晶圓級光電子器件封裝及其制造方法
【專利摘要】本文中描述用于制造復(fù)數(shù)個光電子器件之方法，及由此等方法所得之該等光電子器件。一個此方法包括對一晶圓執(zhí)行硅穿孔(TSV)處理，該晶圓包括多個光偵測器傳感器區(qū)，藉此形成多個通孔，且接著隆起及鍍制該等通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化。其后，將多個光源晶粒附著至該晶圓的一頂表面，且接著模制一透光材料以在其中囊封該等光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒。另外，制造包括不透明光學(xué)串音屏障的不透明屏障。此外，焊球或其他電連接器附著至該晶圓的底部。最終切割該晶圓以將該晶圓分離成多個光電子器件。
【專利說明】
晶圓級光電子器件封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明之具體實例大體上系關(guān)于晶圓級光電子封裝及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]圖1為包括罩蓋122的示例性先前技術(shù)光學(xué)近接傳感器102的透視圖，該罩蓋經(jīng)展示成移除。傳感器102包括彼此間隔開且附著至基底基板108(例如，印刷電路板(PCB))的光源晶粒104及光偵測器晶粒106。光源晶粒104囊封于透明環(huán)氧樹脂114中，且光偵測器晶粒106單獨地囊封于透明環(huán)氧樹脂116中。包覆光偵測器晶粒106的透明環(huán)氧樹脂116與包覆光源晶粒104的透明環(huán)氧樹脂118之間存在間隙112，其中間隙112在罩蓋122附著至基板108時接受串音屏障132(其為罩蓋122的一部分)。有可能由金屬制成的罩122包括用于光源晶粒104的窗124及用于光偵測器晶粒126的單獨窗126。不透明串音屏障132(與罩蓋122—體成型或附著至罩蓋122)用以光學(xué)隔離光源晶粒104與光偵測器晶粒106。
[0003]從參看圖1描述的示例性先前技術(shù)光學(xué)近接傳感器102可以了解到，光學(xué)近接傳感器的當(dāng)前封裝涉及許多組件及許多程序步驟，這增加材料列表，逐步增加制造成本，增加循環(huán)次數(shù)，且產(chǎn)生高良率損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]下文描述的某些具體實例使得能夠在晶圓級執(zhí)行光學(xué)近接傳感器器件(其也可用于環(huán)境光感測)的完整處理，藉此減少材料清單，且提供高良率制造，從而得到極低成本的解決方案。有利地，可更一般化地被稱作光電子器件的最終器件約為光偵測器晶粒自身的大小，從而導(dǎo)致顯著小型化，使器件較適用于手持型或其他行動應(yīng)用。
[0005]在下文描述的具體實例中，不需要連接有光源晶粒及光偵測器晶粒的單獨基底基板(例如，PCB基板)。而是，光源晶粒連接至光偵測器晶粒，以使得光偵測器晶粒充當(dāng)用于成品光電子器件的基底。相比于其他近接傳感器器件，此情形提供顯著的成本降低。另外，此情形將總的封裝占據(jù)面積減小至大約光偵測器晶粒自身的占據(jù)面積。
[0006]圖2為根據(jù)本發(fā)明的具體實例的光電子器件202的透視圖，該光電子器件可為光學(xué)近接傳感器，該光學(xué)近接傳感器也可提供環(huán)境光感測。從圖3至圖6的論述將理解，根據(jù)本發(fā)明的特定具體實例，圖2中所示的組件中的每一者經(jīng)制造為晶圓的一部分，抑或在晶圓切割之前在晶圓級處理期間附著至晶圓。
[0007]參看圖2，展示光偵測器傳感器區(qū)206，其使用任何已知或?qū)沓霈F(xiàn)的晶圓級器件制造過程及結(jié)構(gòu)而形成于晶圓的一部分(也被稱作光偵測器晶粒204)內(nèi)。舉例而言，光偵測器傳感器區(qū)206可包括經(jīng)大量摻雜的N+區(qū)，及經(jīng)輕度摻雜的P-區(qū)(例如，P-磊晶區(qū))，該等區(qū)皆形成于經(jīng)大量摻雜的P+或P++基板上。N+區(qū)及P-區(qū)形成PN接面，及更特定言之，N+/P-接面。在例如使用電壓源給此PN接面加反向偏壓時，圍繞PN接面形成空乏區(qū)。在光入射于光偵測器傳感器區(qū)206上時，在二極管空乏區(qū)中及附近產(chǎn)生電子-電洞對。電子被立即拉向N+區(qū)，而電洞被向下推向P-區(qū)。此等電子(也被稱作載流子)在N+區(qū)中被擷取，且產(chǎn)生指示光強度的可測量的光電流。此情形僅為光偵測器傳感器區(qū)206的結(jié)構(gòu)的一個實例，其不意欲受限制。光偵測器傳感器區(qū)206可替代地包括P+/N-接面，或PIN、NPN、PNP或NIP接面，但不限于此。此外，應(yīng)注意，光偵測器傳感器區(qū)206可由連接到一起的多個較小光偵測器傳感器區(qū)組成。光偵測器傳感器區(qū)206產(chǎn)生響應(yīng)于且指示入射光的信號(例如，光電流)，而不管光偵測器傳感器區(qū)206的確切結(jié)構(gòu)為何。
[0008]在某些具體實例中，光偵測器傳感器區(qū)206由透光材料208覆蓋，該透光材料可為例如透光環(huán)氧樹脂(例如，透明或有色環(huán)氧樹脂)或其他透光樹脂或聚合物。在某些具體實例中，透光材料208可具有將非所關(guān)注的特定波長的光過濾掉同時允許所關(guān)注的波長的光通過的顏料或其他性質(zhì)。光電子器件202也經(jīng)展示為包括囊封于透光材料218內(nèi)的光源晶粒216，該透光材料有可能與透光材料208相同。
[0009]光源晶粒216包括發(fā)光組件，其可為發(fā)光二極管(LED)、有機LED(OLED)、主體發(fā)射LED、表面發(fā)射LED、垂直空腔表面發(fā)射雷射(VCSEL)、超發(fā)光發(fā)光二極管(SLED)、激光二極管或像素二極管，但不限于此。光源晶粒216至少包括陽極接點及陰極接點。根據(jù)某些具體實例，陽極及陰極接點中的一者位于光源晶粒216的底部上，且連接至光偵測器晶粒204的頂表面上的結(jié)合襯墊;且陽極及陰極接點中的另一者位于光源晶粒216的頂表面上，且由結(jié)合導(dǎo)線224連接至光偵測器晶粒204的頂表面上的結(jié)合襯墊。在替代具體實例中，陽極及陰極接點兩者皆位于光源晶粒216的底部上，且陽極及陰極接點兩者皆直接連接至光偵測器晶粒204的頂表面上的相應(yīng)結(jié)合襯墊，藉此消除對結(jié)合導(dǎo)線的需要。此外，應(yīng)注意，光源晶粒216可包括連接到一起(例如串聯(lián)及/或并聯(lián))的多個發(fā)光組件。
[0010]光偵測器晶粒204也可包括其他電路，諸如將電流信號轉(zhuǎn)換成電壓信號的跨阻抗放大器，及/或用以放大通過光偵測器傳感器區(qū)域206產(chǎn)生的光電流的放大器電路，及/或用以選擇性地驅(qū)動光源晶粒216的發(fā)光組件的驅(qū)動器電路。對于驅(qū)動器電路而言，也將有可能替代地成為光源晶粒216的一部分，或在晶粒204及216的外部。
[0011]不透明串音屏障232位于光偵測器傳感器區(qū)206與光源晶粒216之間，藉此光學(xué)隔離光源晶粒216的發(fā)光組件與光偵測器傳感器區(qū)206。不透明串音屏障232可由不透明材料形成，其可為例如黑色或其他暗色環(huán)氧樹脂，或不透射由光源晶粒216產(chǎn)生的光的其他樹脂或聚合物。形成不透明串音屏障232的不透明材料也形成圍繞器件202的整個邊緣的外圍屏障234，以便光學(xué)隔離器件202與可位于器件202附近的一或多個其他光電子器件。在特定具體實例中，使用不透明模制化合物形成串音屏障232及外圍屏障234。
[0012]窗210位于光偵測器傳感器區(qū)206之上，且窗220位于光源晶粒216之上。雖然窗210及220經(jīng)展示為簡單孔隙或開口，但可形成更復(fù)雜的窗。
【附圖說明】
[0013]圖1為包括罩蓋的示例性先前技術(shù)光學(xué)近接傳感器的透視圖，該罩蓋經(jīng)展示成移除；
[0014]圖2為根據(jù)本發(fā)明的具體實例的光電子器件的透視圖，該光電子器件可為光學(xué)近接傳感器，該光學(xué)近接傳感器亦可提供環(huán)境光感測；
[0015]包括截面圖3(a)至圖3(i)的圖3用以說明根據(jù)本發(fā)明的某些具體實例的光電子器件的制造；
[0016]包括截面圖4(a)至圖4(d)的圖4用以說明根據(jù)本發(fā)明的某些具體實例的光學(xué)串音屏障、鏡面反射減少擱板及外圍光學(xué)屏障的制造；
[0017]包括截面圖的圖5用以說明根據(jù)本發(fā)明的替代具體實例的光電子器件的制造；
