一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法，通過(guò)在基底的引線區(qū)域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區(qū)域內(nèi)金屬線的裸露狀態(tài)，避免金屬引線反光，更為美觀；遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強(qiáng)遮光效果；此外，本發(fā)明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現(xiàn)有的設(shè)備形成遮擋層，無(wú)需額外增加油墨涂覆設(shè)備，減小設(shè)備投資，從而降低生產(chǎn)成本。
【專利說(shuō)明】
一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，為實(shí)現(xiàn)窄邊框甚至無(wú)邊框設(shè)計(jì)，需要將陣列基板放置在顯示面板的出光側(cè)，將彩膜基板放置在顯示面板的入光側(cè)，這樣可大幅度地窄化PCB貼合的連接焊盤區(qū)域的邊框。
[0003]但是，在陣列基板的周邊引線區(qū)域，金屬引線呈裸露狀態(tài)，為了遮擋陣列基板的周邊引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線，目前通常采用涂覆油墨的方法覆蓋，這樣，需要額外增加油墨涂覆設(shè)備和人力物力，使得產(chǎn)品生產(chǎn)成本增加。
[0004]此外，由于油墨的遮光性能較差，在陣列基板的周邊引線區(qū)域存在漏光、反光的現(xiàn)象，影響顯示效果。
[0005]因此，亟需一種在保證窄邊框的前提下，既能夠消除陣列基板周邊引線區(qū)域內(nèi)金屬線的裸露狀態(tài)，又能降低該區(qū)域反光和漏光的方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種陣列基板、顯示面板及陣列基板制備方法，用以至少部分解決窄邊框產(chǎn)品生產(chǎn)成本高以及周邊引線區(qū)域金屬引線漏光、反光的問(wèn)題。
[0007]本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題，采用如下技術(shù)方案:
[0008]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括基底，還包括用于遮擋所述引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線的遮擋層，所述遮擋層位于所述基底的引線區(qū)域，包括減反射膜層，所述減反膜層形成在所述基底上。
[0009]進(jìn)一步的，所述遮擋層還包括金屬膜層，所述金屬膜層形成在所述減反膜層上。
[0010]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括形成在所述基底上顯示區(qū)域的第一增透層，所述第一增透層用于降低所述顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管對(duì)環(huán)境光的反射率。
[0011]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括形成在所述遮擋層上的第二增透層。
[0012]優(yōu)選的，所述第一增透層和第二增透層包括減反射膜層和金屬膜層，所述減反射膜層位于所述金屬膜層和基底之間。
[0013]優(yōu)選的，所述第一增透層與第二增透層同層設(shè)置且材料相同。
[0014]優(yōu)選的，所述遮擋層與所述第一增透層同層設(shè)置且材料相同。
[0015]進(jìn)一步的，所述基底的顯示區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域；
[0016]所述陣列基板還包括位于薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)的柵極和位于所述引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線;所述柵極由所述第一增透層的金屬膜層通過(guò)構(gòu)圖工藝形成。
[0017]優(yōu)選的，所述遮擋層的寬度大于或等于所述引線區(qū)內(nèi)的金屬引線的寬度。
[0018]本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括如前所述的陣列基板。
[0019]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括如前所述的顯示面板。
[0020]本發(fā)明還提供一種陣列基板制備方法，通過(guò)構(gòu)圖工藝在基底上的引線區(qū)域形成包括遮擋層的圖形，所述遮擋層包括減反射膜層，所述減反膜層形成在所述基底上。
[0021 ]進(jìn)一步的，所述遮擋層還包括金屬膜層，所述金屬膜層形成在所述減反膜層上;所述通過(guò)構(gòu)圖工藝在基底上的引線區(qū)域形成包括遮擋層的圖形，具體包括:通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，在基底上的引線區(qū)域形成包括減反膜層和金屬膜層的圖形。
[0022]進(jìn)一步的，所述陣列基板制備方法還包括:
[0023]通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述基底上的顯示區(qū)域形成第一增透層，所述第一增透層用于降低所述顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管對(duì)環(huán)境光的反射率。
[0024]進(jìn)一步的，所述陣列基板的制備方法還包括:通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述遮擋層上形成第二增透層。
[0025]優(yōu)選的，所述第一增透層和第二增透層包括減反射膜層和金屬膜層，所述減反射膜層位于所述金屬膜層和基底之間。
