保護(hù)膜形成膜、保護(hù)膜形成用片及加工物的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種保護(hù)膜形成膜(1)，其中，所述保護(hù)膜形成膜(1)及由保護(hù)膜形成膜(1)形成的保護(hù)膜中至少一者在測(cè)定溫度0℃下測(cè)定的斷裂應(yīng)力(MPa)與在測(cè)定溫度0℃下測(cè)定的斷裂應(yīng)變(單位：％)之積為1MPa·％以上且250MPa·％以下。根據(jù)所述保護(hù)膜形成膜(1)，能夠在對(duì)工件進(jìn)行分割加工而得到加工物時(shí)對(duì)工件進(jìn)行的擴(kuò)片工序中對(duì)該保護(hù)膜形成膜(1)或由保護(hù)膜形成膜(1)形成的保護(hù)膜適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行分割。
【專利說明】
保護(hù)膜形成膜、保護(hù)膜形成用片及加工物的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及能在半導(dǎo)體晶片等工件或者對(duì)該工件進(jìn)行加工而得到的加工物(例如 半導(dǎo)體忍片)上形成保護(hù)膜的保護(hù)膜形成膜、具備該保護(hù)膜形成膜的保護(hù)膜形成用片、W及 使用該保護(hù)膜形成膜由工件制造加工物的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，使用被稱為倒裝方式的安裝方法進(jìn)行了半導(dǎo)體裝置的制造。在該方法中， 在安裝具有形成了凸塊等電極的電路面的半導(dǎo)體忍片時(shí)，將半導(dǎo)體忍片的電路面?zhèn)冉雍嫌?引線框等忍片搭載部。由此，形成了未形成電路的半導(dǎo)體忍片背面?zhèn)嚷冻龅慕Y(jié)構(gòu)。
[0003] 因此，為了保護(hù)半導(dǎo)體忍片，大多在半導(dǎo)體忍片的背面?zhèn)刃纬捎捎操|(zhì)的有機(jī)材料 形成的保護(hù)膜。該保護(hù)膜可W例如使用專利文獻(xiàn)1或2所示的半導(dǎo)體背面用膜或切割片一體 型晶片背面保護(hù)膜而形成。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2012-28396號(hào)公報(bào)
[0007] 專利文獻(xiàn)2:日本特開2012-235168號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[000引發(fā)明要解決的課題
[0009] 然而，在從半導(dǎo)體晶片等工件制造包含半導(dǎo)體忍片等片狀體的加工物時(shí)，W往通 常一邊W對(duì)工件清洗等為目的而噴吹液體，一邊進(jìn)行用旋轉(zhuǎn)刀具切割工件而得到片狀體的 切片刀切割加工。但是，近年來采用了能夠用干法分割成片狀體的stealth Dicing(注冊(cè)商 標(biāo))加工。在Stealth Dicing(注冊(cè)商標(biāo))加工中，一邊使工件的表面附近受到的損傷為最小 限度，一邊W在工件內(nèi)部預(yù)先形成改性層的方式照射開度（NA)大的激光，然后在擴(kuò)片 (expand)工序等中對(duì)工件施加力而得到由片狀體形成的加工物。
[0010] 在將上述保護(hù)膜或能夠形成保護(hù)膜的保護(hù)膜形成膜疊層于工件時(shí)，需要將運(yùn)些膜 等適當(dāng)?shù)胤指?，使得將工件分割加工而形成的加工物也疊層有保護(hù)膜或能形成保護(hù)膜的保 護(hù)膜形成膜。
[0011] 本發(fā)明是鑒于上述實(shí)際情況而完成的，其目的在于提供一種保護(hù)膜形成膜，其能 夠在分割加工工件而得到加工物時(shí)對(duì)工件進(jìn)行的擴(kuò)片工序中適當(dāng)分割保護(hù)膜形成膜或由 保護(hù)膜形成膜形成的保護(hù)膜。本發(fā)明的目的還在于提供一種使用上述保護(hù)膜形成膜的加工 物的制造方法。
[0012] 解決課題的方法
[0013] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明人等進(jìn)行了深入研究，結(jié)果獲得了 W下見解:對(duì)于供于 擴(kuò)片工序的保護(hù)膜形成膜或者由保護(hù)膜形成膜形成的保護(hù)膜，通過使測(cè)定溫度(TC下測(cè)定 的斷裂應(yīng)力（M化）與測(cè)定溫度0°C下測(cè)定的斷裂應(yīng)變（單位：％ )之積為1M化.％ W上且 250MPa · % W下，能夠在擴(kuò)片工序中容易地適當(dāng)分割保護(hù)膜形成膜或保護(hù)膜。
[0014] 根據(jù)上述見解而完成的本發(fā)明如下所述。
[0015] (1)-種保護(hù)膜形成膜，其中，所述保護(hù)膜形成膜及由所述保護(hù)膜形成膜形成的保 護(hù)膜中的至少一者在測(cè)定溫度〇°C下測(cè)定的斷裂應(yīng)力(MPa)與在測(cè)定溫度0°C下測(cè)定的斷裂 應(yīng)變(單位：％)之積為IMPa · 上且250MPa · 下。
[0016] (2)上述(1)所述的保護(hù)膜形成膜，其在波長(zhǎng)1064nm下的光線透射率為30% w上。
[0017] (3)-種保護(hù)膜形成用片，其具備：
[0018] 具有基材和疊層于所述基材的一面?zhèn)鹊恼澈蟿拥那懈钇?、W及
[0019] 疊層于所述切割片的所述粘合劑層側(cè)的上述(1)或(2)所述的保護(hù)膜形成膜。
[0020] (4)上述（3)所述的保護(hù)膜形成用片，其在波長(zhǎng)1064nm下的光線透射率為30% W 上。
[0021] (5) -種加工物的制造方法，該方法具備：
[0022] 第1改性層形成工序，W聚焦于設(shè)定在工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激 光，在上述工件內(nèi)部形成改性層，
[0023] 第1保護(hù)膜形成膜疊層工序，在形成了上述改性層的上述工件的一面疊層上述（1) 所述的保護(hù)膜形成膜，
[0024] 該方法還具備：
[0025] 分割工序，通過對(duì)形成了上述改性層的上述工件施加力進(jìn)行分割而得到分割物，
[0026] 保護(hù)膜形成工序，由上述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜，
[0027] 從而得到在上述分割物的一面上疊層上述保護(hù)膜而成的加工物。
[00%] (6) -種加工物的制造方法，該方法具備：
[0029] 第扣義性層形成工序，從切割片側(cè)W聚焦于設(shè)定在工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)疊層 結(jié)構(gòu)體的上述工件照射紅外區(qū)域的激光，在上述工件內(nèi)部形成改性層，所述疊層結(jié)構(gòu)體具 有工件、疊層于上述工件的一面的上述(2)所述的保護(hù)膜形成膜、W及疊層于上述保護(hù)膜形 成膜的與上述工件對(duì)置側(cè)相反側(cè)的面的切割片，
[0030] 該方法還具備：
[0031] 分割工序，通過對(duì)形成了上述改性層的上述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割 物，
[0032] 保護(hù)膜形成工序，由上述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜，
[0033] 從而得到在上述分割物的一面上疊層上述保護(hù)膜而成的加工物。
[0034] (7) -種加工物的制造方法，該方法具備：
[0035] 第2保護(hù)膜形成膜疊層工序，將上述(2)所述的保護(hù)膜形成膜疊層于工件的一面，
[0036] 第2改性層形成工序，隔著上述保護(hù)膜形成膜，W聚焦于設(shè)定在疊層有上述保護(hù)膜 形成膜的上述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)上述工件照射紅外區(qū)域的激光，在上述工件內(nèi)部形 成改性層，
[0037] 該方法還具備：
[0038] 分割工序，通過對(duì)形成了上述改性層的上述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割 物；
[0039] 保護(hù)膜形成工序，由上述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜；
[0040]從而得到在上述分割物的一面上疊層上述保護(hù)膜而成的加工物。
[0041 ] (8)上述(5)~(7)中任一項(xiàng)所述的加工物的制造方法，其中，在上述分割工序之前 進(jìn)行在疊層于上述工件的上述保護(hù)膜形成膜上疊層切割片的第1切割片疊層工序。
[0042] (9)上述(5)或(6)所述的加工物的制造方法，其中，疊層于上述工件的上述保護(hù)膜 形成膜處于一面疊層有切割片的狀態(tài)。
[0043] (10)上述(5)~(9)中任一項(xiàng)所述的加工物的制造方法，其中，在上述分割工序之 后進(jìn)行上述保護(hù)膜形成工序。
[0044] (11)上述(5)~(9)中任一項(xiàng)所述的加工物的制造方法，其中，在上述保護(hù)膜形成 工序之后進(jìn)行上述分割工序。
[0045] (12) -種加工物的制造方法，該方法具備：
[0046] 第2保護(hù)膜形成膜疊層工序，將上述(2)所述的保護(hù)膜形成膜疊層于工件的一面，
[0047] 保護(hù)膜形成工序，由上述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜，
[0048] 第4改性層形成工序，隔著上述保護(hù)膜，W聚焦于設(shè)定在疊層有上述保護(hù)膜的上述 工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)上述工件照射紅外區(qū)域的激光，在上述工件內(nèi)部形成改性層，
[0049] 分割工序，通過對(duì)形成了上述改性層的上述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割 物，
[0050] 得到在上述分割物的一面上疊層上述保護(hù)膜而成的加工物作為上述分割工序的 結(jié)果物。
[0051 ] (13) -種加工物的制造方法，該方法具備：
[0052] 第2保護(hù)膜形成膜疊層工序，將上述(2)所述的保護(hù)膜形成膜疊層于工件的一面，
[0053] 保護(hù)膜形成工序，由上述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜，
[0054] 第2切割片疊層工序，在疊層于上述工件的上述保護(hù)膜上疊層切割片，
[0055] 第5改性層形成工序，隔著上述保護(hù)膜及上述切割片，W聚焦于設(shè)定在疊層有上述 保護(hù)膜的上述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)上述工件照射紅外區(qū)域的激光，在上述工件內(nèi)部形 成改性層，
[0056] 分割工序，通過對(duì)形成了上述改性層的上述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割 物，
[0057] 得到在上述分割物的一面上疊層上述保護(hù)膜而成的加工物作為上述分割工序的 結(jié)果物。
[005引（14)一種加工物的制造方法，該方法具備：
[0059] 第3保護(hù)膜形成膜疊層工序，將處于疊層有切割片的狀態(tài)的上述(2)所述的保護(hù)膜 形成膜疊層于工件的一面，
[0060] 保護(hù)膜形成工序，由上述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜，
[0061 ]第5改性層形成工序，隔著上述保護(hù)膜及上述切割片，W聚焦于設(shè)定在疊層有上述 保護(hù)膜的上述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)上述工件照射紅外區(qū)域的激光，在上述工件內(nèi)部形 成改性層，
[0062] 分割工序，通過對(duì)形成了上述改性層的上述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割 物，
[0063] 得到在上述分割物的一面上疊層上述保護(hù)膜而成的加工物作為上述分割工序的 結(jié)果物。
[0064] 發(fā)明的效果
[0065] 根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)膜形成膜和保護(hù)膜形成用片，能夠得到在擴(kuò)片工序中被適當(dāng)分 割的保護(hù)膜形成膜或保護(hù)膜。因此，根據(jù)使用所述保護(hù)膜形成膜的加工物的制造方法，在對(duì) 疊層有保護(hù)膜形成膜或保護(hù)膜的工件進(jìn)行分割加工而得到加工物時(shí)，不易產(chǎn)生分割不良。
【附圖說明】
[0066] 圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。
[0067] 圖2是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。
[0068] 圖3是本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。
[0069] 圖4是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的使用例的剖面圖，具體而 言是示出第1疊層結(jié)構(gòu)體的剖面圖。
[0070] 符號(hào)說明
[0071] l···保護(hù)膜形成膜
[0072] 2…保護(hù)膜形成用片
[0073] 21…剝離片
[0074] 3、3A…保護(hù)膜形成用片
[0075] 4…切割片
[0076] 41···基材
[0077] 42…粘合劑層
[0078] 5…夾具用粘合劑層
[0079] 6…半導(dǎo)體晶片
[0080] 7...環(huán)狀框
【具體實(shí)施方式】
[0081 ] W下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0082] 1.保護(hù)膜形成膜
