薄膜晶體管基底和包括該薄膜晶體管基底的顯示裝置的制造方法
【專利摘要】公開(kāi)了一種薄膜晶體管(TFT)基底和一種包括所述TFT基底的顯示裝置。所述TFT基底包括：基底；第一導(dǎo)電圖案，在基底上沿著第一方向延伸；第二導(dǎo)電圖案，與第一導(dǎo)電圖案位于同一層上并在與第一方向垂直的第二方向上最靠近于第一導(dǎo)電圖案的第一側(cè)；虛設(shè)圖案單元，與第一導(dǎo)電圖案位于同一層上并位于鄰近第一導(dǎo)電圖案的與第一導(dǎo)電圖案的第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)。
【專利說(shuō)明】薄膜晶體管基底和包括該薄膜晶體管基底的顯示裝置
[0001 ] 本申請(qǐng)要求于2015年4月14日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局KIPO的第10-2015-0052458號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開(kāi)通過(guò)引用被全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002 ]本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及一種薄膜晶體管(TFT)基底、一種包括該TFT基底的顯示裝置、一種制造該TFT基底的方法和一種制造該顯示裝置的方法，更具體地講，涉及一種即使在高分辨率條件下也防止或減少來(lái)自于線的電流泄漏的TFT基底、一種包括該TFT基底的顯不裝置、一種制造該TFT基底的方法和一種制造該顯不裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]通常，薄膜晶體管(TFT)基底指的是至少一個(gè)TFT形成在基底上的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^(guò)利用TFT基底來(lái)制造顯示裝置。
[0004]TFT基底中的TFT包括用作半導(dǎo)體層的有源圖案和柵電極。絕緣層形成在柵電極上，以使柵電極上的線部分和電極彼此絕緣。然而，如果絕緣層中出現(xiàn)裂縫，則會(huì)形成漏電流。
[0005]因此，需要一種能夠減少或防止這種漏電流的TFT基底。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明構(gòu)思的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種即使在高分辨率條件下也可以防止或減少TFT基底的信號(hào)線的電流泄漏的薄膜晶體管TFT基底、一種包括該TFT基底的顯示裝置、一種制造該TFT基底的方法和一種制造該顯示裝置的方法。
[0007]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種TFT基底包括:基底;第一導(dǎo)電圖案，位于基底上并沿著第一方向延伸;第二導(dǎo)電圖案，與第一導(dǎo)電圖案位于同一層上，在沿著與第一方向垂直的第二方向鄰近第一導(dǎo)電圖案的第一側(cè)設(shè)置的導(dǎo)電圖案之中最靠近于第一導(dǎo)電圖案；虛設(shè)圖案單元，與第一導(dǎo)電圖案位于同一層上，并且鄰近于第一導(dǎo)電圖案的與第一導(dǎo)電圖案的第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)設(shè)置。
[0008]根據(jù)示例性實(shí)施例，第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案分隔開(kāi)第一距離，第一導(dǎo)電圖案和虛設(shè)圖案單元分隔開(kāi)等于或小于第一距離的第二距離。
[0009]根據(jù)示例性實(shí)施例，虛設(shè)圖案單元包括彼此連接或彼此分隔開(kāi)的多個(gè)虛設(shè)圖案。
[0010]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述多個(gè)虛設(shè)圖案以Z字形圖案布置。
[0011]根據(jù)示例性實(shí)施例，TFT基底還包括第三導(dǎo)電圖案，第三導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案位于同一層上，在鄰近虛設(shè)圖案單元的與虛設(shè)圖案單元的鄰近地設(shè)置有第一導(dǎo)電圖案的另一側(cè)相對(duì)的一側(cè)設(shè)置的導(dǎo)電圖案之中最靠近于第一導(dǎo)電圖案，并且與第一導(dǎo)電圖案沿著相同的第一方向延伸。第三導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案分隔開(kāi)大于第一距離的第三距離。
[0012]根據(jù)示例性實(shí)施例，TFT基底還包括具有有源圖案和第二導(dǎo)電圖案的TFT，其中，第二導(dǎo)電圖案包括與有源圖案的一部分疊置的柵電極。
[0013]根據(jù)示例性實(shí)施例，TFT基底還包括第三導(dǎo)電圖案，第三導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案位于同一層上，并且在鄰近虛設(shè)圖案單元的與虛設(shè)圖案單元的鄰近地設(shè)置有第一導(dǎo)電圖案的另一側(cè)相對(duì)的一側(cè)設(shè)置的導(dǎo)電圖案之中最靠近于第一導(dǎo)電圖案。第三導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案分隔開(kāi)大于第一距離的第三距離。
[0014]根據(jù)示例性實(shí)施例，TFT基底還包括:第一TFT，包括第一有源圖案和第二導(dǎo)電圖案，其中，第二導(dǎo)電圖案包括與第一有源圖案的一部分疊置的第一柵電極;第一像素電極，電連接到第一 TFT;第二 TFT，包括第二有源圖案和第三導(dǎo)電圖案，其中，第三導(dǎo)電圖案包括與第二有源圖案的一部分疊置的第二柵電極;第二像素電極，電連接到第二 TFT。
[0015]根據(jù)示例性實(shí)施例，一種顯示裝置包括如上所述的TFT基底以及位于TFT基底上的顯示面板或顯示器件。
[0016]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種制造TFT基底的方法包括:在基底上形成第一導(dǎo)電圖案，以沿著第一方向延伸;在沿著垂直于第一方向的第二方向與第一導(dǎo)電圖案的第一側(cè)相鄰設(shè)置的導(dǎo)電圖案之中最靠近于第一導(dǎo)電圖案的位置形成第二導(dǎo)電圖案;形成鄰近于第一導(dǎo)電圖案的與第一導(dǎo)電圖案的第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)的虛設(shè)圖案單元。在示例性實(shí)施例中，同時(shí)或者通過(guò)同一工藝執(zhí)行形成第一導(dǎo)電圖案的步驟、形成第二導(dǎo)電圖案的步驟和形成虛設(shè)圖案單元的步驟。
[0017]根據(jù)示例性實(shí)施例，第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案分隔開(kāi)第一距離，第一導(dǎo)電圖案和虛設(shè)圖案單元分隔開(kāi)等于或小于第一距離的第二距離。
[0018]根據(jù)示例性實(shí)施例，虛設(shè)圖案單元包括彼此連接或分隔開(kāi)的多個(gè)虛設(shè)圖案。
[0019]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述多個(gè)虛設(shè)圖案以Z字形圖案布置。
[0020]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述方法還包括形成第三導(dǎo)電圖案，以與第一導(dǎo)電圖案沿相同的第一方向延伸，并且在虛設(shè)圖案單元的與虛設(shè)圖案單元的設(shè)置有第一導(dǎo)電圖案的另一側(cè)相對(duì)的一側(cè)鄰近設(shè)置的導(dǎo)電圖案中，位于最靠近于第一導(dǎo)電圖案的位置?？梢酝瑫r(shí)或通過(guò)同一工藝執(zhí)行形成第三導(dǎo)電圖案的步驟和形成第一導(dǎo)電圖案的步驟，第三導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案分隔開(kāi)大于第一距離的第三距離。
[0021 ]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述方法還包括:在形成第二導(dǎo)電圖案之前，形成有源圖案，其中，第二導(dǎo)電圖案包括與有源圖案的一部分疊置的柵電極，所述第二導(dǎo)電圖案和有源圖案為T(mén)FT的部分。
[0022]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述方法還包括:在所述虛設(shè)圖案單元的與所述虛設(shè)圖案單元的鄰近地設(shè)置有第一導(dǎo)電圖案的另一側(cè)相對(duì)的一側(cè)鄰近設(shè)置的導(dǎo)電圖案中，在最靠近于第一導(dǎo)電圖案的位置形成第三導(dǎo)電圖案?？梢酝瑫r(shí)或通過(guò)同一工藝執(zhí)行形成第三導(dǎo)電圖案的步驟和形成第一導(dǎo)電圖案的步驟，第三導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案分隔開(kāi)大于第一距離的第三距離。
[0023]根據(jù)示例性實(shí)施例，所述方法還包括:在形成第二導(dǎo)電圖案之前，形成第一有源圖案，其中，第二導(dǎo)電圖案包括與第一有源圖案的至少一部分疊置的第一柵電極，其中，所述第一有源圖案和第一柵電極為第一 TFT的部分;形成電連接到第一 TFT的第一像素電極;在形成第三導(dǎo)電圖案之前，形成第二有源圖案，其中，第三導(dǎo)電圖案包括與第二有源圖案的一部分疊置的第二柵電極，第二有源圖案和第二柵電極為第二 TFT的部分;形成電連接到第二TFT的第二像素電極。
[0024]根據(jù)示例性實(shí)施例，一種制造顯示裝置的方法包括在根據(jù)以上所述的方法制造的薄膜晶體管(TFT)基底上形成顯示面板。
[0025]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，一種顯示裝置包括:基底，包括彼此相鄰的第一像素和第二像素;虛設(shè)圖案，位于第一像素和第二像素之間；第一導(dǎo)電圖案，在基底上位于虛設(shè)圖案和第一像素之間。第一像素包括第一薄膜晶體管TFT，第一 TFT包括第二導(dǎo)電圖案，第二導(dǎo)電圖案與第一導(dǎo)電圖案位于同一層上并鄰近于第一導(dǎo)電圖案的與第一導(dǎo)電圖案的鄰近虛設(shè)圖案的一側(cè)相對(duì)的一側(cè)。
[0026]根據(jù)示例性實(shí)施例，虛設(shè)圖案與第一導(dǎo)電圖案分開(kāi)第一距離設(shè)置，其中，第二像素包括第二TFT，其中，第二TFT包括與第一導(dǎo)電圖案分開(kāi)大于第一距離的第二距離設(shè)置的第三導(dǎo)電圖案。
[0027]可以通過(guò)利用系統(tǒng)、方法、計(jì)算機(jī)程序或它們的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)一個(gè)或更多個(gè)這些實(shí)施例。
【附圖說(shuō)明】
[0028]通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，發(fā)明構(gòu)思將變得更加清楚，在附圖中:
[0029]圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)基底的像素的等效電路圖；
[0030]圖2是根據(jù)圖1的示例性實(shí)施例的TFT基底的示意性平面圖；
[0031]圖3是沿著圖2的線II1-1II截取的圖2的TFT基底的示意性剖視圖；
[0032]圖4是圖2的TFT基底的層的示意性平面圖；
[0033]圖5是沿著圖4的線V-V截取的圖4的TFT基底的示意性剖視圖；
