基板處理設(shè)備、用于處理基板的方法和基板處理系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】發(fā)明構(gòu)思涉及一種基板處理設(shè)備、一種用于處理基板的方法和一種基板處理系統(tǒng)。所述設(shè)備包括：旋轉(zhuǎn)卡盤，被構(gòu)造成支撐基板；研磨頭，設(shè)置在旋轉(zhuǎn)卡盤上方并被構(gòu)造成研磨由旋轉(zhuǎn)卡盤支撐的基板；以及噴嘴構(gòu)件，包括噴射噴嘴，所述噴射噴嘴被構(gòu)造成將高壓水噴射到由旋轉(zhuǎn)卡盤支撐的基板。噴射噴嘴與基板疊置以將高壓水噴射到基板的邊緣。
【專利說明】基板處理設(shè)備、用于處理基板的方法和基板處理系統(tǒng)
[0001 ] 本專利申請要求于2015年4月21日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2015-0056039號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]發(fā)明構(gòu)思的實施例涉及一種基板處理設(shè)備和一種使用所述基板處理設(shè)備來處理基板的方法。更具體地，發(fā)明構(gòu)思的實施例涉及一種用于處理基板的背面的設(shè)備以及一種使用該設(shè)備來處理基板的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]隨著當(dāng)前技術(shù)發(fā)展，對高性能、高速和更小的電子組件的需求高。為了滿足這些需求，半導(dǎo)體芯片的小型化已經(jīng)成為當(dāng)務(wù)之急。用于實現(xiàn)該目標(biāo)的一種方法是減小在半導(dǎo)體芯片的制造中的半導(dǎo)體晶片的厚度?？赏ㄟ^作為半導(dǎo)體制造工藝的一部分的背面研磨工藝(back grinding process)來減小晶片的厚度，在所述背面研磨工藝中，晶片通過粘合劑粘附到載體。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]發(fā)明構(gòu)思的實施例可提供能夠較少工藝缺陷的基板處理設(shè)備和方法。
[0005]在一個方面，基板處理設(shè)備可包括:旋轉(zhuǎn)卡盤，被構(gòu)造成支撐基板;研磨頭，設(shè)置在旋轉(zhuǎn)卡盤上方并且被構(gòu)造成研磨由旋轉(zhuǎn)卡盤支撐的基板；以及噴嘴構(gòu)件，包括被構(gòu)造成將高壓水噴射到由旋轉(zhuǎn)卡盤支撐的基板的噴射噴嘴。噴射噴嘴可與基板疊置以將高壓水噴射到基板的邊緣。
[0006]在實施例中，當(dāng)從平面圖觀察時，高壓水可在從基板的中心朝著基板的邊緣的方向上噴射，當(dāng)從剖視圖觀察時，高壓水可以以與旋轉(zhuǎn)卡盤的頂表面傾斜的角度噴射。
[0007]在實施例中，噴射噴嘴可通過水噴射法來噴射高壓水。
[0008]在實施例中，高壓水的噴射壓強可以在100巴至800巴的范圍內(nèi)。
[0009]在實施例中，噴嘴構(gòu)件還可包括與旋轉(zhuǎn)卡盤相鄰地設(shè)置的支撐軸、連接到支撐軸并且在基板上方延伸的臂以及結(jié)合到臂以與基板疊置的噴嘴主體。噴射噴嘴可與噴嘴主體全士么云口口 ο
[0010]在實施例中，噴嘴主體可被構(gòu)造成沿著臂在臂的縱向方向上可線性地移動，噴嘴主體還可被構(gòu)造成在與縱向方向垂直的旋轉(zhuǎn)軸上的豎直面中是可旋轉(zhuǎn)的。
[0011]在實施例中，臂可被構(gòu)造成沿著支撐軸的縱向方向可豎直地移動。
[0012]在實施例中，設(shè)備可包括多個噴射噴嘴。
[0013]在實施例中，研磨頭可以是金剛石砂輪或者用于拋光的研磨頭。
[0014]在實施例中，基板處理設(shè)備還可包括在其上安裝旋轉(zhuǎn)卡盤的分度工作臺。旋轉(zhuǎn)卡盤可包括多個旋轉(zhuǎn)卡盤，所述多個旋轉(zhuǎn)卡盤包括以90度間隔安裝在分度工作臺上的第一旋轉(zhuǎn)卡盤、第二旋轉(zhuǎn)卡盤、第三旋轉(zhuǎn)卡盤和第四旋轉(zhuǎn)卡盤，研磨頭可包括分別設(shè)置在第二旋轉(zhuǎn)卡盤、第三旋轉(zhuǎn)卡盤和第四旋轉(zhuǎn)卡盤上方的多個研磨頭。
