽202內(nèi)的填充層固化。
[0042]具體地，可采用與聚酰亞胺負(fù)光阻材料對應(yīng)的顯影液來去除鈍化層202上方的填充層203C，并在去除鈍化層202上方的填充層203C后進(jìn)行固化和灰化操作，以使晶圓邊緣200A和溝槽202內(nèi)的填充層固化，并去除晶圓邊緣200A和溝槽202內(nèi)的填充層高于鈍化層202的部分。S卩，曝光顯影的區(qū)域被固化(即邊緣區(qū)域和中間的溝槽區(qū)域)，沒有固化的區(qū)域被灰化。
[0043]接著，執(zhí)行步驟S306，在所述鈍化層上形成膠帶。
[0044]如圖2F所示，在鈍化層201上形成膠帶204。膠帶204用于晶背研磨時(shí)固定晶圓200和保護(hù)晶圓200的正面，可采用本領(lǐng)域常用的膠帶，比如UV膠帶。
[0045]接著，執(zhí)行步驟S307，對所述晶圓進(jìn)行晶背研磨。
[0046]如圖2G所示，對晶圓200進(jìn)行晶背研磨，以去除一定厚度的背面材料，達(dá)到減薄晶圓的目的。具體地，晶背研磨采用本領(lǐng)域常用的方法，在此不再贅述。
[0047]接著，執(zhí)行步驟S308，去除所述膠帶。
[0048]如圖2H所示，去除鈍化層201上的膠帶204。膠帶204的去除方法采用本領(lǐng)域常用方法，比如通過紫外照射或加熱使膠帶204的粘附力下降，然后玻璃膠帶204即可。
[0049]接著，執(zhí)行步驟S309，去除所述填充層。
[0050]如圖21所示，去除晶圓邊緣的填充層203A和溝槽202內(nèi)的填充層203B。具體地可通過相應(yīng)的清洗液清洗晶圓200來去除填充層。在本實(shí)施例中，采用用于去除聚酰亞胺負(fù)光阻材料的TOK清洗液清洗晶圓200來去除晶圓邊緣的填充層203A和溝槽202內(nèi)的填充層203B。
[0051]至此完成了本實(shí)施例晶圓減薄方法的全部步驟，可以理解的是，在實(shí)際工藝中在本實(shí)施例晶圓減薄方法之前、之中或之后還可包括其他的操作，比如步驟S301中，當(dāng)刻蝕完鈍化層201后，還包括清洗步驟，以去除諸如殘余的光刻膠、顯影液等殘余物質(zhì)，并且進(jìn)行WAT測試，如果合格則進(jìn)行后續(xù)步驟，如果不合格，則不進(jìn)行后續(xù)步驟。此外，在去除填充層203還可進(jìn)行目檢步驟，以檢測所述減薄后的晶圓是否存在問題。
[0052]本實(shí)施例提出的晶圓減薄方法，使用負(fù)光阻材料作為填充劑，刻蝕鈍化層后用負(fù)光阻材料填充晶圓邊緣區(qū)域和縫隙部位(溝槽、切割道等部位)這樣在后續(xù)晶背研磨時(shí)由于晶圓邊緣和縫隙部位被負(fù)光阻材料填滿因而研磨過程中產(chǎn)生的硅粉末無法進(jìn)入芯片中。在本實(shí)施例中，使用負(fù)光阻材料作為填充劑，并且在形成填充層時(shí)使用兩步曝光法，使得晶圓邊緣區(qū)域和縫隙部位均覆蓋有填充層，這樣由于晶圓邊緣區(qū)域和縫隙部位均覆蓋有填充層，既可避免僅晶圓邊緣區(qū)域覆蓋有填充層時(shí)造成后續(xù)晶背掩膜中間區(qū)域研磨量更大、研磨不均勻的問題，又可避免僅晶圓縫隙部位覆蓋有填充層時(shí)造成由于切割道等縫隙部位占比較少(7%左右)而容易掉片的問題。
[0053]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種晶圓減薄方法，其特征在于，包括下述步驟: 提供半導(dǎo)體晶圓，在所述半導(dǎo)體晶圓正面形成鈍化層，并蝕刻所述鈍化層以形成溝槽； 形成覆蓋所述晶圓邊緣以及所述溝槽和鈍化層的填充層； 去除晶圓邊緣和溝槽區(qū)域之外的填充層； 在所述鈍化層上形成膠帶； 對所述晶圓進(jìn)行晶背研磨； 去除所述膠帶； 去除所述填充層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述填充層為負(fù)光阻或負(fù)光刻膠材料。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓減薄方法，其特征在于，形成所述填充層的步驟還包括下述步驟: 進(jìn)行晶圓邊緣曝光，以使覆蓋所述晶圓邊緣的填充層經(jīng)受光照； 對所述晶圓進(jìn)行鈍化層曝光；以使覆蓋所述溝槽的填充層經(jīng)受光照； 進(jìn)行顯影、固化和灰化操作，以去除所述晶圓邊緣和溝槽區(qū)域之外的填充層，并使晶圓邊緣和所述溝槽內(nèi)的填充層固化。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述鈍化層曝光使用的掩膜和蝕刻所述鈍化層使用的掩膜相同。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓減薄方法，其特征在于，所述填充層材料為聚酰亞胺。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓減薄方法，其特征在于，使用負(fù)光阻或負(fù)光刻膠材料清洗劑清洗所述晶圓以去除所述填充層。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6之一所述的晶圓減薄方法，其特征在于，在形成覆蓋所述晶圓邊緣以及所述溝槽和鈍化層的填充層之前還包括:對所述晶圓進(jìn)行晶圓可接受測試，如果測試合格則進(jìn)行后續(xù)步驟；反之，則不進(jìn)行后續(xù)步驟。8.根據(jù)權(quán)利要求1-6之一所述的晶圓減薄方法，其特征在于，在去除所述填充層后還包括:目檢步驟，以檢測所述減薄后的晶圓是否存在問題。
【文檔編號】H01L21/312GK106033708SQ201510107555
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月11日
【發(fā)明人】陳林, 徐超, 吳旭升
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司