線圈組件的制作方法
【專利摘要】提供一種線圈組件，所述線圈組件包括芯構(gòu)件和線圈導(dǎo)體。所述芯構(gòu)件具有：絕緣層，其中，具有階梯式剖面的腔體設(shè)置在其中央部分；復(fù)合磁性層，填充所述腔體。所述線圈導(dǎo)體設(shè)置在絕緣層中。所述腔體的階梯式剖面增加了復(fù)合磁性層的填充面積或體積，從而可在相同磁導(dǎo)率的條件下通過增加電感改善共模阻抗。
【專利說明】線圈組件
[0001 ] 本申請要求于2015年4月I日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2015-0046044號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請的公開內(nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本公開涉及一種線圈組件。
【背景技術(shù)】
[0003]近來，諸如移動電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、液晶顯示器(IXD)和導(dǎo)航裝置等的電子裝置已經(jīng)變得小型化、輕薄化并改善了性能。諸如以上所述的電子裝置對外部刺激高度敏感，使得當(dāng)小的異常電壓和高頻噪聲被從外部引入到電子裝置的內(nèi)部電路時(shí)，電路可能受損或信號可能失真。
[0004]如上所述的異常電壓和/或噪聲可能由電路中產(chǎn)生的開關(guān)電壓、包含在電源電壓中的電力噪聲、不必要的電磁信號或電磁噪聲等導(dǎo)致。線圈組件已經(jīng)被廣泛地用作防止異常電壓或高頻噪聲被引入到電路中的工具。
[0005]共模濾波器(CMF)(—種線圈組件)是廣泛用在各種電子裝置中以去除共模噪聲的電子組件。
[0006]近來，隨著電子裝置的小型化、輕薄化和高性能化的趨勢，已經(jīng)對能夠小型化和輕薄化同時(shí)展現(xiàn)出改善的噪聲去除性能的共模濾波器進(jìn)行了研究。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本公開的一方面可提供一種線圈組件，所述線圈組件呈具有改善了特性的新穎結(jié)構(gòu)。
[0008]根據(jù)本公開的一方面，一種線圈組件可包括芯構(gòu)件和線圈導(dǎo)體。所述芯構(gòu)件包括:絕緣層，具有階梯式剖面的腔體設(shè)置在所述絕緣層的中央部分;復(fù)合磁性層，填充所述腔體。所述線圈導(dǎo)體設(shè)置在絕緣層中。
[0009]所述絕緣層可由負(fù)性光刻膠或通過曝光而固化的材料形成。
[0010]所述腔體的寬度可自腔體的下部朝著腔體的上部以階梯式的形式增加。
[0011]所述絕緣層可包括堆疊的多個(gè)絕緣子層，所述腔體可是以多個(gè)絕緣子層的多個(gè)側(cè)壁部分以及設(shè)置在彼此相鄰的絕緣子層的側(cè)壁部分之間的臺階部分為邊界形成的，側(cè)壁部分可以以90°或更小的角度傾斜。
[0012]所述腔體的側(cè)壁部分可包括絕緣層的絕緣子層的側(cè)壁部分中的每個(gè)側(cè)壁部分。
[0013]此外，根據(jù)本公開的另一方面，一種線圈組件包括芯構(gòu)件以及上蓋構(gòu)件和下蓋構(gòu)件。所述芯構(gòu)件包括堆疊的絕緣子層，每個(gè)絕緣子層具有設(shè)置在其中的線圈導(dǎo)體。所述上蓋構(gòu)件和下蓋構(gòu)件沿絕緣子層的堆疊方向分別設(shè)置在芯構(gòu)件的上面和下面。每個(gè)絕緣子層具有設(shè)置在線圈導(dǎo)體的中央的孔。此外，設(shè)置在各個(gè)絕緣子層中的孔的面積沿絕緣子層的堆疊方向從下覆蓋件朝上覆蓋件增大。
[0014]各個(gè)絕緣子層中的每個(gè)絕緣子層的孔可是以壁部分為邊界形成的，所述壁部分可與各個(gè)絕緣子層的上表面或下表面非正交。
