用于使光輸入更為一致的堆疊柵格的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種具有堆疊柵格偏移的背照式(BSI)圖像傳感器。像素傳感器布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)。金屬柵格部分布置在像素傳感器上方并且該金屬柵格部分中具有金屬柵格開口。金屬柵格開口的中心橫向偏移于像素傳感器的中心。介電柵格部分布置在金屬柵格上方并且該介電柵格部分中具有介電柵格開口。介電柵格開口的中心橫向偏移于像素傳感器的中心。本發(fā)明還提供了一種用于制造BSI圖像傳感器的方法。
【專利說明】
用于使光輸入更為一致的堆疊柵格
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明總體涉及電子電路領(lǐng)域，更具體地，涉及背照式(BSI)圖像傳感器及其制造方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]許多現(xiàn)代電子設(shè)備包括使用圖像傳感器的光學(xué)成像設(shè)備(如，數(shù)碼相機(jī))。圖像傳感器將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換為可以表示圖像的數(shù)字信號。圖像傳感器可以包括像素傳感器陣列和用作支持的邏輯電路(supporting logic)。像素傳感器測量入射輻照(如，光)，而用作支持的邏輯電路有利于讀出測量結(jié)果。在光學(xué)成像設(shè)備中常用的一種圖像傳感器類型是背照式(BSI)圖像傳感器?？梢詫SI圖像傳感器的制造集成到傳統(tǒng)的半導(dǎo)體工藝中來實現(xiàn)低成本、小尺寸和高產(chǎn)量。此外，BSI圖像傳感器具有低工作電壓、低功耗、高量子效率、低讀出噪聲并且允許隨機(jī)存取。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種圖像傳感器，包括:像素傳感器，布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)；金屬柵格部分，布置在像素傳感器上方并且金屬柵格部分中具有金屬柵格開口， 其中，金屬柵格開口的中心橫向偏移于像素傳感器的中心；以及介電柵格部分，布置在金屬柵格上方并且介電柵格部分中具有介電柵格開口，其中，介電柵格開口的中心橫向偏移于像素傳感器的中心。
[0004]優(yōu)選地，金屬柵格開口的中心和介電柵格開口的中心分別以金屬柵格偏移量和介電柵格偏移量橫向偏移于像素傳感器的中心，并且金屬柵格偏移量不同于介電柵格偏移量。
[0005]優(yōu)選地，像素傳感器是由多個像素傳感器組成的像素傳感器陣列的一部分；其中， 金屬柵格部分是金屬柵格的一部分，金屬柵格由其中具有多個相應(yīng)的金屬柵格開口的多個金屬柵格部分組成；其中，介電柵格部分是介電柵格的一部分，介電柵格由其中具有多個相應(yīng)的介電柵格開口的多個介電柵格部分組成；其中，金屬柵格開口的中心和介電柵格開口的中心分別以金屬柵格偏移量和介電柵格偏移量橫向偏移于像素傳感器的中心，并且金屬柵格偏移量和介電柵格偏移量與像素傳感器與像素傳感器陣列的中心之間的距離成比例。
[0006]優(yōu)選地，該圖像傳感器還包括:像素傳感器陣列，包括像素傳感器和與像素傳感器相鄰的第二像素傳感器；其中，像素傳感器的中心以像素間距距離與第二像素傳感器的中心分離，并且金屬柵格開口的中心和介電柵格開口的中心分別以金屬柵格偏移量和介電柵格偏移量橫向偏移于像素傳感器的中心，其中，金屬柵格偏移量與像素間距距離的比率以及介電柵格偏移量與像素間距距離的比率在大約〇和大約3之間。
[0007]優(yōu)選地，該圖像傳感器還包括:濾色器，布置在介電柵格開口內(nèi)并且填充介電柵格開口；以及微透鏡，具有凸形上表面和基本平坦的下表面，下表面與濾色器的基本平坦的上表面鄰接。
[0008]優(yōu)選地，該圖像傳感器還包括:覆蓋層，布置在金屬柵格部分上方，并且限定介電柵格開口的下表面；以及蝕刻停止層，覆蓋覆蓋層，其中，介電柵格部分的側(cè)壁與蝕刻停止層的側(cè)壁對齊。
[0009]優(yōu)選地，該圖像傳感器還包括:后端制程(BE0L)金屬化堆疊件，布置在半導(dǎo)體襯底的與金屬柵格部分相對的側(cè)面上。
[0010]優(yōu)選地，該圖像傳感器還包括:第二像素傳感器，布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)；第二金屬柵格部分，其中具有第二金屬柵格開口，第二金屬柵格開口以第二像素傳感器的中心的正上方處為中心；以及第二介電柵格部分，其中具有第二介電柵格開口，第二介電柵格開口以第二像素傳感器的中心的正上方處為中心。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種形成圖像傳感器的方法，該方法包括:提供布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的像素傳感器；在半導(dǎo)體襯底上方形成金屬柵格層；對金屬柵格層執(zhí)行第一蝕刻，以在半導(dǎo)體襯底上方形成限定金屬柵格開口的側(cè)壁的金屬柵格，金屬柵格開口的中心橫向偏移于像素傳感器的中心；在金屬柵格上方形成介電柵格層；以及對介電柵格層執(zhí)行第二蝕刻，以在金屬柵格上方形成限定介電柵格開口的側(cè)壁的介電柵格，介電柵格的中心橫向偏移于像素傳感器的中心。
[0012]優(yōu)選地，該方法還包括:執(zhí)行第一蝕刻和第二蝕刻，以形成分別以金屬柵格偏移量和介電柵格偏移量橫向偏移于像素傳感器的中心的金屬柵格開口和介電柵格開口，其中， 金屬柵格偏移量不同于介電柵格偏移量。
