一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件，所述記憶存儲器件包括由碳點/有機聚合物復合材料形成的層；所述復合材料是碳點和有機聚合物的混合物；所述碳點是雜原子摻雜的碳點或者無雜原子摻雜的碳點；所述有機聚合物選自以下聚合物中的一種或兩種以上混合物：聚乙烯醇、聚乙烯醇衍生物、聚對亞苯基亞乙烯基、聚對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚噻吩、聚噻吩類衍生物、富勒烯、富勒烯衍生物。本發(fā)明的記憶存儲器件具有優(yōu)異的性能，開關(guān)比可達105，保留時間長、穩(wěn)定性好。
【專利說明】
一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及有機存儲新材料領(lǐng)域。更具體地，涉及一種基于碳點/有機聚合物復 合材料的記憶存儲器件。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著信息技術(shù)的發(fā)展，大量數(shù)字信息的存儲對存儲器件的要求越來越高，器件的 高性能、低成本，易加工一直是這個領(lǐng)域的不斷追求的目標。近幾十年來，最早的基于硅、 鍺等無機半導體非易失性記憶存儲器件，雖然性能高，但是其器件昂貴的制備成本和復雜 的工藝條件日益限制其進一步發(fā)展。特別是在當前柔性以及可穿戴設(shè)備迅猛發(fā)展的大趨勢 下，基于無機材料的記憶存儲器件的劣勢日益突出，市場對高性能、低成本、易加工的新型 非易失性記憶存儲器件的需求越來越迫切。
[0003] 在這樣的背景下，基于高分子的記憶存儲器件由于其可觀的器件性能以及溶液法 易加工結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點近年來研究和發(fā)展很快。在這一類工作中很大一部分是將納米顆 ?；蛘邘в薪o體受體的有機分子與高分子或其他聚合物混合，由于納米顆粒本身的尺寸效 應，導致其附近局域電場的改變，使載流子或帶電粒子在其中的迀移受到了影響，從而引起 器件阻態(tài)的改變。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，該類器件的研究已經(jīng)較為深入，器件性能已經(jīng)較為可 觀。但是相應的，這一類器件也有一些劣勢存在，例如其中所用的納米顆粒多是金、銀、鉑、 氧化鈦、氧化鋅等氧化物，以及鎘、鉛、汞等重金屬的化合物等，這樣不可避免的引入了器件 成本昂貴（貴金屬納米顆粒），對環(huán)境不友好（重金屬）等缺點，另外，再進一步提高器件性 能也較為困難。因此要找到一種高性能納米顆粒，且要做到很小且不能團聚等，這在納米材 料合成領(lǐng)域往往是一個挑戰(zhàn)。
[0004] 已有文獻報道，基于硫化鎘的量子點存儲器性能已經(jīng)實現(xiàn)了良好的開關(guān)比、響應 時間、存儲時間，但是它具有環(huán)境不友好性這個致命的缺點，限制了其大規(guī)模的工業(yè)化應 用，另外其制備過程較為復雜，易于團聚等也是該類材料目前存在的一些問題。
[0005] 在碳納米材料中，已公開的應用在記憶存儲器件有碳納米管或石墨烯及其衍生 物。例如，CN103642145公開了將石墨烯量子點添加到聚對乙烯基苯酚和交聯(lián)劑的混合溶 液中，得到含有石墨烯量子點與聚對乙烯基苯酚復合材料的溶液，將該溶液旋涂后得到具 有存儲效應的石墨烯量子點/聚對乙烯基苯酚復合材料，該復合材料可作為電活性中間層 用于構(gòu)造信息存儲器件。然而，石墨烯量子點的制備一直是一個較為復雜的問題，制備得到 的量子點分散性也不好，同時該申請的復合材料中需要添加交聯(lián)劑，工藝復雜。
