基板處理系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種基板處理系統(tǒng)。該基板處理系統(tǒng)在對正面朝上的基板和背面朝上的基板這兩者進行處理的情況下，能夠抑制基板的正面和背面的狀態(tài)管理的復(fù)雜化。實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)具備第一處理塊、第二處理塊以及翻轉(zhuǎn)機構(gòu)。第一處理塊包括：第一處理單元，其在基板的第一面朝上的狀態(tài)下進行基板的處理；以及第一輸送裝置，其針對第一處理單元進行基板的搬入和搬出。第二處理塊包括：第二處理單元，其在基板的與第一面相反一側(cè)的面即第二面朝上的狀態(tài)下進行基板的處理；以及第二輸送裝置，其針對第二處理單元進行基板的搬入和搬出。翻轉(zhuǎn)機構(gòu)配置在從第一處理塊向第二處理塊的基板的輸送路徑的中途，用于使基板翻轉(zhuǎn)。
【專利說明】
基板處理系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]公開的實施方式涉及一種基板處理系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在半導(dǎo)體設(shè)備的制造工序中，對半導(dǎo)體晶圓等基板實施蝕刻處理、清洗處理或成膜處理之類的各種處理。
[0003]作為針對基板的處理，存在在基板的正面朝上的狀態(tài)下進行的處理和在基板的背面朝上的狀態(tài)下進行的處理。因此，近年來提出了一種基板處理系統(tǒng)，該基板處理系統(tǒng)具備對正面朝上的基板進行基板處理的處理單元和對背面朝上的基板進行基板處理的處理單元這兩者。
[0004]例如，在專利文獻I中公開了一種基板處理系統(tǒng)，該基板處理系統(tǒng)具備:第一處理裝置，其在基板的正面朝上的狀態(tài)下向基板的正面供給清洗液;第二處理裝置，其在基板的背面朝上的狀態(tài)下向基板的背面供給清洗液;基板翻轉(zhuǎn)裝置，其使基板的正面和背面翻轉(zhuǎn)；以及基板輸送裝置，其訪問第一處理裝置、第二處理裝置以及基板翻轉(zhuǎn)裝置來進行基板的搬入和搬出。
[0005]專利文獻I:日本特開2013-21026號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明要解決的問題
[0007]然而，在專利文獻I中記載的基板處理系統(tǒng)中，正面朝上的基板和背面朝上的基板混在一起，因此基板的狀態(tài)管理有可能復(fù)雜化。
[0008]實施方式的一個方式的目的在于提供如下一種基板處理系統(tǒng):在對正面朝上的基板和背面朝上的基板這兩者進行處理的情況下，能夠抑制基板的正面和背面的狀態(tài)管理的復(fù)雜化。
[0009]用于解決問題的方案
[0010]實施方式的一個方式所涉及的基板處理系統(tǒng)具備第一處理塊、第二處理塊以及翻轉(zhuǎn)機構(gòu)。第一處理塊包括:第一處理單元，其在基板的第一面朝上的狀態(tài)下進行基板的處理；以及第一輸送裝置，其針對第一處理單元進行基板的搬入和搬出。第二處理塊包括:第二處理單元，其在基板的與第一面相反一側(cè)的面即第二面朝上的狀態(tài)下進行基板的處理；以及第二輸送裝置，其針對第二處理單元進行基板的搬入和搬出。翻轉(zhuǎn)機構(gòu)配置在從第一處理塊向第二處理塊的基板的輸送路徑的中途，用于使基板翻轉(zhuǎn)。
[0011]發(fā)明的效果
[0012]根據(jù)實施方式的一個方式，在對正面朝上的基板和背面朝上的基板這兩者進行處理的情況下，能夠抑制基板的正面和背面的狀態(tài)管理的復(fù)雜化。
【附圖說明】
[0013]圖1是第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的示意俯視圖。
[0014]圖2是第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的示意側(cè)視圖。
[0015]圖3是第一處理單元的示意俯視圖。
[0016]圖4是第一處理單元的示意側(cè)視圖。
[0017]圖5是第二處理塊的示意俯視圖。
[0018]圖6是第二處理單元的示意俯視圖。
[0019]圖7是第二處理單元的示意側(cè)視圖。
[0020]圖8是表示第一緩沖部的結(jié)構(gòu)的圖。
[0021]圖9是表示第一緩沖部的結(jié)構(gòu)的圖。
[0022]圖10是主輸送裝置、轉(zhuǎn)移裝置、第一輸送裝置以及第二輸送裝置的配置圖。
[0023]圖11是第一輸送裝置所具備的晶圓保持部的示意俯視圖。
[0024]圖12是第二輸送裝置所具備的晶圓保持部的示意俯視圖。
[0025]圖13是第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)中的晶圓的輸送流程的說明圖。
[0026]圖14是第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的示意俯視圖。
[0027]圖15是第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的示意側(cè)視圖。
[0028]圖16是第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)中的晶圓的輸送流程的說明圖。
[0029]圖17是第三實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的示意俯視圖。
[0030]圖18是第三實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)中的晶圓的輸送流程的說明圖。
[0031 ]圖19是第四實施方式所涉及的第一處理單元的示意側(cè)視圖。
[0032]圖20是第五實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的示意俯視圖。
[0033]圖21是第五實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)的示意側(cè)視圖。
[0034]圖22是第五實施方式所涉及的第二處理單元的示意俯視圖。
[0035]圖23是第五實施方式所涉及的交接塊的示意后視圖。
[0036]圖24是緩沖部的示意俯視圖。
[0037]圖25是緩沖部的示意側(cè)視圖。
[0038]圖26是第五實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)中的晶圓W的輸送流程的說明圖。
[0039]圖27是第五實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)中的晶圓W的輸送流程的說明圖。
[0040]圖28是不進行正面清洗處理的情況下的晶圓的輸送流程的說明圖。
[0041 ]附圖標(biāo)記說明
[0042]W:晶圓；1:基板處理系統(tǒng)；2:搬入搬出塊;3:處理塊;3U:第一處理塊;3L:第二處理塊;4:交接塊;5:控制裝置；13:主輸送裝置(CR A); 15a、15b:轉(zhuǎn)移裝置(MPRA); 17:第一輸送裝置(PRAl); 18:第一處理單元(CHl) ;27:第二輸送裝置(PRA2);28:第二處理單元(CH2);2IU:第一緩沖部(SBUl); 2IL:第二緩沖部(SBU2); 22U:第一交接部(TRSl); 22L:第二交接部(TRS2) ； 23a:第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)(RVSl )；23b:第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)(R VS2)。
【具體實施方式】
[0043]下面，參照附圖來詳細地說明本申請所公開的基板處理系統(tǒng)的實施方式。此外，本發(fā)明并不限定于以下所示的實施方式。
[0044](第一實施方式)
[0045]〈基板處理系統(tǒng)I的結(jié)構(gòu)〉
[0046]首先，參照圖1和圖2對第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I的結(jié)構(gòu)進行說明。圖1是第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I的示意俯視圖。另外，圖2是第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I的示意側(cè)視圖。此外，以下為了明確位置關(guān)系而規(guī)定互相正交的X軸、Y軸以及Z軸，并將Z軸正方向設(shè)為鉛垂向上方向。
[0047]如圖1所示，第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I具備搬入搬出塊2、處理塊3以及交接塊4 ο這些塊按搬入搬出塊2、交接塊4、處理塊3的順序排列配置。
[0048]基板處理系統(tǒng)I將從搬入搬出塊2搬入的基板、在本實施方式中為半導(dǎo)體晶圓(以下稱為晶圓W)經(jīng)由交接塊4輸送到處理塊3，并在處理塊3中對晶圓W進行處理。另外，基板處理系統(tǒng)I使處理后的晶圓W從處理塊3經(jīng)由交接塊4返回到搬入搬出塊2，并從搬入搬出塊2向外部送出該晶圓W。以下，對各塊2?4的結(jié)構(gòu)進行說明。
[0049]〈搬入搬出塊2的結(jié)構(gòu)〉
[0050]搬入搬出塊2具備載置部11和輸送部12。在載置部11上載置有將多個晶圓W以水平狀態(tài)收容的多個盒C。
[0051]輸送部12與載置部11相鄰地配置，在內(nèi)部具備主輸送裝置13。主輸送裝置13在載置部11與交接塊4之間進行晶圓W的輸送。
[0052]〈處理塊3的結(jié)構(gòu)〉
[0053]如圖2所示，處理塊3具備第一處理塊3U和第二處理塊3L。第一處理塊3U和第二處理塊3L被分隔壁、擋板等在空間上隔開，并以在高度方向上排列的方式配置。在本實施方式中，第一處理塊3U配置于上層側(cè)，第二處理塊3L配置于下層側(cè)。
[0054]在第一處理塊3U中，對電路形成面(以下記載為“正面”)朝上的狀態(tài)的晶圓W進行處理。另一方面，在第二處理塊3L中，對與正面相反一側(cè)的面即背面朝上的狀態(tài)的晶圓W進行處理。對這些第一處理塊3U和第二處理塊3L的結(jié)構(gòu)進行說明。
[0055]〈第一處理塊3U的結(jié)構(gòu)〉
[0056]如圖1所示，第一處理塊3U具備輸送部16、第一輸送裝置17以及多個第一處理單元
18。第一輸送裝置17配置在輸送部16的內(nèi)部，多個第一處理單元18在輸送部16的外部與輸送部16相鄰地配置。
[0057]第一輸送裝置17在交接塊4與第一處理單元18之間進行晶圓W的輸送。具體地說，第一輸送裝置17進行以下處理:將晶圓W從交接塊4取出并輸送到第一處理單元18，以及將由第一處理單元18處理后的晶圓W從第一處理單元18取出并輸送到交接塊4。
[0058]第一處理單元18對正面朝上的狀態(tài)的晶圓W進行倒角清洗處理。倒角清洗處理是將附著于晶圓W的未形成電路的周緣部(倒角部)的微粒、晶圓舟痕跡等去除的處理。
[0059]在此，參照圖3和圖4對第一處理單元18的結(jié)構(gòu)進行說明。圖3是第一處理單元18的示意俯視圖。另外，圖4是第一處理單元18的示意側(cè)視圖。