[0018]圖6A至圖6F用以描述如何由不透明材料的薄片在晶圓外預(yù)成型不透明垂直光學(xué)串音屏障、不透明外圍屏障及不透明垂直擱板(用以減少鏡面反射)的細(xì)節(jié)；
[0019]圖7說明根據(jù)本發(fā)明的替代具體實例的光學(xué)串音屏障、鏡面反射減少擱板及外圍光學(xué)屏障的制造；
[0020]圖8說明根據(jù)某些具體實例的例如氣泡透鏡的透鏡，該等透鏡可形成于光偵測器傳感器區(qū)及/或光源晶粒之上；
[0021]圖9A說明根據(jù)本發(fā)明的具體實例的光電子器件的俯視圖；
[0022]圖9B說明圖9A的光電子器件的俯視圖，其中移除光源晶粒；
[0023]圖9C說明圖9A的光電子器件的仰視圖；
[0024]圖10用以說明根據(jù)某些具體實例，可執(zhí)行切割以使得傳感器的數(shù)組包括于單一封裝中；
[0025]圖11為用以概述根據(jù)本發(fā)明的某些具體實例的用于制造多個光電子器件的方法的高階流程圖；
[0026]圖12為用以描述用于由不透明材料在晶圓外形成預(yù)成型結(jié)構(gòu)且將該結(jié)構(gòu)附著至晶圓的方法的高階流程圖；
[0027]圖13為根據(jù)本發(fā)明的具體實例的系統(tǒng)的高階方塊圖；
[0028]圖14A、圖14B及圖14C用以描述為何可出現(xiàn)鏡面反射及在先前圖中引述的鏡面反射減少擱板的功能。
[0029]附圖標(biāo)記說明:
[0030]102、光學(xué)近接傳感器；
[0031]104、光源晶粒；
[0032]106、光偵測器晶粒；
[0033]108、基底基板；
[0034]112、間隙；
[0035]114、透明環(huán)氧樹脂；
[0036]116、透明環(huán)氧樹脂；
[0037]122、罩蓋；
[0038]124、窗；
[0039]126、窗；
[0040]132、不透明串音屏障；
[0041 ] 202、光電子器件；
[0042]204、光偵測器晶粒；
[0043]206、光偵測器傳感器區(qū)；
[0044]208、透光材料；
[0045]210、窗；
[0046]216、光源晶粒；
[0047]218、透光材料；
[0048]220、窗；
[0049]222、結(jié)合襯墊；
[0050]224、結(jié)合導(dǎo)線；
[0051 ]232、不透明串音屏障；
[0052]234、外圍屏障；
[0053]242、焊球；
[0054]304、晶圓；
[0055]306、光偵測器傳感器區(qū)；
[0056]308、通孔；
[0057]310、窗；
[0058]312、凹槽；
[0059]316、光源晶粒；
[0060]318、透光材料；
[0061]320、窗；
[0062]324、結(jié)合導(dǎo)線；
[0063]330、不透明材料；
[0064]334、外圍屏障；
[0065]336，338、鏡面反射減少擱板
[0066]342、焊球；
[0067]601，603、不透明材料的經(jīng)蝕刻薄片；
[0068]605、在晶圓外制成的預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)；
[0069]705、在晶圓外制成的預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)；
[0070]826、透鏡；
[0071]1002、在一個封裝中的四個光電子器件的數(shù)組；[0072 ]1004、在一個封裝中的兩個光電子器件的數(shù)組；[0073 ]1006、在一個封裝中的兩個光電子器件的數(shù)組；
[0074]1102-1118、步驟；
[0075]1202-1208、步驟；
[0076]1300、系統(tǒng)；
[0077]1302、光電子器件；
[0078]1303、驅(qū)動器；
[0079]1304、比較器或處理器；
[0080]1306、子系統(tǒng)；
[0081]1308、物件；
[0082]1402、蓋板；
[0083]1404、閉合表面；
[0084]1406、遠(yuǎn)表面。
【具體實施方式】
[0085]下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開的示例性實施例。雖然附圖中顯示了本公開的示例性實施例，然而應(yīng)當(dāng)理解，可以以各種形式實現(xiàn)本公開而不應(yīng)被這里闡述的實施例所限制。相反，提供這些實施例是為了能夠更透徹地理解本公開，并且能夠?qū)⒈竟_的范圍完整的傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。
[0086]優(yōu)先權(quán)申請:本申請案主張2015年6月24日申請的美國專利申請案第14/749，169號及2015年4月16日申請的美國臨時專利申請案第62/148，575號的優(yōu)先權(quán)。
[0087]包括截面圖3(a)至圖3(i)的圖3現(xiàn)將用以說明根據(jù)本發(fā)明的某些具體實例的光電子器件(且更特定言之，多個此等器件)的制造。舉例而言，參看圖3所描述的過程可用以制造上文參看圖2所描述的光電子器件202。
[0088]參看3(a)，多個光偵測器傳感器區(qū)306經(jīng)展示為形成于硅晶圓304中。光偵測器傳感器區(qū)306中的每一者可包括一或多個PN、PIN、NPN、PNP或NIP接面，但不限于此，如上文參看圖2中的光檢測器傳感器區(qū)206所描述。在特定具體實例中，光偵測器傳感器區(qū)306中的每一者為使用CMOS器件制法來制造的CMOS影像傳感器。另外，雖然圖3(a)中未特定展示，但結(jié)合襯墊也可形成于娃晶圓304的頂表面上，該娃晶圓在本文中也可被簡稱為晶圓304。舉例而言，此等結(jié)合襯墊可用于將光源晶粒的陽極及陰極接點連接至晶圓304，如下文將更詳細(xì)描述。
[0089]參看圖3(b)，執(zhí)行晶圓背磨以使晶圓304變薄至其最終所要厚度。舉例而言，晶圓可開始具有30密耳厚度，且可在背磨之后最終具有約5密耳的厚度。此情形顯著減小最終器件的厚度。此等情形僅為示例性初始及最終晶圓厚度，該等厚度不意欲被限制。
[0090]參看圖3(c)，自晶圓304的底部向上執(zhí)行硅穿孔(TSV)處理以形成通孔308，該等通孔將提供連接至晶圓304的頂部的組件與將形成于晶圓304的底部上的電接點(例如，焊球)之間的電連接。換言之，對晶圓304執(zhí)行自下而上的TSV處理。舉例而言，利用電漿蝕刻進行的標(biāo)準(zhǔn)TSV處理可用以形成開口(鉆孔)。在此階段，不存在沈積于晶圓上的塑料材料。因此，可在無過程約束的情況下執(zhí)行銅(Cu)接種、Cu鍍制、通孔填充及化學(xué)機械拋光/平坦化(CMP)0
[0091]參看圖3(d)，執(zhí)行通孔鍍制及隆起以將晶圓304的底部上的接點電連接至晶圓304的頂部上且潛在地在晶圓內(nèi)的接點。另外，可執(zhí)行襯墊重新分布及重新鈍化，以重新定位數(shù)組中的最終焊球襯墊及與TSV通孔的大小不同的大小。更一般化地，可執(zhí)行晶圓背面金屬化以使晶圓準(zhǔn)備好進行底部端子連接，包含(但不限于)襯墊重新分布。
[0092]參看圖3(e)，焊球342經(jīng)展示為安裝至晶圓304的底部。更特定言之，晶圓304可經(jīng)受助焊劑印刷、焊球附著及回焊，以在晶圓304的底部上制造焊球端子。使用替代電接點而非焊球也在本發(fā)明范疇內(nèi)。舉例而言，可使用導(dǎo)電焊盤、襯墊或栓釘。也可將激光刻印添加至晶圓304的底部。
[0093]參看圖3(f)，多個光源晶粒316連接至晶圓304的頂表面上的結(jié)合襯墊。舉例而言，晶圓304可被裝載至晶粒附著機器上，且由晶圓固持器固持在適當(dāng)位置。光源晶粒316可例如使用導(dǎo)電環(huán)氧樹脂(諸如但不限于，銀(Ag)環(huán)氧樹脂)附著。此情形將會將每一光源晶粒316的發(fā)光組件的陽極抑或陰極接點連接至晶圓304的頂表面上的相應(yīng)結(jié)合襯墊。若光源晶粒的陽極及陰極接點兩者皆位于光源晶粒的底部上，則陽極及陰極接點兩者皆可通過導(dǎo)電環(huán)氧樹脂直接連接至晶圓304的頂表面上的相應(yīng)結(jié)合襯墊。晶圓接著經(jīng)歷烘烤過程以固化導(dǎo)電環(huán)氧樹脂(例如，Ag環(huán)氧樹脂)。
[0094]參看圖3(g)，晶圓級結(jié)合機器可接著用以將結(jié)合導(dǎo)線324自每一光源晶粒316的發(fā)光組件的其他接點(例如，陰極或陽極)連接至晶圓304上的相應(yīng)結(jié)合襯墊。結(jié)合導(dǎo)線324可例如由銀(Ag)或銅(Cu)制成，但不限于此。此情形假定陽極接點及陰極接點中的一者位于光源晶粒216的底部上，且陽極接點及陰極接點中的另一者位于光源晶粒216的頂表面上。若陽極接點及陰極接點兩者皆位于光源晶粒216的底部上，則消除對結(jié)合導(dǎo)線324的需要。
