一種酸洗蝕刻方法及清洗機(jī)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】為克服現(xiàn)有技術(shù)中去除晶圓背面原生氧化層的方法工序復(fù)雜、碎片率高的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種酸洗蝕刻方法，包括如下步驟；S1、提供一工作臺(tái)，工作臺(tái)內(nèi)部具有工作腔，所述工作臺(tái)上表面具有連通工作腔的酸洗口；將晶圓置于工作臺(tái)上，所述晶圓具有原生氧化層的背面朝下，并且覆蓋所述酸洗口；所述晶圓待蝕刻的部位位于所述酸洗口內(nèi)；S2、在所述晶圓背面形成水膜；S3、在所述工作腔內(nèi)形成氫氟酸酸霧，使所述氫氟酸酸霧溶于所述水膜，通過(guò)內(nèi)部溶解有氫氟酸的水膜對(duì)所述晶圓背面進(jìn)行蝕刻處理。同時(shí)，本發(fā)明還公開(kāi)了采用上述酸洗蝕刻方法的清洗機(jī)。本發(fā)明提供的酸洗蝕刻方法不需要貼膜和剪膜兩道工序，簡(jiǎn)化了工藝流程，提高了生產(chǎn)效率，并且碎片率低。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種酸洗蝕刻方法及清洗機(jī)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種IGBT晶圓的酸洗蝕刻方法及清洗機(jī)。
【背景技術(shù)】
[0002]絕緣棚.雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)于二十世紀(jì)八十年代被提出和迅速推廣，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于中高壓大電流領(lǐng)域，并同MOSFET (金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)將功率電子技術(shù)推向了高頻時(shí)代。對(duì)比其它種類(lèi)的功率半導(dǎo)體，如雙極型晶體管、MOSFET,絕緣柵雙極型晶體管作為一種電壓控制器件，能夠以更低的功率損耗處理更高的功率，并且能夠工作于高頻的電路當(dāng)中，是IGBT最為突出的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。IGBT目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用電力電子領(lǐng)域。
[0003]IGBT器件由一個(gè)MOS晶體管和一個(gè)PNP雙極晶體管組成，也可看作是由一個(gè)VDMOS (Vertical double diffused M0SFET，垂直雙擴(kuò)散MOS晶體管)和一個(gè)二極管組成。IGBT器件實(shí)現(xiàn)了 MOSFET和BJT的優(yōu)化組合，實(shí)現(xiàn)了低能耗、高壓、高速的特性。這種器件廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、交通、能源等領(lǐng)域，業(yè)已經(jīng)成為一種不可替代的電力電子器件。
[0004]通常，在制備IGBT器件時(shí)，將硅襯底減薄后蒸鍍金屬前需要除去晶圓背面的原生氧化層。目前，常規(guī)的去除該原生氧化層的方法是將晶圓浸泡于氫氟酸(HF)溶液中，通過(guò)氫氟酸將該原生氧化層腐蝕除去。
[0005]但是，由于將晶圓完全浸泡于氫氟酸中時(shí)，晶圓正面同樣會(huì)受到氫氟酸的腐蝕，導(dǎo)致晶圓正面的金屬(鋁)以及保護(hù)層(PI)出現(xiàn)不同程度的缺陷。