[0060]如圖3和圖4所示，第一處理單元18具備第一腔室101、第一保持部102、第一回收杯103、倒角清洗部104以及第一噴出部105(參照圖4)。
[0061]第一腔室101收容第一保持部102、第一回收杯103、倒角清洗部104以及第一噴出部105。在第一腔室101的頂部設(shè)置有在第一腔室101內(nèi)形成下行氣流的FFU(Fun FilterUnit:風(fēng)機過濾單元)111。
[0062]第一保持部102具備對晶圓W進行吸附保持的吸附保持部121、對吸附保持部121進行支承的支柱構(gòu)件122以及使支柱構(gòu)件122旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動部123。
[0063]吸附保持部121與真空栗等吸氣裝置(未圖示)連接，利用通過該吸氣裝置的吸氣而產(chǎn)生的負壓來吸附晶圓W的背面，由此將晶圓W水平地保持。作為該吸附保持部121，例如能夠使用多孔吸盤。此外，吸附方式并不限定于上述例子，例如也可以使用靜電吸盤等其它方式。
[0064]吸附保持部121具有直徑比晶圓W的直徑小的吸附區(qū)域。由此，能夠使后述的倒角清洗部104的倒角刷141與晶圓W的周緣部相抵接。
[0065]支柱構(gòu)件122設(shè)置在吸附保持部121的下部，將吸附保持部121以能夠經(jīng)由軸承(未圖示)而相對于第一腔室101和第一回收杯103旋轉(zhuǎn)的方式支承。驅(qū)動部123設(shè)置在支柱構(gòu)件122的下部，用于使支柱構(gòu)件122繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)。由此，被吸附保持部121吸附保持的晶圓W旋轉(zhuǎn)。
[0066]第一回收杯103被配置為包圍第一保持部102。在第一回收杯103的底部形成有用于向第一腔室101的外部排出從第一噴出部105噴出的藥液的排液口 131和用于排出第一腔室101內(nèi)的空氣的排氣口 132。
[0067]倒角清洗部104具備:倒角刷141;臂143，其在水平方向(在此為Y軸方向)上延伸，通過軸142將倒角刷141從上方支承；以及移動機構(gòu)145，其使臂143沿導(dǎo)軌144在水平方向(在此為X軸方向)上移動。移動機構(gòu)145還能夠使臂143在鉛垂方向(Z軸方向)上移動。
[0068]第一噴出部105例如設(shè)置在第一回收杯103的底部，經(jīng)由閥151、流量調(diào)整器(未圖示)等而與藥液供給源152連接。該第一噴出部105向晶圓W的背面周緣部噴出從藥液供給源152供給的藥液。此外，作為從藥液供給源152供給的藥液，例如能夠使用SCl(氨、過氧化氫、水的混合液)等。
[0069]第一處理單元18如上所述那樣構(gòu)成，使正面朝上的晶圓W以由吸附保持部121將該晶圓W背面吸附保持著的狀態(tài)旋轉(zhuǎn)。而且，第一處理單元18—邊從第一噴出部105向旋轉(zhuǎn)的晶圓W的背面周緣部噴出藥液一邊使倒角清洗部104的倒角刷141與晶圓W的周緣部抵接。通過這樣將利用藥液進行的化學(xué)方式的清洗與利用倒角刷141進行的物理方式的清洗相結(jié)合，能夠提高微粒、晶圓舟痕跡等的去除性能。這樣，第一處理單元18不對電路形成面進行藥液的供給、物理方式的清洗。
[0070]另外，在將形成于晶圓W的未形成電路的周緣部(倒角部)的膜去除時，也能夠應(yīng)用倒角清洗處理。
[0071 ] 此外，也可以是，第一處理單元18在進行倒角清洗處理后進行沖洗處理，在該沖洗處理中，通過從第一噴出部105供給純水等沖洗液來將殘留在晶圓W的周緣部的藥液沖掉。另外，第一處理單元18在進行沖洗處理后，通過使晶圓W旋轉(zhuǎn)來使晶圓W的周緣部干燥。
[0072]〈第二處理塊3L的結(jié)構(gòu)〉
[0073]接著，參照圖5對第二處理塊3L的結(jié)構(gòu)進行說明。圖5是第二處理塊3L的示意俯視圖。
[0074]如圖5所示，第二處理塊3L具備輸送部26、第二輸送裝置27以及多個第二處理單元28。第二輸送裝置27配置在輸送部26的內(nèi)部，多個第二處理單元28在輸送部26的外部與輸送部26相鄰地配置。
[0075]第二輸送裝置27在交接塊4與第二處理單元28之間進行晶圓W的輸送。具體地說，第二輸送裝置27進行以下處理:將晶圓W從交接塊4取出并輸送到第二處理單元28，以及將由第二處理單元28處理后的晶圓W從第二處理單元28取出并輸送到交接塊4。
[0076]第二處理單元28對背面朝上的狀態(tài)的晶圓W進行將附著于晶圓W的背面的微粒等去除的背面清洗處理。在此，參照圖6和圖7對第二處理單元28的結(jié)構(gòu)進行說明。圖6是第二處理單元28的示意俯視圖。另外，圖7是第二處理單元28的示意側(cè)視圖。
[0077]如圖6和圖7所示，第二處理單元28具備第二腔室201、第二保持部202、第二回收杯203、背面清洗部204以及第二噴出部205。
[0078]第二腔室201收容第二保持部202、第二回收杯203、背面清洗部204以及第二噴出部205。在第二腔室201的頂部設(shè)置有在第二腔室201內(nèi)形成下行氣流的FFU 211。
[0079]第二保持部202具備直徑比晶圓W的直徑大的主體部221、設(shè)置于主體部221的上表面的多個把持部222、對主體部221進行支承的支柱構(gòu)件223以及使支柱構(gòu)件223旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動部224。
[0080]該第二保持部202通過使用多個把持部222把持晶圓W的周緣部來保持晶圓W。由此，晶圓W以從主體部221的上表面稍微離開的狀態(tài)被水平地保持。
[0081 ]此外，在第二處理單元28中，對背面朝向上方的狀態(tài)、即正面朝向下方的狀態(tài)的晶圓W進行背面清洗處理。因此，如果在第二處理單元28中使用如第一保持部102(參照圖4)那樣吸附晶圓W的類型的構(gòu)件，則有可能弄臟作為電路形成面的正面。因此，在基板處理系統(tǒng)I中，將把持晶圓W的周緣部的類型的構(gòu)件用作第二保持部202，以免弄臟電路形成面。
[0082]第二回收杯203被配置為包圍第二保持部202。在第二回收杯203的底部形成有與第一回收杯103的排液口 131和排氣口 132相同的排液口 231和排氣口 232。
[0083]背面清洗部204具備:背面刷241;臂243，其在水平方向(在此為Y軸方向)上延伸，通過軸242將背面刷241從上方支承；以及移動機構(gòu)245，其使臂243沿導(dǎo)軌244在水平方向(在此為X軸方向)上移動。移動機構(gòu)245還能夠使臂243在鉛垂方向(Z軸方向)上移動。另外，背面清洗部204還具備未圖示的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，能夠使用該旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使背面刷241繞軸242旋轉(zhuǎn)。
[0084]第二噴出部205配置在第二回收杯203的外部。第二噴出部205具備:噴嘴251;臂252，其在水平方向上延伸并保持噴嘴251;以及轉(zhuǎn)動升降機構(gòu)253，其使臂252進行轉(zhuǎn)動和升降。
[0085]如圖7所示，噴嘴251經(jīng)由閥255、流量調(diào)整器(未圖示)等而與清洗液供給源256連接。該第二噴出部205向晶圓W噴出從清洗液供給源256供給的清洗液。此外，從清洗液供給源256供給的清洗液例如是純水。此外，也可以利用藥液(例如SC-1)來作為清洗液。
[0086]第二處理單元28如上述那樣構(gòu)成，利用第二保持部202來保持背面朝上的晶圓W的周緣部并使該晶圓W旋轉(zhuǎn)。接著，第二處理單元28使配置在旋轉(zhuǎn)的晶圓W的上方的背面清洗部204的背面刷241與晶圓W接觸。另外，第二處理單元28從配置在旋轉(zhuǎn)的晶圓W的上方的第二噴出部205向晶圓W噴出清洗液。而且，第二處理單元28—邊使背面刷241旋轉(zhuǎn)一邊使該背面刷241例如從晶圓W的中心部向外周部移動。由此，將附著于晶圓W的背面整面的微粒等去除。
[0087]〈交接塊4的結(jié)構(gòu)〉
[0088]接著，對交接塊4進行說明。如圖1和圖2所示，在交接塊4的內(nèi)部配置有多個轉(zhuǎn)移裝置15&、1513、第一緩沖部211]、第二緩沖部211^、第一交接部221]、第二交接部221^、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a以及第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b。
[0089]第一緩沖部21U、第二緩沖部21L、第一交接部22U、第二交接部22L、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a以及第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b以在高度方向上排列的方式配置。具體地說，從上方起按第一交接部22U、第一緩沖部21U、第二緩沖部21L、第二交接部22L、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a以及第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b的順序依次配置(參照圖2)。
[0090]轉(zhuǎn)移裝置15a、15b具備未圖示的升降機構(gòu)，使用該升降機構(gòu)在鉛垂方向上移動，由此針對以在高度方向上排列的方式配置的第一交接部22U等進行晶圓W的搬入和搬出。轉(zhuǎn)移裝置15a從第一交接部22U等的Y軸正方向側(cè)訪問第一交接部22U等。另外，轉(zhuǎn)移裝置15b從第一交接部22U等的Y軸負方向側(cè)訪問第一交接部22U等。
[0091 ] 第一緩沖部21U、第二緩沖部21L、第一交接部22U以及第二交接部22L是能夠?qū)⒕AW多層地收容的模塊。其中，第一緩沖部21U和第二緩沖部21L由主輸送裝置13和轉(zhuǎn)移裝置15a、15b來訪問。
[0092]在此，參照圖8和圖9對第一緩沖部21U和第二緩沖部21L的結(jié)構(gòu)進行說明。圖8和圖9是表示第一緩沖部21U的結(jié)構(gòu)的圖。此外，在圖8中，作為一例而示出第一緩沖部21U的結(jié)構(gòu)，但第二緩沖部21L的結(jié)構(gòu)也與第一緩沖部21U相同。
[0093]如圖8所示，第一緩沖部21U具備基座部211以及在基座部211上豎立設(shè)置的三個支承部212、213、214。三個支承部212、213、214以大約120度為間隔沿圓周方向配置，分別在前端保持晶圓W的外周部。另外，各支承部212、213、214沿高度方向設(shè)置有多個(例如參照圖9所示的多個支承部212)。由此，第一緩沖部21U能夠?qū)⒍鄠€晶圓W多層地收容。
[0094]主輸送裝置13和轉(zhuǎn)移裝置15a分別從不同的方向訪問該第一緩沖部21U。具體地說，主輸送裝置13從第一緩沖部21U的X軸負方向側(cè)經(jīng)過支承部212與支承部214之間而進入第一緩沖部21U內(nèi)。另外，轉(zhuǎn)移裝置15a從第一緩沖部21U的Y軸正方向側(cè)經(jīng)過支承部212與支承部213之間而進入第一緩沖部21U內(nèi)。