[0015]在實施例中，設(shè)置在第二旋轉(zhuǎn)卡盤上方的研磨頭可包括被構(gòu)造成執(zhí)行粗略地研磨設(shè)置在其下方的基板的粗研磨工藝的研磨頭。設(shè)置在第三旋轉(zhuǎn)卡盤上方的研磨頭可包括被構(gòu)造成執(zhí)行精細地研磨設(shè)置在其下方的基板的精加工工藝的研磨頭。設(shè)置在第四旋轉(zhuǎn)卡盤上方的研磨頭可包括被構(gòu)造成執(zhí)行使設(shè)置在其下方的基板平坦化的拋光工藝。噴嘴構(gòu)件可以與第二旋轉(zhuǎn)卡盤至第四旋轉(zhuǎn)卡盤中的一個旋轉(zhuǎn)卡盤相鄰地來提供以將高壓水噴射到由所述一個旋轉(zhuǎn)卡盤支撐的基板。
[0016]在實施例中，噴嘴構(gòu)件可以與第二旋轉(zhuǎn)卡盤相鄰地來提供。
[0017]在實施例中，噴嘴構(gòu)件可包括分別與第二旋轉(zhuǎn)卡盤至第四旋轉(zhuǎn)卡盤相鄰地提供的多個噴嘴構(gòu)件。
[0018]在另一方面，用于處理基板的方法可包括下述步驟:通過粘合層將結(jié)合到載體的基板裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤上;執(zhí)行研磨工藝以使基板減薄并且暴露設(shè)置在通過研磨工藝減薄的基板的側(cè)壁上的粘合層；以及將高壓水噴射到暴露的粘合層以去除暴露的粘合層的至少一部分。當(dāng)從平面圖觀察時，高壓水可在從基板的中心朝著基板的邊緣的方向上噴射，當(dāng)從剖視圖觀察時，高壓水可以以與旋轉(zhuǎn)卡盤的頂表面傾斜的噴射角度來噴射。
[0019]在實施例中，可通過水噴射法來噴射高壓水。
[0020]在實施例中，高壓水的噴射壓強可以在100巴至800巴的范圍內(nèi)。
[0021]在實施例中，高壓水的噴射角度可以在45度至60度的范圍內(nèi)。
[0022]在實施例中，基板可包括器件部分和圍繞器件部分的邊緣部分。器件部分可從邊緣部分朝著載體突出第一厚度。粘合層可包括設(shè)置在器件部分與載體之間的第一部分和設(shè)置在邊緣部分與載體之間的第二部分。可通過研磨工藝來去除第二部分，暴露的粘合層可與粘合層的第二部分對應(yīng)。
[0023]在實施例中，第二部分的外側(cè)壁可具有朝著第一部分彎曲的輪廓。
[0024]在實施例中，執(zhí)行研磨工藝的步驟可包括下述步驟:執(zhí)行粗略地研磨基板的粗研磨工藝;執(zhí)行精細地研磨粗研磨后的基板的精加工工藝；以及執(zhí)行使精細研磨后的基板平坦化的拋光工藝?？赏ㄟ^粗研磨工藝去除邊緣部分，作為粗研磨工藝的一部分，可噴射高壓水。
[0025]在實施例中，執(zhí)行粗研磨工藝的步驟可包括執(zhí)行第一粗研磨工藝和第二粗研磨工藝。器件部分可通過第一粗研磨工藝來減薄以具有比第一厚度小的第二厚度，器件部分可通過第二粗研磨工藝來減薄以具有比第二厚度小的第三厚度，可在第一粗研磨工藝之后噴射尚壓水。
[0026]在實施例中，噴射高壓水可與第二粗研磨工藝同時執(zhí)行。
[0027]在實施例中，基板可包括通孔，可通過拋光工藝來暴露通孔的底表面。
[0028]在實施例中，可在同一設(shè)備中執(zhí)行研磨工藝和噴射高壓水。
[0029]在實施例中，可在基板和粘合層之間附加地設(shè)置分離層以將基板結(jié)合到載體。
【附圖說明】
[0030]在下面結(jié)合附圖進行的詳細描述中提供了根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一個或更多個新的且有用的工藝、機械、制造和/或其改進的示例性實施例，在附圖中:
[0031]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的多個方面的基板處理設(shè)備的示意性平面圖。
[0032]圖2是不出圖1的基板處理設(shè)備的不意性側(cè)視圖。
[0033]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的多個方面的噴嘴構(gòu)件的端部的透視圖。