[0034]圖6是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的TFT基底的像素的等效電路圖；
[0035]圖7是根據(jù)圖6的示例性實(shí)施例的TFT基底的示意性平面圖；
[0036]圖8是沿著圖7的線VII1-VIII截取的圖7的TFT基底的示意性剖視圖；
[0037]圖9是圖7的TFT基底的層的示意性平面圖；以及
[0038]圖1O是沿著圖9的線X-X截取的圖9的TFT基底的示意性剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0039]在下文中，將參照附圖來(lái)詳細(xì)解釋發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例。同樣的標(biāo)記在附圖中表示同樣的元件，因此將不重復(fù)它們的描述。然而，不意圖將發(fā)明構(gòu)思限制于實(shí)踐的具體模式，理解的是，不脫離精神和技術(shù)范圍的所有改變、等同物和替代物都被包含在發(fā)明構(gòu)思內(nèi)。如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任何和所有組合。
[0040]如這里所使用的，除非上下文另外明確指示，否則單數(shù)形式“一個(gè)”、“一種”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱作“形成在”另一層、區(qū)域或組件“上”時(shí)，該層、區(qū)域或組件可以直接或間接形成在所述另一層、區(qū)域或組件上。即，例如，可以存在中間層、區(qū)域或組件。
[0041]在下面的示例中，X軸、y軸和z軸不限于直角坐標(biāo)系的三個(gè)軸，而是可以以更廣闊的含義來(lái)解釋。例如，X軸、y軸和z軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
[0042]當(dāng)不同地實(shí)施特定實(shí)施例時(shí)，可以與所描述的順序不同地執(zhí)行特定工藝順序。例如，兩個(gè)連續(xù)描述的工藝可以基本同時(shí)執(zhí)行或者按照與所描述的順序相反的順序執(zhí)行。
[0043]圖1是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)基底I的像素的等效電路圖。圖2是根據(jù)圖1的示例性實(shí)施例的TFT基底I的示意性平面圖。
[0044]參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本示例性實(shí)施例的TFT基底I包括基底100 (參照?qǐng)D3)以及位于基底100上的第一導(dǎo)電圖案110、第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130。
[0045]基底100可以由各種材料形成，例如，可以由玻璃材料、金屬材料或者諸如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亞胺的塑料材料形成。基底100可以包括設(shè)置有多個(gè)像素PXL的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域。
[0046]顯示圖像的至少一個(gè)像素PXL設(shè)置在基底100上。當(dāng)存在多個(gè)像素PXL時(shí)，像素PXL可以以矩陣形式布置。然而，為了便于描述，在本示例性實(shí)施例中僅示出了一個(gè)像素PXL13S管像素PXL在圖2中為矩形形狀，但是像素PXL的形狀不限于此并可以以各種方式修改。另夕卜，像素PXL可以具有不同的尺寸。例如，具有不同顏色的像素PXL可以根據(jù)每個(gè)像素PXL的顏色而具有不同的尺寸或形狀。
[0047]像素PXL可以包括:線部分，包括柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL和驅(qū)動(dòng)電壓線DVL;TFT Tl和TFT T2，連接到線部分;有機(jī)發(fā)光器件(OLED)，連接到TFT Tl和TFT T2;電容器Cst。盡管第一導(dǎo)電圖案110在本示例性實(shí)施例中示出為柵極線GL，但是示例性實(shí)施例不限于此。
[0048]柵極線GL可以沿著一個(gè)方向延伸，數(shù)據(jù)線DL可以沿著與柵極線GL交叉的另一方向延伸。驅(qū)動(dòng)電壓線DVL可以沿著與數(shù)據(jù)線DL基本相同的方向延伸。柵極線GL可以將柵極信號(hào)(例如，掃描信號(hào))傳輸?shù)絋FT Tl和TFT T2，數(shù)據(jù)線DL可以將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)絋FT Tl和TFTT2，驅(qū)動(dòng)電壓線DVL可以將驅(qū)動(dòng)電壓供應(yīng)到TFT Tl和TFT T2。
[0049]TFT Tl可以被稱作控制OLED的驅(qū)動(dòng)TFT Tl,TFT T2可以被稱作切換驅(qū)動(dòng)TFT Tl的開(kāi)關(guān)TFT T2。根據(jù)示例性實(shí)施例，像素PXL包括TFT Tl和TFT T2兩個(gè)。然而，示例性實(shí)施例不限于此。像素PXL可以包括一個(gè)TFT和一個(gè)電容器，或者可以包括三個(gè)或更多個(gè)TFT以及兩個(gè)或更多個(gè)電容器。
[0050]驅(qū)動(dòng)TFTTl包括第一柵電極gl、第一源電極Si和第一漏電極dl。第一柵電極gl連接到開(kāi)關(guān)TFT T2，第一源電極sI連接到驅(qū)動(dòng)電壓線DVL，第一漏電極dl連接到OLED。例如，驅(qū)動(dòng)電壓線DVL可以將電壓ELVDD供應(yīng)到第一源電極si ALED可以接收低于ELVDD的電壓ELVSS ο流過(guò)OLED的電流可以稱作1led。
[0051 ]開(kāi)關(guān)TFT T2包括第二柵電極g2、第二源電極s2和第二漏電極d2。第二柵電極g2連接到柵極線GL，第二源電極s2連接到數(shù)據(jù)線DL。第二漏電極d2連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的柵電極(即，第一柵電極gl)。開(kāi)關(guān)TFT T2根據(jù)施加到柵極線GL的掃描信號(hào)將施加到數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)津?qū)動(dòng)TFT Tl。
[0052]還可以在TFT基底I上布置顯示器件。盡管OLED布置為根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示器件，但是示例性實(shí)施例不限于此。例如，液晶顯示器(IXD)可以布置為顯示器件。OLED可以包括發(fā)射層EML以及彼此面對(duì)并且使發(fā)射層EML位于它們之間的第一電極ELl和第二電極EL2。第一電極ELl連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的第一漏電極dl。共電壓施加到第二電極EL2，發(fā)射層EML可以根據(jù)驅(qū)動(dòng)TFT Tl的輸出信號(hào)通過(guò)發(fā)射光來(lái)顯示圖像。
[0053]電容器Cst連接到驅(qū)動(dòng)TFTTl的第一柵電極gl與第一源電極Si之間的區(qū)域，并且可以充入并保持輸入到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的第一柵電極gl的數(shù)據(jù)信號(hào)。
[0054]與圖1的等效電路圖對(duì)應(yīng)的圖2的平面圖僅是示例。TFT基底I的平面圖可以在可選實(shí)施例中改變。
[0055]圖3是沿著圖2的線II1-1II截取的圖2的TFT基底I的示意性剖視圖。在下文中，參照?qǐng)D3，將根據(jù)堆疊順序來(lái)描述根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底I。
[0056]根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底I包括具有絕緣性質(zhì)的基底100 JFT Tl和TFT T2以及電容器Cst堆疊在基底100上。IXD或OLED可以布置在TFT基底I上。本示例性實(shí)施例公開(kāi)了OLED布置在TFT基底I上的示例。
[0057]參照?qǐng)D3，緩沖層BFL位于基底100上。緩沖層BFL可以將基底100的上表面平坦化或可以阻擋雜質(zhì)擴(kuò)散到驅(qū)動(dòng)TFT Tl中。緩沖層BFL可以由例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅形成。可以根據(jù)基底100的材料和制造條件省略緩沖層BFL。
[0058]第一有源圖案Actl位于緩沖層BFL上。第一有源圖案Actl可以由半導(dǎo)體材料形成并可以包括非晶硅、多晶硅或有機(jī)半導(dǎo)體材料。第一有源圖案Act I可以用作驅(qū)動(dòng)TFT TI的有源層。第一有源圖案Actl可以包括源區(qū)SA、漏區(qū)DA以及設(shè)置在源區(qū)SA和漏區(qū)DA之間的溝道區(qū)CA。第一有源圖案Actl的源區(qū)SA和漏區(qū)DA可以用η型或P型雜質(zhì)摻雜。
[0059]柵極絕緣層GI位于第一有源圖案Actl上。柵極絕緣層GI可以由例如氧化硅和/或氮化硅形成，使得第一有源圖案Actl與第一柵電極gl絕緣。
[0060]第一柵電極gl位于柵極絕緣層GI上。第一柵電極gl可以與第一有源圖案Actl的至少一部分疊置。例如，第一柵電極gl可以設(shè)置為覆蓋柵極絕緣層GI的與第一有源圖案Actl的溝道區(qū)CA對(duì)應(yīng)的區(qū)域。第一柵電極gl可以通過(guò)利用導(dǎo)電金屬材料形成。
[0061]層間絕緣層IL位于第一柵電極gl上，以覆蓋第一柵電極gl。層間絕緣層IL可以形成為氧化硅或氮化硅的單層或多層。
[0062]層間絕緣層IL可以包括用導(dǎo)電材料填充的至少一個(gè)接觸孔CNTl。填充接觸孔CNTl的導(dǎo)電材料可以被稱作形成驅(qū)動(dòng)TFT Tl的第一源電極sI和第一漏電極dl的導(dǎo)電層CL。OLED的第一電極ELl和驅(qū)動(dòng)TFT TI可以經(jīng)由填充在接觸孔CNTI中的導(dǎo)電材料彼此電連接。
[0063]第一源電極Si和第一漏電極dl(S卩，導(dǎo)電層CL)位于層間絕緣層IL上。第一源電極Si和第一漏電極dl分別經(jīng)由形成在柵極絕緣層GI和層間絕緣層IL中的接觸孔CNTl接觸第一有源圖案Actl的源區(qū)SA和漏區(qū)DA。盡管圖3中未示出，但是第二源電極s2和第二漏電極d2可以分別經(jīng)由形成在柵極絕緣層GI和層間絕緣層IL中的接觸孔(圖2中的CNT2)接觸第二有源圖案(圖2的Act2)的源區(qū)(未示出)和漏區(qū)(未示出)。
[0064]第一源電極Si和第一漏電極dl中的每個(gè)可以形成為由從Al、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、絡(luò)(Cr)、鋰(Li) ,(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中選擇的至少一種導(dǎo)電材料形成的單層或者所述導(dǎo)電材料的多層。
[0065]盡管在圖3中未不出，但是第一柵電極gl的一部分和驅(qū)動(dòng)電壓線DVL的一部分分別是第一電容器電極Cl和第二電容器電極C2。層間絕緣層IL位于其間的第一電容器電極Cl和第二電容器電極C2形成電容器Cst。第一電容器電極Cl可以被稱作電容器Cst的下電極，第二電容器電極C2可以被稱作電容器Cs t的上電極。
[0066]第一電容器電極Cl和第一柵電極gl可以一體地形成為單個(gè)導(dǎo)電層。因此，第二導(dǎo)電圖案120可以包括第一電容器電極Cl和第一柵電極gl。即，根據(jù)第二導(dǎo)電圖案120的位置，第二導(dǎo)電圖案120的一側(cè)可以用作第一柵電極gl，第二導(dǎo)電圖案120的另一側(cè)可以用作第一電容器電極Cl。
