太陽(yáng)能電池的制造方法以及太陽(yáng)能電池的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的特征在于，包括：在n型硅基板(1)的一主面?zhèn)刃纬蓀型擴(kuò)散層(2)并形成具有pn結(jié)的n型硅基板(1)的工序；在n型硅基板的第1主面以及第2主面中的作為n型的受光面1A側(cè)的表面作為鈍化膜形成氧化硅膜(5)與氮化硅膜的層疊膜的工序；在鈍化膜形成開(kāi)口區(qū)域(9)的工序；對(duì)鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域(9)將鈍化膜作為掩模來(lái)擴(kuò)散n型雜質(zhì)并形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域(11)的工序；以及在暴露于鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域(9)的所述高濃度擴(kuò)散區(qū)域(11)選擇性地形成金屬電極(13)的工序。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
太陽(yáng)能電池的制造方法以及太陽(yáng)能電池
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池的制造方法以及太陽(yáng)能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在單晶硅基板等第I導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體基板表面形成有第2導(dǎo)電類(lèi)型的擴(kuò)散層的晶體太陽(yáng)能電池單元中，為了提高光電變換效率，大多使用選擇發(fā)射極結(jié)構(gòu)。選擇發(fā)射極結(jié)構(gòu)是如下結(jié)構(gòu):在半導(dǎo)體基板表面形成的擴(kuò)散層中，形成有在與電極連接的區(qū)域選擇性地具有高于周?chē)谋砻骐s質(zhì)濃度的發(fā)射極區(qū)域。通過(guò)設(shè)為選擇發(fā)射極結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體基板與電極的歐姆接觸電阻降低，填充因子(fill factor)提高。而且，在發(fā)射極區(qū)域中，通過(guò)使雜質(zhì)以高濃度擴(kuò)散，與電極連接的區(qū)域處的電場(chǎng)效應(yīng)提高，能夠抑制載流子的再結(jié)合，從而有助于開(kāi)路電壓的提高。
[0003]例如專(zhuān)利文獻(xiàn)I那樣，公開(kāi)了在背面接合型太陽(yáng)能電池中利用摻雜膏選擇性地形成高濃度的雜質(zhì)擴(kuò)散層的方法。
[0004]另外，作為經(jīng)由在硅基板界面形成的鈍化膜或者防反射膜將金屬電極連接到雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域的方法，還提出了以基于800°C左右的高溫加熱燒制的燒穿(fire-through)來(lái)進(jìn)行連接的方法。
[0005]或者還公開(kāi)了如專(zhuān)利文獻(xiàn)2、3那樣用蝕刻膏使鈍化膜開(kāi)口并在開(kāi)口區(qū)域形成金屬電極的技術(shù)。
[0006]專(zhuān)利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)2008-186927號(hào)公報(bào)
[0007]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2013-004831號(hào)公報(bào)
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)2013-004832號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]然而，根據(jù)上述以往的技術(shù)，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2、3中，通過(guò)與作為高雜質(zhì)濃度的高濃度擴(kuò)散區(qū)域的發(fā)射極區(qū)域相配合地利用蝕刻膏涂敷進(jìn)行開(kāi)口、進(jìn)而印刷金屬電極，也形成有選擇發(fā)射極結(jié)構(gòu)。在該方法中，為了配合高濃度擴(kuò)散區(qū)域、利用蝕刻膏形成的開(kāi)口區(qū)域以及金屬電極的設(shè)計(jì)掩模圖案的對(duì)準(zhǔn)，需要將高濃度擴(kuò)散區(qū)域的范圍取寬。在高濃度擴(kuò)散區(qū)域中，能夠通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)提高對(duì)發(fā)電有貢獻(xiàn)的少數(shù)載流子在結(jié)界面處的鈍化效應(yīng)，但是另一方面，在雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)通過(guò)太陽(yáng)光所生成的載流子在高濃度擴(kuò)散區(qū)域處再結(jié)合而對(duì)光變換沒(méi)有貢獻(xiàn)。因而，需要在獲得由結(jié)界面處的電場(chǎng)引起的鈍化效應(yīng)、以及減少歐姆接觸電阻的基礎(chǔ)上，將高濃度擴(kuò)散區(qū)域設(shè)計(jì)于與金屬電極相同的區(qū)域。
[0010]特別是為了形成P型的擴(kuò)散層，能夠在形成Al電極之后通過(guò)高溫?zé)苼?lái)與鈍化膜的燒穿同時(shí)地形成高濃度的P+層。然而，在形成高濃度的η型的擴(kuò)散層、S卩n+層的情況下，難以通過(guò)金屬電極的燒制來(lái)使磷等η型雜質(zhì)擴(kuò)散。因此，需要采取如下的方法:在通過(guò)利用擴(kuò)散三氯氧磷(POCl3)的氣相擴(kuò)散、利用包含磷的摻雜膏的擴(kuò)散并且利用離子注入的擴(kuò)散等來(lái)形成高濃度的η+層之后形成金屬電極等。
[0011]本發(fā)明是鑒于以上內(nèi)容而作出的，其目的在于獲得一種能夠在金屬電極形成區(qū)域選擇性地形成n+型的高濃度的擴(kuò)散區(qū)域、光電變換效率高的太陽(yáng)能電池。
[0012]為了解決上述的課題、達(dá)成目的，本發(fā)明的特征在于包括如下工序:在第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板的一主面?zhèn)刃纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體區(qū)域，形成具有pn結(jié)的硅基板;在硅基板的第I主面以及第2主面中的作為η型的第I主面?zhèn)鹊谋砻嫘纬赦g化膜;在鈍化膜形成開(kāi)口區(qū)域;對(duì)于鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域?qū)⑩g化膜設(shè)為掩模，使η型雜質(zhì)擴(kuò)散，形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域；以及在暴露于鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域的所述高濃度擴(kuò)散區(qū)域選擇性地形成集電電極。
[0013]根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得能夠在金屬電極形成區(qū)域選擇性地形成η+型的高濃度的擴(kuò)散區(qū)域并且光電變換效率高的太陽(yáng)能電池。
【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是示意性地表示實(shí)施方式I的太陽(yáng)能電池的圖，(a)是俯視圖，(b)是(a)的A-A’截面圖。
[0015]圖2(a)?(d)是表示實(shí)施方式I的太陽(yáng)能電池的制造工序的工序截面圖。
[0016]圖3(a)?(d)是表示實(shí)施方式I的太陽(yáng)能電池的制造工序的工序截面圖。
[0017]圖4(a)?(C)是表示實(shí)施方式I的太陽(yáng)能電池的制造工序的工序截面圖。
[0018]圖5是表示實(shí)施方式I的鈍化膜的開(kāi)口用掩模的圖。
[0019]圖6是表示實(shí)施方式I的太陽(yáng)能電池以及比較例的太陽(yáng)能電池的特性的測(cè)量結(jié)果的圖。
[0020]圖7是示意性地表示實(shí)施方式2的太陽(yáng)能電池的截面圖。
[0021]圖8(a)?(C)是表示實(shí)施方式2的太陽(yáng)能電池的制造工序的工序截面圖。
[0022]圖9(a)?(C)是表示實(shí)施方式2的太陽(yáng)能電池的制造工序的工序截面圖。
[0023]圖10(a)?(C)是表示實(shí)施方式3的太陽(yáng)能電池的制造工序的工序截面圖。
[0024]圖11(a)?(C)是表示實(shí)施方式3的太陽(yáng)能電池的制造工序的工序截面圖。
[0025]圖12是在實(shí)施方式4的太陽(yáng)能電池的制造方法中使用的蝕刻膏用掩模的俯視圖。
[0026]圖13是示意性地表示用實(shí)施方式4的太陽(yáng)能電池的制造方法形成的太陽(yáng)能電池的俯視圖。
[0027]圖14(a)是圖13的B-B’截面圖，(b)是圖13的C-C’截面圖。
[0028]圖15是表示在實(shí)施方式4的太陽(yáng)能電池的制造方法中使用的蝕刻膏用掩模的變形例的俯視圖。
[0029]圖16是在實(shí)施方式5的太陽(yáng)能電池的制造方法中使用的蝕刻膏用掩模的俯視圖。
[0030]圖17是表示在實(shí)施方式5的太陽(yáng)能電池的制造方法中使用的金屬電極形成的掩模形狀的圖。
[0031]圖18是示意性地表示用實(shí)施方式5的太陽(yáng)能電池的制造方法形成的太陽(yáng)能電池的圖，(a)是與圖13的B-B’截面圖相當(dāng)?shù)慕孛鎴D，(b)是與圖13的C-C’截面圖相當(dāng)?shù)慕孛鎴D。
[0032]圖19是示意性地表示用實(shí)施方式6的太陽(yáng)能電池的制造方法形成的太陽(yáng)能電池的圖，(a)是與圖13的B-B’截面圖相當(dāng)?shù)慕孛鎴D，(b)是與圖13的C-C’截面圖相當(dāng)?shù)慕孛鎴D。
[0033](附圖標(biāo)記說(shuō)明)
[0034]I:η型硅基板；IA:受光面；IB:背面；IF:表面加工部；IT:紋理;2:P型擴(kuò)散層;4:氧化硅膜;5:氧化硅膜;6:氮化硅膜;7:氮化硅膜;8:蝕刻膏;8a:蝕刻膏殘?jiān)?9:開(kāi)口區(qū)域；10:摻雜膏；11:高濃度擴(kuò)散區(qū)域；12:金屬電極；13:金屬電極；14:掩模；15:柵電極用的開(kāi)口 ；16:匯流電極用的開(kāi)口 ； 17:對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記；21:基礎(chǔ)層；22:金屬電極；23:金屬電極；30a:掩模；30b:掩模;30c:掩模;31a:對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;31c:對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;32a:柵電極用的開(kāi)口； 32b:柵電極用的開(kāi)口； 32c:柵電極用的開(kāi)口； 33b:匯流電極用的開(kāi)口 ； 40b:掩模;43b:匯流電極用的開(kāi)口 ；50: η型硅基板;51:對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記;52:柵電極;53:匯流電極;54:匯流電極。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面，根據(jù)附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的太陽(yáng)能電池的制造方法以及太陽(yáng)能電池的實(shí)施方式。此外，并非通過(guò)該實(shí)施方式來(lái)限定該發(fā)明，能夠在不超出其要旨的范圍內(nèi)適當(dāng)變更。另外，在以下所示的附圖中，為了容易理解，有時(shí)各層或者各部件的比例尺與現(xiàn)實(shí)不同，在各附圖間也是同樣的。另外，即使是俯視圖，有時(shí)為了容易觀看附圖而附加陰影。
[0036]實(shí)施方式1.
