反熔絲、反熔絲陣列及其操作方法
【專利摘要】公開了一種反熔絲、反熔絲陣列及其操作方法。反熔絲陣列包括：有源區(qū)，形成在半導(dǎo)體襯底中；狹縫區(qū)，形成在有源區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊緣部分；多個(gè)選擇柵極，在與有源區(qū)的第一方向垂直的第二方向上延伸，并耦接到選擇字線；多個(gè)第一編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，形成在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到第一編程字線；多個(gè)第二編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，形成在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到第二編程字線；以及位線，垂直于選擇字線。
【專利說明】
反熔絲、反熔絲陣列及其操作方法
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 要求于2015年4月10日提交的第10-2015-0050988號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)， 該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過引用整體合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本公開的實(shí)施例涉及一種反熔絲、反熔絲陣列及其操作方法，更具體地，涉及一種 具有改善的編程效率的反熔絲陣列。
【背景技術(shù)】
[0004] 半導(dǎo)體器件的反熔絲初始處于絕緣狀態(tài)，并在施加比其閾值電壓大的電壓時(shí)轉(zhuǎn)變 為導(dǎo)電狀態(tài)。反熔絲包括編程晶體管和選擇晶體管。
[0005] 反熔絲陣列包括編程晶體管、選擇晶體管和位線。選擇一個(gè)編程晶體管、一個(gè)選擇 晶體管和一個(gè)位線以對(duì)目標(biāo)單元編程。
[0006] 當(dāng)對(duì)編程晶體管的編程?hào)艠O施加高電壓時(shí)，編程?hào)艠O的柵極絕緣膜由于高電壓編 程?hào)艠O與低電壓位線之間的電壓差而破壞。更具體地，將足以形成導(dǎo)電溝道的電壓施加到 選擇晶體管的選擇柵極，傳送編程?hào)艠O電壓。然后，編程?hào)艠O與位線之間的電壓差作用于柵 極絕緣膜。這引起編程?hào)艠O的柵極絕緣膜破壞，完成編程操作。
[0007] 反熔絲允許存儲(chǔ)單元的修復(fù)在封裝級(jí)執(zhí)行，可以提高凈裸片（net die)的數(shù)量，可 以改善產(chǎn)品特性，并且可以克服在使用常規(guī)激光熔絲時(shí)存在的器件限制和制造限制。由于 反熔絲的上述特性，預(yù)期反熔絲在各種技術(shù)領(lǐng)域中將變得更廣泛使用。
[0008] 為了使反熔絲正常作用，必須形成高質(zhì)量的氧化物膜，使得除非對(duì)反熔絲編程，否 則電流不泄漏。此外，在編程后，重要的是保證編程操作的成功（即，柵極氧化物膜被完全 破壞）。
[0009] 隨著必需的熔絲數(shù)目的增加以及每個(gè)熔絲尺寸的增加，由反熔絲占據(jù)的芯片面積 也不可避免地增加。因此，一直致力于尋找提高反熔絲的集成度同時(shí)維持性能特性的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本公開的各種實(shí)施例在于提供一種反熔絲、反熔絲陣列及其操作方法，其基本上 消除相關(guān)技術(shù)的一個(gè)或更多個(gè)問題、限制和缺點(diǎn)。
[0011] 實(shí)施例涉及一種反熔絲、反熔絲陣列及其操作方法，其中，反熔絲的編程?hào)艠O形成 為島狀形狀，使得在不增加編程?hào)艠O區(qū)域的尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)改善的編程效率。
[0012] 根據(jù)本公開的實(shí)施例，反熔絲包括：有源區(qū)，形成在半導(dǎo)體襯底中；狹縫區(qū)，形成 在有源區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊緣部分；選擇柵極，在與有源區(qū)的第一方向垂直的第二 方向上延伸；以及第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，并安置在由狹縫區(qū)隔 離的有源區(qū)之上。
[0013] 根據(jù)本公開的另一方面，反熔絲陣列包括：有源區(qū)，形成在半導(dǎo)體襯底中；狹縫 區(qū)，形成在有源區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊緣部分；多個(gè)選擇柵極，在與有源區(qū)的第一方向 垂直的第二方向上延伸，并耦接到選擇字線；多個(gè)第一編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，形成 在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到第一編程字線；多個(gè)第二編程?hào)艠O，與選擇柵極間 隔開，形成在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到第二編程字線；以及位線，垂直于選擇 字線。
[0014] 根據(jù)本公開的另一方面，操作反熔絲陣列的方法包括：當(dāng)?shù)谝痪幊號(hào)艠O和第二編 程?hào)艠O中的至少一個(gè)的柵極絕緣膜被破壞時(shí)，確定對(duì)應(yīng)的編程?hào)艠O的編程狀態(tài)。反熔絲陣 列包括：有源區(qū)，形成在襯底中；狹縫區(qū)，形成在有源區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊緣部分； 多個(gè)選擇柵極，在與有源區(qū)的第一方向垂直的第二方向上延伸，并耦接到選擇字線；多個(gè)第 一編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，安置在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到第一編程字 線；多個(gè)第二編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，安置在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到 第二編程字線；以及位線，垂直于選擇字線。