[0013]優(yōu)選地，該方法還包括:提供在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的像素傳感器陣列，其中，像素傳感器陣列包括像素傳感器；以及執(zhí)行第一蝕刻和第二蝕刻，以形成分別以金屬柵格偏移量和介電柵格偏移量橫向偏移于像素傳感器的中心的金屬柵格開口和介電柵格開口，其中，金屬柵格偏移量和介電柵格偏移量與像素傳感器與像素傳感器陣列的中心之間的距離成比例。
[0014]優(yōu)選地，該方法還包括:提供在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的像素傳感器陣列，其中，像素傳感器陣列包括像素傳感器；以及執(zhí)行第一蝕刻和第二蝕刻，以形成分別以金屬柵格偏移量和介電柵格偏移量橫向偏移于像素傳感器的中心的金屬柵格開口和介電柵格開口，其中，金屬柵格偏移量與像素傳感器的像素間距距離的比率以及介電柵格偏移量與像素傳感器的像素間距距離的比率在大約0和大約3之間。
[0015]優(yōu)選地，該方法還包括:形成填充介電柵格開口的濾色器；以及形成微透鏡，微透鏡具有凸形上表面和位于濾色器上方的基本平坦的下表面。
[0016]優(yōu)選地，該方法還包括:形成位于金屬柵格上方并且填充金屬柵格開口的覆蓋層； 在覆蓋層上方形成蝕刻停止層；在蝕刻停止層上方形成介電柵格層；對介電柵格層執(zhí)行第二蝕刻直至到達(dá)蝕刻停止層，以限定介電柵格開口；以及對蝕刻停止層執(zhí)行第三蝕刻，以去除蝕刻停止層的在介電柵格開口中暴露的區(qū)域。
[0017]優(yōu)選地，該方法還包括:提供布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第二像素傳感器；執(zhí)行第一蝕刻，以限定第二金屬柵格開口，第二金屬柵格開口以第二像素傳感器的中心的正上方處為中心；以及執(zhí)行第二蝕刻，以限定第二介電柵格開口，第二介電柵格開口以第二像素傳感器的中心的正上方處為中心。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種圖像傳感器，包括:多個像素傳感器，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)布置為陣列；多個金屬柵格，布置在多個像素傳感器的陣列上方并且具有與多個像素傳感器對應(yīng)的多個金屬柵格開口，其中，位于陣列的邊緣附近的金屬柵格開口的中心以金屬柵格偏移量橫向偏移于對應(yīng)的像素傳感器的中心，金屬柵格偏移量與對應(yīng)的像素傳感器與陣列的中心之間的距離成比例；以及多個介電柵格，布置在多個金屬柵格上方并且具有與多個像素傳感器對應(yīng)的多個介電柵格開口，其中，位于陣列的邊緣附近的介電柵格開口的中心以介電柵格偏移量橫向偏移于對應(yīng)的像素傳感器的中心，介電柵格偏移量與對應(yīng)的像素傳感器與陣列的中心之間的距離成比例；其中，相對于一像素傳感器的金屬柵格偏移量不同于相對于像素傳感器的介電柵格偏移量。
[0019]優(yōu)選地，相對于像素傳感器的金屬柵格偏移量大于相對于像素傳感器的介電柵格偏移量。
[0020]優(yōu)選地，像素傳感器的陣列中的相鄰的像素傳感器的中心以像素間距距離相互間隔，并且金屬柵格偏移量與像素間距距離的比率以及介電柵格偏移量與像素間距距離的比率在大約〇和大約3之間。
[0021]優(yōu)選地，位于陣列的中心區(qū)域附近的金屬柵格開口的中心與位于陣列的中心區(qū)域的對應(yīng)的像素傳感器的中心對齊。
[0022]優(yōu)選地，位于陣列的中心區(qū)域附近的介電柵格開口的中心與位于陣列的中心區(qū)域的對應(yīng)的像素傳感器的中心對齊。【附圖說明】
[0023]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時，根據(jù)以下詳細(xì)的描述來更好地理解本發(fā)明的各個方面。 應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實踐，各個部件沒有按比例繪制。實際上，為了討論的清楚，可以任意地增加或減小各個部件的尺寸。
[0024]圖1A示出了具有堆疊柵格偏移的背照式(BSI)圖像傳感器的一些實施例的截面圖。
[0025]圖1B示出了不具有堆疊柵格偏移的BSI圖像傳感器的一些實施例的截面圖。
[0026]圖2示出了 BSI圖像傳感器的一些實施例的頂視圖。
[0027]圖3示出了 BSI圖像傳感器的一些實施例的截面圖。
[0028]圖4示出了用于制造具有堆疊柵格偏移的BSI圖像傳感器的方法的一些實施例的流程圖。
[0029]圖5至圖12示出了處于各個制造階段的BSI圖像傳感器的一些實施例的一系列截面圖。【具體實施方式】
[0030]本發(fā)明提供了許多不同的實施例或?qū)嵗?，用于實施本發(fā)明的不同部件。以下描述組件和布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅僅是實例而不意欲限制。例如，在以下的描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接觸的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間形成附件部件使得第一部件和第二部件不直接接觸的實施例。另外，本發(fā)明可以在各個實例中重復(fù)參考標(biāo)號和/或字母。這些重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身并不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關(guān)系。
[0031]此外，為了易于描述，本文中可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、 “在…上面”、“上部”等空間關(guān)系術(shù)語，以描述圖中所示的一個元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除圖中所示的定向之外，空間關(guān)系術(shù)語還包括使用或操作中的器件的不同定向。 裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他定向)，本文所使用的空間關(guān)系描述符可以同樣進(jìn)行相應(yīng)的解釋。
