貼合式soi晶圓的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明為一種貼合式SOI晶圓的制造方法，其中將硅氧化膜使用批次式熱處理爐，借由進行至少含有升溫中的熱氧化及降溫中的熱氧化中的任一種的熱氧化處理，使剝離后的貼合式SOI晶圓的內嵌氧化膜形成為同心圓狀的氧化膜厚度分布，進一步借由于貼合晶圓剝離后的貼合式SOI晶圓進行還原性熱處理，將內嵌氧化膜的膜厚度范圍縮小至小于還原性熱處理前的膜厚度范圍。借此提供一種貼合示SOI晶圓的制造方法，能夠抑制由SOI層剝離后的還原性熱處理而產生的埋入氧化膜厚度的面內分布的變動。
【專利說明】
貼合式so I晶圓的制造方法
技術領域
[0001] 本發(fā)明是關于一種利用離子注入剝離法的貼合式SOI晶圓的制造方法。
【背景技術】
[0002] 近年來，WS0I晶圓的制造方法而言，將注入離子的晶圓結合后剝離而制造 SOI晶 圓的方法(離子注入剝離法:亦稱為腕技術)開始重新受到重視。此離子注入法 于二片娃晶圓內，于至少一方形成氧化膜的同時，自另一方的娃晶圓（貼合晶圓）的上面注 入氨離子或是稀有氣體離子等氣體離子，使該晶圓內部形成微小氣泡層(封入層）。
[0003] 之后將注入該離子的面透過氧化膜與另一方的娃晶圓（基底晶圓）密著，之后施加 熱處理(剝離熱處理微小氣泡層作為劈開面將一方的晶圓（貼合晶圓）剝離為薄膜狀，進 一步施加熱處理(結合熱處理)使其穩(wěn)固地結合而成為SOI晶圓的技術(參照專利文獻1)。依 此方法，劈開面(剝離面)將成為良好的鏡面，相對容易得到SOI層的膜厚度的均勻性較高的 SOI晶圓。
[0004] 但是，W離子注入剝離法制作SOI晶圓時，剝離后的SOI晶圓表面存在有離子注入 所導致的損傷層，又表面的粗糖程度與一般的產品等級的娃晶圓的鏡面相比較大。因此，于 離子注入剝離法必須去除如此的損傷層及表面的粗糖。已知為了除去此損傷層等，于結合 熱處理后的最終步驟中，進行有被稱為接觸式拋光的研磨量極低的鏡面研磨（加工量：約 lOOnm)。
[0005] 但是，當于SOI層進行含有機械加工要素的研磨，由于研磨的加工量不均等，會產 生由于氨離子等的注入、剝離所導致的SOI層的膜厚度均勻性惡化的問題。
[0006] W解決如此問題點的方法而言，有W進行高溫熱處理W改善表面的粗糖的平坦化 處理W取代接觸式拋光。
[0007] 例如于專利文獻2中，記載有于剝離熱處理或是結合熱處理后，不將SOI層的表面 進行研磨，而是施W于包含氨氣的還原性氛圍下的熱處理（急速加熱、急速冷卻熱處理 (Rapid Thermal Annealing,RTA))。
[000引進一步而言，專利文獻3中，記載有于剝離熱處理后（或是結合熱處理后），透過于 氧化性氛圍下的熱處理于SOI層形成氧化膜后除去該氧化膜，接著施W還原性氛圍的熱處 理(急速加熱、急速冷卻熱處理(RTA處理））。
[0009] 又專利文獻4中，記載有透過于剝離后的SOI晶圓進行惰性氣體、氨氣、或者是此些 的混合氣體氛圍下的平坦化熱處理后進行犧牲氧化處理，W同時達成剝離面的平坦化與 0SF的回避。
[0010] 如此，透過進行高溫熱處理W取代接觸式拋光W進行改善表面粗糖的平坦化處 理，目前能夠透過離子注入剝離法得到量產水平的具有直徑300mm且SOI層的膜厚度范圍 (面內的最大值減去最小值的值)在3nmW下的優(yōu)良膜厚度均勻性的SOI晶圓。
[0011] 又伴隨近年來攜帶型終端機的普及，半導體裝置的低耗電化、縮小化、高性能化開 始變的必要，作為設計規(guī)范在22奈米世代之后的有力候補，進行有使用SOI晶圓的完全空乏 型裝置的開發(fā)。此完全空乏型裝置中，SOI層的膜厚度變?yōu)榉浅１〉募s10皿的同時，由于SOI 層的膜厚度分布會影響裝置的闊值電壓，WS0I層的內膜厚度分布而言，要求面內的膜厚度 范圍在InmW下的程度的均勻性。