[0067]平坦化層PL可以位于第一源電極Si和第一漏電極dl上。平坦化層PL可以設(shè)置為覆蓋層間絕緣層IL和導(dǎo)電層CL。平坦化層PL可以由例如有機(jī)絕緣材料(諸如，丙烯酰類材料或苯并環(huán)丁烯(BCB))形成。平坦化層PL可以用作保護(hù)驅(qū)動(dòng)TFT Tl和開(kāi)關(guān)TFT T2的保護(hù)層，或者可以用作將驅(qū)動(dòng)TFTTl和開(kāi)關(guān)TFT T2的上表面平坦化的平坦化層。
[0068]顯示器件可以位于TFT基底I上。本示例性實(shí)施例公開(kāi)了 OLED設(shè)置為顯示器件的示例。OLED可以包括第一電極ELl、第二電極EL2以及包括位于第一電極ELl和第二電極EL2之間的發(fā)射層EML的中間層。
[0069]OLED的第一電極ELl可以位于平坦化層PL上。第一電極ELl可以是像素電極。第一電極ELl經(jīng)由形成在平坦化層PL中的接觸孔CNT3電連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的第一漏電極dl。
[0070]第一電極ELl可以通過(guò)利用高逸出功材料來(lái)形成。如果基底100是在相對(duì)于基底100在向下的方向上顯示圖像的底部發(fā)射型，則第一電極ELl可以形成為由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦錫鋅(ITZO)形成的透明導(dǎo)電層。在實(shí)施例中，在底部發(fā)射型中，發(fā)射的光穿過(guò)透明導(dǎo)電層。根據(jù)示例性實(shí)施例，如果基底100是在相對(duì)于基底100在向上的方向上顯示圖像的頂部發(fā)射型，則第一電極ELl可以形成為由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、八11、祖、則、&或0形成的金屬反射膜或者由11'0、120、2110或幾20形成的透明導(dǎo)電層。
[0071]針對(duì)每個(gè)像素限定發(fā)射區(qū)域的像素限定層PDL位于形成有第一電極ELl和其他元件的基底100上。像素限定層PDL可以形成為使得像素的邊界被覆蓋且第一電極ELl的上表面被暴露。
[0072 ]發(fā)射層EML設(shè)置在第一電極ELl的被像素限定層I3DL暴露的部分上，第二電極EL2位于發(fā)射層EML上。例如，像素限定層可以包括第一部分和第二部分，其中，發(fā)射層EML位于第一部分和第二部分之間。
[0073]盡管未示出，但是根據(jù)示例性實(shí)施例，下公共層可以位于第一電極ELl和發(fā)射層EML之間，上公共層可以位于發(fā)射層EML和第二電極EL2之間。下公共層和上公共層用作載流子傳輸層，并且可以共同地堆疊在每個(gè)像素上。下公共層可以包括空穴注入層(HIL)和空穴傳輸層(HTL)，上公共層可以包括電子注入層(EIL)和電子傳輸層(ETL)。根據(jù)本示例性實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝浑姌OELl為像素電極時(shí)，下公共層、上公共層和發(fā)射層EML按照下面的順序堆疊在第一電極ELl上:HIL、HTL、發(fā)射層EML、ETL和EIL。然而，示例性實(shí)施例不限于此，如果必要，可以修改下公共層和上公共層。
[0074]第二電極EL2可以為透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌OEL2形成為透明電極時(shí)，第二電極EL2可以包括上述透明導(dǎo)電材料。當(dāng)?shù)诙姌OEL2形成為反射電極時(shí)，第二電極EL2可以包括金屬反射膜。第二電極EL2可以位于基底100的整個(gè)表面上。例如，第二電極EL2可以完全覆蓋像素限定層TOL和發(fā)射層EML。
[0075]當(dāng)?shù)诙姌OEL2形成為(半)透明電極時(shí)，第二電極EL2可以包括由低逸出功金屬(8口，從1^工&、1^?/^&、1^?/^1、六1^8、1^和它們的組合中選擇的一種)形成的層以及由從ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0和In2O3中選擇的一種形成的(半)透明導(dǎo)電層。當(dāng)?shù)诙姌OEL2形成為反射電極時(shí)，第二電極EL2可以包括由從L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和它們的組合中選擇的一種形成的層。然而，第二電極EL2的結(jié)構(gòu)和材料不限于以上描述并可以以各種方式修改。
[0076]盡管未示出，但是包封層(未示出)可以形成在第二電極EL2上。包封層可以通過(guò)堆疊多個(gè)無(wú)機(jī)層或交替地堆疊有機(jī)層和無(wú)機(jī)層來(lái)形成。
[0077]根據(jù)示例性實(shí)施例，包封基底(未示出)位于第二電極EL2上?；?00可以被包封基底密封。在實(shí)施例中，包封基底提供防水特征。
[0078]圖4是圖2的TFT基底I的層的示意性平面圖。圖5是沿著圖4的線V-V截取的圖4的TFT基底I的示意性剖視圖。
[0079]為了便于描述，在圖4中示出了彼此相鄰的第一像素PXL和第二像素PXL’。參照?qǐng)D5，導(dǎo)電圖案110、120和130位于設(shè)置在基底100上的柵極絕緣層GI上。導(dǎo)電圖案110、120和130可以通過(guò)同一圖案化工藝形成，因此，導(dǎo)電圖案110、120和130可以包含相同的材料并且可以位于同一層上。盡管圖5示出了導(dǎo)電圖案110、120和130位于柵極絕緣層GI上，但是示例性實(shí)施例不限于此。第一像素PXL中的導(dǎo)電圖案110、120和130可以分別稱作第一導(dǎo)電圖案110、第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130。第三導(dǎo)電圖案140也可以與導(dǎo)電圖案110、120和130—起包括在第二像素PXL ’中。
[0080]第一導(dǎo)電圖案110可以在基底100上沿著第一方向(X軸方向)延伸，這種第一導(dǎo)電圖案110可以是柵極線GL。在實(shí)施例中，在位于第一導(dǎo)電圖案110的第一側(cè)上并且在與第一方向(X軸方向)垂直的第二方向(y軸方向)上布置的導(dǎo)電圖案中，第二導(dǎo)電圖案120最靠近于第一導(dǎo)電圖案110。第二導(dǎo)電圖案120的第一表面可以用作第一TFT Tl的第一柵電極gl，第二導(dǎo)電圖案120的第二表面可以用作電容器Cst的下電極Cl。第二導(dǎo)電圖案120可以以各種方式形成。
[0081]虛設(shè)圖案單元130可以與第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120位于同一層上，并且可以位于第一導(dǎo)電圖案110的與第一導(dǎo)電圖案110的第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)處。即，第二導(dǎo)電圖案120可以沿著一個(gè)方向(_y軸方向)延伸，并可以位于沿著第一方向(X軸方向)延伸的第一導(dǎo)電圖案110的第一側(cè)處，虛設(shè)圖案單元130可以位于第一導(dǎo)電圖案110的第二側(cè)處，并且可以沿著一個(gè)方向(+y軸方向)延伸?？蛇x地，虛設(shè)圖案單元130可以沿著第一導(dǎo)電圖案110在第一方向(X軸方向)上延伸。
[0082]如圖4中所示，虛設(shè)圖案單元130可以包括分隔開(kāi)的多個(gè)虛設(shè)圖案DM。多個(gè)虛設(shè)圖案DM可以在第一方向(X軸方向)上沿著第一導(dǎo)電圖案110形成。盡管未示出，但是根據(jù)示例性實(shí)施例，多個(gè)虛設(shè)圖案DM沿著第一導(dǎo)電圖案110在第一方向(X軸方向)上彼此分隔開(kāi)并且形成為或布置為Z字形圖案。根據(jù)示例性實(shí)施例，多個(gè)虛設(shè)圖案DM彼此連接。在實(shí)施例中，虛設(shè)圖案單元130與第一導(dǎo)電圖案110(例如，連接到第一像素的柵極線)絕緣，與第二導(dǎo)電圖案120(例如，第一像素的第一晶體管Tl的柵電極gl和電容器Cst)絕緣，并且與第三導(dǎo)電圖案140(與第一像素相鄰的第二像素的柵電極gl’和電容器Cl ’)絕緣。
[0083]如上所述，圖4示出了彼此相鄰的第一像素PXL和第二像素PXL’。第一像素PXL和第二像素PXL’可以分別包括第一像素電極ELl和第二像素電極ELI’。第一像素PXL可以包括第一TFT Tl和第一像素電極ELI。第一TFT Tl包括第一有源圖案Actl和與第一有源圖案Actl的至少一部分疊置的第一柵電極gl，第一像素電極ELl電連接到第一TFT Tl。另外，第二像素PXL’可以包括第二TFT(未示出)和第二像素電極ELI’。第二TFT T2’包括第二有源圖案(未示出)和與第二有源圖案的至少一部分疊置的第二柵電極gl’，第二像素電極EU’電連接到第二 TFT T2’。在這種情況下，第一 TFT Tl可以是第一像素PXL的驅(qū)動(dòng)TFT Tl，第二 TFTT2’可以是第二像素PXL’的驅(qū)動(dòng)TFT。在圖4中，虛線表示導(dǎo)電圖案110、120和130的其上將要布置第一像素電極ELl和第二像素電極ELl ’的位置。
[0084]根據(jù)本示例性實(shí)施例，第二導(dǎo)電圖案120是第一像素PXL的第一柵電極gl，第三導(dǎo)電圖案140是第二像素PXL’的第二柵電極gl’。根據(jù)示例性實(shí)施例，第二導(dǎo)電圖案120可以同時(shí)為第一像素PXL的第一柵電極gl和電容器的下電極，第三導(dǎo)電圖案140可以同時(shí)為第二像素PXL’的第二柵電極gl’和電容器的下電極。然而，示例性實(shí)施例不限于此。
[0085]參照?qǐng)D4和圖5，第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120分隔開(kāi)第一距離dl，第一導(dǎo)電圖案110和虛設(shè)圖案單元130分隔開(kāi)等于第一距離dl或小于第一距離dl的第二距離d2。第一導(dǎo)電圖案110與第三導(dǎo)電圖案140分隔開(kāi)第三距離d3，其中，第三導(dǎo)電圖案140位于第一導(dǎo)電圖案110的與第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)處的第二導(dǎo)電圖案120相對(duì)的另一側(cè)處。在示例性實(shí)施例中，第三距離d3大于第一距離dl或第二距離d2。
[0086]在省略了虛設(shè)圖案單元130的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電圖案120和第三導(dǎo)電圖案140與第一導(dǎo)電圖案110鄰近。在這個(gè)實(shí)施例中，如上所述，第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120是形成第一像素PXL的導(dǎo)電圖案并且彼此分隔開(kāi)第一距離dl，第一導(dǎo)電圖案110和第三導(dǎo)電圖案140是分別形成彼此相鄰的第一像素PXL和第二像素PXL’的導(dǎo)電圖案并且彼此分隔開(kāi)第三距離d3ο在示例性實(shí)施例中，第三距離d3大于第一距離dl。
[0087]在上述電路圖的實(shí)施例中，在基底100上對(duì)導(dǎo)電圖案110、120和130進(jìn)行圖案化的工藝期間，第一導(dǎo)電圖案110的設(shè)置有與第一導(dǎo)電圖案110分隔開(kāi)相對(duì)短的距離的第二導(dǎo)電圖案120的一側(cè)的錐角不同于第一導(dǎo)電圖案110的設(shè)置有與第一導(dǎo)電圖案110分隔開(kāi)相對(duì)長(zhǎng)的距離的第三導(dǎo)電圖案140的另一側(cè)的錐角。例如，由于分隔開(kāi)第一距離dl的第二導(dǎo)電圖案120，使得在圖案化工藝期間在第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)處發(fā)生曝光和光干涉，因此，第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的錐角減小。然而，由于分隔開(kāi)比第一距離dl長(zhǎng)的距離的第三導(dǎo)電圖案140，使得在圖案化工藝期間，在第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)處不發(fā)生曝光和光干涉，而是光直接入射到第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)上，因此，第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)的錐角增大。這種現(xiàn)象可能發(fā)生在線之間的距離小的高分辨率顯示裝置中。