[0015]所述線圈組件還可包括復(fù)合磁性層，復(fù)合磁性層填充設(shè)置在堆疊的絕緣子層的每個(gè)絕緣子層中的孔。所述復(fù)合磁性層以及上蓋構(gòu)件和下蓋構(gòu)件均可包括與聚合樹脂混合的磁性粉末。
[0016]在某些示例中，堆疊的絕緣子層的各個(gè)絕緣子層中的每個(gè)可包括:多個(gè)線圈導(dǎo)體，接觸各個(gè)絕緣子層下表面;絕緣體，設(shè)置在各個(gè)絕緣子層的線圈導(dǎo)體之間以及線圈導(dǎo)體與各個(gè)絕緣子層的上表面之間。
[0017]在各種示例中，堆疊的絕緣子層的各個(gè)絕緣子層中的每個(gè)可包括多個(gè)線圈導(dǎo)體，線圈組件的不同絕緣子層的線圈導(dǎo)體可被電連接，以形成初級線圈和次級線圈。在一個(gè)示例中，各個(gè)絕緣子層中的每個(gè)絕緣子層的線圈導(dǎo)體被電連接，以形成同一個(gè)初級線圈和同一個(gè)次級線圈。在另一示例中，絕緣子層的第一線圈導(dǎo)體被電連接以形成初級線圈，絕緣子層的第二線圈導(dǎo)體被電連接以形成次級線圈。
【附圖說明】
[0018]通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本公開的以上和其它方面、特點(diǎn)及其他優(yōu)點(diǎn)將被更加清楚地理解，其中:
[0019]圖1是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的線圈組件的透視圖；
[0020]圖2是沿圖1的線1-V截取的放大剖視圖；
[0021]圖3根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的線圈組件的剖視圖；
[0022]圖4至圖13是示出制造圖1的線圈組件的方法的步驟的工藝圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本公開的示例性實(shí)施例。
[0024]在本示例性實(shí)施例中，描述了作為線圈組件100的示例的薄膜式共模濾波器(CMF)0
[0025]圖1是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的線圈組件的透視圖，圖2是沿圖1的線1-P截取的放大剖視圖，圖3根據(jù)本公開的另一示例性實(shí)施例的線圈組件的剖視圖。
[0026]如圖1和圖2所示，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的線圈組件100可包括芯構(gòu)件110、線圈導(dǎo)體120、蓋構(gòu)件130和外部端子140。
[0027]芯構(gòu)件110可包括絕緣層111和復(fù)合磁性層115。
[0028]絕緣層111可用于確保線圈導(dǎo)體120之間的絕緣并保護(hù)線圈導(dǎo)體120不受外部環(huán)境影響。具體地，絕緣層111可支撐并包圍線圈導(dǎo)體120。
[0029]詳細(xì)地，絕緣層111可由包含至少三個(gè)子層的多個(gè)子層形成。在圖2中，示出了由五個(gè)子層(第一絕緣子層Illa至第五絕緣子層Ille)組成的絕緣層111。
[0030]然而，可根據(jù)線圈導(dǎo)體120的層數(shù)而改變絕緣層111的子層的數(shù)量。在這種情況下，當(dāng)線圈導(dǎo)體120的層數(shù)是η時(shí)，絕緣層111的子層的數(shù)量可以是n+l(這里，η是大于等于I的整數(shù))。
[0031 ]如上所述的絕緣層111可包括位于螺旋線圈(coi I spiral)的中央部分的腔體113，復(fù)合磁性層115形成或設(shè)置在腔體113中。
