半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材以及利用該片材的晶片的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，本發(fā)明的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材(1)能夠更加穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)：提高半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的剝離性；及使具備利用半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材由半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件制造的晶片的構(gòu)件的可靠性不易降低，所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材(1)具備基材(2)和設(shè)置于基材(2)的一面上方的粘著劑層(3)，其中，粘著劑層(3)含有具有能量射線聚合性官能基的能量射線聚合性化合物，能量射線聚合性化合物中的至少一種為具有分枝結(jié)構(gòu)的聚合物即聚合性分枝聚合物，將半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材(1)的粘著劑層(3)側(cè)的面貼附于硅晶圓的鏡面，并對(duì)半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材(1)照射能量射線，以降低粘著劑層(3)對(duì)硅晶圓的鏡面的粘著性，之后，將從硅晶圓剝離半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材(1)而獲得的、硅晶圓中的粘貼過半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材(1)的鏡面作為測定對(duì)象面，在25℃、相對(duì)濕度為50％的環(huán)境下，利用水滴測定出的接觸角為40°以下。
【專利說明】
半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材從及利用該片材的晶片的制造 方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種用在制造晶片時(shí)的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材W及利用該半導(dǎo) 體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的晶片的制造方法，所述晶片為通過對(duì)娃晶圓等半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件進(jìn) 行分割加工而形成的構(gòu)件。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為由娃晶圓等半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件制造晶片的方法的一個(gè)例子，可例舉出如下方 法。首先，將具備基材和粘著劑層的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的粘著劑層側(cè)的面貼附于 半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的形成有電路的面(本說明書中，有時(shí)將該面稱作"構(gòu)件表面"）。接著，從構(gòu) 件表面的相反側(cè)的露出面?zhèn)?，?duì)半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件進(jìn)行磨削，W使半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的厚度減 小。接著，將另一半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材貼附于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的磨削面(本說明書 中，有時(shí)將該面稱作"構(gòu)件背面"），并剝離貼附于構(gòu)件表面的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材。 然后，對(duì)貼附有該另一半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件進(jìn)行分割加工，從而 獲得在另一半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的粘著劑層側(cè)的面上粘貼有多個(gè)晶片的狀態(tài)的結(jié) 構(gòu)體。最后，通過從該結(jié)構(gòu)體單個(gè)地拾取晶片而能夠獲得晶片。
[0003] 如此，當(dāng)由半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件制造晶片時(shí)，對(duì)于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件或晶片表面，將半導(dǎo) 體相關(guān)構(gòu)件加工用片材進(jìn)行貼附或剝離(包括拾取。W下相同）操作的情況較多。如磨削后 的娃晶圓，半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的厚度有時(shí)為數(shù)十WI1程度，因此提高半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片 材的剝離性，在半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的品質(zhì)管理上是重要的課題。
[0004] 本說明書中，"剝離性"是半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的特性之一，是指從粘貼有 半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的狀態(tài)下的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件或晶片下，有時(shí)將他們統(tǒng)稱為 "被粘物"）剝離半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材時(shí)，使被粘物上不易于產(chǎn)生缺口或破裂等品質(zhì) 上的問題的特性。從切割片拾取晶片時(shí)，減小施加于晶片之力，從而使晶片不易于產(chǎn)生缺口 或破裂等的特性即拾取適性，被定為上述剝離性的一個(gè)具體例。若使用剝離性優(yōu)異的半導(dǎo) 體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，則從被粘物剝離半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材時(shí)，不易產(chǎn)生被粘物 的缺口或破裂等問題。
[0005] 為了提高半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的剝離性，通常，半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片 材的粘著劑層設(shè)計(jì)成其粘著性通過特定刺激而降低，作為特定的刺激，例如采用紫外線或 電子束等能量射線照射。
[0006] 并且，從消除拾取不良的角度考慮，即從提高拾取切割膠帶的剝離性的角度考慮， 專利文獻(xiàn)1中公開了在粘著劑層中含有游離的含環(huán)氧基化合物的技術(shù)。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) [000引專利文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-192917號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0011] 如專利文獻(xiàn)1所公開的，使粘著劑層含有游離的含環(huán)氧基化合物是用于縮短拾取 時(shí)間或者減小拾取力的有效手段之一。然而，若僅W上述手段來欲進(jìn)一步提高半導(dǎo)體相關(guān) 構(gòu)件加工用片材的剝離性，則需要增加粘著劑層內(nèi)的游離的含環(huán)氧基化合物的含量。經(jīng)本 發(fā)明的發(fā)明人的研究表明，當(dāng)利用具備增加了游離的含環(huán)氧基化合物的含量的粘著劑層的 半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，由半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件制造晶片時(shí)，有可能不易維持具備該晶片 的構(gòu)件(作為具體例，可例舉模晶片(mold chip)、帶保護(hù)膜晶片等）的可靠性。
[0012] 鑒于現(xiàn)狀，本發(fā)明的課題為提供一種能夠穩(wěn)定地抑制具備晶片的構(gòu)件的可靠性降 低、優(yōu)選為可提高半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的剝離性的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，W 及利用該片材的晶片的制造方法，所述晶片利用半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材由半導(dǎo)體相關(guān) 構(gòu)件制造。
[0013] 解決技術(shù)問題的技術(shù)手段
[0014] 為了完成上述課題，本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過研究，結(jié)果獲得了如下新的見解。即，粘 著劑層含有具有能量射線聚合性官能基、并且具有分枝結(jié)構(gòu)的聚合物(本說明書中，將該聚 合物也稱作"聚合性分枝聚合物"），通過使用具備所述粘著劑層的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用 片材，能夠穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)使具備晶片的構(gòu)件的可靠性不易降低，所述晶片利用該半導(dǎo)體相關(guān) 構(gòu)件加工用片材由半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件制造。并且，與專利文獻(xiàn)1中所公開的游離的含環(huán)氧基化 合物相比，即使聚合性分枝聚合物在半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的粘著劑層中的含量為少 量，也能夠提高半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的剝離性。
[0015] 基于該見解完成的本發(fā)明如下。
[0016] (1) -種半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，具備:基材;及粘著劑層，其設(shè)置于所述基材 的一面的上方，所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的特征在于，所述粘著劑層含有具有能量 射線聚合性官能基的能量射線聚合性化合物，所述能量射線聚合性化合物的至少一種為具 有分枝結(jié)構(gòu)的聚合物即聚合性分枝聚合物，將所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的所述粘著 劑層側(cè)的面貼附于娃晶圓的鏡面，并將能量射線照射于所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材， W使所述粘著劑層對(duì)所述娃晶圓的鏡面的粘著性降低之后，將從所述娃晶圓剝離所述半導(dǎo) 體相關(guān)構(gòu)件加工用片材而獲得的、所述娃晶圓中的粘貼過所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材 的鏡面作為測定對(duì)象面，在25°C、相對(duì)濕度為50%的環(huán)境下，利用水滴而測定出的相對(duì)于水 的接觸角為40° W下。
