一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，涉及顯示技術領域，既可以保證像素單元中薄膜晶體管的穩(wěn)定性，又能夠減小柵極驅動電路中薄膜晶體管的尺寸，以實現(xiàn)窄邊框設計。該陣列基板包括像素單元和柵極驅動電路；像素單元包括第一薄膜晶體管，柵極驅動電路包括第二薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的有源層包括層疊設置的第一金屬氧化物圖案和第二金屬氧化物圖案；第二薄膜晶體管的有源層為第三金屬氧化物圖案；其中，第二金屬氧化物圖案的光學穩(wěn)定性大于第一金屬氧化物圖案的光學穩(wěn)定性，第一金屬氧化物圖案和第三金屬氧化物圖案的載流子遷移率大于第二金屬氧化物圖案的載流子遷移率。用于包括柵極驅動電路和像素單元的陣列基板。
【專利說明】
一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的不斷發(fā)展，人們對于顯示器窄邊框的要求也越來越高。為了進一步降低顯示器邊框的寬度，目前采用的技術是將柵極驅動電路(Gate On Array，簡稱GOA)制作在TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)陣列基板上，這樣不僅可以減少制作程序，降低成本，且由于不需要柵極驅動芯片(Integrate Circuit，簡稱IC)，因而可以將邊框做到很窄，提高TFT陣列基板的集成度。
[0003]薄膜晶體管中的氧化物薄膜晶體管(Oxide Thin Film 1'瓜1^丨8切^簡稱0^1')由于具有較高的載流子迀移率、低功耗、能應用于低頻驅動等優(yōu)點，而成為薄膜晶體管發(fā)展的熱點。氧化物薄膜晶體管是指薄膜晶體管中的有源層通過金屬氧化物半導體形成。
[0004]現(xiàn)有技術中，由于像素單元中的薄膜晶體管和柵極驅動電路中的薄膜晶體管一般采用相同的材料制作，這就導致像素單元中的薄膜晶體管具有良好的穩(wěn)定性和柵極驅動電路中的薄膜晶體管具有小尺寸不能同時滿足。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，既可以保證像素單元中薄膜晶體管的穩(wěn)定性，又能夠減小柵極驅動電路中薄膜晶體管的尺寸，以實現(xiàn)窄邊框設計。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0007]第一方面，提供一種陣列基板，包括像素單元和柵極驅動電路;所述像素單元包括第一薄膜晶體管，所述柵極驅動電路包括第二薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的有源層包括層疊設置的第一金屬氧化物圖案和第二金屬氧化物圖案;所述第二薄膜晶體管的有源層為第三金屬氧化物圖案;其中，所述第二金屬氧化物圖案的光學穩(wěn)定性大于所述第一金屬氧化物圖案的光學穩(wěn)定性，所述第一金屬氧化物圖案和所述第三金屬氧化物圖案的載流子迀移率大于所述第二金屬氧化物圖案的載流子迀移率。
[0008]優(yōu)選的，所述第一金屬氧化物圖案和所述第三金屬氧化物圖案的材料選自ZnO、1丁20、幾21'0、120、21'0中的至少一種;所述第二金屬氧化物圖案的材料為1620。
[0009]優(yōu)選的，所述第一金屬氧化物圖案和所述第三金屬氧化物圖案的材料相同。
[0010]優(yōu)選的，所述陣列基板包括襯底基板，所述第一金屬氧化物圖案相較于所述第二金屬氧化物圖案靠近所述襯底基板。
[0011]優(yōu)選的，所述第一金屬氧化物圖案、所述第二金屬氧化物圖案及所述第三金屬氧化物圖案的厚度為10-50nmo
[0012]優(yōu)選的，在垂直于所述陣列基板的方向上，所述第一金屬氧化物圖案和所述第二金屬氧化物圖案完全重合;或者，所述第二金屬氧化物圖案的邊界在所述第一金屬氧化物圖案的邊界以內。
[0013]第二方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0014]優(yōu)選的，所述顯示裝置為液晶顯示裝置或OLED顯示裝置。
[0015]第三方面，提供一種陣列基板的制備方法，所述陣列基板包括像素單元和柵極驅動電路;所述像素單元包括第一薄膜晶體管，所述柵極驅動電路包括第二薄膜晶體管。所述陣列基板的制備方法包括:依次形成第一金屬氧化物薄膜和第二金屬氧化物薄膜;采用一次構圖工藝，將所述第一金屬氧化物薄膜構圖形成第一金屬氧化物圖案和第三金屬氧化物圖案，將所述第二金屬氧化物薄膜構圖形成位于所述第一金屬氧化物圖案上的第二金屬氧化物圖案;其中，所述第一金屬氧化物圖案和所述第二金屬氧化物圖案為所述第一薄膜晶體管的有源層，所述第三金屬氧化物圖案為所述第二薄膜晶體管的有源層。
[0016]優(yōu)選的，所述構圖工藝為雙縫衍射構圖工藝或半色調掩膜板構圖工藝。
