半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】本公開提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：第一導(dǎo)電型主體層；第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層的上部中；電阻層，設(shè)置在第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)之下；第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層的上部上。由于電阻層設(shè)置在第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)之下，可有優(yōu)勢(shì)地影響半導(dǎo)體器件的擊穿電壓并提高半導(dǎo)體器件的耐用性。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體器件
[0001]本申請(qǐng)要求于2014年10月22日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2014-0143205號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，所述韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過(guò)引用被包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本公開涉及一種半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0003]最近，已要求高速開關(guān)二極管具有軟恢復(fù)特性及快速開關(guān)特性。還已經(jīng)要求這樣的高速開關(guān)二極管具有耐用特性，以在能夠耐受反向浪涌電壓的器件中使用。
[0004]因?yàn)樵诙O管中通常使用的p-n結(jié)二極管使用少數(shù)載流子，所以由于傳導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)而可能使正向電壓降低。
[0005]然而，這種高速開關(guān)二極管具有快速開關(guān)特性，可能由于少數(shù)載流子的反向恢復(fù)特性而致使快速開關(guān)特性劣化。
[0006]在沿著反向迅速地施加電壓的情形下，在正向電流在p-n結(jié)二極管中流動(dòng)的狀態(tài)下，由p-n結(jié)二極管的p-n結(jié)部分注入的少數(shù)載流子沿著反向運(yùn)動(dòng)，導(dǎo)致大的反向電流瞬時(shí)流動(dòng)。
[0007]在這種情況下，在少數(shù)載流子泄漏或消散之前電流流動(dòng)的特性可稱為反向恢復(fù)特性。
[0008]這樣的高速開關(guān)二極管通常分為快速恢復(fù)二極管(FRD)、高效二極管(HED)或者肖特基勢(shì)皇二極管(SBD)。
[0009]這里，雖然就結(jié)構(gòu)而言，F(xiàn)RD是一般的p-n結(jié)二極管，但是FRD是能夠在被截止之后能夠使少數(shù)載流子快速消散的二極管，其通過(guò)使用諸如鉑、金等的雜質(zhì)通過(guò)電子、中子等的輻射來(lái)將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅中，從而增加電子和空穴的復(fù)合中心。
[0010]當(dāng)將具有比擊穿電壓高的水平的浪涌電壓沿反向施加到FRD時(shí)，半導(dǎo)體器件能夠耐受施加的浪涌電壓而不被擊穿或能夠吸收大量的電壓的能力的程度被稱作單脈沖雪崩能量(Eas)特性。
[0011]當(dāng)將具有比半導(dǎo)體器件的擊穿電壓高的水平的反向浪涌電壓施加到高耐壓FRD時(shí)，與電場(chǎng)在陽(yáng)極層上的集中相比，電場(chǎng)傾向于被集中在電場(chǎng)限制環(huán)(相對(duì)脆弱的元件)上。
[0012]由于電場(chǎng)被集中在具有比陽(yáng)極層小的面積的電場(chǎng)限制環(huán)上，所以在電場(chǎng)限制環(huán)中發(fā)生器件的擊穿。
[0013]由于器件的擊穿，Eas耐受強(qiáng)度降低，導(dǎo)致器件的耐用性降低。
[0014]因此，已經(jīng)需要一種具有耐用性、快速開關(guān)特性和軟恢復(fù)特性的二極管。
[0015]下面的現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)涉及肖特基勢(shì)皇二極管。
[0016][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0017]第2006-228772號(hào)日本專利特開公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018]本公開的示例性實(shí)施例可提供一種包括電阻層的半導(dǎo)體器件。
[0019]根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可包括:第一導(dǎo)電型主體層；第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層的上部中；電阻層，設(shè)置在第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)之下；第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層的上部上。
[0020]根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，一種半導(dǎo)體器件可包括:第一導(dǎo)電型主體層；第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層的上部中；第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層，被形成為接觸第一導(dǎo)電型主體層的上部；路徑設(shè)置層，設(shè)置在第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)之下，并且形成允許電流流到第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層的路徑。
【附圖說(shuō)明】
[0021]通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開的以上和其它方面、特點(diǎn)及其它優(yōu)點(diǎn)將被更加清楚地理解，附圖中:
[0022]圖1和圖2是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性的剖視圖；
[0023]圖3是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性的剖視圖；
[0024]圖4是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)地描述本公開的示例性實(shí)施例。