[0034]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的多個方面的高壓水從噴嘴構(gòu)件噴射到基板的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。
[0035]圖5A是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的多個方面的基板處理設(shè)備的透視圖。
[0036]圖5B是示出圖5A的基板處理設(shè)備的修改實施例的平面圖。
[0037]圖6、圖9、圖10、圖12至圖14和圖17至圖20是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的多個方面的用于制造半導(dǎo)體器件的方法的示意性側(cè)視圖。
[0038]圖7是圖6的部分“A”的放大圖。
[0039]圖8是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的多個方面的用于處理基板的方法的流程圖。
[0040]圖11是圖10的部分“B”的放大圖。
[0041 ]圖15和圖16是圖14的部分“A”的放大圖。
[0042]圖21是示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的多個方面制造的半導(dǎo)體器件的封裝模塊的示例的示意性框圖。
[0043]圖22是示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的多個方面制造的半導(dǎo)體器件的電子裝置的示例的示意性框圖。
[0044]圖23是示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的多個方面制造的半導(dǎo)體器件的存儲系統(tǒng)的示例的示意性框圖。
【具體實施方式】
[0045]現(xiàn)在將參照示出了示例性實施例的附圖更充分地描述發(fā)明構(gòu)思的多個方面。然而，發(fā)明構(gòu)思可以以許多不同的形式來實施并且不應(yīng)該被解釋為局限于這里闡述的示例性實施例。附圖標(biāo)記詳細地指示在發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例中，并且它們的示例顯示在附圖中。在任何可能的情況下，在描述和附圖中使用相同的附圖標(biāo)記以表示相同或相似的部件。
[0046]將理解的是，盡管這里使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件，但這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語用于將一個元件與另一元件區(qū)分開，但不意味著元件的必需的順序。例如，在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，第一元件可被稱為第二元件，相似地，第二元件可被稱為第一元件。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或更多個相關(guān)所列項的任何組合和所有組合。
[0047]將理解的是，當(dāng)元件被稱為“在”另一元件“上”、或者“連接”或“結(jié)合”到另一元件時，它可直接在所述另一元件上、或者直接連接或結(jié)合到所述另一元件，或者可存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件“上”、或者“直接連接”或“直接結(jié)合”到另一元件時，不存在中間元件。用于描述元件之間的關(guān)系的其他詞語應(yīng)該以同樣的方式來解讀(例如，“在……之間”與“直接在……之間”，“相鄰”與“直接相鄰”等)O