[0006]為避免上述問(wèn)題的產(chǎn)生，通常在腐蝕之前，先在晶圓正面貼附一層保護(hù)膜，待腐蝕完成后，再將該保護(hù)膜除去。由此，增加了上述貼膜和剪膜工序，降低了生產(chǎn)效率。并且由于薄片貼膜和剪膜均是人工操作，導(dǎo)致碎片率較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中去除晶圓背面原生氧化層的方法工序復(fù)雜、碎片率高的問(wèn)題，提供一種酸洗蝕刻方法。
[0008]本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案如下:
[0009]提供一種酸洗蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟；
[0010]S1、提供一工作臺(tái)，所述工作臺(tái)內(nèi)部具有工作腔，所述工作臺(tái)上表面具有連通工作腔的酸洗口 ；將晶圓置于工作臺(tái)上，所述晶圓具有原生氧化層的背面朝下，并且覆蓋所述酸洗口 ；所述晶圓待蝕刻的部位位于所述酸洗口內(nèi)；
[0011]S2、在所述晶圓背面形成水膜；
[0012]S3、在所述工作腔內(nèi)形成氫氟酸酸霧，使所述氫氟酸酸霧溶于所述水膜，通過(guò)內(nèi)部溶解有氫氟酸的水膜對(duì)所述晶圓背面進(jìn)行蝕刻處理。
[0013]同時(shí)，本發(fā)明還提供了一種清洗機(jī)，包括機(jī)體、工作臺(tái)、用于容納氫氟酸的氫氟酸罐、用于容納水的水罐、惰性氣源和噴嘴；所述工作臺(tái)固定于機(jī)體上，工作臺(tái)內(nèi)部具有工作腔，所述工作臺(tái)上表面具有連通工作腔的酸洗口 ；所述氫氟酸罐的底部和水罐的底部各自獨(dú)立的可開(kāi)啟或閉合的連通至惰性氣源；所述噴嘴固定于工作臺(tái)底部，并且所述噴嘴的噴口連通至工作腔，噴嘴的入口連接至所述氫氟酸罐和水罐的頂部，并可擇一連通。
[0014]本發(fā)明中，通過(guò)將晶圓置于工作臺(tái)上，并且晶圓具有原生氧化層的背面朝向工作臺(tái)內(nèi)部的工作腔。在晶圓背面形成水膜后通入氫氟酸酸霧，可對(duì)晶圓背面的原生氧化層進(jìn)行有效的蝕刻以將其除去，同時(shí)，可有效的避免對(duì)晶圓的正面產(chǎn)生損傷。
[0015]另一方面，通過(guò)先在晶圓背面形成水膜，然后在通入氫氟酸酸霧，是氫氟酸溶于上述水膜內(nèi)，可更均勻有效的對(duì)晶圓背面的原生氧化層進(jìn)行蝕刻，并且蝕刻更均勻穩(wěn)定。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式提供的清洗機(jī)的內(nèi)部正視圖；
[0017]圖2是圖1中A處局部放大圖；
[0018]圖3是本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式提供的清洗機(jī)的內(nèi)部側(cè)視圖；
[0019]圖4是圖3中B處局部放大圖。
[0020]說(shuō)明書(shū)附圖中的附圖標(biāo)記如下:
[0021]1、機(jī)體；2、支撐板；3、氫氟酸罐；4、水罐；5、通氣嘴；6、酸液添加口 ；7、工作臺(tái)；71、工作腔；72、緩沖腔；8、隔板；9、噴嘴。
【具體實(shí)施方式】
[0022]為了使本發(fā)明所解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0023]在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語(yǔ)“上”、“下”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，除非另有說(shuō)明，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上。