[0015] 將理解的是，前面的總體描述與接下來的詳細(xì)描述都是示例性的和解釋性的，并 意在對(duì)權(quán)利要求書提供進(jìn)一步的解釋。
【附圖說明】
[0016] 圖1是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的構(gòu)成反熔絲陣列的熔絲單元的布局圖。
[0017] 圖2A到圖2C是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的反熔絲的剖面圖。
[0018] 圖3A到圖5C是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的形成反熔絲的方法。
[0019] 圖6是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的反熔絲陣列的布局圖。
[0020] 圖7是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的反熔絲陣列的等效電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021 ] 現(xiàn)在將詳細(xì)地參照特定實(shí)施例，在附圖中圖示了特定實(shí)施例的示例。只要可能，就 將在整個(gè)附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來指代相同或相似的部件。當(dāng)對(duì)公知或之前討論的結(jié) 構(gòu)或功能的詳細(xì)描述可能使主題不太清晰時(shí)，將省略對(duì)其的描述。
[0022] 反熔絲具有編程特性，其中，反熔絲初始處于絕緣狀態(tài)，在施加比閾值電壓大的電 壓之后轉(zhuǎn)換到導(dǎo)電狀態(tài)。反熔絲包括編程晶體管和選擇晶體管。
[0023] 圖1是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的熔絲單元U的布局圖。更詳細(xì)地，以1X2形狀展 示具有兩個(gè)單位單元的恪絲單元U。
[0024] 構(gòu)成反熔絲陣列的熔絲單元U包括由η溝道型MOS晶體管組成的多個(gè)編程?hào)艠O 120以及多個(gè)選擇柵極110。參見圖1，有源區(qū)100在第一方向（即，水平方向）上延伸。盡 管未在圖1中示出，但有源區(qū)100可以由器件隔離層限定。一個(gè)有源區(qū)100可以包括中心 部分以及形成在中心部分的一側(cè)或兩側(cè)的至少一個(gè)邊緣部分。有源區(qū)100可以在兩個(gè)相鄰 的中心部分連接的條件下由狹縫區(qū)123隔離每個(gè)邊緣部分而形成。換言之，有源區(qū)100的 兩個(gè)相鄰的中心部分連接，有源區(qū)100在有源區(qū)100的邊緣部分處由狹縫區(qū)123劃分成兩 部分。狹縫區(qū)123可以形成在基于有源區(qū)100的中心部分的一側(cè)和另一側(cè)，并在有源區(qū)100 的第一方向上延伸。為了方便，在下文中將把通過連接兩個(gè)相鄰的中心部分形成的有源區(qū) 100稱作一個(gè)有源區(qū)。
[0025] 多個(gè)選擇柵極110可以形成為跨越有源區(qū)100。選擇柵極110呈在第二方向上延 伸的直線而形成，即，橫貫有源區(qū)100的方向。兩個(gè)選擇柵極110可以基于設(shè)置在它們之間 的中心部分而形成在一個(gè)有源區(qū)100之上。選擇柵極110可以構(gòu)成被配置為選擇特定單元 的選擇晶體管的柵極。
[0026] 多個(gè)編程?hào)艠O120可以在第一方向上以預(yù)定間距相互間隔開，每個(gè)編程?hào)艠O120 安置于選擇柵極110的與有源區(qū)100的中心部分相對(duì)的一側(cè)。編程?hào)艠O120可以構(gòu)成編程 晶體管的柵極。編程?hào)艠O120可以在通過狹縫區(qū)123隔離的有源區(qū)100的邊緣部分之上沿 第二方向隔離。隔離的編程?hào)艠O120可以包括第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b。
[0027] 第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b中的每個(gè)可以形成為島狀形狀。第一編 程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b可以通過有源區(qū)100的狹縫區(qū)123在第二方向上以預(yù)定 間距相互間隔開。第一編程?hào)艠O120a的一側(cè)與第二編程?hào)艠O120b的另一側(cè)可以在第二方 向上以狹縫區(qū)123的臨界尺寸（W)相互間隔開。
[0028] 圖2A到圖2C是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的反熔絲的剖面圖。更詳細(xì)地，圖2A是圖 示沿著圖1中的A-A'線截取的反熔絲的剖面圖，圖2B是沿著圖1中的B-B'線截取的反熔 絲的剖面圖，圖2C是圖示沿著圖1中的C-C'線截取的反熔絲的剖面圖。
[0029] 參見圖2A到圖2C，反熔絲包括多個(gè)有源區(qū)100,每個(gè)有源區(qū)100可以由器件隔離 膜103限定。一個(gè)有源區(qū)100可以包括中心部分以及形成在中心部分的一側(cè)或兩側(cè)的至少 一個(gè)邊緣部分。有源區(qū)100可以在兩個(gè)相鄰的中心部分相互連接的情況下通過經(jīng)由狹縫區(qū) 123隔離每個(gè)邊緣部分而形成。換言之，有源區(qū)100的兩個(gè)相鄰的中心部分連接，有源區(qū)100 在有源區(qū)100的邊緣部分處由狹縫區(qū)123劃分成兩部分。為了方便，在下文中將把通過連 接兩個(gè)相鄰的中心部分而形成的有源區(qū)100稱作一個(gè)有源區(qū)。
[0030] 多個(gè)選擇柵極110可以形成為跨越有源區(qū)100 (見圖2B和圖2C)。選擇柵極110 呈在第二方向上延伸的直線而形成，即，橫貫有源區(qū)100的方向。兩個(gè)選擇柵極110可以基 于設(shè)置在它們之間的中心部分而形成在一個(gè)有源區(qū)100之上。選擇柵極Iio可以構(gòu)成被配 置為選擇特定單元的選擇晶體管的柵極。多個(gè)選擇晶體管Iio可以在第一方向上相互間隔 開。
[0031 ] 選擇柵極110可以由導(dǎo)電膜105 (例如，多晶硅層或金屬層）形成。此外，選擇柵極 110可以包括置于導(dǎo)電膜105之下的柵極絕緣膜104。選擇柵極110可以包括順序地沉積 在導(dǎo)電膜105之上的阻擋膜106、硅化鎢膜107和硬掩膜氮化物膜108。選擇柵極110可以 包括沉積在柵極絕緣膜104、導(dǎo)電膜105、阻擋膜106、硅化鎢膜107和硬掩膜氮化物膜108 的側(cè)壁處的間隔件109。