[0083] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜用于將保護(hù)膜形成于工件上或形成于對(duì)該工件進(jìn)行 加工而得到的加工物上。該保護(hù)膜由保護(hù)膜形成膜構(gòu)成，優(yōu)選由固化的保護(hù)膜形成膜構(gòu)成。 作為工件，可W示例出半導(dǎo)體晶片，作為對(duì)該工件進(jìn)行加工而得到的加工物，可W例示出半 導(dǎo)體忍片，但本發(fā)明并不限定于此。需要說明的是，在工件為半導(dǎo)體晶片的情況下，保護(hù)膜 形成于半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)?未形成凸塊等電極的一側(cè)）。
[0084] (1)物性
[0085] (1-1)斷裂指數(shù)
[0086] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜或由保護(hù)膜形成膜形成的保護(hù)膜(在本說明書中，也 將保護(hù)膜形成膜和保護(hù)膜總稱為"保護(hù)膜等"）在測(cè)定溫度〇°C下測(cè)定的斷裂應(yīng)力(MPa)與在 測(cè)定溫度〇°C下測(cè)定的斷裂應(yīng)變(單位：％ )之積(在本說明書中，也將該積稱為"斷裂指數(shù)"） 為IMPa · 上且250MPa · 下。
[0087] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜等在測(cè)定溫度0°C下測(cè)定的斷裂應(yīng)力(MPa)更優(yōu)選為IM化w 上且1 OOMPa w下，特別優(yōu)選為5MPa w上且45MPa w下。
[0088] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜等在測(cè)定溫度0°C下測(cè)定的斷裂應(yīng)變（單位：％)更優(yōu)選為 0.5% W上且100% W下，特別優(yōu)選為2% W上且25% W下。
[0089] 在通過擴(kuò)片工序切割的對(duì)象為保護(hù)膜形成膜的情況下，保護(hù)膜形成膜的斷裂指數(shù) 只要滿足上述條件即可。在由保護(hù)膜形成膜形成的保護(hù)膜為切割對(duì)象的情況下，保護(hù)膜的 斷裂指數(shù)只要滿足上述條件即可。即，在分割工件時(shí)，作為與工件一起被分割的對(duì)象的保護(hù) 膜形成膜或保護(hù)膜只要在斷裂指數(shù)方面滿足上述條件即可。因此，保護(hù)膜形成膜和由保護(hù) 膜形成膜形成的保護(hù)膜兩者不需要同時(shí)滿足上述斷裂指數(shù)的條件。也可W兩者同時(shí)滿足上 述斷裂指數(shù)的條件。
[0090] 保護(hù)膜等的斷裂應(yīng)變較小時(shí)易于分割，但在保護(hù)膜等的斷裂應(yīng)變減小而其斷裂應(yīng) 力過大的情況下，即使通過擴(kuò)片工序使保護(hù)膜等伸長(zhǎng)，有時(shí)保護(hù)膜等也不會(huì)均勻伸長(zhǎng)，且不 斷裂。另一方面，在保護(hù)膜等的斷裂應(yīng)力減小而其斷裂應(yīng)變過大的情況下，雖然在擴(kuò)片工序 中保護(hù)膜等均勻伸長(zhǎng)，但有時(shí)即使伸長(zhǎng)也不會(huì)斷裂。因此，保護(hù)膜等的斷裂指數(shù)在適當(dāng)?shù)姆?圍內(nèi)時(shí)，能夠平衡性良好地切斷保護(hù)膜等。
[0091] 在保護(hù)膜等的斷裂指數(shù)超過250MPa · %的情況下，存在無法通過擴(kuò)片工序分割保 護(hù)膜等的隱患。在保護(hù)膜等的斷裂指數(shù)小于1M化· ％時(shí)，存在目標(biāo)分割線W外的部分保護(hù) 膜形成層也會(huì)發(fā)生斷裂的隱患。本實(shí)施方式的保護(hù)膜等的斷裂指數(shù)更優(yōu)選為2MPa · % W上 且220MPa · 下，特別優(yōu)選為3MPa · 上且200MPa · 下。
[0092] (1-2)光線透射率
[0093] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜在波長(zhǎng)1064nm下的光線透射率優(yōu)選為30% W上。本說 明書中的光線透射率是使用積分球測(cè)定的值，使用分光光度計(jì)作為測(cè)定器具。
[0094] 在半導(dǎo)體晶片等工件的內(nèi)部形成改性層之后粘貼保護(hù)膜形成膜的情況下，保護(hù)膜 形成膜在波長(zhǎng)l〇64nm下的光線透射率沒有限定。
[00%]在將保護(hù)膜形成膜粘貼于半導(dǎo)體晶片等工件之后想要在工件內(nèi)形成改性層的情 況下，保護(hù)膜形成膜在波長(zhǎng)1064η下的光線透射率優(yōu)選為30% W上且99% W下，更優(yōu)選為 40% W上且98% W下，特別優(yōu)選為45% W上且97% W下。在上述情況下，粘貼于半導(dǎo)體晶片 的背面等工件的一面的保護(hù)膜等在波長(zhǎng)l〇64nm下的光線透射率為30% W下時(shí)，難W通過激 光照射在工件內(nèi)部形成改性層。保護(hù)膜等在波長(zhǎng)l〇64nm下的光線透射率為99% W上的情況 下，在進(jìn)行用于在工件內(nèi)形成改性層的激光照射時(shí)，是否粘貼了保護(hù)膜的裝置識(shí)別有可能 變得困難。
[0096] 需要說明的是，在保護(hù)膜形成膜由未固化的固化性粘接劑形成的情況下，該保護(hù) 膜形成膜的光線透射率在固化前和固化后基本沒有變化。因此，如果固化前的保護(hù)膜形成 膜在波長(zhǎng)l〇64nm下的光線透射率為30% W上，則保護(hù)膜形成膜固化而得到的保護(hù)膜在波長(zhǎng) 1064nm下的光線透射率也為30%W上。
[0097] 在分別粘貼保護(hù)膜形成膜和切割片之后，或者在粘貼保護(hù)膜形成膜兼切割片之 后，為了能夠在工件內(nèi)形成改性層，優(yōu)選保護(hù)膜等與切割片的疊層體而不是單獨(dú)的保護(hù)膜 等在波長(zhǎng)1064nm下的光線透射率為30 % W上且99 % W下，更優(yōu)選為45 % W上且98 % W下， 特別優(yōu)選為55 % W上且97 % W下。
[0098] 運(yùn)里，本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜可W由單層構(gòu)成，也可W由多層構(gòu)成，從控制光 線透射率的容易性和制造成本方面考慮，優(yōu)選由單層構(gòu)成。在保護(hù)膜形成膜由多層構(gòu)成的 情況下，從控制光線透射率的容易性方面考慮，優(yōu)選該多層總體滿足上述光線透射率。
[0099] (2)材料
[0100] 保護(hù)膜形成膜優(yōu)選由未固化的固化性粘接劑形成。在該情況下，通過使工件疊合 于保護(hù)膜形成膜，然后使保護(hù)膜形成膜固化，能夠?qū)⒈Ｗo(hù)膜牢固地粘接于工件，從而可W將 具有耐久性的保護(hù)膜疊層于忍片等分割物。
[0101] 保護(hù)膜形成膜優(yōu)選在常溫下具有粘合性，或者通過加熱發(fā)揮粘合性。由此，在如上 所述使工件疊合于保護(hù)膜形成膜時(shí)，能夠使兩者貼合。因此，能夠切實(shí)地在使保護(hù)膜形成膜 固化之前進(jìn)行定位。
[0102] 構(gòu)成具有上述特性的保護(hù)膜形成膜的固化性粘接劑優(yōu)選含有固化性成分和粘合 劑聚合物成分。作為固化性成分，可W使用熱固化性成分、能量線固化性成分、或它們的混 合物，特別優(yōu)選使用熱固化性成分。
[0103] 作為熱固化性成分，可W列舉例如：環(huán)氧樹脂、酪醒樹脂、Ξ聚氯胺樹脂、尿素樹 月旨、聚醋樹脂、聚氨醋樹脂、丙締酸樹脂、聚酷亞胺樹脂、苯并W藝嗦樹脂等及它們的混合物。 其中，優(yōu)選使用環(huán)氧樹脂、酪醒樹脂及它們的混合物。
[0104] 環(huán)氧樹脂具有受熱時(shí)發(fā)生Ξ維網(wǎng)狀化而形成牢固的被膜的性質(zhì)。作為運(yùn)樣的環(huán)氧 樹脂，可W使用W往公知的各種環(huán)氧樹脂，通常優(yōu)選分子量300~2000左右的樹脂，特別優(yōu) 選分子量300~500的樹脂。進(jìn)而，優(yōu)選將通常狀態(tài)下為液態(tài)的分子量330~400的環(huán)氧樹脂 與常溫下為固體的分子量400~2500、特別是500~2000的環(huán)氧樹脂W共混的形式使用。另 夕h環(huán)氧樹脂的環(huán)氧當(dāng)量?jī)?yōu)選為50~5000g/eq。
[0105] 作為運(yùn)樣的環(huán)氧樹脂，具體而言可W列舉:雙酪A、雙酪F、間苯二酪、酪醒清漆型、 甲酪酪醒清漆型等酪類的縮水甘油酸;下二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇類的縮水甘油酸； 鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、四氨鄰苯二甲酸等簇酸的縮水甘油酸;苯胺異氯尿酸醋等的鍵合 于氮原子上的活潑氨被縮水甘油基取代而得到的縮水甘油基型或烷基縮水甘油基型環(huán)氧 樹脂；乙締基環(huán)己燒二環(huán)氧化物、3,4-環(huán)氧基環(huán)己基甲基-3,4-二環(huán)己燒簇酸甲醋、2-(3,4- 環(huán)氧基)環(huán)己基-5,5-螺(3,4-環(huán)氧基)環(huán)己燒間二氧雜環(huán)己燒等運(yùn)樣的通過將分子內(nèi)的碳- 碳雙鍵進(jìn)行例如氧化而導(dǎo)入了環(huán)氧基的所謂脂環(huán)型環(huán)氧化物。另外，還可W使用具有聯(lián)苯 骨架、二環(huán)己燒二締骨架、糞骨架等的環(huán)氧樹脂。
[0106] 其中，優(yōu)選使用雙酪類縮水甘油基型環(huán)氧樹脂、鄰甲酪酪醒清漆型環(huán)氧樹脂及苯 酪酪醒清漆型環(huán)氧樹脂。運(yùn)些環(huán)氧樹脂可W單獨(dú)使用1種，或?qū)⑶山鞼上組合使用。
[0107] 使用環(huán)氧樹脂的情況下，優(yōu)選組合使用作為助劑的熱活性型潛伏性環(huán)氧樹脂固化 劑。所述熱活性型潛伏性環(huán)氧樹脂固化劑是指在室溫下不與環(huán)氧樹脂反應(yīng)，而通過加熱至 一定溫度W上發(fā)生活化從而與環(huán)氧樹脂發(fā)生反應(yīng)的類型的固化劑。熱活性型潛伏性環(huán)氧樹 脂固化劑的活化方法包括:通過基于加熱的化學(xué)反應(yīng)而生成活性種（陰離子、陽離子）的方 法;在室溫附近穩(wěn)定地分散在環(huán)氧樹脂中、在高溫下與環(huán)氧樹脂相容/溶解而引發(fā)固化反應(yīng) 的方法;利用分子篩封閉型的固化劑使其在高溫下溶出而引發(fā)固化反應(yīng)的方法;利用微膠 囊的方法等。
[0108] 作為熱活性型潛伏性環(huán)氧樹脂固化劑的具體例子，可列舉各種猶鹽、或二元酸二 酷阱化合物、雙氯胺、胺加合物固化劑、咪挫化合物等高烙點(diǎn)活潑氨化合物等。運(yùn)些熱活性 型潛伏性環(huán)氧樹脂固化劑可W單獨(dú)使用1種、或?qū)⑶山鞼上組合使用。如上所述的熱活性型 潛伏性環(huán)氧樹脂固化劑優(yōu)選W相對(duì)于環(huán)氧樹脂100重量份為0.1~20重量份、特別優(yōu)選為 0.2~10重量份、進(jìn)一步優(yōu)選為0.3~5重量份的比例使用。
[0109] 作為酪類樹脂，可W沒有特別限制地使用烷基苯酪、多元酪、糞酪等酪類與醒類的 縮合物等。具體而言，可W使用苯酪酪醒清漆樹脂、鄰甲酪酪醒清漆樹脂、對(duì)甲酪酪醒清漆 樹脂、叔下基苯酪酪醒清漆樹脂、雙環(huán)戊二締甲酪樹脂、聚對(duì)乙締基苯酪樹脂、雙酪A型酪醒 清漆樹脂、或它們的改性物等。
[0110] 運(yùn)些酪類樹脂所包含的酪徑基可通過加熱而容易地與上述環(huán)氧樹脂的環(huán)氧基發(fā) 生加成反應(yīng)而形成耐沖擊性高的固化物。因此，也可W將環(huán)氧樹脂與酪類樹脂組合使用。
[0111] 粘合劑聚合物成分可W對(duì)保護(hù)膜形成膜賦予適度的粘性，提高保護(hù)膜形成用片3 的操作性。粘合劑聚合物的重均分子量通常為5萬~200萬，優(yōu)選為10萬~150萬，特別優(yōu)選 為20萬~100萬的范圍。如果分子量過低，則保護(hù)膜形成膜的成膜不充分，如果過高，則與其 它成分的相容性變差，結(jié)果會(huì)妨礙均勻的成膜。作為運(yùn)樣的粘合劑聚合物，可W使用例如： 丙締酸類聚合物、聚醋樹脂、苯氧基樹脂、聚氨醋樹脂、聚硅氧烷樹脂、橡膠類聚合物等，特 別優(yōu)選使用丙締酸類聚合物。
[0112] 作為丙締酸類聚合物，可W列舉例如：（甲基)丙締酸醋單體與來自于（甲基）丙締 酸衍生物的結(jié)構(gòu)單元形成的（甲基)丙締酸醋共聚物。運(yùn)里，作為（甲基)丙締酸醋單體，優(yōu)選 使用烷基的碳原子數(shù)為1~18的（甲基)丙締酸烷基醋，例如：（甲基)丙締酸甲醋、（甲基)丙 締酸乙醋、（甲基炳締酸丙醋、（甲基)丙締酸下醋等。另外，作為（甲基)丙締酸衍生物，可W 列舉例如：（甲基)丙締酸、（甲基)丙締酸縮水甘油醋、（甲基)丙締酸徑基乙醋等。
[0113] 上述當(dāng)中，使用甲基丙締酸縮水甘油醋等作為結(jié)構(gòu)單元向丙締酸類聚合物中導(dǎo)入 縮水甘油基時(shí)，與上述作為熱固化性成分的環(huán)氧樹脂的相容性得到提高，保護(hù)膜形成膜固 化后的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)變高，耐熱性提高。另外，上述當(dāng)中，使用丙締酸徑基乙醋等作 為結(jié)構(gòu)單元向丙締酸類聚合物中導(dǎo)入徑基時(shí)，能夠控制對(duì)工件的密合性、粘合物性。
[0114] 在使用了丙締酸類聚合物作為粘合劑聚合物的情況下，該聚合物的重均分子量?jī)?yōu) 選為10萬W上，特別優(yōu)選為15萬~100萬。丙締酸類聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度通常為20°CW 下，優(yōu)選為-70~0°C左右，且在常溫(23 °C)下具有粘合性。
[0115] 對(duì)于熱固化性成分與粘合劑聚合物成分的配合比率而言，相對(duì)于粘合劑聚合物成 分100重量份，優(yōu)選配合熱固化性成分50~1500重量份，特別優(yōu)選配合70~1000重量份，進(jìn) 一步優(yōu)選配合80~800重量份。在W運(yùn)樣的比例配合熱固化性成分和粘合劑聚合物成分時(shí)， 對(duì)于固化前的狀態(tài)和固化后的狀態(tài)中的至少一者而言，在滿足上述斷裂指數(shù)的條件的同 時(shí)，在固化前表現(xiàn)出適度的粘性，能夠穩(wěn)定地進(jìn)行粘貼操作，而且在固化后能得到被膜強(qiáng)度 優(yōu)異的保護(hù)膜。