[0095]參看圖3(h)，晶圓304的頂表面及連接至其的組件(包括光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話))囊封于透光材料318中。光偵測器傳感器區(qū)306也囊封于透光材料318中。透光材料318可為例如透光環(huán)氧樹脂(例如，透明或有色環(huán)氧樹脂)或其他透光樹脂或聚合物。根據(jù)特定具體實例，透光材料318為使用阻焊沈積設(shè)備施配的透明阻焊材料。根據(jù)替代具體實例，在具有或不具有真空輔助的情況下，使用液體壓縮模制形成透光材料318(例如，透明環(huán)氧樹脂)?；蛘?，可使用射出或轉(zhuǎn)注模制。
[0096]圖3(h)中也展示光學(xué)串音屏障332，該等光學(xué)串音屏障用以阻擋光以免自光源晶粒316中的一者直接透射至光偵測器傳感器區(qū)306中的鄰近者。圖3(h)中也展示自光學(xué)串音屏障332中的每一者朝向鄰近光源晶粒316延伸的鏡面反射減少擱板336。另外，鏡面反射減少擱板338自光學(xué)串音屏障332中的每一者朝向鄰近光偵測器傳感器區(qū)306水平地延伸。此等擱板336、338用以減少可在將透光蓋板(例如，由玻璃、塑料或一些其他保護性透光材料制成)放置在成品光電子器件(例如，光學(xué)近接傳感器)之上的情況下出現(xiàn)的鏡面反射。舉例而言，此蓋板可為覆蓋移動電話、攜帶型音樂播放器或個人資料助理(PDA)的屏幕的玻璃，或覆蓋膝上型計算機的屏幕的塑料。在將此蓋板放置在光學(xué)近接傳感器之上時，光學(xué)近接傳感器常常對鏡面反射敏感。正如期望將自光源晶粒316直接透射至鄰近光偵測器傳感器區(qū)306的光減至最小一樣，也期望將鏡面反射減至最小，因為此等反射類似地降低器件整體感測鄰近度或距離的能力，因為鏡面反射基本上為不含信息的噪聲。圖3(h)中也展示外圍屏障334，該等外圍屏障用以光學(xué)隔離成品光電子器件(例如，光學(xué)近接傳感器)與可位于器件附近的一或多個其他光電子器件。
[0097]圖3(h)中也展示在光偵測器傳感器區(qū)306中的每一者的至少一部分之上保持打開的窗310，及在光源晶粒316中的每一者的至少一部分之上保持打開的窗320。在光源晶粒316之上的窗320允許光源晶粒316的發(fā)光組件發(fā)射的光的至少一部分離開器件，且在光偵測器傳感器區(qū)306之上的窗310允許將被器件的視野內(nèi)的對象反射離開的發(fā)射光入射于光偵測器傳感器區(qū)306上，且由光偵測器傳感器區(qū)306偵測。若器件被用作環(huán)境光傳感器，則在光偵測器傳感器區(qū)306之上的窗310允許環(huán)境光入射于光偵測器傳感器區(qū)306上，且由光偵測器傳感器區(qū)306偵測。此等窗310、320也可被稱作孔隙。
[0098]下文參看圖4、圖5A及圖5B描述如何將光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)囊封于透光材料318中及如何制造不透明垂直光學(xué)串音屏障332、不透明水平擱板336(自垂直串音屏障332中的每一者朝向鄰近光源晶粒316延伸)、不透明水平擱板338(自垂直串音屏障332中的每一者朝向鄰近光偵測器傳感器區(qū)306水平地延伸)及不透明外圍屏障334的額外細(xì)節(jié)。
[0099]參看圖3(i)，接著以機械方式切割(例如，鋸切)晶圓以單體化每一光電子器件。根據(jù)具體實例，在切割之后，器件保持附著至用以安裝晶圓的帶(例如，聚酯薄膜帶(Mylartape))介質(zhì)?？山又褂秒姕y試儀(例如，具有探針的測試儀)測試單體化器件來檢查個別器件是否恰當(dāng)?shù)夭僮鳌；蛘撸稍谇懈钪皥?zhí)行測試。可接著將單體化器件裝載至抓放機器上，該抓放機器用以抓取恰當(dāng)?shù)夭僮鞯钠骷?如使用測試判定)，且將該等器件放置至卷帶式包裝中，此時該等器件已準(zhǔn)備好運送至客戶。
[0100]再次參看圖3，較佳地在執(zhí)行參看圖3(a)至圖3(e)所描述的步驟之后，將光源晶粒316附著至晶圓304的頂部，如圖3(f)中所示。此是因為晶圓304的頂部在參看圖3(a)至圖3
(e)所描述的步驟期間為平面(不具有任何拓?fù)?系有益的。否則，晶圓機械完整性可能受損。此外，在執(zhí)行晶圓背面金屬化之后將透光材料318模制于光源晶粒316及光偵測器傳感器區(qū)306之上是有益的，以便避免潛在地使透光材料318褪色及/或造成其他熱問題，該等熱問題可由執(zhí)行晶圓背面金屬化(其過程典型地具有最高熱預(yù)算)所需要的熱導(dǎo)致。在將焊球342或其他電連接器安裝至晶圓304的底部之前將透光材料318模制于光源晶粒316及光偵測器傳感器區(qū)306之上也可為有益的，以便避免潛在地使透光材料318褪色及/或造成其他熱問題，該等熱問題可由附著焊球342或其他電接點端子所需要的熱導(dǎo)致。然而，因為將焊球(或其他電連接器)附著至晶圓的底部所需要的熱小于晶圓背面金屬化所需要的熱，所以其益處不如在將透光材料318模制于光源晶粒316及光偵測器傳感器區(qū)306之上之前執(zhí)行晶圓背面金屬化。不管前述益處如何，按不同于上文所描述的次序執(zhí)行參看圖3所描述的步驟也在本發(fā)明的具體實例的范疇內(nèi)。舉例而言，在替代具體實例中，如參看圖3(f)所描述，光源晶粒316至晶圓304的頂部的附著可替代地在參看圖3(a)及圖3(b)所描述的步驟之間，在參看圖3(b)及圖3(c)所描述的步驟之間，在參看圖3(c)及圖3(d)所描述的步驟之間或在參看圖3(d)及圖3(e)所描述的步驟之間執(zhí)行。其他變化也為可能的，且在本文中所描述的具體實例的范疇內(nèi)。舉例而言，焊球或其他電連接器的安裝可為在機械切割晶圓以單體化每一光電子器件之前執(zhí)行的最后步驟。
[0101]包括截面圖4(a)至圖4(d)的圖4現(xiàn)將用以描述如何將光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)囊封于透光材料318中及如何制造光學(xué)串音屏障332、鏡面反射減少擱板336(自光學(xué)串音屏障332中的每一者朝向鄰近光源晶粒316延伸)、鏡面反射減少擱板338(自光學(xué)串音屏障332中的每一者朝向鄰近光偵測器傳感器區(qū)306水平地延伸)及外圍屏障334的額外細(xì)節(jié)。鏡面反射減少擱板336及鏡面反射減少擱板338可被個別地稱為或被統(tǒng)稱為鏡面反射減少擱板。參看圖4(a)，晶圓304的頂表面及連接至其的組件(包括光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若其存在的話))囊封于透光材料318中。光偵測器傳感器區(qū)306也囊封于透光材料318中。如上文所指出，透光材料318可為例如透光環(huán)氧樹脂(例如，透明或有色環(huán)氧樹脂)或其他透光樹脂或聚合物。根據(jù)特定具體實例，透光材料318為使用阻焊沈積設(shè)備施配的透明阻焊材料。根據(jù)替代具體實例，在具有或不具有真空輔助的情況下，使用液態(tài)壓縮模制形成透光材料318(例如，透明環(huán)氧樹脂)。或者，可使用射出或轉(zhuǎn)注模制。
[0102]參看圖4(b)，凹槽312形成于透光囊封材料318中，以使囊封的光偵測器傳感器區(qū)306與鄰近囊封的光源晶粒316分離。根據(jù)某些具體實例，光微影用以形成凹槽312。根據(jù)其他具體實例，例如使用鋸或激光來切割凹槽312。
[0103]在僅在上文參看圖4(a)及圖4(b)所描述的具體實例中，光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)在一個步驟期間囊封于透光材料318中，且接著在另一步驟期間形成凹槽312。此等兩個步驟可替代地用單一步驟替換，在該單一步驟期間，模具用以將光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)囊封于透光材料318中，且形成凹槽312。此模具將包括用于在相對于光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316的所要位置處形成凹槽的模具特征。更特定言之，在單一模制步驟期間，光偵測器傳感器區(qū)(也被稱作光偵測器傳感器區(qū)域)及光源晶粒(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)囊封于透光材料中，其中在光偵測器傳感器區(qū)與鄰近光源晶粒之間的透光材料中具有凹槽。此模制步驟的結(jié)果將類似于圖4(b)中所示的情形。