[0012] 進一步于近年，提案有借由在通常用于與基底晶圓的絕緣所埋入的氧化膜層 下亦稱BOX膜)加上偏壓，W控制裝置的闊值電壓，此狀況下有制造將BOX膜厚度薄化的化in BOX型SOI晶圓的必要，且關于BOX膜厚度的面內分布亦有高度均勻(具體而言為膜厚度范圍 在InmW下）的必要。
[0013] 關于如此的化in BOX型的薄膜SOI晶圓的制造方法，對于SOI層膜厚度分布的均勻 化，W分段進行離子注入的方法，或進行施加分段離子注入并于SOI層剝離后的氧化處理 中，借由實施降溫氧化(降溫中使氧化膜形成的方法)使注入深度所致使的SOI層膜厚度分 布與氧化所致使的面內加工量互相抵消的方法W達成膜厚度范圍在InmW下（參照專利文 獻5)。
[0014] 又于專利文獻6,作為減少SOI晶圓的埋入氧化膜的厚度的處理，記載有于氨氣、氣 氣或是此些的混合氣體氛圍下Wiooorw上的溫度進行熱處理。
[001引觀有技術文獻）
[0016] 專利文獻1:日本特開平5-211128號公報
[0017] 專利文獻2:日本特開平11-307472號公報
[0018] 專利文獻3:日本特開2000-124092號公報
[0019] 專利文獻4:國際公開第2003/009386號
[0020] 專利文獻5:日本特開2013-125909號公報
[0021] 專利文獻6:日本特開2010-141127號公報

【發(fā)明內容】

[0022] [發(fā)明所欲解決的問題]
[0023] 另一方面，關于BOX膜厚度的面內均勻性，試作化in BOX型的薄膜SOI晶圓，調查 SOI層的面內膜厚度范圍的步驟內推移的結果，得知于SOI層剝離后進行的平坦化熱處理的 還原性氛圍的熱處理中，BOX膜厚度的面內分布將會惡化。關于還原性氛圍所致的BOX膜厚 度分布惡化，由于氧氣自BOX膜內的Si化還原，BOX膜厚度減少時的還原作用于面內有差異， 而形成面內膜厚度分布所導致。
[0024] 作為此種BOX膜厚度的還原作用所致的BOX膜厚度的面內分布的發(fā)生原因而言，可 列舉還原性熱處理步驟中的升降溫中及高溫維持中的面內溫度分布、被還原而擴散到外部 的氧氣氣壓的分布等所致，而于縱型爐的批次式熱處理爐中容易形成同屯、圓狀分布。
[0025] 其原因推測是在批次式熱處理爐中，作為熱源的加熱器靠近晶圓外緣，使晶圓中 屯、部與外緣部容易產生溫度差，或是因制程氣體流過晶舟與管之間，使晶圓中屯、部與外緣 部的氧氣分壓較易產生。如此于還原性氛圍下的熱處理(還原性熱處理)所致的BOX膜厚度 分布的變動，雖然無關BOX膜的厚度而發(fā)生，但特別是在化in BOX型的薄膜SOI晶圓，由于追 求較高的均勻性，因此成為重大的問題。
[0026] 本發(fā)明鑒于前述問題，提供一種貼合式SOI晶圓的制造方法，能夠抑制由SOI層剝 離后的還原性熱處理而產生的埋入氧化膜厚度的面內分布的變動。
[0027] [解決問題的技術手段]
[0028] 為了達成前述目的，依據本發(fā)明，提供一種貼合式SOI晶圓的制造方法，W單晶娃 所構成的貼合晶圓及基底晶圓的至少一方的晶圓表面予W透過熱氧化處理而形成娃氧化 膜，于該貼合晶圓的表面離子注入氨離子、稀有氣體離子的至少一種氣體離子而形成離子 注入層，將該貼合晶圓的經離子注入的表面與該基底晶圓的表面透過該娃氧化膜貼合后， 借由W該離子注入層將該貼合晶圓剝離而制造出貼合式SOI晶圓的方法，其中將該娃氧化 膜使用批次式熱處理爐，借由進行至少含有升溫中的熱氧化及降溫中的熱氧化中的任一種 的該熱氧化處理，使剝離后的該貼合式SOI晶圓的內嵌氧化膜形成為同屯、圓狀的氧化膜厚 度分布，