[0006] 碳點作為很小的納米顆粒，是碳納米材料家族中的新成員，尺度只有幾個納米，具 有吸收光譜寬、抗光漂白性能好、無毒性、易于功能化、能夠高產(chǎn)率制備等特性，自從被報道 以來已經(jīng)在很多領(lǐng)域得到了應用，如發(fā)光二極管、存儲器、染料敏化太陽能電池、生物傳感 器、光熱治療等等。但是它通常是作為電子受體材料，如Adv. Mater. 2011，23, 776-780,或者 作為光敏劑構(gòu)建量子點敏化的太陽能電池。由于其生物相容性和的特點，碳量子點在生物 標記領(lǐng)域也有很多的應用，但是將碳量子點應用到記憶存儲器件中目前尚未見有報道。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的在于提供一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件。
[0008] 為達到上述目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：
[0009] -種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件，所述記憶存儲器件包括由 碳點/有機聚合物復合材料形成的層；
[0010] 所述復合材料是碳點和有機聚合物的混合物；
[0011] 所述碳點是雜原子摻雜的碳點或者無雜原子摻雜的碳點；
[0012] 所述有機聚合物選自以下聚合物中的一種或兩種以上混合物：聚乙烯醇、聚乙烯 醇衍生物、聚對亞苯基亞乙烯基、聚對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚噻 吩、聚噻吩類衍生物、富勒烯、富勒烯衍生物。
[0013] 進一步地，所述碳點和有機聚合物的重量比為1 :2_100。
[0014] 進一步地，當碳點為雜原子摻雜的碳點時，所述雜原子選自以下原子中的一種或 兩種以上混合物：N、S、Si、Se、P、As、Ge、Gd、B、Sb、Te。采用雜原子摻雜的碳點時，吸收光 譜寬且可調(diào)（300-1000nm)。
[0015] 進一步地，所述碳點/有機聚合物復合材料中，還包括溶劑；所述溶劑選自以下化 合物中的一種或兩種以上混合物：水、甲醇、乙醇、丙酮。
[0016] 進一步地，所述復合材料中，有機聚合物的濃度為10-100mg/ml。
[0017] 進一步地，所述記憶存儲器件包括兩端二極管記憶存儲器件、三端記憶存儲器件。
[0018] 進一步地，所述兩端二極管記憶存儲器件從下往上依次包括：基底、陰極電極、活 性層和陽極電極；所述活性層為碳點/有機聚合物復合材料。
[0019] 進一步地，所述兩端二極管記憶存儲器件的制備包括以下步驟：
[0020] 1)將碳點和有機聚合物在溶劑中于30-3000°C條件下攪拌10_300min，得到混合 液，即為碳點/有機聚合物復合材料；
[0021] 2)在基底材料表面沉積陰極電極材料，在陰極電極材料表面沉積步驟1)得到的 復合材料形成活性層，之后退火，最后在真空下向活性層表面沉積陽極電極材料，得到兩端 二極管記憶存儲器件；
[0022] 步驟1)中，所述溶劑選自以下化合物中的一種或兩種以上混合物：水、甲醇、乙 醇、丙酮；
[0023] 步驟2)中，所述活性層的厚度為20-300nm;所述退火是在60-500°C條件下退火 10-300min〇
[0024] 步驟2)中，可采用旋涂、拉膜、壓膜、打印等方式將復合材料沉積到陰極電極材料 表面。
[0025] 優(yōu)選地，步驟2)中，基底材料選自玻璃、硅基底、PET、紙等；陰極電極材料選自金、 銀、銅、鋁、鎳等金屬；陽極電極材料選自ΙΤ0、金、銀、銅、鋁、鎳等金屬。
[0026] 優(yōu)選地，步驟2)中，活性層厚度為20-300nm ;陽極電極層厚為20-300nm〇
[0027] 進一步地，所述三端記憶存儲器件從下往上依次包括：基底、柵極、絕緣層、電荷俘 獲層、半導體層和源漏電極；所述電荷俘獲層為碳點/有機聚合物復合材料。
[0028] 進一步地，所述三端記憶存儲器件的制備包括以下步驟：
[0029] (1)將碳點和有機聚合物在溶劑中于30-3000°C條件下攪拌10_300min，得到混合 液，即為復合材料；