[0037]圖1是示意性地表示本發(fā)明的太陽(yáng)能電池的實(shí)施方式I的圖，(a)是俯視圖，(b)是(a)的A-A’截面圖。圖2(a)?(d)、圖3(a)?(d)、圖4(a)?(C)是該太陽(yáng)能電池的制造工序圖。在本實(shí)施方式中，對(duì)作為晶體系太陽(yáng)能電池的一個(gè)例子的擴(kuò)散型太陽(yáng)能電池(下面，有時(shí)稱(chēng)為太陽(yáng)能電池)及其制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0038]在本實(shí)施方式中，在第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板形成第2導(dǎo)電類(lèi)型的擴(kuò)散區(qū)域，在形成有pn結(jié)的硅基板上形成包括氧化硅(S12)膜4、5與氮化硅(SiN)膜6、7的層疊膜的鈍化膜。使用如下結(jié)構(gòu):在作為第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板具有成為受光面IA的第I主面和成為背面IB的第2主面的η型硅基板I，形成P型擴(kuò)散層2作為第2導(dǎo)電類(lèi)型的擴(kuò)散區(qū)域。而且，在受光面IA側(cè)的鈍化膜(S i O2膜5、S i N膜7)形成開(kāi)口區(qū)域9，對(duì)于開(kāi)口區(qū)域9將鈍化膜作為掩模，使η型雜質(zhì)擴(kuò)散，形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域11。并且，以與鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域9對(duì)準(zhǔn)地形成集電電極為特征。這里說(shuō)明使用η型硅基板I作為第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板的情況，但是也可以使用具有P型的導(dǎo)電性的硅基板。作為半導(dǎo)體基板的一個(gè)例子，使用η型的晶體系硅基板。關(guān)于晶體系硅基板，包括單晶硅基板以及多晶硅基板，但是特別優(yōu)選將(100)面設(shè)為表面的單晶硅基板。
[0039]首先，如圖2(a)所示，η型硅基板I優(yōu)選使用例如除去由于切割硅鑄錠所產(chǎn)生的切割損傷后的硅基板。這里，在切割損傷的除去中，例如能夠通過(guò)用氟化氫水溶液(HF)與硝酸(HNO3)的混合酸或者NaOH等堿性水溶液進(jìn)行蝕刻來(lái)進(jìn)行。η型硅基板I的形狀以及大小沒(méi)有被特別限定，但是優(yōu)選厚度設(shè)為80μπι以上400μπι以下。η型硅基板I的表面形狀優(yōu)選例如設(shè)為I邊的長(zhǎng)度為90mm以上160mm以下的四邊形。電阻率優(yōu)選是I.0 Ω.cm以上10.0Ω.cm以下。
[0040]接著，如圖2(b)所示，在η型硅基板I的兩面形成紋理1T。通過(guò)將η型硅基板I浸漬到蝕刻槽之中進(jìn)行濕蝕刻處理。在濕蝕刻處理后，在η型硅基板I的表面上隨機(jī)地形成由高度為8μηι以上21μηι以下且底邊長(zhǎng)為Iym以上30μηι以下的大小的微棱錐形成的紋理1Τ。微棱錐是以硅的(111)面為主而形成的三角棱錐。并且，η型半導(dǎo)體結(jié)區(qū)域的η型硅基板I的背面IB的表面粗糙度例如是0.2nm左右。上述濕蝕刻處理中使用的蝕刻液是在溶解了氫氧化鈉、氫氧化鉀、四甲基氫氧化銨這樣的強(qiáng)堿試劑的溶液中添加有異丙醇等酒精系添加劑、界面活性劑或者原硅酸鈉等硅酸鹽化合物而成的。優(yōu)選蝕刻溫度設(shè)為40°C以上100°C以下，優(yōu)選蝕刻時(shí)間設(shè)為1分鐘以上60分鐘以下。[0041 ]接著，為了清洗η型硅基板I的表面，進(jìn)行以下的第I工序和第2工序。在第I工序中，浸漬到包含濃硫酸和過(guò)氧化氫溶液的清洗液而除去η型硅基板I表面上的有機(jī)物，接著在氫氟酸溶液中除去此時(shí)形成的η型硅基板I上的η型氧化膜。在第2工序中，浸漬到包含鹽酸和過(guò)氧化氫溶液的清洗液而除去金屬雜質(zhì)，在氫氟酸溶液中除去此時(shí)形成在η型硅基板I表面上的氧化膜。重復(fù)進(jìn)行第I工序和第2工序，直至η型硅基板I表面上的有機(jī)污染、金屬污染、微粒的污染充分降低為止。另外，也可以是利用臭氧水的清洗、利用碳酸水的清洗等利用功能水的清洗。
[0042]接著，如圖2(c)所示，在η型硅基板I的背面IB側(cè)使硼擴(kuò)散來(lái)形成P型擴(kuò)散層2SPp+層。作為形成P型擴(kuò)散層2的方法，使用固相擴(kuò)散法。在作為第I主面的受光面IA側(cè)形成包含硼的氧化硅膜即硼玻璃(BSG:Boron Silicate Glass)。在氧化硅膜的成膜中，使用APCVD法(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Depos1t1n:常壓化學(xué)氣相沉積)。成膜中使用的氣體是SiH4、B2H6、02。成膜溫度是400°C以上。BSG的膜厚是10nm?300nm左右。
[0043]之后，為了使硼擴(kuò)散，進(jìn)行900°C以上的高溫退火處理。所使用的裝置是橫型擴(kuò)散爐。在1.0X 11Vcm3以上1.0 X 12Vcm3以下的范圍內(nèi)調(diào)整擴(kuò)散到η型硅基板I的背面IB的硼濃度。
[0044]作為使硼擴(kuò)散的方法，可以使用以B2H6、BC13等為氣體源在高溫電爐中擴(kuò)散的氣層擴(kuò)散法、或者使硼離子化來(lái)注入到η型硅基板I中的離子注入法等。
[0045]接著，如圖2(d)所示，在η型硅基板I的表面作為鈍化膜而形成氧化硅膜4、5。在成膜時(shí)，首先對(duì)η型硅基板I的表面進(jìn)行成膜前的清洗。作為成膜前的清洗，與濕蝕刻之后同樣地進(jìn)行以下的第I工序和第2工序。在第I工序中，用包含濃硫酸和過(guò)氧化氫溶液的清洗液除去η型硅基板I表面的有機(jī)物，接著用HF除去此時(shí)形成的氧化膜。在第2工序中，用包含鹽酸和過(guò)氧化氫溶液的清洗液除去金屬雜質(zhì)，用氫氟酸溶液除去此時(shí)形成的η型硅基板I表面上的氧化膜。重復(fù)進(jìn)行第I工序和第2工序，直至η型硅基板I表面上的有機(jī)污染、金屬污染、微粒的污染充分降低為止。另外，也可以是利用臭氧水的清洗、利用碳酸水的清洗等利用功能水的清洗。
[0046]另外，在形成鈍化膜之前進(jìn)行除去BSG等含硼膜的工序，但是也可以使用在形成BSG等含硼膜的狀態(tài)下在成為非受光面的背面IB側(cè)使磷擴(kuò)散為η型的擴(kuò)散層的方法，也可以使用以POCl3等為氣體源而在高溫電爐中擴(kuò)散的氣相擴(kuò)散法、或者使磷離子化來(lái)注入到硅基板中的離子注入法等。
[0047]然后，通過(guò)干氧化在η型硅基板I的背面IB以及受光面IA這兩面形成氧化硅(S12)膜4、5。利用高溫電爐進(jìn)行干氧化。將高純度的氧送到η型硅基板I上來(lái)形成S12膜4、5。優(yōu)選成膜溫度是900°C以上1200°C以下。優(yōu)選成膜時(shí)間是15分鐘以上60分鐘以下。在1nm以上40nm以下的范圍內(nèi)成膜。Si02作為η型娃基板I表面的鈍化膜而發(fā)揮功能。此外，在η型娃基板I中的硅界面的成膜中，作為鈍化膜也可以使用氧化鋁(Al2O3)、微晶硅薄膜、非晶硅薄膜等?；蛘咭部梢栽O(shè)為與氧化硅膜的層疊膜。