[0026]然而，本公開可以以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)該被解釋為局限于在此所闡述的實(shí)施例。更確切地說(shuō)，提供這些實(shí)施例是為了使本公開將是徹底的和完整的，并將本公開的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
[0027]在附圖中，為了清晰可能夸大元件的形狀和尺寸，并且將始終使用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)指示相同或相似的元件。
[0028]可通過(guò)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、多種類型的晶閘管和與上述器件相似的器件中的任一種來(lái)實(shí)施電源開關(guān)。在此將基于MOSFET技術(shù)來(lái)描述大部分新技術(shù)。然而，本公開的示例性實(shí)施例不限于MOSFET技術(shù)，并且除了 MOSFET之外，可以通用于其它類型的電源開關(guān)(諸如功率IGBT開關(guān)和多種類型的晶閘管)的技術(shù)。此外，本公開的示例性實(shí)施例將被描述為包括特定的P型區(qū)和η型區(qū)。然而，本公開的示例性實(shí)施例也可等效地適用于具有與下面將要描述的那些區(qū)域相反的導(dǎo)電型區(qū)域的器件。
[0029]此外，在此所使用的“η型”或“ρ型”可被定義為“第一導(dǎo)電型”或“第二導(dǎo)電型”。
另一方面，第一導(dǎo)電型和第二導(dǎo)電型表示不同的導(dǎo)電型。
[0030]另外，通常，“ + ”表示區(qū)域被重?fù)诫s的狀態(tài)，表示區(qū)域被輕摻雜的狀態(tài)。在下文中，盡管為了使描述清晰，將描述第一導(dǎo)電型是η型并且第二導(dǎo)電型是ρ型的情形，但本公開不限于此。
[0031]圖1和圖2是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的示意性的剖視圖。
[0032]參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件I可包括:第一導(dǎo)電型主體層10 ;第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層10的上部中；電阻層50，設(shè)置在第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40之下；第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20，設(shè)置為接觸第一導(dǎo)電型主體層10的上部。
[0033]第一導(dǎo)電型主體層10可以是具有相對(duì)較低的雜質(zhì)濃度的η型半導(dǎo)體區(qū)域。
[0034]第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20可通過(guò)將ρ型雜質(zhì)摻雜到第一導(dǎo)電型主體層10的上部中而形成，并且第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20可以是具有相對(duì)較高的雜質(zhì)濃度的ρ+型半導(dǎo)體區(qū)域。
[0035]第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20可被形成為接觸第一導(dǎo)電型主體層10，從而與第一導(dǎo)電型主體層10形成p-n結(jié)。
[0036]作為載流子的電子和空穴分別出現(xiàn)在第一導(dǎo)電型主體層10和第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20中，并通過(guò)p-n結(jié)彼此結(jié)合。
[0037]因此，在第一導(dǎo)電型主體層10和第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20彼此接觸的部分可形成耗盡區(qū)。
[0038]在將反向偏壓施加到半導(dǎo)體器件I的情形下，耗盡區(qū)可以進(jìn)一步擴(kuò)展。
[0039]由于在耗盡區(qū)中不存在載流子，所以電流不會(huì)流經(jīng)半導(dǎo)體器件。例如，一旦將反向偏壓施加到半導(dǎo)體器件1，那么極其小量的電流流經(jīng)半導(dǎo)體器件。
[0040]然而，一旦將具有超過(guò)反向極限電壓的水平或耐受電壓的水平的電壓施加到半導(dǎo)體器件，那么半導(dǎo)體器件會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。在這種情形下，電場(chǎng)會(huì)集中在第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層的邊緣部分。
[0041]為了防止電場(chǎng)集中在第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層的邊緣部分，可在第一導(dǎo)電型主體層10的上部中設(shè)置第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40。
[0042]第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40可被形成為接觸第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20。
[0043]在第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40和第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20被設(shè)置為彼此接觸的情形下，p-n結(jié)可被形成為擴(kuò)展耗盡區(qū)的寬度并防止半導(dǎo)體器件的耐受電壓的損失。
[0044]例如，第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40可降低電場(chǎng)在耐高壓器件的耗盡層的邊緣部分的集中性，從而防止在施加正向偏壓時(shí)電壓的損失。
[0045]如上所述，一旦將具有超過(guò)反向極限電壓或耐受電壓的水平的電壓施加到半導(dǎo)體器件，則半導(dǎo)體器件會(huì)產(chǎn)生雪崩擊穿，并且大量的電流會(huì)沿著反向在半導(dǎo)體器件中流動(dòng)，從而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件的擊穿。
[0046]因此，為了增加半導(dǎo)體器件的耐受電壓，第一導(dǎo)電型主體層10可具有足夠厚的厚度，從而可以充分地?cái)U(kuò)展耗盡區(qū)。
[0047]根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件I可包括:n++型陰極層30，具有高濃度，被設(shè)置為接觸第一導(dǎo)電型主體層10的下部。