[0017] (2)上述（1)所述的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，其中，所述聚合性分枝聚合物的 聚苯乙締換算重均分子量為100,000?下。
[0018] (3)上述（1)或(2)所述的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，其中，所述能量射線聚合性 化合物包括聚苯乙締換算重均分子量為100,000?上的物質(zhì)即聚合性高分子化合物。
[0019] (4)上述（1)至(3)中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，其中，所述半導(dǎo)體 相關(guān)構(gòu)件加工用片材將所述粘著劑層側(cè)的主面作為測定對(duì)象面，將娃晶圓的鏡面作為被粘 面，將所述測定對(duì)象面和被粘面進(jìn)行貼合之后，將能量射線照射于所述粘著劑層，從而降低 所述測定對(duì)象面對(duì)所述被粘面的粘著性之后，WJIS Z0237:2000為基準(zhǔn)進(jìn)行180°剝離試驗(yàn) 時(shí)測定出的粘著力為100mN/25mm w下。
[0020] (5)-種晶片的制造方法，其特征在于，具備:貼附工序，將上述(1)至(4)中任一項(xiàng) 所述的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的所述粘著劑層側(cè)的面貼附于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的一面； 分割工序，將所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材上的所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件進(jìn)行分割，獲得粘 貼于所述粘著劑層的多個(gè)晶片;照射工序，將能量射線照射于所述粘著劑層，從而降低所述 粘著劑層對(duì)粘貼于所述粘著劑層的所述多個(gè)晶片表面的粘著性;及拾取工序，從所述半導(dǎo) 體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的粘著劑層分離所述多個(gè)晶片，獲得單個(gè)的晶片。
[0021] (6)上述(5)所述的制造方法，其中，所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件具備具有貫通電極的娃 晶圓。
[0022] 發(fā)明效果
[0023] 通過使用本發(fā)明的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，能夠由半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件來制造不 易降低具備該晶片的構(gòu)件的可靠性的晶片。優(yōu)選的一種形態(tài)中，也可實(shí)現(xiàn)提高半導(dǎo)體相關(guān) 構(gòu)件加工用片材的剝離性。
【附圖說明】
[0024] 圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的概略截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025] W下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方案進(jìn)行說明。
[0026] 如第1圖所示，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1具備基材2 和設(shè)置于基材2的一面上方的粘著劑層3。本說明書中，半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件是指在半導(dǎo)體制造 中使用的材料，例如，可例舉娃、SiC、GaN等半導(dǎo)體晶圓、氧化侶、藍(lán)寶石等陶瓷基板、半導(dǎo)體 封裝件、玻璃構(gòu)件等。
[0027] 1.基材
[0028] 對(duì)于本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的基材2,當(dāng)將半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加 工用片材1貼附于被粘物時(shí)，及將半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1從被粘物剝離時(shí)等，使用半 導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1時(shí)只要不斷裂，則其構(gòu)成材料并無限定，通常，由W樹脂類材料 為主要材料的膜構(gòu)成。
[0029] 作為該膜的具體例，可例舉：乙締-乙酸乙締醋共聚物膜、乙締-(甲基)丙締酸共聚 物膜、乙締-(甲基)丙締酸醋共聚物膜等乙締類共聚物膜;低密度聚乙締化DPE)膜、直鏈低 密度聚乙締 aLDPE)膜、高密度聚乙締化DPE)膜、中密度聚乙締(MDPE)膜等聚乙締膜;聚丙 締膜、聚下締膜、聚下二締膜、聚甲基戊締膜、乙締-降冰片締共聚物膜、降冰片締樹脂膜等 聚締控類膜;聚氯乙締膜、氯乙締共聚物膜等聚氯乙締類膜;聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋膜、聚 對(duì)苯二甲酸下二醇醋膜等聚醋類膜;聚氨醋膜;聚酷亞胺膜;聚苯乙締膜;聚碳酸醋膜;氣樹 脂膜等。并且，也可使用他們的交聯(lián)膜、離聚物膜等改性膜。上述基材2可為由運(yùn)些膜中的一 種構(gòu)成的膜，另外，也可為組合運(yùn)些膜中的兩種W上的層疊膜。另外，本說明書中的"(甲基） 丙締酸"是指丙締酸W及甲基丙締酸兩者。關(guān)于其他類似用語也相同。
[0030] 構(gòu)成基材2的膜優(yōu)選具備乙締類共聚膜W及聚締控類膜中的至少一種。
[0031] 乙締類共聚膜通過改變共聚比等容易在較廣的范圍內(nèi)控制其機(jī)械特性。因此，具 備乙締類共聚膜的基材2容易滿足作為本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的基材 而需要的機(jī)械特性。并且，乙締類共聚膜對(duì)粘著劑層3的密合性比較高，因此，當(dāng)使用半導(dǎo)體 相關(guān)構(gòu)件加工用片材1時(shí)，在基材2和粘著劑層3的界面不易發(fā)生剝離。
[0032] 乙締類共聚膜W及聚締控類膜中，對(duì)作為半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的特性帶來 不良影響的成分(例如，聚氯化乙締類膜等中，該膜中所含有的增塑劑從基材2向粘著劑層3 轉(zhuǎn)移，進(jìn)而分布于粘著劑層3的與基材2對(duì)置一側(cè)的相反側(cè)的面，從而有時(shí)會(huì)降低粘著劑層3 對(duì)被粘物的面的粘著性)的含量少，因此不易產(chǎn)生粘著劑層3對(duì)被粘物的面的粘著性降低等 問題。即，乙締類共聚膜W及聚締控類膜的化學(xué)穩(wěn)定性優(yōu)異。
[0033] 基材2也可在W上述樹脂類材料為主要材料的膜內(nèi)含有顏料、染料、阻燃劑、增塑 劑、抗靜電劑、潤滑劑、填充劑等各種添加劑。作為顏料，例如可例舉二氧化鐵、碳黑等。并 且，作為填充劑，可例示出如Ξ聚氯胺樹脂等有機(jī)類材料、如烘制二氧化娃(fumed silica) 等無機(jī)類材料W及如儀顆粒等金屬類材料。運(yùn)樣的添加劑的含量并無限定，但應(yīng)保持于基 材2發(fā)揮所希望的功能且不失平滑性或柔軟性的范圍內(nèi)。
[0034] 當(dāng)使用紫外線作為為了使粘著劑層3固化而照射的能量射線時(shí)，基材2相對(duì)于紫外 線具有透過性為優(yōu)選。另外，當(dāng)使用電子束作為能量射線時(shí)，基材2具有電子束的透過性為 優(yōu)選。
[0035] 并且，在基材2的粘著劑層3側(cè)的面下，也稱作"基材第一面"）上，存在具有選自 簇基及其離子和鹽構(gòu)成組中的一種或兩種W上的成分為優(yōu)選。基材2中的上述成分和粘著 劑層3的成分（例示出構(gòu)成粘著劑層3的成分W及交聯(lián)劑(C)等形成粘著劑層3時(shí)使用的成 分)相互進(jìn)行化學(xué)作用，由此能夠降低他們之間發(fā)生剝離的可能性。
[0036] 用于使所述成分存在于基材第一面的具體方法并無限定。也可使基材2本身為例 如乙締-(甲基)丙締酸共聚物膜、離聚物樹脂膜等，且充當(dāng)構(gòu)成基材2的材料的樹脂也可W 具有選自簇基及其離子和鹽所構(gòu)成的組中的一種或兩種W上。作為使上述成分存在于基材 第一面的其他方法，基材2例如為聚締控類膜，且于基材第一面?zhèn)仁┘佑须姇炋幚?，或者設(shè) 置有底漆層。并且，基材2的基材第一面的相反側(cè)的面上也可設(shè)置有各種涂膜。
[0037] 使用半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1時(shí)，只要不產(chǎn)生斷裂等不良情況，則基材2的厚 度并無特別限定。20μηι W上且450μηι W下為優(yōu)選，25μηι W上且400μηι W下為更加優(yōu)選，50μηι W 上且350ymW下的范圍為特別優(yōu)選。
[003引2.粘著劑層
[0039] 具備本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3由含有主劑(A)W及 能量射線聚合性化合物(B)、進(jìn)一步根據(jù)需要含有交聯(lián)劑(C)等的粘著劑組合物形成。如后 述，當(dāng)能量射線聚合性化合物(B)具有作為主劑(A)的性質(zhì)的情況下，粘著劑組合物有時(shí)在 含有具有作為主劑(A)的性質(zhì)的能量射線聚合性化合物(B)W外，不另外含有成為主劑(A) 的成分。
[0040] (U 主劑(A)
[0041] 主劑(A)的種類只要能夠?qū)φ持鴦印⒂绕鋵?duì)照射能量射線之前的粘著劑層賦予 適當(dāng)?shù)恼持?，則并無限定。作為該主劑(A)，可例示橡膠類、丙締酸類、娃酬類、聚乙締基酸 類等樹脂材料。W下，對(duì)丙締酸類材料的一種即丙締酸類聚合物(A1)稍微進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0042] 作為丙締酸類聚合物(A1)，能夠使用W往公知的丙締酸類聚合物。從涂布時(shí)的造 膜性的角度考慮，丙締酸類聚合物(Al)的聚苯乙締換算重均分子量(Mw)為10,000W上且2， 000,000?下為優(yōu)選，100,000?上且1，500,000W下為更加優(yōu)選。
[0043] 另外，包括實(shí)施例在內(nèi)，在本說明書中，聚苯乙締換算重均分子量(Mw)的值是指， 通過四氨巧喃(THF)作為溶劑的凝膠滲透色譜法(GPC)作為標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙締換算值而測定的 值。具體而言，是使用GPC測定裝置(Tosoh Co.，Ltd.制巧LC-8220GPC'）并在W下所示條件 下進(jìn)行的。
[0044] 色譜柱：TSKge 1GM冊 L 一 TSKge 1GM冊 L 一 TSKge 12000冊 L
[0045] 測定溫度:40 Γ
[0046] 流速:1ml/分鐘
[0047] 檢測器:差示折射計(jì)
[004引丙締酸類聚合物(A1)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為-70°C W上且30°C W下為優(yōu)選，-60°C W上且20°C W下的范圍為更加優(yōu)選。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg能夠通過化X式進(jìn)行計(jì)算。