[0030] (2)在基底材料表面沉積柵極材料，在柵極材料表面沉積絕緣層材料，在絕緣層材 料表面沉積步驟（1)得到的復合材料形成電荷俘獲層，在電荷俘獲層表面沉積半導體材料 形成半導體層，在半導體層表面沉積源漏電極材料，得到三端記憶存儲器件；
[0031] 步驟（1)中，所述溶劑選自以下化合物中的一種或兩種以上混合物：水、甲醇、乙 醇、丙酮。
[0032] 步驟（2)中，在電荷俘獲層表面沉積半導體材料可采用半導體薄膜成膜方法，包 括真空蒸鍍、甩膜、滴膜、印刷、打印等。
[0033] 優(yōu)選地，步驟（2)中，基底材料選自ΙΤ0、金、銀、鋁、銅等金屬；柵極材料選自銀、 銅、金等金屬；絕緣層材料選自二氧化硅、聚（甲基丙烯酸甲酯）、聚（乙烯基苯酚）等；半導 體材料選自有機小分子半導體、聚合物半導體、無機半導體（如P型硅、η型硅、氧化鋅等） 等；源漏電極材料為金屬，選自銀、銅、金等。
[0034] 優(yōu)選地，所述半導體層的厚度為10_150nm。其余各層的厚度無需限定。
[0035] 本發(fā)明的有益效果如下：
[0036] 1)本發(fā)明首次將碳點作為電荷存儲介質(zhì)應用在構(gòu)建非易失性記憶存儲器件中，且 可通過在碳點表面修飾基團，如在碳點表面通過共價鍵修飾不同有機官能團，來調(diào)節(jié)復合 材料在不同溶劑中的溶解性以及與不同介質(zhì)的相容性。
[0037] 2)本發(fā)明的記憶存儲器件具有優(yōu)異的性能，開關(guān)比可達105,保留時間長、穩(wěn)定性 好，在記憶存儲材料領(lǐng)域有廣大的應用前景。
[0038] 3)本發(fā)明制備簡單，無需添加交聯(lián)劑，且成本低。
【附圖說明】
[0039] 下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細的說明。
[0040] 圖1為兩端二極管記憶存儲器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0041] 圖2為三端記憶存儲器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042] 圖3為實施例1的兩端二極管記憶存儲器件的示意圖。
[0043] 圖4為實施例1的兩端二極管記憶存儲器件的電流密度-電壓曲線。
[0044] 圖5為實施例1的兩端二極管記憶存儲器件的保留時間測試圖。
【具體實施方式】
[0045] 為了更清楚地說明本發(fā)明，下面結(jié)合優(yōu)選實施例對本發(fā)明做進一步的說明。本領(lǐng) 域技術(shù)人員應當理解，下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的，不應以此限制本 發(fā)明的保護范圍。
[0046] 圖1為兩端二極管記憶存儲器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0047] 圖2為三端記憶存儲器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048] 實施例1
[0049] 兩端二極管記憶存儲器件的制備方法，包括以下步驟：
[0050] 1)將聚乙烯醇PVA和N雜原子摻雜的碳點的共混物按照重量比50 :1溶解在水溶 液中，得到混合液，為復合材料；
[0051] 2)在氧化銦錫透明導電玻璃表面沉積陰極電極材料金，將1)得到的復合材料旋 涂到金電極表面形成活性層，活性層厚度約為70nm ;
[0052] 之后，在 100°C 退火 30min ;
[0053] 最后，用鍍膜機在真空下向活性層表面蒸鍍金屬銀電極（厚度IOOnm)，得到基于 雜原子摻雜的碳點的非易失性兩端二極管記憶存儲器件。
[0054] 測得開關(guān)比達IO5。
[0055] 聚乙烯醇PVA的結(jié)構(gòu)式如下：
[0056]