[0048]在這里使用的術(shù)語僅出于描述具體實施例的目的并且不意圖限制發(fā)明。除非上下文另外清楚地指示，否則如在這里使用的單數(shù)形式“一個”、“一種”和“該(所述)”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在這里使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時，說明存在所述的特征、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或更多個其他特征、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0049]可使用諸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……上面”和“上”等的空間相對術(shù)語來描述如例如在附圖中所示的元件和/或特征與另一元件和/或特征的關(guān)系。將理解的是，除了在附圖中描繪的方位之外，空間相對術(shù)語意圖包括裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在”其他元件或特征“下面”或“之下”的元件隨后將被定位為“在”所述其他元件或特征“上面”。裝置可被另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述語。
[0050]就功能特征、操作和/或步驟在這里被描述或者另外理解為被包括在發(fā)明構(gòu)思的各種實施例中而言，這樣的功能特征、操作和/或步驟可以以功能塊、單元、模塊、操作和/或方法來實施。就這樣的功能塊、單元、模塊、操作和/或方法包括計算機程序代碼而言，這樣的計算機程序代碼可存儲在可由至少一個計算機處理器執(zhí)行的例如以通過非易失性存儲器和媒介為例的計算機可讀媒介中。
[0051]圖1是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的多個方面的基板處理設(shè)備的示意性平面圖。圖2是示出圖1的基板處理設(shè)備的示意性側(cè)視圖。圖3是示出噴嘴構(gòu)件的端部的透視圖。
[0052]參照圖1和圖2，基板處理設(shè)備100包括用于支撐基板30并使基板30旋轉(zhuǎn)的支撐構(gòu)件110、用于研磨基板30的研磨構(gòu)件120以及用于將高壓水噴射到基板30的頂表面的噴嘴構(gòu)件 130。
[0053]支撐構(gòu)件110包括支撐基板30的旋轉(zhuǎn)卡盤(spinchuck)112和連接到旋轉(zhuǎn)卡盤112的底表面的第一旋轉(zhuǎn)單元114。第一旋轉(zhuǎn)單元114將從第一驅(qū)動部(未示出)產(chǎn)生的旋轉(zhuǎn)力傳輸給旋轉(zhuǎn)卡盤112。由旋轉(zhuǎn)卡盤112支撐的基板30可通過靜電力或真空而固定到旋轉(zhuǎn)卡盤112并且通過旋轉(zhuǎn)卡盤112的旋轉(zhuǎn)來旋轉(zhuǎn)。馬達可用作第一驅(qū)動部(未示出)。旋轉(zhuǎn)卡盤112的尺寸(例如，直徑)可大于基板30的尺寸。對于圖1和圖2可選擇地，基板30可通過粘合層與載體結(jié)合并接著可被安全地裝載在旋轉(zhuǎn)卡盤112上以面對研磨頭122。這將隨后被更詳細地描述。
[0054]研磨構(gòu)件120包括用于研磨基板30的研磨頭122、連接到研磨頭122以驅(qū)動研磨頭122的主軸124以及將驅(qū)動力提供到主軸124的第二驅(qū)動部126。
[0055]研磨頭122可設(shè)置在旋轉(zhuǎn)卡盤112上方以與基板30部分地疊置。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的一方面，研磨頭122可以是金剛石砂輪。在這個實施例中，研磨頭122可包括鎳板，其中，金剛石顆粒附著到鎳板。包括鎳板的研磨頭122旋轉(zhuǎn)并與基板30的背面接觸以研磨基板30的背面。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一方面，研磨頭122可以是用于拋光的研磨頭，并且可選擇地包括光滑或精細的棉絨布或紙構(gòu)件。在這樣的實施例中，與金剛石砂輪不同，用于拋光的研磨頭可不必通過其自身來執(zhí)行研磨功能，而可具有借助于附加地提供在研磨頭和基板之間的漿料執(zhí)行的研磨功能。主軸124使研磨頭122旋轉(zhuǎn)并豎直地調(diào)節(jié)研磨頭122相對于基板30的高度以對基板30的背面增壓。換句話說，研磨頭122通過主軸124來豎直地移動以與基板30接觸并且通過主軸124來旋轉(zhuǎn)以研磨基板30。在研磨工藝期間，基板30可通過旋轉(zhuǎn)卡盤112經(jīng)由第一旋轉(zhuǎn)單元114的旋轉(zhuǎn)來獨立地旋轉(zhuǎn)。