[0032] 編程?hào)艠O120可以在第一方向上以預(yù)定間距相互間隔開，每個(gè)編程?hào)艠O120安置 在選擇柵極110的與有源區(qū)的中心部分相對(duì)的一側(cè)。編程?hào)艠O120可以構(gòu)成編程晶體管的 柵極。編程?hào)艠O120可以在通過狹縫區(qū)123隔離的有源區(qū)100的邊緣部分之上沿第二方向 隔離。隔離的編程?hào)艠O120可以包括第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b (見圖2A)。
[0033] 編程?hào)艠O120可以由層疊結(jié)構(gòu)形成，且由與選擇柵極110基本上相同的材料形成。 編程?hào)艠O120可以由導(dǎo)電膜115(例如，多晶硅層或金屬層）形成。此外，編程?hào)艠O120可 以包括置于導(dǎo)電膜115之下的柵極絕緣膜114。編程?hào)艠O120可以包括順序地沉積在導(dǎo)電 膜115之上的阻擋膜116、硅化鎢膜117和硬掩膜氮化物膜118。編程?hào)艠O120可以包括沉 積在柵極絕緣膜114、導(dǎo)電膜115、阻擋膜116、硅化鎢膜117和硬掩膜氮化物膜118的側(cè)壁 處的間隔件119。
[0034] 第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b中的每個(gè)可以形成為島狀形狀。第一編 程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b可以通過有源區(qū)100的狹縫區(qū)123在第二方向上以預(yù)定 間距相互間隔開。第一編程?hào)艠O120a的一側(cè)與第二編程?hào)艠O120b的另一側(cè)可以在第二方 向上以狹縫區(qū)123的臨界尺寸（W)相互間隔開。狹縫區(qū)123可以由具有與器件隔離膜103 相同的深度的溝槽來形成，并用與器件隔離膜103的材料相同的材料來填充溝槽。
[0035] 第一編程?hào)艠O120a與第二編程?hào)艠O120b中的每個(gè)可以在第二方向上與相鄰的有 源區(qū)100重疊。第一接觸145a和第二接觸145b可以分別耦接到第一編程?hào)艠O120a和第 二編程?hào)艠O120b。第一金屬線150a耦接到第一接觸145a，金屬線150b耦接到第二接觸 145b (見圖2A和圖2C)。
[0036] 位線接觸155可以置于有源區(qū)100的中心部分之上，位線160可以耦接到位線接 觸155 (見圖2B)。位線160可以形成為跨越選擇柵極110的在第一方向上延伸的延長(zhǎng)線。
[0037] 圖3A到圖5C是圖示形成圖2A到圖2C中示出的反熔絲的方法的剖面圖。
[0038] 在圖3A到圖5C中，圖3A、圖4A和圖5A是圖示沿著圖1中的A-A'線截取的反熔 絲的剖視圖，圖3B、圖4B和圖5B是圖示沿著圖1中的B-B'線截取的反熔絲的剖視圖，圖 3C、圖4C和圖5C是圖示沿著圖1中的C-C'線截取的反熔絲的剖視圖。
[0039] 參見圖3A到圖3C，在包括有源區(qū)100和器件隔離膜103的半導(dǎo)體襯底之上順序地 形成柵極絕緣膜104和114、導(dǎo)電膜105和115、阻擋膜106和116、硅化鎢膜107和117以及 硬掩膜氮化物膜108和118,由此形成柵極層疊結(jié)構(gòu)。在這種情形下，可以在有源區(qū)100的 邊緣部分形成溝槽形狀的狹縫區(qū)123,且可以以這樣的方式用絕緣膜填充狹縫區(qū)123,即， 使得狹縫區(qū)123可以具有與器件隔離膜103相同的深度。可以通過對(duì)有源區(qū)100執(zhí)行熱氧 化來形成柵極絕緣膜104和114,或者可以通過在有源區(qū)100之上沉積氧化物膜來形成柵極 絕緣膜104和114。此外，導(dǎo)電膜105可以由包括多晶硅或金屬的材料形成。
[0040] 在柵極層疊結(jié)構(gòu)之上形成限定柵極圖案的第一掩膜圖案（未示出）。其后，使用第 一掩膜圖案（未示出）作為刻蝕掩膜來刻蝕柵極層疊結(jié)構(gòu)，從而形成延長(zhǎng)線形狀的柵極圖 案以跨越有源區(qū)100。
[0041] 在刻蝕第一掩膜圖案（未示出）之后，在包括柵極圖案的整個(gè)表面之上沉積間隔 件材料。間隔件材料可以由氮化物膜形成。其后，通過回刻蝕工藝在柵極圖案的側(cè)壁形成 柵極間隔件109和119,從而形成選擇柵極110和編程?hào)艠O120。
[0042] 在包括編程?hào)艠O120的整個(gè)表面之上形成使置于有源區(qū)100之上的編程?hào)艠O120 的某些部分暴露的第二掩膜圖案（未示出）?？梢詫⒌诙谀D案（未示出）形成為暴露 狹縫區(qū)123。
[0043] 使用第二掩膜圖案（未示出）作為刻蝕掩膜來刻蝕線形形狀的編程?hào)艠O120,第一 編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b中的每個(gè)可以形成為島狀形狀。在這種情形下，可以刻 蝕第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b以暴露狹縫區(qū)123。即，第一編程?hào)艠O120a和 第二編程?hào)艠O120b可以在有源區(qū)100之上以狹縫區(qū)123的臨界尺寸（W)相互間隔開。兩 個(gè)編程?hào)艠O（即，第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b)可以在一個(gè)有源區(qū)100的上部 基于設(shè)置在它們之間的狹縫區(qū)123相互間隔開。第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b 可以分別形成在兩個(gè)相鄰的有源區(qū)100之上。由于可以分開地控制用于從一個(gè)有源區(qū)100 選擇的單位單元的兩個(gè)編程?hào)艠O120a和120b，故可以對(duì)從一個(gè)有源區(qū)100選擇的單位單元 編程兩次。
[0044] 此外，由于線形形狀的編程?hào)艠O形成為獨(dú)立的島狀形狀，故可以在不增加區(qū)域的 尺寸的情況下使編程成功率加倍。
[0045] 參見圖4A到4C，在刻蝕第二掩膜圖案（未示出）之后，在包括選擇柵極110、第一 編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b的半導(dǎo)體襯底的整個(gè)表面之上形成層間絕緣膜130。