[0029] 進一步借由于該貼合晶圓剝離后的該貼合式SOI晶圓進行還原性熱處理，將該內 嵌氧化膜的膜厚度范圍縮小至小于該還原性熱處理前的膜厚度范圍。
[0030] 于貼合晶圓剝離后的貼合式SOI晶圓進行還原性熱處理時，埋入氧化膜厚度容易 形成同屯、圓狀的面內分布。因此，透過將能夠與如此由還原性熱處理所形成的埋入氧化膜 厚度的面內分布互相抵消的面內分布，于娃氧化膜形成時形成，能夠確實得到均勻性良好 的貼合式SOI晶圓。
[0031] 此時能夠使該還原性熱處理后的該內嵌氧化膜的膜厚度范圍為l.OnmW下。W本 發(fā)明的方法，能夠確實得到具有如此良好膜厚度范圍的SOI晶圓。
[0032] 又于此時能夠使該還原性熱處理于100%的氣氣氛圍或是100%的氨氣氛圍，或者 是于兩者的混合氣體氛圍下進行。于本發(fā)明的方法中，W在前述的氣體氛圍下實施還原性 熱處理為佳。
[0033] 此時，該同屯、圓狀的氧化膜厚度分布形成為凹狀分布。于貼合晶圓剝離后的貼合 式SOI晶圓的還原性熱處理中，由于埋入氧化膜的膜厚度分布容易成為同屯、圓狀的凸狀，因 此若是預先使埋入氧化膜的膜厚度分布為凹狀W抵消膜厚度分布的變動，能夠更加確實地 得到埋入氧化膜的均勻性良好的貼合式SOI晶圓。
[0034] [對照現有技術的功效]
[0035] 依本發(fā)明的SOI晶圓的制造方法，能夠抑制由SOI層剝離后進行的還原性熱處理而 產生的埋入氧化膜后的面內分布的變動。
[0036] 附圖簡要說明
[0037] 圖1是顯示本發(fā)明的貼合式SOI晶圓的制造方法的步驟流程圖。
[0038] 圖2是顯示當形成BOX膜厚度分布為凹狀的娃氧化膜時(實施例）的本發(fā)明的貼合 式SOI晶圓的制造方法的步驟流程圖。
[0039] 圖3是顯示比較例中的貼合式SOI晶圓的制造方法的簡略步驟流程圖。
【具體實施方式】
[0040] 如同前述，具有透過貼合晶圓剝離后的還原性熱處理，而使埋入氧化膜(BOX膜）的 面內膜厚度分布惡化的問題。
[0041] 經本案發(fā)明人不斷研究的結果，構想出了于娃氧化膜形成時形成與透過還原性熱 處理所形成的埋入氧化膜的面內分布互相抵消的面內分布，而得到埋入氧化膜均勻度高的 貼合式SOI晶圓。
[0042] 本案發(fā)明人進一步構想出W于娃氧化膜形成時，于批次式熱處理爐內，借由進行 至少含有加溫中的熱氧化及降溫中的熱氧化中任一方的熱氧化處理，而能夠將由環(huán)原性熱 處理所形成的面內分布的惡化抵消，而完成本發(fā)明。
[0043] W下詳細說明關于本發(fā)明。本發(fā)明的SOI晶圓制造方法，使用離子注入剝離法。圖1 是顯示本發(fā)明的貼合式SOI晶圓的制造方法的步驟流程圖。首先，圖1的步驟(a)中，作為成 為貼合晶圓及支承基板的基底晶圓，準備例如經鏡面研磨的娃單晶晶圓。
[0044] 接著，于圖1的步驟(b)中，使用批次式熱處理爐，借由熱氧化處理而于貼合晶圓形 成娃氧化膜。此娃氧化膜可僅形成于基底晶圓，亦可形成于二個晶圓。于本發(fā)明中，形成此 娃氧化膜的熱氧化處理步驟中，借由進行至少包含加溫中的熱氧化或降溫中的熱氧化的任 一方的熱氧化處理，而形成娃氧化膜，W使剝離后的貼合式SOI晶圓的埋入氧化膜形成為同 屯、圓狀的氧化膜厚度分布。
[0045] 批次式熱處理爐中，于降溫時進行熱氧化處理則容易于面內形成凸狀的氧化膜厚 度分布。運是由于批次式熱處理爐降溫中娃單晶晶圓外周部較中央部更容易放熱，而相對 變得低溫所致。因此，于降溫中進行氧化處理，則能夠使娃氧化膜(剝離后的BOX膜）的面內 分布呈同屯、圓狀的凸狀。