[0048]接著，如圖3(a)所示地在η型硅基板I的受光面IA側(cè)和背面IB側(cè)形成氮化硅(SiN)膜6、7。這些氮化硅膜6、7與氧化硅膜4、5—起承擔(dān)由層疊膜構(gòu)成的鈍化膜的作用。在SiN膜
6、7的成膜中使用APCVD法。成膜中使用的氣體是SiH4、N3、NH3、02。成膜溫度是300°C以上。SiN的膜厚是1nm以上200nm以下左右。
[0049]SiN具有正的固定電荷，因此特別能夠在η型娃基板的η側(cè)的娃界面處進(jìn)一步提高鈍化效應(yīng)。而且，在受光面?zhèn)?，除了高的鈍化效應(yīng)之外還能夠作為防反射膜來(lái)利用。
[0050]接著，將在η型硅基板I的作為形成有P型擴(kuò)散層2S卩P+層的面的相反面的受光面IA成膜為鈍化膜的S12膜5以及SiN膜7的層疊膜蝕刻成任意的圖案。作為蝕刻的方法，首先以任意的圖案對(duì)蝕刻膏8如圖3(b)那樣進(jìn)行絲網(wǎng)印刷。此時(shí)，蝕刻膏8的絲網(wǎng)印刷中使用的掩模14是梳形形狀。例如經(jīng)由圖5中示出俯視圖的具備柵電極用的開(kāi)口 15以及與其垂直的匯流電極用的開(kāi)口 16的掩模14來(lái)進(jìn)行。除此之外，在掩模14的右下部和左上部包括有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記17。在本實(shí)施方式中，使用了十字的標(biāo)記。
[0051]蝕刻膏8能夠使用包含能夠蝕刻上述的層疊膜的蝕刻成分、和作為蝕刻成分以外的成分的水、有機(jī)溶劑以及增粘劑等的蝕刻膏。作為蝕刻成分，使用從磷酸、氟化氫、氟化銨以及氟化氫銨中選擇出的至少一種。
[0052]在印刷了蝕刻膏8之后，以100°C以上的溫度燒制I分鐘以上，對(duì)S12膜5、SiN膜7的層疊膜進(jìn)行蝕刻。此外，用于蝕刻的燒制溫度或者燒制時(shí)間根據(jù)蝕刻膏8的蝕刻成分的組成、S12膜5以及SiN膜7的層疊膜的膜組成而變化。當(dāng)用蝕刻膏8對(duì)S12膜5以及SiN膜7的層疊膜進(jìn)行蝕刻時(shí)，如圖3 (c)所示地形成開(kāi)口區(qū)域9。
[0053]作為蝕刻S12膜5以及SiN膜7的層疊膜的方法，也可以使用光刻或者激光。
[0054]在印刷蝕刻膏8之后，用純水或者濃度1.0%以下的低濃度氫氧化鈉溶液進(jìn)行利用超聲波清洗機(jī)的超聲波清洗，完全除去蝕刻膏8的殘?jiān)４送?，也可以使用包含濃硫酸和過(guò)氧化氫溶液的清洗液、氟化氫酸、臭氧水等功能水。
[0055]接著，在開(kāi)口區(qū)域9使磷擴(kuò)散，形成高濃度的η型擴(kuò)散層即n+層作為高濃度擴(kuò)散區(qū)域11。作為形成n+層的方法，使用摻雜膏10。通過(guò)絲網(wǎng)印刷如圖3(d)那樣涂敷包含磷等η型雜質(zhì)、水、有機(jī)溶劑以及增粘劑等成分的摻雜膏10。當(dāng)通過(guò)涂敷摻雜膏10來(lái)實(shí)施絲網(wǎng)印刷時(shí)，在η型硅基板I的整面實(shí)施印刷。被印刷的區(qū)域是η型硅基板I的整面，因此不需要形成有微細(xì)的圖案的掩模。作為掩模的替代，使用S12膜5以及SiN膜7的層疊膜的開(kāi)口區(qū)域9。
[0056]在涂敷了摻雜膏10之后，以800°C以上的高溫進(jìn)行加熱，使摻雜膏10中包含的磷在開(kāi)口區(qū)域9擴(kuò)散。如圖4(a)所示，在η型硅基板I擴(kuò)散n+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11。所使用的裝置是橫型擴(kuò)散爐。在1.0X 11Vcm3以上1.0X 12Vcm3以下的范圍內(nèi)調(diào)整在η型硅基板I的開(kāi)口區(qū)域9擴(kuò)散的磷濃度。如果小于1.0 X 1017/cm3，則幾乎得不到表面電場(chǎng)效應(yīng)所產(chǎn)生的鈍化效應(yīng)的提高的影響。當(dāng)超過(guò)1.0X 1021/cm3以上時(shí)，俄歇(Auger)再結(jié)合的影響變大，特性下降。關(guān)于作為摻雜膏10的掩模而使用的S12膜5以及SiN膜7的層疊膜，特別是SiN膜7與Si相比，由于磷幾乎沒(méi)有被注入，因此能夠用氟化氫酸的蝕刻來(lái)除去與整體的膜厚相比擴(kuò)散得薄的氮化硅膜7。將作為鈍化膜而使用的S12膜5以及SiN膜7的層疊膜使用為掩模，因此在η型硅基板I上擴(kuò)散有η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11的區(qū)域限于用上述蝕刻膏8開(kāi)口的開(kāi)口區(qū)域
9。在SiN中幾乎不擴(kuò)散摻雜，因此也可以是整面印刷。
[O O5 7 ]作為使磷擴(kuò)散的方法，也可以使用以P O C13、P H3等為氣體源而在高溫電爐中擴(kuò)散的氣相擴(kuò)散法、或者使磷離子化來(lái)注入到硅基板中的離子注入法等。此外，在上述的擴(kuò)散方法中，將S12膜5以及SiN膜7的層疊膜作為掩模層來(lái)使用。
[0058]在印刷了摻雜膏10之后，浸漬到純水中進(jìn)行利用超聲波清洗機(jī)的超聲波清洗，完全除去摻雜膏10的殘?jiān)４送?，也可以使用包含濃硫酸和過(guò)氧化氫溶液的清洗液、臭氧水等功能水。
[0059]特別地，在除去摻雜膏10之后，為了除去SiN膜7的膜中薄薄地?cái)U(kuò)散有磷的區(qū)域，需要進(jìn)行利用氟化氫酸的SiN膜7的蝕刻。特別地，在SiN膜7的膜中擴(kuò)散的深度與η型硅基板I中相比薄，因此蝕刻I Onm左右。氟化氫酸的濃度或者時(shí)間根據(jù)SiN膜7的膜組成而變化。本次以5.0%濃度的氟化氫酸處理30秒。此外，在氣相擴(kuò)散以及離子注入中也需要相同的處理。
[0060]接著，在η型硅基板I的兩面形成金屬電極12、13。首先，如圖4(b)所示地在作為第2主面的背面IB側(cè)形成金屬電極12，與P型擴(kuò)散層2S卩P+層接合。特別地，作為與P型擴(kuò)散層2接合的方法，在用蝕刻膏或者激光開(kāi)口、光刻來(lái)對(duì)S12膜4以及SiN膜6的層疊膜進(jìn)行開(kāi)口之后，對(duì)只包含Al或者包含Al和Ag的混合材料的導(dǎo)電膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來(lái)涂敷。之后，為了在電極接合部形成高濃度的P型擴(kuò)散層2，以600°C以上的高溫進(jìn)行燒制。
[0061]作為接合到P型擴(kuò)散層2的方法，也可以對(duì)只包含Al或者包含Al和Ag的混合材料的導(dǎo)電膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷之后，以700°C以上的高溫?zé)㏒12膜4以及SiN膜6的層疊膜內(nèi)來(lái)接入口 ο
[0062]接著，如圖4(c)那樣在η型硅基板I的受光面IA側(cè)形成金屬電極13來(lái)與n+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11接合。特別地，作為與n+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11接合的方法，將包含Ag的導(dǎo)電膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來(lái)涂敷。關(guān)于掩模，使用與圖5所示的掩模14的線(xiàn)寬相配合地從兩端分別擴(kuò)大在50μπι以?xún)?nèi)的掩模14。上述的圖案考慮了掩模14的對(duì)準(zhǔn)的偏差寬度。此外，上述的導(dǎo)電膏涂敷在η型硅基板I上的η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11的區(qū)域。