[0032]背照式(BSI)圖像傳感器通常包括布置在集成電路的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的像素傳感器的陣列。像素傳感器布置在集成電路的背面與集成電路的后端制程(BE0L)金屬化堆疊件之間。金屬柵格布置在集成電路的背面且位于對應(yīng)的像素傳感器上方。金屬柵格由穴狀 (cell-like)的多個金屬柵格部分組成，其中，多個金屬柵格部分各自橫向圍繞對應(yīng)于各像素傳感器的各金屬柵格開口，并且被填充金屬柵格開口的覆蓋層掩蔽。與像素傳感器對應(yīng)的微透鏡和濾色器疊置在覆蓋層上方。濾色器被配置為選擇性地將分配的輻照(如，光) 的顏色或波長傳輸至對應(yīng)的像素傳感器，而微透鏡被配置為將入射輻照聚焦到濾色器上。
[0033]前述BSI圖像傳感器所具有的挑戰(zhàn)在于，所有的金屬柵格開口通常都以相同的方式相對于對應(yīng)的像素傳感器來定向。例如，金屬柵格開口都以對應(yīng)的像素傳感器的中心的正上方為中心。這種結(jié)構(gòu)是基于來自點光源的入射輻照平行地并且以相同(common)入射角照射在BSI圖像傳感器上的假設(shè)而得到的。然而，實際上，對于不同的像素傳感器，來自點光源的入射輻照以不同的入射角度照射在BSI圖像傳感器上。由于金屬柵格可以阻擋具有除相同入射角之外的入射角度的輻照，所以該結(jié)構(gòu)會導(dǎo)致各像素傳感器的不一致的光輸入并且BSI圖像傳感器的性能劣化。這種挑戰(zhàn)的解決方案為:基于對應(yīng)的像素傳感器在像素傳感器陣列內(nèi)的位置而偏移金屬柵格開口。然而，對于較大的BSI圖像傳感器，可能存在對偏移量的限制，使得光輸入和性能劣化仍會存在于BSI圖像傳感器的特定區(qū)域中(諸如沿著BSI圖像傳感器的邊緣)。
[0034]考慮到上述問題，本發(fā)明涉及一種BSI圖像傳感器(其具有堆疊柵格偏移以提高光輸入的一致性)以及用于制造該BSI圖像傳感器的方法。在一些實施例中，BSI圖像傳感器包括布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的像素傳感器。隔離柵格(諸如淺溝槽隔離(STI)柵格或深溝槽隔離(DTI)柵格)橫向圍繞像素傳感器并且延伸到半導(dǎo)體襯底中。金屬柵格部分布置在像素傳感器上方并且其中具有金屬柵格開口，并且介電柵格部分布置在金屬柵格部分上方并且其中具有介電柵格開口。此外，金屬柵格和介電柵格開口分別以不同的偏移量(取決于像素傳感器在像素傳感器陣列中的位置)橫向偏移于像素傳感器。
[0035]通過分別將金屬柵格和介電柵格開口橫向偏移一定量(取決于像素傳感器在像素傳感器陣列中的位置)，可以有利地增加像素傳感器的光輸入的一致性。例如，可以根據(jù)像素傳感器和像素傳感器陣列的中心之間的距離而成比例地偏移金屬柵格開口和介電柵格開口。光輸入一致性的提高進(jìn)而提高了光學(xué)性能(如，SNR-10)。此外，通過橫向偏移金屬柵格開口和介電柵格開口，增大了較大BSI圖像傳感器的設(shè)計靈活性。
[0036]參照圖1，提供了具有堆疊柵格偏移的BSI圖像傳感器的一些實施例的截面圖 100A。BSI圖像傳感器包括布置在半導(dǎo)體襯底108內(nèi)的像素傳感器104A的陣列102和隔離柵格106。像素傳感器104A在半導(dǎo)體襯底108內(nèi)布置為行和/或列，并且被配置為將入射輻照轉(zhuǎn)換為電信號。像素傳感器104A包括對應(yīng)的光電檢測器110A，并且在一些實施例中包括對應(yīng)的放大器(未不出)。例如，光電檢測器110A可以是光電二極管，而放大器例如可以是晶體管。隔離柵格106延伸到半導(dǎo)體襯底108的下表面中，并且橫向圍繞像素傳感器104A。隔離柵格106被配置為將像素傳感器104A相互隔離，并且由鄰接的隔離柵格部分 (segment)(諸如矩形或正方形)組成。柵格部分對應(yīng)于像素傳感器104A并且橫向圍繞對應(yīng)的像素傳感器104A。例如，隔離柵格106可以是STI區(qū)域和/或注入隔離區(qū)域。
[0037]抗反射涂層(ARC) 114和/或緩沖層116沿著半導(dǎo)體襯底108的上表面布置在半導(dǎo)體襯底108上方。在存在ARC 114和緩沖層116兩者的實施例中，緩沖層116通常布置在ARC 114上方。例如，ARC 114可以是有機(jī)聚合物或金屬氧化物。例如，緩沖層116可以是諸如二氧化硅的氧化物。ARC 114和/或緩沖層116將半導(dǎo)體襯底108與覆蓋襯底108 的堆疊柵格120A垂直地隔開。
[0038]堆疊柵格120A包括金屬柵格122A (由形狀通常為正方形或矩形的多個鄰接的金屬柵格部分組成)和介電柵格124A(由覆蓋金屬柵格122A的多個鄰接的介電柵格部分組成)。金屬柵格122A和介電柵格124A分別限定對應(yīng)于像素傳感器104A的金屬柵格開口 126A和介電柵格開口 128A的側(cè)壁，并且被配置為將進(jìn)入開口 126A、128A的輻照限制在并且引向?qū)?yīng)的像素傳感器104A。例如，介電柵格124A被配置為通過全內(nèi)反射將進(jìn)入介電柵格開口 128A的輻照限制和引向像素傳感器104A。金屬柵格和介電柵格部分對應(yīng)于像素傳感器104A并且橫向圍繞對應(yīng)的金屬柵格開口和介電柵格開口 126A、128A。