[0056]噴嘴構(gòu)件130包括提供為與旋轉(zhuǎn)卡盤112相鄰的支撐軸132、連接到支撐軸132且在基板30上方延伸的臂134以及連接到臂134且與基板30疊置的噴嘴主體136。
[0057]支撐軸132可設(shè)置在其上安裝有支撐構(gòu)件110的殼體(未示出)上。然而，發(fā)明構(gòu)思的實施例不限于此。支撐軸132連接到臂134的一端以支撐臂134。臂134可被構(gòu)造成沿著支撐軸132豎直地移動。在實施例中，可向支撐軸132提供在支撐軸132的縱向方向上延伸的第一導(dǎo)軌(未不出)，臂134可被構(gòu)造成沿著第一導(dǎo)軌(未不出)豎直地移動。在實施例中，支撐軸132可連接到第三驅(qū)動部(未示出)，第三驅(qū)動部(未示出)可提升或豎直地移動支撐軸132和臂134。噴嘴主體136可通過臂134或支撐軸132的豎直移動而相對于基板30豎直地移動。
[0058]噴射噴嘴138與噴嘴主體136結(jié)合。噴射噴嘴138可以是通過水噴射法噴射高壓水的水噴射噴嘴。例如，通過噴射噴嘴138輸出的高壓水的噴射壓強可以在100巴至800巴的范圍內(nèi)。在圖1和圖2中，單個噴射噴嘴138與噴嘴主體136結(jié)合。然而，發(fā)明構(gòu)思的實施例不限于此。在實施例中，如圖3中所示，噴射噴嘴138可以提供為多個。用于提供由栗(未示出)加壓的高壓水的供給管(未示出)可連接到噴嘴主體136。在實施例中，供給管可提供在臂134中。然而，發(fā)明構(gòu)思的實施例不限于此。
[0059]噴嘴主體136可被構(gòu)造成沿著臂134的縱向方向線性地移動。在實施例中，可以向臂134提供在臂134的縱向方向上延伸的第二導(dǎo)軌(未示出)，噴嘴主體136可沿著第二導(dǎo)軌(未示出)線性地移動以被控制成設(shè)置在基板30上方的不同位置處。另外，噴嘴主體136可被構(gòu)造成在與臂134的縱向方向交叉的旋轉(zhuǎn)軸137上旋轉(zhuǎn)。因此，噴嘴主體136和噴射噴嘴138能夠繞著軸137旋轉(zhuǎn)、沿著臂134線性地移動以及沿著支撐軸132豎直地移動。
[0060]圖4是示出高壓水從噴嘴主體136和噴射噴嘴138噴射到基板30的狀態(tài)的剖視圖。
[0061]參照圖1、圖2和圖4，噴射噴嘴138可被控制成朝著基板30的邊緣噴射高壓水。高壓水可以在從基板30的中心部分向外朝著基板30的邊緣的方向上以與基板30的頂表面傾斜的預(yù)定角度Θ1通過噴射噴嘴138來噴射。如上所述，朝著基板30的邊緣噴射的高壓水的噴射角度Θ1可通過噴射噴嘴138的線性移動、豎直移動和旋轉(zhuǎn)來控制。在實施例中，如果噴射噴嘴138在相對于臂134的相同的水平位置處朝著基板30向下移動，則噴射到基板30的邊緣的高壓水的噴射角度Θ2將小于噴射角度Θ1。在實施例中，如果噴射噴嘴138在相對于基板30的相同的豎直位置處沿著臂134線性地移動以更靠近基板30的邊緣，則噴射到基板30的邊緣的高壓水的噴射角度Θ3將大于噴射角度Θ1。通過高壓水施加到基板30的邊緣的物理力的多個方向分量(即，X方向分量和y方向分量)可根據(jù)高壓水的噴射角度和水平位置而改變。
[0062]圖5A是不出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的多個方面的基板處理設(shè)備200A的透視圖。圖5B是不出圖5A的基板處理設(shè)備的修改實施例200B的平面圖。圖5A的基板處理設(shè)備200A可包括圖1的至少一個基板處理設(shè)備100。