[0095]在第一緩沖部21U和第二緩沖部21L中，均收容正面朝上的狀態(tài)的晶圓W。
[0096]第一輸送裝置17和轉(zhuǎn)移裝置15a、15b能夠訪問第一交接部22U，在該第一交接部22U中收容從交接塊4向第一處理塊3U搬入的晶圓W或從第一處理塊3U向交接塊4搬出的晶圓W。在該第一交接部22U中收容正面朝上的狀態(tài)的晶圓W。該第一交接部22U配置在第一輸送裝置17能夠訪問的位置，具體地說，配置在與第一處理塊3U的輸送部16相鄰的位置。
[0097]第二輸送裝置27和轉(zhuǎn)移裝置15a、15b能夠訪問第二交接部22L，在該第二交接部22L中收容從交接塊4向第二處理塊3L搬入的晶圓W或從第二處理塊3L向交接塊4搬出的晶圓W。在該第二交接部22L中收容背面朝上的狀態(tài)的晶圓W。該第二交接部22L配置在第二輸送裝置27能夠訪問的位置，具體地說，配置在與第二處理塊3L的輸送部26相鄰的位置。
[0098]第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b使晶圓W的正面和背面翻轉(zhuǎn)。在本實施方式中，第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a使正面朝上的晶圓W翻轉(zhuǎn)，第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b使背面朝上的晶圓W翻轉(zhuǎn)，但關(guān)于第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b使正面狀態(tài)和背面狀態(tài)中的哪個狀態(tài)的晶圓W翻轉(zhuǎn)，并不限定于上述例子。
[0099]這樣，在第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I中，將對正面朝上的晶圓W進行處理的第一處理單元18配置于第一處理塊3U，將對背面朝上的晶圓W進行處理的第二處理單元28配置于與第一處理塊3U在空間上被分隔的第二處理塊3L。另外，在第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I中，將使晶圓W的正面和背面翻轉(zhuǎn)的翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a、23b配置于作為從第一處理塊3U向第二處理塊3L的晶圓W的輸送路徑的交接塊4。
[0100]通過像這樣構(gòu)成，在第一處理塊3U中能夠僅對正面朝上的晶圓W進行處理，在第二處理塊3L中能夠僅對背面朝上的晶圓W進行處理。即，在第一處理塊3U和第二處理塊3L中均不會發(fā)生正面朝上的晶圓W和背面朝上的晶圓W混在一起的狀況。因此，根據(jù)第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I，能夠抑制晶圓W的正面和背面的狀態(tài)管理的復(fù)雜化。
[0101]〈控制裝置5的結(jié)構(gòu)〉
[0102]基板處理系統(tǒng)I具備控制裝置5(參照圖1)?？刂蒲b置5例如是計算機，具備控制部51和存儲部52。在存儲部52中存儲有用于控制在基板處理系統(tǒng)I中執(zhí)行的各種處理的程序。控制部51例如是CPU(Central Processing Unit:中央處理單元)，通過將存儲部52中存儲的程序讀出并執(zhí)行來控制基板處理系統(tǒng)I的動作。
[0103]此外，該程序也可以是能夠由計算機讀取的存儲介質(zhì)中記錄的程序，還可以是從該存儲介質(zhì)被安裝到控制裝置5的存儲部52中的程序。作為能夠由計算機讀取的存儲介質(zhì)，例如存在硬盤(HD)、軟盤(FD)、壓縮光盤(CD)、磁光盤(MO)、存儲卡等。此外，關(guān)于控制部51，也可以不使用程序構(gòu)成，而僅使用硬件構(gòu)成。
[0?04]〈輸送單元的結(jié)構(gòu)〉
[0105]接著，參照圖10對基板處理系統(tǒng)I所具備的輸送單元即主輸送裝置13、轉(zhuǎn)移裝置15a、15b、第一輸送裝置17以及第二輸送裝置27的結(jié)構(gòu)進行說明。圖10是主輸送裝置13、轉(zhuǎn)移裝置15a、15b、第一輸送裝置17以及第二輸送裝置27的配置圖。
[0106]如圖10所示，主輸送裝置13具備保持晶圓W的多個(在此為五個)晶圓保持部130。主輸送裝置13能夠沿水平方向和鉛垂方向移動并且能夠以鉛垂軸為中心轉(zhuǎn)動，能夠使用晶圓保持部130在盒C與第一緩沖部21U及第二緩沖部21L之間同時輸送多個晶圓W。
[0107]轉(zhuǎn)移裝置15a、15b如上述那樣針對圖2所示的第一緩沖部21U、第二緩沖部21L、第一交接部22U、第二交接部22L、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a以及第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b進行晶圓W的搬入和搬出。
[0108]第一輸送裝置17和第二輸送裝置27能夠沿水平方向和鉛垂方向移動。第一輸送裝置17使用晶圓保持部170在第一交接部22U與第一處理單元18之間進行晶圓W的輸送，第二輸送裝置27使用晶圓保持部270在第二交接部22L與第二處理單元28之間進行晶圓W的輸送。
[0109]在此，參照圖11和圖12對第一輸送裝置17和第二輸送裝置27所具備的晶圓保持部170、270的結(jié)構(gòu)進行說明。圖11是第一輸送裝置17所具備的晶圓保持部170的示意俯視圖。另外，圖12是第二輸送裝置27所具備的晶圓保持部270的示意俯視圖。
[0110]如圖11所示，第一輸送裝置17所具備的晶圓保持部170具備:主體部171，其具有前端部分支為兩叉狀的形狀;以及多個吸附部172，該多個吸附部172設(shè)置于主體部171的上表面，用于吸附晶圓W。吸附部172例如分別設(shè)置于主體部171的基端部和兩叉狀的各前端部。各吸附部172與真空栗等吸氣裝置(未圖示)連接，利用通過該吸氣裝置的吸氣而產(chǎn)生的負壓來吸附晶圓W。
[0111]該晶圓保持部170通過使用吸附部172吸附晶圓W的背面來保持晶圓W。因此，通過晶圓保持部170，能夠防止晶圓W在輸送過程中發(fā)生位置偏移。
[0112]在第一處理單元18中，如上述那樣進行倒角清洗處理。在此，當(dāng)在進行倒角清洗處理時晶圓W的位置發(fā)生了偏移時，難以適當(dāng)?shù)厥沟菇撬?41與晶圓W的周緣部抵接。因此，在進行倒角清洗處理的情況下，優(yōu)選使晶圓W的中心與第一保持部102的旋轉(zhuǎn)中心一致。
[0113]晶圓W的位置偏移有時在輸送過程中發(fā)生。因此，考慮在將晶圓W輸送到第一處理單元18之后且倒角清洗處理開始之前，進行晶圓W的位置調(diào)整來校正由輸送造成的晶圓W的位置偏移。但是，在像這樣操作的情況下，有可能由于處理時間的增加而導(dǎo)致生產(chǎn)率的降低、伴隨著配置用于位置調(diào)整的機構(gòu)而導(dǎo)致系統(tǒng)的大型化等。
[0114]與此相對地，在第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I中，能夠利用吸附部172來防止晶圓W在輸送過程中發(fā)生位置偏移，因此能夠使晶圓W相對于第一處理單元18的第一保持部102保持在適當(dāng)?shù)奈恢锰?。因而，不需要位置調(diào)整處理、用于位置調(diào)整的機構(gòu)，因此能夠抑制生產(chǎn)率的降低、系統(tǒng)的大型化。
[0115]接著，對第二輸送裝置27所具備的晶圓保持部270的結(jié)構(gòu)進行說明。如圖12所示，第二輸送裝置27所具備的晶圓保持部270具備:主體部271，其具有直徑比晶圓W的直徑大的內(nèi)周部；以及多個爪部272，該多個爪部272從主體部271的內(nèi)周部向該內(nèi)周部的徑向內(nèi)側(cè)突出。
[0116]該晶圓保持部270通過使晶圓W的外周部載置于爪部272來保持晶圓W。因而，通過晶圓保持部270，能夠?qū)AW極力避免產(chǎn)生吸附痕跡等污跡地進行輸送。
[0117]在基板處理系統(tǒng)I中，第二輸送裝置27將結(jié)束了倒角清洗處理和背面清洗處理這兩者的清洗完成的晶圓W輸送到交接塊4。因此，在基板處理系統(tǒng)I中，將具備極力避免將清洗完成的晶圓W弄臟的晶圓保持部270的第二輸送裝置27配置于第二處理塊3L的輸送部26。
[0118]這樣，在第一處理單元18和第二處理單元28中，適于晶圓W的搬入和搬出的輸送裝置是不同的。與此相應(yīng)地，在基板處理系統(tǒng)I中，將處理塊3分成第一處理塊3U和第二處理塊3L，因此能夠使用適于第一處理單元18的第一輸送裝置17和適于第二處理單元28的第二輸送裝置27這兩者。
[0119]此外，在圖10中示出了轉(zhuǎn)移裝置15a、15b、第一輸送裝置17以及第二輸送裝置27具備一個晶圓保持部的情況的例子，但也可以是，轉(zhuǎn)移裝置15a、15b、第一輸送裝置17以及第二輸送裝置27與主輸送裝置13同樣地具備多個晶圓保持部。
[0120]〈晶圓W的輸送流程〉
[0121]接著，參照圖13對第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I的晶圓W的輸送流程進行說明。圖13是第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I中的晶圓W的輸送流程的說明圖。此外，在圖13中，用實線表示正面朝上的晶圓W的輸送流程，用虛線表示背面朝上的晶圓W的輸送流程。
[0122]另外，以下，有時將主輸送裝置13記載為“CRA”，將轉(zhuǎn)移裝置15a、15b記載為“MPRA”，將第一輸送裝置17記載為“PRA1”，將第二輸送裝置27記載為“PRA2”。另外，有時將第一緩沖部211]記載為“381]1”，將第二緩沖部211^記載為“381]2”，將第一交接部221]記載為“TRS1”，將第二交接部22L記載為“TRS2”，將第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a記載為“RVS1”，將第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b記載為“RVS2”。另外，有時將第一處理單元18記載為“CH1”，將第二處理單元28記載為“012”。此外，在圖13中，關(guān)于第一緩沖部211](581]1)、第二緩沖部211^(581]2)、第一交接部221](TRS1)、第二交接部22L(TRS2)、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)以及第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)，省略附圖標(biāo)記地示出。
[0123]如圖13所示，在基板處理系統(tǒng)I中，首先，主輸送裝置13(CRA)將多個未處理的晶圓W從盒C中一并取出并收容于第一緩沖部21U(SBU1)(步驟S101)。
[0124]接著，轉(zhuǎn)移裝置15a(MPRA)將未處理的晶圓W從第一緩沖部21U(SBU1)取出并轉(zhuǎn)移到第一交接部22U(TRS1)(步驟S102)。