[0026]優(yōu)選的，通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)在所述基底上的顯示區(qū)域形成包括第一增透層的圖形，以及在所述遮擋層上形成包括第二增透層的圖形。
[0027]優(yōu)選的，所述顯示區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域；
[0028]所述通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)在所述基底上的顯示區(qū)域形成包括第一增透層的圖形，以及在所述遮擋層上形成包括第二增透層的圖形，具體包括:
[0029]通過(guò)構(gòu)圖工藝在基底上的薄膜晶體管區(qū)域形成包括第一增透層的圖形，且在所述第一增透層的金屬膜層上形成包括柵極的圖形，同時(shí)通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述基底上的引線區(qū)域形成包括第二增透層的圖形，且在所述第二增透層的金屬膜層上形成包括金屬引線的圖形。
[0030]優(yōu)選的，所述遮擋層的寬度大于或等于所述引線區(qū)內(nèi)的金屬引線的寬度。
[0031]優(yōu)選的，通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)在所述基底上的引線區(qū)域形成包括遮擋層的圖形，以及在所述基底上的顯示區(qū)域形成包括第一增透層的圖形。
[0032]本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)以下有益效果:
[0033]本發(fā)明通過(guò)在基底的引線區(qū)域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區(qū)域內(nèi)金屬線的裸露狀態(tài)，避免金屬引線反光，更為美觀;遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強(qiáng)遮光效果;此外，本發(fā)明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現(xiàn)有的設(shè)備形成遮擋層，無(wú)需額外增加油墨涂覆設(shè)備，減小設(shè)備投資，從而降低生產(chǎn)成本。
【附圖說(shuō)明】
[0034]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2為本發(fā)明實(shí)施例2的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]圖例說(shuō)明:
[0037]1、基底2、遮擋層3、第一增透層
[0038]4、第二增透層21、31、41、減反射膜層
[0039]22、32、42、金屬膜層5、第一透明電極層
[0040]6、柵絕緣層7、有源層8、歐姆接觸層[0041 ]9、源極 10、漏極 11、鈍化層
[0042]12、第二透明電極層
【具體實(shí)施方式】
[0043]下面將結(jié)合本發(fā)明中的附圖，對(duì)本發(fā)明中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板應(yīng)用于窄邊框的顯示面板，陣列基板位于顯示面板的出光側(cè)，彩膜基板位于顯示面板入光側(cè)，這樣能夠窄化PCB貼合的連接焊盤區(qū)域的邊框。
[0045]實(shí)施例1
[0046]本實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1示，包括基底I，基底I包括顯示區(qū)域和引線區(qū)域，顯示區(qū)域是用來(lái)形成薄膜晶體管、像素電極、公共電極的區(qū)域，包括薄膜晶體管區(qū)域和電極區(qū)域。引線區(qū)域是用來(lái)形成與薄膜晶體管、像素電極、公共電極的信號(hào)線相連的金屬引線的區(qū)域。所述陣列基板還包括遮擋層2，遮擋層2位于基底I的引線區(qū)域，用于遮擋所述引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線(圖中未繪示)。遮擋層2包括減反射膜層21，減反膜層21形成在基底I上。
[0047]進(jìn)一步的，遮擋層2還可以包括金屬膜層22，金屬膜層22形成在減反膜層21上。也就是說(shuō)，減反射膜層21相較于金屬膜層22更鄰近基底1，可以減小從外界照射進(jìn)陣列基板的環(huán)境光的反射率，提高遮光效果。
[0048]本發(fā)明通過(guò)在基底的引線區(qū)域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區(qū)域內(nèi)金屬線的裸露狀態(tài)，避免金屬引線反光，更為美觀;遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強(qiáng)遮光效果;此外，本發(fā)明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現(xiàn)有的設(shè)備形成遮擋層，無(wú)需額外增加油墨涂覆設(shè)備，減小設(shè)備投資，從而降低生產(chǎn)成本。
[0049]優(yōu)選的，減反射膜層21可以為單層膜或復(fù)合膜。其材料可以為氮化硅(SiNx)和/或非晶硅(ASi)。減反射膜層21的材料也可以為氧化鉬。
[0050]金屬膜層22可以為單層膜，該單層膜可以由鉬(Mo)制成。金屬膜層22也可以為復(fù)合膜，該復(fù)合膜可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉬(Mo)復(fù)合制成。
[0051]需要說(shuō)明的是，所述陣列基板還包括薄膜晶體管和像素電極等結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)形成在基底I的顯示區(qū)域，后續(xù)將在實(shí)施例2中進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0052]實(shí)施例2