[0088]當(dāng)在第一導(dǎo)電圖案110的第二側(cè)的錐角增大的實(shí)施例中，層間絕緣層IL位于第一導(dǎo)電圖案110上時(shí)，層間絕緣層IL的厚度在第一導(dǎo)電圖案110的第一側(cè)處逐漸增加，而由于增大的錐角，導(dǎo)致層間絕緣層IL可能在第一導(dǎo)電圖案110的第二側(cè)處破裂。這種破裂可能導(dǎo)致在第一導(dǎo)電圖案110中流動(dòng)的電流泄漏并因此導(dǎo)致整個(gè)顯示裝置故障。
[0089]因此，根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底I包括布置在第一導(dǎo)電圖案110的第二側(cè)處并且與第一導(dǎo)電圖案110分隔開(kāi)等于或小于第一距離dl的第二距離d2的虛設(shè)圖案單元130。因此，第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130分別布置在第一導(dǎo)電圖案110的第一側(cè)和第二側(cè)，并且分別與第一導(dǎo)電圖案110分隔開(kāi)第一距離dl和第二距離d2。由于第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130，使得在圖案化工藝期間，第一導(dǎo)電圖案110的第一側(cè)和第二側(cè)的錐角可以通過(guò)在第一導(dǎo)電圖案110的第一側(cè)和第二側(cè)產(chǎn)生曝光和光干涉而被減小。因?yàn)榈谝粚?dǎo)電圖案110的第一側(cè)和第二側(cè)，使得它們的錐角是漸變的，所以可以防止或減小第一導(dǎo)電圖案110上的層間絕緣形成層IL的破裂，并可以防止或減少第一導(dǎo)電圖案110的電流泄漏，因此可以防止或減少由于電流泄漏導(dǎo)致的顯示裝置中的故障。
[0090]圖6是根據(jù)不例性實(shí)施例的TFT基底2的像素的等效電路圖。圖7是根據(jù)圖6的不例性實(shí)施例的TFT基底2的示意性平面圖。圖8是沿著圖7的線VII1-VIII截取的圖7的TFT基底2的示意性剖視圖。
[0091]參照?qǐng)D6至圖8，根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底2包括基底100以及位于基底100上的第一導(dǎo)電圖案110、第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130。
[0092 ]基底100可以由各種材料形成，例如，可以由玻璃材料、金屬材料或諸如PET、PEN和聚酰亞胺的塑料材料形成?；?00可以包括設(shè)置有多個(gè)像素PXL的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的外圍區(qū)域。
[0093]顯示圖像的至少一個(gè)像素PXL設(shè)置在基底100上。當(dāng)存在多個(gè)像素PXL時(shí)，像素PXL可以以矩陣形式布置。然而，為了便于描述，在本示例性實(shí)施例中僅示出了一個(gè)像素PXL13S管像素PXL在圖7中是矩形形狀，但是像素PXL的形狀不限于此，并可以以各種方式修改。另夕卜，像素PXL可以具有不同的尺寸。例如，具有不同顏色的像素PXL可以根據(jù)每個(gè)像素PXL的顏色而具有不同的尺寸或形狀。
[0094]這種像素PXL包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開(kāi)關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、發(fā)射控制TFT T6、存儲(chǔ)電容器Cst和0LED。
[0095]像素PXL包括被施加掃描信號(hào)Sn的掃描線10、被施加前一掃描信號(hào)Sn-1的前一掃描線12、被施加發(fā)射控制信號(hào)En的發(fā)射控制線20、被施加初始化電壓Vint的初始化電壓線30、被施加數(shù)據(jù)信號(hào)Dm的數(shù)據(jù)線40和被施加驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線50。掃描線10、前一掃描線12、發(fā)射控制線20和初始化電壓線30沿行方向延伸，而數(shù)據(jù)線40和驅(qū)動(dòng)電壓線50沿列方向延伸。
[0096]參照后面將描述的圖9，根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一導(dǎo)電圖案110對(duì)應(yīng)于掃描線10，第三導(dǎo)電圖案140對(duì)應(yīng)于前一掃描線12，第三導(dǎo)電圖案140對(duì)應(yīng)于發(fā)射控制線20。另外，第二導(dǎo)電圖案120對(duì)應(yīng)于下面將描述的驅(qū)動(dòng)TFTTl的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl。然而，示例性實(shí)施例不限于此，位于同一層上的導(dǎo)電圖案可以對(duì)應(yīng)于任何線。
[0097]像素PXL包括有源圖案Act、第一導(dǎo)電層Ml、第二導(dǎo)電層M2、第三導(dǎo)電層M3和第四導(dǎo)電層M4。盡管未示出，但是絕緣層可以設(shè)置在有源圖案Act、第一導(dǎo)電層Ml、第二導(dǎo)電層M2、第三導(dǎo)電層M3和第四導(dǎo)電層M4之間。另外，像素PXL還可以包括具有發(fā)射層的中間層(未示出)和共電極(未示出)。
[0098]有源圖案Act可以包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開(kāi)關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6的各個(gè)有源圖案(Actl至Act6)。驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開(kāi)關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6可以沿著有源圖案Act布置。
[0099]盡管圖7示出了有源圖案Act在像素PXL中形成為單個(gè)圖案，但是根據(jù)可選實(shí)施例，有源圖案Act可以形成為兩個(gè)或更多個(gè)單獨(dú)的圖案。在可選實(shí)施例中，有源圖案Act可以具有各種形狀，并可以包括如圖7中所示的彎曲部分。
[0100]第一導(dǎo)電層Ml可以包括前一掃描線12、掃描線10和發(fā)射控制線20。另外，第一導(dǎo)電層Ml可以包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開(kāi)關(guān)TFT T2 JI^IITFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6的各個(gè)柵電極(gl至g6)。
[0101]第二導(dǎo)電層M2可以包括存儲(chǔ)電容器Cst的上電極C2。第三導(dǎo)電層M3可以包括數(shù)據(jù)線40、驅(qū)動(dòng)電壓線50和連接線60。第四導(dǎo)電層M4可以包括初始化電壓線30和第一電極ELI。
[0102]有源圖案Act可以由多晶硅形成，并且可以由未用雜質(zhì)摻雜的溝道區(qū)、用雜質(zhì)摻雜并且形成在溝道區(qū)兩側(cè)的源區(qū)和漏區(qū)形成。雜質(zhì)的類型可以根據(jù)TFT的類型而改變。雜質(zhì)可以為η型或P型。有源圖案Act可以包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl的驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl、開(kāi)關(guān)TFT Τ2的開(kāi)關(guān)有源圖案Act2、補(bǔ)償TFT T3的補(bǔ)償有源圖案Act3、初始化TFT T4的初始化有源圖案Act4、操作控制TFT T5的操作控制有源圖案Act5和發(fā)射控制TFT T6的發(fā)射控制有源圖案Act6。
[0103]驅(qū)動(dòng)TFTl可以包括驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl。驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl可以包括與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl疊置的溝道區(qū)CAl以及源區(qū)SAl和漏區(qū)DAl。源區(qū)SAl和漏區(qū)DAl不與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和上電極C2疊置。在示例性實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl是彎曲的。
[0104]包括電容器Cst的上電極C2的第二導(dǎo)電層M2可以位于驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl上。上電極C2可以位于驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl上。電容器Cst中的上電極C2可以與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl的至少一部分疊置。上電極C2可以包括具有形成在驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和連接線60之間的接觸孔CNTl的開(kāi)口Cst2op。雖然開(kāi)口 Cst2op在圖7中為四邊形形狀，但是開(kāi)口 Cst2op的形狀不限于此。除了驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl與開(kāi)口 Cst2op對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外，上電極C2可以與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl完全疊置。在這種情況下，電容可以達(dá)到最大值。
[0105]上電極C2和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl可以形成電容器Cst。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl也可以用作電容器Cs t的下電極。上電極C2可以經(jīng)由接觸孔CNT2連接到驅(qū)動(dòng)電壓線50。
[0106]開(kāi)關(guān)TFTT2可以包括開(kāi)關(guān)有源圖案Act2和作為掃描線10的一部分的開(kāi)關(guān)柵電極g2。開(kāi)關(guān)有源圖案Act2可以包括與開(kāi)關(guān)柵電極g2疊置的溝道區(qū)以及位于溝道區(qū)兩側(cè)的源區(qū)SA2和漏區(qū)DA2 ο源區(qū)SA2可以經(jīng)由接觸孔CNT3連接到數(shù)據(jù)線10。漏區(qū)DA2可以沿著有源圖案Act連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的源區(qū)SAl。