[0125]接著，第一處理塊3U的第一輸送裝置17(PRA1)將晶圓W從第一交接部22U(TRS1)取出并輸送到第一處理單元IS(CHl)(步驟S103)，第一處理單元IS(CHl)對晶圓W進行倒角清洗處理。另外，當(dāng)?shù)菇乔逑刺幚斫Y(jié)束時，第一輸送裝置17(PRA1)將倒角清洗處理完成的晶圓W從第一處理單元18(CH1)取出并收容于第一交接部22U(TRS1)(步驟S104)。
[0126]接著，轉(zhuǎn)移裝置15a(MPRA)將倒角清洗處理完成的晶圓W從第一交接部22U(TRS1)取出并轉(zhuǎn)移到第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)(步驟S105)，第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)使該晶圓W的正面和背面翻轉(zhuǎn)。由此，晶圓W成為背面朝向上方的狀態(tài)。
[0127]接著，轉(zhuǎn)移裝置15b(MPRA)將晶圓W從第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)取出并轉(zhuǎn)移到第二交接部22L(TRS2)(步驟S106)。
[0128]接著，第二處理塊3L的第二輸送裝置27(PRA2)將晶圓W從第二交接部22L(TRS2)取出并輸送到第二處理單元28(CH2)(步驟S107)，第二處理單元28(CH2)對晶圓W進行背面清洗處理。另外，當(dāng)背面清洗處理結(jié)束時，第二輸送裝置27(PRA2)將背面清洗處理完成的晶圓W從第二處理單元28(CH2)取出并收容于第二交接部22L(TRS2)(步驟S108)。
[0129]此外，由第二輸送裝置27進行的晶圓W的輸送處理(步驟S107、S108)及第二處理單元28中的背面清洗處理與由第一輸送裝置17進行的晶圓W的輸送處理(步驟S103、S104)及第一處理單元18中的倒角清洗處理被并行地進行。另外，由第一輸送裝置17進行的晶圓W的輸送處理(步驟S103、S104)及由第二輸送裝置27進行的晶圓W的輸送處理(步驟S107、S108)與由轉(zhuǎn)移裝置15&、1513(]\031^)進行的晶圓1的輸送處理(步驟3102、3105、3106、3109、3110)被并行地進行。由此，能夠使一系列基板處理的生產(chǎn)率提高。
[0130]接著，轉(zhuǎn)移裝置15b(MPRA)將晶圓W從第二交接部22L(TRS2)取出并轉(zhuǎn)移到第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)(步驟S109)，第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b (RVS2)使該晶圓W的正面和背面翻轉(zhuǎn)。由此，晶圓W再次成為正面朝上的狀態(tài)。
[0131]接著，轉(zhuǎn)移裝置15a(MPRA)將晶圓W從第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)取出并轉(zhuǎn)移到第二緩沖部21L(SBU2)(步驟S110)，主輸送裝置13(CRA)將多個結(jié)束了倒角清洗處理和背面清洗處理的晶圓W從第二緩沖部21L(SBU2)—并取出并收容于盒C(步驟S111)。由此，一系列基板處理結(jié)束。
[0132]如上所述，第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I具備第一處理塊3U、第二處理塊3L、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a以及第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS1、RVS2)。第一處理塊3U包括:第一處理單元IS(CHl)，其在晶圓W的正面(相當(dāng)于“第一面”的一例)朝上的狀態(tài)下進行晶圓W的處理；以及第一輸送裝置17(PRA1)，其針對第一處理單元18(CH1)進行晶圓W的搬入和搬出。第二處理塊3L包括:第二處理單元28(CH2)，其在晶圓W的與正面相反一側(cè)的面即背面(相當(dāng)于“第二面”的一例)朝上的狀態(tài)下進行晶圓W的處理；以及第二輸送裝置27(PRA2)，其針對第二處理單元28(CH2)進行晶圓W的搬入和搬出。第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVSl、RVS2)配置在從第一處理塊3U向第二處理塊3L的晶圓W的輸送路徑的中途，用于使該晶圓W翻轉(zhuǎn)。
[0133]因而，根據(jù)第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I，在對正面朝上的晶圓W和背面朝上的晶圓W這兩者進行處理的情況下，能夠抑制晶圓W的正面和背面的狀態(tài)管理的復(fù)雜化。
[0134]另外，在第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I中，使轉(zhuǎn)移裝置15a、15b(MPRA)針對第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVS1)和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)進行晶圓W的搬入和搬出。由此，與使第一輸送裝置17(PRA1)和第二輸送裝置27(PR A2)進行上述晶圓W的搬入和搬出的情況相比，能夠使第一輸送裝置17(PRA1)和第二輸送裝置27(PRA2)的處理負擔(dān)降低。
[0135]此外，在基板處理系統(tǒng)I中，也可以使第一輸送裝置17(PRA1)和第二輸送裝置27(PRA2)針對第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)進行晶圓W的搬入和搬出。在該情況下，只要將第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)配置在第一輸送裝置17(PRA1)、第二輸送裝置27(PRA2)能夠訪問的位置即可。
[0136]另外，在第一實施方式中示出了將第一處理塊3U配置在上層側(cè)、將第二處理塊3L配置在下層側(cè)的情況的例子，但是第一處理塊3U和第二處理塊3L的配置也可以是相反的。
[0137](第二實施方式)
[0138]〈第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IA的結(jié)構(gòu)〉
[0139]接著，對第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IA進行說明。首先，參照圖14和圖15對第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IA的結(jié)構(gòu)進行說明。圖14是第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IA的示意俯視圖。另外，圖15是第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IA的示意側(cè)視圖。此外，在以下的說明中，對與已說明的部分相同的部分附加與已說明的部分相同的附圖標(biāo)記并省略重復(fù)的說明。
[0140]如圖14所示，第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IA具備搬入搬出塊2、第一處理塊3B、第二處理塊3F、第一交接塊4F以及第二交接塊4B。這些塊按搬入搬出塊2、第一交接塊4F、第二處理塊3F、第二交接塊4B、第一處理塊3B的順序排列配置。
[0141]此外，搬入搬出塊2和第一交接塊4F是與第一實施方式的搬入搬出塊2和交接塊4相同的結(jié)構(gòu)，因此省略此處的說明。
[0142]〈第一處理塊3B的結(jié)構(gòu)〉
[0143]第一處理塊3B配置于第二交接塊4B的后方、即基板處理系統(tǒng)IA的最后方。該第一處理塊3B具備第一輸送裝置17和多個第一處理單元18。第一輸送裝置17進行第一處理單元18與第二交接塊4B之間的晶圓W的輸送。
[0144]多個第一處理單元18在第一輸送裝置17的Y軸正方向側(cè)和Y軸負方向側(cè)與之相鄰地配置。如圖15所示，多個第一處理單元18以在高度方向上排列的方式配置。
[0145]〈第二處理塊3F的結(jié)構(gòu)〉
[0146]第二處理塊3F配置于第一交接塊4F與第二交接塊4B之間，該第二處理塊3F具備第二輸送裝置27和多個第二處理單元28。第二輸送裝置27進行第一交接塊4F與第二處理單元28之間的晶圓W的輸送。另外，第二輸送裝置27還進行第一交接塊4F與第二交接塊4B之間的晶圓W的輸送。
[0147]多個第二處理單元28在第二輸送裝置27的Y軸正方向側(cè)和Y軸負方向側(cè)與之相鄰地配置。如圖15所示，多個第二處理單元28以在高度方向上排列的方式配置。
[0148]〈第二交接塊4B的結(jié)構(gòu)〉
[0149]第二交接塊4B配置于第二處理塊3F與第一處理塊3B之間。在該第二交接塊4B的內(nèi)部配置有轉(zhuǎn)移裝置15c和第三交接部19。
[0150]轉(zhuǎn)移裝置15c具有與上述轉(zhuǎn)移裝置15a、15b相同的結(jié)構(gòu)，配置在第三交接部19的Y軸正方向側(cè)。此外，第二交接塊4B不一定需要具備轉(zhuǎn)移裝置15c。
[0151]第三交接部19能夠?qū)⒍鄠€晶圓W多層地收納。另外，第三交接部19構(gòu)成為能夠沿水平方向(在此為X軸方向)滑動，通過向X軸負方向側(cè)滑動，能夠進入第二處理塊3F的輸送部26來與第二輸送裝置27之間進行晶圓W的交接。此外，第三交接部19也可以具有與第一交接部22U及第二交接部22L相同的結(jié)構(gòu)。
[0152]第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IA如上所述那樣構(gòu)成，將從搬入搬出塊2搬入的晶圓W經(jīng)由第一交接塊4F、第二處理塊3F以及第二交接塊4B輸送到第一處理塊3B，并在第一處理塊3B中對該晶圓W進行倒角清洗處理。之后，基板處理系統(tǒng)IA在使倒角清洗處理后的晶圓W從第一處理塊3B返回到第二交接塊4B、第二處理塊3F以及第一交接塊4F之后，將該晶圓W輸送到第二處理塊3F并在第二處理塊3F中對該晶圓W進行背面清洗處理。然后，基板處理系統(tǒng)IA將背面清洗處理后的晶圓W從第二處理塊3F經(jīng)由第一交接塊4F輸送到搬入搬出塊2，并從搬入搬出塊2送出到外部。
[0153]〈晶圓W的輸送流程〉
[0154]參照圖16來具體地說明上述晶圓W的輸送流程。圖16是第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IA中的晶圓W的輸送流程的說明圖。此外，在圖16中，將第三交接部19記載為“TRS3”。另外，在圖16中，對第一緩沖部21U(SBU1)、第二緩沖部21L(SBU2)、第一交接部22U(TRS1)、第二交接部22L(TRS2)、第三交接部19(TRS3)、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)、第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)、第一處理單元18(CHl)以及第二處理單元28(CH2)省略附圖標(biāo)記。