[0104]現(xiàn)參看圖4(c)，根據(jù)某些具體實例，將不透明材料330施配于剩余的透光材料318上及參看圖4(b)論述的凹槽312內(nèi)。不透明材料330用以形成光學(xué)串音屏障332(在每一光偵測器傳感器區(qū)306與其鄰近光源晶粒316之間)及外圍屏障334，其目的參看上文在圖2中的組件232及234所論述。不透明材料330可為例如黑色或其他暗色環(huán)氧樹脂，或不透射由光源晶粒316產(chǎn)生的光的其他樹脂或聚合物。在特定具體實例中，不透明材料為使用阻焊印刷施配的黑色阻焊材料。參看圖4(d)，形成用于光偵測器傳感器區(qū)306的窗310，且形成用于光源晶粒316的窗320。根據(jù)特定具體實例，也可被稱作孔隙的此等窗310、320可通過使用光微影移除不透明材料330的部分(例如，黑色阻焊材料)而形成。
[0105]根據(jù)替代具體實例，勝于執(zhí)行上文參看圖4(c)及圖4(d)所描述的兩個步驟，另一模制步驟用以使用不透明材料330填充凹槽312以形成光源晶粒316與鄰近光偵測器傳感器區(qū)306之間的垂直光學(xué)串音屏障332。不透明材料330可為例如黑色或其他暗色模制化合物、環(huán)氧樹脂或不透射由光源晶粒316產(chǎn)生的光的其他樹脂或聚合物。壓縮模制、射出模制或轉(zhuǎn)注模制可用以例如執(zhí)行此模制步驟。
[0106]垂直光學(xué)串音屏障332用以阻擋光以免自光源晶粒316中的一者直接透射至光偵測器傳感器區(qū)306中的鄰近者。在此模制步驟期間，也形成自光學(xué)串音屏障332中的每一者朝向鄰近光源晶粒316延伸的擱板336。另外，也可形成自光學(xué)串音屏障332中的每一者朝向鄰近光偵測器傳感器區(qū)306水平地延伸的擱板338。此等水平擱板336、338用以減少鏡面反射，該等鏡面反射可在將透光蓋板(例如，由玻璃、塑料或一些其他保護性透光材料制成)放置在成品光電子器件(例如，光學(xué)近接傳感器)之上的情況下出現(xiàn)。舉例而言，此蓋板可為覆蓋移動電話、攜帶型音樂播放器或個人資料助理(PDA)的屏幕的玻璃板，或覆蓋膝上型計算機的屏幕的塑料。在將此蓋板放置于光學(xué)近接傳感器之上時，光學(xué)近接傳感器常常對鏡面反射敏感。正如期望將自光源晶粒316直接透射至鄰近光偵測器傳感器區(qū)306的光減至最小一樣，也期望將鏡面反射減至最小，因為此等反射類似地降低器件整體感測鄰近度或距離的能力，因為鏡面反射基本上為不含信息的噪聲。不透明材料330也可用以形成外圍屏障334，該外圍屏障用以光學(xué)隔離成品光電子器件(例如，光學(xué)近接傳感器)與可位于器件附近的一或多個其他光電子器件。更一般化地，在單一模制步驟期間，可模制不透明材料330以形成光學(xué)串音屏障332、外圍屏障334及鏡面反射減少擱板336、338。在此相同模制步驟期間，窗310在光偵測器傳感器區(qū)306中的每一者的至少一部分之上保持打開，且窗320在光源晶粒316中的每一者的至少一部分之上保持打開，如圖4(d)中所示。
[0107]根據(jù)特定具體實例，經(jīng)執(zhí)行以達(dá)成圖4(b)中所示情形的透光材料318的模制及用以達(dá)成圖4(d)中所示情形的不透明材料330的模制使用雙模制過程來執(zhí)行。舉例而言，雙模制過程可為雙重射擊射出模制，但不限于此。
[0108]在替代具體實例中，消除上文參看圖4(a)及4(b)所描述步驟或其組合。換言之，在此等替代具體實例中，光偵測器傳感器區(qū)306(也可被稱作光偵測器傳感器區(qū)域)及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在)不囊封于透光材料中。
[0109]在另外其他具體實例中，在透光材料318用以囊封光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)之前，不透明屏障332、334及擱板336、338由不透明材料330形成。
[0110]在上文所描述的晶圓級處理(例如用以形成透光材料及用以形成不透明屏障)之后，晶圓可例如使用丙烯酸類黏著劑附著至晶圓支撐系統(tǒng)。晶圓支撐系統(tǒng)將幫助防止變形，且?guī)椭Ｗo透光材料318及屏障免于溫度漂移。
[0111]根據(jù)本發(fā)明的某些具體實例，勝于“在晶圓上”形成光學(xué)串音屏障332、外圍屏障334及不透明水平鏡面反射減少擱板336、338，此等組件為由不透明材料“在晶圓外”制成的預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)的部分。舉例而言，參看圖5，根據(jù)特定具體實例，不透明垂直光學(xué)串音屏障、不透明外圍屏障及不透明垂直擱板(用以減少鏡面反射)“在晶圓外”預(yù)成型，且接著附著至晶圓。對于更特定實例，可蝕刻不透明材料的薄片以“在晶圓外”制造垂直光學(xué)串音屏障，該等垂直光學(xué)串音屏障其后黏著于晶圓(在用透光材料囊封光檢測器及源之前或之后)。可蝕刻不透明材料的另一薄片以制造鏡面反射減少的小孔隙/窗，且不透明材料的該另一薄片可黏著于垂直光學(xué)串音屏障上方/黏著至垂直光學(xué)串音屏障，以提供鏡面反射減少垂直擱板，從圖5中可以了解到。根據(jù)本發(fā)明的具體實例，不透明材料的薄片可為金屬薄片、硅薄片或用不透明材料涂布或以其他方式處理成不透明的玻璃薄片，但不限于此?！霸诰A外”預(yù)成型的不透明垂直光學(xué)串音屏障及不透明垂直擱板(用以減少鏡面反射)可在光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)囊封于透光材料中之后被附著至晶圓。或者，“在晶圓外”預(yù)成型的不透明垂直光學(xué)串音屏障及不透明垂直擱板(用以減少鏡面反射)可附著至晶圓，其中光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)不囊封于透光材料中。其后，光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)可或可不(取決于實施)囊封于透光材料中。
[0112]與同晶圓分離地形成且接著附著至晶圓相反，在組件直接形成于晶圓上的情況下，組件視為“在晶圓上”形成。在組件與晶圓分離形成且接著附著至晶圓的情況下，組件被視為“在晶圓外”形成。在切割晶圓之前將組件添加或附著至晶圓的情況下，組件被視為在晶圓級形成。“在晶圓上”形成的組件及“在晶圓外”形成的組件被視為在晶圓級形成，只要在切割晶圓之前被添加或附著至晶圓。在本文所描述具體實例中，在晶圓級形成(不管是在晶圓上形成還是在晶圓外預(yù)成型且接著在切割之前附著至晶圓)的光學(xué)串音屏障332及外圍屏障334也可被個別稱為或統(tǒng)稱為不透明垂直光學(xué)屏障。不透明垂直光學(xué)屏障的某些實例或部分可充當(dāng)光學(xué)串音屏障332，而其他實例或其部分可充當(dāng)外圍屏障334。鏡面反射減少擱板336及/或338由于在相對于不透明垂直光學(xué)屏障的水平方向上延伸而也可被稱作不透明水平光學(xué)屏障。不透明水平光學(xué)屏障的特定實例或部分可充當(dāng)鏡面反射減少擱板336或338。下文中參看圖14A至圖14C提供鏡面反射為何可出現(xiàn)及對鏡面反射減少擱板336及338的功能的論述。
[0113]在不透明材料的薄片(例如，金屬薄片、硅薄片或用不透明材料涂布或以其他方式處理成不透明的玻璃薄片)用以形成不透明光學(xué)串音屏障及外圍屏障且不透明材料的第二薄片(例如，金屬薄片、硅薄片或用不透明材料涂布或以其他方式處理成不透明的玻璃薄片)用以形成不透明垂直擱板(用以減少鏡面反射)及窗的情況下，此等兩個薄片可在晶圓外彼此附著，且接著附著至晶圓。另或者，其中形成不透明光學(xué)串音屏障及外圍屏障的不透明材料的第一薄片可附著至晶圓，且接著其中形成不透明垂直擱板(用以減少鏡面反射)及窗的第二薄片不透明材料可在第一薄片上方附著至晶圓。
[0114]圖6A至圖6F現(xiàn)將用以描述如何由不透明材料的薄片在晶圓外預(yù)成型不透明垂直光學(xué)串音屏障、不透明外圍屏障及不透明垂直擱板(用以減少鏡面反射)的額外細(xì)節(jié)。換言之，圖6A至圖6F用以描述用于以晶圓級在晶圓外形成不透明垂直光學(xué)屏障及不透明水平光學(xué)屏障的特定具體實例。參看圖6A，其中說明不透明材料的薄片601的一部分的俯視圖，其中開口對應(yīng)于在不透明材料的薄片601中蝕刻的孔隙310及320的所要大小。如上文所提及，不透明材料的薄片601可為金屬薄片或經(jīng)處理成不透明的硅薄片，但不限于此。圖6B說明沿著圖6A中的虛線B-B的圖6A中所示的不透明材料的薄片601的部分的偵_面圖。圖6A及圖6B中所示的不透明材料的經(jīng)蝕刻薄片601用以形成不透明水平光學(xué)屏障，從下文論述的圖6F可以了解到。