[0017]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，由于陣列基板像素單元中的第一薄膜晶體管的有源層包括雙層結構(第一金屬氧化物圖案和第二金屬氧化物圖案，柵極驅動電路中的第二薄膜晶體管的有源層包括單層結構(第三金屬氧化物圖案)，且第二金屬氧化物圖案的光學穩(wěn)定性大于第一金屬氧化物圖案的光學穩(wěn)定性，即第二金屬氧化物圖案的光學穩(wěn)定性較好，因而可以確保像素單元的第一薄膜晶體管具有良好的穩(wěn)定性。在此基礎上，第一金屬氧化物圖案和第三金屬氧化物圖案的載流子迀移率大于第二金屬氧化物圖案的載流子迀移率，即第三金屬氧化物圖案的載流子迀移率較高，因而在第三金屬氧化物物圖案為第二薄膜晶體管的有源層時，可以滿足柵極驅動電路的驅動要求，因此可以減小柵極驅動電路中第二薄膜晶體管的尺寸，以使實現(xiàn)窄邊框設計。
[0018]相對現(xiàn)有技術中，像素單元中的第一薄膜晶體管和柵極驅動電路中的第二薄膜晶體管采用相同的材料制作，本發(fā)明實施例第一薄膜晶體管中的有源層采用雙層結構，第二薄膜晶體管的有源層采用單層結構，這樣既可以保證像素單元中第一薄膜晶體管的穩(wěn)定性，又能夠減小柵極驅動電路中第二薄膜晶體管的尺寸，從而達到窄邊框設計要求。
【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖一；
[0021]圖2(a)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的結構示意圖一；
[0022]圖2(b)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的結構示意圖二；
[0023]圖2(c)為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的結構示意圖三；
[0024]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的制備方法的流程示意圖；
[0025]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種形成第一金屬氧化物薄膜和第二金屬氧化物薄膜的結構示意圖；
[0026]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種形成第一金屬氧化圖案、第二金屬氧化圖案和第三金屬氧化物圖案的結構示意圖；
[0027]圖6為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖二；
[0028]圖7為本發(fā)明實施例提供的一種在第一金屬氧化物薄膜和第二金屬氧化物薄膜上形成光刻膠的結構示意圖。
[0029]附圖標記:
[0030]01-顯示區(qū)域;02-非顯示區(qū)域;03-像素單元;04-柵極驅動電路；10-第一薄膜晶體管；101-第一薄膜晶體管的有源層；1011-第一金屬氧化物圖案；1012-第二金屬氧化物圖案；102-第一柵極；103-第一源極；104-第一漏極；105-第一柵絕緣層；106-第一像素電極；107-第一保護層;20-第二薄膜晶體管;201-第二薄膜晶體管的有源層;2011-第三金屬氧化物圖案;202-第二柵極;203-第二源極;204-第二漏極;205-第二柵絕緣層;206-第二像素電極;207-第二保護層;30-襯底基板;40-第一金屬氧化物薄膜;50-第二金屬氧化物薄膜;60-光刻膠。
【具體實施方式】
[0031]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0032]現(xiàn)有技術中的金屬氧化物半導體均不能同時滿足既具有良好的光學穩(wěn)定性又具有較高的載流子迀移率?；诖?，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，如圖1和圖2所示，包括像素單元03和柵極驅動電路04;像素單元03包括第一薄膜晶體管10，柵極驅動電路04包括第二薄膜晶體管20，第一薄膜晶體管10的有源層101包括層疊設置的第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012;第二薄膜晶體管20的有源層201為第三金屬氧化物圖案2011;其中，第二金屬氧化物圖案2011的光學穩(wěn)定性大于第一金屬氧化物圖案1011的光學穩(wěn)定性，第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率大于第二金屬氧化物圖案1012的載流子迀移率。
[0033]需要說明的是，第一，如圖1所示，陣列基板劃分為顯示區(qū)域01和包圍顯示區(qū)域01的非顯示區(qū)域02，像素單元03設置在陣列基板的顯示區(qū)域01，柵極驅動電路04設置在陣列基板的非顯示區(qū)域02。其中，柵極驅動電路04可以設置在顯示區(qū)域01的一邊，也可以設置在顯示區(qū)域01的兩邊，此處不進行限定。本發(fā)明實施例附圖1中以柵極驅動電路04設置在顯示區(qū)域01的兩邊為例進行示意。