[0107]補(bǔ)償TFTT3可以包括補(bǔ)償有源圖案Act3和作為掃描線10的一部分的補(bǔ)償柵電極g3。補(bǔ)償有源圖案Act3可以包括與補(bǔ)償柵電極g3疊置的溝道區(qū)以及位于溝道區(qū)的兩側(cè)的源區(qū)SA3和漏區(qū)DA3。源區(qū)SA3可以沿著有源圖案Act連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的漏區(qū)DAl。漏區(qū)DA3可以經(jīng)由接觸孔CNT4連接到連接線60。即，補(bǔ)償TFT T3的漏區(qū)DA3可以經(jīng)由連接線60電連接到驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl。如圖7中所示，補(bǔ)償柵電極g3可以形成為單獨(dú)的雙柵電極，從而防止電流泄漏。
[0108]初始化TFTT4可以包括初始化有源圖案Act4和作為前一掃描線12的一部分的初始化柵電極g4。初始化有源圖案Act4可以包括與初始化柵電極g4疊置的溝道區(qū)以及位于溝道區(qū)兩側(cè)的源區(qū)SA4和漏區(qū)DA。源區(qū)SA4可以經(jīng)由接觸孔CNT5連接到初始化電壓線30。接觸孔CNT5可以包括通過(guò)利用第三導(dǎo)電層M3形成的連接單元、連接連接單元和源區(qū)SA4的接觸孔以及雖然在圖7中未示出但是連接連接單元和初始化電壓線30的另一接觸孔。漏區(qū)DA4可以經(jīng)由接觸孔CNT4連接到連接線60。如圖7中所示，初始化柵電極g4可以形成為單獨(dú)的雙柵電極。
[0109]操作控制TFTT5可以包括操作控制有源圖案Act5和作為發(fā)射控制線20的一部分的發(fā)射柵電極g5。操作控制有源圖案Act5可以包括與操作控制柵電極g5疊置的溝道區(qū)以及位于溝道區(qū)兩側(cè)的源區(qū)SA5和漏區(qū)DA5。漏區(qū)DA5可以沿著有源圖案Act連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的源區(qū)SAl。源區(qū)SA5可以經(jīng)由接觸孔CNT6連接到驅(qū)動(dòng)電壓線50。
[0110]發(fā)射控制TFTT6可以包括發(fā)射控制有源圖案Act6以及作為發(fā)射控制線20的一部分的發(fā)射控制柵電極g6。發(fā)射控制有源圖案Acte包括與發(fā)射控制柵電極g6疊置的溝道區(qū)CA6以及位于溝道區(qū)兩側(cè)的源區(qū)SA6和漏區(qū)DA6。在實(shí)施例中，源區(qū)SA6沿著有源圖案Act連接到驅(qū)動(dòng)TFT Tl的漏區(qū)DA1。漏區(qū)DA6可以經(jīng)由接觸孔CNT7連接到第一電極ELI。盡管在圖7中未示出，但是接觸孔CNT7可以包括通過(guò)利用第三導(dǎo)電層M3形成的連接單元、連接連接單元和漏區(qū)DA6的接觸塞以及連接連接單元和第一電極ELl的另一接觸塞。
[0111]第一電極ELl可以位于上電極C2上，并可以將電流供應(yīng)到包括有機(jī)發(fā)射層并位于第一電極ELl上的中間層(未示出)。施加到中間層的電流被傳輸?shù)街虚g層上的共電極(未示出)。
[0112]圖7中示出的平面圖是發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例。TFT基底2可以在可選實(shí)施例中進(jìn)行修改。
[0113]圖8是沿著圖7的線VII1-VIII截取的圖7的TFT基底2的示意性剖視圖。在下文中，參照?qǐng)D8，將根據(jù)堆疊順序來(lái)描述根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底2。
[0114]參照?qǐng)D8，根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底2包括驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開(kāi)關(guān)TFT T2、補(bǔ)償TFTT3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5、發(fā)射控制TFT T6和基底100，其中，基底100是絕緣的并且存儲(chǔ)電容器Cst堆疊在基底100上。IXD或OLED可以位于基底100上。根據(jù)本示例性實(shí)施例，描述了OLED位于基底100上的示例。
[0115]緩沖層BFL可以位于基底100上。緩沖層BFL可以使基底100的上表面平坦化并且可以阻擋雜質(zhì)擴(kuò)散到驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開(kāi)關(guān)TFT T2 JI^IITFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6中。緩沖層BFL可以由例如氮化硅、氧化硅或氧氮化硅形成。根據(jù)基底100的材料和制造條件，可以省略緩沖層BFL。
[0116]驅(qū)動(dòng)TFT Tl和發(fā)射控制TFT T6可以位于緩沖層BFL上。上電極C2位于驅(qū)動(dòng)TFT Tl上，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和上電極C2形成存儲(chǔ)電容器Cst。
[0117]下柵極絕緣層GIl可以位于驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl和發(fā)射控制有源圖案Act6與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和發(fā)射控制柵電極g6之間，從而使驅(qū)動(dòng)有源圖案Actl和發(fā)射控制有源圖案Acte與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和發(fā)射控制柵電極g6絕緣。上柵極絕緣層GI2可以位于驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和上電極C2之間，從而使驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl與上電極C2絕緣。上柵極絕緣層GI2可以為驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和上電極C2之間的介電層。驅(qū)動(dòng)TFT Tl、存儲(chǔ)電容器Cst和發(fā)射控制TFT T6可以被絕緣層IL覆至
ΠΠ ο
[0118]根據(jù)本示例性實(shí)施例，下柵極絕緣層GIl和上柵極絕緣層GI2可以由氧化硅和/或氮化硅形成。
[0119]根據(jù)本示例性實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl可以由導(dǎo)電金屬材料形成。根據(jù)本示例性實(shí)施例，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl可以包含鋁Al。由于Al可以提供比其他金屬材料更好的制造余量，所以Al在制造顯示高分辨率圖像的TFT基底方面是有用的。
[0120]包括存儲(chǔ)電容器Cst的上電極C2的第一導(dǎo)電層CLl可以位于第二柵極絕緣層GI2上。圖8的第一導(dǎo)電層CLl可以視為圖7的第二導(dǎo)電層M2。上電極C2可以與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl的至少一部分疊置。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl可以用作下電極，因此驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl和上電極C2可以形成存儲(chǔ)電容器Cst。
[0121]絕緣層IL可以位于存儲(chǔ)電容器Cst的上電極C2上，以覆蓋存儲(chǔ)電容器Cst的上電極C2。在這種情況下，絕緣層IL可以被稱作層間絕緣層IL。層間絕緣層IL可以形成為氧化硅或氮化硅的單層或多層。
[0122]暴露存儲(chǔ)電容器Cst的上電極C2的一部分的接觸孔CNT2可以形成在層間絕緣層IL中。另外，暴露發(fā)射控制TFT T6的發(fā)射控制有源圖案Act6的源區(qū)SA6和漏區(qū)DA6的接觸孔CNT可以形成在層間絕緣層IL中。接觸孔CNT可以穿過(guò)上柵極絕緣層GI2和下柵極絕緣層GIl，并可以延伸到發(fā)射控制有源圖案Act6的上部或上表面。發(fā)射控制TFT T6可以經(jīng)由接觸孔CNT電連接到OLED的第一電極ELl。
[0123]將電源電壓施加到存儲(chǔ)電容器Cst的上電極C2的電源線50以及包括發(fā)射控制TFTT6的源電極s6和漏電極d6的第二導(dǎo)電層CL2可以位于層間絕緣層IL上。圖8的第二導(dǎo)電層CL2可以被視為圖7的第三導(dǎo)電層M3。存儲(chǔ)電容器Cs t的上電極C2可以經(jīng)由填充在接觸孔CNT2中的導(dǎo)電材料電連接到電源線50。電源線50可以被視為驅(qū)動(dòng)電壓線50。接觸孔CNT2可以以各種方式修改。例如，接觸孔CNT2可以為一個(gè)以上的孔。
[0124]發(fā)射控制TFT T6的漏區(qū)DA6可以經(jīng)由穿過(guò)下柵極絕緣層GI1、上柵極絕緣層GI2和層間絕緣層IL的接觸孔CNT電連接到漏電極d6。另外，發(fā)射控制TFT T6的源區(qū)SA6可以經(jīng)由穿過(guò)下柵極絕緣層GI1、上柵極絕緣層GI2和層間絕緣層IL的接觸孔CNT電連接到源電極s6。
[0125]驅(qū)動(dòng)電壓線50以及包括源電極s6和漏電極d6的第二導(dǎo)電層CL2可以形成為由從例如Al、？1:、？(1、六8、]\%、411、祖、制、11'、0、1^、03、]\10、1';[、1和(]11中選擇的至少一種導(dǎo)電材料形成的單層或由所述導(dǎo)電材料形成的多層。
[0126]平坦化層PL可以設(shè)置為在層間絕緣層IL上覆蓋源電極s6、漏電極d6和驅(qū)動(dòng)電壓線50。平坦化層PL可以由例如包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物的無(wú)機(jī)絕緣材料或者諸如丙烯酰類材料或BCB的有機(jī)絕緣材料形成。平坦化層PL可以用作保護(hù)驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開(kāi)關(guān)TFTT2、補(bǔ)償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6的保護(hù)層，或者可以使驅(qū)動(dòng)TFT Tl、開(kāi)關(guān)TFT T2 JI^IITFT T3、初始化TFT T4、操作控制TFT T5和發(fā)射控制TFT T6的上表面平坦化。
[0127]顯示器件可以位于TFT基底2上。根據(jù)本示例性實(shí)施例，OLED作為顯示器件設(shè)置。OLED可以包括第一電極ELl、第二電極EL2以及包括位于第一電極ELl和第二電極EL2之間的發(fā)射層EML的中間層。
[0128]OLED的第一電極ELl可以位于平坦化層PL上。第一電極ELl可以為像素電極。在示例性實(shí)施例中，第一電極ELl經(jīng)由形成在平坦化層PL中的接觸孔CNT7電連接到發(fā)射控制TFTT6的漏電極d6。
[0129]第一電極ELl可以通過(guò)利用高逸出功材料形成。如果基底100是沿著相對(duì)于基底100的向下的方向顯示圖像的底部發(fā)射型，則第一電極ELl可以形成為由ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0和ITZO形成的透明導(dǎo)電層。根據(jù)示例性實(shí)施例，如果基底100是沿著相對(duì)于基底100的向上的方向顯示圖像的頂部發(fā)射型，貝丨彳第一電極ELl可以形成為由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir或Cr形成的金屬反射膜或者由ITO、IZO、ZnO或ITZO形成的透明導(dǎo)電層。
[0130]針對(duì)每個(gè)像素限定發(fā)射區(qū)域的像素限定層PDL可以位于基底100上。像素限定層PDL可以形成為使得像素的邊界被覆蓋并使第一電極ELl的上表面暴露。