[0115]圖6C說明不透明材料的另一經(jīng)蝕刻薄片603的一部分的俯視圖，該薄片可為金屬薄片或經(jīng)處理成不透明的硅薄片，但不限于此。圖6D說明沿著圖6C中的虛線D-D的圖6C中所示的不透明材料的薄片603的部分的側(cè)截面圖。圖6C及圖6D中所示的不透明材料的經(jīng)蝕刻薄片603用以形成不透明垂直光學(xué)屏障，從下文論述的圖6F可以了解到。
[0116]圖6E說明通過例如使用不透明環(huán)氧樹脂將不透明材料的經(jīng)蝕刻薄片601附著于不透明材料的經(jīng)蝕刻薄片603的上方而形成的不透明結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖6F說明沿著圖6E中的虛線F-F而在圖6E中所示的不透明材料的薄片601、603的部分的側(cè)截面圖。如圖6F中所示，不透明材料的經(jīng)蝕刻薄片601用以形成不透明水平光學(xué)屏障，包括用以減少鏡面反射的擱板336及338。也如圖6F中所示，不透明材料的經(jīng)蝕刻薄片603用以形成不透明垂直光學(xué)屏障，包括光學(xué)串音屏障332及外圍屏障334。鑒于以上描述，圖6F中所示的結(jié)構(gòu)可被稱作在晶圓外制成的預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)605。
[0117]圖7說明在晶圓外制成的預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)705的另一實例。參看圖7，在此具體實例中，模制(例如，射出、壓縮或轉(zhuǎn)注模制)不透明模制化合物以同時“在晶圓外”形成光學(xué)串音屏障332、外圍屏障334及不透明水平鏡面反射減少擱板336及/或338，且預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)705此后在用透光材料囊封光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)之后被黏著于晶圓。不透明模制化合物可例如為不透明液晶聚合物、聚鄰苯二甲酰胺(PPA)或其他高溫?zé)崴芰喜牧希幌抻诖?。光學(xué)串音屏障332、外圍屏障334及鏡面反射減少擱板336及/或338可替代地在不用透光材料囊封光偵測器傳感器區(qū)306及光源晶粒316(及結(jié)合導(dǎo)線324，若存在的話)的情況下被黏著至晶圓上。光學(xué)串音屏障332、外圍屏障334及鏡面反射減少擱板336及/或338可通過單一遍次附著以按晶圓的大小制作，或被制造成較小區(qū)段且經(jīng)由多個遍次而被附著至晶圓上。
[0118]在某些具體實例中，例如氣泡透鏡的透鏡可形成于光偵測器傳感器區(qū)及/或光源晶粒之上，從圖5C可了解到。參看圖8，可例如使用透光材料318(例如，透明環(huán)氧樹脂)的液態(tài)壓縮模制形成此些透鏡826。在每一光源晶粒上的透鏡用以聚焦自光源晶粒發(fā)射的光。在每一光偵測器傳感器區(qū)上的透鏡用以聚焦入射于透鏡上的光(反射及/或環(huán)境光)。
[0119]在上文所描述的具體實例中，不需要連接了光源晶粒及光偵測器晶粒的單獨基底基板(例如，PCB基板)。而是，光源晶粒連接至光偵測器晶粒，以使得光偵測器晶粒充當(dāng)成品光電子器件的基底。此情形提供相比于其他近接傳感器器件的顯著成本降低。另外，此情形將總封裝占據(jù)面積減小至大約光偵測器晶粒自身的占據(jù)面積。所生成光電子器件可用于鄰近度偵測以及用于環(huán)境光偵測。
[0120]根據(jù)上文所述特定具體實例，對于每一光學(xué)近接傳感器器件僅需要單一結(jié)合導(dǎo)線。電連接的其余部分通過通孔布線至晶粒的背面，且用焊球或其他外部連接器加工。此情形實現(xiàn)封裝小型化。另外，若用以制造結(jié)合導(dǎo)線的商品(諸如銀(Ag)或銅(Cu))的價格增加，則材料列表不太傾向于增加。在其他具體實例中，不需要結(jié)合導(dǎo)線，如上文所解釋。
[0121]在特定具體實例中，使用晶圓級芯片尺度封裝(CSP)形成光電子器件的組件，其提供大規(guī)模小型化。
[0122]上文所描述的具體實例可用以制造作為為光學(xué)近接傳感器的多個光電子器件。此些光學(xué)近接傳感器也可能夠充當(dāng)環(huán)境光傳感器。本文中所描述的具體實例也可用以制造作為為光學(xué)近接傳感器的多個光電子器件，此等環(huán)境光傳感器不配置以也充當(dāng)光學(xué)近接傳感器。在制造專用環(huán)境光傳感器的此等后述具體實例中，光源晶粒不附著至晶圓
[0123]圖9A說明根據(jù)本發(fā)明的具體實例的光電子器件的俯視圖。圖9B說明圖9A的光電子器件的俯視圖，其中移除了光源晶粒。圖9B說明圖9A的光電子器件的仰視圖。
[0124]根據(jù)某些具體實例，勝于執(zhí)行切割以使得每一所生成器件僅包括單一近接傳感器，可替代地執(zhí)行切割以使得此等傳感器的數(shù)組包括于單一封裝中，從圖10可以了解到。更特定言之，圖10展示在一個封裝1002中的四個光電子器件的數(shù)組:光源晶粒彼此靠近地間隔開的兩個光電子器件1004的數(shù)組，及光源晶粒彼此較遠(yuǎn)地間隔開的兩個光電子器件1006的數(shù)組。其他配置也為可能的。
[0125]圖11為用以概述根據(jù)本發(fā)明的某些具體實例的用于制造多個光電子器件的方法的高階流程圖，開始于包括多個光偵測器傳感器區(qū)的晶圓(例如，306)。參看圖11，步驟1102涉及背磨包括多個光偵測器傳感器區(qū)的晶圓的底部以達(dá)到晶圓的指定厚度。步驟1104涉及對晶圓執(zhí)行硅穿孔(TSV)處理，藉此形成多個通孔。步驟1106涉及在執(zhí)行TSV處理之后，隆起及鍍制通孔且執(zhí)行晶圓背面金屬化。
[0126]取決于實施方式，背磨(在步驟1102處執(zhí)行)可在TSV處理(在步驟1104處執(zhí)行)之前或之后執(zhí)行。根據(jù)某些具體實例，若在TSV處理之后執(zhí)行背磨，則將在背磨之后完成通孔的隆起及鍍制及晶圓背面金屬化的執(zhí)行。
[0127]根據(jù)特定具體實例，在背磨晶圓的底部(在步驟1102處)之后執(zhí)行TSV處理(在步驟1104處)的情況下，TSV處理(在步驟1104處)為自下而上的TSV處理，如上文參看圖3(c)所描述。對薄背磨晶圓執(zhí)行TSV處理歸因于較低通孔深度要求而改良過程能力、成本及循環(huán)時間。此選項也允許TSV處理與CMOS傳感器器件制造過程(用以形成光偵測器傳感器區(qū))脫鉤，且使用不同于CMOS器件制造位置的過程能力及制造位置而充分完成，以充分利用較佳成本結(jié)構(gòu)及制造流程。
[0128]再次參看圖11，步驟1108涉及將多個光源晶粒(例如，316)中的每一者附著至晶圓的頂表面，例如，如上文參看圖3(f)所描述。更特定言之，步驟1108可包括將光源晶粒中的每一者附著至晶圓的頂表面上的單獨結(jié)合襯墊。在步驟1110處，對于多個光源晶粒中的每一者，結(jié)合導(dǎo)線(例如，324)可自光源晶粒的頂部附著至晶圓的頂表面上的另一單獨結(jié)合襯墊?；蛘?，若光源晶粒的底部包括陽極接點及陰極接點兩者，則陽極接點及陰極接點兩者皆可在步驟1108處直接連接至晶圓的頂表面上的相應(yīng)結(jié)合襯墊。換言之，若陽極接點及陰極接點兩者皆位于光源晶粒的底部上，則可消除步驟1110。
[0129]步驟1112涉及模制透光材料(例如，318)以將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于透光材料中。更一般化地，步驟1112涉及將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于透光材料中。透光材料可為例如透光環(huán)氧樹脂(例如，透明或有色環(huán)氧樹脂)，或其他透光樹脂或聚合物。根據(jù)特定具體實例，透光材料為使用阻焊沈積設(shè)備施配的透明阻焊材料。根據(jù)替代具體實例，在具有或不具有真空輔助的情況下，使用液態(tài)壓縮模制來形成透光材料(例如，透明環(huán)氧樹脂)。另或者，如上文所注明，可使用射出或轉(zhuǎn)注模制。
[0130]根據(jù)特定具體實例，模制透光材料以將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于透光材料中(在步驟1112處)的執(zhí)行在隆起及鍍制通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化(在步驟1106處)之后且在將多個光源晶粒附著至晶圓的頂表面(在步驟1108處)之后。在隆起及鍍制通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化之后模制透光材料以將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于材料中的益處在于:避免潛在地褪色透光材料及/或?qū)е驴捎稍诰A背面金屬化期間產(chǎn)生的熱導(dǎo)致的其他熱問題，該過程典型地利用最高溫度且具有最高熱沖擊。