[0034]第二，光學穩(wěn)定性，是指材料對光化學反應的穩(wěn)定性，材料分子吸收光之后成為處于瞬時激發(fā)態(tài)的新化學種，隨后會發(fā)生分解或偶合反應而轉化為新結構。材料的光穩(wěn)定性是指材料在受到光照之后抵抗生成這種瞬時激發(fā)態(tài)的新化學種的能力。
[0035]薄膜晶體管中金屬氧化物的光學穩(wěn)定性越高，貝Ij在NBIS(negativebiasilluminat1n stress，負偏光照應力)情況下薄膜晶體管在不同強度的藍光光照下薄膜晶體管的轉移特性曲線的偏移程度越小，而薄膜晶體管的轉移特性曲線的偏移程度越小，薄膜晶體管的性能越穩(wěn)定。示例的，第三薄膜晶體管的有源層只包括第一金屬氧化物圖案1011，第四薄膜晶體管的有源層只包括第二金屬氧化物圖案1012，第三薄膜晶體管和第四薄膜晶體管的其它膜層材料均相同，若第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性大于第一金屬氧化物圖案1011的光學穩(wěn)定性，即在NBIS情況下，第三薄膜晶體管和第四薄膜晶體管在不同強度的藍光光照下，第三薄膜晶體管的轉移特性曲線的偏移程度大于第四薄膜晶體管的轉移特性曲線的偏移程度，即薄膜晶體管的有源層包括第二金屬氧化物圖案1012，則薄膜晶體管的性能比較穩(wěn)定。
[0036]第三，如圖2(a)、圖2(b)以及圖2(c)所示，第一薄膜晶體管10除包括有源層101外，還包括第一柵極102、第一源極103、第一漏極104和第一柵絕緣層105;其中，第一源極103和第一漏極104均與第一薄膜晶體管10的有源層101接觸；同理，第二薄膜晶體管20除包括有源層201外，還包括第二柵極202、第二源極203、第二漏極204和第二柵絕緣層205;其中，第二源極203和第二漏極204均與第二薄膜晶體管20的有源層201接觸。
[0037]此處，像素單元03中的第一薄膜晶體管10和柵極驅動電路04中的第二薄膜晶體管20可以同時形成，具體地，第一柵極102和第二柵極202可以同時形成，第一柵絕緣層105和第二柵絕緣層205可以同時形成，第一源極103、第一漏極104和第二源極203、第二漏極204可以同時形成。
[0038]在此基礎上，第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20可以是底柵型薄膜晶體管，也可以是頂柵型薄膜晶體管。本發(fā)明實施例附圖中均以第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20為底柵型薄膜晶體管為例進行示意。
[0039]其中，如圖2(a)、圖2(b)以及圖2(c)所示，第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20可以均制作在襯底基板30上。
[0040]第四，對于第一金屬氧化物圖案1011、第二金屬氧化物圖案1012和第三金屬氧化物圖案2011具體是選取何種金屬氧化物不進行限定，只要滿足第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性大于第一金屬氧化物圖案1011的光學穩(wěn)定性，即第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性較好，第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率大于第二金屬氧化物圖案1012的載流子迀移率，即第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率較高即可。
[0041]第五，第一薄膜晶體管10中第一金屬氧化物圖案1011的材料和第二薄膜晶體管20中第三金屬氧化物圖案2011的材料可以相同，也可以不同。本發(fā)明實施例附圖中均以第一金屬氧化物圖案1011的材料與第三金屬氧化物圖案2011的材料相同為例進行示意。
[0042]對于第一薄膜晶體管10的有源層101中第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012的設置位置不進行限定，可以是如圖2(a)所示第一金屬氧化物圖案1011設置在上方，也可以是如圖2(b)和圖2(c)第二金屬氧化物圖案1012設置在上方。
[0043]第六，由于第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性大于第一金屬氧化物圖案1011的光學穩(wěn)定性，即第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性較好，第一薄膜晶體管10的有源層101包括第二金屬氧化物圖案1012，因而形成的第一薄膜晶體管10具有良好的穩(wěn)定性。
[0044]在此基礎上，第一金屬氧化物圖案1011的載流子迀移率大于第二金屬氧化物圖案1012的載流子迀移率，即第一金屬氧化物圖案1011的載流子迀移率較高，而第一薄膜晶體管10的有源層101包括第一金屬氧化物圖案1011，因而形成的第一薄膜晶體管10具有良好的開關特性。