[0063]為了降低η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11與金屬電極13的接觸電阻，進(jìn)行燒制。依賴(lài)于導(dǎo)電膏的性質(zhì)，本次在燒制爐中以約200°C進(jìn)行燒制。作為使金屬電極13與高濃度擴(kuò)散區(qū)域11即η+層接合的方法，也能夠應(yīng)用通過(guò)將N1、Ti等金屬鍍敷為種子(Seed)層來(lái)使Ag或者Cu成長(zhǎng)從而在n+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11上形成金屬電極13的方法。通過(guò)使用鍍敷技術(shù)，能夠除去導(dǎo)電膏的絲網(wǎng)印刷所產(chǎn)生的滲出成分的影響，因此能夠在更寬范圍內(nèi)收集光。
[0064]如以上那樣，如圖4(c)所示地制作η型的擴(kuò)散型太陽(yáng)能電池。這里，采取了將作為發(fā)射極層的P+層即P型擴(kuò)散層2設(shè)為背面?zhèn)鹊暮蟀l(fā)射極結(jié)構(gòu)，但是也可以采取將P型擴(kuò)散層2設(shè)為受光面IA側(cè)的前發(fā)射極結(jié)構(gòu)。
[0065]接著，使制作出的η型的擴(kuò)散型太陽(yáng)能電池實(shí)際工作并測(cè)量評(píng)價(jià)發(fā)電特性。將在實(shí)施方式I中制作出的太陽(yáng)能電池作為實(shí)施例1。作為比較，制作出比較例1、2的太陽(yáng)能電池。η型擴(kuò)散區(qū)域的表面積與電極形成區(qū)域的表面積的比率、以及光電變換效率η( %)、開(kāi)路電壓Voc(V)、短路電流Isc(mA/cm2)、填充因子FF( % )的關(guān)系表示在圖6的表格中。
[0066]關(guān)于比較例I所示的結(jié)構(gòu)的η型的擴(kuò)散型太陽(yáng)能電池，在作為鈍化膜的S12膜5以及SiN膜7的層疊膜的成膜之前，對(duì)受光面IA側(cè)的η層用上述的摻雜膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來(lái)使磷擴(kuò)散從而形成有高濃度的η+層即高濃度擴(kuò)散區(qū)域11。所擴(kuò)散的硼濃度與實(shí)施例1相同程度。關(guān)于印刷用的掩模，使用在圖5所示的掩模14的線(xiàn)寬中將兩端分別擴(kuò)大約ΙΟΟμπι的掩模。在通過(guò)摻雜膏使磷擴(kuò)散之后，用上述的工序?qū)12膜5以及SiN膜7的層疊膜進(jìn)行成膜，用經(jīng)由圖5的掩模14形成的蝕刻膏對(duì)S12膜5以及SiN膜7的層疊膜進(jìn)行開(kāi)口。上述以外的工序是按照與實(shí)施例1相同的工序來(lái)制作。
[0067]關(guān)于比較例2所示的結(jié)構(gòu)的η型的擴(kuò)散型太陽(yáng)能電池，在作為鈍化膜的SiO2膜5以及SiN膜7的層疊膜的成膜之前，對(duì)受光面IA側(cè)的η層用上述的摻雜膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來(lái)使磷擴(kuò)散從而形成n+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域。所擴(kuò)散的硼濃度與實(shí)施例1相同程度。關(guān)于印刷用的掩模，使用在圖5的掩模14的線(xiàn)寬中將兩端分別擴(kuò)大約200μπι的掩模。上述以外的工序按照與比較例I相同的工序來(lái)制作。
[0068]如從圖6所示的表格可知，在以高濃度將η型擴(kuò)散層注入到硅基板的情況下，通過(guò)減小η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11與作為電極區(qū)域的金屬電極13的比例，開(kāi)路電壓和短路電流提高。作為開(kāi)路電壓和短路電流提高的主要原因是在雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)由于太陽(yáng)光所生成的載流子在高濃度擴(kuò)散區(qū)域11再結(jié)合，因此不對(duì)光變換有貢獻(xiàn)的情況發(fā)會(huì)影響所致的。但是，當(dāng)沒(méi)有高濃度擴(kuò)散區(qū)域11即η型擴(kuò)散區(qū)域時(shí)，得不到表面的電場(chǎng)效應(yīng)所帶來(lái)的鈍化效應(yīng)，因此開(kāi)路電壓降低，并且與金屬電極13的歐姆接觸電阻變高，導(dǎo)致填充因子的降低。
[0069]在S12膜5以及SiN膜7的層疊膜的成膜之前形成η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11的方法中，需要考慮各工序中的對(duì)準(zhǔn)的偏差，因此需要將η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11的設(shè)計(jì)寬度設(shè)計(jì)得大于電極寬度。因此，在本發(fā)明的方法中，如果形成η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11，則能夠在與電極形成區(qū)域幾乎相同的區(qū)域中形成η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11。
[0070]此外，在實(shí)施方式I中，作為形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域11的η型雜質(zhì)使用了磷，但是不限于磷，也可以使用砷As、銻Sb等其它的5族元素。
[0071]如以上說(shuō)明那樣，根據(jù)本發(fā)明，將鈍化膜作為掩模來(lái)使高濃度的η型雜質(zhì)擴(kuò)散，因此在與硅基板表面和金屬電極的粘接面幾乎相同的區(qū)域形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域。因此，起到能夠使對(duì)光變換沒(méi)有貢獻(xiàn)的高濃度擴(kuò)散區(qū)域與在鈍化膜成膜前擴(kuò)散的情況相比更狹窄這樣的效果。另外，不需要高濃度擴(kuò)散區(qū)域和鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域的掩模設(shè)計(jì)的對(duì)準(zhǔn)，只通過(guò)鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域和金屬電極的掩模設(shè)計(jì)的對(duì)準(zhǔn)就能夠形成選擇發(fā)射極結(jié)構(gòu)。因而根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)ⅵ?型的高濃度的擴(kuò)散區(qū)域形成在幾乎與和金屬電極抵接的區(qū)域相同的區(qū)域，能夠獲得光電變換效率高的太陽(yáng)能電池。
[0072]實(shí)施方式2.