[0131]再次參看圖11，步驟1114涉及制造包括不透明光學(xué)串音屏障的不透明屏障(例如，332)。根據(jù)特定具體實例，步驟1114也包括制造不透明鏡面反射減少擱板(例如，336及/或338)及不透明外圍屏障(例如，334)。根據(jù)某些具體實例，不透明光學(xué)串音屏障、鏡面反射減少擱板及不透明外圍屏障通過模制不透明材料以制造此等屏障來制造。在某些此等具體實例中，諸如但不限于雙重射擊射出模制的雙模制過程用以模制透光材料，以將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于透光材料中(在步驟1112處)，且模制不透明材料以制造不透明光學(xué)串音屏障、反射減少擱板及外圍屏障(在步驟1114處)。
[0132]根據(jù)替代具體實例，在步驟1114處制造不透明光學(xué)串音屏障、鏡面反射減少擱板及外圍屏障涉及將預(yù)成型不透明光學(xué)串音屏障、鏡面反射減少擱板及外圍屏障附著至晶圓，例如，如上文參看圖5至圖7所描述。更一般化地，可在步驟1114處制造的不透明屏障的額外細(xì)節(jié)參看上文圖2至圖7進行論述，且也在下文參看圖14A至圖14C進行論述。
[0133]根據(jù)特定具體實例，對晶圓執(zhí)行(在步驟1106處)的硅穿孔(TSV)處理及隆起及鍍制通孔且晶圓背面金屬化兩者的執(zhí)行(在步驟1106處)皆在將光源晶粒附著至晶圓的頂表面(在步驟1108處)之前且在模制透光材料以將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于透光材料中(在步驟1112處)之前。在將光源晶粒附著至晶圓的頂表面之前及在模制透光材料以將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于透光材料中之前執(zhí)行TSV處理及執(zhí)行通孔的隆起及鍍制以及晶圓背面金屬化的益處在于:通孔的隆起及鍍制以及晶圓背面金屬化(其可包括例如銅(Cu)接種、Cu鍍制及化學(xué)機械拋光/平坦化(CMP))可在無過程約束的情況下執(zhí)行，因為于此階段在晶圓上存在透光材料。
[0134]根據(jù)某些具體實例，將光源晶粒附著至晶圓的頂表面(在步驟1108處)在執(zhí)行背磨(在步驟1102處)之后、在對晶圓執(zhí)行TSV處理(在步驟1104處)之后及在隆起及鍍制通孔且執(zhí)行晶圓背面金屬化(在步驟1106處)之后被執(zhí)行。在執(zhí)行背磨之后、在對晶圓執(zhí)行TSV處理之后及在隆起及鍍制通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化之后將光源晶粒附著至晶圓的頂表面的益處在于:在晶圓的頂部為平面(不具有任何拓?fù)?時執(zhí)行前述步驟為較佳的。否則，晶圓機械完整性可能受損。這是因為光源晶粒的附著及晶圓頂面的透光材料囊封可導(dǎo)致非平面及/或軟性表面，若晶圓研磨改為在前述步驟之后執(zhí)行，則該非平面及/或軟性表面可在晶圓后表面的機械研磨期間導(dǎo)致晶圓斷裂。
[0135]步驟1116涉及將焊球或其他電連接器安裝至晶圓的底部。舉例而言，導(dǎo)電焊盤、襯墊或栓釘而非焊球可被用作電連接器。根據(jù)某些具體實例，焊球或其他電連接器在模制透光材料以將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于透光材料(在步驟1112處)之后被附著至晶圓的底部(在步驟1116處)。根據(jù)替代具體實例，焊球或其他電連接器在模制透光材料以將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于透光材料中(在步驟1112處)之前被附著至晶圓的底部(在步驟1116處)。因此，取決于實施方式，參看圖11所描述的步驟可按其中所示的次序或按替代次序執(zhí)行，本文中描述該等次序中的許多者。
[0136]在模制透光材料以將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于透光材料中(在步驟1112處)之前將焊球或其他電連接器附著至晶圓的底部(在步驟1116處)的益處在于:按此次序執(zhí)行步驟將避免潛在地褪色透光材料(例如，318)及/或?qū)е驴捎筛街盖?例如，342)或其他電接點端子所需要的熱導(dǎo)致的其他熱問題。然而，因為將焊球(或其他電連接器)附著至晶圓的底部所需要的熱小于晶圓背面金屬化所需要的熱，所以此舉的益處不如在光源晶粒(例如，316)及光偵測器傳感器區(qū)(例如，306)之上模制透光材料(例如，318)之前執(zhí)行晶圓背面金屬化。
[0137]再次參看圖11，步驟1118涉及切割晶圓以將晶圓分離成多個光電子器件。根據(jù)某些具體實例，由切割晶圓所得的光電子器件中的每一者包括光偵測器傳感器區(qū)(例如，306)中的至少一者、光源晶粒(例如，308)中的至少一者、光偵測器傳感器區(qū)中的至少一者與光源晶粒中的至少一者之間的不透明光學(xué)串音屏障(例如，332)中的一者及焊球或其他電連接器(例如，342)中的至少兩者。
[0138]可在晶圓上形成在步驟1114處制造的不透明屏障，例如，如上文參看圖3及圖4所描述?；蛘撸稍诰A外預(yù)成型在步驟1114處制造的不透明屏障，例如，如上文參看圖5至圖7所描述。舉例而言，如上文參看圖7所描述，不透明屏障可在晶圓外模制且接著被附著至晶圓?；蛘撸缟衔膮⒖磮D6A至6F所描述且在下文參看圖12所概述，不透明屏障可為由不透明材料的一或多個經(jīng)蝕刻薄片在晶圓外制成的預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)。如上文所指出，在某些具體實例中，由不透明材料在晶圓外制成的預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)包括不透明垂直光學(xué)屏障及不透明水平光學(xué)屏障。在特定具體實例中，不透明垂直光學(xué)屏障及不透明水平光學(xué)屏障由不透明材料的兩個經(jīng)蝕刻薄片制成。圖12的高階流程圖現(xiàn)將用以描述用于在晶圓外形成此預(yù)成型結(jié)構(gòu)且將該結(jié)構(gòu)附著至晶圓的方法。
[0139]參看圖12，步驟1202涉及在晶圓外蝕刻不透明材料的第一薄片以形成不透明垂直光學(xué)屏障，其充當(dāng)光學(xué)串音屏障及外圍屏障。步驟1204涉及在晶圓外蝕刻不透明材料的第二薄片以形成充當(dāng)鏡面反射減少擱板的不透明水平光學(xué)屏障，及形成用于光偵測器傳感器區(qū)及光源晶粒的窗。步驟1206涉及將不透明材料的第一經(jīng)蝕刻薄片附著至晶圓，以使得光偵測器傳感器區(qū)中的每一者通過充當(dāng)光學(xué)串音屏障的垂直光學(xué)屏障中的一者與光源晶粒中的鄰近者分離。步驟1208涉及將不透明材料的第二經(jīng)蝕刻薄片附著至不透明材料的第一經(jīng)蝕刻薄片(在將不透明金屬的第一經(jīng)蝕刻薄片附著至晶圓之前或之后)，以使得存在在光偵測器傳感器區(qū)中的每一者的至少一部分上的窗及在光源晶粒中的每一者的至少一部分上的窗。在某些具體實例中，不透明材料的第一及第二薄片皆為金屬薄片。在其他具體實例中，不透明材料的第一及第二薄片皆為硅薄片。在其他具體實例中，不透明材料的第一及第二薄片皆為用不透明材料涂布或以其他方式處理成不透明的玻璃薄片。也將有可能不透明材料的第一及第二薄片中的一者為金屬薄片，且不透明材料的第一及第二薄片中的另一者為硅薄片或經(jīng)處理成不透明的玻璃薄片。更一般化地，不透明材料的第一及第二薄片可為相同類型的不透明材料的薄片，或不透明材料的第一及第二薄片的類型可彼此不同。圖12中所描述的步驟的示例性額外細(xì)節(jié)可從圖6A至圖6F的以上論述中了解到。
[0140]在替代具體實例中，預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)由不透明模制化合物模制(例如，射出模制、壓縮模制或轉(zhuǎn)注模制)。不透明模制化合物可為例如不透明液晶聚合物、聚鄰苯二甲酰胺(PPA)或一些其他高溫?zé)崴芰喜牧?，但不限于此。預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)可如何由不透明模制化合物在晶圓外模制及接著附著至晶圓的示例性額外細(xì)節(jié)可從圖7的以上論述了解到。