[0155]圖16所示的步驟S201、S202的處理與圖13所示的步驟S10US102的處理相同。即，在基板處理系統(tǒng)IA中，首先，主輸送裝置13(CRA)將多個未處理的晶圓W從盒C中一并取出并收容于第一緩沖部21U(SBU1)(步驟S201)，轉(zhuǎn)移裝置15a(MPRA)將未處理的晶圓W從第一緩沖部21U(SBU1)取出并轉(zhuǎn)移到第一交接部22U(TRS1)(步驟S202)。
[0156]接著，第二輸送裝置27(PRA2)將晶圓W從第一交接部22U(TRS1)取出并輸送到第三交接部19(TRS3)(步驟S203)。然后，第一輸送裝置17(PRA1)將晶圓W從第三交接部19(TRS3)取出并輸送到第一處理單元18(CH1)(步驟S204)，第一處理單元18(CH1)對晶圓W進行倒角清洗處理。
[0157]接著，當(dāng)?shù)菇乔逑刺幚斫Y(jié)束時，第一輸送裝置17(PRAl)將倒角清洗處理完成的晶圓W從第一處理單元18(CH1)取出并收容于第三交接部19(TRS3)(步驟S205)。然后，第二輸送裝置27(PRA2)將晶圓W從第三交接部19(TRS3)取出并收納于第一交接部22U(TRS1)(步驟S206)。之后的處理(步驟S207?S213)與圖13所示的步驟S105?Slll相同，因此省略此處的說明。
[0158]這樣，具備第一處理單元18的第一處理塊3B和具備第二處理單元28的第二處理塊3F并不限于如第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I那樣以在高度方向上排列的方式配置的情況，也可以以在水平方向上排列的方式配置。
[0159]另外，在第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IA中，第二處理塊3F配置在第一處理塊3B的前級側(cè)，換言之，配置在靠近搬入搬出塊2的位置處。通過設(shè)為這樣的配置，能夠避免對晶圓W進行吸附保持的第一輸送裝置17保持結(jié)束了倒角清洗處理和背面清洗處理的清洗完成的晶圓W。因此，能夠抑制吸附痕跡等污痕附著于清洗完成的晶圓W。
[0160]此外，在第二實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IA中，在第二處理塊3F中輸送正面朝上的狀態(tài)的晶圓W和背面朝上的狀態(tài)的晶圓W這兩者。但是，正面朝上的狀態(tài)的晶圓W只是經(jīng)過第二處理塊3F，因此與第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I相比，晶圓W的正面和背面的狀態(tài)管理不會大幅地復(fù)雜化。
[0161](第三實施方式)
[0162]在上述第二實施方式中，對第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b配置于第一交接塊4F的情況的例子進行了說明，但第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b的配置并不限定于上述例子。因此，在第三實施方式中，對第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b的配置的變形例進行說明。
[0163]圖17是第三實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IB的示意俯視圖。如圖17所示，在第三實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IB中，在第二交接塊4B中配置第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a，在第一交接塊4F中配置第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b。
[0164]接著，參照圖18對第三實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IB中的晶圓W的輸送流程進行說明。圖18是第三實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IB中的晶圓W的輸送流程的說明圖。
[0165]此外，以下將配置于第一交接塊4F的轉(zhuǎn)移裝置15a、15b記載為“第一轉(zhuǎn)移裝置15a、15b”，將配置于第二交接塊4B的轉(zhuǎn)移裝置15c記載為“第二轉(zhuǎn)移裝置15c”。另外，在圖18中，將第一轉(zhuǎn)移裝置15a、15b記載為“MPRA1”，將第二轉(zhuǎn)移裝置15(:記載為“1^1^2”。
[0166]另外，與圖16同樣地，在圖18中，對第一緩沖部21U(SBU1)、第二緩沖部21L(SBU2)、第一交接部22U(TRS1)、第二交接部22L(TRS2)、第三交接部19(TRS3)、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVS1)、第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)、第一處理單元18(CH1)以及第二處理單元28(CH2)省略附圖標(biāo)記。
[0167]圖18所示的步驟S301?S305的處理與圖16所示的步驟S201?S205的處理相同。在步驟S305的處理之后，第二轉(zhuǎn)移裝置15c(MPRA2)將晶圓W從第三交接部19(TRS3)取出并轉(zhuǎn)移到第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)(步驟S306)，第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)使晶圓W的正面和背面翻轉(zhuǎn)。由此，晶圓W成為背面朝向上方的狀態(tài)。
[0168]接著，第二轉(zhuǎn)移裝置15c(MPRA2)將晶圓W從第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)取出并轉(zhuǎn)移到第三交接部19(TRS3)(步驟S307)，第二輸送裝置27(PRA2)將晶圓W從第三交接部19(TRS3)取出并輸送到第二處理單元28(CH2)(步驟S308)，第二處理單元28(CH2)對晶圓W進行背面清洗處理。
[0169]接著，當(dāng)背面清洗處理結(jié)束時，第二輸送裝置27(PRA2)將背面清洗處理完成的晶圓W從第二處理單元28(CH2)取出并收容于第二交接部22L(TRS2)(步驟S309)。之后的處理(步驟S310?S312)與圖16所示的步驟S211?S213相同，因此省略此處的說明。
[0170]這樣，第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b也可以分別配置于第一交接塊4F和第二交接塊4B。
[0171](第四實施方式)
[0172]在上述各實施方式中，對在第一處理塊3U、3B中進行倒角清洗處理的情況的例子進行了說明。但是，在第一處理塊3U、3B中進行的基板處理并不限定于倒角清洗處理。因此，在第四實施方式中，參照圖19對在第一處理塊3U、3B中進行的基板處理的變形例進行說明。圖19是第四實施方式所涉及的第一處理單元18A的示意側(cè)視圖。
[0173]如圖19所示，第四實施方式所涉及的第一處理單元18A還具備第三噴出部106。第三噴出部106經(jīng)由閥161、流量調(diào)整器(未圖示)等而與蝕刻液供給源16 2連接。該第三噴出部106將從蝕刻液供給源162供給的蝕刻液從晶圓W的上方向晶圓W的正面?zhèn)鹊耐庵懿繃姵?。由此，能夠?qū)⑿纬捎诰AW的外周部的膜去除。
[0174]第一處理單元18A如上所述那樣構(gòu)成，在使用倒角清洗部104和第一噴出部105對旋轉(zhuǎn)的晶圓W進行了倒角清洗處理之后，使用第三噴出部106對旋轉(zhuǎn)的晶圓W進行邊緣切割處理。
[0175]這樣，也可以在第一處理塊3U、3B中進行倒角清洗處理和邊緣切割處理，之后在第二處理塊3L、3F中進行背面清洗處理。
[0176]此外，在此對第一處理單元18A進行倒角清洗處理和邊緣切割處理這兩者的情況的例子進行了說明，但也可以分為進行倒角清洗處理的處理單元和進行邊緣切割處理的處理單元并分別設(shè)置于第一處理塊3U、3B。
[0177](第五實施方式)
[0178]〈基板處理系統(tǒng)IC的結(jié)構(gòu)〉
[0179]接著，對第五實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IC進行說明。圖20是第五實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IC的示意俯視圖，圖21是該基板處理系統(tǒng)IC的示意側(cè)視圖。
[0180]如圖20和圖21所示，第五實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IC具有與第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I大致相同的結(jié)構(gòu)，但在具備處理塊3C和交接塊4C這點上與第一實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)I不同。
[0181]如圖21所示，處理塊3C具備第二處理單元28C。第二處理單元28C對背面朝上的狀態(tài)的晶圓W進行處理以及對背面朝下的狀態(tài)(S卩、正面朝上的狀態(tài))的晶圓W進行處理，這與第二處理單元28是不同的。
[0182]〈第二處理單元28C的結(jié)構(gòu)〉
[0183]在此，參照圖22對第二處理單元28C的結(jié)構(gòu)進行說明。圖22是第五實施方式所涉及的第二處理單元28C的示意俯視圖。
[0184]如圖22所示，第二處理單元28C具備第二腔室201、第二保持部202、第二回收杯203、背面清洗部204C、第二噴出部205以及第四噴出部206。此外，除背面清洗部204C和第四噴出部206以外的結(jié)構(gòu)與第二處理單元28相同，因此省略此處的說明。
[0185]背面清洗部204C具備:背面刷241;臂246，其在水平方向(在此為Y軸方向)上延伸，通過軸242將背面刷241從上方支承；以及轉(zhuǎn)動升降機構(gòu)247，其使臂246進行轉(zhuǎn)動和升降。另夕卜，背面清洗部204C具備未圖示的旋轉(zhuǎn)機構(gòu)，能夠使用該旋轉(zhuǎn)機構(gòu)使背面刷241繞軸242旋轉(zhuǎn)。
[0186]背面清洗部204C和第二噴出部205相當(dāng)于在基板的第二面朝上的狀態(tài)下進行基板的處理的第一處理部的一例。此外，第二處理單元28C也可以具備第二處理單元28所具備的背面清洗部204來替代背面清洗部204C。
[0187]第四噴出部206配置在第二回收杯203的外部。第四噴出部206具備:噴嘴261;臂262，其在水平方向上延伸并支承噴嘴261;以及轉(zhuǎn)動升降機構(gòu)263，其使臂262進行轉(zhuǎn)動和升降。