[0073]接著，作為本發(fā)明的實(shí)施方式2說(shuō)明代替通過(guò)印刷形成金屬電極而使用選擇鍍敷法來(lái)形成金屬電極23的太陽(yáng)能電池。該太陽(yáng)能電池的不同點(diǎn)只在于:如圖7所示，受光面IA側(cè)的電極是經(jīng)由基礎(chǔ)層21通過(guò)選擇鍍敷所形成的金屬電極23。即，其特征在于，以與包含S12膜5以及SiN膜7的層疊膜的鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域9相符合的方式形成有基礎(chǔ)層21、和通過(guò)銅的選擇鍍敷所形成的金屬電極23。另外關(guān)于背面IB側(cè)的金屬電極，也由銅鍍敷形成的金屬電極22構(gòu)成。其它部分與實(shí)施方式I相同，因此這里省略說(shuō)明。此外對(duì)相同部位附加了相同標(biāo)記。
[0074]在所述實(shí)施方式I中，如圖3(a)所示地在η型硅基板I的受光面IA側(cè)和背面IB側(cè)形成氮化硅膜(SiN)6、7之后，形成蝕刻膏8，但是在本實(shí)施方式中，如圖8(a)所示地代替蝕刻膏的形成，通過(guò)用于形成開(kāi)口區(qū)域9的光刻來(lái)形成抗蝕劑圖案R。此外，在背面IB側(cè)也形成有整面涂敷的抗蝕劑圖案R。
[0075]接著，通過(guò)將該抗蝕劑圖案R作為掩模進(jìn)行蝕刻，在η型硅基板I的作為形成有P型擴(kuò)散層2S卩P+層的面的相反面的受光面IA蝕刻為在作為鈍化膜形成的S12膜5以及SiN膜7的層疊膜形成開(kāi)口區(qū)域9的任意的圖案。作為蝕刻的方法，既可以是濕蝕刻也可以是干蝕刻，但是使用各向異性蝕刻。此時(shí)，在作為掩模而使用負(fù)型抗蝕劑的情況下，只要是具有實(shí)施方式I的圖5中示出俯視圖的具備柵電極用的開(kāi)口 15和與其垂直的匯流電極用的開(kāi)口 16的圖案的翻轉(zhuǎn)圖案的掩模即可。另一方面在使用正型抗蝕劑的情況下只要使用該掩模即可。
[0076]接著，殘留抗蝕劑圖案R的狀態(tài)下在開(kāi)口區(qū)域9使磷擴(kuò)散，形成高濃度的η型擴(kuò)散層作為高濃度擴(kuò)散區(qū)域11。作為形成η+層的方法，使用摻雜膏10。通過(guò)絲網(wǎng)印刷如圖8(b)那樣涂敷包含磷等η型雜質(zhì)、和水、有機(jī)溶劑以及增粘劑等成分的摻雜膏10。當(dāng)通過(guò)摻雜膏10的涂敷來(lái)實(shí)施絲網(wǎng)印刷時(shí)，在η型硅基板I的整面實(shí)施印刷。印刷的區(qū)域是η型硅基板I的整面，因此不需要形成有微細(xì)的圖案的掩模。作為掩模的替代，使用S12膜5以及SiN膜7的層疊膜的開(kāi)口區(qū)域9。
[0077]涂敷了摻雜膏10之后，以800°C以上的高溫進(jìn)行加熱使摻雜膏10包含的磷在開(kāi)口區(qū)域9擴(kuò)散。如圖8(c)所示，在η型硅基板I擴(kuò)散n+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11。所使用的裝置是橫型擴(kuò)散爐。在1.0X 11Vcm3以上1.0 X 12Vcm3以下的范圍內(nèi)調(diào)整在η型硅基板I的開(kāi)口區(qū)域9擴(kuò)散的磷濃度。如果小于1.0 X 11Vcm3，則幾乎得不到表面電場(chǎng)效應(yīng)所產(chǎn)生的鈍化效應(yīng)的提高的影響。當(dāng)超過(guò)1.0X 12Vcm3時(shí)，俄歇再結(jié)合的影響變大，特性下降。關(guān)于作為摻雜膏10的掩模所使用的S12膜5以及SiN膜7的層疊膜，特別地，SiN膜7與Si相比，磷幾乎沒(méi)有被注入，因此能通過(guò)氟化氫酸的蝕刻來(lái)除去與整體的膜厚相比擴(kuò)散得薄的SiN膜7。將作為鈍化膜使用的S12膜5以及SiN膜7的層疊膜作為掩模來(lái)使用，因此在η型硅基板I上擴(kuò)散有η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11的區(qū)域被限定為利用上述抗蝕劑圖案R開(kāi)口的開(kāi)口區(qū)域LSiN中幾乎沒(méi)有擴(kuò)散摻雜，因此也可以是整面印刷。
[0078]作為使磷擴(kuò)散的方法，也可以使用以P0C13、PH3等為氣體源而在高溫電爐中擴(kuò)散的氣相擴(kuò)散法、或者使磷離子化來(lái)注入到硅基板中的離子注入法等。此外，在上述的擴(kuò)散方法中，將S12膜5以及SiN膜7的層疊膜作為掩模層來(lái)使用。
[0079]印刷摻雜膏10之后，浸漬到純水中進(jìn)行利用超聲波清洗機(jī)的超聲波清洗，完全地除去摻雜膏1的殘?jiān)?。此外，也可以使用包含濃硫酸和過(guò)氧化氫溶液的清洗液、臭氧水等功能水。
[0080]特別地，在除去摻雜膏10之后，為了除去SiN膜7的膜中薄薄地?cái)U(kuò)散有磷的區(qū)域，需要進(jìn)行基于氟化氫酸的SiN膜7的蝕刻。特別是在SiN膜7的膜中擴(kuò)散的深度與η型硅基板I中相比薄，因此蝕刻1nm左右。氟化氫酸的濃度或者時(shí)間根據(jù)SiN膜7的膜組成而變化。本次用5.0%濃度的氟化氫酸處理30秒。此外，在氣相擴(kuò)散以及離子注入中也需要相同的處理。
[0081]接著，在η型硅基板I的兩面形成金屬電極22、23。首先，如圖9(a)所示在作為第I主面的受光面IA側(cè)通過(guò)噴鍍來(lái)形成包含Ni層和Cu層這2層膜的基礎(chǔ)層21。
[0082]然后剝離抗蝕劑圖案R。此時(shí)抗蝕劑圖案R上的基礎(chǔ)層21被除去，如圖9(b)所示地只在開(kāi)口區(qū)域9內(nèi)形成基礎(chǔ)層21。
[0083]之后，如圖9(c)所示地將該基礎(chǔ)層21作為種子層通過(guò)電解鍍敷來(lái)形成包含Cu鍍敷層的金屬電極23。
[0084]然后，在第2主面IB側(cè)也形成金屬電極22，形成圖7所示的太陽(yáng)能電池。關(guān)于金屬電極23，也可以與實(shí)施方式I同樣地設(shè)為印刷電極，還可以設(shè)為鍍敷電極。
[0085]這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)將以金屬膜形成的基礎(chǔ)層作為種子層來(lái)進(jìn)行鍍敷，能夠形成金屬電極。與印刷電極相比能夠形成更高精度的電極圖案。
[0086]另外，作為基礎(chǔ)層，也可以使用N1、Ti或者層疊膜。并且通過(guò)將這些基礎(chǔ)層作為種子(Seed)層來(lái)鍍敷Ag或者Cu等金屬，從而在n+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11上使選擇鍍敷層成長(zhǎng)來(lái)形成即可。作為基礎(chǔ)層的成膜方法不限于噴鍍法，也可以使用無(wú)電解鍍層。在這種情況下，能夠在殘留用于鈍化膜的圖案形成的抗蝕劑圖案的狀態(tài)下浸漬到鍍敷液中，從而只在開(kāi)口區(qū)域9形成包含無(wú)電解鍍層的基礎(chǔ)層。
[0087]而且，通過(guò)使用將該無(wú)電解鍍層作為基礎(chǔ)層進(jìn)行鍍敷的電極形成，還能夠同時(shí)形成第I以及第2主面這兩面。
[0088]實(shí)施方式3.