[0045]第七，若第二薄膜晶體管20的有源層201的載流子迀移率較低，則第二薄膜晶體管20的開態(tài)電流較小，因而在制作第二薄膜晶體管20時，需要設計較大尺寸的有源層201來滿足驅動要求，從而導致第二薄膜晶體管20的尺寸較大，最終使得柵極驅動電路04的尺寸較大，進而不利于實現(xiàn)窄邊框技術。
[0046]基于上述，本發(fā)明實施例中第二薄膜晶體管20的有源層201為第三金屬氧化物圖案2011，且第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率大于第二金屬氧化物圖案1012的載流子迀移率，即第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率較高，而第二薄膜晶體管20的有源層201包括第三金屬氧化物圖案2012，因而形成的第二薄膜晶體管20的開態(tài)電流較大，具有良好的開關特性。
[0047]此處，由于柵極驅動電路04被黑矩陣完全遮擋，因而柵極驅動電路04中的第二薄膜晶體管20的有源層201不會受到光照的影響，即第二薄膜晶體管20能夠保持穩(wěn)定的薄膜晶體管特性。
[0048]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，由于像素單元03中的第一薄膜晶體管10的有源層101包括雙層結構(第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012)，柵極驅動電路04中的第二薄膜晶體管20的有源層201包括單層結構(第三金屬氧化物圖案2011)，且第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性大于第一金屬氧化物圖案1011的光學穩(wěn)定性，即第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性較好，因而可以確保像素單元03的第一薄膜晶體管10具有良好的穩(wěn)定性。在此基礎上，第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率大于第二金屬氧化物圖案1012的載流子迀移率，即第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率較高，因而在第三金屬氧化物物圖案2011為第二薄膜晶體管20的有源層201時，可以滿足柵極驅動電路04的驅動要求，因此可以減小柵極驅動電路04中第二薄膜晶體管20的尺寸，以使實現(xiàn)窄邊框設計。
[0049]相對現(xiàn)有技術中，像素單元03中的第一薄膜晶體管10和柵極驅動電路04中的第二薄膜晶體管20采用相同的材料制作，本發(fā)明實施例第一薄膜晶體管10中的有源層101采用雙層結構，第二薄膜晶體管20的有源層201采用單層結構，這樣既可以保證像素單元03中第一薄膜晶體管10的穩(wěn)定性，又能夠減小柵極驅動電路01中第二薄膜晶體管20的尺寸，從而達到窄邊框設計要求。
[0050]優(yōu)選的，第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011的材料選自ZnO(氧化鋅)、ΙΤΖ0(銦錫鋅氧化物)、ITZTO(銦錫鋅錫氧化物)、IZO(銦錫氧化物)、ζτο(鋅錫氧化物)中的至少一種;第二金屬氧化物圖案1012的材料為IGZO (銦鎵鋅氧化物)。
[0051 ] 其中，ΖηΟ、ΙΤΖΟ、ΙΤΖΤΟ、ΙΖ0、ΖΤ0均屬于載流子迀移率高的金屬氧化物，IGZO是一種光穩(wěn)定性較好的金屬氧化物。
[0052]此處，需要說明的是，Ζη0、ΙΤΖ0、ΙΤΖΤ0、ΙΖ0、ΖΤ0的載流子迀移率高，但是光學穩(wěn)定性較差;而IGZO的光學穩(wěn)定性良好，但是載流子迀移率不高。
[0053]由于Ζη0、ΙΤΖ0、ΙΤΖΤ0、ΙΖ0、ΖΤ0的載流子迀移率高，因此第二薄膜晶體管20的開態(tài)電流較大，從而可以將第二薄膜晶體管20中有源層201的尺寸設計的較小，最終使得第二薄膜晶體管20的尺寸較小。由于IGZO的光學穩(wěn)定性較好，因而利用IGZO形成的第一薄膜晶體管10的有源層101的光穩(wěn)定性較好。在此基礎上，由于第一薄膜晶體管10的有源層101還包括第一金屬氧化物圖案1011，因而第一薄膜晶體管10的開態(tài)電流較大，因而可以將第一薄膜晶體管10中有源層101的尺寸設計的較小，以使得第一薄膜晶體管20的尺寸較小。
[0054]優(yōu)選的，第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011的材料相同。
[0055]其中，第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011均選自載流子迀移率較高的材料。
[0056]本發(fā)明實施例，由于第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011的材料相同，因而第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011可以同時形成，從而簡化了第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20的制作過程。