[0053]本實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖2示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于，還包括形成在基底I上顯示區(qū)域的第一增透層3，第一增透層3用于降低顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管和像素區(qū)域柵極和公共電極等金屬膜層對(duì)環(huán)境光的反射率。實(shí)施例2的陣列基板在引線區(qū)域內(nèi)的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1的陣列基板在引線區(qū)域內(nèi)的結(jié)構(gòu)相同，在此不再贅述。
[0054]具體的，第一增透層3包括減反射膜層31和金屬膜層32，減反射膜層31位于金屬膜層32和基底I之間。
[0055]進(jìn)一步的，如圖2所示，所述陣列基板還可以包括形成在遮擋層2上的第二增透層4，第二增透層4包括減反射膜層41和金屬膜層42，減反射膜層41位于金屬膜層42和基底I之間。
[0056]優(yōu)選的，第一增透層3與第二增透層4同層設(shè)置，且二者的材料相同，這樣，第一增透層3與第二增透層4可以同時(shí)形成，從而簡(jiǎn)化制備工藝。
[0057]需要說(shuō)明的是，在引線區(qū)域的遮擋層2上設(shè)置第二增透層4，其目的在于，與第一增透層3同步形成，以便同步在顯示區(qū)域形成柵極和在引線區(qū)域形成金屬引線。
[0058]遮擋層2也可以與第一增透層3同層設(shè)置，且二者的材料相同，這樣，遮擋層2與第一增透層3可以同時(shí)形成。
[0059]進(jìn)一步的，所述陣列基板還包括位于薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)的柵極(圖中未繪示)和位于引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線(圖中未繪示)，所述柵極可以由第一增透層3的金屬膜層31通過(guò)構(gòu)圖工藝形成。
[0060]在本發(fā)明中，無(wú)需在第一增透層3上額外沉積金屬膜層來(lái)形成柵極，而是利用第一增透層3的金屬膜層31，直接在金屬膜層31上涂覆光刻膠，并對(duì)完成上述步驟的基底采用掩膜板進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，從而在基底的薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)形成包括柵極的圖形，從而簡(jiǎn)化工藝步驟，降低生產(chǎn)成本。
[0061]為了保證引線區(qū)域不漏光，優(yōu)選的，遮擋層2的寬度大于或等于引線區(qū)內(nèi)的金屬引線的寬度，也就是說(shuō)，遮擋層2能夠?qū)⒔饘僖€完全覆蓋。第二增透層4的金屬膜層42的寬度即為金屬引線的寬度。在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，第二增透層4的減反射膜層41的寬度與金屬膜層42的寬度相等，這樣，第二增透層4的減反射膜層41和金屬膜層42可以同時(shí)形成。
[0062]進(jìn)一步的，如圖2所示，在所述陣列基板的基底的電極區(qū)域設(shè)置有第一透明電極層5，在柵極上方設(shè)置有柵絕緣層6(Gate Insulator)，柵絕緣層6的上方設(shè)置有有源層7(Purea-Si)，有源層7的上方設(shè)置有歐姆接觸層8(ImpUrity N+a-Si);歐姆接觸層8的上方設(shè)置有源極9(Source electrode)和漏極10(Drain electrode)。在源極9和漏極10的上方還設(shè)置有鈍化層Il(PVX)，在鈍化層11的上方還設(shè)置有第二透明電極層12。
[0063]第一透明電極層5和第二透明電極層12的材料可以為氧化銦錫(ITO)，第一透明電極為公共電極，第二透明電極為像素電極。
[0064]通過(guò)在引線區(qū)域設(shè)置遮擋層，并在顯示區(qū)域設(shè)置第一增透層，不但能夠避免引線區(qū)域內(nèi)金屬引線的反光，減小外界光的反射率，從而增強(qiáng)遮光效果，而且，還可以降低薄膜晶體管對(duì)環(huán)境光的反射率，提高對(duì)比度，增強(qiáng)顯示效果。
[0065]實(shí)施例3
[0066]本實(shí)施例提供一種顯示面板，所述顯示面板包括如前所述的陣列基板，所述陣列基板的結(jié)構(gòu)在此不再贅述。
[0067]通過(guò)在基底的引線區(qū)域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區(qū)域內(nèi)金屬線的裸露狀態(tài)，避免金屬引線反光，更為美觀;遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強(qiáng)遮光效果；此夕卜，本發(fā)明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現(xiàn)有的設(shè)備形成遮擋層，無(wú)需額外增加油墨涂覆設(shè)備，減小設(shè)備投資，從而降低生產(chǎn)成本。
[0068]實(shí)施例4
[0069]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如前所述的顯示面板，其中的陣列基板和顯示面板的結(jié)構(gòu)在此不再贅述。
[0070]通過(guò)在基底的引線區(qū)域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區(qū)域內(nèi)金屬線的裸露狀態(tài)，避免金屬引線反光，更為美觀;遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強(qiáng)遮光效果；此夕卜，本發(fā)明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現(xiàn)有的設(shè)備形成遮擋層，無(wú)需額外增加油墨涂覆設(shè)備，減小設(shè)備投資，從而降低生產(chǎn)成本。