[0039]金屬柵格開口和介電柵格開口 126A、128A以相應(yīng)的金屬柵格偏移量Sp S/以及介電柵格偏移量S2、S2’橫向偏離或偏移對應(yīng)的像素傳感器104A。在一些實施例中，偏移量 S1、S2與隔離柵格106、金屬柵格122A和介電柵格124A相關(guān)。在可選實施例中，偏移量S: ’、 S2’與像素傳感器104A的中心、金屬柵格開口 126A的中心和介電柵格開口 128A的中心相關(guān)。偏移量31、51’、52、52’根據(jù)像素傳感器陣列102內(nèi)的像素傳感器的位置而變化。例如， 偏移量51、51’、52、52’可以與像素傳感器與像素傳感器陣列102的中心之間的距離成比例， 使得偏移量31、51’、52、52’可以在像素傳感器陣列102的外圍處最大。此外，介電柵格偏移量&、32’通常超過金屬柵格偏移量S1、Si’。在一些實施例中，金屬柵格偏移量S1、Si’與像素傳感器104A之間的間距P的比率(如，S/P的比率)在大約0和大約3之間，和/或介電柵格偏移量S2、S2’與間距P的比率(如，S2/P的比率)在大約0和大約3之間。間距P 是相鄰像素傳感器的中心之間的距離。
[0040]金屬柵格和介電柵格122A、124A分別布置在堆疊在ARC 114和/或緩沖層116上方的金屬柵格層和介電柵格層130、132內(nèi)。金屬柵格122A布置在覆蓋ARC 114和/或緩沖層116的金屬柵格層130內(nèi)。例如，金屬柵格層130可以是鎢、銅或鋁銅。介電柵格124A 布置在堆疊在金屬柵格層130上的介電柵格層132內(nèi)。在一些實施例中，介電柵格124A還布置在介電柵格層132下方的蝕刻停止層134和/或其他一些層(如，一個或多個附加介電柵格層)內(nèi)。例如，介電柵格層132可以是諸如氧化硅的氧化物。例如，蝕刻停止層134 可以是諸如氮化硅的氮化物。
[0041]覆蓋層136布置在金屬柵格層130上方且位于金屬柵格層130與介電柵格層132 之間。覆蓋層136將介電柵格124A與金屬柵格122A隔開并且填充金屬柵格開口 126A。此夕卜，覆蓋層136限定介電柵格開口 128A的下表面，并且在一些實施例中，部分地限定介電柵格開口 128A的側(cè)壁。覆蓋層136是諸如二氧化硅的電介質(zhì)。在一些實施例中，覆蓋層136 具有或另外包括與緩沖層116和/或介電柵格層132相同的材料。例如，在不具有蝕刻停止層134的一些實施例中，覆蓋層136和介電柵格層132可以共用分子結(jié)構(gòu)和/或?qū)?yīng)于同一層(如，通過單次沉積形成的層)的不同區(qū)域。
[0042]與像素傳感器104A對應(yīng)的濾色器140A、142A、144A布置在介電柵格開口 128A中， 以填充介電柵格開口 128A。濾色器140A、142A、144A通常具有平坦的上表面，該上表面與介電柵格層132的上表面近似共面。濾色器140A、142A、144A被分配給輻照(如，光)的相應(yīng)的顏色或波長，并且被配置為將分配的輻照的顏色或波長傳輸至對應(yīng)的像素傳感器104A。 通常，濾色器在紅色、綠色和藍(lán)色之間交替分配，使得濾色器包括藍(lán)色濾色器140A、紅色濾色器142A和綠色濾色器144A。在一些實施例中，根據(jù)拜耳馬賽克(Bayer mosaic)算法，濾色器在紅色、綠色和藍(lán)色光之間交替分配。通常，濾色器140A、142A、144A的第一材料的折射率不同于(如，高于)沿著介電柵格開口 128A的側(cè)壁與第一材料鄰接的第二材料的折射率。例如，第二材料可以是介電柵格層132的材料。
[0043]與像素傳感器104A對應(yīng)的微透鏡146A布置在濾色器140A、142A、144A和像素傳感器104A上方。微透鏡146A的中心通常與濾色器140A、142A、144A的中心對齊，但是微透鏡146的中心可以橫向偏離或偏移于濾色器140A、142A、144A的中心。微透鏡146被配置為將入射輻照(如，光)朝著像素傳感器104A和/或濾色器140A、142A、144A的方向聚集。 在一些實施例中，微透鏡146A具有凸形上表面，該凸形上表面被配置為將輻照朝著像素傳感器104A和/或濾色器140A、142A、144A的方向聚集。
[0044]通過基于像素傳感器的位置來偏移金屬柵格開口和介電柵格開口 126A、128A，可以有利地提高像素傳感器104A的光輸入的一致性。代替阻擋某些入射輻照，金屬柵格和介電柵格122A、124A可以更好地將輻照引導(dǎo)至像素傳感器104A。例如，如圖所示，來自覆蓋像素傳感器陣列102的中心的點光源的光線148可以以較大的入射角度(steep angle of incidence)進(jìn)入濾色器144A，同時仍然具有至濾色器144A的對應(yīng)的像素傳感器104A的直接路徑。此外，通過基于像素傳感器的位置偏移金屬柵格開口和介電柵格開口 126A、128A， 可以提高光學(xué)性能(如，SNR-10)。此外，通過獨立地偏移金屬柵格開口和介電柵格開口 126A、128A兩者，提高了較大的BSI圖像傳感器的設(shè)計靈活性。
[0045]參照圖1B，提供了不具有堆疊柵格偏移的BSI圖像傳感器的一些實施例的截面圖 10(?。例如，這些其他的實施例可以被視為具有約等于0的偏移量51、51’、52、52’。851圖像傳感器包括布置在ARC 114和/或緩沖層116上方的堆疊柵格120B。堆疊柵格120B包括金屬柵格122B和覆蓋金屬柵格122B的介電柵格124B。金屬柵格122B和介電柵格124B 與橫向圍繞下面的像素傳感器104B(包括對應(yīng)的光電檢測器110B)的隔離柵格106垂直對齊。此外，金屬柵格122B和介電柵格124B分別限定金屬柵格開口和介電柵格開口 126B、 128B的側(cè)壁，并且兩個柵格開口均以像素傳感器104B的中心的正上方處為中心。與像素傳感器104B對應(yīng)的濾色器140B、142B、144B布置在介電柵格開口 128B中，而與像素傳感器 104B對應(yīng)的微透鏡146B布置在濾色器140B、142B、144B上方。