[0046] 進一步來說，借由降溫氧化所形成的凸狀的大小，在降溫氧化時的溫度越高，初始 溫度與氧化結束之間的溫差越大，溫度變化越急，與爐內的上面的晶圓間的空隙大小(槽間 隔）越狹窄，則中屯、部與外周部的膜厚度差將越大。因此，對此些數值適當選擇可得到帶有 所期望的面內分布的凸狀的氧化膜。又此時亦可因應須要組合與等溫維持中的氧化。
[0047] 反過來說，于加溫時進行氧化處理則能夠于面內形成同屯、圓狀的凹狀的氧化膜厚 度分布。加溫用W使晶圓的周邊部開始為高溫化。此時亦如前所述，適當的選擇加溫氧化時 的溫度、溫度差、溫度變化緩急、槽間隔等數值W得到帶有所期望的面內分布的凹狀的氧化 膜。又此時亦可因應須要組合等溫維持中的氧化。
[0048] 如此，同屯、圓狀的凸狀的氧化膜厚度分布，能夠借由W不進行加溫氧化而僅進行 降溫氧化，且因應須要與等溫維持中的氧化組合W形成。又若適當組合加溫氧化及降溫氧 化，便能夠精密地形成所期望的同屯、圓狀的膜厚度分布。
[0049] 接著，于圖1的步驟(C)中，注入氨離子、惰性氣體離子等氣體離子，于貼合晶圓的 內部形成離子注入層。
[0050] 接著，于圖1的步驟(d)中，將貼合晶圓的注入離子側的表面與基底晶圓的表面透 過娃氧化膜密著而貼合。另外，亦可于兩晶圓貼合前進行洗凈，W去除晶圓表面附著的微粒 及有機物。
[0051] 接著，于圖1的步驟(e)中，將離子注入層作為邊界而剝離貼合晶圓，于基底晶圓上 形成埋入娃氧化膜及SOI層，得到貼合式SOI晶圓。又雖于圖1未記載，但亦可W于剝離步驟 (e)后進行犧牲氧化處理（熱氧化后，將形成的熱氧化膜去除）等，除去離子注入層的損傷 層。
[0052] 之后，于圖1的步驟(f)中，于還原性氛圍下進行熱處理(還原性熱處理）。另外，本 發(fā)明所謂還原性氛圍，指使氧氣自BOX內的Si化透過熱處理而還原，發(fā)生BOX膜厚度減少的 現象的氛圍，具體而言，雖可列舉100%的氣氣氛圍或100%的氨氣氛圍，或者是彼等的混合 氣體氛圍為適當例子，但并不限于此。
[0053] W離子注入剝離法制作SOI晶圓時，于剝離后的貼合式SOI晶圓進行W平坦化及除 去損傷為目的的還原性熱處理時，由于晶圓的外周部的BOX膜的加工量容易變得較大，因此 還原性熱處理后的BOX膜厚度分布，通常容易成為同屯、圓狀的凸狀。當然，依照熱處理條件 亦可能為同屯、圓狀的凹狀。
[0054] 因此，對應于如本發(fā)明經還原性熱處理后的BOX膜厚度分布或還原性熱處理所致 的BOX膜厚度加工量的分布，透過適當組合加溫氧化或降溫氧化，能夠將還原性熱處理后的 BOX氧化膜厚度分布均勻化。
[0055] 又如同前述，由于還原性熱處理后的BOX膜厚度分布，通常容易形成同屯、圓狀的凸 狀，因此W將在貼合前形成的娃氧化膜的同屯、圓狀的氧化膜厚度分布形成為凹狀分布為 佳。如此，則可簡單地得到具有均勻性高的BOX膜的貼合式SOI晶圓。
[0056] 于圖2顯示于貼合前的熱氧化處理步驟(b)中，形成娃氧化膜W使剝離步驟(e)后 的BOX膜厚度分布為凹狀時的本發(fā)明的制造方法。此狀況下，如圖2的步驟(b)所示，于W單 晶娃構成的貼合晶圓10形成有具有同屯、圓狀的凹狀的膜厚度分布的娃氧化層11。
[0057] 而如此于熱氧化處理步驟(b)形成凹狀的娃氧化膜厚度分布時，如圖2的步驟(e) 所示，剝離步驟后，能夠得到基底晶圓12與SOI層14之間具有同屯、圓狀的凹狀的埋入氧化膜 (BOX膜)13的貼合式SOI晶圓15。并且，于圖2的步驟(e)所得的貼合式SOI晶圓15施加還原性 熱處理步驟(f)，則此還原性熱處理所應形成的凸狀的BOX膜厚度分布，由預先形成的凹狀 BOX膜厚度分布所抵消，而能夠抑制還原性熱處理所致的均勻性的惡化。其結果如圖2的步 驟(f)所示，能夠得到BOX膜的均勻性高的貼合式SOI晶圓。