[0024]在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“設(shè)置”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。
[0025]本發(fā)明提供的酸洗蝕刻方法包括如下步驟；
[0026]S1、提供一工作臺(tái)，所述工作臺(tái)內(nèi)部具有工作腔，所述工作臺(tái)上表面具有連通工作腔的酸洗口 ；將晶圓置于工作臺(tái)上，所述晶圓具有原生氧化層的背面朝下，并且覆蓋所述酸洗口 ；所述晶圓待蝕刻的部位位于所述酸洗口內(nèi)；
[0027]S2、在所述晶圓背面形成水膜；
[0028]S3、在所述工作腔內(nèi)形成氫氟酸酸霧，使所述氫氟酸酸霧溶于所述水膜，通過(guò)內(nèi)部溶解有氫氟酸的水膜對(duì)所述晶圓背面進(jìn)行蝕刻處理。
[0029]如現(xiàn)有技術(shù)中所知曉的，對(duì)晶圓背面的原生氧化層進(jìn)行蝕刻處理時(shí)，需避免蝕刻物質(zhì)與晶圓正面的結(jié)構(gòu)接觸而損傷晶圓正面結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中，首先提供一用于承載晶圓的工作臺(tái)，工作臺(tái)上表面具有連通工作腔的酸洗口。當(dāng)晶圓置于該工作臺(tái)上時(shí)，酸洗口四周的框體與晶圓四周邊緣接觸，使晶圓覆蓋所述酸洗口，并且晶圓待蝕刻的部位位于所述酸洗口內(nèi)。
[0030]此時(shí)，晶圓待蝕刻的背面與晶圓需避免被蝕刻的正面相互隔離，進(jìn)行蝕刻時(shí)，晶圓正面不受任何影響。
[0031]由于晶圓背面的原生氧化層較薄，為有效除去該原生氧化層，同時(shí)避免損傷晶圓，本發(fā)明中，優(yōu)選情況下，如上述步驟S2，將晶圓置于工作臺(tái)上之后，先在晶圓背面形成一層水膜。在具有該水膜的前提下，采用后續(xù)的步驟S3進(jìn)行蝕刻時(shí)可更均勻的對(duì)晶圓背面的原生氧化層進(jìn)行蝕刻，有效去除原生氧化層的同時(shí)，避免損傷晶圓。
[0032]在晶圓背面形成水膜的方法可以為常規(guī)的各種，例如，通過(guò)惰性氣體將水霧化，霧化后的水再在晶圓背面凝結(jié)形成上述水膜。具體方式可以為，向水內(nèi)部通入惰性氣體，通過(guò)惰性氣體將水分帶出，含有大量水分的氣流流動(dòng)至晶圓背面后會(huì)在晶圓背面凝結(jié)成水。
[0033]為便于惰性氣體有效的將水分霧化帶出，優(yōu)選情況下，先將水加熱至75°C以上，然后再通入惰性氣體，將其霧化。
[0034]在晶圓背面形成上述水膜之后，如步驟S3，在所述工作腔內(nèi)形成氫氟酸酸霧，使所述氫氟酸酸霧溶于所述水膜，對(duì)所述晶圓背面進(jìn)行蝕刻處理。
[0035]類(lèi)似的，可通過(guò)惰性氣體將氫氟酸霧化形成所述氫氟酸酸霧，并將所述氫氟酸酸霧通入工作腔內(nèi)。具體方式同樣可以為:向氫氟酸液內(nèi)部通入惰性氣體，通過(guò)惰性氣體將氫氟酸分帶出，帶有氫氟酸的氣流流動(dòng)至晶圓背面，與水膜結(jié)合后會(huì)對(duì)晶圓背面的原生氧化膜進(jìn)行腐蝕，從而實(shí)現(xiàn)酸洗蝕刻的目的。
[0036]如前所述，為便于惰性氣體有效的將氫氟酸帶出，本發(fā)明中，優(yōu)選情況下，先將氫氟酸溶液加熱至75°C以上，然后再通入惰性氣體，將其霧化。