[0046] 層間絕緣膜130可以由氧化物材料形成。例如，氧化物材料可以從高密度等離 子體（HDP)氧化物膜、硼磷硅酸鹽玻璃（BPSG)膜、磷硅酸鹽玻璃（PSG)膜、硼硅酸鹽玻璃 (BSG)膜、四乙基原硅酸鹽（TEOS)膜、不摻雜硅酸鹽玻璃（USG)膜、氟化硅酸鹽玻璃（FSG) 膜、碳摻雜氧化物（CDO)膜以及有機(jī)硅酸鹽玻璃（OSG)膜中選擇。此外，氧化物材料可以是 包括上述膜中的至少兩種的層疊結(jié)構(gòu)。可選擇地，氧化物材料可以由諸如旋涂介電質(zhì)（SOD) 膜的旋涂膜形成。
[0047] 在層間絕緣膜130之上形成限定接觸區(qū)的第三掩膜圖案（未示出）。使用第三掩 膜圖案（未示出）作為刻蝕掩膜來刻蝕層間絕緣膜130、第一編程?hào)艠O120a的硬掩膜氮化 物膜118以及第二編程?hào)艠O120b的硬掩膜氮化物膜118。相應(yīng)地，第一接觸孔135a和第 二接觸孔135b形成為分別暴露第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b的硅化鎢膜117。 此外，位線接觸孔140形成為暴露介于選擇柵極110之間的有源區(qū)100的中心部分。
[0048] 參見圖5A到5C，用導(dǎo)電材料填充第一接觸孔135a、第二接觸孔135b以及位線接 觸孔140。相應(yīng)地，第一接觸145a、第二接觸145b和位線接觸155形成。
[0049] 可以將第一金屬線150a和第二金屬線150b分別耦接到第一接觸145a和第二接 觸145b。第一金屬線150a和第二金屬線150b可以呈在平行于選擇柵極110的方向上延伸 的直線而形成。第一金屬線150a和第二金屬線150b可以分別用作第一編程字線和第二編 程字線。
[0050] 第一金屬線150a和第二金屬線150b可以分別親接到第一接觸145a和第二接觸 145b。即，多個(gè)第一編程?hào)艠O120a可以通過第一接觸145a耦接到單個(gè)第一金屬線150a，多 個(gè)第二編程?hào)艠O120b可以通過第二接觸145b耦接到單個(gè)第二金屬線150b。
[0051] 其后，可以將位線160耦接到位線接觸155。可以將跨越選擇柵極110的位線160 形成為直線。
[0052] 如上所述，形成在一個(gè)有源區(qū)之上的選擇的單元包括兩個(gè)隔離的編程?hào)艠O（即， 第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b)，且一個(gè)編程?hào)艠O可以延伸跨越兩個(gè)相鄰的有源 區(qū)。因此，由于可以同時(shí)選擇并編程兩個(gè)編程?hào)艠O，故可以在不增加區(qū)域的尺寸的情況下將 編程成功率加倍。
[0053] 圖6是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的反熔絲陣列的布局圖。
[0054] 參見圖6,反熔絲陣列400包括在第一方向和第二方向上安置為nXm陣列的多個(gè) 熔絲單元U(在圖1中示出）。從圖1中可以看出，熔絲單元U可以包括共享僅一個(gè)有源區(qū) 的兩個(gè)單位單元，并且包括置于有源區(qū)的基于有源區(qū)的中心部分的兩側(cè)處的選擇柵極110 和編程?hào)艠O120。如上所述，熔絲單元U重復(fù)地安置為η行和m列，由此形成nXm矩陣陣 列。
[0055] 位于同一列的相鄰熔絲單元U的單位單元可以共享在第二方向上呈直線延伸的 選擇柵極110。
[0056] 編程?hào)艠O120在朝向選擇柵極110的與有源區(qū)的中心部分相對(duì)的一側(cè)的第一方向 上以預(yù)定間距相互間隔開。
[0057] 每個(gè)編程?hào)艠O120在一個(gè)有源區(qū)中劃分成第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O 120b。第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b可以在第二方向上交替安置，第一編程?hào)?極120a和第二編程?hào)艠O120b中的每個(gè)可以形成為跨越在第二方向上安置的相鄰的有源 區(qū)。即，一個(gè)編程?hào)艠O120可以形成為與兩個(gè)相鄰的有源區(qū)重疊。在第二方向上安置的相 鄰恪絲單元U的第一編程?hào)艠O120a可以通過第一接觸145a親接到第一金屬線150a。在第 二方向上安置的相鄰熔絲單元U的第二編程?hào)艠O120b可以通過第二接觸145b耦接到第二 金屬線150b。第一金屬線150a和第二金屬線150b可以分別用作第一編程字線和第二編程 字線。
[0058] 換言之，形成在一個(gè)有源區(qū)中的兩個(gè)編程?hào)艠O（即，第一編程?hào)艠O120a和第二編 程?hào)艠O120b)耦接到不同的金屬線（即，第一金屬線150a和第二金屬線150b)。相應(yīng)地，可 以通過兩個(gè)編程?hào)艠O分開地調(diào)整反熔絲的編程狀態(tài)。因此，在不增加單元區(qū)域的情況下，同 時(shí)選擇兩個(gè)編程?hào)艠O，并且對(duì)選擇的兩個(gè)編程?hào)艠O編程。
[0059] 第一金屬線150a可以親接到與第一編程?hào)艠O120a親接的第一接觸145a。第一金 屬線150a可以在第一方形上位于第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b中的每個(gè)的一 偵牝且可以在第二方向上線性延伸。
[0060] 此外，第二金屬線150b可以耦接到與第二編程?hào)艠O120b耦接的第二接觸145b，且 可以在第一方向上位于第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b中的每個(gè)的另一側(cè)。
[0061] 在這種情況下，由于第一金屬線150a和第二金屬線150b的剖面圖與第一接觸 145a和第二接觸145b的剖面圖未安置在一條直線上，故第一金屬線150a還可以包括在第 一方向上從第一接觸145a延長(zhǎng)到第一編程?hào)艠O120a的延伸部分。第二金屬線150b還可 以包括在第一方向上從第二接觸145b延長(zhǎng)到第二編程?hào)艠O120b的延伸部分。
[0062] 第一編程?hào)艠O120a可以通過與第一接觸145a耦接的延伸部分而耦接到第一金屬 線150a，第二編程?hào)艠O120b可以通過與第二接觸145b耦接的延伸部分而耦接到第二金屬 線150b。第一金屬線150a和第二金屬線150b可以安置在第一編程?hào)艠O120a和第二編程 柵極120b的兩側(cè)，第一金屬線150a和第二金屬線150b的延伸部分可以分別安置在第一編 程概極120a和第二編程概極120b之上。
[0063] 位線接觸155可以安置于包含在熔絲單元U中的有源區(qū)的中心部分，耦接到位線 接觸155的位線160也可以安置在有源區(qū)的中心部分。位于同一行的熔絲單元U的位線接 觸155可以耦接到一個(gè)位線160。即，位于同一行的熔絲單元U可以共享位線160。