[0057] 圖3為實施例1的兩端二極営記t乙存儲器仵的不蒽圖。銀電極可以為圓點，也可 以為正方形，也可以圖案化為其他形狀。
[0058] 圖4為實施例1的兩端二極管記憶存儲器件的電流密度-電壓曲線。掃描1 :正向 電壓掃描時，電流密度在IV附近發(fā)生驟變，上升5個數(shù)量級，表明器件阻態(tài)由高阻態(tài)變到了 低阻態(tài)；掃描2 :重復掃描1，電流密度隨電壓迅速上升，但沒有發(fā)生突變，表明器件阻態(tài)保 留在了低阻態(tài)；掃描3 :反向電壓掃描，電流密度在3V附近發(fā)生驟變，下降了約5個數(shù)量級， 表明器件由低阻態(tài)變到了高阻態(tài)；掃描4 :重復掃描3,電流密度隨電壓緩慢上升，但沒有發(fā) 生突變，表明器件阻態(tài)保留在了高阻態(tài)。
[0059] 圖5為實施例1的兩端二極管記憶存儲器件的保留時間測試圖。在器件的低阻態(tài) 和高阻態(tài)兩種阻態(tài)下，分別用0. 2V的脈沖偏壓以20ms的時間間隔測試其電流密度，發(fā)現(xiàn)兩 種阻態(tài)可以連續(xù)連續(xù)保持很長時間而發(fā)生改變，圖中測試為3600秒。
[0060] 實施例2
[0061] 三端記憶存儲器件的制備方法，包括以下步驟：
[0062] (1)按照常規(guī)方法在基底材料ITO襯底上順序沉積柵極（金）和絕緣層（二氧化 娃）；
[0063] (2)將聚乙烯醇PVA和S雜原子摻雜的碳點按照重量比2 :1溶解在甲醇中，得到 混合液，為復合材料；
[0064] (3)將復合材料通過旋涂、打印等方式沉積到絕緣層表面構(gòu)成電荷俘獲層；
[0065] 采用半導體薄膜成膜方法，在電荷俘獲層表面沉積并五苯材料，形成半導體層，厚 度為IOnm ;
[0066] 在半導體層表面沉積至少沉積一層圖案化的銀、銅、金等金屬，構(gòu)成源漏電極；
[0067] 得到基于雜原子摻雜的碳點作為新型電荷存儲介質(zhì)的非易失性三端記憶存儲器 件，測得開關(guān)比達1〇 5。
[0068] 并五苯的結(jié)構(gòu)式如下：
[0069]
[0070] 實施例3
[0071] 兩端二極管記憶存儲器件的制備方法，包括以下步驟：
[0072] 1)將有機聚合物（聚對亞苯基亞乙烯基、聚對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚乙炔和 聚乙炔衍生物的混合物，重量比為I :2 :2 :1)和碳點的共混物在水溶液中按照重量比50 :1 在30°C條件下攪拌lOmin，得到混合液，為復合材料；所述有機聚合物的濃度為10mg/ml ;
[0073] 2)在硅基底材料表面沉積銀陰極電極材料，將步驟1)得到的復合材料拉膜到銀 陰極電極材料表面形成活性層（厚度為20nm)，之后在60°C退火lOmin，最后用鍍膜機在真 空下向活性層表面蒸鍍陽極電極材料ITO(厚度為20nm)，得到兩端二極管記憶存儲器件， 測得開關(guān)比達1〇 5。
[0074] 實施例4
[0075] 兩端二極管記憶存儲器件的制備方法，包括以下步驟：
[0076] 1)將聚乙烯醇衍生物和碳點在丙酮中按照重量比25 :1在80°C條件下攪拌 150min，得到混合液，為復合材料；所述有機聚合物的濃度為75mg/ml ;
[0077] 2)在PET基底材料表面沉積鋁陰極電極材料，將步驟1)得到的復合材料打印到 錯陰極電極材料表面形成活性層（厚度為IOOnm)，之后在120°C退火50min，最后用鍍膜機 在真空下向活性層表面蒸鍍陽極電極材料金（厚度為IOOnm)，得到兩端二極管記憶存儲器 件，測得開關(guān)比達1〇 5。
[0078] 實施例5
[0079] 同實施例4,區(qū)別在于，基底材料為紙。結(jié)果與實施例4類似。
[0080] 實施例6
[0081] 三端記憶存儲器件的制備方法，包括以下步驟：