[0037]對(duì)于上述步驟S2和S3，其中所采用的惰性氣體可以為常規(guī)的各種惰性氣體，本發(fā)明中，惰性氣體可以采用化學(xué)領(lǐng)域常用的氮?dú)狻⒑?、氖氣、氬氣等?br>[0038]根據(jù)本發(fā)明，為進(jìn)一步提高蝕刻的均勻性，優(yōu)選情況下，所述工作臺(tái)內(nèi)部設(shè)置有隔板，所述隔板將所述工作臺(tái)的內(nèi)腔分割成工作腔和緩沖腔，所述工作腔位于所述緩沖腔上方；所述隔板上開(kāi)設(shè)有多個(gè)連通所述工作腔和緩沖腔的通孔。
[0039]在此結(jié)構(gòu)下，所述步驟S2中，在所述緩沖腔內(nèi)噴出水霧，并使所述水霧通過(guò)隔板運(yùn)動(dòng)至工作腔內(nèi)，在所述晶圓背面形成水膜。
[0040]重要的是，所述步驟S3中，在所述緩沖腔內(nèi)噴出氫氟酸酸霧，并使所述氫氟酸酸霧通過(guò)隔板運(yùn)動(dòng)至工作腔內(nèi)，并溶于所述水膜。
[0041]通過(guò)上述隔板可通過(guò)緩沖腔將氫氟酸酸霧勻化，使不同區(qū)域的氫氟酸量更均勻，利于更均勻有效的對(duì)晶圓背面的原生氧化膜進(jìn)行蝕刻。
[0042]本發(fā)明中，優(yōu)選情況下，在所述步驟S3之后還包括在所述工作腔內(nèi)通入惰性氣體，對(duì)所述晶圓進(jìn)行干燥處理。通過(guò)上述干燥處理，可有效的避免在后續(xù)蝕刻完成后取片時(shí)含有氫氟酸的霧體蝕刻晶圓的正面。
[0043]如前所述，上述惰性氣體可以采用化學(xué)領(lǐng)域常用的氮?dú)狻⒑?、氖氣、氬氣等?br>[0044]通過(guò)本發(fā)明提供的酸液蝕刻方法，可一次性將晶圓背面的原生氧化膜去除，簡(jiǎn)化了工序，大大提高了工作效率。同時(shí)可降低碎片率。
[0045]同時(shí)，本發(fā)明還提供了一種采用上述方法對(duì)晶圓背面的原生氧化膜進(jìn)行酸洗蝕刻的清洗機(jī)，具體機(jī)體、工作臺(tái)、用于容納氫氟酸的氫氟酸罐、用于容納水的水罐、惰性氣源和噴嘴；所述工作臺(tái)固定于機(jī)體上，工作臺(tái)內(nèi)部具有工作腔，所述工作臺(tái)上表面具有連通工作腔的酸洗口 ；所述氫氟酸罐的底部和水罐的底部各自獨(dú)立的可開(kāi)啟或閉合的連通至惰性氣源；所述噴嘴固定于工作臺(tái)底部，并且所述噴嘴的噴口連通至工作腔，噴嘴的入口連接至所述氫氟酸罐和水罐的頂部，并可擇一連通。
[0046]上述機(jī)體形成清洗機(jī)的主體框架。工作臺(tái)固定于機(jī)體上。具體的，清洗機(jī)可以包括支撐板，所述工作臺(tái)設(shè)置于支撐板上。
[0047]上述氫氟酸罐用于盛放氫氟酸溶液。本發(fā)明中，具體可以采用濃度為49%的氫氟酸溶液。氫氟酸罐的底部可開(kāi)啟或閉合的連通至惰性氣源。例如，氫氟酸罐的底部設(shè)置有通氣嘴，通氣嘴通過(guò)氣管連通至惰性氣源，并且可通過(guò)通氣嘴控制氣管的通斷。當(dāng)氫氟酸罐連通至惰性氣源時(shí)，惰性氣源向氫氟酸罐內(nèi)持續(xù)通入惰性氣體，用以將氫氟酸霧化和帶出。
[0048]上述水罐用于盛放去離子水。同樣的，水罐的底部可開(kāi)啟或閉合的連通至惰性氣源。例如，水罐的底部設(shè)置有通氣嘴，通氣嘴通過(guò)氣管連通至惰性氣源，并且可通過(guò)通氣嘴控制氣管的通斷。當(dāng)水罐連通至惰性氣源時(shí)，惰性氣源向水罐內(nèi)持續(xù)通入惰性氣體，用以將水霧化和帶出。
[0049]根據(jù)本發(fā)明，上述噴嘴固定于工作臺(tái)底部，并且所述噴嘴的噴口連通至工作腔，噴嘴的入口連接至所述氫氟酸罐和水罐的頂部，并可擇一連通。