[0046]參照圖2,提供了 BSI圖像傳感器的一些實施例的頂視圖200。BSI圖像傳感器包括在半導(dǎo)體襯底108內(nèi)以行/或列布置的像素傳感器104A的陣列102。例如，像素傳感器陣列102可以包括布置在半導(dǎo)體襯底108中的大約9行和13列。此外，BSI圖像傳感器包括與像素傳感器104A對應(yīng)的并且堆疊在對應(yīng)的像素傳感器104A上方的金屬柵格開口 126A 和介電柵格開口 128A、128B。根據(jù)圖1B的實施例來配置BSI圖像傳感器的中心202,并且根據(jù)圖1A的實施例來配置BSI圖像傳感器的外圍區(qū)域。例如，如圖所示，偏移量可以從0(在中心202處)增加到BSI圖像傳感器的邊緣處的偏移量。
[0047]參照圖3,提供了 BSI圖像傳感器的一些實施例的截面圖300。BSI圖像傳感器包括布置在集成電路302的半導(dǎo)體襯底108中的像素傳感器104的陣列102和隔離柵格106， 該陣列和隔離柵格介于集成電路302的背面與該集成電路302的BE0L金屬化堆疊件304 之間。像素傳感器104在半導(dǎo)體襯底108內(nèi)布置為行和/或列，并且被配置為將入射輻照 (如，光子)轉(zhuǎn)換為電信號。像素傳感器104包括對應(yīng)的光電檢測器110,并且在一些實施例中，包括對應(yīng)的放大器(未示出)。像素傳感器104可以對應(yīng)于圖1A的像素傳感器104A 和/或圖1B的像素傳感器104B。隔離柵格106延伸到與BE0L金屬化堆疊件304鄰近的半導(dǎo)體襯底108中，并且橫向圍繞像素傳感器104。隔離柵格106被配置為將各像素傳感器 104相互隔離，并且由與像素傳感器104對應(yīng)的鄰接的隔離柵格部分(諸如矩形或正方形) 組成。
[0048]BE0L金屬化堆疊件304位于半導(dǎo)體襯底108下方并且介于半導(dǎo)體襯底108與載體襯底306之間。BE0L金屬化堆疊件304包括堆疊在層間介電(ILD)層312內(nèi)的多個金屬化層308、310。BE0L金屬化堆疊件304的一個或多個接觸件314從金屬化層310處延伸到像素傳感器104。此外，BE0L金屬化堆疊件304的一個或多個通孔316在金屬化層308、 310之間延伸，以互連金屬化層308、310。例如，ILD層312可以是低k電介質(zhì)(S卩，介電常數(shù)小于約3.9的電介質(zhì))或氧化物。例如，金屬化層308、310、接觸件314和通孔316可以是諸如銅、鋁或鋁銅的金屬。
[0049]沿著集成電路302的背面布置ARC 114和/或緩沖層116,并且堆疊柵格120布置在ARC 114和/或緩沖層116上方。堆疊柵格120可以對應(yīng)于圖1A的堆疊柵格120A和/ 或圖1B的堆疊柵格120B。堆疊柵格120包括金屬柵格122和覆蓋金屬柵格122的介電柵格124。金屬柵格122和介電柵格124分別布置在堆疊在ARC 114和/或緩沖層116上方的金屬柵格層和介電柵格層130、132內(nèi)。此外，金屬柵格122和介電柵格124分別限定與像素傳感器104對應(yīng)的金屬柵格開口 126和介電柵格開口 128的側(cè)壁。在一些實施例中， 金屬柵格開口和介電柵格開口 126、128均以對應(yīng)的像素傳感器104的中心的正上方處為中心。在其他的實施例中，金屬柵格開口和介電柵格開口 126、128相對于對應(yīng)的像素傳感器 104橫向偏移。例如，金屬柵格開口和介電柵格開口 126、128可以與對應(yīng)的像素傳感器104 與像素傳感器陣列102的中心的距離成比例地橫向偏移。
[0050]覆蓋層136布置在金屬柵格層130上方并且位于金屬柵格層130和介電柵格層 132之間。此外，與像素傳感器104對應(yīng)的濾色器140、142、144和微透鏡146布置在對應(yīng)的像素傳感器104上方。濾色器140、142、144填充介電柵格開口 128,而微透鏡146掩蔽濾色器140、142、144,以將光聚集到濾色器140、142、144中。
[0051]參照圖4,提供了具有堆疊柵格偏移的BSI圖像傳感器的制造方法的一些實施例的流程圖400。
[0052]在402中，集成電路設(shè)置有像素傳感器的陣列，該像素傳感器陣列布置在集成電路的半導(dǎo)體襯底中并且介于集成電路的背面與集成電路的BE0L金屬化堆疊件之間。
[0053]在404中，ARC形成在背面上方，緩沖層形成在ARC上方，以及金屬柵格層形成在緩沖層上方。
[0054]在406中，對金屬柵格層執(zhí)行第一蝕刻，以形成限定金屬柵格開口的側(cè)壁的金屬柵格。金屬柵格開口以金屬柵格偏移量橫向偏移于對應(yīng)的像素傳感器，該金屬柵格偏移量隨著對應(yīng)的像素傳感器在像素傳感器陣列中的位置而變化。
[0055]在408中，覆蓋層形成在金屬柵格上方并填充金屬柵格開口。
[0056]在410中，對覆蓋層執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，以使覆蓋層的上表面平坦化。
[0057]在412中，在覆蓋層上方形成蝕刻停止層，并且在蝕刻停止層上方形成介電柵格層。
[0058]在414中，對介電柵格層執(zhí)行第二蝕刻直至到達(dá)蝕刻停止層，以形成限定介電柵格開口的介電柵格。介電柵格開口以介電柵格偏移量橫向偏移于對應(yīng)的像素傳感器，介電柵格偏移量隨著對應(yīng)的像素傳感器在像素傳感器陣列中的位置而變化。
[0059]在416中，對蝕刻停止層執(zhí)行第三蝕刻，以去除蝕刻停止層的位于介電柵格開口中的暴露區(qū)域。
[0060]在418中，形成濾色器，以填充介電柵格開口。
[0061]在420中，形成覆蓋濾色器的微透鏡。
[0062]通過以取決于像素傳感器在像素傳感器陣列中的位置的偏移量來橫向偏移金屬柵格開口和介電柵格開口，可以有利地增加各像素傳感器的光輸入的一致性。光輸入一致性的提高又導(dǎo)致了光學(xué)性能(如，SNR-10)的提高。此外，通過橫向偏移金屬柵格開口和介電柵格開口兩者，增大了較大的BSI圖像傳感器的設(shè)計靈活性。