[0049] 上述丙締酸類聚合物(A1)可為由一種丙締酸類單體形成的均聚物，也可為由多種 丙締酸類單體形成的共聚物，也可為由一種或多種丙締酸類單體和丙締酸類單體W外的單 體形成的共聚物。成為丙締酸類單體的化合物的具體種類并無限定，作為具體例可例舉（甲 基)丙締酸、（甲基)丙締酸醋、他們的衍生物(丙締臘等）。關(guān)于（甲基)丙締酸醋，若進(jìn)而示出 具體例，則可例舉（甲基）丙締酸甲醋、（甲基）丙締酸乙醋、（甲基)丙締酸丙醋、（甲基）丙締 酸下醋、（甲基）丙締酸2-乙基己醋、（甲基)丙締酸癸醋、（甲基）丙締酸月桂醋、（甲基）丙締 酸十八醋等具有鏈狀骨架的（甲基）丙締酸醋；（甲基）丙締酸環(huán)己醋、（甲基）丙締酸節(jié)醋、 (甲基)丙締酸異冰片醋、（甲基)丙締酸二環(huán)戊基醋、（甲基)丙締酸四氨慷醋、酷亞胺丙締酸 醋（imide acrylate)等具有環(huán)狀骨架的（甲基）丙締酸醋；（甲基）丙締酸2-徑基乙醋、（甲 基)丙締酸2-徑基丙醋等具有徑基的（甲基)丙締酸醋；（甲基)丙締酸縮水甘油醋、（甲基)丙 締酸N-甲基氨基乙醋等具有徑基W外的反應(yīng)性官能基的（甲基)丙締酸醋。并且，作為丙締 酸類單體W外的單體，可例示乙締、降冰片締等締控、乙酸乙締醋、苯乙締等。另外，丙締酸 類單體為（甲基)丙締酸烷基醋的情況下，該烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1~18的范圍。
[0050] 當(dāng)用于形成本實(shí)施方案的粘著劑層3的粘著劑組合物含有如后述能夠?qū)⒈喫犷?聚合物(A1)進(jìn)行交聯(lián)的交聯(lián)劑(C)的情況下，丙締酸類聚合物(A1)所具有的反應(yīng)性官能基 的種類并無限定，根據(jù)交聯(lián)劑(C)的種類等適當(dāng)?shù)卮_定即可。當(dāng)交聯(lián)劑(C)為聚異氯酸醋化 合物的情況下，作為丙締酸類聚合物(A1)所具有的反應(yīng)性官能基的具體例，可例舉徑基、簇 基、氨基等。其中，當(dāng)交聯(lián)劑(C)為聚異氯酸醋化合物的情況下，優(yōu)選采用與異氯酸醋基的反 應(yīng)性高的徑基作為反應(yīng)性官能基。對(duì)丙締酸類聚合物(A1)導(dǎo)入徑基作為反應(yīng)性官能基的方 法并無限定。作為一個(gè)例子，可例舉丙締酸類聚合物(A1)在骨架中含有基于（甲基)丙締酸 2-徑基乙醋等具有徑基的丙締酸醋的結(jié)構(gòu)單元的情況。
[0051] (2)能量射線聚合性化合物(B)
[0052] 用于形成本實(shí)施方案的粘著劑層3的粘著劑組合物所含有的能量射線聚合性化合 物(B)具有能量射線聚合性基，且只要受到紫外線、電子束等能量射線的照射而能夠進(jìn)行聚 合反應(yīng)，則具體的結(jié)構(gòu)并無限定。通過能量射線聚合性化合物(B)聚合，粘著劑層3對(duì)被粘物 的面的粘著性降低而變得容易剝離。直至照射能量射線為止，實(shí)際上，并不發(fā)生能量射線聚 合性基的聚合反應(yīng)，因此本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3在照射能 量射線之前的狀態(tài)下含有能量射線聚合性化合物(B)。
[0053] 能量射線聚合性基的種類并無限定。作為其具體例，可例舉具有乙締基、（甲基)丙 締酷基等締屬不飽和鍵的官能基等。當(dāng)粘著劑組合物含有交聯(lián)劑(C)的情況下，能量射線聚 合性基優(yōu)選具有締屬不飽和鍵的官能基，其中，從照射能量射線時(shí)的反應(yīng)性高的角度考慮， (甲基)丙締酷基為優(yōu)選。
[0054] 含有粘著劑組合物的能量射線聚合性化合物(B)可W為一種，也可為多種。構(gòu)成能 量射線聚合性化合物(B)的化合物的分子量并無限定。當(dāng)該分子量過小的情況下，在制造過 程中該化合物有可能會(huì)揮發(fā)，此時(shí)，粘著劑層3的組成的穩(wěn)定性降低。從而，構(gòu)成能量射線聚 合性化合物(B)的化合物的分子量，作為重均分子量(Mw)為100W上為優(yōu)選，200W上為更加 優(yōu)選，300 W上為特別優(yōu)選。
[0055] 構(gòu)成能量射線聚合性化合物(B)的化合物的具體種類并無限定。作為該化合物的 具體例，可例舉Ξ徑甲基丙烷Ξ(甲基)丙締酸醋、四徑甲基甲燒四（甲基)丙締酸醋、季戊四 醇Ξ(甲基）丙締酸醋、二季戊四醇單徑基五（甲基）丙締酸醋、二季戊四醇六（甲基）丙締酸 醋、1,4-下二醇二（甲基）丙締酸醋、1,6-己二醇二（甲基）丙締酸醋等具有鏈狀骨架的（甲 基)丙締酸烷基醋;二環(huán)戊二締二甲氧基二（甲基)丙締酸醋、（甲基)丙締酸異冰片醋等具有 環(huán)狀骨架的（甲基炳締酸烷基醋;聚乙二醇二（甲基)丙締酸醋、低聚醋（甲基炳締酸醋、氨 基甲酸醋（甲基)丙締酸醋低聚物、環(huán)氧改性（甲基)丙締酸醋、聚酸（甲基)丙締酸醋等丙締 酸醋類化合物等。當(dāng)主劑(A)包含丙締酸類聚合物(A1)的情況下，上述化合物中丙締酸醋類 化合物因?qū)Ρ喫犷惥酆衔?A1)的相溶性高而優(yōu)選。
[0056] 能量射線聚合性化合物(B)在一個(gè)分子中所具有的能量射線聚合性基的數(shù)量并無 限定，優(yōu)選為多個(gè)，3W上為更加優(yōu)選，5W上為特別優(yōu)選。
[0057] 本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3所含有的能量射線聚合 性化合物(B)中的至少一種為具有分枝結(jié)構(gòu)的聚合物即聚合性分枝聚合物(B1)。
[0058] 本說明書中，聚合性分枝聚合物(B1)為能量射線聚合性化合物(B)中的一種，是指 具有能量射線聚合性基及分枝結(jié)構(gòu)的聚合物。聚合性分枝聚合物(B1)具有提高半導(dǎo)體相關(guān) 構(gòu)件加工用片材的剝離性的功能。由于聚合性分枝聚合物(B1)具有分枝結(jié)構(gòu)，因此即使其 混合量少，也容易提高半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的剝離性。并且，通過聚合性分枝聚合物 (B1)的混合量得到抑制，后述剝離后水接觸角的增加得到抑制。另外，由于聚合性分枝聚合 物(B1)具有聚合性的能量射線聚合性基，因此由能量射線照射后的聚合性分枝聚合物(B1) 生成的物質(zhì)不易從粘著劑層轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的被粘物。關(guān)于聚合性分枝 聚合物(B1)的具體結(jié)構(gòu)(作為具體例，可例舉分子量、分枝結(jié)構(gòu)的水平、一個(gè)分子中所具有 的能量射線聚合性基的數(shù)量等)并無限定。作為獲得運(yùn)種聚合性分枝聚合物(B1)的方法，例 如，通過使分子內(nèi)具有2個(gè)W上的自由基聚合性雙鍵的單體、分子內(nèi)具有活性氨基及1個(gè)自 由基聚合性雙鍵的單體、分子內(nèi)具有1個(gè)自由基聚合性雙鍵的單體進(jìn)行聚合，可獲得具有分 枝結(jié)構(gòu)的聚合物，通過使其與分子內(nèi)具有可與活性氨基反應(yīng)而形成鍵的官能基W及至少1 個(gè)自由基聚合性雙鍵的化合物進(jìn)行反應(yīng)可獲得聚合性分枝聚合物(B1)。
[0059] 從容易適當(dāng)?shù)匾种婆c主劑(A)(也包括后述的具有作為主劑(A)的性質(zhì)的能量射線 聚合性化合物(B))之間的相互作用的角度考慮，聚合性分枝聚合物(B1)的聚苯乙締換算重 均分子量(Mw)為1，000W上且100,000?下為優(yōu)選，3,000W上且30,000W下為更加優(yōu)選。聚 合性分枝聚合物(Bl)的一個(gè)分子中所具有的能量射線聚合性基的數(shù)量并無限定。
[0060] 粘著劑層3中的聚合性分枝聚合物(B1)的含量只要能夠使后述剝離后水接觸角在 既定范圍內(nèi)則并無限定。若上述含量過高，則有機(jī)物轉(zhuǎn)移到貼附有半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用 片材1的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件表面的量增大，導(dǎo)致剝離后水接觸角變大。在粘著劑層3中的聚合 性分枝聚合物(B1)的含量過低的情況下，則會(huì)導(dǎo)致失去含有聚合性分枝聚合物(B1)的意 義，因此，通常，關(guān)于用于形成粘著劑層3的粘著劑組合物，相對(duì)于主劑(A)和后述聚合性高 分子化合物（B2)的總和100質(zhì)量份（上述粘著劑組合物還包含后述聚合性高分子化合物 (B2)的情況下，在本說明書中，主劑(A)的質(zhì)量份是指主劑(A)的質(zhì)量份和聚合性高分子化 合物(B2)的質(zhì)量份的總和），含有聚合性分枝聚合物(B1)0.01質(zhì)量份W上為優(yōu)選，含有0.1 質(zhì)量份W上為更加優(yōu)選。由于聚合性分枝聚合物(B1)具有分枝結(jié)構(gòu)，因此即使粘著劑層3中 的含量比較少量，也能夠獲得剝離性優(yōu)異的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1。
[0061] 依據(jù)聚合性分枝聚合物(B1)的種類，轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件表面的聚合性分枝聚 合物(B1)有時(shí)作為殘留于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件表面的顆粒而被測量。此顆粒(還包括非源自聚 合性分枝聚合物(B1)之物。W下相同）有可能會(huì)降低基于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的產(chǎn)品的可靠性， 因此殘留于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件表面的顆粒數(shù)少為優(yōu)選。具體而言，殘留于由娃晶圓構(gòu)成的半 導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件表面的〇.20ymW上的粒徑的顆粒的數(shù)量設(shè)為小于200為優(yōu)選，設(shè)為150W下為 更加優(yōu)選，設(shè)為小于100為進(jìn)一步優(yōu)選，設(shè)為50W下為特別優(yōu)選。從容易滿足對(duì)有關(guān)運(yùn)種顆 粒的要求的角度考慮，聚合性分枝聚合物(B1)的含量為相對(duì)于主劑(A) 100質(zhì)量份小于8.0 質(zhì)量份為優(yōu)選，設(shè)為5.0質(zhì)量份W下為更加優(yōu)選，設(shè)為小于3.0質(zhì)量份為進(jìn)一步優(yōu)選，設(shè)為 2.5質(zhì)量份W下為特別優(yōu)選、設(shè)為2.0質(zhì)量份W下為極其優(yōu)選。
[0062] 對(duì)于本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3所含有的能量射線 聚合性化合物(B)，其構(gòu)成材料的至少一種也可具有作為主劑(A)的性質(zhì)。作為具有作為該 主劑(A)的性質(zhì)的能量射線聚合性化合物(B)的具體例，可例舉具有能量射線聚合性基且聚 苯乙締換算重均分子量(Mw)為100,000?上的物質(zhì)即聚合性高分子化合物(B2)。
[0063] 聚合性高分子化合物(B2)具有作為主劑(A)的性質(zhì)，因此具有如下優(yōu)點(diǎn)：由于含有 聚合性高分子化合物(B2)，因此能夠簡化用于形成粘著劑層3的組合物的組成(粘著劑層3 含有聚合性高分子化合物(B2)的情況下，無需另外含有主劑(A));及容易控制粘著劑層3中 的能量射線聚合性基的存在密度等。從聚合性高分子化合物(B2)更穩(wěn)定地具有作為主劑 (A)的性質(zhì)的角度考慮，聚合性高分子化合物(B2)的聚苯乙締換算重均分子量(Mw)為200， 000W上且2,000,000^下為優(yōu)選，300,000^上且1，500,000^下為更加優(yōu)選。
[0064] 當(dāng)能量射線聚合性化合物(B)含有聚合性高分子化合物(B2)的情況下，與能量射 線聚合性化合物(B)由低分子量化合物構(gòu)成的情況相比，剝離性能夠容易提高。
[0065] 其理由如下。若能量射線聚合性化合物(B)為低分子量化合物，則為了維持粘著劑 層的凝聚性而需要添加不具有能量射線聚合性的主劑(A)，但該主劑(A)即使通過能量射線 照射也不會(huì)被導(dǎo)入交聯(lián)結(jié)構(gòu)。另一方面，若為能量射線聚合性化合物(B)含有聚合性高分子 化合物(B2)的情況，則不添加運(yùn)種不具有能量射線聚合性的主劑(A)，或者即使所添加量為 少量也可維持凝聚性。從而，通過能量射線照射而不導(dǎo)入交聯(lián)結(jié)構(gòu)的成分少，因此粘著劑層 3中形成牢固的交聯(lián)結(jié)構(gòu)，粘著性顯著降低，有剝離性提高的傾向。