[0089]接著使用圖10的太陽(yáng)能電池制造工序圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式3。該方法是除了對(duì)開(kāi)口區(qū)域9而用蝕刻膏只選擇性地蝕刻S12膜5以及SiN膜7的層疊膜的方法之外還將開(kāi)口區(qū)域9作為掩模來(lái)加工η型硅基板I的紋理IT的方法。在本實(shí)施方式中，用蝕刻膏8蝕刻S12膜5以及SiN膜7的層疊膜來(lái)形成開(kāi)口區(qū)域9之后，使用高濃度的堿溶液來(lái)進(jìn)一步除去蝕刻膏殘?jiān)?a，并且加工η型硅基板I的紋理1Τ。其它部分與實(shí)施方式I相同，因此這里省略說(shuō)明。此外對(duì)相同部位附加相同標(biāo)記。
[0090]在實(shí)施方式I中，使用了如下方法:用蝕刻膏8形成開(kāi)口區(qū)域9之后，用純水或者濃度1.0%以下的低濃度的氫氧化鈉溶液進(jìn)行超聲波清洗來(lái)除去蝕刻膏殘?jiān)舛?.0%以下的低濃度的氫氧化鈉溶液是具有選擇性以避免氮化硅膜(SiN)6、7以及η型硅基板I的紋理IT被蝕刻的溶劑，能夠在維持開(kāi)口區(qū)域9內(nèi)的紋理形狀以及大小的狀態(tài)除去蝕刻膏殘?jiān)?br>[0091]然而，如圖10(c)所示，在通過(guò)蝕刻膏8蝕刻了S12膜5、SiN膜7的層疊膜的情況下，為了提高加工精度需要以100°c以上的高溫?zé)?。此時(shí)，有時(shí)殘存作為蝕刻膏8的蝕刻成分以外的成分的有機(jī)溶劑以及增粘劑等反應(yīng)生成物等的蝕刻膏殘?jiān)?a。在開(kāi)口區(qū)域9內(nèi)殘存蝕刻膏殘?jiān)?a的情況、在使之后形成的含有磷的摻雜膏在開(kāi)口區(qū)域9擴(kuò)散的情況下，在η型硅基板I內(nèi)不進(jìn)行足夠的擴(kuò)散而接觸電阻增加，成為特性下降的主要原因。因此，需要可靠地除去蝕刻膏殘?jiān)?a。
[0092]在實(shí)施方式3中，如圖10(a)?(c)所示地印刷了蝕刻膏8之后，以100°C以上的溫度燒制I分鐘以上來(lái)蝕刻S12膜5、SiN膜7的層疊膜時(shí)形成開(kāi)口區(qū)域9，但是在硅表面殘存蝕刻膏殘?jiān)?a。因此，在形成開(kāi)口區(qū)域9之后，用高濃度的堿溶液來(lái)完全地除去蝕刻膏殘?jiān)?a、并且加工η型硅基板I的紋理IT。例如，作為高濃度的堿溶液，能夠使用氫氧化鉀(KOH)、四甲基氫氧化銨(ΤΜΑΗ)等與S iN膜7相比硅的蝕刻速率快的堿溶液。另外，優(yōu)選在上述處理中使用的蝕刻液的濃度2 %以上30 %以下的范圍內(nèi)蝕刻溫度是40 °C以上100 °C以下，優(yōu)選蝕刻時(shí)間是I分鐘以上30分鐘以下左右。如圖11(a)所示，形成加工有開(kāi)口區(qū)域9內(nèi)的η型硅基板I的紋理IT的表面加工部1F。作為該加工條件，能夠進(jìn)行基于蝕刻時(shí)間的控制，但是還希望加工成硅基板的波長(zhǎng)700nm的光反射率為20%以上。通過(guò)將光反射率設(shè)為20%以上，與其它的區(qū)域相比表面加工部IF的視覺(jué)辨認(rèn)性變高，在電極形成時(shí)能夠?qū)⒈砻婕庸げ縄F作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來(lái)使用，對(duì)位變得容易。
[0093]接著，在開(kāi)口區(qū)域9涂敷并擴(kuò)散摻雜膏10，形成高濃度的η型擴(kuò)散層即n+層作為高濃度擴(kuò)散區(qū)域11。作為掩模的替代，使用S12膜5以及SiN膜7的層疊膜的開(kāi)口區(qū)域9，因此當(dāng)實(shí)施絲網(wǎng)印刷時(shí)不需要形成有微細(xì)的圖案的掩模。此時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)表面加工部IF與絲網(wǎng)印刷用掩模的開(kāi)口的高精度的對(duì)位，因此能夠容易地在開(kāi)口區(qū)域9內(nèi)選擇性地形成電極。除此之外，能夠通過(guò)噴墨、噴鍍等公知技術(shù)來(lái)制作，但是從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)更優(yōu)選絲網(wǎng)印刷。在使用噴墨、噴鍍等來(lái)形成電極時(shí)，能夠?qū)⒂糜诠灿秒姌O形成用膏的供給噴嘴高精度地與表面加工部IF對(duì)位，因此能夠?qū)崿F(xiàn)圖案精度的提高以及作業(yè)性能的提高。將作為鈍化膜來(lái)使用的S12膜5以及SiN膜7的層疊膜和開(kāi)口區(qū)域9作為掩模來(lái)使用，因此如圖11 (b)所示在η型硅基板I上擴(kuò)散有η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11的區(qū)域被限定于用上述蝕刻膏8開(kāi)口的開(kāi)口區(qū)域9。
[0094]接著，在η型硅基板I的受光面IA側(cè)形成金屬電極13而與η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11接合。特別地，作為與高濃度擴(kuò)散區(qū)域11接合的方法，將包含Ag的導(dǎo)電膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來(lái)涂敷。此外，上述的導(dǎo)電膏涂敷在η型硅基板I上的η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11的區(qū)域。為了降低高濃度擴(kuò)散區(qū)域11與金屬電極13的接觸電阻，進(jìn)行燒制。也依賴(lài)于導(dǎo)電膏的性質(zhì)，但是本次在燒制爐中以約200°C進(jìn)行燒制。通過(guò)以上，如圖11(c)所示地制作η型的太陽(yáng)能電池。
[0095]如以上說(shuō)明那樣，根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)提高表面加工部IF的光反射率，視覺(jué)辨認(rèn)性進(jìn)一步得到提高，能夠?qū)崿F(xiàn)向開(kāi)口區(qū)域9的電極形成的高精度化。
[0096]實(shí)施方式4.
[0097]在圖1所示的例子中，開(kāi)口區(qū)域9和金屬電極13的圖案形狀設(shè)為除了圖案寬度不同以外相同，但是在實(shí)施方式4中開(kāi)口區(qū)域9和金屬電極13的圖案形狀不同。即，只在開(kāi)口區(qū)域9中的平行排列多個(gè)的柵電極形成區(qū)域形成開(kāi)口區(qū)域、在垂直于柵電極形成區(qū)域的與匯流電極相當(dāng)?shù)拇值膶挾鹊膮^(qū)域不形成開(kāi)口，關(guān)于金屬電極13，與實(shí)施方式I相同地設(shè)為包含柵電極和垂直于柵電極的粗的寬度的匯流電極的結(jié)構(gòu)。
[0098]圖12是實(shí)施方式4的太陽(yáng)能電池的制造方法中使用的蝕刻膏用掩模的俯視圖。圖13是示意性地表示以實(shí)施方式4的太陽(yáng)能電池的制造方法形成的太陽(yáng)能電池的俯視圖，圖14(a)是圖13的Β-Β’截面圖，圖14(b)是圖13的C-C’截面圖。在圖14(b)中，表示只有I個(gè)柵電極52的區(qū)域，省略了其它部分，但是排列有多根柵電極52。在實(shí)施方式4的太陽(yáng)能電池中，在η型硅基板50上形成有柵電極52和匯流電極53，在左上形成有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記51。
[0099]在實(shí)施方式4中，使用圖12所示的蝕刻膏用掩模形狀來(lái)形成開(kāi)口部，使用圖5所示的金屬電極形成的掩模形狀來(lái)形成金屬電極。圖12所示的蝕刻膏用掩模30a是以在柵電極形成區(qū)域形成固定的間隔互相平行排列的多根開(kāi)口圖案，在端部具有成為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31a的十字狀的開(kāi)口和平行的多根柵電極用的開(kāi)口 32a。
[0100]通過(guò)使用圖12所示的蝕刻膏用掩模形狀來(lái)形成開(kāi)口部，形成只在柵電極形成區(qū)域開(kāi)口、不在匯流電極形成區(qū)域開(kāi)口的鈍化膜的圖案。并且，經(jīng)由該鈍化膜的圖案的開(kāi)口區(qū)域?qū)诫s膏涂敷、擴(kuò)散來(lái)形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域11。這里作為掩模的替代，使用包含S12膜5以及SiN膜7的層疊膜的鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域，因此當(dāng)實(shí)施絲網(wǎng)印刷時(shí)，不需要形成有微細(xì)的圖案的掩模。并且在其上層形成柵電極52以及匯流電極53。這樣，在作為鈍化膜的S12膜5、SiN膜7的層疊膜上的一部分形成作為不與高濃度擴(kuò)散區(qū)域11連接的金屬電極的匯流電極53。這樣形成的太陽(yáng)能電池如圖14(a)以及圖14(b)所示地受光面IA側(cè)的集電電極包含柵電極52、和垂直于柵電極52的兩根粗的寬度的匯流電極53。該匯流電極53形成在SiN膜7上，不與高濃度擴(kuò)散區(qū)域11抵接。
[0101]如以上那樣，在實(shí)施方式4中，用相同的金屬材料構(gòu)成經(jīng)由高濃度擴(kuò)散區(qū)域11連接的柵電極52、和與柵電極52交叉的匯流電極53，但是匯流電極53形成在作為鈍化膜之一的SiN膜7上。即，在實(shí)施方式4的太陽(yáng)能電池及其制造方法中，匯流電極53下的鈍化膜沒(méi)有開(kāi)口，匯流電極53沒(méi)有直接與高濃度擴(kuò)散區(qū)域11接觸這點(diǎn)是與實(shí)施方式3的太陽(yáng)能電池不同的點(diǎn)。關(guān)于制造工序，除了在掩模圖案的變更以及集電電極形成之前對(duì)表面進(jìn)行蝕刻的工序以外，與實(shí)施方式I相同。關(guān)于其它的工序，與實(shí)施方式I相同，因此這里省略說(shuō)明。此外對(duì)相同部位附加相同標(biāo)記。
[0102]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過(guò)只對(duì)要求高度的圖案精度的線(xiàn)寬細(xì)的柵電極52在蝕刻膏用掩模形成開(kāi)口來(lái)實(shí)現(xiàn)高精度化，匯流電極53不直接與高濃度擴(kuò)散區(qū)域11相接。因此，即使在為了實(shí)現(xiàn)匯流電極的低成本化并且提高集電性而使用鋁電極與銀電極的層疊膜的情況下，也能夠防止發(fā)生硅與金屬的界面反應(yīng)。
[0103]另外，根據(jù)本實(shí)施方式，在大面積的匯流電極53包含在下層側(cè)配置以Al為主成分的第I層電極、在第I層電極的上層層疊有以Ag為主成分的第2層電極的層疊膜的情況下，不與高濃度擴(kuò)散區(qū)域11相接，因此也沒(méi)有發(fā)生界面反應(yīng)的擔(dān)憂(yōu)，能夠?qū)崿F(xiàn)集電電阻的降低。
[0104]此外，作為變形例，也可以將蝕刻膏用掩模30b如圖15所示地只在匯流電極形成區(qū)域的一部分形成垂直于柵電極形成區(qū)域的匯流電極用的開(kāi)口 33b。圖15所示的蝕刻膏用掩模30b在端部沒(méi)有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在元件區(qū)域具有包含十字狀的匯流電極用的開(kāi)口 33b的平行的多根柵電極用的開(kāi)口 32b。該匯流電極用的開(kāi)口 33b通過(guò)在匯流電極形成區(qū)域的四角分別形成一個(gè)、共四個(gè)使得對(duì)位變得容易。與圖12所示的蝕刻膏用掩模30a相比，只有在端部不形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而形成有平行的多根柵電極用的開(kāi)口 32b和在該柵電極用的開(kāi)口 32b上的4點(diǎn)垂直的匯流電極用的開(kāi)口 33b的點(diǎn)不同。對(duì)此增大用于集電的有效區(qū)域，能夠獲得光電變換效率更高的太陽(yáng)能電池。
[0105]實(shí)施方式5.