[0141]在某些具體實例中，將光偵測器傳感器區(qū)及光傳感器晶粒囊封于透光材料中是發(fā)生于附著預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)之前的時間。如例如圖3(e)中所示，凹槽(例如，312)可形成于光偵測器傳感器區(qū)與鄰近光源晶粒之間的透光材料(例如，318)中。光偵測器傳感器區(qū)及光源晶粒(及結(jié)合導(dǎo)線，若存在的話)首先可囊封于透光材料中，且接著可模制/形成凹槽，如上文參看圖3(d)及圖3(e)所描述。或者，光偵測器傳感器區(qū)及光源晶粒(及結(jié)合導(dǎo)線，若存在的話)可與經(jīng)形成凹槽同時囊封于透光材料中，如上文參看圖3(e)所描述。其他變化也為可能的，且在本發(fā)明的具體實例的范疇內(nèi)。
[0142]本發(fā)明的具體實例的光電子器件可用于各種系統(tǒng)中，包含但不限于移動電話及其他手持型器件。參看圖13的系統(tǒng)1300，例如光電子器件1302(例如，202)可用以控制是啟用還是停用子系統(tǒng)1306(例如，觸摸屏、背光、虛擬滾輪、虛擬小鍵盤、導(dǎo)覽墊等)。舉例而言，光電子器件1302可偵測諸如人手指的對象1308何時在接近，且基于該偵測啟用抑或停用子系統(tǒng)1306。更特定言之，驅(qū)動器1303選擇性地驅(qū)動光電子器件1302的光源晶粒(例如，216 )，藉此致使光源晶粒發(fā)射自對象1308反射離開的光。驅(qū)動器1303可在器件1302的外部(如圖所示)或為器件1302的一部分(例如，器件1302的晶粒中的一者的一部分)。反射光的一部分由光電子器件1302的光源晶粒的光偵測器傳感器區(qū)(例如，306)偵測到。將光電子器件1302的輸出提供至比較器或處理器1304，該比較器或處理器可比較光電子器件1302的輸出與臨限值，以取決于需要為何而判定對象1308是否在應(yīng)啟用或停用子系統(tǒng)1306的范圍內(nèi)。可使用多個臨限值，且可基于對象1308的偵測到的鄰近度而出現(xiàn)一個以上的可能響應(yīng)。舉例而言，第一響應(yīng)可在對象1308在第一鄰近度范圍內(nèi)的情況下出現(xiàn)，且第二響應(yīng)可在對象1308在第二鄰近度范圍內(nèi)的情況下出現(xiàn)。在系統(tǒng)1300中，光電子器件1302用以偵測對象1308的鄰近度，且因此器件1302也可被稱作光學(xué)近接傳感器。
[0143]圖14A、圖14B及圖14C現(xiàn)將用以進一步描述為何可出現(xiàn)鏡面反射，及上文引述的鏡面反射減少擱板336及338的功能。圖14A說明光電子裝置，其包括通過不透明光學(xué)串音屏障332而被彼此分離的光源晶粒316及光偵測器傳感器區(qū)306。此光電子裝置可被用作近接偵測器。如圖14A中所示，光電子裝置(包括光源晶粒316及光偵測器傳感器區(qū)306)可供蓋板1402使用(例如，放置在蓋板背后或由蓋板覆蓋)，該蓋板可例如由玻璃、塑料或一些其他保護性透光材料制成。此蓋板1402包括閉合表面1404及遠(yuǎn)表面1406，其間具有板1402的厚度。雖然閉合表面1404經(jīng)展示為距光電子裝置的頂表面有一段距離，但也有可能閉合表面接觸(也即，鄰接)光電子裝置的頂表面。蓋板1402可為例如覆蓋移動電話、個人音樂播放器或個人資料助理(PDA)的屏幕的玻璃或覆蓋膝上型計算機的屏幕的塑料，但不限于此。
[0144]也在圖14A中展示了示例性光線1403。從圖14A可以了解到，光線或其部分中的至少一些可歸因于鏡面反射而朝向光電子裝置的光偵測器傳感器區(qū)306往回反射。正如期望將自光源晶粒316直接透射至光偵測器傳感器區(qū)306的光減至最小一樣，也期望將鏡面反射減至最小，因為此等反射類似地降低器件整體感測距離的能力，因為該等反射基本上為不含信息的噪聲。為了減少及較佳地防止由光偵測器傳感器區(qū)進行的對鏡面反射的偵測，可添加一或多個鏡面反射減少擱板，如下文參看圖14A及圖14B所描述。
[0145]參看圖14B，光學(xué)串音屏障332防止通過光源晶粒316產(chǎn)生的光直接行進至光偵測器傳感器區(qū)306。另外，可被稱作鏡面反射減少擱板336的不透明垂直屏障336減少鏡面反射。自光學(xué)串音屏障332延伸的此屏障336形成光源晶粒316上的擱板，且在某些具體實例中，覆蓋光源晶粒316的發(fā)光組件的至少一部分，如圖14B中所示。從圖14A與圖14B之間的比較可了解到，擱板336減少鏡面反射的量，且藉此在光電子器件與蓋板(例如，1402)—起使用的情況下，減少(及較佳地最小化)由光偵測器傳感器區(qū)306偵測到的原本將歸因于鏡面反射的光量。以此方式，鏡面反射減少擱板336增加光電子器件的敏感度。換言之，鏡面反射減少擱板336增加將由光偵測器傳感器區(qū)306偵測到的光的百分比，其實際上歸因于蓋板1402的遠(yuǎn)側(cè)上的對象的反射(與自蓋板1402自身的反射相反)。
[0146]參看圖14C，根據(jù)某些具體實例，另一不透明垂直屏障338減少鏡面反射的偵測。此屏障338形成光偵測器傳感器區(qū)306上的擱板，且在具體實例中，覆蓋光偵測器傳感器區(qū)306的至少一部分，如圖14C中所示。從圖14A與圖14C之間的比較可以了解到，擱板338減少由光偵測器傳感器區(qū)306偵測到的鏡面反射的量，且藉此增加光電子器件的敏感度。換言之，鏡面反射減少擱板338阻擋在不包括擱板338的情況下原本將由光偵測器傳感器區(qū)306偵測到的至少一些鏡面反射。
[0147]前述描述為本發(fā)明的較佳具體實例。已出于說明及描述的目的提供此等具體實例，但該等具體實例并不意欲為詳盡的，或?qū)⒈景l(fā)明限制為所揭示的精確形式。對于熟習(xí)此項技術(shù)者而言，許多修改及變化將為顯而易見的。選擇及描述具體實例以便最佳地描述本發(fā)明的原理及其實務(wù)應(yīng)用，藉此使得熟習(xí)此項技術(shù)者能夠理解本發(fā)明。
[0148]雖然以上已描述本發(fā)明的各種具體實例，但應(yīng)理解，其已通過實例且非限制來提出。熟習(xí)相關(guān)技術(shù)者將顯而易見，在不背離本發(fā)明的精神及范疇的情況下，可在其中進行形式及細(xì)節(jié)的各種改變。
[0149]本發(fā)明的范圍及范疇不應(yīng)由上述示例性具體實例中的任一者限制，而應(yīng)僅根據(jù)以下申請專利范圍及其等效物進行界定。
【主權(quán)項】
1.一種用于制造多個光電子器件的方法，其包含: (a)對晶圓執(zhí)行硅穿孔(TSV)處理，該晶圓包括多個光偵測器傳感器區(qū)，藉此形成多個通孔； (b)在執(zhí)行該硅穿孔處理之后，隆起及鍍制該通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化； (C)將多個光源晶粒中的每一者附著至該晶圓的頂表面;及 (d)在該(b)隆起及鍍制該通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化之后，且在該(C)將該多個光源晶粒附著至該晶圓的該頂表面之后，模制透光材料以將該光偵測器傳感器區(qū)及該光傳感器晶粒囊封于該透光材料中； (e)制造包括不透明光學(xué)串音屏障的不透明屏障； (f)將焊球或其他電連接器附著至該晶圓的底部;及 (g)切割該晶圓以將該晶圓分離成多個光電子器件。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括: 在該(a)對該晶圓執(zhí)行硅穿孔處理之前，背磨包括該多個光偵測器傳感器區(qū)的該晶圓的底部，以達(dá)到該晶圓的指定厚度。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中該(a)對該晶圓執(zhí)行硅穿孔處理包含在該背磨該晶圓的該底部之后，對該晶圓執(zhí)行自下而上的硅穿孔處理。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中在該(C)將該多個光源晶粒附著至該晶圓的該頂表面之前且在該(d)模制該透光材料以將該光偵測器傳感器區(qū)及該光傳感器晶粒囊封于該透光材料中之前，執(zhí)行該(a)對該晶圓執(zhí)行硅穿孔(TSV)處理且該(b)隆起及鍍制該通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化。5.如權(quán)利要求2所述的方法，其中在該執(zhí)行該背磨之后、在該(a)對該晶圓執(zhí)行該硅穿孔處理之后且在該(b)隆起及鍍制該通孔及該執(zhí)行晶圓背面金屬化之后，執(zhí)行該(C)將該多個光源晶粒附著至該晶圓的該頂表面。