[0116] 保護(hù)膜形成膜優(yōu)選含有著色劑和/或填料。保護(hù)膜形成膜含有填料時(shí)，通過調(diào)整填 料的種類、配合量，可W容易地使保護(hù)膜等滿足上述斷裂指數(shù)的條件。在含有著色劑和填料 兩者時(shí)，可W容易地將波長(zhǎng)在1064m下的光線透射率控制在上述范圍。而且，通過使保護(hù)膜 形成膜含有填料，不僅能夠保持保護(hù)膜的硬度較高，而且可W提高耐濕性。此外，通過使保 護(hù)膜形成膜含有填料，還可W使保護(hù)膜的熱膨脹系數(shù)接近于半導(dǎo)體晶片等工件的熱膨脹系 數(shù)，由此，能夠降低加工過程中工件的翅曲。
[0117] 作為著色劑，可W使用例如:無機(jī)類顏料、有機(jī)類顏料、有機(jī)類染料等公知的著色 劑，從提高光線透射率的控制性的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選著色劑含有有機(jī)類著色劑。從提高著色劑 的化學(xué)穩(wěn)定性(具體而言，可W示例出溶出難易程度、產(chǎn)生顏色轉(zhuǎn)移的難易程度、經(jīng)時(shí)變化 的大?。┑挠^點(diǎn)考慮，著色劑優(yōu)選由顏料構(gòu)成。因此，本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜所含有的 著色劑優(yōu)選由有機(jī)類顏料構(gòu)成。
[0118] 作為有機(jī)類著色劑的有機(jī)類顏料和有機(jī)類染料，可W列舉例如:錠系色素、花青系 色素、部花青系色素、克酬酸系色素、方酸舊I系色素、甘菊藍(lán)(azulenium)系色素、聚甲烘系 色素、糞釀系色素、化喃傭系色素、獻(xiàn)菁系色素、糞獻(xiàn)菁系色素、糞內(nèi)酷亞胺系色素、偶氮系 色素、縮合偶氮系色素、說藍(lán)系色素、紫環(huán)酬系色素、巧系色素、二鱗;嗦系色素、哇叮晚酬系 色素、異嗎I噪嘟酬系色素、哇獻(xiàn)酬系色素、化咯系色素、硫說系色素、金屬絡(luò)合物系色素(金 屬絡(luò)鹽染料）、二硫醇金屬絡(luò)合物系色素、嗎I噪酪系色素、Ξ締丙基甲燒系色素、蔥釀系色 素、二離、嗦系色素、糞酪系色素、偶氮甲堿系色素、苯并咪挫酬系色素、皮蔥酬系色素及±林 系色素等。
[0119] 有機(jī)類著色劑可W由巧巾材料構(gòu)成，也可W由多種材料構(gòu)成。從容易使波長(zhǎng)1064nm 的光線透射率達(dá)到30% W上的觀點(diǎn)考慮，本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜所含有的著色劑優(yōu)選 由多種材料構(gòu)成。
[0120] 例如，如果將黃色系顏料的異嗎I噪嘟酬系色素、藍(lán)色系顏料的獻(xiàn)菁系色素和紅色 系顏料的化咯并化咯二酬W合適的比率配合，則能夠容易地實(shí)現(xiàn)使保護(hù)膜等在波長(zhǎng)l〇64nm 下的光線透射率達(dá)到30% W上。
[0121] 作為無機(jī)類顏料，可W列舉例如:炭黑、鉆系色素、鐵系色素、銘系色素、鐵系色素、 饑系色素、錯(cuò)系色素、鋼系色素、釘系色素、銷系色素、IT0(銅錫氧化物)系色素、AT0(錬錫氧 化物)系色素等。
[0122] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜中的著色劑可W由有機(jī)類著色劑和無機(jī)類著色劑構(gòu) 成。
[0123] 對(duì)于保護(hù)膜形成膜中的著色劑的配合量而言，優(yōu)選考慮保護(hù)膜形成膜的厚度，且 W使保護(hù)膜形成膜在波長(zhǎng)l〇64nm的光線透射率為30% W上的方式進(jìn)行適當(dāng)設(shè)定。在保護(hù)膜 形成膜中的著色劑的配合量過高的情況下，有時(shí)存在保護(hù)膜形成膜的其它物性、例如對(duì)工 件的粘接性降低的傾向，因此，優(yōu)選也考慮運(yùn)點(diǎn)來設(shè)定上述配合量。
[0124] 著色劑的平均粒徑?jīng)]有限定。優(yōu)選W使上述保護(hù)膜形成膜在波長(zhǎng)1064nm下的光線 透射率為30% W上的方式進(jìn)行設(shè)定。在著色劑的平均粒徑過大時(shí)，存在無論波長(zhǎng)如何都難 W提高光線透射率的傾向。在著色劑的平均粒徑過小時(shí)，發(fā)生難W獲得運(yùn)樣的著色劑、操作 性降低運(yùn)樣的次要問題的可能性增大。因此，著色劑的平均粒徑優(yōu)選為1~500nm，特別優(yōu)選 為3~lOOnm，進(jìn)一步優(yōu)選為5~50nm。需要說明的是，本說明書中的著色劑的平均粒徑是使 用粒度分布測(cè)定裝置（日機(jī)裝株式會(huì)社制造，化no化ac Wave-UT151)并利用動(dòng)態(tài)光散射法 測(cè)定的值。
[0125] 作為填料，可W列舉:晶體二氧化娃、烙融二氧化娃、合成二氧化娃等二氧化娃、氧 化侶、玻璃球等無機(jī)填料。其中，更優(yōu)選合成二氧化娃，特別是，盡可能地除去了成為導(dǎo)致半 導(dǎo)體裝置產(chǎn)生誤動(dòng)作的主要原因的α射線的福射源的類型的合成二氧化娃是最適合的。作 為填料的形狀，可w列舉:球形、針狀、無定形等，優(yōu)選為球形，特別優(yōu)選為正球形。在填料為 球形或正球形時(shí)，不容易發(fā)生光線的漫反射，容易控制保護(hù)膜形成膜的光線透射率的光譜 輪廓。
[0126] 另外，作為添加于保護(hù)膜形成膜的填料，除了上述無機(jī)填料W外，還可W配合功能 性填料。作為功能性填料，可W列舉例如：W賦予忍片焊接后的導(dǎo)電性為目的的金、銀、銅、 儀、侶、不誘鋼、碳、陶瓷、或者用銀對(duì)儀、侶等進(jìn)行了包覆而得到的導(dǎo)電性填料，W賦予導(dǎo)熱 性為目的的金、銀、銅、儀、侶、不誘鋼、娃、錯(cuò)等金屬材料、它們的合金等導(dǎo)熱性填料等。
[0127] 填料(特別是二氧化娃填料)的平均粒徑優(yōu)選為0.01~ΙΟμπι，更優(yōu)選為0.01~3皿， 特別優(yōu)選為0.03~2μπι，進(jìn)一步優(yōu)選為0.05~Ιμπι。在填料的平均粒徑為O.OlymW上時(shí)，容易 將波長(zhǎng)550nm的光線透射率控制為20% W下，使得用肉眼觀察不到半導(dǎo)體忍片等的研磨痕 跡。另一方面，如果填料的平均粒徑超過ΙΟμπι，則存在保護(hù)膜形成膜的表面狀態(tài)變差的隱 患。另外，如果填料的平均粒徑超過3μπι，則由于紅外線的漫反射，有時(shí)難W控制保護(hù)膜形成 膜的光線透射率的光譜輪廓。需要說明的是，本說明書中的填料的小于1WI1的平均粒徑是使 用粒度分布測(cè)定裝置（日機(jī)裝株式會(huì)社制造，化no化ac Wave-UT151)并利用動(dòng)態(tài)光散射法 測(cè)定的值。另外，填料的lymW上的平均粒徑是使用粒度分布測(cè)定裝置（日機(jī)裝株式會(huì)社制 造 ，Microtrac MT3000II)并利用激光衍射/散射法測(cè)定的值。
[0128] 從容易滿足斷裂指數(shù)方面的上述條件的觀點(diǎn)考慮，保護(hù)膜形成膜中的填料(特別 是二氧化娃填料)的配合量?jī)?yōu)選為10~80質(zhì)量％，特別優(yōu)選為20~70質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選為 30~65質(zhì)量％。
[0129] 保護(hù)膜形成膜可W含有偶聯(lián)劑。通過含有偶聯(lián)劑，能夠在保護(hù)膜形成膜固化后使 保護(hù)膜與工件的粘接性/密合性得到提高而不損害保護(hù)膜的耐熱性，并且可W提高耐水性 (耐濕熱性）。作為偶聯(lián)劑，從其通用性和成本優(yōu)勢(shì)等方面考慮，優(yōu)選硅烷偶聯(lián)劑。
[0130] 作為硅烷偶聯(lián)劑，可W列舉例如：丫-環(huán)氧丙氧基丙基Ξ甲氧基硅烷、丫-環(huán)氧丙氧 基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基）乙基Ξ甲氧基硅烷、丫-(甲基丙締酷氧基 丙基)Ξ甲氧基硅烷、丫-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、Ν-6-(氨基乙基)-丫-氨基丙基Ξ甲氧基 硅烷、Ν-6-(氨基乙基)-丫-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、Ν-苯基-丫-氨基丙基Ξ甲氧基娃 燒、丫-脈丙基二乙氧基硅烷、丫-琉丙基二甲氧基硅烷、丫 -琉丙基甲基二甲氧基硅烷、雙 (3-二乙氧基甲娃烷基丙基）四硫化物、甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、乙締基二甲 氧基硅烷、乙締基Ξ乙酷氧基硅烷、咪挫硅烷等。運(yùn)些硅烷偶聯(lián)劑可W單獨(dú)使用1種，或?qū)? 種W上混合使用。
[0131] 為了調(diào)節(jié)固化前的凝聚力，保護(hù)膜形成膜還可W含有有機(jī)多異氯酸醋化合物、有 機(jī)多亞胺化合物、有機(jī)金屬馨合物化合物等交聯(lián)劑。另外，為了抑制靜電、提高忍片的可靠 性，保護(hù)膜形成膜還可W含有防靜電劑。此外，為了提高保護(hù)膜的阻燃性能、提高封裝的可 靠性，保護(hù)膜形成膜還可W含有憐酸化合物、漠化合物、憐系化合物等阻燃劑。
[0132] 為了有效地發(fā)揮作為由該保護(hù)膜形成膜形成的保護(hù)膜的功能，保護(hù)膜形成膜的厚 度優(yōu)選為3~300μπι，特別優(yōu)選為5~200μπι，進(jìn)一步優(yōu)選為7~100皿。
[0133] 2.保護(hù)膜形成用片2
[0134] 圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。如圖1所示，本實(shí)施方 式的保護(hù)膜形成用片2具備保護(hù)膜形成膜1和疊層于保護(hù)膜形成膜1的一面（圖1中下側(cè)的 面)的剝離片21而構(gòu)成。其中，剝離片21在保護(hù)膜形成用片2使用時(shí)被剝離。
[0135] 剝離片21在直至使用保護(hù)膜形成用片2為止的期間內(nèi)對(duì)保護(hù)膜形成膜1進(jìn)行保護(hù)， 也可W沒有。剝離片21的結(jié)構(gòu)是任意的，可W示例出：膜自身對(duì)保護(hù)膜形成膜1具有剝離性 的塑料膜、W及通過剝離劑等對(duì)塑料膜進(jìn)行剝離處理而得到的膜。作為塑料膜的具體例子， 可W列舉：聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋、聚對(duì)苯二甲酸下二醇醋、聚糞二甲酸乙二醇醋等聚醋 膜、及聚丙締、聚乙締等聚締控膜。作為剝離劑，可W使用聚硅氧烷類、含氣類、長(zhǎng)鏈烷基類 等，其中，優(yōu)選廉價(jià)且能獲得穩(wěn)定性能的聚硅氧烷類。對(duì)于剝離片21的厚度沒有特別限制， 通常為20~250μπι左右。
[0136] 上述的剝離片21也可W疊層于保護(hù)膜形成膜1的另一面（圖1中上側(cè)的面）。在運(yùn)種 情況下，優(yōu)選將一個(gè)剝離片21的剝離力增大而作為重剝離型剝離片，將另一個(gè)剝離片21的 剝離力減小而作為輕剝離型剝離片。
[0137] 為了制造本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片2,在剝離片21的剝離面(具有剝離性的 面;通常是實(shí)施了剝離處理的面，但并不限定于此)形成保護(hù)膜形成膜1。具體而言，制備保 護(hù)膜形成膜用涂布劑，利用漉涂機(jī)、刮刀涂布機(jī)、漉刀涂布機(jī)、氣刀涂布機(jī)、模涂機(jī)、棒涂機(jī)、 凹版涂布機(jī)、簾流涂布機(jī)等涂布機(jī)涂布于剝離片21的剝離面并使其干燥，從而形成保護(hù)膜 形成膜1，所述保護(hù)膜形成膜用涂布劑含有構(gòu)成保護(hù)膜形成膜1的固化性粘接劑，且根據(jù)需 要還含有溶劑。
[0138] 作為一個(gè)例子，W下對(duì)使用本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片2由作為工件的半導(dǎo)體 晶片制造作為加工物的疊層有保護(hù)膜的忍片的方法進(jìn)行說明。首先，在表面形成電路，將保 護(hù)膜形成用片2的保護(hù)膜形成膜1粘貼于經(jīng)過背磨加工的半導(dǎo)體晶片的背面。此時(shí)，可W根 據(jù)需要加熱保護(hù)膜形成膜1，使其發(fā)揮粘合性。
[0139] 接著，將剝離片21從保護(hù)膜形成膜1上剝離。然后，使保護(hù)膜形成膜1固化而形成保 護(hù)膜，得到疊層有保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片。在保護(hù)膜形成膜1為熱固化性粘接劑的情況下，可 給定溫度對(duì)保護(hù)膜形成膜1加熱適當(dāng)時(shí)間。需要說明的是，保護(hù)膜形成膜1的固化也可 W在切割工序之后進(jìn)行。
[0140] 如上所述得到疊層有保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片，可W根據(jù)需要對(duì)其保護(hù)膜照射激光， 進(jìn)行激光打印。需要說明的是，該激光打印也可W在保護(hù)膜形成膜1的固化之前進(jìn)行。
[0141] 接著，將疊層有進(jìn)行了激光打印的保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片設(shè)置于分割加工用激光照 射裝置，對(duì)包覆有保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片的表面位置進(jìn)行檢測(cè)，然后使用加工用激光在半導(dǎo) 體晶片內(nèi)形成改性層。運(yùn)里，在本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜1滿足上述光線透射率相關(guān)的條 件的情況下，由加工用激光照射的激光即使隔著保護(hù)膜對(duì)半導(dǎo)體晶片6進(jìn)行照射，也能夠容 易地形成改性層。
[0142] 將切割片粘貼于內(nèi)部形成了如上所述得到的改性層的半導(dǎo)體晶片及由保護(hù)膜形 成的疊層體的保護(hù)膜側(cè)的面。然后，通過實(shí)施使切割片伸長(zhǎng)的擴(kuò)片工序，對(duì)疊層有保護(hù)膜的 半導(dǎo)體晶片6施加力（主面內(nèi)方向的拉伸力）。其結(jié)果是，粘貼于切割片的上述疊層體被分 害d，可W得到疊層有保護(hù)膜的忍片。然后，使用拾取裝置，從切割片上拾取疊層有保護(hù)膜的 忍片。
[0143] 3.其它保護(hù)膜形成用片3