[0188]噴嘴261例如是雙流體噴嘴，經(jīng)由閥264和流量調(diào)整器(未圖示)等而與清洗液供給源265連接，并且經(jīng)由閥266和流量調(diào)整器(未圖示)等而與氣體供給源267連接。
[0189]第四噴出部206使從清洗液供給源265供給的清洗液(例如純水)和從氣體供給源267供給的氣體(例如氮氣等非活性氣體)在噴嘴261內(nèi)混合，由此將液滴狀或霧化了的清洗液從噴嘴261供給至基板。
[0190]第四噴出部206相當(dāng)于在基板的第一面朝上的狀態(tài)下進行基板的處理的第二處理部的一例。此外，在此示出了第四噴出部206所具備的噴嘴261是雙流體噴嘴的情況的例子，但噴嘴261也可以是普通的噴嘴。
[0191]第二處理單元28C在搬入了背面朝上的晶圓W的情況下，使用背面清洗部204C和第二噴出部205對晶圓W進行處理。
[0192]具體地說，第二處理單元28C利用第二保持部202來保持背面朝上的晶圓W的周緣部并使該晶圓W旋轉(zhuǎn)。接著，第二處理單元28C使配置在旋轉(zhuǎn)的晶圓W的上方的背面清洗部204C的背面刷241與晶圓W接觸。另外，第二處理單元28C從配置在旋轉(zhuǎn)的晶圓W的上方的第二噴出部205向晶圓W噴出清洗液。然后，第二處理單元28C—邊使背面刷241旋轉(zhuǎn)一邊使該背面刷241例如從晶圓W的中心部向外周部移動。由此，將附著于晶圓W的背面的微粒等去除。
[0193]另外，第二處理單元28C在搬入了正面朝上的晶圓W的情況下，使用第四噴出部206對晶圓W進彳丁處理。
[0194]具體地說，第二處理單元28C利用第二保持部202來保持正面朝上的晶圓W的周緣部并使該晶圓W旋轉(zhuǎn)。接著，第二處理單元28C使第四噴出部206的噴嘴261配置在旋轉(zhuǎn)的晶圓W的上方，并從噴嘴261向晶圓W的正面供給液滴狀或霧化了的清洗液。由此，能夠?qū)AW的正面進行清洗來將最初附著于正面的微粒等去除。另外，也能夠?qū)⒆畛鯖]有附著而在例如第一處理單元18中的處理、第二處理單元28C中的背面處理以及晶圓W的輸送過程中附著的微粒等去除。
[0195]〈交接塊4C的結(jié)構(gòu)〉
[0196]接著，參照圖20、圖21以及圖23對交接塊4C的結(jié)構(gòu)進行說明。圖23是第五實施方式所涉及的交接塊4C的示意后視圖。
[0197]如圖21和圖23所示，在交接塊4C的內(nèi)部，第一交接部22U、緩沖部21、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a、第二交接部22L以及第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b以從上方起按上述順序在高度方向上依次排列的方式配置。另外，如圖20和圖23所示，在交接塊4C的內(nèi)部配置有第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca和第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb。
[0198]第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca和第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb具備未圖示的升降機構(gòu)，使用該升降機構(gòu)在鉛垂方向上移動，由此針對以在高度方向上排列的方式配置的第一交接部22U等進行晶圓W的搬入和搬出。此外，第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca配置于第一交接部22U等的Y軸正方向側(cè)，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb配置于第一交接部22U等的Y軸負方向側(cè)。
[0199]如圖23所示，第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca能夠訪問第一交接部22U和緩沖部21。與此相對地，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb能夠訪問緩沖部21、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a、第二交接部22L以及第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b。
[0200]這樣，在交接塊4C中，在第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca和第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb這兩者能夠訪問的位置處配置有緩沖部21。
[0201]〈緩沖部21的結(jié)構(gòu)〉
[0202]緩沖部21具有與上述第一緩沖部21U及第二緩沖部21L大致相同的結(jié)構(gòu)，但與第一緩沖部21U及第二緩沖部21L的不同點在于，能夠收容的晶圓W的層數(shù)比第一緩沖部21U和第二緩沖部21L能夠收容的晶圓W的層數(shù)多。
[0203]在此，參照圖24和圖25對緩沖部21的結(jié)構(gòu)進行說明。圖24是緩沖部21的示意俯視圖，圖25是該緩沖部21的示意側(cè)視圖。
[0204]如圖24所示，主輸送裝置13、第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca以及第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb分別能夠從不同的方向訪問緩沖部21。具體地說，主輸送裝置13從緩沖部21的X軸負方向側(cè)經(jīng)過支承部212與支承部213之間而進入緩沖部21內(nèi)。另外，第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca從緩沖部21的Y軸正方向側(cè)經(jīng)過支承部213與支承部214之間而進入緩沖部21。
[0205]而且，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb從緩沖部21的Y軸負方向側(cè)經(jīng)過支承部212與支承部214之間而進入緩沖部21內(nèi)。此外，在緩沖部21中收容正面朝上的狀態(tài)的晶圓W。
[0206]如圖25所示，緩沖部21從下方起被依次劃分為下層區(qū)域210L、中層區(qū)域210M以及上層區(qū)域210U這三個區(qū)域。在下層區(qū)域210L中收容未處理的晶圓W。另外，在中層區(qū)域210M中收容由第一處理單元18處理完成的晶圓W，在上層區(qū)域210U中收容由第一處理單元18和第二處理單元28C處理完成的晶圓W。
[0207]〈晶圓W的輸送流程〉
[0208]接著，參照圖26和圖27對第五實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IC中的晶圓W的輸送流程進行說明。圖26和圖27是第五實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IC中的晶圓W的輸送流程的說明圖。
[0209]此外，在圖26中示出了從第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca向第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb交接晶圓W之前的輸送流程，在圖27中示出了向第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb交接晶圓W之后的輸送流程。
[0210]另外，在圖26和圖27中，用實線示出了正面朝上的晶圓W的輸送流程，用虛線示出了背面朝上的晶圓W的輸送流程。另外，以下有時將第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca記載為“MPRA1”，將第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb記載為“MPRA2”。另外，在圖26和圖27中，將緩沖部21 (SBU)、第一交接部22U(TRS1)、第二交接部22L(T RS2)、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)以及第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)省略附圖標(biāo)記地示出。
[0211]在第五實施方式所涉及的基板處理系統(tǒng)IC中，經(jīng)由緩沖部21進行從第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca向第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb的晶圓W的交接。另外，在基板處理系統(tǒng)IC中，第二處理單元28C除了對背面朝上的晶圓W進行處理(背面清洗處理)之外，還對正面朝上的晶圓W進行處理(正面清洗處理)。
[0212]如圖26所示，在基板處理系統(tǒng)IC中，首先，主輸送裝置13(CRA)將多個未處理的晶圓W從盒C中一并取出并收容于緩沖部21 (SBU)(步驟S401)。此時，主輸送裝置13(CRA)將晶圓W收容于緩沖部21 (SBU)的下層區(qū)域210L。
[0213]接著，第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca(MPRAl)將未處理的晶圓W從緩沖部21(SBU)取出并轉(zhuǎn)移到第一交接部22U(TRSl)(步驟S402)。
[0214]接著，第一處理塊3U的第一輸送裝置17(PRA1)將晶圓W從第一交接部22U(TRS1)取出并輸送到第一處理單元IS(CHl)(步驟S403)，第一處理單元IS(CHl)對晶圓W進行倒角清洗處理。另外，當(dāng)?shù)菇乔逑刺幚斫Y(jié)束時，第一輸送裝置17(PRA1)將倒角清洗處理完成的晶圓W從第一處理單元18(CH1)取出并收容于第一交接部22U(TRS1)(步驟S404)。
[0215]接著，第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca(MPRAl)將倒角清洗處理完成的晶圓W從第一交接部22U(TRSl)取出并轉(zhuǎn)移到緩沖部21(SBU)(步驟S405)。此時，第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca(MPRAl)將晶圓W收容于緩沖部21(SBU)的中層區(qū)域210M。
[0216]接著，如圖27所示，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb(MPRA2)將晶圓W從緩沖部21(SBU)取出并轉(zhuǎn)移到第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)(步驟S406)，第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(R VS2)使該晶圓W的正面和背面翻轉(zhuǎn)。由此，晶圓W成為背面朝向上方的狀態(tài)。