[0057]優(yōu)選的，如圖2(b)和圖2(c)所示，陣列基板包括襯底基板30，第一金屬氧化物圖案1011相較于第二金屬氧化物圖案1012靠近襯底基板30。
[0058]此處，第一金屬氧化物圖案1011的載流子迀移率高，但是光學穩(wěn)定性不好，因而將第一金屬氧化物圖案1011設置在下方，第二金屬氧化物圖案1012設置在上方，這樣第二金屬氧化物圖案1012便可以對第一金屬氧化物圖案1011進行保護，減小第一金屬氧化物圖案1011受到的光照，以使第一薄膜晶體管10保持穩(wěn)定的特性。
[0059]此外，在第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011的材料相同情況下，將第一金氧化物圖案1011相較于第二金屬氧化物圖案1012靠近襯底基板30設置，這樣可以采用一次構圖工藝形成第一金屬氧化物圖案1011、第二金屬氧化物圖案1012和第三金屬氧化物圖案2011，從而簡化了第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20的制作工藝。
[0060]優(yōu)選的，第一金屬氧化物圖案1011、第二金屬氧化物圖案1012及第三金屬氧化物圖案2011的厚度為10-50nmo
[0061]其中，第一金屬氧化物圖案1011、第二金屬氧化物圖案1012及第三金屬氧化物圖案2011的厚度可以相同，也可以不同。
[0062]由于薄膜晶體管中若有源層的厚度太小，則可能不能保證薄膜晶體管具有良好的開關特性;若有源層的厚度太大，則會增加薄膜晶體管的制作成本，因而本發(fā)明實施例優(yōu)選第一金屬氧化物圖案1011、第二金屬氧化物圖案1012及第三金屬氧化物圖案2011的厚度為10-50nm，這樣便可以確保第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20具有良好的開關特性，且可以降低第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20的制作成本。
[0063]優(yōu)選的，在垂直于陣列基板的方向上，如圖2(b)所示，第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012完全重合;或者，如圖2(c)所示，第二金屬氧化物圖案1012的邊界在第一金屬氧化物圖案1011的邊界以內。
[0064]本發(fā)明實施例，當在垂直于陣列基板的方向上，第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012完全重合;或者，第二金屬氧化物圖案1012的邊界在第一金屬氧化物圖案1011的邊界以內時，通過一次構圖工藝可以同時形成第一薄膜晶體管10的第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012。
[0065]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0066]其中，本實施例提供的顯示裝置可以是顯示不論運動(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫的圖像的任何裝置。更明確地說，預期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手持式或便攜式計算機、GPS接收器/導航器、相機、MP3播放器、攝像機、游戲控制臺、手表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、導航儀、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結構、包裝和美學結構(例如，對于一件珠寶的圖像的顯示器)等。還可以是顯示面板等顯示部件。
[0067]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，由于顯示裝置包括上述的陣列基板，而陣列基板的像素單元03中的第一薄膜晶體管10的有源層101包括雙層結構(第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012)，柵極驅動電路04中的第二薄膜晶體管20的有源層201包括單層結構(第三金屬氧化物圖案2011)，且第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性大于第一金屬氧化物圖案1011的光學穩(wěn)定性，即第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性較好，因而可以確保像素單元03的第一薄膜晶體管10具有良好的穩(wěn)定性。在此基礎上，第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率大于第二金屬氧化物圖案1012的載流子迀移率，即第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率較高，因而在第三金屬氧化物物圖案2011為第二薄膜晶體管20的有源層201時，可以滿足柵極驅動電路04的驅動要求，因此可以減小柵極驅動電路04中第二薄膜晶體管20的尺寸，以使實現(xiàn)窄邊框設計。