[0144] 圖2是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。如圖2所示，本實(shí)施 方式的保護(hù)膜形成用片3具備W下部分而構(gòu)成:將粘合劑層42疊層于基材41的一面而形成 的切割片4、疊層于切割片4的粘合劑層42側(cè)的保護(hù)膜形成膜1、W及疊層于保護(hù)膜形成膜1 的與切割片4相反側(cè)的邊緣部的夾具用粘合劑層5。夾具用粘合劑層5是用于將保護(hù)膜形成 用片3粘接于環(huán)狀框等夾具的層。
[0145] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3用于在加工工件時(shí)粘貼于該工件而保持該工件， 并且在該工件或?qū)υ摴ぜM(jìn)行加工而得到的加工物上形成保護(hù)膜。該保護(hù)膜由保護(hù)膜形成 膜1構(gòu)成，優(yōu)選由固化后的保護(hù)膜形成膜1構(gòu)成。
[0146] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3用于在對(duì)工件進(jìn)行分割加工等時(shí)保持工件，并且 使分割加工得到的加工物成為具有保護(hù)膜的加工物。
[0147] (1)切割片
[0148] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3的切割片4具備基材41和疊層于基材41的一面的 粘合劑層42而構(gòu)成。
[0149] (1-1)基材
[0150] 切割片4的基材41只要適于工件的加工、例如半導(dǎo)體晶片的切割及擴(kuò)片即可，對(duì)其 構(gòu)成材料沒有特別限定，通常由W樹脂類材料為主材料的膜(W下稱為"樹脂膜"）構(gòu)成。
[0151] 作為樹脂膜的具體例子，可W列舉:低密度聚乙締化DPE)膜、直鏈低密度聚乙締 aLDPE)膜、高密度聚乙締化DPE)膜等聚乙締膜、聚丙締膜、聚下締膜、聚下二締膜、聚甲基 戊締膜、乙締-降冰片締共聚物膜、降冰片締樹脂膜等聚締控類膜;乙締-乙酸乙締醋共聚物 膜、乙締-(甲基炳締酸共聚物膜、乙締-(甲基)丙締酸醋共聚物膜等乙締類共聚物膜;聚氯 乙締膜、氯乙締共聚物膜等聚氯乙締類膜;聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋膜、聚對(duì)苯二甲酸下二醇 醋膜等聚醋類膜;聚氨醋膜;聚酷亞胺膜;聚苯乙締膜;聚碳酸醋膜;氣樹脂膜等。另外，還可 W使用它們的交聯(lián)膜、離聚物膜運(yùn)樣的改性膜。上述基材41可W是由上述中的1種構(gòu)成的 膜，也可W是由上述巧巾W上組合而成的疊層膜。需要說明的是，本說明書中的"(甲基)丙締 酸"表示丙締酸和甲基丙締酸兩者的意思。其它類似用語也相同。
[0152] 上述當(dāng)中，從環(huán)境安全性、成本等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選聚締控類膜，其中更優(yōu)選耐熱性 優(yōu)異的聚丙締膜。如果是聚丙締膜，則能夠賦予基材41耐熱性而不損害切割片4的擴(kuò)片適應(yīng) 性、忍片的拾取適應(yīng)性。通過使基材41具有上述耐熱性，即使在W將保護(hù)膜形成用片3粘貼 于工件的狀態(tài)下使保護(hù)膜形成膜1熱固化的情況下，也能夠抑制切割片4發(fā)生松弛。
[0153] 對(duì)于上述樹脂膜而言，為了提高與疊層于其表面的粘合劑層42的密合性，可W根 據(jù)需要對(duì)其一面或兩面實(shí)施利用氧化法、凹凸化法等的表面處理、或涂底處理。作為上述氧 化法，可W列舉例如：電暈放電處理、等離子體放電處理、銘氧化處理(濕法）、火焰處理、熱 風(fēng)處理、臭氧、紫外線照射處理等，另外，作為凹凸化法，可W列舉例如:噴砂法、噴鍛處理法 等。
[0154] 對(duì)于基材41而言，上述樹脂膜中還可W含有著色劑、阻燃劑、增塑劑、防靜電劑、潤 滑劑、填料等各種添加劑。
[0155] 基材41的厚度只要能夠在使用保護(hù)膜形成用片3的各工序中適當(dāng)發(fā)揮作用即可， 沒有特別限定。優(yōu)選為20~450μπι，更優(yōu)選為25~400μπι，特別優(yōu)選為50~350WI1的范圍。
[0156] 本實(shí)施方式中切割片4的基材41的斷裂伸長(zhǎng)率W23°C、相對(duì)濕度50%時(shí)測(cè)定的值 計(jì)優(yōu)選為100% W上，特別優(yōu)選為200~1000%。運(yùn)里，斷裂伸長(zhǎng)率是在基于JIS K7161:1994 (ISO 527-1 1993)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行的拉伸試驗(yàn)中，試驗(yàn)片斷裂時(shí)的試驗(yàn)片長(zhǎng)度相對(duì)于初始長(zhǎng)度的 伸長(zhǎng)率。上述斷裂伸長(zhǎng)率為100% W上的基材41在擴(kuò)片工序時(shí)不易斷裂，易于與切割工件而 形成的忍片分離。
[0157]另外，本實(shí)施方式的切割片4的基材41的25%應(yīng)變時(shí)拉伸應(yīng)力優(yōu)選為5~15N/ 10mm，最大拉伸應(yīng)力優(yōu)選為15~50MPa。運(yùn)里，25%應(yīng)變時(shí)拉伸應(yīng)力和最大拉伸應(yīng)力是通過 基于JIS Κ7161:1994標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行的試驗(yàn)而測(cè)定的。如果25%應(yīng)變時(shí)拉伸應(yīng)力為5N/10mmW上、 且最大拉伸應(yīng)力為15MPaW上，則在將工件粘貼于切割片4之后并固定于環(huán)狀框等框體時(shí)， 能夠抑制基材2發(fā)生松弛，可W防止發(fā)生輸送錯(cuò)誤。另一方面，如果25%應(yīng)變時(shí)拉伸應(yīng)力為 15N/10mmW下、且最大拉伸應(yīng)力為50MPaW下，則能夠在擴(kuò)片工序時(shí)抑制切割片4自身從環(huán) 狀框剝離。需要說明的是，上述斷裂伸長(zhǎng)率、25%應(yīng)變時(shí)拉伸應(yīng)力、最大拉伸應(yīng)力是指對(duì)基 材41的原料卷的長(zhǎng)度方向測(cè)定的值。
[015引（1-2)粘合劑層
[0159] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3的切割片4所具有的粘合劑層42可W由非能量線 固化性粘合劑構(gòu)成，也可W由能量線固化性粘合劑構(gòu)成。作為非能量線固化性粘合劑，優(yōu)選 具有希望的粘合力及再剝離性的粘合劑，可W使用例如：丙締酸類粘合劑、橡膠類粘合劑、 聚硅氧烷類粘合劑、聚氨醋類粘合劑、聚醋類粘合劑、聚乙締基酸類粘合劑等。其中，優(yōu)選與 保護(hù)膜形成膜1的密合性高、且在切割工序等中能有效抑制工件或加工物的脫落的丙締酸 類粘合劑。
[0160] 另一方面，對(duì)于能量線固化性粘合劑而言，由于在能量線照射下使粘合力降低，因 此，在使工件或加工物與切割片4分離時(shí)，可W通過能量線照射容易地進(jìn)行分離。
[0161] 在粘合劑層42由能量線固化性粘合劑形成的情況下，保護(hù)膜形成用片3中的粘合 劑層42優(yōu)選已經(jīng)固化。能量線固化性粘合劑固化而成的材料通常彈性模量高、且表面的平 滑性高，因此，在使接觸由所述材料形成的固化部分的保護(hù)膜形成膜3固化而形成保護(hù)膜 時(shí)，與保護(hù)膜的該固化部分接觸的表面的平滑性(光澤度)高，作為忍片的保護(hù)膜外觀優(yōu)異。 另外，在對(duì)表面平滑性高的保護(hù)膜實(shí)施激光打印時(shí)，該打印的辨識(shí)性提高。
[0162] 構(gòu)成粘合劑層42的能量線固化性粘合劑可具有能量線固化性的聚合物作為 主成分，也可不具有能量線固化性的聚合物與能量線固化性的多官能單體和/或低聚 物的混合物作為主成分。
[0163] W下，對(duì)能量線固化性粘合劑W具有能量線固化性的聚合物作為主成分的情況進(jìn) 行說明。
[0164] 具有能量線固化性的聚合物優(yōu)選為在側(cè)鏈導(dǎo)入了具有能量線固化性官能團(tuán)（能量 線固化性基團(tuán)）的（甲基)丙締酸醋(共)聚合物(AKW下有時(shí)也稱為"能量線固化型聚合物 (ΑΓ)。該能量線固化型聚合物(A)優(yōu)選為由具有含官能團(tuán)單體單元的（甲基)丙締酸類共聚 物(al)與具有待鍵合于該官能團(tuán)的取代基的含不飽和基團(tuán)化合物(a2)發(fā)生反應(yīng)而得到的 聚合物。
[0165] 丙締酸類共聚物(al)由源自含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元與源自（甲基)丙締酸醋單 體或其衍生物的結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成。
[0166] 作為丙締酸類共聚物(al)的結(jié)構(gòu)單元的含官能團(tuán)單體，優(yōu)選為在分子內(nèi)具有聚合 性雙鍵和徑基、氨基、取代氨基、環(huán)氧基等官能團(tuán)的單體。
[0167] 作為上述含官能團(tuán)單體的更具體的例子，可W列舉：（甲基）丙締酸2-?基乙醋、 (甲基)丙締酸2-徑基丙醋、（甲基)丙締酸3-徑基丙醋、（甲基)丙締酸4-徑基下醋等，運(yùn)些化 合物可W單獨(dú)使用，也可W組合巧巾W上使用。
[0168] 作為構(gòu)成丙締酸類共聚物(al)的（甲基)丙締酸醋單體，可W使用烷基的碳原子數(shù) 為1~20的（甲基)丙締酸烷基醋、（甲基倆締酸環(huán)烷基醋、（甲基倆締酸節(jié)醋。其中，特別優(yōu) 選烷基的碳原子數(shù)為1~18的（甲基)丙締酸烷基醋，可W使用例如：（甲基)丙締酸甲醋、（甲 基)丙締酸乙醋、（甲基)丙締酸丙醋、（甲基)丙締酸正下醋、（甲基)丙締酸2-乙基己醋等。
[0169] 丙締酸類共聚物(al)通常W3~100質(zhì)量％、優(yōu)選W5~40質(zhì)量％的比例含有來自 于上述含官能團(tuán)單體的結(jié)構(gòu)單元，通常W0~97質(zhì)量％、優(yōu)選為60~95質(zhì)量％的比例含有來 自于（甲基)丙締酸醋單體或其衍生物的結(jié)構(gòu)單元。
[0170] 丙締酸類共聚物(al)可W通過用通常方法將上述含官能團(tuán)單體與（甲基）丙締酸 醋單體或其衍生物進(jìn)行共聚而得到，除了運(yùn)些單體W外，還可W將二甲基丙締酷胺、甲酸乙 締醋、乙酸乙締醋、苯乙締等進(jìn)行共聚。
[0171] 通過使上述具有含官能團(tuán)單體單元的丙締酸類共聚物(al)與具有待鍵合于該官 能團(tuán)的取代基的含不飽和基團(tuán)化合物(a2)發(fā)生反應(yīng)，能夠得到能量線固化型聚合物(A)。
[0172] 含不飽和基團(tuán)化合物(a2)所具有的取代基可W根據(jù)丙締酸類共聚物(al)所具有 的含官能團(tuán)單體單元的官能團(tuán)種類而適當(dāng)選擇。例如，在官能團(tuán)為徑基、氨基或取代氨基的 情況下，優(yōu)選異氯酸醋基或環(huán)氧基作為取代基，在官能團(tuán)為環(huán)氧基的情況下，優(yōu)選氨基、簇 基或氮丙晚基作為取代基。
[0173] 另外，在含不飽和基團(tuán)化合物(a2)中，每1分子含有1~5個(gè)能量線聚合性碳-碳雙 鍵，優(yōu)選每1分子含有1~2個(gè)能量線聚合性碳-碳雙鍵。作為運(yùn)樣的含不飽和基團(tuán)化合物 (曰2)的具體例子，可W列舉例如：2-甲基丙締酷氧基乙基異氯酸醋、間異丙締基-α，α-二甲 基芐基異氯酸醋、甲基丙締酷基異氯酸醋、締丙基異氯酸醋、1，1-(雙丙締酷氧基甲基）乙基 異氯酸醋;通過二異氯酸醋化合物或多異氯酸醋化合物與（甲基)丙締酸徑基乙醋的反應(yīng)而 得到的丙締酷單異氯酸醋化合物;通過二異氯酸醋化合物或多異氯酸醋化合物、多徑基化 合物和（甲基)丙締酸徑基乙醋的反應(yīng)而得到的丙締酷單異氯酸醋化合物；（甲基)丙締酸縮 水甘油醋；（甲基)丙締酸、（甲基)丙締酸2-(1-氮丙晚基）乙醋、2-乙締基-2-11挫嘟、2-異丙 締基-2-Pg挫嘟等。
[0174] 相對(duì)于上述丙締酸類共聚物(al)的每100當(dāng)量含官能團(tuán)單體，通常W10~100當(dāng)量 的比例使用含不飽和基團(tuán)化合物(a2)，優(yōu)選W20~95當(dāng)量的比例使用含不飽和基團(tuán)化合物 (日2)。
[0175] 在丙締酸類共聚物(al)與含不飽和基團(tuán)化合物(a2)的反應(yīng)中，可W根據(jù)官能團(tuán)與 取代基的組合來適當(dāng)選擇反應(yīng)的溫度、壓力、溶劑、時(shí)間、有無催化劑、催化劑種類。由此，丙 締酸類共聚物(al)中存在的官能團(tuán)與含不飽和基團(tuán)化合物(a2)中的取代基發(fā)生反應(yīng)，不飽 和基團(tuán)被導(dǎo)入到丙締酸類共聚物(al)中的側(cè)鏈，從而獲得能量線固化型聚合物(A)。
[0176] 運(yùn)樣得到的能量線固化型聚合物(A)的重均分子量?jī)?yōu)選為1萬W上，特別優(yōu)選為15 萬~150萬，進(jìn)一步優(yōu)選為20萬~100萬。需要說明的是，本說明書中的重均分子量(Mw)是使 用凝膠滲透色譜法(GPC法)測(cè)得的換算為聚苯乙締的值。
[0177] 在能量線固化性粘合劑W具有能量線固化性的聚合物作為主成分的情況下，能量 線固化性粘合劑還可W進(jìn)一步含有能量線固化性單體和/或低聚物(B)。
[0178] 作為能量線固化性單體和/或低聚物(B)，可W使用例如：多元醇與（甲基）丙締酸 形成的醋等。
[0179] 作為上述能量線固化性單體和/或低聚物(B)，可W列舉例如：（甲基）丙締酸環(huán)己 醋、（甲基倆締酸異冰片醋等單官能丙締酸醋類、立徑甲基丙烷；（甲基)丙締酸醋、季戊四 醇立（甲基)丙締酸醋、季戊四醇四（甲基)丙締酸醋、二季戊四醇六（甲基炳締酸醋、1,4-下 二醇二（甲基)丙締酸醋、1,6-己二醇二（甲基)丙締酸醋、聚乙二醇二（甲基)丙締酸醋、二徑 甲基Ξ環(huán)癸燒二（甲基)丙締酸醋等多官能丙締酸醋類、聚醋低聚（甲基)丙締酸醋、聚氨醋 低聚（甲基)丙締酸醋等。
[0180] 在配合能量線固化性單體和/或低聚物(B)的情況下，能量線固化性粘合劑中能量 線固化性單體和/或低聚物(B)的含量?jī)?yōu)選為5~80質(zhì)量％，特別優(yōu)選為20~60質(zhì)量％。
[0181] 運(yùn)里，在使用紫外線作為用于使能量線固化性樹脂組合物固化的能量線的情況 下，優(yōu)選添加光聚合引發(fā)劑(C)，通過使用該光聚合引發(fā)劑(C)，能夠減少聚合固化時(shí)間及光 線照射量。