[0066] 另外，能量射線聚合性化合物(B)含有聚合性高分子化合物(B2)的情況下，聚合性 分枝聚合物(Bl)通過能量射線照射而被導(dǎo)入上述那樣牢固的交聯(lián)結(jié)構(gòu)的概率提高。
[0067] 作為聚合性高分子化合物(B2)的具體的一個(gè)例子，可例舉為在主鏈或側(cè)鏈具有含 能量射線聚合性基的結(jié)構(gòu)單元的丙締酸類聚合物。該聚合性高分子化合物(B2)例如能夠W 如下方法來進(jìn)行制備。使含有基于徑基、簇基、氨基、被取代的氨基、環(huán)氧基等官能基的（甲 基)丙締酸醋的結(jié)構(gòu)單元W及基于烷基（甲基)丙締酸醋的結(jié)構(gòu)單元而構(gòu)成的共聚物即丙締 酸類聚合物，與1個(gè)分子內(nèi)具有能夠與上述官能基反應(yīng)的官能基W及能量射線聚合性基(例 如，具有締屬雙鍵的基)的化合物進(jìn)行反應(yīng)，由此對(duì)上述丙締酸類聚合物附加能量射線聚合 性基，從而能夠獲得聚合性高分子化合物(B2)。
[0068] 作為使能量射線聚合性化合物(B)固化的能量射線，可例舉電離福射，即X射線、紫 外線、電子束等。其中，比較容易導(dǎo)入照射設(shè)備的紫外線為優(yōu)選。
[0069] 當(dāng)使用紫外線作為電離福射的情況下，由操作容易度來看，使用包含波長為200~ 38化m程度的紫外線的近紫外線即可。作為紫外線量，根據(jù)能量射線聚合性化合物(B)的種 類或粘著劑層3的厚度適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇即可，通常為50~500mJ/cm2程度，100~450mJ/cm2為 優(yōu)選，200~400mJ/cm2為更加優(yōu)選。并且，紫外線照度通常為50~500mW/cm2程度，100~ 450mW/cm2為優(yōu)選，200~400mW/cm2為更加優(yōu)選。作為紫外線源并無特別限制，可使用例如高 壓隸燈、金屬面化物燈、UV-L邸等。
[0070] 當(dāng)使用電子束作為電離福射的情況下，關(guān)于其加速電壓，則根據(jù)能量射線聚合性 化合物(B)的種類和粘著劑層3的厚度適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選定即可，通常，加速電壓為10~lOOOkV 程度為優(yōu)選。并且，照射量設(shè)定于能量射線聚合性化合物(B)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行反應(yīng)的范圍即可， 通常，選定于10~lOOOkrad的范圍內(nèi)。作為電子束源并無特別的限制，例如能夠使用柯克羅 夫特沃爾頓（Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫(Van DeGraff)型、共振變壓器型、絕緣忍 變壓器型、或直線型、地納米型、高頻型等各種電子束加速器。
[0071] (3)交聯(lián)劑(C)
[0072] 如上所述，用于形成本實(shí)施方案的粘著劑層3的粘著劑組合物也可含有能夠與丙 締酸類聚合物(A1)等主劑(A)反應(yīng)的交聯(lián)劑(C)。該情況下，本實(shí)施方案的粘著劑層3含有通 過主劑(A)與交聯(lián)劑(C)的交聯(lián)反應(yīng)而獲得的交聯(lián)物。
[0073] 交聯(lián)劑(C)的含量并無限定。從上述交聯(lián)物的形成容易度的角度考慮，交聯(lián)劑(C) 的含量相對(duì)于主劑(A)IOO質(zhì)量份為0.02質(zhì)量份W上且10質(zhì)量份W下為優(yōu)選。作為交聯(lián)劑 (C)的種類，例如可例舉異氯酸醋類化合物、環(huán)氧類化合物、金屬馨合物類化合物、氮丙晚類 化合物等聚亞胺化合物、Ξ聚氯胺樹脂、尿素樹脂、二醒類、徑甲基聚合物，金屬醇鹽，金屬 鹽等。其中，由容易控制交聯(lián)反應(yīng)等理由，交聯(lián)劑(C)優(yōu)選為聚異氯酸醋化合物。
[0074] 聚異氯酸醋化合物為在每1個(gè)分子內(nèi)具有2個(gè)W上異氯酸醋基的化合物，例如可例 舉甲苯二異氯酸醋、二苯基甲燒二異氯酸醋，苯二亞甲基二異氯酸醋等芳香族聚異氯酸醋； 二環(huán)己基甲燒-4,4'-二異氯酸醋、二環(huán)庚燒Ξ異氯酸醋、亞環(huán)戊基二異氯酸醋、亞環(huán)己基二 異氯酸醋、甲基亞環(huán)己基二異氯酸醋、氨化苯二亞甲基二異氯酸醋等脂環(huán)式異氯酸醋化合 物;六亞甲基二異氯酸醋、Ξ甲基六亞甲基二異氯酸醋、賴氨酸二異氯酸醋等具有鏈狀骨架 的異氯酸醋。
[0075] 并且，也可使用運(yùn)些化合物的縮二脈體、異氯脈酸醋體，或運(yùn)些化合物與乙二醇、 Ξ徑甲基丙烷、藍(lán)麻油等非芳香族性低分子含活性氨化合物的反應(yīng)物即加成物等改性體。 上述聚異氯酸醋化合物可由一種物質(zhì)構(gòu)成，也可由多種類的物質(zhì)構(gòu)成。
[0076] 用于形成本實(shí)施方案的粘著劑層3的粘著劑組合物含有交聯(lián)劑(C)的情況下，根據(jù) 該交聯(lián)劑(C)的種類等含有適當(dāng)?shù)慕宦?lián)促進(jìn)劑為優(yōu)選。例如，當(dāng)交聯(lián)劑(C)由聚異氯酸醋化 合物構(gòu)成的情況下，用于形成粘著劑層3的粘著劑組合物優(yōu)選含有有機(jī)錫化合物等有機(jī)金 屬化合物類交聯(lián)促進(jìn)劑。
[0077] (4)其他成分
[0078] 用于形成本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1所具備的粘著劑層3的粘著 劑組合物，除了上述成分之外，也可含有光聚合引發(fā)劑、染料和顏料等著色材料、抗靜電劑、 阻燃劑、填充劑等各種添加劑。本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1所具備的粘著劑 層3優(yōu)選實(shí)際上不含有專利文獻(xiàn)1所公開的游離的含環(huán)氧基化合物。
[0079] 在此，對(duì)光聚合引發(fā)劑稍微進(jìn)行詳細(xì)的說明。作為光聚合引發(fā)劑，可例舉苯偶姻化 合物、苯乙酬化合物、酷基氧化麟化合物、二茂鐵化合物、嚷噸酬化合物、過氧化物化合物等 光引發(fā)劑、胺和釀等光敏劑等，具體而言，可例舉1-徑基環(huán)己基苯基酬、苯偶姻、苯偶姻甲 酸、苯偶姻乙酸、苯偶姻異丙酸、芐基二苯基硫酸、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異下臘、聯(lián) 芐基、下二酬、β-氯蔥釀(β-chloranthraquinone)、2,4,6-Ξ甲基苯甲酯基二苯基氧化麟 等。當(dāng)使用紫外線作為能量射線的情況下，通過混合光聚合引發(fā)劑而能夠減少照射時(shí)間、照 射量。
[0080] (5)物性、形狀等
[0081] i)剝離后水接觸角
[0082] 本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1中，如下定義的剝離后水接觸角為40° W下。
[0083] 首先，在未施加特別的表面處理的清洗結(jié)束的平坦的娃晶圓的鏡面上，貼附本實(shí) 施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3側(cè)的面。接著，對(duì)半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工 用片材1的粘著劑層3照射能量射線，W降低粘著劑層3對(duì)娃晶圓的鏡面的粘著性之后，從娃 晶圓剝離半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1。將如此獲得的、在娃晶圓中的粘貼過半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu) 件加工用片材1的鏡面(本說明書中也稱為"剝離后娃表面"）作為測定對(duì)象面，在25Γ、相對(duì) 濕度為50%的環(huán)境下利用水滴測定的接觸角，在本說明書中稱為"剝離后水接觸角"。
[0084] 該剝離后水接觸角低表示附著于剝離后娃表面的有機(jī)物少，即從粘著劑層3轉(zhuǎn)移 到娃晶圓的鏡面的有機(jī)物少。從粘著劑層3轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件表面的有機(jī)物也殘留于 通過分割加工而獲得的晶片的表面，因此該有機(jī)物有可能構(gòu)成降低具備晶片的構(gòu)件的可靠 性的要因之一。并且，轉(zhuǎn)移到娃晶圓的鏡面的有機(jī)物有時(shí)會(huì)形成被稱作顆粒的顆粒狀殘?jiān)?當(dāng)使用由運(yùn)種晶圓獲得的晶片的情況下，有可能會(huì)降低封裝樹脂的潤濕性，或者在進(jìn)行高 度可靠性評(píng)價(jià)的情況下有可能會(huì)降低可靠性。
[0085] 關(guān)于此點(diǎn)，將具備含有專利文獻(xiàn)1所公開的游離的含環(huán)氧基化合物的粘接劑層的 半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材作為保護(hù)片進(jìn)行使用的情況下，如作為模擬試驗(yàn)進(jìn)行的實(shí)施例 所示，容易降低保護(hù)膜對(duì)半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的粘接可靠性。運(yùn)可W認(rèn)為是因?yàn)閺陌雽?dǎo)體相關(guān) 構(gòu)件加工用片材轉(zhuǎn)移到被粘物的游離的含環(huán)氧基化合物的量多。
[0086] 與此相對(duì)，如上所述，聚合性分枝聚合物(B1)即使在半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1 的粘著劑層3內(nèi)的含量比較少量，也能夠提高半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的剝離性。因此， 在本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的情況下，當(dāng)從被粘物剝離半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件 加工用片材1時(shí)，從粘著劑層3轉(zhuǎn)移的有機(jī)物比較少。由此，本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加 工用片材1中，剝離后水接觸角不易增大。從而，利用本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用 片材1而由半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件制造的晶片，其剝離性優(yōu)異，尤其拾取適性優(yōu)異、且具備晶片的 構(gòu)件的可靠性不易降低。
[0087] 如W上已進(jìn)行的說明，通過在本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著 劑層3中，W剝離后水接觸角為40° W下的范圍含有聚合性分枝聚合物(B1)，能夠更加穩(wěn)定 地實(shí)現(xiàn):獲得剝離性優(yōu)異的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1;及使具備利用半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加 工用片材1由半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件制造的晶片的構(gòu)件的可靠性不易降低。
[0088] 由于附著于剝離后娃表面的有機(jī)物少為優(yōu)選，因此剝離后水接觸角為30° W下為 優(yōu)選，25° W下為更加優(yōu)選，22.5° W下為進(jìn)一步優(yōu)選，20° W下為特別優(yōu)選，16° W下為極其 優(yōu)選。剝離后水接觸角的下限為，W半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3貼附之前的 娃晶圓的鏡面作為測定對(duì)象面進(jìn)行測定的情況下獲得的13°。
[0089] ii)照射后粘著力
[0090] 本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1中，如下定義的照射后粘著力優(yōu)選為 100mN/25mmW下。