[0032]根據(jù)本示例性實(shí)施例，腔體113可由至少三個(gè)側(cè)壁部分113a和至少兩個(gè)臺階部分113b組成或以至少三個(gè)側(cè)壁部分113a和至少兩個(gè)臺階部分113b為邊界形成。例如，腔體113可是以絕緣層111的至少三個(gè)子層的側(cè)壁部分113a并以沿絕緣層111的子層的上表面形成的彼此階梯式后退的臺階部分113b為邊界形成。詳細(xì)地，腔體113可具有寬度呈自其下部朝其上部以階梯式方式逐漸增加的階梯式剖面。這樣是為了增加腔體113的面積并增加復(fù)合磁性層115的填充面積或填充體積。
[0033]這里，腔體113的側(cè)壁部分113a可通過絕緣層111的每個(gè)子層的側(cè)壁而形成，并且腔體113的臺階部分113b可形成在絕緣子層11 Ia至111e的彼此相鄰的側(cè)壁部分113a之間的界面。
[0034]此外，腔體113的側(cè)壁部分113a可以以90°或更小(優(yōu)選地為大約60°至90°)的角度傾斜。在這種情況下，考慮到改善復(fù)合磁性層115的填充率，可優(yōu)選地使側(cè)壁部分113a具有緩坡而非陡坡，因?yàn)檫@樣可增加腔體113的面積或體積。
[0035]如上所述的側(cè)壁部分113a的傾斜度的范圍可根據(jù)形成絕緣層111的材料的類型或諸如顯影后的后烘(post bake)等的工藝變化來控制，當(dāng)前，在實(shí)現(xiàn)小于等于60°的斜坡角度方面存在工藝限制。
[0036]此外，絕緣層111可由在曝光時(shí)被固化的材料(例如，負(fù)性光刻膠)形成。
[0037]這里，術(shù)語“負(fù)性光刻膠”指由于光反應(yīng)導(dǎo)致其受光輻射的部分變得不溶于顯影劑的光刻膠。
[0038]由于在形成膜之后通過熱處理固化時(shí)負(fù)性光刻膠中的溶劑揮發(fā)，因此上述負(fù)性光刻膠可在顯影之后具有緩坡。
[0039 ]復(fù)合磁性層115可填充絕緣層111中的腔體113。
[0040]在將電流施加到線圈組件100時(shí)，在螺旋線圈的中部的磁場可沿與絕緣層111的上表面垂直或正交的方向形成。因此，當(dāng)將電流施加到線圈導(dǎo)體120時(shí)，復(fù)合磁性層115可用作使由線圈導(dǎo)體120中流動的電流產(chǎn)生的磁通量通過的路徑。
[0041]在制造薄膜式共模濾波器時(shí)，當(dāng)螺旋線圈的中部填充有具有高磁導(dǎo)率的磁性材料時(shí)，可增加線圈組件100的電感，從而可改善共模濾波器的共模阻抗。
[0042]復(fù)合磁性層115可由使磁性粉末與聚合樹脂混合的磁性樹脂復(fù)合物形成。這里，磁性粉末可由包含F(xiàn)e2O3和N1作為主要成份的Ni基鐵氧體材料、包含F(xiàn)e2O3、N1和ZnO作為主要成份的N1-Zn基鐵氧體材料或包含F(xiàn)e203、Ni0、Zn0和CuO作為主要成份的N1-Zn-Cu基鐵氧體材料等形成，以可確保允許尚的磁導(dǎo)率。
[0043]磁性粉末可由除了上述材料之外的任何磁性材料形成。只要其允許獲得預(yù)定水平的電感，則該磁性材料可用在磁性粉末中。例如，可使用Fe、Fe_Ni基合金、Fe-Si基合金、Fe-S1-Al基合金或Fe-Cr-Si基合金等。
[0044]同時(shí)，為了在保持復(fù)合磁性層115的磁導(dǎo)率恒定的同時(shí)增加共模濾波器的電感，可增加包含磁性材料的復(fù)合磁性層115的填充面積或體積。其原因是當(dāng)磁通密度根據(jù)材料而具有唯一值時(shí)，垂直地穿過對應(yīng)的磁性材料的磁通量與磁性材料的面積成比例。
[0045]由于該原理，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的線圈組件100中，在使填充在具有階梯式剖面的腔體113中的復(fù)合磁性層115的填充材料的磁導(dǎo)率保持恒定的同時(shí)可改善或增加電感。具體地，通過增加復(fù)合磁性層115的填充面積或體積可改善或增加電感。
[0046]可通過制備在有機(jī)溶劑中包含磁性粉末和聚合樹脂的磁性膏、利用磁性膏填充絕緣層111的腔體113、然后使涂敷的磁性膏膜固化來制造具有上述結(jié)構(gòu)的復(fù)合磁性層115。