[0182] 作為光聚合引發(fā)劑(C)，具體而言可W列舉:二苯甲酬、苯乙酬、苯偶姻、苯偶姻甲 基酸、苯偶姻乙基酸、苯偶姻異丙基酸、苯偶姻異下基酸、苯甲酯苯甲酸、苯甲酯苯甲酸甲 醋、安息香雙甲酸、2,4-二乙基嚷挫酬、1-徑基環(huán)己基苯基甲酬、芐基二苯基硫酸、一硫化四 甲基秋蘭姆、偶氮二異下臘、苯偶酷、聯(lián)節(jié)、下二酬、β-氯蔥釀、（2,4,6-Ξ甲基芐基二苯基） 氧化麟、Ν，Ν-二乙基二硫代氨基甲酸2-苯并嚷挫醋、低聚{2-徑基-2-甲基丙締 基)苯基]丙酬}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙燒-1-酬等。運(yùn)些化合物可W單獨(dú)使用，也可 W組合使用巧巾W上。
[0183] 相對(duì)于能量線固化型共聚物(A)IOO質(zhì)量份(在配合能量線固化性單體和/或低聚 物(B)的情況下，相對(duì)于能量線固化型共聚物(A)和能量線固化性單體和/或低聚物(B)的總 量100質(zhì)量份），優(yōu)選W0.1~10質(zhì)量份范圍的量使用光聚合引發(fā)劑(C)，特別優(yōu)選W0.5~6 質(zhì)量份范圍的量使用光聚合引發(fā)劑(C)。
[0184] 在能量線固化性粘合劑中，除了上述成分W外，還可W適宜配合其它成分。作為其 它成分，可W列舉例如：不具有能量線固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)、交聯(lián)劑化） 等。
[0185] 作為不具有能量線固化性的聚合物成分或低聚物成分(D)，可W列舉例如:聚丙締 酸醋、聚醋、聚氨醋、聚碳酸醋、聚締控等，優(yōu)選重均分子量(Mw)為3000~250萬的聚合物或 低聚物。
[0186] 作為交聯(lián)劑化），可W使用與能量線固化型共聚物(A)等所具有的官能團(tuán)具有反應(yīng) 性的多官能化合物。作為運(yùn)樣的多官能化合物的例子，可W列舉:異氯酸醋化合物、環(huán)氧化 合物、胺化合物、Ξ聚氯胺化合物、氮雜環(huán)丙烷化合物、阱化合物、醒化合物、f惡挫嘟化合物、 金屬醇鹽化合物、金屬馨合物化合物、金屬鹽、錠鹽、反應(yīng)性酪醒樹脂等。
[0187] 通過將運(yùn)些其它成分(D)、化)配合于能量線固化性粘合劑，能夠改善固化前的粘 合性和剝離性、固化后的強(qiáng)度、與其它層的粘接性、保存穩(wěn)定性等。運(yùn)些其它成分的配合量 沒有特別限定，相對(duì)于能量線固化型共聚物(A)IOO質(zhì)量份，可W在0~40質(zhì)量份的范圍適當(dāng) 確定。
[0188] 接下來，對(duì)于能量線固化性粘合劑W不具有能量線固化性的聚合物成分與能量線 固化性多官能單體和/或低聚物的混合物作為主成分的情況進(jìn)行說明。
[0189] 作為不具有能量線固化性的聚合物成分，可W使用例如與上述丙締酸類共聚物 (al)相同的成分。能量線固化性樹脂組合物中不具有能量線固化性的聚合物成分的含量?jī)?yōu) 選為20~99.9質(zhì)量％，特別優(yōu)選為30~80質(zhì)量％。
[0190] 作為能量線固化性的多官能單體和/或低聚物，可W選擇與上述成分(B)相同的成 分。對(duì)于不具有能量線固化性的聚合物成分與能量線固化性多官能單體和/或低聚物的配 合比而言，相對(duì)于聚合物成分100質(zhì)量份，多官能單體和/或低聚物優(yōu)選為10~150質(zhì)量份， 特別優(yōu)選為25~100質(zhì)量份。
[0191] 在該情況下，也可W與上述同樣地適當(dāng)配合光聚合引發(fā)劑(C)、交聯(lián)劑化）。
[0192] 對(duì)于粘合劑層42的厚度而言，只要在使用保護(hù)膜形成用片3的各工序中能夠發(fā)揮 適當(dāng)功能即可，沒有特別限定。具體而言，優(yōu)選為1~50μπι，特別優(yōu)選為2~30皿，進(jìn)一步優(yōu)選 為3~20皿。
[0193] 作為構(gòu)成夾具用粘合劑層5的粘合劑，優(yōu)選具有希望的粘合力和再剝離性，可W使 用例如:丙締酸類粘合劑、橡膠類粘合劑、聚硅氧烷類粘合劑、聚氨醋類粘合劑、聚醋類粘合 劑、聚乙締基酸類粘合劑等。其中，優(yōu)選與環(huán)狀框等夾具的密合性高、且在切割工序等中能 夠有效抑制保護(hù)膜形成用片3從環(huán)狀框等剝離的丙締酸類粘合劑。需要說明的是，可W在夾 具用粘合劑層5的厚度方向中夾有作為忍材的基材。
[0194] 另一方面，從對(duì)環(huán)狀框等夾具的粘接性的觀點(diǎn)考慮，夾具用粘合劑層5的厚度優(yōu)選 為5~200μπι，特別優(yōu)選為10~100皿。
[01Μ] (2)保護(hù)膜形成用片的制造方法
[0196] 對(duì)于保護(hù)膜形成用片3而言，優(yōu)選分別制作包含保護(hù)膜形成膜1的第1疊層體、包含 切割片4的第2疊層體，然后使用第1疊層體和第2疊層體將保護(hù)膜形成膜1和切割片4進(jìn)行疊 層，由此可W制造保護(hù)膜形成用片3,但并不限定于此。
[0197] 在制造第1疊層體時(shí)，在第1剝離片的剝離面形成保護(hù)膜形成膜1。具體而言，制備 保護(hù)膜形成膜用涂布劑，利用漉涂機(jī)、刮刀涂布機(jī)、漉刀涂布機(jī)、氣刀涂布機(jī)、模涂機(jī)、棒涂 機(jī)、凹版涂布機(jī)、簾流涂布機(jī)等涂布機(jī)涂布于第1剝離片的剝離面，并使其干燥而形成保護(hù) 膜形成膜1，所述保護(hù)膜形成膜用涂布劑含有構(gòu)成保護(hù)膜形成膜1的固化性粘接劑，且根據(jù) 需要還含有溶劑。接下來，將第2剝離片的剝離面疊合于保護(hù)膜形成膜1的露出面并進(jìn)行壓 粘，得到2片剝離片夾持保護(hù)膜形成膜1而成的疊層體(第1疊層體）。
[0198] 對(duì)于該第1疊層體而言，可W根據(jù)需要實(shí)施半切，使保護(hù)膜形成膜1(及第2剝離片） 成為希望的形狀、例如圓形等。該情況下，可W適當(dāng)去除由半切所產(chǎn)生的保護(hù)膜形成膜1和 第2剝離片的多余部分。
[0199] 另一方面，在制造第2疊層體時(shí)，在第3剝離片的剝離面涂布粘合劑層用涂布劑，并 使其干燥而形成粘合劑層42,所述粘合劑層用涂布劑含有構(gòu)成粘合劑層42的粘合劑，且根 據(jù)需要還含有溶劑。然后，將基材41壓粘于粘合劑層42的露出面，得到由切割片4和第3剝離 片形成的疊層體(第2疊層體），所述切割片4由基材41和粘合劑層42形成。
[0200] 運(yùn)里，在粘合劑層42由能量線固化性粘合劑形成的情況下，可W在該階段對(duì)粘合 劑層42照射能量線而使粘合劑層42固化，也可W在與保護(hù)膜形成膜1疊層之后使粘合劑層 42固化。另外，在與保護(hù)膜形成膜1疊層之后使粘合劑層42固化的情況下，可W在切割工序 之前使粘合劑層42固化，也可W在切割工序之后使粘合劑層42固化。
[0201] 作為能量線，通?？蒞使用紫外線、電子束等。能量線的照射量根據(jù)能量線的種類 而不同，例如在紫外線的情況下，優(yōu)選W光量計(jì)為50~lOOOmJ/cm2,特別優(yōu)選為100~ 500mJ/cm2。另夕h在電子束的情況下，優(yōu)選為10~lOOOkrad左右。
[0202] 如上所述得到第1疊層體和第2疊層體后，將第1疊層體的第2剝離片剝離，并且將 第2疊層體的第3剝離片剝離，將第1疊層體中露出的保護(hù)膜形成膜1與第2疊層體中露出的 切割片4的粘合劑層42疊合并壓粘?？蒞根據(jù)需要對(duì)切割片4進(jìn)行半切，使其成為希望的形 狀、例如具有比保護(hù)膜形成膜1更大直徑的圓形等。該情況下，可W適當(dāng)去除由半切所產(chǎn)生 的切割片4的多余部分。
[0203] 由此，可W得到由切割片4、保護(hù)膜形成膜1和第1剝離片形成的保護(hù)膜形成用片3， 所述切割片4是在基材41上疊層粘合劑層42而形成的，所述保護(hù)膜形成膜1疊層于切割片4 的粘合劑層42側(cè)，所述第1剝離片疊層于保護(hù)膜形成膜1的與切割片4的相反側(cè)。最后，將第1 剝離片剝離，然后在保護(hù)膜形成膜1的與切割片4相反側(cè)的表面的邊緣部形成夾具用粘合劑 層5。
[0204] 夾具用粘合劑層5的形成方法沒有限定。如果要舉出一個(gè)例子，則如下所述。首先， 準(zhǔn)備用于形成夾具用粘合劑層5的粘合劑組合物、W及根據(jù)需要還含有溶劑的涂敷用組合 物。通過將上述涂敷用組合物涂布于另外準(zhǔn)備的剝離片的剝離面，并使得到的涂膜干燥，在 剝離片上形成夾具用粘合劑層。再將其它剝離片的剝離面粘貼于該剝離片上的夾具用粘合 劑層露出的表面，得到具備剝離片/夾具用粘合劑層/剝離片的結(jié)構(gòu)的3層疊層體。接著，進(jìn) 行將該3層疊層體的一個(gè)剝離片及夾具用粘合劑層切割的半切，并去除剩余部分，由此，在 上述3層疊層體中的另一剝離片上形成俯視時(shí)具有外周和內(nèi)周同屯、的圓環(huán)形狀、且由剝離 片和夾具用粘合劑層形成的2層疊層體。將由該2層疊層體和剝離片形成的疊層體的實(shí)施了 切割加工的剝離片剝離，使夾具用粘合劑層的表面露出。通過將該露出的表面粘貼于保護(hù) 膜形成膜1中與切割片4相反側(cè)的表面的邊緣部，形成將夾具用粘合劑層疊層于保護(hù)膜形成 膜1上的夾具用粘合劑層5。最后，通過剝離夾具用粘合劑層5上的剝離片，得到具備圖2結(jié)構(gòu) 的保護(hù)膜形成用片3。需要說明的是，夾具用粘合劑層5可W如上述例子那樣僅由粘合劑層 構(gòu)成，也可W由在忍材的兩面疊層粘合劑層而成的雙面粘合膠帶構(gòu)成。
[0205] (3)保護(hù)膜形成用片3的使用方法
[0206] 作為本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3的使用方法的一個(gè)例子，W下對(duì)由作為工件 的半導(dǎo)體晶片制造作為加工物的疊層有保護(hù)膜的忍片的方法進(jìn)行說明。
[0207] 如圖4所示，將保護(hù)膜形成用片3的保護(hù)膜形成膜1粘貼于半導(dǎo)體晶片6,并將夾具 用粘合劑層5粘貼于環(huán)狀框7。在將保護(hù)膜形成膜1粘貼于半導(dǎo)體晶片6時(shí)，可W根據(jù)需要對(duì) 保護(hù)膜形成膜1進(jìn)行加熱，使其發(fā)揮粘合性。
[0208] 然后，使保護(hù)膜形成膜1固化而形成保護(hù)膜，得到具備疊層有半導(dǎo)體晶片6的結(jié)構(gòu) 的疊層結(jié)構(gòu)體(在本說明書中，也將所述疊層結(jié)構(gòu)體稱為"第1疊層結(jié)構(gòu)體"），所述半導(dǎo)體晶 片6是在作為能夠伸長(zhǎng)的切割片發(fā)揮作用的切割片4的粘合劑層42側(cè)的表面疊層保護(hù)膜而 成的。圖4所示的第1疊層結(jié)構(gòu)體還具備夾具用粘合劑層5及環(huán)狀框7。在保護(hù)膜形成膜1為熱 固化性粘接劑的情況下，可W在給定溫度下對(duì)保護(hù)膜形成膜1加熱適當(dāng)時(shí)間。需要說明的 是，保護(hù)膜形成膜1的固化也可W在利用激光形成改性層之后進(jìn)行。
[0209] 如上所述得到具備疊層有保護(hù)膜的半導(dǎo)體晶片6的第1疊層結(jié)構(gòu)體后，根據(jù)需要， 隔著切割片4對(duì)該保護(hù)膜照射激光，進(jìn)行激光打印。需要說明的是，該激光打印也可W在保 護(hù)膜形成膜1固化之前進(jìn)行。
[0210] 接下來，將第1疊層結(jié)構(gòu)體設(shè)置于分割加工用激光照射裝置，對(duì)包覆有保護(hù)膜1的 半導(dǎo)體晶片6的表面位置進(jìn)行檢測(cè)，然后使用加工用激光在半導(dǎo)體晶片6內(nèi)形成改性層。運(yùn) 里，在本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3滿足上述光線透射率相關(guān)的條件的情況下，由加工用 激光照射激光即使隔著保護(hù)膜與切割片的疊層體對(duì)半導(dǎo)體晶片6進(jìn)行照射，也可W容易地 形成改性層。
[0211] 然后，通過實(shí)施使作為切割片發(fā)揮作用的切割片4伸長(zhǎng)的擴(kuò)片工序，對(duì)疊層有保護(hù) 膜的半導(dǎo)體晶片6施加力（主面內(nèi)方向的拉伸力）。其結(jié)果是，疊層有粘貼于切割片4的保護(hù) 膜的半導(dǎo)體晶片6被分割，得到疊層有保護(hù)膜的忍片。然后，使用拾取裝置，從切割片4上拾 取疊層有保護(hù)膜的忍片。
[0212] 4.其它保護(hù)膜形成用片3A
[0213] 圖3是本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片的剖面圖。如圖3所示，本實(shí)施 方式的保護(hù)膜形成用片3A具備W下部分而構(gòu)成:在基材41的一面疊層粘合劑層42而成的切 割片4、W及疊層于切割片4的粘合劑層42側(cè)的保護(hù)膜形成膜1。實(shí)施方式中的保護(hù)膜形成膜 1在面方向與工件基本相同地形成或形成得比工件稍大，且在面方向形成得小于切割片4。 未疊層保護(hù)膜形成膜1的部分的粘合劑層42能夠粘貼于環(huán)狀框等夾具。
[0214] 本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成用片3A的各構(gòu)件的材料及厚度與上述保護(hù)膜形成用片3 的各構(gòu)件的材料及厚度相同。其中，在粘合劑層42由能量線固化性粘合劑形成的情況下，優(yōu) 選粘合劑層42中的與保護(hù)膜形成膜1接觸的部分使能量線固化性粘合劑固化，除此W外的 部分不使能量線固化性粘合劑固化。由此，不僅能夠提高使保護(hù)膜形成膜1固化而得到的保 護(hù)膜的平滑性(光澤度），而且可W較高地保持對(duì)環(huán)狀框等夾具的粘接力。
[0215] 需要說明的是，可W在保護(hù)膜形成用片3A的切割片4的粘合劑層42的與基材41相 反側(cè)的邊緣部另行設(shè)置與上述保護(hù)膜形成用片3的夾具用粘合劑層5同樣的夾具用粘合劑 層。
[0216] 5.加工物的制造方法
[0217] W下，使用本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜1或保護(hù)膜形成用片3、3A，按照作為對(duì)工件 形成改性層的工序的改性層形成工序的各個(gè)對(duì)象，對(duì)由工件制造加工物的方法進(jìn)行歸納說 明。
[0218] (1)改性層形成工序的對(duì)象為工件的情況(第巧巾情況）
[0219] 改性層形成工序的對(duì)象為單獨(dú)的工件的情況下，首先進(jìn)行如下所述的第1改性層 形成工序：W聚焦于設(shè)定在半導(dǎo)體晶片等工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激光，在 工件內(nèi)部形成改性層。接著，進(jìn)行如下所述的第1保護(hù)膜形成膜疊層工序:將保護(hù)膜形成膜1 疊層于形成了改性層的工件的一面(在半導(dǎo)體晶片的情況下，是與形成了電路的面相反側(cè) 的面，即背面）。