[0217]接著，第二處理塊3L的第二輸送裝置27(PRA2)將晶圓W從第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)取出并輸送到第二處理單元28C(CH2)(步驟S407)。此時，晶圓W為背面朝向上方的狀態(tài)，因此在第二處理單元28C(CH2)中，使用背面清洗部204C和第二噴出部205對晶圓W進行背面清洗處理。在此，多個第二處理單元28C的處理狀況例如由控制裝置5實時地管理，從空著的單元起依次被輸送晶圓W。
[0218]接著，當(dāng)背面清洗處理結(jié)束時，第二輸送裝置27(PRA2)將背面清洗處理完成的晶圓W從第二處理單元28C(CH2)取出并輸送到第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RV SI)(步驟S408)，第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)使該晶圓W的正面和背面翻轉(zhuǎn)。由此，晶圓W成為正面朝向上方的狀態(tài)。
[0219]接著，第二輸送裝置27(PRA2)將晶圓W從第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)取出并再次輸送到第二處理單元28C(CH2)(步驟S409)。此時，晶圓W為正面朝向上方的狀態(tài)，因此在第二處理單元28C(CH2)中，使用第四噴出部206對晶圓W進行正面清洗處理。在此，多個第二處理單元28C的處理狀況例如由控制裝置5實時地管理，從之前的背面清洗處理完成且空著的單元起依次被輸送晶圓W。
[0220]接著，當(dāng)正面清洗處理結(jié)束時，第二輸送裝置27(PRA2)將正面清洗處理完成的晶圓W從第二處理單元28C(CH2)取出并輸送到第二交接部22L(TRS2)(步驟S410)。接著，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb(MPRA2)將晶圓W從第二交接部22L(T RS2)取出并轉(zhuǎn)移到緩沖部21 (SBU)(步驟S411)。此時，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb(M PRA2)將晶圓W收容于緩沖部21 (SBU)的上層區(qū)域210Uo
[0221]然后，主輸送裝置13(CRA)將多個處理完成的晶圓W從緩沖部21(SBU)—并取出并收容于盒C(步驟S412)。由此，一系列基板處理結(jié)束。
[0222]根據(jù)以上結(jié)構(gòu)，第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca和第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb僅對正面朝上的晶圓W進行處理，因此能夠進一步抑制晶圓W的狀態(tài)管理的復(fù)雜化。
[0223]另外，不經(jīng)由第二交接部22L而經(jīng)由第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b進行從第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb向第二輸送裝置27的晶圓W的交接，由此省略從第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b向第二交接部22L的晶圓W的輸送，因此能夠提尚一系列基板處理的效率。
[0224]另外，通過使第一轉(zhuǎn)移裝置15Ca負責(zé)對第一交接部22U和緩沖部21的訪問，使第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb負責(zé)對緩沖部21、第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a、第二交接部22L以及第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b的訪問，能夠?qū)⒌谝晦D(zhuǎn)移裝置15Ca和第二轉(zhuǎn)移裝置15CB的移動距離抑制得短。因此，通過這樣也能夠提尚一系列基板處理的效率。
[0225]此外，在此，多個第二處理單元28C除了對背面朝上的晶圓W進行處理(背面清洗處理)以外，還對正面朝上的晶圓W進行處理(正面清洗處理)，但也可以預(yù)先分配功能以進行任一方的處理。即，例如也可以將十個第二處理單元28C中的五個分配為專用于背面清洗處理，將另五個分配為專用于正面清洗處理，將前者設(shè)為步驟S407中的輸送目的地，將后者設(shè)為步驟S409中的輸送目的地。另外，不一定需要執(zhí)行正面清洗處理。在此，參照圖28對不進行正面清洗處理的情況下的晶圓W的輸送流程進行說明。圖28是不進行正面清洗處理的情況下的晶圓W的輸送流程的說明圖。
[0226]在圖26所示的步驟S401?S405的處理結(jié)束之后，在基板處理系統(tǒng)IC中，如圖28所示那樣，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb將晶圓W從緩沖部21 (SBU)取出并轉(zhuǎn)移到第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)(步驟S501)，第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b (RVS2)使該晶圓W的正面和背面翻轉(zhuǎn)。由此，晶圓W成為背面朝向上方的狀態(tài)。
[0227]接著，第二處理塊3L的第二輸送裝置27(PRA2)將晶圓W從第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(RVS2)取出并輸送到第二處理單元28C(CH2)(步驟S502)。在第二處理單元28C(CH2)中，使用背面清洗部204C和第二噴出部205對晶圓W進行背面清洗處理。
[0228]接著，當(dāng)背面清洗處理結(jié)束時，第二輸送裝置27(PRA2)將背面清洗處理完成的晶圓W從第二處理單元28C(CH2)取出并輸送到第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RV SI)(步驟S503)，第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)使該晶圓W的正面和背面翻轉(zhuǎn)。由此，晶圓W成為正面朝向上方的狀態(tài)。
[0229]接著，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb(MPRA2)將背面清洗處理完成的晶圓W從第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(RVSl)取出并轉(zhuǎn)移到緩沖部21(SBU)(步驟S504)。第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb(MPRA2)將晶圓W收容于緩沖部21(SBU)的上層區(qū)域210U。然后，主輸送裝置13(CRA)將多個處理完成的晶圓W從緩沖部21(SBU)中一并取出并收容于盒C(步驟S505)。由此，一系列基板處理結(jié)束。
[0230]這樣，基板處理系統(tǒng)IC也可以不進行背面清洗處理后的正面清洗處理就將背面清洗處理完成的晶圓W送出。在該情況下，基板處理系統(tǒng)IC不一定需要具備第二交接部22L。另夕卜，基板處理系統(tǒng)IC也可以具備第二處理單元28來替代第二處理單元28C(參照圖6和圖7)。
[0231]另外，在此，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb將晶圓W搬入第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b(步驟S406)，第二輸送裝置27將晶圓W搬入第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a(步驟S408)。但是，并不限于該例，也可以是，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb將晶圓W搬入第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a，第二輸送裝置27將晶圓W搬入第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23b。另外，第二轉(zhuǎn)移裝置15Cb和第二輸送裝置27這兩者也可以只訪問第一翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23a和第二翻轉(zhuǎn)機構(gòu)23B中的某一方。在該情況下，交接塊4C不一定需要具備兩個翻轉(zhuǎn)機構(gòu)。
[0232]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠容易地導(dǎo)出其它效果和變形例。因此，本發(fā)明的更為廣泛的方式并不限定于如以上那樣表示并描述的特定的詳細內(nèi)容和代表性的實施方式。因而，能夠在不脫離由所附的權(quán)利要求書及其等效物定義的整體的發(fā)明的概念的精神或范圍內(nèi)進行各種變更。
【主權(quán)項】
1.一種基板處理系統(tǒng)，其特征在于，具備: 第一處理塊，其包括第一處理單元和第一輸送裝置，其中，該第一處理單元在基板的第一面朝上的狀態(tài)下進行所述基板的處理，該第一輸送裝置針對所述第一處理單元進行所述基板的搬入和搬出； 第二處理塊，其包括第二處理單元和第二輸送裝置，其中，該第二處理單元在所述基板的與所述第一面相反一側(cè)的面即第二面朝上的狀態(tài)下進行所述基板的處理，該第二輸送裝置針對所述第二處理單元進行所述基板的搬入和搬出；以及 翻轉(zhuǎn)機構(gòu)，其配置在從所述第一處理塊向所述第二處理塊的所述基板的輸送路徑的中途，用于使所述基板翻轉(zhuǎn)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一處理單元在將作為電路形成面的所述第一面朝上的所述基板的所述第二面吸附保持著的狀態(tài)下對所述基板的周緣部進行處理， 所述第二處理單元在將所述第二面朝上的所述基板的周緣部保持著的狀態(tài)下對所述基板的所述第二面進行處理。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一輸送裝置具備吸附所述基板的吸附部，該第一輸送裝置以使用所述吸附部將所述第二面吸附保持著的狀態(tài)輸送所述基板， 所述第二輸送裝置具備直徑大于所述基板的直徑的內(nèi)周部和從所述內(nèi)周部向該內(nèi)周部的徑向內(nèi)側(cè)突出的多個爪部，該第二輸送裝置以使所述基板的外周部載置于所述爪部的狀態(tài)輸送所述基板。4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 還具備交接塊，該交接塊包括:第一交接部，其配置于能夠由所述第一輸送裝置訪問的位置并收容所述第一面朝上的狀態(tài)的所述基板;第二交接部，其配置于能夠由所述第二輸送裝置訪問的位置并收容所述第二面朝上的狀態(tài)的所述基板；以及轉(zhuǎn)移裝置，其針對所述第一交接部和所述第二交接部進行所述基板的搬入和搬出， 其中，所述第一處理塊和所述第二處理塊以在高度方向上排列的方式配置， 所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)配置于所述交接塊。