[005引于圖2,雖然W因還原性熱處理所形成的BOX膜厚度分布為凸狀作為前提W說明， 當還原性熱處理所形成的BOX膜厚度分布為凹狀時，于熱氧化處理步驟(b)中，形成娃氧化 膜11而使剝離后BOX膜厚度分布為凸狀即可。
[0059] 又本發(fā)明中，能夠使還原性熱處理后的埋入氧化膜(BOX膜)的膜厚度范圍在1.0皿 W下。依據此制造方法，能夠得到充分滿足近年來對化in BOX型薄膜SOI晶圓所要求的BOX 膜厚度范圍在InmW下，進一步亦滿足0.5nmW下，均勻性更高的貼合式SOI晶圓。
[0060] 【實施例】
[0061] W下雖顯示本發(fā)明的實施例及比較例W更具體的說明本發(fā)明，但本發(fā)明并非限定 于此。
[006^ (實施例）
[0063] 僅于由直徑300mm的單晶娃所構成的貼合晶圓制作厚度30nm的娃氧化膜(剝離后 成為BOX膜的娃氧化膜)后（圖1的步驟(b))，進行氨離子注入(圖1的步驟(C))。
[0064] 娃氧化膜的形成，利用批次式熱處理爐，于900°C至950°C的加溫中，及950°C的等 溫維持中導入氧氣，進行干氧化的加溫氧化。又使900°C至950°C的加溫氧化中的加溫速率 為rC/minW提高加溫氧化的效果。（另外，晶圓投入氧化爐時的溫度為600°C，60(rC至900 °C的加溫速率為5°C/min)加溫氧化后的娃氧化膜的面內分布，其面內范圍為0.8nm，分布如 圖2的步驟(b)所示，為外軸部較中屯、部厚的凹狀的同屯、圓狀分布。
[00化]氨離子注入為二階段分割注入，W第一次的注入而言，進行r、30keV、2.6el6cm-2、 注入角度0度，缺口角度0度的注入，W第二次的注入而言，進行H\30keV、2.6el6cm-2、注入 角度0度，缺口角度90度的注入。
[0066] 注入氨離子后，透過與基底晶圓貼合（圖1的步驟(d))，于500°C下30分鐘的氮氣氛 圍熱處理，W氨離子注入層剝離（圖1的步驟(e))，剝離后的SOI層的膜厚度為330皿。之后， 進行900°C的高溫蒸氣氧化處理而于剝離面形成250nm的熱氧化膜(犧牲氧化膜)后，透過將 形成的氧化膜W10%的HF水溶液去除，W去除離子注入的損傷層。
[0067] 之后，進行于1200°C下1小時，100%Ar氛圍的還原性熱處理（圖1的步驟(f)) W使 表面平坦化。還原性熱處理后的BOX膜厚度被薄膜化至25nm，B0X膜厚度面內分布為膜厚度 范圍：0.4nm，較還原性熱處理前有改善，得到如圖2的步驟(f)的BOX膜均勻性高的貼合式 SOI晶圓。
[0068] 在更進一步于其后，進行950°C的高溫蒸氣氧化處理而形成400nm的熱氧化膜(犧 牲氧化膜)后，將形成的熱氧化膜Wl〇%HF水溶液去除，制作10nm(±0.5nm)的SOI層。去除 此犧牲氧化膜后(薄膜化后)的BOX膜厚度，為與還原性熱處理后相同的BOX膜均勻性高而良 好的貼合式SOI晶圓。
[0069] (比較例）
[0070] 制作W除了如同習知W固定溫度950°C進行貼合晶圓的氧化W外，與實施例相同 的條件的貼合式SOI晶圓。此時，如圖3的步驟(b)所示，貼合晶圓110表面的娃氧化膜111的 面內分布為均勻分布，又娃氧化膜111的面內分布的面內范圍為0.化m。（另外，晶圓投入熱 氧化處理爐的溫度為600°C，使600°C至950°C的加溫速率為5°C/min，到達950°C后導入氧 氣，于固定溫度下進行干氧化）。