[0050]具體的，可采用具有兩個(gè)入口的三通閥門(mén)，三通閥門(mén)的兩個(gè)入口分別連通至氫氟酸罐和水罐的頂部，三通閥門(mén)的出口連通至噴嘴的入口。同時(shí)，噴嘴的噴口連通至工作腔，當(dāng)氫氟酸罐通過(guò)三通閥門(mén)經(jīng)噴嘴連通至工作腔時(shí)，水罐經(jīng)三通閥門(mén)至噴嘴的通路關(guān)斷，反之，當(dāng)水罐通過(guò)三通閥門(mén)經(jīng)噴嘴連通至工作腔時(shí)，氫氟酸罐經(jīng)三通閥門(mén)至噴嘴的通路關(guān)斷。
[0051]此時(shí)，通過(guò)惰性氣源向水罐內(nèi)通入惰性氣體，惰性氣體將水霧化并通過(guò)氣流將水霧通過(guò)三通閥門(mén)經(jīng)噴嘴噴入工作腔，從而在晶圓背面形成水膜。同樣的，通過(guò)惰性氣源向氫氟酸罐內(nèi)通入惰性氣體，惰性氣體將氫氟酸霧化并通過(guò)氣流將含有氫氟酸酸霧通過(guò)三通閥門(mén)經(jīng)噴嘴噴入工作腔，溶于水膜后即可進(jìn)行蝕刻。
[0052]如前所述，為使對(duì)晶圓背面的蝕刻更均勻的進(jìn)行，優(yōu)選情況下，所述清洗機(jī)還包括隔板；所述隔板設(shè)置于工作臺(tái)內(nèi)部，并將工作臺(tái)的內(nèi)腔分割成工作腔和緩沖腔，所述工作腔位于所述緩沖腔上方；所述隔板上開(kāi)設(shè)有多個(gè)連通所述工作腔和緩沖腔的通孔；所述噴嘴的噴口位于所述緩沖腔內(nèi)。
[0053]在此結(jié)構(gòu)下，上述帶有水分的氣流從噴嘴的噴口進(jìn)入緩沖腔，經(jīng)過(guò)隔板勻化后通過(guò)隔板上的通孔進(jìn)入工作腔，在晶圓背面形成水膜。同樣的，帶有氫氟酸的酸霧從噴嘴的噴口進(jìn)入緩沖腔，經(jīng)過(guò)隔板勻化后通過(guò)隔板上的通孔進(jìn)入工作腔，溶于水膜后即可進(jìn)行蝕刻。
[0054]根據(jù)本發(fā)明，為進(jìn)一步提高蝕刻的均勻性，優(yōu)選情況下，工作臺(tái)底部設(shè)置有多個(gè)噴嘴，多個(gè)噴嘴在工作臺(tái)底部均勻分布。
[0055]對(duì)于本發(fā)明提供的清洗機(jī)，還包括酸液添加口，所述酸液添加口連通至氫氟酸罐?？赏ㄟ^(guò)上述酸液添加口向氫氟酸罐內(nèi)添加氫氟酸。具體的，上述酸液添加口可設(shè)置于支撐板上，并通過(guò)管道連通至氫氟酸罐。
[0056]下面結(jié)合圖1-圖4對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式提供的清洗機(jī)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。
[0057]具體參見(jiàn)圖1和圖3，該清洗機(jī)包括長(zhǎng)方體狀機(jī)體1，機(jī)體I中部水平設(shè)置有支撐板2。支撐板2上設(shè)置有工作臺(tái)7和酸液添加口 6。
[0058]具體參見(jiàn)圖2和圖4，工作臺(tái)7為長(zhǎng)方體狀。工作臺(tái)7內(nèi)部中空。工作臺(tái)7內(nèi)部水平設(shè)置有隔板8，隔板8上開(kāi)設(shè)有多個(gè)通孔。隔板8將工作臺(tái)7的內(nèi)腔分割為工作腔71和緩沖腔72。工作腔71位于緩沖腔72上方，并且工作腔71與緩沖腔72通過(guò)隔板8上的通孔連通。
[0059]同時(shí)，工作臺(tái)7上表面具有酸洗口，酸洗口與工作腔71連通。
[0060]工作臺(tái)7底部設(shè)置有8個(gè)噴嘴9，噴嘴9的噴口位于緩沖腔72內(nèi)。