[0106]圖16是實(shí)施方式5的太陽(yáng)能電池的制造方法中使用的蝕刻膏用掩模的俯視圖，圖17是表示該金屬電極形成的掩模形狀的圖。圖18是示意性地表示以實(shí)施方式5的太陽(yáng)能電池的制造方法形成的太陽(yáng)能電池的圖，圖18(a)是與圖13的B-B’截面圖相當(dāng)?shù)膱D，圖18(b)是與圖13的C-C’截面圖相當(dāng)?shù)膱D。
[0107]在實(shí)施方式I以及實(shí)施方式4中，作為在η型硅基板I的受光面IA側(cè)形成金屬電極13或者柵電極52來(lái)與η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11接合、特別是與η+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域11接合的方法，將包含Ag的導(dǎo)電膏進(jìn)行絲網(wǎng)印刷來(lái)涂敷。但是，例如也可以如下:將圖16所示的掩模30c設(shè)為蝕刻膏用掩模形狀，將圖12所示的掩模30a、和圖17所示的掩模40b的組合掩模作為金屬電極形成的掩模形狀來(lái)使用。例如將圖12所示的掩模30a設(shè)為柵電極形成用、將圖17所示的掩模40b設(shè)為匯流電極形成用。此時(shí)通過(guò)使由掩模30a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31a所形成的圖案與掩模30c的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記31 c相配合來(lái)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。另外，通過(guò)使由掩模30a的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3Ia所形成的圖案與掩模40b的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記41b相配合來(lái)進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)。
[0108]說(shuō)明使用圖17所示的掩模40b來(lái)形成以Al為主成分的匯流電極54的方法。俯視圖與圖13所示的實(shí)施方式4的太陽(yáng)能電池相同。該太陽(yáng)能電池如圖18(a)以及(b)所示地受光面IA側(cè)的電極由包含經(jīng)由高濃度擴(kuò)散區(qū)域連接的金屬電極的柵電極52和包含形成在SiN膜7上的Al電極的匯流電極54形成、以及在柵電極52和匯流電極54交叉的正下方?jīng)]有形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域這點(diǎn)不同。關(guān)于其它部分，與所述實(shí)施方式I相同，因此這里省略說(shuō)明。此外對(duì)相同部位附加相同標(biāo)記。
[0109]例如將圖15中示出俯視圖的蝕刻膏用掩模30b和圖17中示出俯視圖的蝕刻膏用的掩模40b進(jìn)行組合。此時(shí)，將蝕刻膏用掩模30b的開(kāi)口 32b和形成在與開(kāi)口 32b垂直的匯流電極正下方的匯流電極用的開(kāi)口43b進(jìn)行組合來(lái)形成電極。除此之外，如圖15所示地形成4點(diǎn)包含與開(kāi)口 32b交叉的開(kāi)口 33b的交叉的開(kāi)口部，從而能夠作為匯流電極和柵電極的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來(lái)使用。
[0110]如以上說(shuō)明那樣，在實(shí)施方式5中，形成開(kāi)口區(qū)域的工序包括如下工序:在第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板表面的第I方向平行地形成多個(gè)開(kāi)口區(qū)域;將與開(kāi)口區(qū)域交叉的第2方向設(shè)為未開(kāi)口；在開(kāi)口部的第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板表面擴(kuò)散η型雜質(zhì)來(lái)形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域；以及在開(kāi)口區(qū)域的高濃度擴(kuò)散區(qū)域和非開(kāi)口區(qū)域形成集電電極。
[0111]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠使得在成為大面積區(qū)域的柵電極與匯流電極的交叉部等電極交叉部之下不形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域，集電電極不直接與硅基板連接。因而，能夠抑制電極材料向硅基板的擴(kuò)散，因此能夠沒(méi)有限制地選擇集電電極的形成材料。
[0112]另外，通過(guò)在形成開(kāi)口區(qū)域的工序中形成不連續(xù)部，能夠作為對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來(lái)使用，不需要額外設(shè)置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記形成區(qū)域，因此能夠有效地利用光電變換區(qū)域。
[ΟΙ13]實(shí)施方式6.
[0114]圖19是示意性地表示以實(shí)施方式6的太陽(yáng)能電池的制造方法形成的太陽(yáng)能電池的圖，圖19(a)是與圖13的Β-Β’截面圖相當(dāng)?shù)膱D，圖19(b)是與圖13的C-C’截面圖相當(dāng)?shù)膱D。在圖19(b)中，只示出多根柵電極52中的一個(gè)，省略了其它部分。
[0115]在本實(shí)施方式中，使用與圖12所示的掩模30a相同的蝕刻膏用掩模形狀來(lái)形成開(kāi)口部，但是此時(shí)加大相當(dāng)于與匯流電極的交叉區(qū)域的部分的開(kāi)口部，在交叉區(qū)域?qū)⒔佑|部形成得大，只有這點(diǎn)與實(shí)施方式4不同，其它部分相同地形成。在本實(shí)施方式中，也使用圖5所示的金屬電極形成的掩模形狀。
[0116]用本實(shí)施方式的方法形成的太陽(yáng)能電池與圖14(a)以及圖14(b)所示的用實(shí)施方式4的方法形成的太陽(yáng)能電池相比，在作為受光面IA側(cè)的集電電極的柵電極52與垂直于柵電極52的兩根粗的寬度的匯流電極53的交叉區(qū)域形成有更粗的寬度的開(kāi)口部。成為如下結(jié)構(gòu):與實(shí)施方式4同樣地在高濃度擴(kuò)散區(qū)域11上連接有柵電極52，但是匯流電極53的一部分也進(jìn)入。在其它的部分中與實(shí)施方式4的太陽(yáng)能電池相同，匯流電極53形成在作為鈍化膜之一的SiN膜7上。即，在實(shí)施方式6的太陽(yáng)能電池及其制造方法中，匯流電極53的一部以在與柵電極52的交叉部直接與高濃度擴(kuò)散區(qū)域11接觸的方式進(jìn)入而形成這點(diǎn)是與實(shí)施方式4的太陽(yáng)能電池的制造方法不同的點(diǎn)。關(guān)于制造工序，除了在掩模圖案的變更以及集電電極形成之前對(duì)表面進(jìn)行蝕刻的工序以外與所述實(shí)施方式I相同。關(guān)于其它部分，與所述實(shí)施方式I相同，因此這里省略說(shuō)明。此外對(duì)相同部位附加相同標(biāo)記。
[0117]S卩，鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域沿著柵電極52形成，在匯流電極53與柵電極52的交叉區(qū)域形成得比柵電極寬度大。因此，匯流電極53從開(kāi)口區(qū)域與柵電極52的間隙進(jìn)入，到達(dá)高濃度擴(kuò)散區(qū)域11。
[0118]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，以構(gòu)成匯流電極的金屬的一部分在與柵電極的交叉區(qū)域直接與高濃度擴(kuò)散區(qū)域11接觸的方式進(jìn)入而形成，因此具有不易發(fā)生電極剝離這樣的特征。關(guān)于其它的效果，與實(shí)施方式I?5相同。在本實(shí)施方式的情況下，從防止基板與電極的界面反應(yīng)這樣的觀點(diǎn)考慮，希望匯流電極也使用銀電極。
[0119]如以上那樣，通過(guò)使用實(shí)施方式I?6的方法，能夠不大幅增加工序數(shù)地能夠形成選擇發(fā)射極結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)太陽(yáng)能電池的高效率化。
[0120]另外，在上述實(shí)施方式中，能夠通過(guò)進(jìn)行高濃度擴(kuò)散區(qū)域的形成以及集電電極的形成來(lái)實(shí)現(xiàn)微細(xì)化，因此在受光面?zhèn)忍貏e有效。然而，Pn分離也容易且能夠無(wú)余量地形成，因此對(duì)背面取出型的太陽(yáng)能電池中的n+型的高濃度擴(kuò)散區(qū)域的形成也有效。而且不僅是兩面受光型的太陽(yáng)能電池，還能夠應(yīng)用在背面?zhèn)鹊碾姌O取出。
[0121]此外，在實(shí)施方式I?6中的任意實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體基板能夠應(yīng)用在單晶硅基板、多晶娃基板等晶體系娃基板。
[0122]另外，在實(shí)施方式I?6中，說(shuō)明了將匯流電極設(shè)為兩根的例子，但是當(dāng)然也可以是三根以上，例如當(dāng)然也可以在實(shí)施方式5的結(jié)構(gòu)中組合實(shí)施方式6的結(jié)構(gòu)等對(duì)每個(gè)匯流電極采取結(jié)構(gòu)不同的結(jié)構(gòu)。