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述轉(zhuǎn)移裝置將所述第一面朝上的狀態(tài)的所述基板輸送到所述第一交接部，所述第一輸送裝置將所述基板從所述第一交接部取出并輸送到所述第一處理單元，并且將由所述第一處理單元處理后的所述基板從所述第一處理單元取出并輸送到所述第一交接部，所述轉(zhuǎn)移裝置將所述基板從所述第一交接部取出并輸送到所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)，并且將通過所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)被翻轉(zhuǎn)后的所述基板從所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)取出并輸送到所述第二交接部，所述第二輸送裝置將所述基板從所述第二交接部取出并輸送到所述第二處理單元。6.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，還具備: 第一交接塊，其與所述第二處理塊相鄰地配置，該第一交接塊包括:第一交接部，其配置于能夠由所述第二輸送裝置訪問的位置并收容所述第一面朝上的狀態(tài)的所述基板;第二交接部，其配置于能夠由所述第二輸送裝置訪問的位置并收容所述第二面朝上的狀態(tài)的所述基板；以及轉(zhuǎn)移裝置，其針對所述第一交接部和所述第二交接部進行所述基板的搬入和搬出；以及 第二交接塊，其配置于所述第一處理塊與所述第二處理塊之間，該第二交接塊包括第三交接部，該第三交接部配置于能夠由所述第一輸送裝置和所述第二輸送裝置訪問的位置并收容所述第一面或所述第二面朝上的狀態(tài)的所述基板， 其中，所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)配置于所述第一交接塊。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述轉(zhuǎn)移裝置將所述第一面朝上的狀態(tài)的所述基板輸送到所述第一交接部，所述第二輸送裝置將所述基板從所述第一交接部取出并輸送到所述第三交接部，所述第一輸送裝置將所述基板從所述第三交接部取出并輸送到所述第一處理單元，并且將由所述第一處理單元處理后的所述基板從所述第一處理單元取出并輸送到所述第三交接部，所述第二輸送裝置將所述基板從所述第三交接部取出并輸送到所述第一交接部，所述轉(zhuǎn)移裝置將所述基板從所述第一交接部取出并輸送到所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)，并且將通過所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)被翻轉(zhuǎn)后的所述基板從所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)取出并輸送到所述第二交接部，所述第二輸送裝置將所述基板從所述第二交接部取出并輸送到所述第二處理單元。8.根據(jù)權(quán)利要求4?7中的任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 由所述第一輸送裝置、所述第二輸送裝置以及所述轉(zhuǎn)移裝置進行的所述基板的輸送被并行地進行。9.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，還具備: 第一交接塊，其與所述第二處理塊相鄰地配置，該第一交接塊包括:第一交接部，其配置于能夠由所述第二輸送裝置訪問的位置并收容所述第一面朝上的狀態(tài)的所述基板;第二交接部，其配置于能夠由所述第二輸送裝置訪問的位置并收容所述第二面朝上的狀態(tài)的所述基板；以及第一轉(zhuǎn)移裝置，其針對所述第一交接部和所述第二交接部進行所述基板的搬入和搬出；以及 第二交接塊，其配置于所述第一處理塊與所述第二處理塊之間，該第二交接塊包括:第三交接部，其配置于能夠由所述第一輸送裝置和所述第二輸送裝置訪問的位置并收容所述第一面或所述第二面朝上的狀態(tài)的所述基板；以及第二轉(zhuǎn)移裝置，其針對所述第三交接部進行所述基板的搬入和搬出， 其中，所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)配置于所述第二交接塊。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一轉(zhuǎn)移裝置將所述第一面朝上的狀態(tài)的所述基板輸送到所述第一交接部，所述第二輸送裝置將所述基板從所述第一交接部取出并輸送到所述第三交接部，所述第一輸送裝置將所述基板從所述第三交接部取出并輸送到所述第一處理單元，并且將由所述第一處理單元處理后的所述基板從所述第一處理單元取出并輸送到所述第三交接部，所述第二轉(zhuǎn)移裝置將所述基板從所述第三交接部取出并輸送到所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)，并且將通過所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)被翻轉(zhuǎn)后的所述基板從所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)取出并輸送到所述第三交接部，所述第二輸送裝置將所述基板從所述第三交接部取出并輸送到所述第二處理單元。11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 由所述第一輸送裝置、所述第二輸送裝置、所述第一轉(zhuǎn)移裝置以及所述第二轉(zhuǎn)移裝置進行的所述基板的輸送被并行地進行。12.根據(jù)權(quán)利要求4?11中的任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一交接部、所述第二交接部以及所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)以在高度方向上排列的方式配置。13.根據(jù)權(quán)利要求1?3中的任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 還具備交接塊，該交接塊包括:第一交接部，其配置于能夠由所述第一輸送裝置訪問的位置并收容所述第一面朝上的狀態(tài)的所述基板;第一轉(zhuǎn)移裝置，其針對所述第一交接部進行所述基板的搬入和搬出；第二轉(zhuǎn)移裝置，其針對所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)進行所述基板的搬入；以及緩沖部，其配置于能夠由所述第一轉(zhuǎn)移裝置和所述第二轉(zhuǎn)移裝置訪問的位置，暫時收容所述基板， 所述第一處理塊和所述第二處理塊以在高度方向上排列的方式配置， 所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)配置于所述交接塊。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一轉(zhuǎn)移裝置將所述第一面朝上的狀態(tài)的所述基板輸送到所述第一交接部，所述第一輸送裝置將所述基板從所述第一交接部取出并輸送到所述第一處理單元，并且將由所述第一處理單元處理后的所述基板從所述第一處理單元取出并輸送到所述第一交接部，所述第一轉(zhuǎn)移裝置將所述基板從所述第一交接部取出并輸送到所述緩沖部，所述第二轉(zhuǎn)移裝置將所述基板從所述緩沖部取出并輸送到所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)，所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)將所述基板翻轉(zhuǎn)，所述第二輸送裝置將所述基板從所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)取出并輸送到所述第二處理單元。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述交接塊還包括第二交接部，該第二交接部配置于能夠由所述第二輸送裝置訪問的位置并收容所述第一面朝上的狀態(tài)的所述基板， 所述第二處理單元具備第一處理部，該第一處理部在所述基板的所述第二面朝上的狀態(tài)下進行所述基板的處理， 所述第二處理單元還具備第二處理部，該第二處理部在所述基板的所述第一面朝上的狀態(tài)下進行所述基板的處理。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于， 所述第一轉(zhuǎn)移裝置將所述第一面朝上的狀態(tài)的所述基板輸送到所述第一交接部，所述第一輸送裝置將所述基板從所述第一交接部取出并輸送到所述第一處理單元，并且將由所述第一處理單元處理后的所述基板從所述第一處理單元取出并輸送到所述第一交接部，所述第一轉(zhuǎn)移裝置將所述基板從所述第一交接部取出并輸送到所述緩沖部，所述第二轉(zhuǎn)移裝置將所述基板從所述緩沖部取出并輸送到所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)，所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)將所述基板翻轉(zhuǎn)，所述第二輸送裝置將所述基板從所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)取出并輸送到所述第二處理單元，所述第二處理單元使用所述第一處理部進行所述基板的處理，所述第二輸送裝置將所述基板從所述第二處理單元取出并輸送到所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)，所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)將所述基板翻轉(zhuǎn)，所述第二輸送裝置將所述基板從所述翻轉(zhuǎn)機構(gòu)取出并輸送到所述第二處理單元，所述第二處理單元使用所述第二處理部進行所述基板的處理。17.根據(jù)權(quán)利要求1?16中的任一項所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述第一處理單元的處理和所述第二處理單元的處理被并行地進行。
【文檔編號】H01L21/677GK106057706SQ201610214934
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年4月8日 公開號201610214934.4, CN 106057706 A, CN 106057706A, CN 201610214934, CN-A-106057706, CN106057706 A, CN106057706A, CN201610214934, CN201610214934.4
【發(fā)明人】天野嘉文
【申請人】東京毅力科創(chuàng)株式會社