[0220] W下，通過進(jìn)行W下的分割工序和保護(hù)膜形成工序而得到加工物。
[0221] 在分割工序中，通過對(duì)形成了改性層的工件施加力而進(jìn)行分割，從而得到分割物。 直至開始該分割工序?yàn)橹?，可W實(shí)現(xiàn)使疊層于工件的保護(hù)膜形成膜1或由該保護(hù)膜形成膜1 形成的保護(hù)膜的與工件對(duì)置面相反側(cè)的表面處于疊層有切割片4的狀態(tài)。
[0222] 在保護(hù)膜形成工序中，由保護(hù)膜形成膜1形成保護(hù)膜。對(duì)分割工序和保護(hù)膜形成工 序的實(shí)施順序沒有限定。可W先實(shí)施任一個(gè)工序。在如上所述保護(hù)膜形成膜1含有熱固化性 材料的情況下，由于保護(hù)膜形成工序?yàn)榘訜?、例如?30°C下保持2小時(shí)的工序，因此， 在分割工序之后進(jìn)行保護(hù)膜形成工序時(shí)，要求切割片4為能夠耐受保護(hù)膜形成工序中的加 熱的材料。
[0223] 通過運(yùn)樣的工序，作為分割工序的結(jié)果物，得到在工件的分割物(在工件為半導(dǎo)體 晶片的情況下，分割物為半導(dǎo)體忍片）的一面(在工件為半導(dǎo)體晶片的情況下，該面為背面） 上疊層保護(hù)膜而成的加工物(在工件為半導(dǎo)體晶片的情況下，疊層有保護(hù)膜的半導(dǎo)體忍片 為加工物）。
[0224] 在第1種情況中，由于對(duì)工件形成了改性層，因此在保護(hù)膜形成工序之前進(jìn)行分割 工序的情況下，本實(shí)施方式的保護(hù)膜形成膜1只要滿足上述的關(guān)于斷裂指數(shù)的條件即可，在 保護(hù)膜形成工序之后進(jìn)行分割工序的情況下，本實(shí)施方式的由保護(hù)膜形成膜1形成的保護(hù) 膜只要滿足上述的關(guān)于斷裂指數(shù)的條件即可。本實(shí)施方式的保護(hù)膜等是否滿足上述的關(guān)于 光線透射率的條件對(duì)分割加工性沒有影響。
[0225] 在第1種情況中，待疊層于形成了改性層的工件的保護(hù)膜等和切割片4的疊層狀態(tài) 沒有限定。即，可W對(duì)形成了改性層的工件疊層保護(hù)膜形成膜1，再對(duì)該保護(hù)膜形成膜1疊層 切割片4,也可W由疊層于工件的保護(hù)膜形成膜1形成保護(hù)膜，再對(duì)該保護(hù)膜疊層切割片4。 或者，還可W對(duì)形成了改性層的工件疊層保護(hù)膜形成用片3、3A。在疊層保護(hù)膜形成用片3、 3A的情況下，疊層于工件的保護(hù)膜形成膜1處于一面疊層有切割片4的狀態(tài)。
[0226] (2)改性層形成工序的對(duì)象為工件和保護(hù)膜形成膜1的疊層結(jié)構(gòu)體的情況(第巧中 情況）
[0227] 改性層形成工序的對(duì)象為工件與保護(hù)膜形成膜1的疊層結(jié)構(gòu)體的情況下，首先進(jìn) 行將保護(hù)膜形成膜1疊層于工件的一面的第2保護(hù)膜形成膜疊層工序。
[0228] 接著，進(jìn)行如下所述的第2改性層形成工序:隔著保護(hù)膜形成膜1，W聚焦于設(shè)定在 疊層有保護(hù)膜形成膜1的工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)工件照射紅外區(qū)域的激光，在工件內(nèi)部 形成改性層。由于隔著保護(hù)膜形成膜1對(duì)工件照射激光，因此在第巧中情況中，保護(hù)膜形成膜 1優(yōu)選滿足上述的關(guān)于光線透射率的條件。
[0229] W下，通過進(jìn)行上述的分割工序和保護(hù)膜形成工序而得到加工物。分割工序和保 護(hù)膜形成工序的實(shí)施順序是任意的。在保護(hù)膜形成工序之前進(jìn)行分割加工時(shí)，只要保護(hù)膜 形成膜1滿足上述的關(guān)于斷裂指數(shù)的條件即可。在保護(hù)膜形成工序之后進(jìn)行分割加工時(shí)，只 要保護(hù)膜滿足上述的關(guān)于斷裂指數(shù)的條件即可。
[0230] 另外，待疊層于工件的保護(hù)膜等和切割片4的疊層狀態(tài)沒有限定，但如上所述，在 第巧中情況中，由于激光隔著保護(hù)膜形成膜1照射于工件，因此不對(duì)工件疊層保護(hù)膜形成用 片3、3A。即，在第2改性層形成工序之后進(jìn)行對(duì)保護(hù)膜等疊層切割片的工序，所述保護(hù)膜處 于疊層于形成了改性層的工件的狀態(tài)。
[0231] (3)改性層形成工序的對(duì)象為工件、保護(hù)膜形成膜1和切割片4的疊層結(jié)構(gòu)體的情 況(第3種情況）
[0232] 改性層形成工序的對(duì)象為工件、保護(hù)膜形成膜1和切割片4的疊層結(jié)構(gòu)體的情況 下，首先準(zhǔn)備疊層結(jié)構(gòu)體，所述疊層結(jié)構(gòu)體具備工件、疊層于工件的一面的保護(hù)膜形成膜1、 疊層于保護(hù)膜形成膜1的與工件對(duì)置側(cè)相反側(cè)的表面的切割片4。作為一個(gè)例子，可W通過 將保護(hù)膜形成用片3、3A疊層于工件而得到該疊層結(jié)構(gòu)體。
[0233] 進(jìn)行第扣也性層形成工序:從切割片4側(cè)W聚焦于設(shè)定在工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì) 該疊層結(jié)構(gòu)體的工件照射紅外區(qū)域的激光，在上述工件內(nèi)部形成改性層。由于隔著切割片4 和保護(hù)膜形成膜1對(duì)工件照射激光，因此在第巧巾情況中，保護(hù)膜形成膜1優(yōu)選滿足上述的關(guān) 于光線透射率的條件。在第3種情況中，使用保護(hù)膜形成用片3、3A時(shí)，保護(hù)膜形成用片3、3A 也優(yōu)選滿足上述的關(guān)于光線透射率的條件。
[0234] W下，通過進(jìn)行上述的分割工序和保護(hù)膜形成工序而得到加工物。分割工序和保 護(hù)膜形成工序的實(shí)施順序是任意的。另外，待疊層于工件的保護(hù)膜形成膜1和切割片4的疊 層狀態(tài)沒有限定。在開始第3改性層形成工序的階段，只要將保護(hù)膜形成膜1和切割片4的疊 層體適當(dāng)疊層于工件即可。具體而言，可W首先對(duì)工件疊層保護(hù)膜形成膜1，然后疊層切割 片4,也可W對(duì)工件疊層保護(hù)膜形成用片3、3A。
[0235] (4)改性層形成工序的對(duì)象為工件與保護(hù)膜的疊層結(jié)構(gòu)體的情況(第4種情況）
[0236] 改性層形成工序的對(duì)象為工件與保護(hù)膜的疊層結(jié)構(gòu)體的情況下，進(jìn)行將保護(hù)膜形 成膜1疊層于工件的一面的第2保護(hù)膜形成膜疊層工序。接著，進(jìn)行由保護(hù)膜形成膜1形成保 護(hù)膜的保護(hù)膜形成工序。接著，進(jìn)行第4改性層形成工序：隔著保護(hù)膜W聚焦于設(shè)定在疊層 有保護(hù)膜的工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)工件照射紅外區(qū)域的激光，在工件內(nèi)部形成改性層。 因此，在第4種情況中，保護(hù)膜優(yōu)選滿足上述的關(guān)于光線透射率的條件。因此，只要保護(hù)膜形 成膜1滿足上述的關(guān)于光線透射率的條件即可。
[0237] 然后，進(jìn)行通過對(duì)形成了改性層的工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割物的分割工 序，作為該分割工序的結(jié)果物，得到在分割物的一面上疊層保護(hù)膜而成的加工物。因此，在 第4種情況中，只要保護(hù)膜滿足上述的關(guān)于斷裂指數(shù)的條件即可。
[0238] (5)改性層形成工序的對(duì)象為工件、保護(hù)膜和切割片4的疊層結(jié)構(gòu)體的情況(第5種 情況）
[0239] 改性層形成工序的對(duì)象為工件、保護(hù)膜和切割片4的疊層結(jié)構(gòu)體的情況下，首先進(jìn) 行準(zhǔn)備該疊層結(jié)構(gòu)體的工序。準(zhǔn)備該疊層結(jié)構(gòu)體的方法有依次疊層和一次性疊層。
[0240] 目P，在前者中進(jìn)行如下工序:將保護(hù)膜形成膜1疊層于工件的一面的第2保護(hù)膜形 成膜疊層工序、由保護(hù)膜形成膜1形成保護(hù)膜的保護(hù)膜形成工序、在疊層于工件的保護(hù)膜上 疊層切割片4的第2切割片疊層工序。
[0241] 另一方面，在后者中進(jìn)行將處于疊層有切割片4的狀態(tài)的保護(hù)膜形成膜1疊層于工 件的一面的第3保護(hù)膜形成膜疊層工序。代表性的是將保護(hù)膜形成用片3、3A疊層于工件即 可。接著，進(jìn)行由保護(hù)膜形成膜1形成保護(hù)膜的保護(hù)膜形成工序。
[0242] 進(jìn)行上述的第5改性層形成工序：隔著保護(hù)膜和切割片4, W聚焦于設(shè)定在上述得 到的疊層結(jié)構(gòu)體的工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)上述工件照射紅外區(qū)域的激光，在工件內(nèi)部形 成改性層。由于隔著切割片4和保護(hù)膜對(duì)工件照射激光，因此，在第5種情況中，保護(hù)膜形成 膜1優(yōu)選滿足上述的關(guān)于光線透射率的條件。在第5種情況中，使用保護(hù)膜形成用片3、3A時(shí)， 保護(hù)膜形成用片3、3A也優(yōu)選滿足上述的關(guān)于光線透射率的條件。
[0243] 接著，進(jìn)行通過對(duì)形成了改性層的工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割物的分割工 序，作為該分割工序的結(jié)果物，得到在分割物的一面上疊層保護(hù)膜而成的加工物。因此，在 第5種情況中，只要保護(hù)膜滿足上述的關(guān)于斷裂指數(shù)的條件即可。
[0244] W上說明的實(shí)施方式是為了容易理解本發(fā)明而記載的，并不用于限定本發(fā)明。因 此，上述實(shí)施方式中公開的各要素包括屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍的所有設(shè)計(jì)變更、等效物。
[0245] 例如，保護(hù)膜形成用片3、3A的保護(hù)膜形成膜1的與切割片4相反側(cè)也可W疊層剝離 片。
[0246] 實(shí)施例
[0247] W下，通過實(shí)施例等更具體地對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明，但本發(fā)明的范圍并不限于運(yùn)些 實(shí)施例等。
[024引〔實(shí)施例1~9及比較例1和2)
[0249] 按照表1所示的配合比（固體成分換算質(zhì)量份)混合W下各成分，并用甲乙酬進(jìn)行 稀釋，使得固體成分濃度為61質(zhì)量％，制備了保護(hù)膜形成膜用涂布劑。
[0250] (A-1)聚合物成分:丙締酸正下醋10質(zhì)量份、丙締酸甲醋70質(zhì)量份、甲基丙締酸縮 水甘油醋5質(zhì)量份、W及丙締酸2-徑基乙醋15質(zhì)量份共聚而成的丙締酸類共聚物(重均分子 量:80萬、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:-rC)
[0251] (A-2)聚合物成分:丙締酸正下醋55質(zhì)量份、丙締酸甲醋10質(zhì)量份、甲基丙締酸縮 水甘油醋20質(zhì)量份、W及丙締酸2-徑基乙醋15質(zhì)量份共聚而成的丙締酸類共聚物(重均分 子量:80萬、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:-28 °C)
[0252] (A-3)聚合物成分:丙締酸甲醋85質(zhì)量份和丙締酸2-徑基乙醋15質(zhì)量份共聚而成 的丙締酸類共聚物(重均分子量:80萬、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:6 °C)
[0253] (B-1)雙酪A型環(huán)氧樹脂（Ξ菱化學(xué)株式會(huì)社制造的"jER828"、環(huán)氧當(dāng)量184~ 194g/eq)
[0254] (B-2)雙環(huán)戊二締型環(huán)氧樹脂（大日本油墨化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制造的"EPI化ON HP-7200HH"、環(huán)氧當(dāng)量255~260g/eq)
[02W] (B-3)雙酪A型環(huán)氧樹脂（Ξ菱化學(xué)株式會(huì)社制造的"jER1055"、環(huán)氧當(dāng)量800~ 900g/eq)
[0256] (B-4)固體環(huán)氧樹脂：苯酪酪醒清漆型環(huán)氧樹脂（日本化藥株式會(huì)社制造的 巧PPN502H"、環(huán)氧當(dāng)量 167g/eq)
[0257] (B-5)加成了丙締酷基的甲酪酪醒清漆型環(huán)氧樹脂（日本化藥株式會(huì)社制造的 "CNA-147"、環(huán)氧當(dāng)量518g/eq、數(shù)均分子量2100、不飽和基團(tuán)含量:與環(huán)氧基等量）
[0258] (C-1)熱活性潛伏性環(huán)氧樹脂固化劑:雙氯胺(ADEKA公司制造的"Adeka化rdener EH-3636AS"、活潑氨量21g/eq)
[0259] (C-2)固化促進(jìn)劑：2-苯基-4,5-二徑甲基咪挫（四國化成工業(yè)株式會(huì)社制造的 "CUREZ0L 2ΡΗΖ")
[0260] (C-3)熱固化劑:芳烷基型酪醒樹脂(Ξ井化學(xué)株式會(huì)社制造的"MILEX XLC-4L")
[0%1] (D)二氧化娃填料(Admatechs公司制造的"SC2050MA"、平均粒徑0.5WI1)
[0262] 化)著色劑:炭黑(Ξ菱化學(xué)株式會(huì)社制造的"#14650"、平均粒徑28nm)
[0263] (F)異氯酸醋化合物(東洋油墨制造株式會(huì)社制造的噸服-8515")
[0264] (G)硅烷偶聯(lián)劑(信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制造的"邸M403")
[0265] 化)熱塑性樹脂(東洋紡織株式會(huì)社制造的"VYL0N 220")
[0%6][表1]
[0%7]