[0091] 首先，將作為測定對(duì)象面的本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑 層3側(cè)的面貼附于作為被粘面的娃晶圓的鏡面。接著，從半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1側(cè)照 射能量射線，W降低粘著劑層3對(duì)娃晶圓的鏡面的粘著性。接著，將被粘面從不誘鋼試驗(yàn)板 表面變更為上述娃晶圓的鏡面，除此之外，WJIS Z0237:2000為基準(zhǔn)，進(jìn)行180°剝離試驗(yàn)。 將通過該試驗(yàn)而測定的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著力在本說明書中稱作"照射后 粘著力"。
[0092] 本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的照射后粘著力為100mN/25mmW下， 由此，能夠容易地獲得剝離性優(yōu)異的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1。從更穩(wěn)定地提高半導(dǎo)體 相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的剝離性的角度考慮，半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的照射后粘著力 為90mN/25mm W下為優(yōu)選，70mN/25mm W下為更加優(yōu)選，50mN/25mm W下為進(jìn)一步優(yōu)選、40mN/ 25mmW下為特別優(yōu)選，35mN/25mmW下為極其優(yōu)選。
[0093] iii)拾取力
[0094] 本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1中，如下定義的拾取力優(yōu)選為2.5NW 下。
[00M]首先，利用研磨裝置(作為具體的裝置，可例示DISCO Co.，Ltd.制"DFG8540")，將 娃晶圓（直徑153mm、厚度650μπι)磨削成厚度lOOwn為止。將半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的 粘著劑層3側(cè)的面貼附于磨削面。此時(shí)，半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3側(cè)的面也 可貼附于W內(nèi)部包含娃晶圓的方式配置的環(huán)狀?yuàn)A具即環(huán)狀框架。利用切割裝置(作為具體 的切割裝置，可例示Tokyo Seimitsu Co.，Ltd.制"A-WD-4000B")，將娃晶圓切割為lOmmX 10mm的晶片尺寸。切割之后，將半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1在23°C、相對(duì)濕度為50%的環(huán) 境下放置24小時(shí)。其后，將能量射線從基材2側(cè)的面照射于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1，W 降低粘著劑層3對(duì)娃晶圓的磨削面的粘著性。接著，將圓筒狀的夾具推到半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加 工用片材1的基材2側(cè)的面中的、環(huán)狀框架的內(nèi)周與晶圓周端部之間的區(qū)域。然后，拉下該環(huán) 狀框架2mm，W使半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1伸長。
[0096] 其后，使上頂銷接觸于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的基材2側(cè)的面并拾取晶片。 上頂銷的數(shù)量為4個(gè)，銷的位置為1邊8mm的正方形的頂點(diǎn)。銷的上頂量為1.5mm，上頂速度為 0.3mm/秒。用W上條件進(jìn)行拾取時(shí)，將施加于上頂銷的最大負(fù)載(單位:N)在本說明書中稱 作"拾取力"。
[0097] 由于本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的拾取力為2.5NW下，因此容易 獲得剝離性優(yōu)異的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1。從提高半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的剝 離性的角度考慮，半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的照射后粘著力優(yōu)選為2.0NW下。
[009引 iv)厚度
[0099] 本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1所具備的粘著劑層3的厚度并無限定。 粘著劑層3的厚度通常為從3μπι~100μπι，5μπι~80μπι的程度為優(yōu)選。
[0100] V)剝離片
[0101] 本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1在將粘著劑層3貼附于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu) 件為止的期間，W保護(hù)粘著劑層3為目的，在粘著劑層3的對(duì)置于基材2的一側(cè)的相反側(cè)的面 也可貼合剝離片的剝離面。剝離片的結(jié)構(gòu)任意，可例示通過剝離劑等對(duì)塑料膜經(jīng)過剝離處 理的結(jié)構(gòu)。作為塑料膜的具體例，可例舉聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋、聚對(duì)苯二甲酸下二醇醋、 聚糞二甲酸乙二醇醋等聚醋膜、W及聚丙締和聚乙締等聚締控膜。作為剝離劑，能夠使用娃 酬類、氣類、長鏈烷基類等，其中，廉價(jià)且可獲得穩(wěn)定的性能的娃酬類為優(yōu)選。關(guān)于剝離片的 厚度并無特別的限制，通常為20μπι W上且250μπι W下程度。
[0102] 3.半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的制造方法
[0103] 半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的制造方法只要將由所述粘著劑組合物形成的粘著 劑層3設(shè)置于基材2的一面的上方，則詳細(xì)的方法并無限定。舉一個(gè)例子，制備所述粘著劑組 合物W及根據(jù)需要還含有溶劑的涂布用組合物，且于基材2的一面上，通過模具涂布機(jī)、簾 式涂布機(jī)、噴霧涂布機(jī)、狹縫涂布機(jī)、刮刀涂布機(jī)等，涂布所述粘著劑組合物或涂布用組合 物而形成涂膜，通過干燥該一面上的涂膜能夠形成粘著劑層3。粘著劑組合物或涂布用組合 物只要能夠進(jìn)行涂布，則其性狀并無限定。
[0104] 當(dāng)粘著劑組合物或涂布用組合物含有交聯(lián)劑(C)的情況下，通過改變上述干燥條 件(溫度、時(shí)間等），或者另外設(shè)置加熱處理，進(jìn)行涂膜內(nèi)的主劑(Α)與交聯(lián)劑(C)的交聯(lián)反 應(yīng)，只要在粘著劑層3內(nèi)W所希望的存在密度形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)即可。為了使該交聯(lián)反應(yīng)充分地 進(jìn)行，也可通過上述方法等將粘著劑層3層疊于基材2之后，將所獲得的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加 工用片材1例如在23°C、相對(duì)濕度為50%的環(huán)境下靜置數(shù)日進(jìn)行養(yǎng)護(hù)。
[0105] 作為半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的制造方法的另一個(gè)例子，在所述剝離片的剝 離面上涂布粘著劑組合物或涂布用組合物而形成涂膜，并對(duì)其進(jìn)行干燥，形成由粘著劑層3 和剝離片構(gòu)成的層疊體，也可將該層疊體中的粘著劑層3側(cè)的面貼附于基材2的基材第一 面，獲得半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1和剝離片的層疊體。該層疊體中的剝離片可作為工程 材料而剝離，也可直至貼附于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件期間保護(hù)粘著劑層3。
[0106] 4.晶片的制造方法
[0107] 近年來，作為獲取晶片的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件，開始使用具備通過TSV(娃通孔技術(shù) (Throu曲Silicon Via))技術(shù)形成的具有貫通電極的娃晶圓的構(gòu)件(本說明書中，將具有 該貫通電極的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件也稱作"TSV晶圓"）。當(dāng)對(duì)于由該TSV晶圓形成的晶片(本說明 書中，也稱作"TSV晶片"）實(shí)施拾取的情況下，利用筒夾等并隔著切割片(為半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件 加工用片材的具體的應(yīng)用例之一）上頂TSV晶片時(shí)，為了在貫通孔部分不使TSV晶片發(fā)生破 裂，要求充分降低切割片的粘著劑層對(duì)TSV晶片表面的粘著性。即，由TSV晶圓制造 TSV晶片 時(shí)使用的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材需要?jiǎng)冸x性優(yōu)異。
[0108] 由于本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的剝離性優(yōu)異，因此能夠適當(dāng)?shù)?用作用于由TSV晶圓制造 TSV晶片的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材。作為將本實(shí)施方案的半導(dǎo) 體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1用作切割片并由TSV晶圓制造 TSV晶片的情況的具體例，對(duì)利用本 實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1由半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件制造晶片的方法進(jìn)行說明。
[0109] 首先，將本實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3側(cè)的面貼附于相 當(dāng)于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的一面的TSV晶圓的一個(gè)主面(貼附工序）。若存在TSV晶圓的一個(gè)主面 也為平滑面的情況，則也存在其為具有凹凸的面的情況。半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的外 周附近的區(qū)域通常貼附于環(huán)狀框架。
[0110] 接著，將半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1上的TSV晶圓進(jìn)行分割，獲得粘貼于半導(dǎo)體 相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3上的多個(gè)TSV晶片(分割工序）。用于分割TSV晶圓的具體 方法并無限定。可例示利用旋轉(zhuǎn)刀刃（刀片）進(jìn)行分割的方法，通過激光燒蝕進(jìn)行分割的方 法，利用激光等預(yù)先于TSV晶圓內(nèi)部形成改性層，其后對(duì)TSV晶圓施加力進(jìn)行分割的方法等。