[0068]相對現(xiàn)有技術中，像素單元03中的第一薄膜晶體管10和柵極驅動電路04中的第二薄膜晶體管20采用相同的材料制作，本發(fā)明實施例第一薄膜晶體管10中的有源層101采用雙層結構，第二薄膜晶體管20的有源層201采用單層結構，這樣既可以保證像素單元03中第一薄膜晶體管10的穩(wěn)定性，又能夠減小柵極驅動電路01中第二薄膜晶體管20的尺寸，從而可以使顯示裝置達到窄邊框設計要求。
[0069]優(yōu)選的，顯示裝置為液晶顯示裝置或0LED(0rganic Light Emitting D1de，有機電致發(fā)光二極管)顯示裝置。
[0070]其中，當顯示裝置為OLED顯示裝置時，顯示裝置除包括陣列基板外，還包括封裝基板；當顯示裝置為液晶顯示裝置時，顯示裝置除包括陣列基板外，還包括對盒基板，此時，彩色膜層可以設置在陣列基板上，也可以設置在對盒基板上。
[0071]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板的制備方法，陣列基板包括像素單元03和柵極驅動電路04;像素單元03包括第一薄膜晶體管10，柵極驅動電路04包括第二薄膜晶體管20。
[0072]如圖3所示，陣列基板的制備方法包括:
[0073]S100、如圖4所示，依次形成第一金屬氧化物薄膜40和第二金屬氧化物薄膜50。
[0074]其中，對于第一金屬氧化物薄膜40和第二金屬氧化物薄膜50的具體材料不進行限定，只要滿足第一金屬氧化物薄膜40的載流子迀移率大于第二金屬氧化物薄膜50的載流子迀移率，第二金屬氧化物薄膜50的光學穩(wěn)定性大于第一金屬氧化物薄膜40的光學穩(wěn)定性即可，即第一金屬氧化物薄膜40的載流子迀移率較高，第二金屬氧化物薄膜50的光學穩(wěn)定性較好。
[0075]此處，第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20可以是底柵型薄膜晶體管，也可以是頂柵型薄膜晶體管。在第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20是底柵型薄膜晶體管的情況下，在步驟SlOO之前，陣列基板的制備方法還包括在襯底基板30上形成金屬薄膜，并通過構圖工藝形成第一柵極102和第二柵極202，再在第一柵極102和第二柵極202上形成柵絕緣層(附圖4中205或105所示)。
[0076]S101、如圖5所示，采用一次構圖工藝，將第一金屬氧化物薄膜40構圖形成第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案1012，將第二金屬氧化物薄膜50構圖形成位于第一金屬氧化物圖案1011上的第二金屬氧化物圖案1012。
[0077]其中，第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012為第一薄膜晶體管10的有源層101，第三金屬氧化物圖案2011為第二薄膜晶體管20的有源層201。
[0078]需要說明的是，在形成第一薄膜晶體管10的有源層101(包括第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012)和第二薄膜晶體管20的有源層201(第三金屬氧化物圖案2011)后，陣列基板的制備方法還包括如圖6所示，形成第一源極103、第一漏極104、第二源極203和第二漏極204，再形成第一保護層107和第二保護層207，第一保護層107和第二保護層207可以同層形成，之后，再形成第一像素電極106和第二像素電極206，其中，第一像素電極106與第一漏極104相連，第二像素電極206與第二漏極204相連。
[0079]本發(fā)明實施例提供一種陣列基板的制備方法，像素單元03中的第一薄膜晶體管10的有源層101包括雙層結構(第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012)，柵極驅動電路04中的第二薄膜晶體管20的有源層201包括單層結構(第三金屬氧化物圖案2011)，且第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性大于第一金屬氧化物圖案1011的光學穩(wěn)定性，即第二金屬氧化物圖案1012的光學穩(wěn)定性較好，因而可以確保像素單元03的第一薄膜晶體管10具有良好的穩(wěn)定性。在此基礎上，第一金屬氧化物圖案1011和第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率大于第二金屬氧化物圖案1012的載流子迀移率，即第三金屬氧化物圖案2011的載流子迀移率較高，因而在第三金屬氧化物物圖案2011為第二薄膜晶體管20的有源層201時，可以滿足柵極驅動電路04的驅動要求，因此可以減小柵極驅動電路04中第二薄膜晶體管20的尺寸，以使實現(xiàn)窄邊框設計。