[0064] 位線160可以跨越選擇柵極110在第一方向上線性地延伸，并且可以經(jīng)過第一編 程概極120a和第二編程概極120b之間。
[0065] 當(dāng)對(duì)從上述反熔絲陣列中選擇的單元的第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b 施加高電壓，并且對(duì)選擇柵極110施加用于選擇柵極110的導(dǎo)通電壓時(shí)，在選擇柵極110之 下形成溝道區(qū)，并且由于施加到第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b的高電壓與施加 到位線160的低電壓之間的電壓差而導(dǎo)致第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b的柵極 絕緣膜被破壞。
[0066] 施加到所選擇的單元以對(duì)反熔絲陣列的單元編程的高電壓和低電壓是不固定的， 而可以設(shè)定為任意電壓，其中，通過該任意電壓第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b的 柵極可以由于兩個(gè)電壓之間的差而被破壞。
[0067] 圖7是圖示根據(jù)本公開實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的反熔絲陣列的等效電路圖。
[0068] 參見圖7,反熔絲陣列可以包括多個(gè)編程字線WLl和WL2、多個(gè)選擇字線WL3、多個(gè) 位線BL以及多個(gè)熔絲單元U。為了方便，假定若干熔絲單元U具有熔絲單元U在第二方向 上延伸并重復(fù)安置的1X3結(jié)構(gòu)。
[0069] 一個(gè)熔絲單元U可以包括四個(gè)編程晶體管TRl到TR4以及4個(gè)選擇晶體管TR5到 TR8。熔絲單元U可以如圖1或圖2A到2C中所示出地形成。
[0070] 在熔絲單元U之內(nèi)安置在同一行上的第一編程晶體管TRl和第一選擇晶體管TR5 可以在第一方向上并列地安置。同樣地，安置在同一行上的第二編程晶體管TR2和第二選 擇晶體管TR6可以在第一方向上并列地安置。
[0071] 若干選擇字線WL3可以在第二方向上延伸。選擇字線WL3可以耦接到在每個(gè)熔絲 單元U之內(nèi)位于同一列中的各選擇晶體管TR5到TR8的柵極端子。第一編程晶體管TRl與 置于在第二方向上的相鄰的熔絲單元U中的編程晶體管TR9的柵極端子可以共同地耦接到 第二編程字線WL2。同樣地，第二編程晶體管TR2與置于在第二方向上的相鄰的熔絲單元U 中的編程晶體管TRlO的柵極端子可以共同地耦接到第一編程字線WL1。
[0072] 此外，通過位線接觸而連接的位線BL可以安置在熔絲單元U的選擇晶體管TR5到 TR8之間。位線BL在第一方向上延伸，且可以被安置為經(jīng)過單個(gè)熔絲單元U中的第一編程 晶體管TRl和TR3與第二編程晶體管TR2和TR4之間。
[0073] 當(dāng)四個(gè)編程晶體管TRl到TR4以及四個(gè)選擇晶體管TR5到TR8包含在一個(gè)熔絲單 元U中時(shí)，上面的晶體管TRl到TR8組合成晶體管對(duì)，使得晶體管TRl到TR8是水平對(duì)稱的。 例如，兩個(gè)編程晶體管TRl和TR2以及兩個(gè)選擇晶體管TR5和TR6安置在相對(duì)于位線接觸 的一側(cè)，兩個(gè)編程晶體管TR3和TR4以及兩個(gè)選擇晶體管TR7和TR8安置在相對(duì)于位線接 觸的另一側(cè)。
[0074] 表1示出圖6和圖7中示出的反熔絲陣列的操作所需的電壓條件。在下文中將參 照?qǐng)D6、圖7和表1來描述反熔絲陣列的操作。
[0075] [表 1]

[0078] 根據(jù)在表1中示出的編程操作（a)，被選擇的單元的第一編程?hào)艠O120a的柵極絕 緣膜被破壞，然后編程操作被執(zhí)行。對(duì)第一編程?hào)艠O120a施加高電壓（高），對(duì)第二編程?hào)?極120b施加比高電壓低的電壓。在這種情形下，因?yàn)槭┘拥降诙幊號(hào)艠O120b的電壓與 施加到位線160的電壓之間的差不足以破壞第二編程?hào)艠O120b，故第二編程?hào)艠O120b的 柵極絕緣膜未被施加到第二編程?hào)艠O120b的電壓破壞。如表1中所示，施加到第二編程?hào)?極120b的電壓示例性地設(shè)定為中等電壓（中）。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，上面編程操作所需的高 電壓（高）可以為大約4V到6V，例如，5V的電壓。此外，低電壓（低）可以是大約IV到3V 的電壓，例如，2. 5V的電壓。
[0079] 當(dāng)將用于選擇柵極110的導(dǎo)通電壓（例如，中等電壓（中））施加到被選擇單元的 選擇柵極110時(shí)，在選擇柵極110之下形成溝道區(qū)，且選擇柵極110導(dǎo)通。當(dāng)將低電壓（低） 施加到位線160時(shí)，第一編程?hào)艠O120a的柵極絕緣膜被第一編程?hào)艠O120a與位線160之間 的電壓差破壞。相應(yīng)地，第一編程?hào)艠O120a短路，然后被編程。然而，在第二編程?hào)艠O120b 中，由于施加到位線160的低電壓（低）與施加到第二編程?hào)艠O120b的中等電壓（中）之 間的差不足，故第二編程?hào)艠O120b的柵極絕緣膜未被破壞。因此，第二編程?hào)艠O120b未被 編程，而形成在一個(gè)有源區(qū)之上的第一編程?hào)艠O120a被編程。
[0080] 根據(jù)表1中示出的編程操作（b)，將高電壓（高）施加到被選擇單元的第二編程 柵極120b，將不能破壞第一編程?hào)艠O120a的柵極絕緣膜的電壓施加到第一編程?hào)艠O120a。 以與編程操作（a)中相同的方式，如表1中所示，施加到第一編程?hào)艠O120a的電壓示例性 地由中等電壓（中）表示。
[0081] 當(dāng)將用于選擇柵極110的導(dǎo)通電壓（例如，中等電壓（中））施加到被選擇單元的 選擇柵極110時(shí)，選擇柵極110導(dǎo)通。當(dāng)將低電壓施加到位線160時(shí)，第二編程?hào)艠O120b 的柵極絕緣膜被第二編程?hào)艠O120b與位線160之間的電壓電平差破壞。相應(yīng)地，第二編程 柵極120b可以被編程。
[0082] 根據(jù)編程操作（b)，在一個(gè)有源區(qū)中的第一編程?hào)艠O120a的柵極絕緣膜未被破 壞，而在一個(gè)有源區(qū)中的第二編程?hào)艠O120b的柵極絕緣膜被破壞。