[0111] 分割工序之后，將能量射線照射于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3，W 使粘著劑層3內(nèi)的能量射線聚合性化合物(B)進(jìn)行聚合反應(yīng)，W降低粘著劑層3對(duì)粘貼于粘 著劑層3上的多個(gè)TSV晶片表面的粘著性(照射工序）。能量射線的種類和照射條件等如已進(jìn) 行的說明。在此，也可進(jìn)行使半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1向主面內(nèi)方向伸長的擴(kuò)展工序， W便對(duì)配置于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1上的多個(gè)TSV晶片容易實(shí)施后續(xù)的拾取工序。該 伸長程度則考慮鄰接的TSV晶片應(yīng)具有的間距、基材2的拉伸強(qiáng)度等適當(dāng)?shù)卦O(shè)定即可。
[0112] 照射工序之后，從半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3分離出多個(gè)TSV晶片， 獲得單個(gè)的TSV晶片(拾取工序）。通常，利用筒夾并隔著半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1將一 個(gè)TSV晶片頂出，W使該TSV晶片與其他TSV晶片分離，并且減小頂出的TSV晶片對(duì)粘著劑層3 的粘貼面積。然后，通過吸取設(shè)備等拾起該頂出的TSV晶片。通過W上拾取工序拾取的TSV晶 片被供給到運(yùn)送工序等后續(xù)工序。
[0113] 在拾取工序中，粘著劑層對(duì)TSV晶片表面的粘著性高(并非充分低）的情況下，根據(jù) 貫通電極的孔徑或間距等，形成有貫通電極的部分或其附近的TSV晶片的機(jī)械特性有可能 會(huì)降低。當(dāng)該TSV晶片的機(jī)械特性顯著降低的情況下，還會(huì)導(dǎo)致TSV晶片在拾取工序的實(shí)施 過程中破裂。
[0114] 在所述專利文獻(xiàn)1中公開的、粘著劑層含有游離的含環(huán)氧基化合物的切割片中，當(dāng) 對(duì)晶片與切割片之間施加剝離力W拾取晶片時(shí)，優(yōu)選在游離的含環(huán)氧基化合物與構(gòu)成粘著 劑層的其他成分的界面，或者在游離的含環(huán)氧基化合物內(nèi)發(fā)生分離(損壞），從而降低拾取 力。然而，若在運(yùn)些部分發(fā)生分離(損壞），則不可避免地發(fā)生游離的含環(huán)氧基化合物從粘著 劑層到晶片的轉(zhuǎn)移。
[0115] 與此相對(duì)，由于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑 層3含有聚合性分枝聚合物(B1)，因此能夠抑制從粘著劑層3向半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件轉(zhuǎn)移的有機(jī) 物的量，并且能夠減小在拾取工序中半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件所承受的機(jī)械負(fù)載。對(duì)于同時(shí)實(shí)現(xiàn)該 轉(zhuǎn)移物質(zhì)量的減小和拾取負(fù)載的減小，聚合性分枝聚合物(B1)如何起作用并不明確，但有 可能會(huì)存在如下影響：可認(rèn)為聚合性分枝聚合物(B1)具有在粘著劑層3中容易存在于與半 導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件(TSV晶圓）的界面附近的傾向；聚合性分枝聚合物(B1)通過能量射線照射而 與其他能量射線聚合性化合物(B)聚合等。
[0116] 如W上已進(jìn)行說明的，依據(jù)本實(shí)施方案的晶片的制造方法，能夠使晶片的不適當(dāng) 的拾取不易發(fā)生，并且能夠抑制從粘著劑層3向晶片的有機(jī)物的轉(zhuǎn)移量。從而，本實(shí)施方案 的晶片的制造方法能夠制造品質(zhì)優(yōu)異的晶片，并且使具備通過本實(shí)施方案的制造方法制造 的晶片的構(gòu)件的可靠性不易降低。
[0117] W上說明的實(shí)施方案是為了容易理解本發(fā)明而記載的，并非用于限定本發(fā)明。從 而，上述實(shí)施方案所公開的各要素也旨在包括屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)的所有的設(shè)計(jì)變型 或等價(jià)物。
[0118] 例如，也可在基材與粘著劑層之間具有中間層。通過改變粘著劑層與中間層的物 理性質(zhì)，也可對(duì)半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材賦予其他功能。作為具體例，在照射能量射線之 前的狀態(tài)下，若將粘著劑層在23Γ下的儲(chǔ)存彈性模量G'設(shè)為比中間層在23Γ下的儲(chǔ)存彈性 模量G'大，則如上述TSV晶圓那樣，即使在半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件具有凹凸區(qū)域的情況下，通過根 據(jù)凹凸區(qū)域整體形成的凸形狀而發(fā)生中間層的變形，容易W追隨半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的凹凸區(qū) 域的方式發(fā)生粘著劑層的變形。因此，具有此物理性質(zhì)的粘著劑層W及具有中間層的半導(dǎo) 體相關(guān)構(gòu)件加工用片材在用作切割片時(shí)，在切割工序中，不易產(chǎn)生晶圓與片材之間的水侵 入或碎屑等不良情況。而且，在具有上述結(jié)構(gòu)的情況下，在具有凹凸區(qū)域的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件 的凹部，構(gòu)成儲(chǔ)存彈性模量G'高的粘著劑層的材料(粘著劑)不易進(jìn)入，因此在拾取通過半 導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件分割而成的晶片時(shí)，粘著劑殘留于該晶片的凹部內(nèi)的不良情況不易產(chǎn)生。
[0119] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材具有中間層的情況下，粘著 劑層固化前的23Γ下的儲(chǔ)存彈性模量G'并不受限定。如例示所示，粘著劑層固化前的23Γ 下的儲(chǔ)存彈性模量G'為3 X 10中aW上為優(yōu)選，3.5 X 10中aW上且1 X 10中aW下為更加優(yōu)選。 通過將粘著劑層固化前的23Γ下的儲(chǔ)存彈性模量G'設(shè)為上述范圍，在具有凹凸區(qū)域的半導(dǎo) 體相關(guān)構(gòu)件被分割而成的晶片的凹部內(nèi)殘留有粘著劑的不良情況不易產(chǎn)生。
[0120] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材具有中間層的情況下，中間 層的23Γ下的儲(chǔ)存彈性模量G'并無限定。如例示所示，中間層的23Γ下的儲(chǔ)存彈性模量G' 為1 X 10咕aW上且小于1 X 105化為優(yōu)選，1 X 10咕aW上且9 X 10咕aW下為更加優(yōu)選，1 X 104PaW上且8X104PaW下為特別優(yōu)選。通過將中間層的23°C下的儲(chǔ)存彈性模量G'調(diào)整為上 述范圍內(nèi)，粘著劑層更容易追隨半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的凹凸區(qū)域整體所形成的凸形狀。
[0121] 中間層的厚度為扣mW上且50ymW下為優(yōu)選。中間層的厚度在上述范圍內(nèi)的情況 下，與粘著劑層的變形相應(yīng)地中間層容易變形。中間層的厚度為lOymW上且40ymW下為優(yōu) 選，15ymW上且35ymW下為更加優(yōu)選，上且30ymW下為特別優(yōu)選。
[0122] 中間層例如可通過W往公知的各種粘著劑形成。作為運(yùn)種粘著劑并無任何限定， 例如可使用橡膠類、丙締酸類、氨基甲酸醋類、娃酬類、聚乙締基酸等粘著劑。并且，也可使 用能量射線固化型或加熱發(fā)泡型、水溶脹型粘著劑。作為能量射線固化(紫外線固化、電子 束固化等)型粘著劑，使用紫外線固化型粘著劑為特別優(yōu)選。
[0123] 當(dāng)構(gòu)成中間層的材料為丙締酸類材料的情況下，也可為與作為構(gòu)成本發(fā)明的一個(gè) 實(shí)施方案的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材1的粘著劑層3的材料而例示的丙締酸類粘著劑具 有相同組成的材料。具體而言，可含有主劑(A)W及能量射線聚合性化合物(B)，進(jìn)一步根據(jù) 需要也可含有交聯(lián)劑(C)等。主劑(A)也可含有丙締酸類聚合物(A1)，能量射線聚合性化合 物(B)也可含有聚合性高分子化合物(B2)。
[0124] 當(dāng)構(gòu)成中間層的材料為氨基甲酸醋類材料的情況下，該材料也可由日本特開 2013-197390號(hào)公報(bào)中記載的含氨基甲酸醋固化物構(gòu)成。在此，含氨基甲酸醋固化物為使含 有氨基甲酸醋低聚物W及/或氨基甲酸醋（甲基)丙締酸醋低聚物和根據(jù)需要所添加的能量 射線固化型單體的混合物進(jìn)行能量射線固化的固化物。
[0125] 實(shí)施例
[0126] W下，通過實(shí)施例等對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步具體的說明，但本發(fā)明的范圍并不限定 于運(yùn)些實(shí)施例等。
[0127] [實(shí)施例1]
[012引（1)粘著劑組合物的制備
[0129] 制備出具有如下組成的粘著劑組合物（溶劑：甲苯，成分混合量均為固體成分換 算)。
[0130] i)聚合性高分子化合物(B2H00質(zhì)量份，其為使相對(duì)于丙締酸2-徑基乙醋為80% 當(dāng)量的甲基丙締酷氧乙基異氯酸醋與丙締酸聚合物(丙締酸下醋/甲基丙締酸甲醋/丙締酸 2-美圣基乙醋=60/10/30(質(zhì)量比），聚苯乙締換算重均分子量=60萬）進(jìn)行反應(yīng)而獲得反應(yīng) 物，
[0131] ii)聚合性分枝聚合物（B1) (Nissan 畑emical Industries Co Ltd .制％D- 〇〇r，聚苯乙締換算重均分子量:14，000)0.15質(zhì)量份、
[0132] iii)作為交聯(lián)劑(C)的異氯酸醋成分(T0Y0 INK C0.，LTD.制"BHS-8515")1.0質(zhì)量 份，W及
[0133] iv)光聚合引發(fā)劑(BASF Agen巧制"IRGACURE(注冊商標(biāo)）184")3.0質(zhì)量份。
[0134] (2)半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的制作
[0135] 準(zhǔn)備了在厚度為38皿的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇醋制膜的一個(gè)主面上形成娃酬類剝 離劑層而構(gòu)成的剝離片(Xintec Corporation制"SP-PET38103r )。在該剝離片的剝離面 上，W最終獲得的粘著劑層成為10WI1的方式涂布了所述粘著劑組合物。使所獲得的涂膜連 同剝離片于l〇〇°C的環(huán)境下經(jīng)過1分鐘，由此干燥涂膜，獲得由剝離片和粘著劑層構(gòu)成的層 疊體。
[0136] 將對(duì)單面實(shí)施電暈處理的乙締-甲基丙締酸共聚物巧MAA)膜(厚度80μπι、電暈處理 面的表面張力54mN/m)的電暈處理面作為基材第一面，在該面貼附上述層疊體的粘著劑層 側(cè)的面，從而，W剝離片進(jìn)一步層疊于粘著劑層側(cè)的面的狀態(tài)，獲得由如第1圖所述的基材 和粘著劑層構(gòu)成的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材。
[0137] [實(shí)施例2]
[0138] 在實(shí)施例1中，除了將粘著劑組合物中所含有的聚合性分枝聚合物(B1)的含量設(shè) 為0.03質(zhì)量份之外，進(jìn)行與實(shí)施例1相同的操作，獲得半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材。
[0139] [實(shí)施例3]
[0140] 在實(shí)施例1中，除了使粘著劑組合物中不含聚合性分枝聚合物(Bl)之外，進(jìn)行與實(shí) 施例1相同的操作，獲得半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材。
[0141] [實(shí)施例4]