[0080]相對現(xiàn)有技術中，像素單元03中的第一薄膜晶體管10和柵極驅動電路04中的第二薄膜晶體管20采用相同的材料制作，本發(fā)明實施例第一薄膜晶體管10中的有源層101采用雙層結構，第二薄膜晶體管20的有源層201采用單層結構，這樣既可以保證像素單元03中第一薄膜晶體管10的穩(wěn)定性，又能夠減小柵極驅動電路01中第二薄膜晶體管20的尺寸，從而可以使顯示裝置達到窄邊框設計要求。
[0081]優(yōu)選的，如圖7所示，上述構圖工藝為雙縫衍射構圖工藝或半色調掩膜板構圖工
-H-
O
[0082]其中，雙縫衍射構圖工藝或半色調掩膜板構圖工藝包括:如圖7所示，在第二金屬氧化薄膜50上涂布一層光刻膠，并通過光刻工藝去掉除第一薄膜晶體管10的有源層101和第二薄膜晶體管20的有源層201對應位置以外的光刻膠60，之后，如圖5所示，通過刻蝕工藝形成第一金屬氧化物圖案1011、第二金屬氧化物圖案1012和第三金屬氧化物圖案2011。
[0083]本發(fā)明實施例，采用雙縫衍射構圖工藝或半色調掩膜板構圖工藝可以一次形成第一薄膜晶體管10的有源層101 (包括第一金屬氧化物圖案1011和第二金屬氧化物圖案1012)和第二薄膜晶體管20的有源層201 (第三金屬氧化物圖案2011)，簡化了第一薄膜晶體管10和第二薄膜晶體管20的制備過程。
[0084]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種陣列基板，包括像素單元和柵極驅動電路;所述像素單元包括第一薄膜晶體管，所述柵極驅動電路包括第二薄膜晶體管，其特征在于， 所述第一薄膜晶體管的有源層包括層疊設置的第一金屬氧化物圖案和第二金屬氧化物圖案;所述第二薄膜晶體管的有源層為第三金屬氧化物圖案； 其中，所述第二金屬氧化物圖案的光學穩(wěn)定性大于所述第一金屬氧化物圖案的光學穩(wěn)定性，所述第一金屬氧化物圖案和所述第三金屬氧化物圖案的載流子迀移率大于所述第二金屬氧化物圖案的載流子迀移率。2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬氧化物圖案和所述第三金屬氧化物圖案的材料選自ZnO、ITZO、ITZTO、IZO、ZTO中的至少一種； 所述第二金屬氧化物圖案的材料為IGZO。3.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬氧化物圖案和所述第三金屬氧化物圖案的材料相同。4.根據(jù)權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板，所述第一金屬氧化物圖案相較于所述第二金屬氧化物圖案靠近所述襯底基板。5.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬氧化物圖案、所述第二金屬氧化物圖案及所述第三金屬氧化物圖案的厚度為10_50nm。6.根據(jù)權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，在垂直于所述陣列基板的方向上，所述第一金屬氧化物圖案和所述第二金屬氧化物圖案完全重合;或者，所述第二金屬氧化物圖案的邊界在所述第一金屬氧化物圖案的邊界以內。7.—種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-6任一項所述的陣列基板。8.根據(jù)權利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置為液晶顯示裝置或OLED顯示裝置。9.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板包括像素單元和柵極驅動電路;所述像素單元包括第一薄膜晶體管，所述柵極驅動電路包括第二薄膜晶體管； 所述陣列基板的制備方法包括: 依次形成第一金屬氧化物薄膜和第二金屬氧化物薄膜； 采用一次構圖工藝，將所述第一金屬氧化物薄膜構圖形成第一金屬氧化物圖案和第三金屬氧化物圖案，將所述第二金屬氧化物薄膜構圖形成位于所述第一金屬氧化物圖案上的第二金屬氧化物圖案； 其中，所述第一金屬氧化物圖案和所述第二金屬氧化物圖案為所述第一薄膜晶體管的有源層，所述第三金屬氧化物圖案為所述第二薄膜晶體管的有源層。10.根據(jù)權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述構圖工藝為雙縫衍射構圖工藝或半色調掩膜板構圖工藝。
【文檔編號】H01L21/77GK106057826SQ201610644134
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年8月8日 公開號201610644134.6, CN 106057826 A, CN 106057826A, CN 201610644134, CN-A-106057826, CN106057826 A, CN106057826A, CN201610644134, CN201610644134.6
【發(fā)明人】楊維, 王珂
【申請人】京東方科技集團股份有限公司