[0268] 準(zhǔn)備了在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋(PET)膜的一面形成聚硅氧烷類剝離劑層而得到 的第1剝離片R(琳得科株式會(huì)社制造，SP-PET382150,厚度3祉m)、W及在PET膜的一面形成 聚硅氧烷類剝離劑層而得到的第2剝離片R'（琳得科株式會(huì)社制造，SP-陽T381031，厚度3祉 m) 〇
[0269] 在第1剝離片R的剝離面上涂布上述保護(hù)膜形成膜用涂布劑，使得最終得到的保護(hù) 膜形成膜Po的厚度為25皿，然后用烘箱在120°C下使其干燥2分鐘，形成了保護(hù)膜形成膜Po。 接著，將第2剝離片R'的剝離面貼合于所得到的保護(hù)膜形成膜Po的面，得到了由第1剝離片R (圖1中的剝離片21)、保護(hù)膜形成膜Po(圖1中的保護(hù)膜形成膜1)(厚度:25μπι)、第2剝離片R' 形成的保護(hù)膜形成用片RPoR'。
[0270] 通過上述方法另外準(zhǔn)備保護(hù)膜形成用片RPoR'，將第2剝離片R'剝離，將露出的保 護(hù)膜形成膜Pg的面貼合于切割片D(琳得科株式會(huì)社制造的"Adwill D-821HS")的粘合劑層 的面，W第1剝離片R粘貼于保護(hù)膜形成膜Po側(cè)的面上的狀態(tài)得到了由保護(hù)膜形成膜Po和切 割片D形成的疊層體[PoD]。
[0271] 〔試驗(yàn)例1 )<斷裂應(yīng)力及斷裂應(yīng)變的測(cè)定>
[0272] 使用動(dòng)態(tài)機(jī)械分析裝置(TA Ins化uments公司制造的"DMA Q800")，對(duì)保護(hù)膜形成 膜Po及由保護(hù)膜形成膜Po形成的保護(hù)膜Pi進(jìn)行了拉伸試驗(yàn)。對(duì)于2片在實(shí)施例和比較例中得 到的保護(hù)膜形成用片RPoR'，將第2剝離片R'剝離，W露出的保護(hù)膜形成膜Po的面對(duì)置的方式 粘貼運(yùn)些保護(hù)膜形成用片RPo,剝離各自的第1剝離片R，由此得到厚度50皿的保護(hù)膜形成膜 Po,將該保護(hù)膜形成膜Po裁切為寬5mmX長(zhǎng)5mm，制成了由保護(hù)膜形成膜Po構(gòu)成的試驗(yàn)片。由 保護(hù)膜Pi構(gòu)成的試驗(yàn)片通過W下方式準(zhǔn)備:另外制作上述由厚度50WI1的保護(hù)膜形成膜Po構(gòu) 成的試驗(yàn)片，并將其在13(TC的條件下加熱2小時(shí)。
[0273] 將各試驗(yàn)片在溫度(TC保持1分鐘，然后W10N/分的速度進(jìn)行拉伸試驗(yàn)。從其結(jié)果 中選取了斷裂應(yīng)力（單位：M化）及斷裂應(yīng)變（單位：％)。將測(cè)定結(jié)果及斷裂指數(shù)（單位： MPa · % )的計(jì)算結(jié)果示于表2。
[0274] 〔試驗(yàn)例2) <保護(hù)膜形成膜分割加工性評(píng)價(jià)>
[0275] 使用激光照射裝置(DISCO公司制造的"WL736(T、激光波長(zhǎng)：1064皿），對(duì)作為工件 的厚度100μπι、外徑8英寸的娃晶片S-邊沿著設(shè)定為形成9mmX9mm的忍片體的切割預(yù)定線 進(jìn)行掃描，一邊照射在娃晶片S內(nèi)部聚光的激光，在娃晶片S的內(nèi)部形成了改性層。
[0276] 使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-3600F/12")在加熱至7(TC的工作臺(tái) 上粘貼切割加工成與娃晶片S相同形狀的保護(hù)膜形成膜Po,得到了通過激光照射而在內(nèi)部 形成了改性層的娃晶片S與保護(hù)膜形成膜Po的疊層體SPo。
[0277] 使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-2700F/12")在疊層體SPo的保護(hù)膜形 成膜Po側(cè)粘貼切割片D(琳得科株式會(huì)社制造的"AdwillD-821HS" )，W固定于環(huán)狀框的狀態(tài) 得到了在內(nèi)部形成了改性層的娃晶片S、保護(hù)膜形成膜Po和切割片D的疊層體SPoD。
[0278] 使用擴(kuò)片裝置(DISCO公司制造的"DDS2300")，在將具備內(nèi)部形成了改性層的娃晶 片S的疊層體SPoD的溫度保持在0°C的狀態(tài)下，W拉下速度100mm/秒、擴(kuò)片量10mm的條件進(jìn) 行了擴(kuò)片。其結(jié)果是，內(nèi)部形成了改性層的娃晶片S的至少一部分沿著分割預(yù)定線被分割， 得到了多個(gè)忍片。
[0279] 實(shí)施W上工序，使用第1分割率(單位：％ )并按照W下基準(zhǔn)對(duì)保護(hù)膜形成膜Po的分 割性進(jìn)行了評(píng)價(jià)，所述第1分割率是沿著娃晶片S的切割線產(chǎn)生的保護(hù)膜形成膜Po的切割線 長(zhǎng)度相對(duì)于沿著切割預(yù)定線實(shí)際產(chǎn)生的娃晶片S的切割線長(zhǎng)度的比例。
[0280] 第1分割率為100% :分割性優(yōu)良（表1中X )
[0281] 第1分割率為80% W上且小于100%:具有允許的分割性(表1中"C'）
[0282] 第1分割率小于80%:不具有允許的分割性(表1中"護(hù)）
[0283] 將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2。
[0284] 〔試驗(yàn)例3) <保護(hù)膜分割加工性評(píng)價(jià)>
[02化]使用激光照射裝置(DISCO公司制造的可化7360"、激光波長(zhǎng)：1064nm)對(duì)厚度10化 m、外徑8英寸的娃晶片S-邊沿著設(shè)定為形成9mmX9mm的忍片體的切割預(yù)定線進(jìn)行掃描，一 邊照射在娃晶片S內(nèi)部聚光的激光，在娃晶片S的內(nèi)部形成了改性層。
[0286] 將保護(hù)膜形成膜Po切割加工成與娃晶片S相同形狀，使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì) 社制造的"RAD-3600F/12")，在加熱至70°C的工作臺(tái)上將切割加工后的保護(hù)膜形成膜Po粘 貼于內(nèi)部形成了改性層的娃晶片S，得到了內(nèi)部形成了改性層的娃晶片S與保護(hù)膜形成膜Po 的疊層體SPo。將該疊層體SPo在大氣氛圍中于130°C下加熱2小時(shí)，由疊層體SPo所具有的保 護(hù)膜形成膜Po形成保護(hù)膜Pi，得到了由內(nèi)部形成了改性層的娃晶片S與保護(hù)膜Pi形成的疊層 體 SPi。
[0287] 使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-2700F/12")在疊層體SPi的保護(hù)膜Pi 側(cè)粘貼切割片D(琳得科株式會(huì)社制造的"Adwill D-821HS" )，W固定于環(huán)狀框的狀態(tài)得到 了在內(nèi)部形成了改性層的娃晶片S、保護(hù)膜Pi和切割片D的疊層體SPiD。
[0288] 使用擴(kuò)片裝置(DISCO公司制造的"DDS2300")，在將具備內(nèi)部形成了改性層的娃晶 片S的疊層體SPiD的溫度保持在0°C的狀態(tài)下，W拉下速度100mm/秒、擴(kuò)片量10mm的條件進(jìn) 行了擴(kuò)片。其結(jié)果是，娃晶片S的至少一部分沿著分割預(yù)定線被分割，得到了多個(gè)忍片。
[0289] 實(shí)施W上工序，使用第2分割率(單位：％ )并按照W下基準(zhǔn)對(duì)保護(hù)膜Pi的分割性進(jìn) 行了評(píng)價(jià)，所述第2分割率是沿著娃晶片S的切割線產(chǎn)生的保護(hù)膜Pi的切割線長(zhǎng)度相對(duì)于沿 著切割預(yù)定線實(shí)際產(chǎn)生的娃晶片S的切割線長(zhǎng)度的比例。
[0290] 第2分割率為100% :分割性優(yōu)良（表1中X )
[0291] 第2分割率為80% W上且小于100%:具有允許的分割性(表1中"C'）
[0292] 第2分割率小于80%:不具有允許的分割性(表1中"護(hù)）
[0293] 將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2。
[0294] 〔試驗(yàn)例4) <光線透射率的測(cè)定>
[0295] 從實(shí)施例及比較例得到的保護(hù)膜形成用片RPoR'上剝離第1剝離片R和第2剝離片 R'，準(zhǔn)備了保護(hù)膜形成膜Po。
[0296] 從實(shí)施例及比較例得到的保護(hù)膜形成用片RPoR'上剝離第2剝離片R'，在烘箱內(nèi)、 大氣氛圍中、130°C的條件下加熱2小時(shí)，使保護(hù)膜形成膜Po熱固化而制成了保護(hù)膜Pi。然后， 剝離第1剝離片R，準(zhǔn)備了保護(hù)膜Pi。
[0297] 從實(shí)施例及比較例得到的保護(hù)膜形成用片RPoR'上剝離第2剝離片R'，并將得到的 疊層體的保護(hù)膜形成膜Pq的面與切割片D(琳得科株式會(huì)社制造的"Adwill 0-821服"）的粘 合劑層的面貼合，由此準(zhǔn)備了疊層體[PoD]。
[0298] 從實(shí)施例及比較例得到的保護(hù)膜形成用片RPoR'上剝離第2剝離片R'，在烘箱內(nèi)、 大氣氛圍中、130°C的條件下加熱2小時(shí)，使保護(hù)膜形成膜Po熱固化而制成了保護(hù)膜Pi。然后， 剝離第1剝離片R，并將保護(hù)膜Pi的面與切割片D(琳得科株式會(huì)社制造的"Adwill D- 821服"）的粘合劑層側(cè)的面貼合，由此準(zhǔn)備了疊層體PiD。
[0299] 使用分光光度計(jì)（株式會(huì)社島津制作所制造，UV-VIS-NIR SPECTROPHOTOMETER UV-3600)對(duì)如上所述準(zhǔn)備的保護(hù)膜形成膜Po、保護(hù)膜Pi、疊層體[PoD]及疊層體PiD的光線透 射率進(jìn)行測(cè)定，選取波長(zhǎng)1064皿的光線透射率(單位：％)。測(cè)定使用附帶的大型試樣室MPC- 3100,使用內(nèi)置的積分球進(jìn)行了測(cè)定。將結(jié)果示于表2。
[0300] 〔試驗(yàn)例引 <晶片分割加工性評(píng)價(jià)>
[0301] (試驗(yàn)例5-1)激光照射對(duì)象為疊層體SPo的情況
[0302] 使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-3600F/12")，在加熱至70°C的工作臺(tái) 上將切割加工成與娃晶片S相同形狀的保護(hù)膜形成膜Po粘貼于厚度100μπι、外徑8英寸的娃 晶片S，得到了娃晶片S和保護(hù)膜形成膜Ρο的疊層體SPo。
[0303] 使用激光照射裝置(DISCO公司制造的"WL736(T、激光波長(zhǎng)：1064nm)，從得到的疊 層體SPo的保護(hù)膜形成膜Po側(cè)一邊沿著設(shè)定為能形成9mm X 9mm的忍片體的切割預(yù)定線進(jìn)行 掃描，一邊照射在娃晶片內(nèi)部聚光的激光，在娃晶片S的內(nèi)部形成了改性層。
[0304] 使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-2700F/12")，在如上所述得到的具備 內(nèi)部形成了改性層的娃晶片S的疊層體SPo的保護(hù)膜形成膜Po側(cè)粘貼切割片D(琳得科株式會(huì) 社制造的"Adwill D-821HS")，W固定于環(huán)狀框的狀態(tài)得到了內(nèi)部形成了改性層的娃晶片 S、保護(hù)膜形成膜Po和切割片D的疊層體SPoD。
[0305] 使用擴(kuò)片裝置(DISCO公司制造的"DDS2300")，在將得到的疊層體SPoD的溫度保持 在〇°C的狀態(tài)下，W拉下速度100mm/秒、擴(kuò)片量10mm的條件進(jìn)行了擴(kuò)片。其結(jié)果是，娃晶片S 的至少一部分沿著分割預(yù)定線被分割，得到了多個(gè)忍片。
[0306] 實(shí)施W上工序，不W保護(hù)膜等(保護(hù)膜形成膜Po或保護(hù)膜Pi)是否切斷作為評(píng)價(jià)對(duì) 象，而使用第3分割率(單位：％ )并按照W下基準(zhǔn)評(píng)價(jià)了分割性，所述第3分割率是實(shí)際分割 得到的忍片數(shù)相對(duì)于娃晶片S全部沿切割預(yù)定線切割娃晶片S時(shí)得到的忍片數(shù)的比例。
[0307]第3分割率為100% :分割性優(yōu)良（表1中"A")
[030引第3分割率為95% W上且小于100%:分割性良好(表1中帶'）
[0309]第3分割率為80% W上且小于95%:具有允許的分割性(表1中"C'）
[0310]第3分割率小于80%:不具有允許的分割性(表1中"護(hù)）
[0311] 將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2中"疊層體SPo"列。
[0312] (試驗(yàn)例5-2)激光照射對(duì)象為疊層體SPi的情況
[0313] 使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社審雌的"RAD-3600F/12")，在加熱至70°C的工作臺(tái) 上將切割加工成與娃晶片S相同形狀的保護(hù)膜形成膜Po粘貼于厚度100μπι、外徑8英寸的娃 晶片S，得到了娃晶片S與保護(hù)膜形成膜Ρο的疊層體SPo。
[0314] 將得到的疊層體SPo在大氣氛圍中于130°C下加熱2小時(shí)，由保護(hù)膜形成膜Po形成保 護(hù)膜Pi，得到了娃晶片S和保護(hù)膜Pi的疊層體SPi。
[0315] 使用激光照射裝置(DISCO公司制造的"DFL736(T、激光波長(zhǎng)：1064nm)，從得到的疊 層體SPi的保護(hù)膜側(cè)一邊沿著設(shè)定為能夠形成9mm X 9mm的忍片體的切割預(yù)定線進(jìn)行掃描， 一邊照射在娃晶片S內(nèi)部聚光的激光，在娃晶片S的內(nèi)部形成了改性層。
[0316]使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-2700F/12")，在如上所述得到的具備 內(nèi)部形成了改性層的娃晶片S的疊層體SPi的保護(hù)膜Pi側(cè)粘貼切割片D(琳得科株式會(huì)社制造 的"Adwill D-821HS")，W固定于環(huán)狀框的狀態(tài)得到了內(nèi)部形成了改性層的娃晶片S、保護(hù) 膜Pi和切割片D的疊層體SPiD。