[0063]參照圖5A，基板處理設(shè)備200A包括裝載區(qū)域Rl、第一研磨區(qū)域R2、第二研磨區(qū)域R3和拋光區(qū)域R4。旋轉(zhuǎn)卡盤112提供在區(qū)域Rl至R4中的每個中，連接到主軸124的研磨頭122提供在第一研磨區(qū)域R2和第二研磨區(qū)域R3以及拋光區(qū)域R4的旋轉(zhuǎn)卡盤112上方。在圖5A中的設(shè)備200A的位置中，噴嘴構(gòu)件130提供為與第一研磨區(qū)域R2相鄰。噴嘴構(gòu)件130將高壓水噴射到安全地裝載在第一研磨區(qū)域R2的旋轉(zhuǎn)卡盤112上的基板30。在本實施例中，噴嘴構(gòu)件130提供為與第一研磨區(qū)域R2相鄰。然而，發(fā)明構(gòu)思的實施例不限于此。在可選擇的實施例中，噴嘴構(gòu)件130可與第二研磨區(qū)域R3或拋光區(qū)域R4相鄰以將高壓水噴射到安全地裝載在第二研磨區(qū)域R3或拋光區(qū)域R4的旋轉(zhuǎn)卡盤112上的基板30。在實施例中，如圖5B中所示，噴嘴構(gòu)件130可以提供為多個。換句話說，圖5B的基板處理設(shè)備200B包括多個噴嘴構(gòu)件130。所述多個噴嘴構(gòu)件130提供為與第一研磨區(qū)域R2和第二研磨區(qū)域R3以及拋光區(qū)域R4相鄰，以將高壓水噴射到分別安全地裝載在區(qū)域R2、R3和R4的旋轉(zhuǎn)卡盤112上的基板30。
[0064]旋轉(zhuǎn)卡盤112可安裝在分度工作臺150上。分度工作臺150可具有圓柱體形狀并且可以以基本上90度間隔被劃分成子區(qū)域。分度工作臺150的子區(qū)域分別與區(qū)域Rl至R4對應(yīng)。第二旋轉(zhuǎn)單元155可連接到分度工作臺150的底表面。第二旋轉(zhuǎn)單元155在執(zhí)行工藝時在一個方向上以大約90度間隔來旋轉(zhuǎn)分度工作臺150。旋轉(zhuǎn)卡盤112可彼此獨立地旋轉(zhuǎn)，研磨頭122也可彼此獨立地旋轉(zhuǎn)。
[0065]基板處理設(shè)備200A和200B的其他元件可與參照圖1至圖4描述的相應(yīng)的元件基本上相同或相似，所以出于容易且便于解釋的目的，省略對于其他元件的描述。
[0066]裝載區(qū)域Rl可以是用于基本上開始基板處理工藝的區(qū)域。已經(jīng)執(zhí)行了預(yù)處理的基板30被裝載在基板處理設(shè)備200A的裝載區(qū)域Rl上以被安全地裝載在裝載區(qū)域Rl的旋轉(zhuǎn)卡盤112上。
[0067]第一研磨區(qū)域R2可以是用于粗略地研磨基板30的背面的粗研磨工藝區(qū)域。當(dāng)裝載在裝載區(qū)域Rl的旋轉(zhuǎn)卡盤112上的基板30通過分度工作臺150的旋轉(zhuǎn)而移動到第一研磨區(qū)域R2中時，對基板30執(zhí)行與第一研磨區(qū)域R2相關(guān)的粗研磨工藝。第一研磨區(qū)域R2的研磨頭122可由例如350目金剛石砂輪形成以執(zhí)行粗研磨工藝。然而，將理解的是，研磨頭的磨損等級可改變并且與本發(fā)明構(gòu)思無關(guān)。噴嘴構(gòu)件130可在粗研磨工藝期間將高壓水朝著基板30的邊緣噴射。如下面所詳細描述的，如果提供了使用粘合層結(jié)合到載體的基板30，則可噴射高壓水以去除通過粗研磨工藝暴露的粘合層的一部分。換句話說，基板處理設(shè)備200A可以是研磨通過粘合層與載體結(jié)合的基板30的背面以減小基板30的厚度并將高壓水噴射到厚度減小的基板30的背面以去除通過研磨工藝暴露的粘合層的所述部分的背研磨設(shè)備。
[0068]第二研磨區(qū)域R3可以是用于精細地研磨基板30的粗研磨的背面的精加工工藝區(qū)域。如果基板30在完成粗研磨工藝之后被移動到第二研磨區(qū)域R3中，則可對基板30執(zhí)行精加工工藝。第二研磨區(qū)域R3的研磨頭可由例如2000目金剛石砂輪形成以執(zhí)行精細研磨精加工工藝。
[0069]拋光區(qū)域R4可以是用于使基板30的精細研磨的背面平坦化的拋光工藝區(qū)域。如果在區(qū)域R3中完成精加工工藝之后基板30被移動到拋光區(qū)域R4中，則可對基板30執(zhí)行拋光工藝。拋光區(qū)域R4的研磨頭122可由用于拋光的研磨頭形成以執(zhí)行拋光工藝。用于拋光的研磨頭可具有光滑或精細的棉絨布或紙構(gòu)件。換句話說，與區(qū)域R2和區(qū)域R3的金剛石砂輪不同，用于拋光的研磨頭可不必通過其自身來提供研磨功能，但可具有借助于附加地提供到基板30的漿料并且通過拋光區(qū)域R4的研磨頭122拋光的研磨功能。