[0082] (1)將聚對亞苯基亞乙烯基和N、S、Si、Se、P、As雜原子摻雜的碳點的共混物在丙 酮中按照重量比30 :1在80°C條件下攪拌150min，得到混合液，為復合材料；所述有機聚合 物的濃度為35mg/ml ;
[0083] (2)在ITO基底材料表面沉積銀柵極材料，在銀柵極材料表面沉積聚（甲基丙烯酸 甲酯）絕緣層材料，在聚（甲基丙烯酸甲酯）絕緣層材料表面沉積步驟（1)得到的復合材 料形成電荷俘獲層，在電荷俘獲層表面真空蒸鍍P型硅半導體材料形成半導體層（厚度為 IOnm)，在半導體層表面沉積銀源漏電極材料，得到三端記憶存儲器件。
[0084] 實施例7
[0085] 三端記憶存儲器件的制備方法，包括以下步驟：
[0086] (1)將聚對亞苯基亞乙烯基和Ge、Gd、B、Sb、Te雜原子摻雜的碳點的共混物在丙酮 中按照重量比70 :1在80°C條件下攪拌150min，得到混合液，為復合材料；所述有機聚合物 的濃度為35mg/ml ;
[0087] (2)在金基底材料表面沉積銅柵極材料，在銅柵極材料表面沉積聚（乙烯基苯酚） 絕緣層材料，在聚（乙烯基苯酚）絕緣層材料表面沉積步驟（1)得到的復合材料形成電荷 俘獲層，在電荷俘獲層表面甩膜η型娃半導體材料形成半導體層（厚度為150nm)，在半導體 層表面沉積銅源漏電極材料，得到三端記憶存儲器件。
[0088] 實施例8
[0089] 三端記憶存儲器件的制備方法，包括以下步驟：
[0090] (1)同實施例2 ;
[0091] (2)在銀基底材料表面沉積金柵極材料，在金柵極材料表面沉積二氧化硅絕緣層 材料，在二氧化硅絕緣層材料表面沉積步驟（1)得到的復合材料形成電荷俘獲層，在電荷 俘獲層表面印刷氧化鋅半導體材料形成半導體層（厚度為IOOnm)，在半導體層表面沉積金 源漏電極材料，得到三端記憶存儲器件。
[0092] 實施例9
[0093] 三端記憶存儲器件的制備方法，包括以下步驟：
[0094] (1)同實施例2 ;
[0095] (2)在鋁基底材料表面沉積銀柵極材料，在銀柵極材料表面沉積聚（甲基丙烯酸 甲酯絕緣層材料，在聚（甲基丙烯酸甲酯）絕緣層材料表面沉積步驟（1)得到的復合材料 形成電荷俘獲層，在電荷俘獲層表面滴膜P型硅半導體材料形成半導體層（厚度為75nm)， 在半導體層表面沉積銀源漏電極材料，得到三端記憶存儲器件。
[0096] 實施例10
[0097] 三端記憶存儲器件的制備方法，包括以下步驟：
[0098] (1)同實施例2 ;
[0099] (2)在銅基底材料表面沉積金柵極材料，在金柵極材料表面沉積聚（乙烯基苯酚） 絕緣層材料，在聚（乙烯基苯酚）絕緣層材料表面沉積步驟（1)得到的復合材料形成電荷 俘獲層，在電荷俘獲層表面打印氧化鋅半導體材料形成半導體層（厚度為35nm)，在半導體 層表面沉積金源漏電極材料，得到三端記憶存儲器件。
[0100] 顯然，本發(fā)明的上述實施例僅僅是為清楚地說明本發(fā)明所作的舉例，而并非是對 本發(fā)明的實施方式的限定，對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可 以做出其它不同形式的變化或變動，這里無法對所有的實施方式予以窮舉，凡是屬于本發(fā) 明的技術(shù)方案所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護范圍之列。
【主權(quán)項】
1. 一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件，其特征在于，所述記憶存儲 器件包括由碳點/有機聚合物復合材料形成的層； 所述碳點/有機聚合物復合材料是碳點和有機聚合物的混合物； 所述碳點是雜原子摻雜的碳點或者無雜原子摻雜的碳點； 所述有機聚合物選自以下聚合物中的一種或兩種以上混合物：聚乙烯醇、聚乙烯醇衍 生物、聚對亞苯基亞乙烯基、聚對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚噻吩、 聚噻吩類衍生物、富勒烯、富勒烯衍生物。