[0131]發(fā)射層EML設(shè)置在第一電極ELl的被像素限定層TOL暴露的部分上，第二電極EL2可以位于發(fā)射層EML上。例如，像素限定層TOL可以包括第一部分和第二部分，其中，發(fā)射層EML位于第一部分和第二部分之間。
[0132]發(fā)射層EML可以發(fā)射從紅光、綠光和藍(lán)光中選擇的一種光。根據(jù)不例性實(shí)施例，發(fā)射層EML發(fā)射白光，顯示裝置可以另外包括紅色、綠色和藍(lán)色濾色器層(未示出)，以輸出具有各種顏色的圖像。
[0133]盡管未示出，但是根據(jù)至少一個(gè)示例性實(shí)施例，下公共層位于第一電極ELl和發(fā)射層EML之間，上公共層位于發(fā)射層EML和第二電極EL2之間。下公共層和上公共層用作載流子傳輸層，并且可以共同地堆疊在每個(gè)像素上。下公共層可以包括HIL和HTL，上公共層可以包括EIL和ETL。根據(jù)本示例性實(shí)施例，當(dāng)?shù)谝浑姌OELl是像素電極時(shí)，下公共層、上公共層和發(fā)射層EML可以按照以下順序堆疊在第一電極ELl上:HIL、HTL、發(fā)射層EML、ETL和EIL。然而，示例性實(shí)施例不限于此，如果必要，可以修改下公共層和上公共層。
[0134]第二電極EL2可以堆疊在基底100的整個(gè)表面上方。例如，第二電極EL2可以完全覆蓋像素限定層PDL和發(fā)射層EML。在這種情況下，第二電極EL2可以為透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌OEL2用作透明電極時(shí)，第二電極EL2可以包括由ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0、Ιη203和它們的組合中選擇的一種形成的第一層以及形成在第一層上并包括從1^工&、1^?/^&、1^?/^1^1、1%中選擇的一種的第二層。第二層可以形成為輔助電極或匯流電極線。當(dāng)?shù)诙姌OEL2用作反射電極時(shí)，從L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、A1、Mg和它們的組合中選擇的一種沉積在基底100的整個(gè)表面上。
[0135]盡管未示出，但是包封層可以形成在第二電極EL2上。包封層可以通過(guò)堆疊多個(gè)無(wú)機(jī)層或交替地堆疊有機(jī)層和無(wú)機(jī)層來(lái)形成。
[0136]根據(jù)示例性實(shí)施例，包封基底(未示出)位于第二基底EL2上。基底100可以被包封基底密封。
[0137]圖9是圖7的TFT基底2的層的示意性平面圖，圖10是沿著圖9的線X-X截取的圖9的TFT基底2的示意性剖視圖。
[0138]返回參照?qǐng)D7，根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一導(dǎo)電圖案110可以對(duì)應(yīng)于掃描線10，第三導(dǎo)電圖案140可以對(duì)應(yīng)于前一掃描線12，第三導(dǎo)電圖案140可以對(duì)應(yīng)于發(fā)射控制線20。另外，第二導(dǎo)電圖案120可以對(duì)應(yīng)于下面將進(jìn)行描述的驅(qū)動(dòng)TFT Tl的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌Ogl。然而，示例性實(shí)施例不限于此，同一層上的導(dǎo)電圖案可以對(duì)應(yīng)于任何線。
[0139]參照?qǐng)D9，導(dǎo)電圖案110、120和130可以位于處于基底100上的柵極絕緣層GI上。在實(shí)施例中，使用同一圖案化工藝來(lái)形成導(dǎo)電圖案110、120和130，因此，導(dǎo)電圖案110、120和130可以包含相同的材料并且可以位于同一層上。盡管圖9示出了導(dǎo)電圖案110、120和130位于柵極絕緣層GI上，但是示例性實(shí)施例不限于此。像素PXL中的導(dǎo)電圖案110、120和130可以分別稱作第一導(dǎo)電圖案110、第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130。第一導(dǎo)電圖案110可以沿著第一方向(X軸方向)在基底100上延伸，這種第一導(dǎo)電圖案110可以為柵極線。在實(shí)施例中，第二導(dǎo)電圖案120最靠近于第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)并且沿著與第一方向(X軸方向)垂直的第二方向(y軸方向)布置。第二導(dǎo)電圖案120的一側(cè)可以用作第一 TFT的第一柵電極，第二導(dǎo)電圖案120的另一側(cè)可以用作電容器的第一電容器電極。導(dǎo)電圖案110、120和130可以以各種方式形成。
[0140]虛設(shè)圖案單元130可以與第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120位于同一層上，并且可以位于第一導(dǎo)電圖案110的與第一導(dǎo)電圖案110的所述一側(cè)相對(duì)的另一側(cè)。即，第二導(dǎo)電圖案120可以設(shè)置在朝向沿著第一方向(X軸方向)延伸的第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的方向(_y軸方向)上，虛設(shè)圖案單元130可以設(shè)置在朝著第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)的方向(+y軸方向)上?？蛇x地，虛設(shè)圖案單元130可以沿著第一導(dǎo)電圖案110在第一方向(X軸方向)上延伸。
[0141]如圖9中所示，虛設(shè)圖案單元130可以包括分隔開(kāi)的多個(gè)虛設(shè)圖案DM。多個(gè)虛設(shè)圖案DM可以在第一方向(X軸方向)上沿著第一導(dǎo)電圖案110形成。盡管未示出，但是根據(jù)示例性實(shí)施例，多個(gè)虛設(shè)圖案DM沿著第一導(dǎo)電圖案110在第一方向(X軸方向)上彼此分隔開(kāi)并且形成為Z字形圖案。根據(jù)示例性實(shí)施例，多個(gè)虛設(shè)圖案DM彼此連接。
[0142]在圖9中，與第一導(dǎo)電圖案110沿著相同方向(即，第一方向(X軸方向))延伸的第三導(dǎo)電圖案140可以進(jìn)一步與第一導(dǎo)電圖案110設(shè)置在同一層上。第三導(dǎo)電圖案140可以最靠近虛設(shè)圖案單元130的與虛設(shè)圖案單元130的設(shè)置有第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)相對(duì)的一側(cè)。根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一導(dǎo)電圖案110可以為掃描線，第三導(dǎo)電圖案140可以為前一掃描線。然而，示例性實(shí)施例不限于此。
[0143]如上所述，TFT可以位于根據(jù)本示例性實(shí)施例的TFT基底2上。在TFT中，如上所述，驅(qū)動(dòng)TFT可以包括有源圖案和與有源圖案的至少一部分疊置的柵電極。根據(jù)本示例性實(shí)施例的第二導(dǎo)電圖案120可以為驅(qū)動(dòng)TFT的柵電極。在示例性實(shí)施例中，第二導(dǎo)電圖案120可以同時(shí)為驅(qū)動(dòng)TFT的柵電極和電容器的下電極。
[0144]參照?qǐng)D9和圖10，第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120分開(kāi)第一距離dl，第一導(dǎo)電圖案Il0和虛設(shè)圖案單元I30分開(kāi)與第一距離dl相同或小于第一距離dl的第二距離d2。第一導(dǎo)電圖案110可以與位于第一導(dǎo)電圖案110的與第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的第二導(dǎo)電圖案120相對(duì)的另一側(cè)的第三導(dǎo)電圖案140分開(kāi)第三距離d3。在實(shí)施例中，第三距離d3大于第一距離dl或第二距離d2。
[0145]在省略了虛設(shè)圖案單元130的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電圖案120和第三導(dǎo)電圖案140與第一導(dǎo)電圖案110鄰近。在本實(shí)施例中，如上所述，第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120為形成第一像素PXL的導(dǎo)電圖案并且彼此分開(kāi)第一距離dl，第一導(dǎo)電圖案110和第三導(dǎo)電圖案140為分別形成彼此相鄰的第一像素PXL和第二像素PXL’的導(dǎo)電圖案，并且彼此分開(kāi)比第一距離dl大的第三距離d3。
[0146]在上述電路圖的實(shí)施例中，在基底100上對(duì)導(dǎo)電圖案110、120和130進(jìn)行圖案化的工藝期間，第一導(dǎo)電圖案110的設(shè)置有與第一導(dǎo)電圖案110分隔開(kāi)相對(duì)短距離的第二導(dǎo)電圖案120的一側(cè)的錐角不同于第一導(dǎo)電圖案110的設(shè)置有與第一導(dǎo)電圖案110分隔開(kāi)相對(duì)長(zhǎng)距離的第三導(dǎo)電圖案140的另一側(cè)的錐角。即，由于分隔開(kāi)第一距離dl的第二導(dǎo)電圖案120，使得在圖案化工藝期間在第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)處發(fā)生曝光和光干涉，因此，第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的錐角減小。然而，由于分隔開(kāi)比第一距離dl長(zhǎng)的距離的第三導(dǎo)電圖案140，使得在圖案化工藝期間，在第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)處不發(fā)生曝光和光干涉，而是光直接入射至悌一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)上，因此，第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)的錐角增大。這種現(xiàn)象可能發(fā)生在線之間的寬度小的高分辨率顯示裝置中。
[0147]當(dāng)在第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的錐角增大的實(shí)施例中，層間絕緣層IL位于第一導(dǎo)電圖案110上時(shí)，層間絕緣層IL的厚度在第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)處逐漸增加，而層間絕緣層IL由于增大的錐角而可能在第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)處破裂。這種破裂可能導(dǎo)致流到第一導(dǎo)電圖案110中的電流泄漏并因此會(huì)導(dǎo)致整個(gè)顯示裝置故障。
[0148]因此，根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底2包括布置在第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)處并且與第一導(dǎo)電圖案110分開(kāi)與第一距離dl相同或小于第一距離dl的第二距離d2的虛設(shè)圖案單元130。因此，第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130布置在第一導(dǎo)電圖案110的兩側(cè)，并分別與第一導(dǎo)電圖案110分開(kāi)第一距離dl和第二距離d2。由于第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130，使得第一導(dǎo)電圖案110的兩側(cè)的錐角可以通過(guò)在圖案化工藝期間在第一導(dǎo)電圖案110的兩側(cè)產(chǎn)生曝光和光干涉而減小。因?yàn)榈谝粚?dǎo)電圖案110的兩側(cè)的錐角以相同的漸變方式形成，所以可以防止第一導(dǎo)電圖案110上的層間絕緣層IL破裂，并可以防止電流泄漏在第一導(dǎo)電圖案110上，因此可以減少由于電流泄漏導(dǎo)致的顯示裝置中的故障。