[0083] 盡管第一編程操作（a)和第二編程操作（b)已經(jīng)示出為將高電壓施加到第一編程 柵極120a或第二編程?hào)艠O120b，但可以對(duì)第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b都施加 高電壓，使得兩個(gè)熔絲都可以被編程。
[0084] 根據(jù)表1中示出的讀取操作（c)，當(dāng)將用于選擇柵極110的導(dǎo)通電壓（例如，中等 電壓（中））施加到選擇柵極110時(shí)，選擇柵極110導(dǎo)通，讀取電壓被施加到第一編程?hào)艠O 120a和第二編程?hào)艠O120b。由于在施加到每個(gè)編程?hào)艠O120a或120b的讀取電壓與施加 到位線160的低電壓之間存在差，故施加到每個(gè)編程?hào)艠O120a或120b的讀取電壓可以基 于沿著選擇柵極110的溝道區(qū)形成的電流路徑來確定耦接到位線160的所選擇單元是否被 編程。
[0085] 因此，在讀取操作期間，當(dāng)來自第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b之中的至 少一個(gè)編程?hào)艠O被編程（即，短路）時(shí)，施加到第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b的 電壓被施加到位線160,從而可以確定編程是否被執(zhí)行。當(dāng)?shù)谝痪幊號(hào)艠O120a和第二編程 柵極120b都未被編程時(shí)，用于位線160的電流路徑未形成。
[0086] 為了根據(jù)上述操作原則來編程所選擇單元，可以選擇一個(gè)第一編程?hào)艠O120a、一 個(gè)第二編程?hào)艠O120b、選擇柵極110以及位線160。當(dāng)將高電壓（高）施加到所選擇單元 的第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b并將用于選擇柵極110的導(dǎo)通電壓（例如，中 等電壓（中））施加到選擇柵極110時(shí)，在選擇柵極110之下形成溝道區(qū)。由于施加到第一 編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b的高電壓（高）與施加到位線160的低電壓（低）之 間的差，第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b的柵極絕緣膜被破壞。
[0087] 同時(shí)，由于以僅所選擇單元的編程?hào)艠O可以被編程的方式將低電壓施加到剩余的 未被選擇單元的編程?hào)艠O，所以在施加到每個(gè)未被選擇的單元的編程?hào)艠O的低電壓與施加 到位線的低電壓之間沒有差值。
[0088] 此外，由于以這樣的方式將導(dǎo)通電壓施加到選擇柵極，即，僅被選擇單元的選擇柵 極被導(dǎo)通，并且低電壓被施加到剩余的未被選擇單元的選擇柵極，所以選擇柵極可以被關(guān) 斷。在這種情況下，施加到選擇柵極110的導(dǎo)通電壓可以低于施加到編程?hào)艠O的高電壓，并 且可以大于施加到位線的低電壓。
[0089] 如上所述，兩個(gè)編程?hào)艠O（即，第一編程?hào)艠O120a和第二編程?hào)艠O120b)安置在 一個(gè)有源區(qū)中，一個(gè)編程?hào)艠O可以沿著兩個(gè)相鄰的有源區(qū)連續(xù)地安置。因此，由于兩個(gè)編程 柵極可以同時(shí)被選擇并被編程，故可以在不增加單元面積的情況下選擇兩個(gè)編程?hào)艠O，并 且與傳統(tǒng)技術(shù)相比可以將編程成功率加倍。
[0090] 從上面的描述中明顯的是，相互隔離的兩個(gè)編程?hào)艠O被配置位在一個(gè)有源區(qū)中重 疊，反熔絲的編程狀態(tài)可以通過兩個(gè)編程?hào)艠O來獨(dú)立地調(diào)節(jié)。因此，由于兩個(gè)編程?hào)艠O同時(shí) 被選擇并被編程，故在不增加所使用的芯片面積的情況下可以選擇兩個(gè)編程?hào)艠O，并且與 傳統(tǒng)技術(shù)相比可以使編程成功率加倍。
[0091] 此外，由于編程?hào)艠O具有改良的形狀，故與傳統(tǒng)技術(shù)相比，可以在不增加單元面積 大小的情況下同時(shí)對(duì)兩個(gè)編程?hào)艠O進(jìn)行操作。結(jié)果，可以在不增加使用的芯片面積的大小 的情況下提高編程成功率。
[0092] 本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不脫離這些實(shí)施例的范圍和特征的情況下，本公開的 實(shí)施例可以以除在本文中闡述的方式之外的其他方式來實(shí)施。因此，上述實(shí)施例將被解釋 為在各方面都是說明性的而非限制性的。
[0093] 本發(fā)明的上述實(shí)施例是說明性的而非限制性的。可以進(jìn)行各種替換和等價(jià)。本發(fā) 明不受本文中描述的沉積類型、刻蝕、拋光以及圖案化步驟的限制。實(shí)施例也不限制為任何 特定類型的半導(dǎo)體器件。例如，實(shí)施例可以以動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)（DRAM)器件或非易失性存 儲(chǔ)器件來實(shí)施。其他的添加、減少或修改鑒于本公開而是明顯的，且意在落入所附權(quán)利要求 書的范圍之內(nèi)。
[0094] 通過以上實(shí)施例可見，本發(fā)明提供了以下技術(shù)方案。
[0095] 技術(shù)方案1. 一種反熔絲，包括：
[0096] 有源區(qū)，形成在半導(dǎo)體襯底中；
[0097] 狹縫區(qū)，形成在有源區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊緣部分處；
[0098] 選擇柵極，在與有源區(qū)的第一方向垂直的第二方向上延伸；以及
[0099] 第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開并安置在由狹縫區(qū)隔離的有源 區(qū)之上。
[0100] 技術(shù)方案2.根據(jù)技術(shù)方案1所述的反熔絲，其中，狹縫區(qū)形成在基于有源區(qū)的中 心部分的一側(cè)和另一側(cè)，并在有源區(qū)的第一方向上延伸。
[0101] 技術(shù)方案3.根據(jù)技術(shù)方案1所述的反熔絲，其中，選擇柵極安置在由狹縫區(qū)隔離 的有源區(qū)之上，并呈在第二方向上延伸的直線而形成。
[0102] 技術(shù)方案4.根據(jù)技術(shù)方案1所述的反熔絲，其中，第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O 在第一方向上以預(yù)定間距與有源區(qū)的中心部分間隔開，并在第二方向上交替地安置。