[0048]n++型陰極層30可具有比第一導(dǎo)電型主體層10的雜質(zhì)濃度更高的雜質(zhì)濃度，從而防止耗盡區(qū)的厚度擴(kuò)展。
[0049]因此，在形成陰極層30的情況下，第一導(dǎo)電型主體層10的厚度會(huì)變小。
[0050]可在陰極層30的下部設(shè)置陰極金屬層80，陰極金屬層80電連接至陰極層30 ;可在第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20的上部上設(shè)置陽(yáng)極金屬層70，陽(yáng)極金屬層70電連接至第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20。
[0051]在具有比額定電壓以及半導(dǎo)體器件的電流水平高的水平的浪涌能量施加到半導(dǎo)體器件的情形下，半導(dǎo)體器件會(huì)被擊穿。
[0052]單脈沖雪崩能量(Eas)測(cè)試是針對(duì)浪涌電壓耐受性的測(cè)試，其中，當(dāng)將浪涌電壓施加到半導(dǎo)體器件時(shí)，半導(dǎo)體器件可吸收具有相對(duì)高的水平的電壓和電流。
[0053]在將具有超過(guò)極限電壓或耐受電壓的水平的水平的電壓沿反向施加到半導(dǎo)體器件的情形下，可通過(guò)使電流能夠經(jīng)過(guò)第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20流出而提高器件的耐用性。
[0054]然而，在半導(dǎo)體器件是高耐壓器件的情況下，由于第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)的設(shè)計(jì)可能是復(fù)雜的，所以電場(chǎng)可被集中在與第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層相比而言相對(duì)較脆弱的部分中的第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)上。
[0055]換言之，電流可經(jīng)由具有比具有相對(duì)較大的面積的第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層的面積小的面積的第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)流出。
[0056]結(jié)果，半導(dǎo)體器件可能在對(duì)應(yīng)于第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40的部分被擊穿，因此，Eas的耐受強(qiáng)度降低，從而導(dǎo)致器件的耐用性降低。
[0057]可在第一導(dǎo)電型主體層10中設(shè)置電阻層50，電阻層50鄰近第一導(dǎo)電型主體層10中的第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40的下部。
[0058]電阻層50可被設(shè)置為鄰近第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40，而不鄰近陰極層30。
[0059]電阻層50可以是具有比第一導(dǎo)電型主體層10的雜質(zhì)濃度低的雜質(zhì)濃度的η型半導(dǎo)體區(qū)域或氧化物層。
[0060]由于電阻層50的電阻比第一導(dǎo)電型主體層10的電阻大，所以器件中的電流I不會(huì)流到電阻層50中。
[0061]電流I可通過(guò)具有相對(duì)低的水平的電阻的第一導(dǎo)電型主體層10流動(dòng)到第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20。
[0062]例如，電阻層50可引導(dǎo)路徑的形成，電流I可通過(guò)該路徑流動(dòng)到第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20中而不流動(dòng)到第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40中。
[0063]這里，由于電阻層50可防止位于與半導(dǎo)體器件的第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20相比相對(duì)較脆弱的部分中的第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40的擊穿，所以半導(dǎo)體器件中的Eas的耐受強(qiáng)度增強(qiáng)，半導(dǎo)體器件的耐用性增強(qiáng)。
[0064]此外，由于電阻層50的電阻水平高于第一導(dǎo)電型主體層10的電阻水平，所以可增大半導(dǎo)體器件的擊穿電壓。
[0065]例如，由于電阻層50的雜質(zhì)濃度低于第一導(dǎo)電型主體層10的雜質(zhì)濃度，所以在施加反向偏壓時(shí)耗盡層擴(kuò)展的時(shí)候，電阻層50可被更快地耗盡。由于電阻層50的耗盡速度比第一導(dǎo)電型主體層10的耗盡速度快，所以可減小電場(chǎng)，以增大半導(dǎo)體器件的擊穿電壓水平。
[0066]根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件I還可包括:高濃度η+型場(chǎng)阻止層60，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層10的上部中。
[0067]高濃度η+型場(chǎng)阻止層60可用于防止耗盡層擴(kuò)展至半導(dǎo)體器件的切割面(cutsurface)并防止形成漏電流。
[0068]圖3是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件I的示意性的剖視圖。
[0069]在圖3中示出的組件中，將省略與圖1中示出的那些組件相同的組件的描述。
[0070]參照?qǐng)D3，可在第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40之下的兩個(gè)或更多個(gè)區(qū)域中形成電阻層50 ο
[0071]當(dāng)在兩個(gè)或更多個(gè)區(qū)域中形成電阻層50時(shí)，電流不能流到位于與第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20相比相對(duì)較脆弱的部分中的第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40中。
[0072]因此，電阻層50可防止半導(dǎo)體器件中的第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40的擊穿。
[0073]通過(guò)防止半導(dǎo)體器件的擊穿，由于半導(dǎo)體器件中的Eas的耐受強(qiáng)度增強(qiáng)，所以半導(dǎo)體器件的耐用性可增強(qiáng)。
[0074]由于電阻層50可防止電流流到第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40中，所以半導(dǎo)體器件的耐用性可增強(qiáng)。