[0142] 在實(shí)施例1中，除了將粘著劑組合物中所含有的聚合性分枝聚合物(B1)的含量設(shè) 為3.0質(zhì)量份之外，進(jìn)行與實(shí)施例1相同的操作，獲得半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材。
[0143] [實(shí)施例引
[0144] 除了將實(shí)施例1的粘著劑組合物的組成進(jìn)行如下變更W外，進(jìn)行與實(shí)施例1相同的 操作，獲得半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材。
[0145] i)聚合性高分子化合物（B2)的100質(zhì)量份，其為使相對(duì)于丙締酸2-徑基乙醋為 80%當(dāng)量的甲基丙締酷氧乙基異氯酸醋與丙締酸聚合物(丙締酸2-乙基己醋/醋酸乙締醋/ 丙締酸2-徑基乙醋=40/40/20(質(zhì)量比），聚苯乙締換算重均分子量=55萬）進(jìn)行反應(yīng)而獲 得反應(yīng)物，
[0146] ii)含環(huán)氧基化合物（DainicMseika agen巧制"沈IKASEVEN SS02-063")8.75質(zhì) 量份，
[0147] iii)作為交聯(lián)劑(C)的異氯酸醋成分(T0Y0C皿Μ C0.，LTD.制"BHS-8515")1質(zhì)量 份，W及
[014引 iv)光聚合引發(fā)劑(BASF Agen巧制"IRGACURE 184")3質(zhì)量份。
[0149] [實(shí)施例6]
[0150] (1)粘著劑組合物A的制作
[0151] 使聚合性高分子化合物(B2)(聚苯乙締換算重均分子量=40萬）100質(zhì)量份、光聚 合引發(fā)劑(α-徑基環(huán)己基苯基酬(BASF Agen巧制"IRGACURE 184"))3質(zhì)量份、交聯(lián)劑（多元 異氯酸醋化合物(T0Y0C肥Μ C0.，LTD.制"BHS-8515" ) )8質(zhì)量份（固體成分換算）、W及聚合 性分枝聚合物(B1)(化ssan Qiemical Industries Inc.制"0D-007"，聚苯乙締換算重均分 子量=14，000)0.15質(zhì)量份混合于溶劑中，獲得粘著劑組合物A，聚合性高分子化合物(B2) 由使丙締酸下醋/甲基丙締酸甲醋/丙締酸2-徑基乙醋= 62/10/28(質(zhì)量比）反應(yīng)而獲得的 丙締酸聚合物與相對(duì)于每100摩爾單位該丙締酸粘著性聚合物的丙締酸2-徑基乙醋為80摩 爾甲基丙締酷氧乙基異氯酸醋進(jìn)行反應(yīng)而獲得。
[0152] (2)中間層用組合物的制作
[0153] 使丙締酸2-乙基己醋/丙締酸2-徑基乙醋= 95/5(質(zhì)量比）反應(yīng)，獲得丙締酸聚合 物(聚苯乙締換算重均分子量=90萬）。將上述丙締酸聚合物100質(zhì)量份、W及交聯(lián)劑（多元 異氯酸醋化合物(T0Y0CHEM C0.，LTD.制噸服-8515" ) )0.5質(zhì)量份（固體成分換算)混合于溶 劑中，獲得中間層用組合物。
[0154] (3)半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的制作
[01巧]對(duì)剝離膜化intec Corporation制"SP-陽T381031(PFr)涂布上述中間層用組合 物并進(jìn)行干燥(干燥條件：l〇〇°C、l分鐘），獲得形成于剝離膜上的中間層(厚度：20皿）。接 著，將中間層和基材（乙締甲基丙締酸共聚膜，厚度:80μπι)進(jìn)行粘貼，并從中間層上剝離出 剝離膜，將中間層轉(zhuǎn)印到基材上。
[0156] 并且，在剝離膜(Xintec Co巧oration制"SP-陽Τ381031 (PF)")行涂布上述粘著劑 組合物A并進(jìn)行干燥巧燥條件：100°C、1分鐘），獲得形成于剝離膜上的粘著劑層(厚度：10μ m) ο
[0157]其后，將帶基材中間層和帶剝離膜粘著劑層進(jìn)行粘貼，從而獲得半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件 加工用片材。
[015引[實(shí)施例7]
[0159] 使聚合性高分子化合物(Β2)(聚苯乙締換算重均分子量=60萬）100質(zhì)量份、光聚 合引發(fā)劑(α-徑基環(huán)己基苯基酬(BASF Agen巧制"IRGACURE 184"))3質(zhì)量份、交聯(lián)劑（多元 異氯酸醋化合物(T0Y0C肥Μ C0.，LTD.制"BHS-8515" ) )8質(zhì)量份（固體成分換算）、W及聚合 性分枝聚合物(B1)(化ssan Qiemical Industries Inc.制"0D-007"、聚苯乙締換算重均分 子量=14,000)0.15質(zhì)量份混合于溶劑中，獲得粘著劑組合物B，所述聚合性高分子化合物 (B2)由使丙締酸下醋/甲基丙締酸甲醋/丙締酸2-徑基乙醋= 62/10/28(質(zhì)量比）反應(yīng)而獲 得的丙締酸粘著性聚合物與相對(duì)于每100摩爾單位該丙締酸粘著性聚合物的丙締酸2-徑基 乙醋為80摩爾的甲基丙締酷氧乙基異氯酸醋反應(yīng)而獲得。
[0160] 使用所獲得的粘著劑組合物B代替粘著劑組合物A，除此之外，進(jìn)行與實(shí)施例6相同 的操作，獲得半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材。
[0161] [實(shí)施例8]
[0162] 將在實(shí)施例6中制備的聚合性高分子化合物(B2H00質(zhì)量份、光聚合引發(fā)劑(α-徑 基環(huán)己基苯基酬(BASF社制"IRGACURE 184"))3質(zhì)量份、W及交聯(lián)劑（多元異氯酸醋化合物 (T0Y0C肥Μ C0.，LTD.制"BHS-8515" ))8質(zhì)量份（固體成分換算)混合于溶劑中，獲得粘著劑 組合物C。
[0163] 使用所獲得的粘著劑組合物C代替粘著劑組合物A，除此之外，進(jìn)行與實(shí)施例6相同 的操作，獲得半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材。
[0164] [實(shí)施例9]
[0165] 除了將粘著劑層的厚度設(shè)為30ymW外，W與實(shí)施例6相同的方式獲得半導(dǎo)體相關(guān) 構(gòu)件加工用片材。
[0166] [實(shí)施例10]
[0167] 除了將實(shí)施例1的粘著劑組合物的組成進(jìn)行如下變更W外，進(jìn)行與實(shí)施例1相同的 操作，獲得半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材。
[0168] i)聚合性高分子化合物(B2H00質(zhì)量份，其為使相對(duì)于丙締酸2-徑基乙醋為80% 當(dāng)量的甲基丙締酷氧乙基異氯酸醋與丙締酸聚合物(丙締酸下醋/甲基丙締酸甲醋/丙締酸 2-美圣基乙醋=60/10/30(質(zhì)量比），聚苯乙締換算重均分子量=60萬）進(jìn)行反應(yīng)而獲得的反 應(yīng)物，
[0169] ii)聚合性分枝聚合物（B1) (Nissan 畑emical Industries Co Ltd .制％D- 〇〇r，聚苯乙締換算重均分子量=14,000)8.75質(zhì)量份，
[0170] iii)作為交聯(lián)劑(C)的異氯酸醋成分(T0Y0 INK C0.，LTD.制"BHS-8515")1.0質(zhì)量 份，W及
[0171] iv)光聚合引發(fā)劑(BASF Agen巧制"IRGACURE(注冊商標(biāo)）184")3.0質(zhì)量份。
[0172] W下，利用所獲得的粘著劑組合物進(jìn)行與實(shí)施例1相同的操作，獲得半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu) 件加工用片材。
[0173] [試驗(yàn)例1]<剝離后水接觸角的測定>
[0174] 首先，在未實(shí)施特別表面處理的清洗結(jié)束的干法拋光娃晶圓(直徑153mm、厚度650 μπι)的鏡面上貼附實(shí)施例W及比較例中所制造的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的各自的粘著 劑層側(cè)的面。該娃晶圓W及半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材在23°C、相對(duì)濕度為50%的環(huán)境下 保管了24小時(shí)。接著，利用紫外線照射裝置化intec Corporation制"RAD2000m/滬），將能量 射線照射于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材(照度:230mW/cm2，光量：190mJ/cm2，有流量30L/分 鐘的吹氮），W降低粘著劑層對(duì)娃晶圓鏡面的粘著性。另外，照度W及光量測定時(shí)使用了 Eye Gra地ics Inc.制"UV METER UVPF-3護(hù)。其后，從娃晶圓剝離了半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片 材。
[0175] 將由此獲得的、娃晶圓中的粘貼過半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的鏡面(剝離后娃 表面)作為測定對(duì)象面，在25°C、相對(duì)濕度為50%的環(huán)境下，利用自動(dòng)接觸角計(jì)化RUSS Co.， Ltd.制"DSAIOOS")，將通過化1的水滴求出的接觸角作為剝離后水接觸角進(jìn)行了測定。剝離 后水接觸角的測定結(jié)果于表1中示出。
[0176] [試驗(yàn)例2] <顆粒數(shù)的測量>
[0177] 將實(shí)施例及比較例中制造的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材分別貼附于干法拋光娃 晶圓（直徑153mm、厚度650μπι)的鏡面，W該狀態(tài)在23°C、相對(duì)濕度為50%的環(huán)境下放置了24 小時(shí)。進(jìn)行放置后，從半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的基材面對(duì)半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材 照射作為能量射線的與試驗(yàn)例1相同條件的紫外線。其后，從娃晶圓剝離切割膠帶，并利用 晶圓表面檢查裝置化itachi High-Technologies Co. ,Ltd.制"LS-6600")測量殘留于娃晶 圓的剝離面的〇.20ymW上粒徑的顆粒數(shù)。顆粒數(shù)的測量結(jié)果于表1示出。
[0178] [試驗(yàn)例3]<照射后粘著力的測定>
[0179] 將在實(shí)施例W及比較例中制造的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的各自的粘著劑層 側(cè)的面作為測定對(duì)象面，并貼附于作為被粘面的娃晶圓的鏡面。將該娃晶圓W及半導(dǎo)體相 關(guān)構(gòu)件加工用片材在23°C、相對(duì)濕度為50%的環(huán)境下保管了 20分鐘。接著，從半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu) 件加工用片材側(cè)，W與試驗(yàn)例1相同的條件照射能量射線，W降低粘著劑層對(duì)被粘面的粘著 性。
[0180] 接著，除了將被粘面從不誘鋼試驗(yàn)板表面變更為上述娃晶圓的鏡面之外，WJIS Z0237:2000為基準(zhǔn)進(jìn)行了 180°剝離試驗(yàn)。將通過該試驗(yàn)而測定的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片 材的粘著力作為該片材的照射后粘著力。照射后粘著力的測定結(jié)果于表1中示出。
[0181] [試驗(yàn)例4]<拾取力的測定>
[0182] 利用研磨裝置(DISCO Co.，Ltd.制"DFG854(T)對(duì)娃晶圓（直徑153mm、厚度650皿） 進(jìn)行磨削直至厚度為100皿。將在實(shí)施例W及比較例中制造的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材 分別貼附于娃晶圓的磨削面。并且，將半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的粘著劑層側(cè)的面也貼 附于環(huán)狀框架，該環(huán)狀框架為W內(nèi)部包含娃晶圓的方式配置的環(huán)狀?yuàn)A具。