[0317]使用擴(kuò)片裝置(DISCO公司制造的"DDS2300")，在將得到的疊層體SPiD的溫度保持 在〇°C的狀態(tài)下，W拉下速度100mm/秒、擴(kuò)片量10mm的條件進(jìn)行了擴(kuò)片。其結(jié)果是，娃晶片S 的至少一部分沿著分割預(yù)定線被分割，得到了多個(gè)忍片。
[0318] 實(shí)施W上工序，進(jìn)行了與試驗(yàn)例5-1相同的評(píng)價(jià)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2中"疊層體 SPi"列。
[0319] (試驗(yàn)例5-3)激光照射對(duì)象為疊層體SPoD的情況
[0320] 使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-3600F/12")，在加熱至70°C的工作臺(tái) 上將切割加工成與娃晶片S相同形狀的保護(hù)膜形成膜Po粘貼于厚度100μπι、外徑8英寸的娃 晶片S，得到了娃晶片S與保護(hù)膜形成膜Ρο的疊層體SPo。
[0321] 使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-2700F/12")，在疊層體SPo的保護(hù)膜 形成膜Po側(cè)粘貼切割片D(琳得科株式會(huì)社制造的"AdwillD-821HS" )，W固定于環(huán)狀框的狀 態(tài)得到了娃晶片S、保護(hù)膜形成膜Po和切割片D的疊層體SPoD。
[0322] 使用激光照射裝置(DISCO公司制造的"WL736(T、激光波長(zhǎng)：1064nm)，從得到的疊 層體SPoD的切割片D側(cè)一邊沿著設(shè)定為能夠形成9mm X 9mm的忍片體的切割預(yù)定線進(jìn)行掃 描，一邊照射在娃晶片S內(nèi)部聚光的激光，在疊層體SPoD所具有的娃晶片S的內(nèi)部形成了改 性層。
[0323] 使用擴(kuò)片裝置(DISCO公司制造的"DDS2300")，在將具備內(nèi)部形成了改性層的娃晶 片S的疊層體SPoD的溫度保持在0°C的狀態(tài)下，W拉下速度100mm/秒、擴(kuò)片量10mm的條件進(jìn) 行了擴(kuò)片。其結(jié)果是，娃晶片S的至少一部分沿著分割預(yù)定線被分割，得到了多個(gè)忍片。
[0324]實(shí)施W上工序，進(jìn)行了與試驗(yàn)例5-1相同的評(píng)價(jià)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2中"疊層體 SPo護(hù)列。
[032引（試驗(yàn)例5-4)激光照射對(duì)象為疊層體S [ PoD ]的情況
[03%]使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-2700F/12")，在加熱至70°C的工作臺(tái) 上將具有作為切割片功能的保護(hù)膜形成用片[PoD]粘貼于厚度100μπι、外徑8英寸的娃晶片 S，W固定于環(huán)狀框的狀態(tài)得到了娃晶片S和保護(hù)膜形成用片[PoD]的疊層體S[PoD]。
[0327] 使用激光照射裝置(DISCO公司制造的"WL736(T、激光波長(zhǎng)：1064nm)，從得到的疊 層體S[P0D]的保護(hù)膜形成用片[PoD]側(cè)一邊沿著設(shè)定為能夠形成9mmX9mm的忍片體的切割 預(yù)定線進(jìn)行掃描，一邊照射在娃晶片S內(nèi)部聚光的激光，在娃晶片S的內(nèi)部形成了改性層。
[0328] 使用擴(kuò)片裝置(DISCO公司制造的"DDS2300")，在將具備內(nèi)部形成了改性層的娃晶 片S的疊層體SPoD的溫度保持在0°C的狀態(tài)下，W拉下速度100mm/秒、擴(kuò)片量10mm的條件進(jìn) 行了擴(kuò)片。其結(jié)果是，娃晶片S的至少一部分沿著分割預(yù)定線被分割，得到了多個(gè)忍片。
[0329] 實(shí)施W上工序，進(jìn)行了與試驗(yàn)例5-1相同的評(píng)價(jià)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2中"疊層體S [PoD]"列。
[0330] (試驗(yàn)例5-5)激光照射對(duì)象為疊層體SPiD的情況
[0331] 使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-3600F/12")，在加熱至70°C的工作臺(tái) 上將切割加工成與娃晶片S相同形狀的保護(hù)膜形成膜Po粘貼于厚度100μπι、外徑8英寸的娃 晶片S，得到了娃晶片S與保護(hù)膜形成膜Ρο的疊層體SPo。
[0332] 將得到的疊層體SPo在大氣氛圍中于130°C下加熱2小時(shí)，由保護(hù)膜形成膜Po形成保 護(hù)膜Pi，得到了娃晶片S和保護(hù)膜Pi的疊層體SPi。
[0333] 使用粘貼裝置(琳得科株式會(huì)社制造的"RAD-2700F/12")，在疊層體SPi的保護(hù)膜Pi 側(cè)粘貼切割片D(琳得科株式會(huì)社制造的"Adwill D-821HS" )，W固定于環(huán)狀框的狀態(tài)得到 了娃晶片S、保護(hù)膜Pi和切割片D的疊層體SPiD。
[0334] 使用激光照射裝置(DISCO公司制造的"WL736(T、激光波長(zhǎng)：1064nm)，從得到的疊 層體SPiD的切割片D側(cè)一邊沿著設(shè)定為能夠形成9mm X 9mm的忍片體的切割預(yù)定線進(jìn)行掃 描，一邊照射在娃晶片S內(nèi)部聚光的激光，在娃晶片S的內(nèi)部形成了改性層。由此，得到了具 備在內(nèi)部形成了改性層的娃晶片S的疊層體SPiD。
[0335] 使用擴(kuò)片裝置(DISCO公司制造的"DDS2300")，在將具備內(nèi)部形成了改性層的娃晶 片S的疊層體SPiD的溫度保持在0°C的狀態(tài)下，W拉下速度100mm/秒、擴(kuò)片量10mm的條件進(jìn) 行了擴(kuò)片。其結(jié)果是，娃晶片S的至少一部分沿著分割預(yù)定線被分割，得到了多個(gè)忍片。
[0336] 實(shí)施W上工序，進(jìn)行了與試驗(yàn)例5-1相同的評(píng)價(jià)。將評(píng)價(jià)結(jié)果示于表2中"疊層體 SPi護(hù)列。
[0337]
[0338] 由表2可知，疊層于待分割加工的工件的保護(hù)膜形成膜或保護(hù)膜的斷裂指數(shù)為 IMPa · % W上且250MPa · % W下的實(shí)施例的保護(hù)膜形成膜是分割加工性優(yōu)異的膜。
[0扣9] 工業(yè)實(shí)用性
[0340]本發(fā)明的保護(hù)膜形成膜或保護(hù)膜形成用片適用于由半導(dǎo)體晶片等工件制造疊層 有保護(hù)膜的忍片等加工物。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種保護(hù)膜形成膜，所述保護(hù)膜形成膜及由所述保護(hù)膜形成膜形成的保護(hù)膜中的至 少一者在測(cè)定溫度〇°C下測(cè)定的斷裂應(yīng)力（MPa)與在測(cè)定溫度0°C下測(cè)定的斷裂應(yīng)變（單 位：％)之積為IMPa · %以上且250MPa · %以下。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜形成膜，其在波長(zhǎng)1064nm下的光線透射率為30 %以上。3. -種保護(hù)膜形成用片，其具備： 具有基材和疊層于所述基材的一面?zhèn)鹊恼澈蟿拥那懈钇?、以?疊層于所述切割片的所述粘合劑層側(cè)的權(quán)利要求1或2所述的保護(hù)膜形成膜。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的保護(hù)膜形成用片，其在波長(zhǎng)1064nm下的光線透射率為30%以 上。5. -種加工物的制造方法，該方法具備： 第1改性層形成工序，以聚焦于設(shè)定在工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式照射紅外區(qū)域的激光，在 所述工件內(nèi)部形成改性層， 第1保護(hù)膜形成膜疊層工序，在形成了所述改性層的所述工件的一面疊層權(quán)利要求1所 述的保護(hù)膜形成膜， 該方法還具備： 分割工序，通過對(duì)形成了所述改性層的所述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割物， 保護(hù)膜形成工序，由所述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜， 得到在所述分割物的一面上疊層所述保護(hù)膜而成的加工物。6. -種加工物的制造方法，該方法具備： 第3改性層形成工序，從切割片側(cè)以聚焦于設(shè)定在工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)疊層結(jié)構(gòu) 體的所述工件照射紅外區(qū)域的激光，在所述工件內(nèi)部形成改性層，所述疊層結(jié)構(gòu)體具有工 件、疊層于所述工件的一面的權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜形成膜、以及疊層于所述保護(hù)膜形成 膜的與所述工件對(duì)置側(cè)的相反側(cè)的面上的切割片， 該方法還具備： 分割工序，通過對(duì)形成了所述改性層的所述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割物， 保護(hù)膜形成工序，由所述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜， 得到在所述分割物的一面上疊層所述保護(hù)膜而成的加工物。7. -種加工物的制造方法，該方法具備： 第2保護(hù)膜形成膜疊層工序，將權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜形成膜疊層于工件的一面， 第2改性層形成工序，隔著所述保護(hù)膜形成膜，以聚焦于設(shè)定在疊層有所述保護(hù)膜形成 膜的所述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)所述工件照射紅外區(qū)域的激光，在所述工件內(nèi)部形成改 性層， 該方法還具備： 分割工序，通過對(duì)形成了所述改性層的所述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割物， 保護(hù)膜形成工序，由所述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜， 得到在所述分割物的一面上疊層所述保護(hù)膜而成的加工物。8. 根據(jù)權(quán)利要求5~7中任一項(xiàng)所述的加工物的制造方法，其中，在所述分割工序之前 進(jìn)行在疊層于所述工件的所述保護(hù)膜形成膜上疊層切割片的第1切割片疊層工序。9. 根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的加工物的制造方法，其中，疊層于所述工件的所述保護(hù)膜 形成膜處于一面疊層有切割片的狀態(tài)。10. 根據(jù)權(quán)利要求5~9中任一項(xiàng)所述的加工物的制造方法，其中，在所述分割工序之后 進(jìn)行所述保護(hù)膜形成工序。11. 根據(jù)權(quán)利要求5~9中任一項(xiàng)所述的加工物的制造方法，其中，在所述保護(hù)膜形成工 序之后進(jìn)行所述分割工序。12. -種加工物的制造方法，該方法具備： 第2保護(hù)膜形成膜疊層工序，將權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜形成膜疊層于工件的一面， 保護(hù)膜形成工序，由所述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜， 第4改性層形成工序，隔著所述保護(hù)膜，以聚焦于設(shè)定在疊層有所述保護(hù)膜的所述工件 內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)所述工件照射紅外區(qū)域的激光，在所述工件內(nèi)部形成改性層， 分割工序，通過對(duì)形成了所述改性層的所述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割物， 得到在所述分割物的一面上疊層所述保護(hù)膜而成的加工物作為所述分割工序的結(jié)果 物。13. -種加工物的制造方法，該方法具備： 第2保護(hù)膜形成膜疊層工序，將權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜形成膜疊層于工件的一面， 保護(hù)膜形成工序，由所述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜， 第2切割片疊層工序，在疊層于所述工件的所述保護(hù)膜上疊層切割片， 第5改性層形成工序，隔著所述保護(hù)膜及所述切割片，以聚焦于設(shè)定在疊層有所述保護(hù) 膜的所述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)所述工件照射紅外區(qū)域的激光，在所述工件內(nèi)部形成改 性層， 分割工序，通過對(duì)形成了所述改性層的所述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割物， 得到在所述分割物的一面上疊層所述保護(hù)膜而成的加工物作為所述分割工序的結(jié)果 物。14. 一種加工物的制造方法，該方法具備： 第3保護(hù)膜形成膜疊層工序，將處于疊層有切割片的狀態(tài)的權(quán)利要求2所述的保護(hù)膜形 成膜疊層于工件的一面， 保護(hù)膜形成工序，由所述保護(hù)膜形成膜形成保護(hù)膜， 第5改性層形成工序，隔著所述保護(hù)膜及所述切割片，以聚焦于設(shè)定在疊層有所述保護(hù) 膜的所述工件內(nèi)部的焦點(diǎn)的方式對(duì)所述工件照射紅外區(qū)域的激光，在所述工件內(nèi)部形成改 性層， 分割工序，通過對(duì)形成了所述改性層的所述工件施加力并進(jìn)行分割而得到分割物， 得到在所述分割物的一面上疊層所述保護(hù)膜而成的加工物作為所述分割工序的結(jié)果 物。
【文檔編號(hào)】B32B27/00GK106062927SQ201480076732
【公開日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2014年9月3日
【發(fā)明人】佐伯尚哉, 稻男洋, 稻男洋一, 山本大輔, 米山裕之
【申請(qǐng)人】琳得科株式會(huì)社