[0075]此外，由于電阻層50的電阻大于第一導(dǎo)電型主體層10的電阻，所以可增大半導(dǎo)體器件的擊穿電壓。
[0076]圖4是根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體器件I的示意性的剖視圖。
[0077]在圖4中示出的組件中，將省略與圖1中示出的那些組件相同的組件的描述。
[0078]參照?qǐng)D4，可將電阻層50設(shè)置在除了第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20的下部之外的區(qū)域中。
[0079]如上所述，由于電阻層50可防止位于與第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20相比相對(duì)較脆弱的部分中的第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40的擊穿，使得半導(dǎo)體器件中的Eas的耐受強(qiáng)度增強(qiáng)，所以半導(dǎo)體器件的耐用性可增強(qiáng)。
[0080]由于電阻層50可被設(shè)置在除了第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層20的下部之外的區(qū)域，以防止電流流到第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)40中，所以半導(dǎo)體器件的耐用性可增強(qiáng)。
[0081]此外，電阻層50的電阻水平高于第一導(dǎo)電型主體層10的電阻水平，從而在半導(dǎo)體器件的擊穿電壓方面獲得有優(yōu)勢(shì)的操作效果。
[0082]如上所述，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例，可以提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件能夠在增大擊穿電壓的同時(shí)增強(qiáng)器件的耐用性。
[0083]雖然上面已經(jīng)示出和描述了示例性實(shí)施例，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)明顯的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本公開的范圍的情況下，可以進(jìn)行修改和變型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 第一導(dǎo)電型主體層； 第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層的上部中； 電阻層，設(shè)置在第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)之下； 第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層的上部上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電阻層是具有比第一導(dǎo)電型主體層的濃度低的濃度的第一導(dǎo)電型層或氧化物層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在兩個(gè)或更多個(gè)區(qū)域中形成所述電阻層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括:第一導(dǎo)電型陰極層，具有高濃度，被設(shè)置為接觸第一導(dǎo)電型主體層的下部。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電阻層設(shè)置在除了第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層的下部之外的區(qū)域中。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電阻層被設(shè)置為鄰近第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)，而不鄰近第一導(dǎo)電型陰極層。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括:陰極金屬層，設(shè)置在第一導(dǎo)電型陰極層的下部，并且電連接至第一導(dǎo)電型陰極層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括:陽(yáng)極金屬層，設(shè)置在第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層的上部上，并且電連接至第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括:第一導(dǎo)電型場(chǎng)阻止層，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層的上部中，并且具有高濃度。10.一種半導(dǎo)體器件，包括: 第一導(dǎo)電型主體層； 第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)，設(shè)置在第一導(dǎo)電型主體層的上部中； 第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層，被形成為接觸第一導(dǎo)電型主體層的上部； 路徑設(shè)置層，設(shè)置在第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)之下，并且形成允許電流流到第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層的路徑。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述路徑設(shè)置層是具有比第一導(dǎo)電型主體層的濃度低的濃度的第一導(dǎo)電型層或氧化物層。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括:第一導(dǎo)電型陰極層，具有高濃度，被設(shè)置為接觸第一導(dǎo)電型主體層的下部。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述路徑設(shè)置層被設(shè)置在除了第二導(dǎo)電型陽(yáng)極層的下部之外的區(qū)域中。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述路徑設(shè)置層被設(shè)置為鄰近第二導(dǎo)電型電場(chǎng)限制環(huán)，而不鄰近第一導(dǎo)電型陰極層。
【文檔編號(hào)】H01L29/06GK106033768SQ201510102793
【公開日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2015年3月9日
【發(fā)明人】張昌洙, 徐東秀, 牟圭鉉, 樸在勛, 宋寅赫
【申請(qǐng)人】三星電機(jī)株式會(huì)社