[0149]盡管以上主要描述了TFT基底和包括TFT基底的顯示裝置，但是發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例不限于此。例如，制造TFT基底的方法和制造顯示裝置的方法也在發(fā)明構(gòu)思的范圍之內(nèi)。
[0150]首先，參照?qǐng)D1至圖5，根據(jù)示例性實(shí)施例的制造TFT基底I的方法包括在基底100上形成導(dǎo)電圖案110、120和130。導(dǎo)電圖案110、120和130可以在同一圖案化工藝期間形成，因此，導(dǎo)電圖案110、120和130可以包括相同的材料并且可以形成在同一層上。在基底100上形成導(dǎo)電圖案110、120和130可以包括在基底100上形成第一導(dǎo)電圖案110、在基底100上形成第二導(dǎo)電圖案120和在基底100上形成虛設(shè)圖案單元130。根據(jù)本示例性實(shí)施例，在基底100上形成緩沖層和柵極絕緣層之后，在柵極絕緣層上形成導(dǎo)電圖案110、120和130。然而，示例性實(shí)施例不限于此。
[0151]可以形成第一導(dǎo)電圖案110，使得第一導(dǎo)電圖案110在基底100上沿著第一方向(X軸方向)延伸。根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一導(dǎo)電圖案110可以為柵極線。
[0152]可以形成第二導(dǎo)電圖案120，使得第二導(dǎo)電圖案120沿著與第一方向(X軸方向)垂直的第二方向(y軸方向)最靠近于第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)。第二導(dǎo)電圖案120的一側(cè)可以用作第一 TFT的第一柵電極，第二導(dǎo)電圖案120的另一側(cè)可以用作電容器的第一電容器電極。第二導(dǎo)電圖案120可以以各種方式形成。
[0153]虛設(shè)圖案單元130可以與第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120形成在同一層上，并且可以被圖案化為使得虛設(shè)圖案單元130位于第一導(dǎo)電圖案110的與第一導(dǎo)電圖案110的鄰近于第二導(dǎo)電圖案120的一側(cè)相對(duì)的另一側(cè)。即，第二導(dǎo)電圖案120可以沿著朝向在第一方向(X軸方向)上延伸的第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的方向(_y軸方向)設(shè)置，虛設(shè)圖案單元130可以沿著朝向第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)的方向(+y軸方向)設(shè)置?？蛇x地，虛設(shè)圖案單元130可以沿著第一導(dǎo)電圖案110在第一方向(X軸方向)上延伸。
[0154]虛設(shè)圖案單元130的形成可以包括形成多個(gè)虛設(shè)圖案DM。多個(gè)虛設(shè)圖案DM可以彼此分開(kāi)。多個(gè)虛設(shè)圖案DM可以在第一方向(X軸方向)上沿著第一導(dǎo)電圖案110形成。盡管未示出，但是根據(jù)示例性實(shí)施例，多個(gè)虛設(shè)圖案DM在第一方向(X軸方向)上沿著第一導(dǎo)電圖案110以Z字形圖案分開(kāi)。根據(jù)示例性實(shí)施例，多個(gè)虛設(shè)圖案DM彼此連接。
[0155]圖4示出了彼此相鄰的第一像素PXL和第二像素PXL’。在第一像素PXL和第二像素PXL’的每個(gè)中形成導(dǎo)電圖案110、120和130之后，可以在導(dǎo)電圖案110、120和130上形成平坦化層PL，然后可以形成第一像素電極和第二像素電極。在圖4中，虛線表示導(dǎo)電圖案110、120和130的將要布置第一像素和第二像素的位置。
[0156]S卩，如上所述，第一像素PXL可以包括第一TFT和電連接到第一TFT的第一像素電極，第一 TFT包括第一有源圖案和與第一有源圖案的至少一部分疊置的第一柵電極。另外，第二像素PXL’可以包括第二 TFT和電連接到第二 TFT的第二像素電極，第二 TFT包括第二有源圖案和與第二有源圖案的至少一部分疊置的第二柵電極。在這種情況下，第一 TFT可以為第一像素PXL的驅(qū)動(dòng)TFT，第二TFT可以為第二像素PXL ’的驅(qū)動(dòng)TFT。
[0157]根據(jù)本示例性實(shí)施例，第二導(dǎo)電圖案120可以為第一像素PXL的第一柵電極，第三導(dǎo)電圖案140可以為第二像素PXL’的第二柵電極。根據(jù)示例性實(shí)施例，第二導(dǎo)電圖案120可以同時(shí)為第一像素PXL的第一柵電極和電容器的下電極，第三導(dǎo)電圖案140可以同時(shí)為第二像素PXL’的第二柵電極和電容器的下電極。然而，示例性實(shí)施例不限于此。在本實(shí)施例中，第一導(dǎo)電圖案110、第二導(dǎo)電圖案120和第三導(dǎo)電圖案140可以同時(shí)形成。
[0158]參照?qǐng)D4和圖5，第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120可以分開(kāi)第一距離dl，第一導(dǎo)電圖案110和虛設(shè)圖案單元130可以分開(kāi)與第一距離dl相同或小于第一距離dl的第二距離d2。第一導(dǎo)電圖案110可以與位于第一導(dǎo)電圖案110的與位于第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的第二導(dǎo)電圖案120相對(duì)的另一側(cè)的第三導(dǎo)電圖案140分開(kāi)第三距離d3。在實(shí)施例中，第三距離d3大于第一距離dl或第二距離d2。
[0159]在省略了虛設(shè)圖案單元130的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電圖案120和第三導(dǎo)電圖案140與第一導(dǎo)電圖案110鄰近。在本實(shí)施例中，如上所述，第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120是形成第一像素PXL的導(dǎo)電圖案，并彼此分開(kāi)第一距離dl，第一導(dǎo)電圖案110和第三導(dǎo)電圖案140是分別形成彼此相鄰的第一像素PXL和第二像素PXL’的導(dǎo)電圖案，并且彼此分開(kāi)大于第一距離dl的第三距離d3。
[0160]在上述電路圖的實(shí)施例中，在基底100上對(duì)導(dǎo)電圖案110、120和130圖案化的工藝期間，第一導(dǎo)電圖案110的設(shè)置有與第一導(dǎo)電圖案110分開(kāi)相對(duì)短的距離的第二導(dǎo)電圖案120的一側(cè)的錐角不同于第一導(dǎo)電圖案110的與設(shè)置有與第一導(dǎo)電圖案110分開(kāi)相對(duì)長(zhǎng)的距離的第三導(dǎo)電層140的另一側(cè)的錐角。即，由于分開(kāi)第一距離dl的第二導(dǎo)電圖案120，使得在圖案化工藝期間在第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)處發(fā)生曝光和光干涉，因此，第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的錐角減小。另一方面，由于分開(kāi)比第一距離dl長(zhǎng)的距離的第三導(dǎo)電圖案140，使得在圖案化工藝期間，在第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)處不發(fā)生曝光和光干涉，而是光直接入射至悌一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)上，因此，第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)的錐角增大。這種現(xiàn)象可能發(fā)生在線之間的距離小的高分辨率顯示裝置中。
[0161]當(dāng)在第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的錐角增大的實(shí)施例中，層間絕緣層IL位于第一導(dǎo)電圖案110上時(shí)，層間絕緣層IL的厚度在第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)處逐漸增加，而層間絕緣層IL由于增大的錐角可能在第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)處破裂。這種破裂可能導(dǎo)致流到第一導(dǎo)電圖案110中的電流泄漏并會(huì)導(dǎo)致整個(gè)顯示裝置故障。
[0162]因此，根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底I包括布置在第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)處并與第一導(dǎo)電圖案110分開(kāi)與第一距離dl相同或小于第一距離dl的第二距離d2的虛設(shè)圖案單元130。因此，第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130布置在第一導(dǎo)電圖案110的兩側(cè)，并且分別與第一導(dǎo)電圖案110分開(kāi)第一距離dl和第二距離d2。由于第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130，使得第一導(dǎo)電圖案110的兩側(cè)的錐角可以通過(guò)在圖案化工藝期間在第一導(dǎo)電圖案110的兩側(cè)產(chǎn)生曝光和光干涉而減小。因?yàn)榈谝粚?dǎo)電圖案110的兩側(cè)的錐角以相同的漸變方式形成，所以可以防止第一導(dǎo)電圖案110上的層間絕緣層IL破裂，可以防止電流泄漏在第一導(dǎo)電圖案110上，并因此可以減少由于電流泄漏導(dǎo)致的顯示裝置中的故障。
[0163]參照?qǐng)D6至圖10，根據(jù)示例性實(shí)施例的形成TFT基底2的方法可以包括在基底100上形成導(dǎo)電圖案110、120和130?？梢栽谕粓D案化工藝期間形成導(dǎo)電圖案110、120和130，因此，導(dǎo)電圖案110、120和130可以包含相同的材料并且可以形成在同一層上。在基底100上形成導(dǎo)電圖案110、120和130可以包括在基底100上形成第一導(dǎo)電圖案110、在基底100上形成第二導(dǎo)電圖案120和在基底100上形成虛設(shè)圖案單元130。根據(jù)本示例性實(shí)施例，在基底100上形成緩沖層和柵極絕緣層之后，在柵極絕緣層上形成導(dǎo)電圖案110、120和130。然而，示例性實(shí)施例不限于此。
[0164]可以形成第一導(dǎo)電圖案110，使得第一導(dǎo)電圖案110在基底100上在第一方向(X軸方向)上延伸。根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一導(dǎo)電圖案110可以為柵極線。
[0165]可以形成第二導(dǎo)電圖案120，使得第二導(dǎo)電圖案120在垂直于第一方向(X軸方向)的第二方向(y軸方向)上最靠近于第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)。第二導(dǎo)電圖案120的一側(cè)可以用作第一 TFT的第一柵電極，第二導(dǎo)電圖案120的另一側(cè)可以用作電容器的第一電容器電極。第二導(dǎo)電圖案120可以以各種方式形成。