[0071]實(shí)施例5
[0072]本實(shí)施例提供一種陣列基板制備方法，如圖1、2所示，所述方法包括以下步驟:
[0073]步驟I，通過(guò)構(gòu)圖工藝在基底I上的引線區(qū)域形成包括遮擋層2的圖形。
[0074]其中，所述遮擋層2位于所述基底I的引線區(qū)域，包括減反射膜層21，減反膜層21形成在基底I上。
[0075]基底I可以選用玻璃基板或其他類型的透明基板。
[0076]遮擋層2還可以包括金屬膜層22，金屬膜層22形成在減反膜層21上。當(dāng)遮擋層2包括減反膜層21和金屬膜層22時(shí)，步驟I具體包括:在整個(gè)陣列基板上(包括顯示區(qū)域和引線區(qū)域)依次形成減反射膜層21和金屬膜層22，并對(duì)金屬膜層22和減反射膜層21依次通過(guò)構(gòu)圖工藝在引線區(qū)域形成包括遮擋層2的圖形。也就是說(shuō)，首先在基底I的引線區(qū)域和顯示區(qū)域采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法依次沉積減反射膜層21和金屬膜層22，然后通過(guò)構(gòu)圖工藝依次在金屬膜層22上形成遮擋層2的第一圖形，以及在減反射膜層21上形成遮擋層2的第二圖形，從而在引線區(qū)域形成遮擋層2的圖形(包括第一圖形和第二圖形)。
[0077]優(yōu)選的，遮擋層2的第一圖形和第二圖形相同，也就是說(shuō)，可以通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，同時(shí)在基底上的引線區(qū)域形成包括減反膜層21和金屬膜層22的圖形。
[0078]通過(guò)在基底的引線區(qū)域形成遮擋層，利用遮擋層遮擋引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線，消除陣列基板周邊引線區(qū)域內(nèi)金屬線的裸露狀態(tài)，避免金屬引線反光，更為美觀;遮擋層中的減反射膜層位于金屬膜層和基底之間，能夠減小外界光的反射率，從而增強(qiáng)遮光效果；此夕卜，本發(fā)明的方案可以借助陣列基板制備工藝中現(xiàn)有的設(shè)備形成遮擋層，無(wú)需額外增加油墨涂覆設(shè)備，減小設(shè)備投資，從而降低生產(chǎn)成本。
[0079]進(jìn)一步的，如圖2所示，所述方法還包括以下步驟:
[0080]步驟2，通過(guò)構(gòu)圖工藝在基底I上的顯示區(qū)域形成第一增透層3，第一增透層3用于降低顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管對(duì)環(huán)境光的反射率。
[0081]具體的，第一增透層3位于基底I的顯示區(qū)域，包括減反射膜層31和金屬膜層32，減反射膜層31位于所述金屬膜層32和基底I之間。
[0082]需要說(shuō)明的是，可以在步驟2中，與所述第一增透層3同步，在所述引線區(qū)域形成第二增透層4，以便同步在顯示區(qū)域形成柵極和在引線區(qū)域形成金屬引線。那么，第二增透層4與第一增透層3同層設(shè)置且結(jié)構(gòu)和材料相同，即第二增透層4包括減反射膜層41和金屬膜層42，減反射膜層41位于所述金屬膜層42和遮擋層2之間。
[0083]具體的，通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)在基底I上的顯示區(qū)域形成包括第一增透層3的圖形，以及在遮擋層2上形成包括第二增透層4的圖形。也就是說(shuō)，通過(guò)構(gòu)圖工藝在基底I上的薄膜晶體管區(qū)域形成包括第一增透層3的圖形，且在第一增透層3的金屬膜層32上形成包括柵極的圖形，同時(shí)通過(guò)構(gòu)圖工藝在基底I上的引線區(qū)域形成包括第二增透層4的圖形，且在第二增透層4的金屬膜層42上形成包括金屬引線的圖形。
[0084]優(yōu)選的，遮擋層2的寬度大于或等于引線區(qū)內(nèi)的金屬引線的寬度，這樣確保遮擋層2能夠有效金屬引線，避免反光、漏光。
[0085]需要說(shuō)明的是，第一增透層3和遮擋層2可以同層設(shè)置，并在同一步驟中同時(shí)形成。具體的，通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)在基底I上的引線區(qū)域形成包括遮擋層2的圖形，以及在基底I上的顯示區(qū)域形成包括第一增透層3的圖形。
[0086]進(jìn)一步的，在遮擋層2、第一增透層3(包括金屬引線)、第二增透層4(包括柵極)形成之后，所述方法還包括以下步驟:
[0087]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，在所述基底I的電極區(qū)域形成包括第一透明電極層5的圖形。通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，在形成有柵極、第一透明電極和金屬引線的基底I上形成包括柵絕緣層
6、有源層7和歐姆接觸層8的圖形。通過(guò)一次構(gòu)圖工藝在歐姆接觸層8上形成包括源極9和漏極10的圖形。通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，在源極9、漏極10、有源層7和柵絕緣層6上形成包括鈍化層11及其電極接觸過(guò)孔的圖形。通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成包括第二透明電極層12的圖形，第二透明電極層12通過(guò)所述電極接觸過(guò)孔與漏極10連接。