[0103] 技術(shù)方案5.根據(jù)技術(shù)方案1所述的反熔絲，其中，第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O 在第二方向上以狹縫區(qū)的臨界尺寸相互間隔開。
[0104] 技術(shù)方案6.根據(jù)技術(shù)方案1所述的反熔絲，其中，第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O 中的每個(gè)安置為與在第二方向上安置的相鄰的有源區(qū)重疊。
[0105] 技術(shù)方案7.根據(jù)技術(shù)方案1所述的反熔絲，其中，選擇柵極、第一編程?hào)艠O和第二 編程?hào)艠O基于有源區(qū)的中心部分對(duì)稱。
[0106] 技術(shù)方案8.根據(jù)技術(shù)方案1所述的反熔絲，其中，選擇柵極、第一編程?hào)艠O和第二 編程?hào)艠O中的每個(gè)包括：
[0107] 柵極絕緣膜，形成在半導(dǎo)體襯底之上；
[0108] 導(dǎo)電膜，形成在柵極絕緣膜之上；以及
[0109] 硬掩膜，形成在導(dǎo)電膜之上。
[0110] 技術(shù)方案9. 一種反熔絲陣列，包括：
[0111] 有源區(qū)，形成在半導(dǎo)體襯底中；
[0112] 狹縫區(qū)，形成在有源區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊緣部分；
[0113] 多個(gè)選擇柵極，在與有源區(qū)的第一方向垂直的第二方向上延伸，并耦接到選擇字 線；
[0114] 多個(gè)第一編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，形成在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦 接到第一編程字線；
[0115] 多個(gè)第二編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，形成在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦 接到第二編程字線；以及
[0116] 位線，垂直于選擇字線。
[0117] 技術(shù)方案10.根據(jù)技術(shù)方案9所述的反熔絲陣列，其中，選擇字線呈在第二方向上 延伸的直線而形成。
[0118] 技術(shù)方案11.根據(jù)技術(shù)方案9所述的反熔絲陣列，其中，第一編程?hào)艠O和第二編程 柵極在第一方向上與選擇柵極間隔開。
[0119] 技術(shù)方案12.根據(jù)技術(shù)方案9所述的反熔絲陣列，其中，第一編程?hào)艠O和第二編程 柵極在第二方向上由狹縫區(qū)相互隔離。
[0120] 技術(shù)方案13.根據(jù)技術(shù)方案9所述的反熔絲陣列，其中，第一編程?hào)艠O和第二編程 柵極在第二方向上以交替的方式連續(xù)地安置。
[0121] 技術(shù)方案14.根據(jù)技術(shù)方案9所述的反熔絲陣列，其中，第一編程?hào)艠O和第二編程 柵極中的每個(gè)安置為與在第二方向上安置的相鄰的有源區(qū)重疊。
[0122] 技術(shù)方案15.根據(jù)技術(shù)方案9所述的反熔絲陣列，還包括：
[0123] 第一接觸和第二接觸，分別耦接到第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O。
[0124] 技術(shù)方案16.根據(jù)技術(shù)方案15所述的反熔絲陣列，其中：
[0125] 第一編程?hào)艠O通過與第一接觸耦接的延伸部分耦接到第一編程字線；以及
[0126] 第二編程?hào)艠O通過與第二接觸耦接的延伸部分耦接到第二編程字線。
[0127] 技術(shù)方案17.根據(jù)技術(shù)方案16所述的反熔絲陣列，其中：
[0128] 第一編程字線和第二編程字線安置在第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O的兩側(cè)；以及
[0129] 第一編程字線的延伸部分和第二編程字線的延伸部分分別安置在第一編程?hào)艠O 和第二編程?hào)艠O之上。
[0130] 技術(shù)方案18.根據(jù)技術(shù)方案9所述的反熔絲陣列，還包括：
[0131] 位線接觸，形成在有源區(qū)的中心部分。
[0132] 技術(shù)方案19.根據(jù)技術(shù)方案18所述的反熔絲陣列，其中，位線耦接到位線接觸，并 安置為經(jīng)過第一編程?hào)艠O與第二編程?hào)艠O之間。
[0133] 技術(shù)方案20. -種操作反熔絲陣列的方法，反熔絲陣列包括：有源區(qū)，形成在襯底 中；狹縫區(qū)，形成在有源區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊緣部分；多個(gè)選擇柵極，在與第一方向 垂直的第二方向上延伸，并耦接到選擇字線；多個(gè)第一編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，安置 在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到第一編程字線；多個(gè)第二編程?hào)艠O，與選擇柵極間 隔開，安置在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到第二編程字線；以及位線，垂直于選擇 字線，所述方法包括：
[0134] 當(dāng)?shù)谝痪幊號(hào)艠O和第二編程?hào)艠O中的至少一個(gè)的柵極絕緣膜被破壞時(shí)，確定對(duì)應(yīng) 的編程?hào)艠O的編程狀態(tài)。
[0135] 技術(shù)方案21.根據(jù)技術(shù)方案20所述的方法，還包括：
[0136] 通過對(duì)被選擇單元的第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O中的至少一個(gè)施加高電壓來 對(duì)第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O中的至少一個(gè)編程，并響應(yīng)于所述高電壓與施加到位線的 電壓之間的電壓差來破壞第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O中的至少一個(gè)的柵極絕緣膜。
[0137] 技術(shù)方案22.根據(jù)技術(shù)方案20所述的方法，還包括：