[0047]線圈導(dǎo)體120(繞成螺旋狀的線圈圖案的金屬布線)可由從具有良好導(dǎo)電性的銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)和鉑(Pt)中選擇的至少一種金屬形成。
[0048]線圈導(dǎo)體120可形成為使線圈導(dǎo)體120嵌入絕緣層111中的結(jié)構(gòu)，并可設(shè)置在除了設(shè)置在最低位置的絕緣子層Illa之外的絕緣子層Illb至Ille中的每個(gè)中。
[0049]上述線圈導(dǎo)體120可由初級線圈121和次級線圈123組成。如圖2所示，初級線圈121和次級線圈123可交替設(shè)置在每個(gè)子層中。在圖2中，初級線圈顯示為具有沿一個(gè)方向的剖面線(‘/’)，而次級線圈123顯示為具有沿另一方向的剖面線(‘\’)。在這種情況下，初級線圈121和次級線圈123的下表面可設(shè)置在與初級線圈121和次級線圈123設(shè)置在其中的各個(gè)絕緣子層11 Ib至11 Ie的下表面相同的平面上。此外，如圖所示，初級線圈121形成在絕緣層111的第一組子層中(具體地，在圖2的示例中的子層Illb和Illd中)，同時(shí)，次級線圈形成在介于第一組的層之間的第二組子層中(具體地，在子層Illc和Ille中)。
[0050]設(shè)置在不同平面上的初級線圈121可通過第一通路(未示出)彼此電連接，設(shè)置在不同平面上的次級線圈123可通過第二通路(未示出)彼此電連接。例如，設(shè)置在不同平面上的初級線圈121可通過第一通路彼此串聯(lián)連接，設(shè)置在不同平面上的次級線圈123可通過第二通路彼此串聯(lián)連接。
[0051]此外，初級線圈121和次級線圈123的端部可延伸至芯構(gòu)件110的側(cè)表面，使得其末端可暴露到外部，并且末端的暴露部分可電連接到形成在通過堆疊芯構(gòu)件110和蓋構(gòu)件130而形成的主體的側(cè)表面上的四個(gè)外部端子140。由于該連接結(jié)構(gòu)，可通過外部端子140將外部電流施加到線圈導(dǎo)體120。
[0052]這里，在四個(gè)外部端子140中，用作初級線圈121的輸入端子和輸出端子的一對外部端子140可分別設(shè)置在主體的一個(gè)側(cè)表面和另一側(cè)表面上，從而設(shè)置為彼此面對，用作次級線圈123的輸入端子和輸出端子的另一對外部端子140也可設(shè)置在上述結(jié)構(gòu)中。然而，夕卜部端子140的設(shè)置結(jié)構(gòu)不一定局限于此，而是可根據(jù)設(shè)計(jì)自由改變。
[0053]初級線圈121和次級線圈123設(shè)置為彼此相鄰并因此可彼此電磁耦合。其結(jié)果是，根據(jù)本示例性實(shí)施例的線圈組件100可用作共模濾波器(CMF)，當(dāng)將電流沿相同的方向施加到初級線圈121和次級線圈123時(shí)，共模濾波器具有由于磁通量的增強(qiáng)而增大的共模阻抗，當(dāng)電流沿不同的方向流動時(shí)其具有由于磁通量的衰減而減小的差模阻抗。
[0054]同時(shí)，盡管在圖2中示出了將初級線圈121和次級線圈123設(shè)置在不同平面上的示例，但線圈導(dǎo)體120可以可選地形成為初級線圈121和次級線圈123相鄰地設(shè)置在單個(gè)子層上的大體同心的線圈結(jié)構(gòu)(general simultaneous coil structure)，即，如圖3所示的在彼此相同的平面上。
[0055]初級線圈121和次級線圈123中的每個(gè)可通過鍍覆方法由鍍覆圖案形成，其在期望線圈組件纖薄化的情況下存在優(yōu)勢。在下面的制造線圈組件的方法的描述中將提供其詳細(xì)描述。