[0063]雖然本文將通過流程圖400描述的方法示出和描述為一系列步驟或事件，但應(yīng)該理解，這些步驟或事件的所示順序不應(yīng)被解釋為限制意義。例如，一些步驟可以以不同的順序進(jìn)行和/或與除本文所示和/或所述的步驟或事件之外的其他的步驟或事件同時進(jìn)行。 此外，并不要求所有示出的步驟都用來實施本文描述的一個或多個方面或?qū)嵤├⑶铱梢栽谝粋€或多個單獨的步驟和/或階段中執(zhí)行本文所描述的一個或多個方面。
[0064]在一些可選實施例中，第二和第三蝕刻可以一起執(zhí)行(如，具有共同的蝕刻劑)。 此外，在一些可選實施例中，可以省略蝕刻停止層和步驟416。在這種實施例中，可以使用已知的蝕刻速率來對第二蝕刻進(jìn)行定時。此外，在一些可選實施例中，可以省略步驟416， 但可以保留蝕刻停止層。此外，在一些可選實施例中，覆蓋層和介電柵格層可以對應(yīng)于公共 (common)層的不同區(qū)域。在這種實施例中，可以省略步驟408、410、412。取代步驟408、410、 412,公共層可以形成在金屬柵格上方(如，利用單次沉積)并且填充金屬柵格開口。此外， 對公共層執(zhí)行CMP，以使公共層的上表面平面化，并且可以執(zhí)行步驟414至420。
[0065]參照圖5至圖12,提供了 BSI圖像傳感器在各個制造階段的一些實施例的截面圖， 以示出圖4的方法。盡管關(guān)于該方法描述了圖5至圖12,但應(yīng)該理解，圖5至圖12所公開的結(jié)構(gòu)不限于該方法，而是可以單獨作為獨立于該方法的結(jié)構(gòu)。類似地，盡管關(guān)于圖5至圖 12描述了該方法，但應(yīng)該理解，該方法不限于圖5至圖12所公開的結(jié)構(gòu)，而是可以單獨作為獨立于圖5至圖12所公開的結(jié)構(gòu)的方法。
[0066]圖5示出了對應(yīng)于步驟402的一些實施例的截面圖500。如圖所示，提供了半導(dǎo)體襯底108,其中，像素傳感器104A的陣列102和隔離柵格106布置在襯底108內(nèi)。在一些實施例中，半導(dǎo)體襯底108是集成電路的一部分，并且像素傳感器104A和隔離柵格106布置在集成電路的背面與集成電路的BE0L金屬化堆疊件(未示出)之間。像素傳感器104A在半導(dǎo)體襯底108內(nèi)布置為行和/或列，并且包括對應(yīng)的光電檢測器110A。隔離柵格106延伸到半導(dǎo)體襯底1〇8中并且橫向圍繞像素傳感器104A。例如，半導(dǎo)體襯底108可以是塊狀半導(dǎo)體襯底或絕緣體上硅(SOI)襯底。
[0067]圖6示出了對應(yīng)于步驟404的一些實施例的截面圖600。如圖所示，ARC 114和 /或緩沖層116以這種順序堆疊形成在半導(dǎo)體襯底108上方。此外，金屬柵格層130’形成在ARC 114和/或緩沖層116上方?？梢酝ㄟ^諸如旋涂或汽相沉積的沉積技術(shù)來順序形成 ARC 114、緩沖層116和金屬柵格層130’。例如，ARC 114可以由有機(jī)聚合物或金屬氧化物形成。例如，緩沖層116可以由諸如二氧化硅的氧化物形成。例如，金屬柵格層130’可以由鎢、銅、鋁或鋁銅形成。
[0068]圖7示出了對應(yīng)于步驟406的一些實施例的截面圖700。如圖所示，對金屬柵格層 130’(參見圖6)執(zhí)行第一蝕刻，以形成限定金屬柵格開口 126A的側(cè)壁的金屬柵格122A。 金屬柵格開口 126A對應(yīng)于像素傳感器104A，并且通常至少部分地覆蓋對應(yīng)的像素傳感器 104A。此外，金屬柵格開口 126A以金屬柵格偏移量31橫向偏移于對應(yīng)的像素傳感器104A。 在一些實施例中，如圖所不，金屬柵格偏移量Si與隔尚柵格106和金屬柵格122A相關(guān)。在可選實施例中，金屬柵格偏移量Si與像素傳感器104A的中心和金屬柵格開口 126A的中心相關(guān)。金屬柵格偏移量Si根據(jù)像素傳感器在像素傳感器陣列102中的位置而變化。例如， 金屬柵格偏移量Si可以與像素傳感器104A與像素傳感器陣列102的中心之間的距離成比例。此外，在一些實施例中，金屬柵格偏移量31與各像素傳感器104A之間的間距P的比率 (即，Si/P的比率)在大約0和大約3之間。
[0069]用于執(zhí)行第一蝕刻的工藝可以包括形成掩蔽金屬柵格層130’中對應(yīng)于金屬柵格 122A的各區(qū)域的第一光刻膠層702。然后，可以根據(jù)第一光刻膠層702的圖案對金屬柵格層130’應(yīng)用蝕刻劑704,從而限定金屬柵格122A。相對于ARC 114和/或緩沖層116,蝕刻劑704對于金屬柵格層130’具有蝕刻選擇性。此外，例如，蝕刻劑704可以是干蝕刻劑。 在應(yīng)用蝕刻劑704之后，可以去除第一光刻膠層702。
[0070]圖8示出了對應(yīng)于步驟408的一些實施例的截面圖800。如圖所示，覆蓋層136’ 形成在金屬柵格122A和剩余的金屬柵格層130上方，并且填充金屬柵格開口 126A。例如， 覆蓋層136’可以由諸如氧化物的電介質(zhì)形成，和/或例如可以由與緩沖層116相同的材料形成。此外，例如，可以使用諸如旋涂或汽相沉積的沉積技術(shù)來形成覆蓋層136’。
[0071]圖9示出了對應(yīng)于步驟410和412的一些實施例的截面圖900。如圖所示，對覆蓋層136’(參見圖8)執(zhí)行CMP直至到達(dá)剩余的金屬柵格層130上方的某處，從而產(chǎn)生基本平坦的上表面。如圖所示，蝕刻停止層134’和介電柵格層132’以這種順序堆疊形成在剩余的覆蓋層136上方。例如，可以使用諸如汽相沉積的沉積技術(shù)來形成蝕刻停止層134’和介電柵格層132’。例如，蝕刻停止層134’可以由諸如氮化硅的氮化物形成。例如，介電柵格層132’可以由二氧化硅形成，和/或例如可以由與剩余的覆蓋層136相同的材料形成。在可選實施例中，可以省略蝕刻停止層134’。