[0088]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括基底，其特征在于，還包括用于遮擋引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線的遮擋層，所述遮擋層位于所述基底的引線區(qū)域，包括減反射膜層，所述減反膜層形成在所述基底上。2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮擋層還包括金屬膜層，所述金屬膜層形成在所述減反膜層上。3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，還包括形成在所述基底上顯示區(qū)域的第一增透層，所述第一增透層用于降低所述顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管對(duì)環(huán)境光的反射率。4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，還包括形成在所述遮擋層上的第二增透層。5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一增透層和第二增透層包括減反射膜層和金屬膜層，所述減反射膜層位于所述金屬膜層和基底之間。6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一增透層與第二增透層同層設(shè)置且材料相同。7.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述遮擋層與所述第一增透層同層設(shè)置且材料相同。8.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述基底的顯示區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域； 所述陣列基板還包括位于薄膜晶體管區(qū)域內(nèi)的柵極和位于所述引線區(qū)域內(nèi)的金屬引線;所述柵極由所述第一增透層的金屬膜層通過(guò)構(gòu)圖工藝形成。9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述遮擋層的寬度大于或等于所述引線區(qū)內(nèi)的金屬引線的寬度。10.—種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的陣列基板。11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的顯示面板。12.一種陣列基板制備方法，其特征在于，所述方法包括: 通過(guò)構(gòu)圖工藝在基底上的引線區(qū)域形成包括遮擋層的圖形，所述遮擋層包括減反射膜層，所述減反膜層形成在所述基底上。13.如權(quán)利要求12所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述遮擋層還包括金屬膜層，所述金屬膜層形成在所述減反膜層上； 所述通過(guò)構(gòu)圖工藝在基底上的引線區(qū)域形成包括遮擋層的圖形，具體包括: 通過(guò)一次構(gòu)圖工藝，在基底上的引線區(qū)域形成包括減反膜層和金屬膜層的圖形。14.如權(quán)利要求13所述的陣列基板制備方法，其特征在于，還包括: 通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述基底上的顯示區(qū)域形成第一增透層，所述第一增透層用于降低所述顯示區(qū)域內(nèi)的薄膜晶體管對(duì)環(huán)境光的反射率。15.如權(quán)利要求14所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述方法還包括:通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述遮擋層上形成第二增透層。16.如權(quán)利要求15所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述第一增透層和第二增透層包括減反射膜層和金屬膜層，所述減反射膜層位于所述金屬膜層和基底之間。17.如權(quán)利要求16所述的陣列基板制備方法，其特征在于，通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)在所述基底上的顯示區(qū)域形成包括第一增透層的圖形，以及在所述遮擋層上形成包括第二增透層的圖形。18.如權(quán)利要求17所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述顯示區(qū)域包括薄膜晶體管區(qū)域； 所述通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)在所述基底上的顯示區(qū)域形成包括第一增透層的圖形，以及在所述遮擋層上形成包括第二增透層的圖形，具體包括: 通過(guò)構(gòu)圖工藝在基底上的薄膜晶體管區(qū)域形成包括第一增透層的圖形，且在所述第一增透層的金屬膜層上形成包括柵極的圖形，同時(shí)通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述基底上的引線區(qū)域形成包括第二增透層的圖形，且在所述第二增透層的金屬膜層上形成包括金屬引線的圖形。19.如權(quán)利要求18所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述遮擋層的寬度大于或等于所述引線區(qū)內(nèi)的金屬引線的寬度。20.如權(quán)利要求16所述的陣列基板制備方法，其特征在于，通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)在所述基底上的引線區(qū)域形成包括遮擋層的圖形，以及在所述基底上的顯示區(qū)域形成包括第一增透層的圖形。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK106057830SQ201610696938
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年8月19日
【發(fā)明人】王守坤, 郭會(huì)斌, 馮玉春, 李梁梁
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司