[0061]繼續(xù)參見(jiàn)圖1和圖3，氫氟酸罐3和水罐4并排設(shè)置于支撐板2下方，氫氟酸罐3和水罐4的底部均通過(guò)通氣嘴5各自獨(dú)立的通過(guò)氣管連通至氮?dú)鈿庠?圖中未示出)。通過(guò)通氣嘴5控制氣管的通斷。
[0062]氫氟酸罐3的頂部和水罐4的頂部均通過(guò)氣管連通至8個(gè)噴嘴9的入口，并且8個(gè)噴嘴9的入口均擇一與氫氟酸罐3的頂部或水罐4的頂部連通。
[0063]支撐板2上的酸液添加口 6通過(guò)管道連通至氫氟酸罐3，用于向氫氟酸罐3內(nèi)添加酸液。
[0064]下面結(jié)合上述清洗機(jī)對(duì)本發(fā)明提供的酸洗蝕刻方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0065]首先，將晶圓置于工作臺(tái)7上，晶圓的背面向下并覆蓋工作臺(tái)7上的酸洗口。
[0066]其次，將水罐4與噴嘴9的入口連通。并通過(guò)氮?dú)鈿庠聪蛩?內(nèi)通入氮?dú)?，氮?dú)鈱⑺?內(nèi)的水分霧化。含有水分的氣流通過(guò)噴嘴9的噴口噴入緩沖腔72，經(jīng)過(guò)隔板8的勻化作用后，經(jīng)隔板8上的通孔進(jìn)入工作腔71，與覆蓋于酸洗口上的晶圓背面接觸冷凝，逐漸在晶圓背面形成水膜。
[0067]然后，關(guān)閉水罐4至噴嘴9的通路，將氫氟酸罐3與噴嘴9的入口連通。通過(guò)氮?dú)鈿庠聪驓浞峁?內(nèi)通入氮?dú)猓獨(dú)鈿饬鲾y帶氫氟酸通過(guò)噴嘴9的噴口噴入緩沖腔72，經(jīng)過(guò)隔板8的勻化作用后，經(jīng)隔板8上的通孔進(jìn)入工作腔71，與覆蓋于酸洗口上的晶圓背面的水膜接觸并溶于水膜，逐漸對(duì)晶圓背面的原生氧化膜進(jìn)行蝕刻處理，直至將原生氧化膜除去。
[0068]最后通過(guò)氮?dú)鈿庠聪蚬ぷ髑?1內(nèi)通入干燥的氮?dú)?，將?jīng)過(guò)蝕刻處理的晶圓背面進(jìn)行干燥處理。
[0069]上述方法可穩(wěn)定有效的除去晶圓背面的原生氧化膜，并且不會(huì)對(duì)晶圓正面的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生損傷。同時(shí)，上述方法簡(jiǎn)化了工藝，提高了生產(chǎn)效率。并且可大大降低碎片率。
[0070]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種酸洗蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟； 51、提供一工作臺(tái)(7)，所述工作臺(tái)(7)內(nèi)部具有工作腔(71)，所述工作臺(tái)(7)上表面具有連通工作腔(71)的酸洗口 ；將晶圓置于所述工作臺(tái)(7)上，所述晶圓具有原生氧化層的背面朝下，并且覆蓋所述酸洗口 ；所述晶圓待蝕刻的部位位于所述酸洗口內(nèi)； 52、在所述晶圓背面形成水膜； 53、在所述工作腔(71)內(nèi)形成氫氟酸酸霧，使所述氫氟酸酸霧溶于所述水膜，通過(guò)內(nèi)部溶解有氫氟酸的水膜對(duì)所述晶圓背面進(jìn)行蝕刻處理。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，所述步驟S2中，通過(guò)惰性氣體將水霧化，并使水霧在晶圓背面凝結(jié)形成所述水膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，所述步驟S3中，通過(guò)惰性氣體將氫氟酸霧化形成所述氫氟酸酸霧，并將所述氫氟酸酸霧通入工作腔(71)內(nèi)。