[0072]圖10示出了對應(yīng)于步驟414的一些實施例的截面圖1000。如圖所示，對介電柵格層132’(參見圖9)執(zhí)行第二蝕刻直至到達(dá)蝕刻停止層134’，以形成限定介電柵格開口 128’的側(cè)壁的介電柵格124A’。介電柵格開口 128’對應(yīng)于像素傳感器104A并且以介電柵格偏移量32橫向偏移于對應(yīng)的像素傳感器104A，該介電柵格偏移量通常大于金屬柵格偏移量Si。在一些實施例中，如圖所不，介電柵格偏移量S2與隔尚柵格106和介電柵格124A’相關(guān)。在可選實施例中，介電柵格偏移量S2與像素傳感器104A的中心和介電柵格開口 128A’ 的中心相關(guān)。介電柵格偏移量&根據(jù)像素傳感器104A在像素傳感器陣列102中的位置而變化。例如，介電柵格偏移量S2可以與像素傳感器104與像素傳感器陣列102的中心之間的距離成比例。此外，在一些實施例中，介電柵格偏移量32與各像素傳感器104A之間的間距P的比率(即，S2/P的比率)在大約0和大約3之間。
[0073]用于執(zhí)行第二蝕刻的工藝可以包括形成掩蔽介電柵格層132’中與介電柵格 124A’對應(yīng)的各區(qū)域的第二光刻膠層1002。然后，可以按照第二光刻膠層1002的圖案向介電柵格層132’應(yīng)用蝕刻劑1004,從而限定介電柵格124A’。相對于蝕刻停止層134’，蝕刻劑1004對于介電柵格層132’具有蝕刻選擇性。此外，例如，蝕刻劑1004可以是干蝕刻劑。 在應(yīng)用蝕刻劑1004之后，可以去除第二光刻膠層1002。
[0074]圖11示出了對應(yīng)于步驟416的一些實施例的截面圖1100。如圖所示，穿過介電柵格開口 128A’(參見圖10)中的暴露區(qū)域，對蝕刻停止層134’(參見圖10)執(zhí)行第三蝕亥IJ，直至到達(dá)剩余的覆蓋層136。第三蝕刻去除蝕刻停止層134’中位于介電柵格開口 128A’ 內(nèi)的區(qū)域。例如，用于執(zhí)行第三蝕刻的工藝可以包括向蝕刻停止層134’應(yīng)用蝕刻劑1102。 相對于剩余的介電柵格層132和/或剩余的覆蓋層136,蝕刻劑1102對于蝕刻停止層134’ 具有蝕刻選擇性。此外，例如，蝕刻劑1102可以是濕蝕刻劑。
[0075]圖12示出了對應(yīng)于步驟418和420的一些實施例的截面圖1200。
[0076]如圖12所示，與像素傳感器104A對應(yīng)的濾色器140A、142A、144A形成在對應(yīng)的像素傳感器104A的剩余的介電柵格開口 128A中，通常濾色器的上表面與剩余的介電柵格層 132的上表面近似齊平。濾色器140A、142A、144A被分配給輻照的對應(yīng)的顏色或波長(如， 根據(jù)拜耳馬賽克算法)，并且由被配置為將所分配的輻照的顏色或波長傳輸至對應(yīng)的像素傳感器104A的材料形成。此外，濾色器140A、142A、144A通常由折射率不同于(如，高于) 剩余的介電柵格層132’的材料形成。對于每一個不同的濾色器分配來說，用于形成濾色器 140A、142A、144A的工藝可以包括形成濾色器層并且圖案化濾色器層?？梢孕纬蔀V色器層， 以填充剩余的介電柵格開口并且覆蓋剩余的介電柵格層132。然后，在圖案化濾色器層之前，可以平坦化(如，通過CMP)和/或回蝕刻濾色器層直到其與剩余的介電柵格層132的上表面大約平齊。
[0077]還如圖12所示，與各像素傳感器104A對應(yīng)的微透鏡146A形成在與各像素傳感器 104A對應(yīng)的濾色器140A、142A、144A上方。用于形成微透鏡146A的工藝可以包括在濾色器 140A、142A、144A上面形成微透鏡層(如，通過旋涂方法或沉積工藝)。此外，可以在微透鏡層上面圖案化具有凸形上表面的微透鏡模板(template)。然后，可以根據(jù)微透鏡模板選擇性地蝕刻微透鏡層，以形成微透鏡146A。
[0078]因此，根據(jù)上面的內(nèi)容可以理解，本發(fā)明提供了一種圖像傳感器。像素傳感器布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)。金屬柵格部分布置在像素傳感器上方并且其中具有金屬柵格開口。金屬柵格開口的中心橫向偏移于像素傳感器的中心。介電柵格部分布置在金屬柵格上方并且其中具有介電柵格開口。介電柵格開口的中心橫向偏移于像素傳感器的中心。
[0079]在其他的實施例中，本發(fā)明提供了一種形成圖像傳感器的方法。提供布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的像素傳感器。在半導(dǎo)體襯底上方形成金屬柵格層。對金屬柵格層執(zhí)行第一蝕亥IJ，以在半導(dǎo)體襯底上方形成限定金屬柵格開口的側(cè)壁的金屬柵格。金屬柵格開口的中心橫向偏移于像素傳感器的中心。在金屬柵格上方形成介電柵格層。對介電柵格層執(zhí)行第二蝕刻，以在金屬柵格上方形成限定介電柵格開口的側(cè)壁的介電柵格。介電柵格的中心橫向偏移于像素傳感器的中心。
[0080] 在又一實施例中，本發(fā)明提供了一種圖像傳感器。多個像素傳感器在半導(dǎo)體襯底內(nèi)布置為陣列。多個金屬柵格布置在像素傳感器的陣列上方并具有與多個像素傳感器相對應(yīng)的多個金屬柵格開口。陣列的邊緣附近的金屬柵格開口的中心以金屬柵格偏移量橫向偏移于對應(yīng)的像素傳感器的中心，金屬柵格偏移量與對應(yīng)的像素傳感器與陣列的中心之間的距離成比例。多個介電柵格布置在金屬柵格上方并具有與多個像素傳感器對應(yīng)的多個介電柵格開口。陣列的邊緣附近的介電柵格開口的中心以介電柵格偏移量橫向偏移于對應(yīng)的像素傳感器的中心，介電柵格偏移量與對應(yīng)的像素傳感器與陣列的中心之間的距離成比例。 像素傳感器的金屬柵格偏移量不同于像素傳感器的介電柵格偏移量。[0081 ] 上面論述了多個實施例的特征使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，他們可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計或修改用于執(zhí)行與本文所述實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)該意識到，這些等效結(jié)構(gòu)不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且可以在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下做出各種變化、替換和改變。