[0070]以下將描述使用基板處理設(shè)備200A來制造半導(dǎo)體器件(或半導(dǎo)體封裝件)的方法。制造半導(dǎo)體器件的方法可包括使用基板處理設(shè)備200A來處理基板的方法。也將對此進行描述。
[0071]圖6、圖9、圖10、圖12至圖14以及圖17至圖20是示出在工藝的不同階段以及基板處理設(shè)備100的不同部分中安裝在載體上的基板(圖6以及圖17-圖20)連同在工藝的不同階段中安裝在載體上的基板(圖9、圖10和圖12-圖14)一起的剖視圖，以示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的用于制造半導(dǎo)體器件的方法。圖7是圖6的部分“A”的放大圖。圖8是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的多個方面的用于處理基板的方法的流程圖。圖11是圖10的部分“B”的放大圖。圖15和圖16是圖14的部分“A”的放大圖。
[0072]參照圖6，示出了基板30和載體10?；?0可以是包括諸如硅的半導(dǎo)體材料的基板。基板30可以是在本實施例中使用的娃晶片。在實施例中，基板30可以是對其執(zhí)行前道工序(FEOL)工藝的硅晶片?；?0可包括器件部分30a和邊緣部分30b。器件部分30a可在隨后的切割工藝之后用作半導(dǎo)體芯片。以下，器件部分30a可被稱為“器件部分基板30a”。圖7是器件部分30a的部分“A”的放大圖。
[0073]參照圖7，晶體管TR設(shè)置在器件部分基板30a上。晶體管TR被層間絕緣層34覆蓋?；ミB件33設(shè)置在層間絕緣層34中。通孔35穿透第一層間絕緣層34a和器件部分基板30a的一部分以與設(shè)置在第二層間絕緣層34b中的互連件33接觸。通孔35可由金屬(例如，銅)形成。擴散防止層32和絕緣層31共形地設(shè)置在通孔35和器件部分基板30a之間以及通孔35和第一層間絕緣層34a之間。第一導(dǎo)電焊盤36設(shè)置在第三層間絕緣層34c上。第一導(dǎo)電焊盤36的一部分和第三層間絕緣層34c被第一鈍化層37覆蓋。導(dǎo)電凸起38穿透第一鈍化層37以與第一導(dǎo)電焊盤36接觸。
[0074]再次參照圖6，可將載體10以載體10面對導(dǎo)電凸起38的方式結(jié)合或粘合到基板30。提供載體10以支撐基板30。在實施例中，載體10在使基板30的背面凹進的背研磨工藝期間支撐基板30，由此防止基板30彎曲或以其他方式損壞。這里，基板30的背面可與基板30的其上提供有導(dǎo)電凸起38的前面相對。粘合層40a可被提供在基板30和載體10之間以牢固地將基板30粘合到載體10。粘合層40a可包括能夠通過熱而硬化的熱固性粘合劑，或者能夠通過光(例如，UV)而硬化的紫外(UV)固化粘合劑。例如，熱固性粘合劑可包括環(huán)氧樹脂、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚乙烯丙烯酸酯或硅樹脂。例如，UV固化粘合劑可包括環(huán)氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、硅丙烯酸酯或乙烯醚?？赏ㄟ^化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝、噴涂工藝或旋涂工藝來形成粘合層40a。
[0075]載體10可包括透明或不透明基板。例如，如果粘合層40a包括UV固化粘合劑，則載體10可由玻璃或聚碳酸酯形成的透明基板構(gòu)成。如果粘合層40a包括熱固性粘合劑，則載體層1可由透明基板或不透明基板(例如，金屬基板或硅基板)構(gòu)成。
[0076]可提供分離層40b以將載體10從基板30容易地分離。另外，也可提供分離層40b以容易地去除設(shè)置在器件部分30a的側(cè)壁上的粘合層40a。例如，分離層40b可包括硅油或聚乙烯。在本實施例中，如圖6中所示，粘合層40a與載體10接觸，分離層40b設(shè)置在粘合層40a和基板30之間以與基板30接觸。然而，發(fā)明構(gòu)思的實施例不限于此。在實施例中，還可提供附加的分離層?？稍谡澈蠈?0a和載體10之間提供附加的分離層，或者可與載體10相鄰地提供附加的分離層。粘合層40a和分離層40b可定義為中間層40。以下，出于容易且便于解釋的目的，在器件部分30a和載體10之間的中間層40可定義為中間層40的第一部分Pl，在邊緣部分30b和載體10之間的中間層40可定義為中間層40的第二部分P2。