[0183] 接著，利用切割裝置(Tokyo Seimitsu Co.，Ltd.制"A-WD-4000B")，并利用作為切 割刀片的DISCO Co.，Ltd.制"NBC-ZH2050 27皿CC'，對(duì)半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材進(jìn)行切 入20μπι的全切加工，由此將娃晶圓切割成lOmmX 10mm的晶片尺寸。
[0184] 在切割之后，將半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材在23°C、相對(duì)濕度為50%的環(huán)境下放 置了 24小時(shí)。其后，從基材面W與試驗(yàn)例1相同的條件將能量射線照射于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加 工用片材，W降低粘著劑層對(duì)娃晶圓的磨削面的粘著性。
[0185] 接著，將圓筒狀的夾具推到半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的基材側(cè)的面中的、環(huán)狀 框架的內(nèi)周與晶圓周端部之間的區(qū)域。并且，拉下該環(huán)狀框架2mm，W使半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加 工用片材伸長。
[0186] 照射能量射線之后，使上頂銷接觸于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的基材面并拾取 晶片。上頂銷數(shù)量為4個(gè)，銷位置為1邊8mm的正方形的頂點(diǎn)。銷的上頂量為1.5mm，上頂速度 為0.3mm/秒。在W上條件下進(jìn)行拾取時(shí)，將施加于上頂銷的最大負(fù)載(單位:N)作為拾取力。 拾取力的測定結(jié)果于表1示出。
[0187] [試驗(yàn)例引 < 帶保護(hù)膜晶片的粘接可靠性試驗(yàn)>
[0188] 為了評(píng)價(jià)從半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材轉(zhuǎn)移到被粘物的物質(zhì)對(duì)包含晶片的產(chǎn)品 帶來的影響，進(jìn)行了如下模擬試驗(yàn)。
[0189] 將實(shí)施例W及比較例中所制造的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材分別貼附于娃晶圓 (#2000研磨產(chǎn)品，厚度:350μπι)上，并在23°C、相對(duì)濕度為50%的環(huán)境下放置了 1天。對(duì)放置 后的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，W與試驗(yàn)例1相同的條件照射能量射線，W降低粘著劑層 對(duì)娃晶圓的研磨面的粘著性。
[0190] 其后，剝離半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，并利用貼片機(jī)化intec Corporation制 "RAD3600F/12")將保護(hù)膜形成用膠帶化intec Corporation制"Adwill LC285022" )W70°C 加熱貼附于通過所述剝離而露出的娃晶圓表面，獲得保護(hù)膜形成用膠帶和娃晶圓的層疊結(jié) 構(gòu)體。在13(TC的氣氛下對(duì)此層疊結(jié)構(gòu)體進(jìn)行加熱2小時(shí)，由此使保護(hù)膜形成用膠帶固化，從 而獲得保護(hù)膜。
[0191] 利用貼片機(jī)化intec Corporation制"RAD2700F/12Sa")將切割膠帶化intec Corporation制"Adwill D-686H")貼附于由此獲得的保護(hù)膜的表面。接著，利用切割裝置 (DISCO Co .，Ltd.制可FD65T )將帶保護(hù)膜娃晶圓切割為3mmX 3mm的帶保護(hù)膜晶片。接著， 拾取切割膠帶上的帶保護(hù)膜晶片。
[0192] 將通過上述方法而獲得的帶保護(hù)膜晶片在125Γ氣氛下加熱24小時(shí)。接著，通過在 溫度85°C、相對(duì)濕度85%的環(huán)境下放置168小時(shí)而吸濕之后，在預(yù)熱160°C下，進(jìn)行3次最高 溫度成為260°C加熱時(shí)間1分鐘的IR回流焊（回流焊爐：Sagami Pol5Ttechnic Inc.制"Wk 15-20DNX型"）。其后，將-65°C與150°C之間的溫度變化于各溫度下交替保持10分鐘的循環(huán) 重復(fù)進(jìn)行1000個(gè)循環(huán)(使用裝置:Espec Inc.制，小型冷熱沖擊裝置）。
[0193] 為了評(píng)價(jià)帶保護(hù)膜晶片中的保護(hù)膜的粘接可靠性，利用掃描型超聲波探傷裝置 巧itachi Conshuction Machinery Fine Tech制 "Hye-Fo州S")對(duì)保護(hù)膜的粘接狀態(tài)進(jìn)行 了觀察。從在帶保護(hù)膜晶片的端部是否存在保護(hù)膜剝離的角度進(jìn)行了粘接可靠性的評(píng)價(jià)。 當(dāng)觀察到的帶保護(hù)膜晶片的端部上不存在保護(hù)膜的剝離的情況下設(shè)為"A"(良好），存在的 情況下設(shè)為"B"(不良）。評(píng)價(jià)結(jié)果于表1中示出。
[0194] [試驗(yàn)例6 ]<對(duì)凹凸的追隨性的確認(rèn)>
[0195] 從實(shí)施例6~9中制作的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材剝離出剝離片，并利用貼附裝 置化intec Corporation制"RAD-3510F/12")將露出的粘著劑層的表面貼附于形成有2行5 列直徑2祉m、間距35μηι、局度12μηι的凹凸的晶圓。貼附裝置的條件如下。
[0196] 壓入量:15皿
[0197] 突出量:150μπι
[019引貼附應(yīng)力:0.35MPa
[0199] 貼附速度:5mm/秒
[0200] 貼附溫度:23°C
[0201] 從半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的基材側(cè)的面觀察凹凸周邊的粘著劑層的貼附狀 態(tài)。具體而言，觀察半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材與晶圓之間產(chǎn)生的氣泡。將上述晶圓的2行5 列的電極設(shè)為1組的情況下，能夠W無氣泡的方式貼入到存在于鄰接組之間的晶圓表面，將 未貼入電極組的內(nèi)側(cè)即35皿間距的晶圓表面的狀態(tài)設(shè)為良好(表1中為"A")，將未貼入鄰接 組之間的情況設(shè)為不良（表1中為"B")。利用數(shù)字光學(xué)顯微鏡化EYENCE制"VHX-1000")進(jìn)行 了觀察。結(jié)果于表1中示出。
[0202] [表1]
[0203]
[0204] 工業(yè)實(shí)用性
[0205] 本發(fā)明的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材能夠適當(dāng)?shù)赜米魍蘧A、TSV晶圓等半導(dǎo)體 相關(guān)構(gòu)件的背面研磨片、保護(hù)片、切割片等。
[0206] 附圖標(biāo)記說明
[0207] 1:半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材 [020引 2:基材
[0209] 3:粘著劑層
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，具備:基材;及粘著劑層，其設(shè)置于所述基材的一 面的上方，所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的特征在于， 所述粘著劑層含有具有能量射線聚合性官能基的能量射線聚合性化合物， 所述能量射線聚合性化合物中的至少一種為具有分枝結(jié)構(gòu)的聚合物即聚合性分枝聚 合物， 將所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的所述粘著劑層側(cè)的面貼附于硅晶圓的鏡面，并將 能量射線照射于所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，以使所述粘著劑層對(duì)所述硅晶圓的鏡面 的粘著性降低之后，將從所述硅晶圓剝離所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材而獲得的、所述 硅晶圓的粘貼過所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的鏡面作為測定對(duì)象面，在25°C、相對(duì)濕 度為50%的環(huán)境下，利用水滴而測定出的相對(duì)于水的接觸角為40°以下。2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，其中， 所述聚合性分枝聚合物的聚苯乙烯換算重均分子量為1〇〇,〇〇〇以下。3. 如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，其中， 所述能量射線聚合性化合物包括聚苯乙烯換算重均分子量為1〇〇,〇〇〇以上的物質(zhì)即聚 合性高分子化合物。4. 如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材，其中， 所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材將所述粘著劑層側(cè)的主面作為測定對(duì)象面，將硅晶圓 的鏡面作為被粘面，并將所述測定對(duì)象面和被粘面進(jìn)行貼合之后，將能量射線照射于所述 粘著劑層，從而降低所述測定對(duì)象面對(duì)所述被粘面的粘著性之后，以JIS Z0237:2000為基 準(zhǔn)進(jìn)行180°剝離試驗(yàn)時(shí)測定出的粘著力為100mN/25mm以下。5. -種晶片的制造方法，其特征在于，具備： 貼附工序，將權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的所述粘著劑 層側(cè)的面貼附于半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件的一面； 分割工序，將所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材上的所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件進(jìn)行分割，獲 得粘貼于所述粘著劑層的多個(gè)晶片； 照射工序，將能量射線照射于所述粘著劑層，從而降低所述粘著劑層對(duì)粘貼于所述粘 著劑層的所述多個(gè)晶片表面的粘著性;及 拾取工序，從所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件加工用片材的粘著劑層分離出所述多個(gè)晶片，獲得 單個(gè)的晶片。6. 如權(quán)利要求5所述的制造方法，其中， 所述半導(dǎo)體相關(guān)構(gòu)件具備具有貫通電極的硅晶圓。
【文檔編號(hào)】C09J201/02GK106062928SQ201580011622
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年3月2日 公開號(hào)201580011622.7, CN 106062928 A, CN 106062928A, CN 201580011622, CN-A-106062928, CN106062928 A, CN106062928A, CN201580011622, CN201580011622.7, PCT/2015/56042, PCT/JP/15/056042, PCT/JP/15/56042, PCT/JP/2015/056042, PCT/JP/2015/56042, PCT/JP15/056042, PCT/JP15/56042, PCT/JP15056042, PCT/JP1556042, PCT/JP2015/056042, PCT/JP2015/56042, PCT/JP2015056042, PCT/JP201556042
【發(fā)明人】高麗洋佑, 西田卓生, 坂本美紗季
【申請人】琳得科株式會(huì)社