[0056]此外，可通過多次重復(fù)形成絕緣子層和線圈導(dǎo)體來形成由多個(gè)子層(Illa-1lln)組成的絕緣層111和多個(gè)子層的線圈導(dǎo)體120。堆疊的多個(gè)絕緣子層的各個(gè)絕緣子層均包括:多個(gè)線圈導(dǎo)體，接觸各個(gè)絕緣子層的下表面;絕緣體，設(shè)置在各個(gè)絕緣子層的線圈導(dǎo)體之間以及線圈導(dǎo)體與各個(gè)絕緣子層的上表面之間。
[0057]蓋構(gòu)件130可形成在嵌有線圈導(dǎo)體120的絕緣層111的兩個(gè)表面(例如，上表面和下表面)上，并設(shè)置在線圈組件100的最外部上，從而與芯構(gòu)件110和線圈導(dǎo)體120—起組成主體。
[0058]蓋構(gòu)件130可由設(shè)置在芯構(gòu)件110上的上蓋構(gòu)件130a和設(shè)置在芯構(gòu)件110下面的下蓋構(gòu)件130b組成。
[0059]與復(fù)合磁性層115類似，蓋構(gòu)件130可由磁性粉末與聚合樹脂混合在其中的磁性樹脂復(fù)合物形成。在這種情況下，蓋構(gòu)件130可與復(fù)合磁性層115—起用作磁通量的運(yùn)動路徑。
[0060]也就是說，當(dāng)電流施加到線圈導(dǎo)體120時(shí)產(chǎn)生的磁通量可穿過位于線圈組件100的上部和下部的蓋構(gòu)件130并穿過位于線圈組件100的中部的復(fù)合磁性層115，從而形成閉合的磁路。因此，可通過蓋構(gòu)件130抑制磁漏，從而可防止線圈導(dǎo)體120的電特性劣化。
[0061 ]同時(shí)，在蓋構(gòu)件130由具有與復(fù)合磁性層115的磁性粉末含量比例相同的磁性粉末含量比例的磁性樹脂復(fù)合物形成的情況下，可改善裝置特性的方向性。
[0062]根據(jù)本示例性實(shí)施例的具有上述結(jié)構(gòu)的線圈組件100可包括腔體113(在與螺旋線圈的中部對應(yīng)的絕緣層111中具有階梯式剖面)，以增加復(fù)合磁性層115的填充面積或體積，從而可在相同磁導(dǎo)率的條件下通過增加電感來改善共模阻抗。
[0063]下面將描述制造如上所述構(gòu)造的根據(jù)本示例性實(shí)施例的線圈組件的方法。這里，通過相同的標(biāo)號指示與圖1和圖2中的相同的組件，將省略相同組件的重復(fù)描述，并將只描述它們之間的差異。
[0064]圖4至圖13是示出制造圖1中的線圈組件的方法的各個(gè)步驟的過程圖。
[0065]如圖4所示，在制造根據(jù)本示例性實(shí)施例的線圈組件的方法中，首先，可通過在制備好的下蓋構(gòu)件130b上涂覆負(fù)性光刻膠(一種在曝光時(shí)固化的材料)來形成第一絕緣層Illa7 ο
[0066]接著，如圖5所示，在將包括遮擋部分510和透射部分520的掩膜500布置在第一絕緣層11 Ia7上之后，可通過照射紫外(UV)光等執(zhí)行曝光。
[0067]這里，掩膜500的遮擋部分510可阻擋光透射到第一絕緣層11Ia7的被遮擋部分510覆蓋的部分上。同時(shí)，掩膜的透射部分520可使光投射到第一絕緣層11 Ia7的被透射部分520覆蓋的部分上。因此，遮擋部分510可與第一絕緣層Illa'的將要形成腔體113的區(qū)域相對應(yīng)。透射部分520可覆蓋未被遮擋部分510覆蓋的區(qū)域，從而可與第一絕緣層11IY將要保留的另一區(qū)域相對應(yīng)。
[0068]因此，第一絕緣層Illa7的與掩膜500的遮擋部分510對應(yīng)的部分可被稱為非暴露部分A，第一絕緣層Illa7的與掩膜500的透射部分520對應(yīng)的部分可被稱為暴露部分B。
[0069]在這種情況下，暴露部分B可被光固化，非暴露部分A不會被光固化，從而處于非固化狀態(tài)。在曝光后可移除掩膜500。
[0070]接著，如圖6所示，可使暴露的第一絕緣層(見圖5的IllY，B部分)顯影。
[0071]在顯影時(shí)，由于圖5的暴露部分B不溶于顯影劑，因此，暴露部分B可被保留，非暴露部分A可通過顯影劑被移除，使得包括第一腔體113'的第一絕緣層Illa可形成在與非暴露部分A對應(yīng)的區(qū)域中。