【主權(quán)項】
1.一種圖像傳感器，包括:像素傳感器，布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)；金屬柵格部分，布置在所述像素傳感器上方并且所述金屬柵格部分中具有金屬柵格開 口，其中，所述金屬柵格開口的中心橫向偏移于所述像素傳感器的中心；以及介電柵格部分，布置在所述金屬柵格上方并且所述介電柵格部分中具有介電柵格開 口，其中，所述介電柵格開口的中心橫向偏移于所述像素傳感器的中心。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述金屬柵格開口的中心和所述介電柵 格開口的中心分別以金屬柵格偏移量和介電柵格偏移量橫向偏移于所述像素傳感器的中 心，并且所述金屬柵格偏移量不同于所述介電柵格偏移量。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述像素傳感器是由多個像素傳感器組 成的像素傳感器陣列的一部分；其中，所述金屬柵格部分是金屬柵格的一部分，所述金屬柵格由其中具有多個相應(yīng)的 金屬柵格開口的多個金屬柵格部分組成；其中，所述介電柵格部分是介電柵格的一部分，所述介電柵格由其中具有多個相應(yīng)的 介電柵格開口的多個介電柵格部分組成；其中，所述金屬柵格開口的中心和所述介電柵格開口的中心分別以金屬柵格偏移量和 介電柵格偏移量橫向偏移于所述像素傳感器的中心，并且所述金屬柵格偏移量和所述介電 柵格偏移量與所述像素傳感器與所述像素傳感器陣列的中心之間的距離成比例。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括:像素傳感器陣列，包括所述像素傳感器和與所述像素傳感器相鄰的第二像素傳感器； 其中，所述像素傳感器的中心以像素間距距離與所述第二像素傳感器的中心分離，并 且所述金屬柵格開口的中心和所述介電柵格開口的中心分別以金屬柵格偏移量和介電柵 格偏移量橫向偏移于所述像素傳感器的中心，其中，所述金屬柵格偏移量與所述像素間距 距離的比率以及所述介電柵格偏移量與所述像素間距距離的比率在大約0和大約3之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括:濾色器，布置在所述介電柵格開口內(nèi)并且填充所述介電柵格開口；以及 微透鏡，具有凸形上表面和基本平坦的下表面，所述下表面與所述濾色器的基本平坦 的上表面鄰接。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，還包括:覆蓋層，布置在所述金屬柵格部分上方，并且限定所述介電柵格開口的下表面；以及 蝕刻停止層，覆蓋所述覆蓋層，其中，所述介電柵格部分的側(cè)壁與所述蝕刻停止層的側(cè)壁對齊。7.—種形成圖像傳感器的方法，所述方法包括:提供布置在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的像素傳感器；在所述半導(dǎo)體襯底上方形成金屬柵格層；對所述金屬柵格層執(zhí)行第一蝕刻，以在所述半導(dǎo)體襯底上方形成限定金屬柵格開口的 側(cè)壁的金屬柵格，所述金屬柵格開口的中心橫向偏移于所述像素傳感器的中心；在所述金屬柵格上方形成介電柵格層；以及對所述介電柵格層執(zhí)行第二蝕刻，以在所述金屬柵格上方形成限定所述介電柵格開口的側(cè)壁的介電柵格，所述介電柵格的中心橫向偏移于所述像素傳感器的中心。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括:執(zhí)行所述第一蝕刻和所述第二蝕刻，以形成分別以金屬柵格偏移量和介電柵格偏移量 橫向偏移于所述像素傳感器的中心的金屬柵格開口和介電柵格開口，其中，所述金屬柵格 偏移量不同于所述介電柵格偏移量。9.一種圖像傳感器，包括:多個像素傳感器，在半導(dǎo)體襯底內(nèi)布置為陣列；多個金屬柵格，布置在所述多個像素傳感器的陣列上方并且具有與所述多個像素傳感 器對應(yīng)的多個金屬柵格開口，其中，位于所述陣列的邊緣附近的金屬柵格開口的中心以金 屬柵格偏移量橫向偏移于對應(yīng)的像素傳感器的中心，所述金屬柵格偏移量與所述對應(yīng)的像 素傳感器與所述陣列的中心之間的距離成比例；以及多個介電柵格，布置在所述多個金屬柵格上方并且具有與所述多個像素傳感器對應(yīng)的 多個介電柵格開口，其中，位于所述陣列的邊緣附近的介電柵格開口的中心以介電柵格偏 移量橫向偏移于所述對應(yīng)的像素傳感器的中心，所述介電柵格偏移量與所述對應(yīng)的像素傳 感器與所述陣列的中心之間的距離成比例；其中，相對于一像素傳感器的金屬柵格偏移量不同于相對于所述像素傳感器的介電柵 格偏移量。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖像傳感器，其中，相對于所述像素傳感器的金屬柵格偏移 量大于相對于所述像素傳感器的介電柵格偏移量。
【文檔編號】H01L27/146GK106057832SQ201510626999
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年9月28日
【發(fā)明人】鄭允瑋, 曾鴻輝, 王昭雄, 周俊豪, 蔡宗翰, 李國政, 許永隆
【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司