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在該(d)模制該透光材料以將該光偵測器傳感器區(qū)及該光傳感器晶粒囊封于該透光材料中之前，執(zhí)行該(f)將焊球或其他電連接器附著至該晶圓的該底部。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中在該(d)模制該透光材料以將該光偵測器傳感器區(qū)及該光傳感器晶粒囊封于該透光材料中之后，執(zhí)行該(f)將焊球或其他電連接器附著至該晶圓的該底部。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中由該(g)切割該晶圓所得的該光電子器件中的每一者包括該光偵測器傳感器區(qū)中的至少一者、該光源晶粒中的至少一者、在該光偵測器傳感器區(qū)中的該至少一者與該光源晶粒中的該至少一者之間的該不透明光學(xué)串音屏障中的一者及該焊球或其他電連接器中的至少兩者。9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該(e)制造不透明屏障也包括制造不透明鏡面反射減少擱板及不透明外圍屏障。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該制造該不透明光學(xué)串音屏障、該鏡面反射減少擱板及該不透明外圍屏障包含模制不透明材料以制造該不透明光學(xué)串音屏障、該鏡面反射減少擱板及該不透明外圍屏障。11.如權(quán)利要求1O所述的方法，其中該模制該透光材料及該模制該不透明材料以制造該不透明光學(xué)串音屏障、該不透明鏡面反射減少擱板及該不透明外圍屏障的執(zhí)行是使用雙模制過程。12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該制造不透明光學(xué)串音屏障、該不透明鏡面反射減少擱板及外圍屏障包含將預(yù)成型的不透明光學(xué)串音屏障、鏡面反射減少擱板及外圍屏障附著至該晶圓。13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該光偵測器傳感器區(qū)中的每一者包含使用CMOS器件制法加以制造的CMOS影像傳感器。14.一種用于制造多個光電子器件的方法，其包含: (a)在晶圓的頂表面中形成多個光偵測器傳感器區(qū)； (b)在該晶圓的該頂表面中形成該多個光偵測器傳感器區(qū)之后，在該晶圓中形成多個通孔； (C)在該晶圓中形成該多個通孔之后，隆起及鍍制該通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化； (d)在隆起及鍍制該通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化之后，將多個光源晶粒附著至該晶圓的該頂表面，以使得該光源晶粒中的每一者與該光偵測器傳感器區(qū)中的一者間隔開； (e)在將該多個光源晶粒附著至該晶圓的該頂表面之后，將該多個光偵測器傳感器區(qū)及該多個光源晶粒囊封于透光模制材料中； (f)將焊球或其他電連接器附著至該晶圓的底部;及 (g)將該晶圓分離成多個光電子器件。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該光偵測器傳感器區(qū)中的每一者包含使用CMOS器件制法加以制造的CMOS影像傳感器。16.如權(quán)利要求14所述的方法，其進一步包含在將該晶圓分離成該多個光電子器件之前，將在晶圓外由不透明材料制成的預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)附著至該晶圓，該預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)包括不透明垂直光學(xué)屏障。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在晶圓外制成的該預(yù)成型不透明結(jié)構(gòu)由不透明材料的一或多個經(jīng)蝕刻薄片制成，或在晶圓外模制。18.如權(quán)利要求14所述的方法，其進一步包含在將該晶圓分離成該多個光電子器件之前，在晶圓上形成不透明光學(xué)串音屏障。19.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該(f)將焊球或其他電連接器附著至該晶圓的該底部發(fā)生在該隆起及鍍制該通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化之后且在該將該晶圓分離成該多個光電子器件之前的任何時間處。20.一種用于制造多個光電子器件的方法，其包含: (a)在晶圓的頂表面中形成多個光偵測器傳感器區(qū)； (b)背磨包括該多個光偵測器傳感器區(qū)的該晶圓的底部，以達(dá)到該晶圓的指定厚度。 (C)在該背磨該晶圓的該底部之后，對該晶圓執(zhí)行自下而上的硅穿孔(TSV)處理； (d)在執(zhí)行該自下而上的硅穿孔處理之后，隆起及鍍制該通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化； (e)在該隆起及鍍制該通孔及執(zhí)行晶圓背面金屬化之后，將多個光源晶粒中的每一者附著至該晶圓的頂表面； (f)在該將該多個光源晶粒附著至該晶圓的該頂表面之后，模制透光材料以將該光偵測器傳感器區(qū)及該光傳感器晶粒囊封于該透光材料中； (g)制造包括不透明光學(xué)串音屏障及鏡面反射減少擱板的不透明屏障，以使得該光偵測器傳感器區(qū)中的每一者通過該不透明光學(xué)串音屏障中的一者與該光源晶粒中的相應(yīng)一者分離； (h)將焊球或其他電連接器附著至該晶圓的該底部;及 (i)切割該晶圓以將該晶圓分離成多個光電子器件。21.—種光學(xué)近接傳感器，其包含: 光偵測器晶粒，其包括光偵測器傳感器區(qū)域及在該光偵測器晶粒中不包括該光偵測器傳感器區(qū)域的一部分上的至少兩個結(jié)合襯墊； 光源晶粒，其包括陽極端子及陰極端子且附著至該光偵測器晶粒中不包括該光偵測器傳感器區(qū)域的一部分，以使得該光源晶粒的該端子中的在該光源晶粒的底部上的至少一者附著至該光偵測器晶粒上的該結(jié)合襯墊中的至少一者； 不透明屏障，其在晶圓外相對于包括該光偵測器晶粒的晶圓而形成，被附著至該光偵測器傳感器區(qū)域與該光源晶粒且在該光偵測器傳感器區(qū)域與該光源晶粒之間自該光偵測器晶粒的頂部向上延伸，以使得整個該光源晶粒在該不透明屏障的與該光偵測器傳感器區(qū)域相反的一側(cè)上； 用于該光偵測器晶粒的底部上的該光偵測器傳感器區(qū)域及該光源晶粒兩者的電連接器;及 該光偵測器晶粒中的通孔，其將該光偵測器傳感器區(qū)域及該光源晶粒的該陽極端子及該陰極端子電連接至在該光偵測器晶粒的該底部上的該電連接器中的相應(yīng)電連接器。22.如權(quán)利要求21所述的光學(xué)近接傳感器，其中: 在晶圓外相對于包括該光偵測器晶粒的晶圓而由液晶聚合物或聚鄰苯二甲酰胺模制該不透明屏障;及 該不透明屏障通過不透明環(huán)氧樹脂以在該光偵測器傳感器區(qū)域與該光源晶粒之間被黏著至該光偵測器晶粒的該頂部。23.如權(quán)利要求21所述的光學(xué)近接傳感器，其中該不透明屏障由不透明材料的一或多個經(jīng)蝕刻薄片制成，且其中不透明材料的該一或多個經(jīng)蝕刻薄片中的每一者系選自由以下各者組成的群組:金屬薄片、硅薄片或經(jīng)處理成不透明的玻璃薄片。24.如權(quán)利要求21所述的光學(xué)近接傳感器，其中該光源晶粒的該陽極端子及該陰極端子兩者皆在該光源晶粒的該底部上，且通過導(dǎo)電環(huán)氧樹脂被附著至該光偵測器晶粒上的該結(jié)合襯墊中的相應(yīng)結(jié)合襯墊。25.如權(quán)利要求21所述的光學(xué)近接傳感器，其中該光源晶粒的該陽極端子及該陰極端子中的一者在該光源晶粒的該底部上，且通過導(dǎo)電環(huán)氧樹脂被附著至該光偵測器晶粒上的該結(jié)合襯墊中的一者，且該光源晶粒的該陽極端子及該陰極端子中的另一者在該光源晶粒的頂部上，且通過結(jié)合導(dǎo)線被附著至該光偵測器晶粒上的該結(jié)合襯墊中的另一者。
【文檔編號】H01L21/77GK106057733SQ201610177006
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年3月25日 公開號201610177006.5, CN 106057733 A, CN 106057733A, CN 201610177006, CN-A-106057733, CN106057733 A, CN106057733A, CN201610177006, CN201610177006.5
【發(fā)明人】斯里·加尼許·A·塔倫瑪琳甘
【申請人】英特希爾美國公司