[0072]在這種情況下，第一腔體113'的側(cè)壁部分113a可相對于下蓋構(gòu)件130b的表面以大約60°至90°的角度傾斜(優(yōu)選地，緩坡)。其原因是，由于在形成膜之后通過熱處理使負(fù)性光刻膠中的溶劑在固化時(shí)揮發(fā)，使形成圖5的第一絕緣層IllY的負(fù)性光刻膠具有緩坡。
[0073]其后，如圖7所示，初級線圈121可形成在包括第一腔體113'的第一絕緣層Illa上。
[0074]初級線圈121可由使用一般鍍覆方法的螺旋鍍覆圖案形成。
[0075]在這種情況下，可通過使初級線圈121的一個(gè)端部延伸至第一絕緣層Illa的將要形成外部端子的一個(gè)側(cè)面而使初級線圈121的末端暴露在外。
[0076]接著，如圖8所示，可在第一絕緣層11Ia上形成第二絕緣層11 Ib7，以覆蓋初級線圈121，包括遮擋部分810和透射部分820的掩膜800可布置在第二絕緣層1111/上，然后，可通過照射UV光等執(zhí)行曝光。第二絕緣層1111/可形成在第一絕緣層Illa上，并具有比初級線圈121的高度更大的深度，以使第二絕緣層1111/完全覆蓋初級線圈121。
[0077]除了遮擋部分810的區(qū)域比圖5的遮擋部分510的區(qū)域?qū)捴?，掩?00的構(gòu)造與上述掩膜500的構(gòu)造相同。此外，遮擋部分810與遮擋部分510的位置和第一腔體113'的位置基本豎直對齊。
[0078]因此，與掩膜800的遮擋部分810對應(yīng)的第二絕緣層1111/可通過曝光變?yōu)榉潜┞恫糠諥，與掩膜800的透射部分820對應(yīng)的第二絕緣層1111/可通過曝光變?yōu)楸┞恫糠諦。
[0079]在這種情況下，暴露部分B可被光固化，非暴露部分A不會被光固化，從而處于非固化狀態(tài)。掩膜800可在曝光后被移除。
[0080]接著，如圖9所示，可使暴露的第二絕緣層(見圖8的1111/，B部分)顯影。
[0081]在顯影時(shí)，由于圖8的曝露部分B不溶于顯影劑，因此，暴露部分B可被保留，非暴露部分A可通過顯影劑而被移除，從而可在與非暴露部分A對應(yīng)的區(qū)域形成包括第二腔體113〃(具有比第一腔體113'的區(qū)域更寬的區(qū)域)的第二絕緣層111b。
[0082]在這種情況下，第二腔體113〃的側(cè)壁部分113a可相對于第一絕緣層11Ia的上表面以大約60°至90°的角度傾斜(優(yōu)選地，緩坡)，且應(yīng)用于第二腔體113〃的原理與應(yīng)用于上述第一腔體113的原理相同。
[0083]接著，如圖10所示，可如上述關(guān)于上面的圖7至圖9的描述通過多次重復(fù)地形成絕緣層和線圈來形成由腔體113和線圈導(dǎo)體120組成的絕緣層111，其中，腔體113由多個(gè)側(cè)壁部分113a和多個(gè)臺階部分113b組成的階梯式剖面，線圈導(dǎo)體120由嵌入在絕緣層111中的初級線圈121和次級線圈123組成。其結(jié)果是，腔體113可具有其寬度自其下部朝著其上部以階梯式形式逐漸地增加的階梯式剖面。
[0084]在該過程中，初級線圈121和次級線圈123的一個(gè)端部可延伸至絕緣層111中的每個(gè)的與主體的其上將形成外部端子的側(cè)表面對應(yīng)的一個(gè)側(cè)表面或另一側(cè)表面，使得初級線圈121和次級線圈123可暴露在外。
[0085]此時(shí)，盡管并未示出，但在絕緣層111的每層中形成腔體113時(shí)，如果必要，可同時(shí)形成用于使形成在不同平面上的初級線圈121彼此電連接的第一通路的第一通孔或用于使形成在不同平面上的次級線圈123彼此電連接的第二通路的第二通孔。
[0086]在用于同時(shí)形成腔體和通孔的腔體和通孔的掩膜中，還可包括與將要形成通路的區(qū)域?qū)?yīng)的通孔的遮擋部分，從而可通過曝光和顯影同時(shí)形成腔體和通孔。如上所述同時(shí)形成腔體和通孔可相對減少所需的掩膜或工藝的數(shù)量。