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件，其特 征在于，所述碳點/有機聚合物復合材料中，碳點和有機聚合物的重量比為1 :2-100。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件，其特 征在于，當碳點為雜原子摻雜的碳點時，所述雜原子選自以下原子中的一種或兩種以上：N、 S、Si、Se、P、As、Ge、Gd、B、Sb、Te。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件，其特 征在于，所述碳點/有機聚合物復合材料中，還包括溶劑；所述溶劑選自以下化合物中的一 種或兩種以上混合物：水、甲醇、乙醇、丙酮。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件，其特 征在于，所述碳點/有機聚合物復合材料中，所述有機聚合物的濃度為l〇-l〇〇mg/ml。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件，其特 征在于，所述記憶存儲器件包括兩端二極管記憶存儲器件、三端記憶存儲器件。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件，其特 征在于， 所述兩端二極管記憶存儲器件從下往上依次包括：基底、陰極電極、活性層和陽極電 極； 基底材料選自玻璃、硅基底、PET或紙； 陰極電極材料選自金、銀、銅、錯或鎳； 活性層為碳點/有機聚合物復合材料，活性層厚度為20-300nm ; 陽極電極材料選自IT0、金、銀、銅、鋁或鎳，陽極電極厚度為20-300nm。8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件， 其特征在于，所述兩端二極管記憶存儲器件的制備包括以下步驟： 1) 將碳點和有機聚合物在溶劑中于30-3000°C條件下攪拌10_300min，得到混合液，即 為碳點/有機聚合物復合材料； 2) 在基底材料表面沉積陰極電極材料，在陰極電極材料表面沉積步驟1)得到的碳點 /有機聚合物復合材料形成活性層，之后退火，最后在真空下向活性層表面沉積陽極電極材 料，得到兩端二極管記憶存儲器件； 步驟1)中，所述溶劑選自以下化合物中的一種或兩種以上混合物：水、甲醇、乙醇、丙 酮； 步驟2)中，所述退火是在60-500°C條件下退火10_300min。9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件，其特 征在于， 所述三端記憶存儲器件從下往上依次包括：基底、柵極、絕緣層、電荷俘獲層、半導體層 和源漏電極； 基底材料選自ITO、金、銀、鋁或銅； 柵極材料選自銀、銅或金； 絕緣層材料選自二氧化硅、聚（甲基丙烯酸甲酯）或聚（乙烯基苯酚）； 電荷俘獲層為碳點/有機聚合物復合材料； 半導體材料選自有機小分子半導體、聚合物半導體或無機半導體，半導體層厚度為 l〇-150nm ； 源漏電極材料選自銀、銅或金。10.根據(jù)權(quán)利要求6或9所述的一種基于碳點/有機聚合物復合材料的記憶存儲器件， 其特征在于， 所述三端記憶存儲器件的制備包括以下步驟： (1) 將碳點和有機聚合物在溶劑中于30-3000°C條件下攪拌10_300min，得到混合液， 即為碳點/有機聚合物復合材料； (2) 在基底材料表面沉積柵極材料，在柵極材料表面沉積絕緣層材料，在絕緣層材料表 面沉積步驟（1)得到的復合材料形成電荷俘獲層，在電荷俘獲層表面沉積半導體材料形成 半導體層，在半導體層表面沉積源漏電極材料，得到三端記憶存儲器件； 步驟（1)中，所述溶劑選自以下化合物中的一種或兩種以上混合物：水、甲醇、乙醇、丙 酮。
【文檔編號】H01L27/10GK106033794SQ201510109253
【公開日】2016年10月19日
【申請日】2015年3月12日
【發(fā)明人】王鷹, 汪鵬飛, 孟令強, 劉衛(wèi)敏, 葛介超
【申請人】中國科學院理化技術(shù)研究所