[0166]虛設(shè)圖案單元130可以與第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120形成在同一層上，并且可以被圖案化使得虛設(shè)圖案單元130位于第一導(dǎo)電圖案110的與第一導(dǎo)電圖案110的靠近第二導(dǎo)電圖案120的一側(cè)相對(duì)的另一側(cè)。即，第二導(dǎo)電圖案120可以沿著朝向在第一方向(X軸方向)上延伸的第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的方向(_y軸方向)設(shè)置，虛設(shè)圖案單元130可以沿著朝向第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)的方向(+y軸方向)設(shè)置?？蛇x地，虛設(shè)圖案單元130可以沿著第一導(dǎo)電圖案110在第一方向(X軸方向)上延伸。
[0167]虛設(shè)圖案單元130的形成可以包括形成多個(gè)虛設(shè)圖案DM。多個(gè)虛設(shè)圖案DM可以彼此分開(kāi)。多個(gè)虛設(shè)圖案DM可以在第一方向(X軸方向)上沿著第一導(dǎo)電圖案110形成。盡管未示出，但是根據(jù)示例性實(shí)施例，多個(gè)虛設(shè)圖案DM可以在第一方向(X軸方向)上沿著第一導(dǎo)電圖案110以Z字形圖案分開(kāi)。根據(jù)示例性實(shí)施例，多個(gè)虛設(shè)圖案DM彼此連接。
[0168]在圖9中，所述方法還可以包括形成按照與第一導(dǎo)電圖案110相同的制造工藝與第一導(dǎo)電圖案110形成在同一層上并且與第一導(dǎo)電圖案110沿著相同的方向(S卩，第一方向(X軸方向))延伸的第三導(dǎo)電圖案140。第三導(dǎo)電圖案140可以最靠近于虛設(shè)圖案單元130的與虛設(shè)圖案單元130的設(shè)置有第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)相對(duì)的一側(cè)。根據(jù)本示例性實(shí)施例，第一導(dǎo)電圖案110可以是掃描線，第三導(dǎo)電圖案140可以是前一掃描線。然而，示例性實(shí)施例不限于此。
[0169]如上所述，TFT可以位于根據(jù)本示例性實(shí)施例的TFT基底2上。在TFT中，如上所述，驅(qū)動(dòng)TFT可以包括有源圖案和與有源圖案的至少一部分疊置的柵電極。根據(jù)本示例性實(shí)施例的第二導(dǎo)電圖案120可以為驅(qū)動(dòng)TFT的柵電極。在一些實(shí)施例中，第二導(dǎo)電圖案120可以同時(shí)為驅(qū)動(dòng)TFT的柵電極和電容器的下電極。
[0170]參照?qǐng)D9和圖10，第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120可以分開(kāi)第一距離dl，第一導(dǎo)電圖案110和虛設(shè)圖案單元130可以分開(kāi)與第一距離dl相同或小于第一距離dl的第二距離d2。第一導(dǎo)電圖案110可以與位于第一導(dǎo)電圖案110的與第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的第二導(dǎo)電圖案120相對(duì)的另一側(cè)的第三導(dǎo)電圖案140分開(kāi)第三距離d3。在實(shí)施例中，第三距離d3大于第一距離dl或第二距離d2。
[0171]在省略了虛設(shè)圖案單元130的實(shí)施例中，第二導(dǎo)電圖案120和第三導(dǎo)電圖案140與第一導(dǎo)電圖案110鄰近。在本實(shí)施例中，如上所述，第一導(dǎo)電圖案110和第二導(dǎo)電圖案120是形成第一像素PXL的導(dǎo)電圖案，并且彼此分開(kāi)第一距離dl，第一導(dǎo)電圖案110和第三導(dǎo)電圖案140是分別形成彼此相鄰的第一像素PXL和第二像素PXI/的導(dǎo)電圖案，并且彼此分開(kāi)大于第一距離dl的第三距離d3。
[0172]在上述電路圖的實(shí)施例中，在基底100上對(duì)導(dǎo)電圖案110、120和130圖案化的工藝期間，第一導(dǎo)電圖案110的設(shè)置有與第一導(dǎo)電圖案110分開(kāi)相對(duì)短的距離的第二導(dǎo)電圖案120的一側(cè)的錐角不同于第一導(dǎo)電圖案110的與設(shè)置有與第一導(dǎo)電圖案110分開(kāi)相對(duì)長(zhǎng)的距離的第三導(dǎo)電圖案140的另一側(cè)的錐角。即，由于分開(kāi)第一距離dl的第二導(dǎo)電圖案120，使得在圖案化工藝過(guò)程中在第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)處發(fā)生曝光和光干涉，因此，第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的錐角減小。然而，由于分開(kāi)比第一距離dl長(zhǎng)的距離的第三導(dǎo)電圖案140，使得在圖案化工藝期間，在第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)處不發(fā)生曝光和光干涉，而是光直接入射到第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)上，因此，第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)的錐角增大。這種現(xiàn)象可能發(fā)生在線之間的寬度小的高分辨率顯示裝置中。
[0173]當(dāng)在第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)的錐角增大的實(shí)施例中，層間絕緣層IL位于第一導(dǎo)電圖案110上時(shí)，層間絕緣層IL的厚度在第一導(dǎo)電圖案110的一側(cè)處逐漸增加，而層間絕緣層IL由于增大的錐角可能在第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)處變得破裂。這種破裂導(dǎo)致流到第一導(dǎo)電圖案110中的電流泄漏并因此會(huì)導(dǎo)致整個(gè)顯示裝置故障。
[0174]因此，根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT基底2包括布置在第一導(dǎo)電圖案110的另一側(cè)處并與第一導(dǎo)電圖案110分開(kāi)與第一距離dl相同或小于第一距離dl的第二距離d2的虛設(shè)圖案單元130。因此，第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130分別布置在第一導(dǎo)電圖案110的兩側(cè)，并且分別與第一導(dǎo)電圖案110分開(kāi)第一距離dl和第二距離d2。由于第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130，第一導(dǎo)電圖案110的兩側(cè)的錐角可以通過(guò)在圖案化工藝期間在第一導(dǎo)電圖案110的兩側(cè)產(chǎn)生曝光和光干涉而減小。因?yàn)榈谝粚?dǎo)電圖案110的兩側(cè)的錐角以相同的漸變方式形成，所以可以防止第一導(dǎo)電圖案110上的層間絕緣層IL破裂，可以防止電流泄漏在第一導(dǎo)電圖案110上，并因此可以減少由于電流泄漏導(dǎo)致的顯示裝置中的故障。
[0175]在示例性實(shí)施例中，第一導(dǎo)電圖案110、第二導(dǎo)電圖案120和虛設(shè)圖案單元130由相同的材料形成。
[0176]顯示器件可以形成在上述TFT基底I和TFT基底2上。顯示器件可以為OLED或IXD，如上所述。
[0177]盡管上面已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍內(nèi)，可以對(duì)此進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底包括: 基底； 第一導(dǎo)電圖案，位于所述基底上并且沿著第一方向延伸； 第二導(dǎo)電圖案，與所述第一導(dǎo)電圖案位于同一層上，在鄰近所述第一導(dǎo)電圖案的第一側(cè)設(shè)置的導(dǎo)電圖案之中最靠近于所述第一導(dǎo)電圖案，其中，所述第二導(dǎo)電圖案沿著與所述第一方向垂直的第二方向延伸；以及 虛設(shè)圖案單元，與所述第一導(dǎo)電圖案位于所述同一層上，并且鄰近于所述第一導(dǎo)電圖案的與所述第一導(dǎo)電圖案的所述第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)設(shè)置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，所述第一導(dǎo)電圖案和所述第二導(dǎo)電圖案分開(kāi)第一距離，所述第一導(dǎo)電圖案和所述虛設(shè)圖案單元分隔開(kāi)等于或小于所述第一距離的第二距離。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，所述虛設(shè)圖案單元包括彼此連接或彼此分開(kāi)的多個(gè)虛設(shè)圖案。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管基底，其中，所述多個(gè)虛設(shè)圖案以Z字形圖案布置。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，其中，所述薄膜晶體管基底還包括第三導(dǎo)電圖案，所述第三導(dǎo)電圖案與所述第一導(dǎo)電圖案位于所述同一層上，并且在鄰近所述虛設(shè)圖案單元的與所述虛設(shè)圖案單元的鄰近地設(shè)置有所述第一導(dǎo)電圖案的另一側(cè)相對(duì)的一側(cè)設(shè)置的導(dǎo)電圖案之中最靠近于所述第一導(dǎo)電圖案，其中，所述第三導(dǎo)電圖案與所述第一導(dǎo)電圖案沿著相同的所述第一方向延伸， 其中，所述第三導(dǎo)電圖案與所述第一導(dǎo)電圖案分開(kāi)大于所述第一距離的第三距離。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基底，其中，所述薄膜晶體管基底還包括: 包括有源圖案和所述第二導(dǎo)電圖案的薄膜晶體管，其中，所述第二導(dǎo)電圖案包括與所述有源圖案的一部分疊置的柵電極。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括第三導(dǎo)電圖案，所述第三導(dǎo)電圖案與所述第一導(dǎo)電圖案位于所述同一層上，并且在鄰近所述虛設(shè)圖案單元的與所述虛設(shè)圖案單元的鄰近地設(shè)置有所述第一導(dǎo)電圖案的另一側(cè)相對(duì)的一側(cè)設(shè)置的導(dǎo)電圖案之中最靠近于所述第一導(dǎo)電圖案， 其中，所述第三導(dǎo)電圖案與所述第一導(dǎo)電圖案分開(kāi)大于所述第一距離的第三距離。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管基底，所述薄膜晶體管基底還包括: 第一薄膜晶體管，包括第一有源圖案和所述第二導(dǎo)電圖案，其中，所述第二導(dǎo)電圖案包括與所述第一有源圖案的一部分疊置的第一柵電極； 第一像素電極，電連接到所述第一薄膜晶體管； 第二薄膜晶體管，包括第二有源圖案和所述第三導(dǎo)電圖案，其中，所述第三導(dǎo)電圖案包括與所述第二有源圖案的一部分疊置的第二柵電極；以及第二像素電極，電連接到所述第二薄膜晶體管。9.一種顯示裝置，所述顯示裝置包括: 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基底；以及 顯示面板，位于所述薄膜晶體管基底上。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK106057816SQ201610228242
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年4月13日 公開(kāi)號(hào)201610228242.5, CN 106057816 A, CN 106057816A, CN 201610228242, CN-A-106057816, CN106057816 A, CN106057816A, CN201610228242, CN201610228242.5
【發(fā)明人】洪祥睦, 高武恂
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司