[0087]此外，可使用鍍覆方法通過將導(dǎo)電材料填充到第一通孔和第二通孔中的每個(gè)中來形成第一通路和第二通路。
[0088]接著，如圖11所示，復(fù)合磁性層115可形成為填充絕緣層111的腔體113，從而完成芯構(gòu)件110。
[0089]可通過制備在有機(jī)溶劑中包含磁性粉末和聚合樹脂的磁性膏、用磁性膏填充絕緣層111的腔體113、然后使涂敷的磁性膏固化來形成復(fù)合磁性層115。
[0090]其后，如圖12所示，上蓋構(gòu)件130a可堆疊在復(fù)合磁性層115和絕緣層111上。因此，可完成由芯構(gòu)件110、線圈導(dǎo)體120和蓋構(gòu)件130組成的主體。
[0091]然后，如圖13所示，四個(gè)外部端子140可形成在主體的與線圈導(dǎo)體120的暴露到主體的側(cè)表面的端部對應(yīng)的部分上，從而完成線圈組件100。
[0092]通過上述結(jié)構(gòu)和方法制造的根據(jù)本示例性實(shí)施例的線圈組件100可被纖薄化，同時(shí)，線圈組件100可在相同磁導(dǎo)率的條件下通過增加電感而具有改善了的共模阻抗。
[0093]此外，由于可在絕緣層的每層中形成腔體的同時(shí)形成通孔，因此可降低制造成本并可通過相對地減少所需的掩膜或工藝的數(shù)量而改善工藝成品率(process yield)。
[0094]如上所述，根據(jù)本公開的示例性實(shí)施例的線圈組件可包括腔體，所述腔體在絕緣層中具有與螺旋線圈的中部對應(yīng)的階梯式剖面。階梯式剖面可使得填充在腔體中的復(fù)合磁性層的填充面積或體積增大，從而可在相同磁導(dǎo)率的條件下通過增加電感而改善共模阻抗。
[0095]雖然上面已經(jīng)示出和描述了示例性實(shí)施例，但對本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，在不脫離由權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可作出修改和變形。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種線圈組件，包括: 芯構(gòu)件，包括絕緣層和復(fù)合磁性層，其中，具有階梯式剖面的腔體設(shè)置在所述絕緣層的中央部分，所述復(fù)合磁性層填充所述腔體； 線圈導(dǎo)體，設(shè)置在絕緣層中。2.如權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中，所述絕緣層由負(fù)性光刻膠形成。3.如權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中，所述絕緣層由通過曝光而固化的材料形成。4.如權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中，所述腔體的寬度自腔體的下部朝著腔體的上部以階梯式的方式增大。5.如權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中，所述絕緣層包括堆疊的多個(gè)絕緣子層，所述腔體是以所述多個(gè)絕緣子層的多個(gè)側(cè)壁部分以及設(shè)置在彼此相鄰的絕緣子層的側(cè)壁部分之間的臺階部分為邊界形成的， 每個(gè)絕緣子層的側(cè)壁部分相對于絕緣子層的下表面以90°或更小的角度傾斜。6.如權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中，所述線圈導(dǎo)體包括彼此電磁耦合的初級線圈和次級線圈。7.如權(quán)利要求6所述的線圈組件，其中，所述初級線圈和次級線圈設(shè)置在不同的平面上。8.如權(quán)利要求6所述的線圈組件，其中，所述絕緣層包括堆疊的多個(gè)絕緣子層，并且所述初級線圈和次級線圈設(shè)置在所述多個(gè)絕緣子層的各個(gè)不同的絕緣子層中。