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，先將所述水和/或氫氟酸加熱到75°C以上，然后再將其霧化。5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任意一項(xiàng)所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，所述工作臺(tái)(7)內(nèi)部設(shè)置有隔板(8)，所述隔板(8)將所述工作臺(tái)(7)的內(nèi)腔分割成工作腔(71)和緩沖腔(72)，所述工作腔(71)位于所述緩沖腔(72)上方； 所述隔板⑶上開(kāi)設(shè)有多個(gè)連通所述工作腔(71)和緩沖腔(72)的通孔； 所述步驟S2中，在所述緩沖腔(72)內(nèi)噴出水霧，并使所述水霧通過(guò)隔板(8)運(yùn)動(dòng)至工作腔(71)內(nèi)，在所述晶圓背面形成水膜； 所述步驟S3中，在所述緩沖腔(72)內(nèi)噴出氫氟酸酸霧，并使所述氫氟酸酸霧通過(guò)隔板(8)運(yùn)動(dòng)至工作腔(71)內(nèi)，并溶于所述水膜。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，在所述步驟S3之后還包括在所述工作腔(71)內(nèi)通入惰性氣體，對(duì)所述晶圓進(jìn)行干燥處理。7.根據(jù)權(quán)利要求2、3、6中任意一項(xiàng)所述的酸洗蝕刻方法，其特征在于，所述惰性氣體為氮?dú)狻?.—種清洗機(jī)，其特征在于，包括機(jī)體(I)、工作臺(tái)(7)、用于容納氫氟酸的氫氟酸罐(3)、用于容納水的水罐(4)、惰性氣源和噴嘴(9); 所述工作臺(tái)(7)固定于機(jī)體(I)上，工作臺(tái)(7)內(nèi)部具有工作腔(71)，所述工作臺(tái)(7)上表面具有連通工作腔(71)的酸洗口 ； 所述氫氟酸罐(3)的底部可開(kāi)啟或閉合的連通至惰性氣源；所述水罐(4)的底部可開(kāi)啟或閉合的連通至惰性氣源； 所述噴嘴(9)固定于工作臺(tái)(7)底部，并且所述噴嘴(9)的噴口連通至工作腔(71)，噴嘴(9)的入口連接至所述氫氟酸罐(3)和水罐⑷的頂部，并可擇一連通。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的清洗機(jī)，其特征在于，所述清洗機(jī)還包括隔板(8); 所述隔板(8)設(shè)置于工作臺(tái)(7)內(nèi)部，并將工作臺(tái)(7)的內(nèi)腔分割成工作腔(71)和緩沖腔(72)，所述工作腔(71)位于所述緩沖腔(72)上方； 所述隔板⑶上開(kāi)設(shè)有多個(gè)連通所述工作腔(71)和緩沖腔(72)的通孔； 所述噴嘴(9)的噴口位于所述緩沖腔(72)內(nèi)。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的清洗機(jī)，其特征在于，所述清洗機(jī)還包括支撐板(2)，所述工作臺(tái)(7)設(shè)置于支撐板(2)上； 所述工作臺(tái)(7)底部設(shè)置有多個(gè)噴嘴(9); 所述支撐板(2)上還設(shè)置有酸液添加口 ￠)，所述酸液添加口(6)連通至氫氟酸罐⑶。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK106033709SQ201510109734
【公開(kāi)日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2015年3月13日
【發(fā)明人】徐紀(jì)哲, 王騫, 尹達(dá), 馮子漢, 陳王龍
【申請(qǐng)人】比亞迪股份有限公司