[0138] 對(duì)第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O施加相等的電壓，并基于位線來確定對(duì)應(yīng)的編程 柵極是否被編程。
[0139] 技術(shù)方案23.根據(jù)技術(shù)方案20所述的方法，還包括：
[0140] 響應(yīng)于施加到選擇柵極的電壓，通過在選擇柵極之下形成的溝道區(qū)來在位線與第 一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O中的至少一個(gè)之間形成電流路徑。
[0141] 技術(shù)方案24.根據(jù)技術(shù)方案23所述的方法，還包括：
[0142] 按照在未被選擇單元的選擇柵極中不形成溝道區(qū)，并且未通過未被選擇單元的選 擇柵極形成電流路徑的方式，將比施加到被選擇單元的選擇柵極的電壓低的電壓施加到未 被選擇單元的選擇柵極。
[0143] 附圖中每個(gè)元件的符號(hào)
[0144] 100 :有源區(qū)
[0145] 103:器件隔離膜
[0146] 104、114 :柵極絕緣膜
[0147] 105、115:導(dǎo)電膜
[0148] 106、116:阻擋膜
[0149] 107、117:硅化鎢膜
[0150] 108、118:硬掩膜氮化物膜
[0151] 110:選擇柵極
[0152] 120 :編程?hào)艠O
[0153] 120a:第一編程?hào)艠O
[0154] 120b :第二編程概極
[0155] 123 :狹縫區(qū)
[0156] 145a :第一接觸
[0157] 145b:第二接觸
[0158] 150a :第一金屬線
[0159] 150b :第二金屬線155 :位線接觸160 :位線
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種反恪絲，包括： 有源區(qū)，形成在半導(dǎo)體襯底中； 狹縫區(qū)，形成在有源區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊緣部分處； 選擇柵極，在與有源區(qū)的第一方向垂直的第二方向上延伸；以及 第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開并安置在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之 上。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中，狹縫區(qū)形成在基于有源區(qū)的中心部分的一側(cè) 和另一側(cè)，并在有源區(qū)的第一方向上延伸。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中，選擇柵極安置在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上， 并呈在第二方向上延伸的直線而形成。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中，第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O在第一方向上 以預(yù)定間距與有源區(qū)的中心部分間隔開，并在第二方向上交替地安置。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中，第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O在第二方向上 以狹縫區(qū)的臨界尺寸相互間隔開。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中，第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O中的每個(gè)安置 為與在第二方向上安置的相鄰的有源區(qū)重疊。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中，選擇柵極、第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O基于 有源區(qū)的中心部分對(duì)稱。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲，其中，選擇柵極、第一編程?hào)艠O和第二編程?hào)艠O中的 每個(gè)包括： 柵極絕緣膜，形成在半導(dǎo)體襯底之上； 導(dǎo)電膜，形成在柵極絕緣膜之上；以及 硬掩膜，形成在導(dǎo)電膜之上。9. 一種反熔絲陣列，包括： 有源區(qū)，形成在半導(dǎo)體襯底中； 狹縫區(qū)，形成在有源區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊緣部分； 多個(gè)選擇柵極，在與有源區(qū)的第一方向垂直的第二方向上延伸，并耦接到選擇字線； 多個(gè)第一編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，形成在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到 第一編程字線； 多個(gè)第二編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，形成在由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到 第二編程字線；以及 位線，垂直于選擇字線。10. -種操作反熔絲陣列的方法，反熔絲陣列包括：有源區(qū)，形成在襯底中；狹縫區(qū)，形 成在有源區(qū)的在第一方向上的兩個(gè)邊緣部分；多個(gè)選擇柵極，在與第一方向垂直的第二方 向上延伸，并耦接到選擇字線；多個(gè)第一編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，安置在由狹縫區(qū)隔 離的有源區(qū)之上，并耦接到第一編程字線；多個(gè)第二編程?hào)艠O，與選擇柵極間隔開，安置在 由狹縫區(qū)隔離的有源區(qū)之上，并耦接到第二編程字線；以及位線，垂直于選擇字線，所述方 法包括： 當(dāng)?shù)谝痪幊號(hào)艠O和第二編程?hào)艠O中的至少一個(gè)的柵極絕緣膜被破壞時(shí)，確定對(duì)應(yīng)的編 程?hào)艠O的編程狀態(tài)D
【文檔編號(hào)】H01L23/58GK106057780SQ201510472425
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2015年8月4日
【發(fā)明人】鄭龍善
【申請(qǐng)人】愛思開海力士有限公司