9.如權(quán)利要求6所述的線圈組件，其中，所述初級線圈和次級線圈設(shè)置在相同的平面上。10.如權(quán)利要求6所述的線圈組件，其中，所述絕緣層包括堆疊的多個(gè)絕緣子層，所述初級線圈和次級線圈設(shè)置在所述多個(gè)絕緣子層的相同的絕緣子層中。11.如權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中，所述線圈導(dǎo)體由鍍覆圖案形成。12.如權(quán)利要求1所述的線圈組件，其中: 所述線圈導(dǎo)體包括彼此電磁耦合的多個(gè)初級線圈和多個(gè)次級線圈， 所述線圈組件還包括在絕緣層中的使初級線圈彼此連接的第一通路和使次級線圈彼此連接的第二通路。13.如權(quán)利要求1所述的線圈組件，所述線圈組件還包括形成在芯構(gòu)件的相對的表面上的蓋構(gòu)件。14.如權(quán)利要求1所述的線圈組件，所述線圈組件還包括形成在芯構(gòu)件的側(cè)表面上并電連接到線圈導(dǎo)體的各個(gè)端部的四個(gè)外部端子。15.—種線圈組件，包括: 芯構(gòu)件，包括堆疊的絕緣子層，每個(gè)絕緣子層具有設(shè)置在其中的線圈導(dǎo)體； 上蓋構(gòu)件和下蓋構(gòu)件，沿絕緣子層的堆疊方向分別設(shè)置在芯構(gòu)件的上面和下面， 其中，每個(gè)絕緣子層具有設(shè)置在線圈導(dǎo)體的中心的孔， 其中，設(shè)置在各個(gè)絕緣子層中的孔的面積沿絕緣子層的堆疊方向自下蓋構(gòu)件至上蓋構(gòu)件增大。16.如權(quán)利要求15所述的線圈組件，其中，各個(gè)絕緣子層中的每個(gè)絕緣子層的孔是以壁部分為邊界形成的，所述壁部分與各個(gè)絕緣子層的上表面或下表面非正交。17.如權(quán)利要求15所述的線圈組件，所述線圈組件還包括: 復(fù)合磁性層，填充設(shè)置在所述堆疊的絕緣子層的每個(gè)絕緣子層中的孔， 其中，所述復(fù)合磁性層以及上蓋構(gòu)件和下蓋構(gòu)件均包括與聚合樹脂混合的磁性粉末。18.如權(quán)利要求15所述的線圈組件，其中，所述堆疊的多個(gè)絕緣子層的各個(gè)絕緣子層均包括:多個(gè)線圈導(dǎo)體，接觸各個(gè)絕緣子層的下表面;絕緣體，設(shè)置在各個(gè)絕緣子層的線圈導(dǎo)體之間以及線圈導(dǎo)體與各個(gè)絕緣子層的上表面之間。19.如權(quán)利要求15所述的線圈組件，其中: 所述堆疊的多個(gè)絕緣子層的各個(gè)絕緣子層均包括多個(gè)線圈導(dǎo)體， 所述線圈組件的不同絕緣子層的線圈導(dǎo)體被電連接，以形成初級線圈和次級線圈， 各個(gè)絕緣子層中的每個(gè)絕緣子層的線圈導(dǎo)體被電連接，以形成同一個(gè)初級線圈和同一個(gè)次級線圈，其中，初級線圈和次級線圈設(shè)置在不同的平面上。20.如權(quán)利要求15所述的線圈組件，其中: 所述堆疊的多個(gè)絕緣子層的各個(gè)絕緣子層均包括第一線圈導(dǎo)體和第二線圈導(dǎo)體， 所述線圈組件的不同絕緣子層的線圈導(dǎo)體被電連接，以形成初級線圈和次級線圈，所述絕緣子層的第一線圈導(dǎo)體被電連接以，形成初級線圈，所述絕緣子層的第二線圈導(dǎo)體被電連接，以形成次級線圈。
【文檔編號】H01F27/30GK106057430SQ201610045413
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年1月22日 公開號201610045413.0, CN 106057430 A, CN 106057430A, CN 201610045413, CN-A-106057430, CN106057430 A, CN106057430A, CN201610045413, CN201610045413.0
【發(fā)明人】梁主歡, 林鐘鳳
【申請人】三星電機(jī)株式會社