[0071] 之后，雖制作進行與實施例相同的熱處理W進行的剝離的貼合式SOI晶圓115,但 此時間點的基底晶圓112及SOI層114之間的BOX膜113的膜厚度的面內分布，如圖3的步驟 (e)所示為均勻。
[0072] 之后，進行與實施例同樣的還原性熱處理時，BOX膜113膜厚度面內分布為膜厚度 范圍較還原性熱處理前惡化，如圖3的步驟(f)，成為了同屯、圓狀的凸狀的面內分 布。再之后，在進行950°C的高溫蒸氣氧化處理而形成400nm的熱氧化膜(犧牲氧化膜)后，將 形成的熱氧化膜W10 %HF水溶液去除，制作10nm( ±0.5nm)的SOI層。此時的BOX膜的膜厚度 范圍亦超過Inm。
[0073] 前述實施例，比較例的娃氧化膜形成條件、離子注入剝離條件、還原性熱氧化處理 條件、犧牲氧化處理條件及結果表示于表1。
[0074] 【表1】
[0075]
[0076] 透過表1，得知相對于實施例中得到BOX膜厚度分布低于0.5nm的良好面內分布，比 較例1中則得到l.lnm，無法得到滿足近年來BOX膜厚度范圍為InmW下的要求的面內分布。
[0077] 另外，本發(fā)明并不為前述實施例所限制。前述實施例為例示，具有與本發(fā)明的申請 專利范圍所記載的技術思想為實質相同的構成，且達成同樣作用效果者，皆包含于本發(fā)明 的技術范圍。
【主權項】
1. 一種貼合式SOI晶圓的制造方法，以單晶硅所構成的貼合晶圓及基底晶圓的至少一 方的晶圓表面予以透過熱氧化處理而形成硅氧化膜，于該貼合晶圓的表面離子注入氫離 子、稀有氣體離子的至少一種氣體離子而形成離子注入層，將該貼合晶圓的經離子注入的 表面與該基底晶圓的表面透過該硅氧化膜貼合后，借由以該離子注入層將該貼合晶圓剝離 而制造出貼合式SOI晶圓的方法，其中， 將該硅氧化膜使用批次式熱處理爐，借由進行至少含有升溫中的熱氧化及降溫中的熱 氧化中的任一種的該熱氧化處理，使剝離后的該貼合式SOI晶圓的內嵌氧化膜形成為同心 圓狀的氧化膜厚度分布， 進一步借由于該貼合晶圓剝離后的該貼合式SOI晶圓進行還原性熱處理，將該內嵌氧 化膜的膜厚度范圍縮小至小于該還原性熱處理前的膜厚度范圍。2. 如權利要求1所述的貼合式SOI晶圓的制造方法，其中使該還原性熱處理后的該內嵌 氧化膜的膜厚度范圍為1 · Onm以下。3. 如權利要求1或2所述的貼合式SOI晶圓的制造方法，其中該還原性熱處理于100%的 氬氣氛圍或是100%的氫氣氛圍，或者是于兩者的混合氣體氛圍下進行。4. 如權利要求1至3中任一項所述的貼合式SOI晶圓的制造方法，其中該同心圓狀的氧 化膜厚度分布形成為凹狀分布。
【文檔編號】H01L21/02GK106062923SQ201580011152
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年2月9日 公開號201580011152.4, CN 106062923 A, CN 106062923A, CN 201580011152, CN-A-106062923, CN106062923 A, CN106062923A, CN201580011152, CN201580011152.4, PCT/2015/575, PCT/JP/15/000575, PCT/JP/15/00575, PCT/JP/2015/000575, PCT/JP/2015/00575, PCT/JP15/000575, PCT/JP15/00575, PCT/JP15000575, PCT/JP1500575, PCT/JP2015/000575, PCT/JP2015/00575, PCT/JP2015000575, PCT/JP201500575
【發(fā)明人】阿賀浩司, 小林德弘
【申請人】信越半導體株式會社