[0123]說(shuō)明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但是這些實(shí)施方式是作為例子提示的，沒(méi)有意圖限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其它的各種方式來(lái)實(shí)施，能夠在不超出發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種的省略、替換、變更。這些實(shí)施方式及其變形包含在發(fā)明的范圍內(nèi)、并且包含在權(quán)利要求范圍所述的發(fā)明和與其均等的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于，包括如下工序: 在第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板的一主面?zhèn)刃纬傻?導(dǎo)電類(lèi)型的半導(dǎo)體區(qū)域，形成具有pn結(jié)的娃基板； 在所述硅基板的第I主面以及第2主面中的作為η型的所述第I主面?zhèn)鹊谋砻嫘纬赦g化膜； 在所述鈍化膜形成開(kāi)口區(qū)域； 對(duì)于所述鈍化膜的所述開(kāi)口區(qū)域?qū)⑺鲡g化膜作為掩模來(lái)使η型雜質(zhì)擴(kuò)散，形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域;以及 在暴露于所述鈍化膜的所述開(kāi)口區(qū)域的所述高濃度擴(kuò)散區(qū)域選擇性地形成集電電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于， 在所述鈍化膜形成開(kāi)口區(qū)域的工序包括在應(yīng)該形成所述開(kāi)口區(qū)域的區(qū)域涂敷蝕刻膏的工序。3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于， 所述硅基板是具有第I主面以及第2主面的η型的硅基板， 所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的擴(kuò)散區(qū)域是在第2主面?zhèn)刃纬傻腜型擴(kuò)散區(qū)域， 形成所述高濃度擴(kuò)散區(qū)域的工序是在所述第I主面?zhèn)茸鳛樗靓切碗s質(zhì)選擇性地使磷擴(kuò)散來(lái)形成選擇發(fā)射極區(qū)域的工序。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于， 在1.0 X 117以上且1.0 X 12Vcm3以下的范圍內(nèi)調(diào)整在所述鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域擴(kuò)散的磷濃度。5.根據(jù)權(quán)利要求1?4中的任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于， 形成所述選擇發(fā)射極區(qū)域的工序包括對(duì)所述鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域?qū)⑩g化膜作為掩模來(lái)涂敷摻雜膏的工序、以及進(jìn)行加熱的工序。6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中的任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于， 形成所述集電電極的工序包括: 形成包含金屬膜的種子層的工序；以及 在所述種子層上面形成鍍敷層的工序。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于， 形成所述種子層的工序是形成包含Ni或者Ti的金屬膜的工序， 形成所述鍍敷層的工序包括將Ag或者Cu進(jìn)行鍍敷的工序。8.根據(jù)權(quán)利要求1?7中的任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于， 在形成所述開(kāi)口區(qū)域的工序之后、形成所述高濃度擴(kuò)散區(qū)域的工序之前，包括對(duì)于所述鈍化膜的所述開(kāi)口區(qū)域?qū)⑺鲡g化膜作為掩模來(lái)蝕刻所述第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板表面的一部分的工序。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于， 形成所述開(kāi)口區(qū)域的工序包括: 在所述第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板表面的第I方向平行地形成多個(gè)開(kāi)口區(qū)域的工序;包括將與所述開(kāi)口區(qū)域交叉的第2方向設(shè)為未開(kāi)口的工序，在所述開(kāi)口部的第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板表面使η型雜質(zhì)擴(kuò)散來(lái)形成高濃度擴(kuò)散區(qū)域的工序；以及在所述開(kāi)口區(qū)域的所述高濃度擴(kuò)散區(qū)域和非開(kāi)口區(qū)域形成集電電極的工序。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于， 形成所述開(kāi)口區(qū)域的工序是在所述鈍化膜和所述第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板表面的第I方向平行地形成從表面向厚度方向貫通的所述開(kāi)口區(qū)域的形狀在所述第I方向上具有不連續(xù)部的開(kāi)口區(qū)域的工序。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的太陽(yáng)能電池的制造方法，其特征在于， 形成所述集電電極的工序包括層疊在下層側(cè)以Al主成分的第I層電極和在所述第I層電極的上層以Ag為主成分的第2層電極的工序。12.—種太陽(yáng)能電池，其特征在于，包含: 第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板，具有第I主面以及第2主面； 第2導(dǎo)電類(lèi)型的擴(kuò)散區(qū)域，在所述硅基板的所述第I主面上面形成； 鈍化膜，在所述硅基板的所述第I主面或者第2主面上面形成且具有開(kāi)口區(qū)域； 包含η型雜質(zhì)的高濃度擴(kuò)散區(qū)域，以符合所述鈍化膜的所述開(kāi)口區(qū)域的方式，選擇性地形成在所述第I導(dǎo)電類(lèi)型的硅基板或者所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的擴(kuò)散區(qū)域中的構(gòu)成η型的表面；以及 集電電極，以符合所述鈍化膜的所述開(kāi)口區(qū)域的方式與所述高濃度擴(kuò)散區(qū)域抵接地形成。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于， 所述硅基板是具有第I主面以及第2主面的η型的硅基板， 所述第2導(dǎo)電類(lèi)型的擴(kuò)散區(qū)域是在第2主面?zhèn)刃纬傻腜型擴(kuò)散區(qū)域， 所述高濃度擴(kuò)散區(qū)域是在作為受光面的第I主面?zhèn)冗x擇性地形成的磷的高濃度擴(kuò)散區(qū)域。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于， 在1.0 X 11Vcm3以上且1.0 X 12Vcm3以下的范圍內(nèi)調(diào)整在所述鈍化膜的開(kāi)口區(qū)域擴(kuò)散的磷濃度。15.根據(jù)權(quán)利要求12?14中的任一項(xiàng)所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于， 所述集電電極包含沿著所述高濃度擴(kuò)散區(qū)域形成的柵電極以及與所述柵電極交叉并與所述柵電極連接的匯流電極。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于， 所述匯流電極不與所述高濃度區(qū)域抵接而形成在所述鈍化膜上面。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的太陽(yáng)能電池，其特征在于， 所述鈍化膜的所述開(kāi)口區(qū)域沿著所述柵電極形成，在所述匯流電極與所述柵電極的交叉區(qū)域，所述開(kāi)口區(qū)域的寬度大于所述柵電極寬度， 所述匯流電極從包圍所述開(kāi)口區(qū)域的所述鈍化膜與所述柵電極的間隙到達(dá)所述高濃度區(qū)域。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK106062975SQ201580011463
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2015年3月4日 公開(kāi)號(hào)201580011463.0, CN 106062975 A, CN 106062975A, CN 201580011463, CN-A-106062975, CN106062975 A, CN106062975A, CN201580011463, CN201580011463.0, PCT/2015/56405, PCT/JP/15/056405, PCT/JP/15/56405, PCT/JP/2015/056405, PCT/JP/2015/56405, PCT/JP15/056405, PCT/JP15/56405, PCT/JP15056405, PCT/JP1556405, PCT/JP2015/056405, PCT/JP2015/56405, PCT/JP2015056405, PCT/JP201556405
【發(fā)明人】山林弘也, 白柳裕介
【申請(qǐng)人】三菱電機(jī)株式會(huì)社