[0077]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例，厚度差異可出現(xiàn)在邊緣部分30b和器件部分30a之間。換句話說，器件部分30a可從邊緣部分30b朝著載體10突出第一厚度Tl。例如，第一厚度Tl可為大約350μπι。邊緣部分30b可包括斜角區(qū)域或傾斜的側(cè)壁。當(dāng)基板30粘合到載體10且中間層40布置在它們之間時，由于厚度差異出現(xiàn)在器件部分30a和邊緣部分30b之間，因此中間層40的第二部分P2可不完全填充邊緣部分30b和載體10之間的空間。換句話說，如在圖6中所示，第二部分P2的外側(cè)壁可具有朝著中間層40的第一部分Pl彎曲的輪廓。
[0078]將粘合到基板30的載體10裝載在基板處理設(shè)備200A內(nèi)，然后執(zhí)行基板處理工藝。在實施例中，使用圖5的基板處理設(shè)備200A來執(zhí)行基板處理工藝。以下，將參照圖8至圖14來描述根據(jù)實施例的基板處理方法。
[0079]如參照圖5A所描述的，可將裝載到基板處理設(shè)備200A中的載體10安全地裝載在裝載區(qū)域Rl的旋轉(zhuǎn)卡盤112上。根據(jù)實施例，可將保護膠帶(未示出)粘合到載體10的底表面，載體10可被安全地裝載在旋轉(zhuǎn)卡盤112上且保護膠帶布置在它們之間。保護膠帶(未示出)將防止載體10因旋轉(zhuǎn)卡盤112和載體10之間的摩擦或接觸而受損并且將在旋轉(zhuǎn)卡盤112的適當(dāng)位置中牢固地支持載體10。
[0080]裝載在裝載區(qū)域Rl的旋轉(zhuǎn)卡盤112上的載體10通過分度工作臺150的旋轉(zhuǎn)移動到第一研磨區(qū)域R2中，然后執(zhí)行粗研磨工藝以粗略地研磨基板30的背面。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例，可按照兩個步驟來執(zhí)行粗研磨工藝。換句話說，執(zhí)行粗研磨工藝可包括執(zhí)行第一粗研磨工藝和執(zhí)行第二粗研磨工藝。第一粗研磨工藝和第二粗研磨工藝可以以在它們之間的間隔來順序地執(zhí)行或者可連續(xù)地執(zhí)行。以下，將對此更詳細地進行描述。
[0081]參照圖8和圖9，對基板30執(zhí)行第一粗研磨工藝(SlO)。換句話說，使第一研磨區(qū)域R2的研磨頭122與基板30接觸以研磨基板30的背面，從而減薄器件部分30a。通過第一粗研磨工藝減薄的器件部分30a將具有第二厚度T2。第二厚度T2小于圖6中的第一厚度Tl。例如，第二厚度T2可為大約300μπι。在工藝的這個階段期間，去除邊緣部分30b。由于邊緣部分30b被去除，因此中間層40的第二部分P2被暴露，第二部分P2的上部也可在第一粗研磨工藝期間被去除。
[0082]參照圖8和圖10，在完成第一粗研磨工藝之后，將高壓水噴射到中間層40的現(xiàn)在被暴露的第二部分P2(S20)。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思，在對角方向上通過噴射噴嘴138將高壓水噴射到第二部分P2。更詳細地，當(dāng)從平面圖觀察時，在從基板30的中心部分朝著基板30的邊緣的方向上噴射高壓水。當(dāng)從剖視圖觀察時，通過噴射噴嘴138將高壓水以與旋轉(zhuǎn)卡盤112的頂表面傾斜的預(yù)定角度Θ噴射到中間層40的第二部分P2 ο可在使旋轉(zhuǎn)卡盤112旋轉(zhuǎn)的同時噴射高壓水，所以高壓水被均勻地噴射在中間層40的第二部分P2的頂表面的整個圓周上方。
[0083]中間層40的第二部分P2通過噴射的高壓水與器件部分30a的側(cè)壁分離。圖11示出中間層40的第二部分P2通過噴射的高壓水被去除的狀態(tài)。如圖11中所示，噴射高壓水以將中間層40的第二部分P2與器件部分30a的側(cè)壁以及與中間層40的第一部分Pl物理分離。換句話說，通過施加到第二部分P2的頂表面的高壓水的物理力，中間層40的第二部分P2與器件部分30a的側(cè)壁以及與中間層40的第一部分Pl分離。設(shè)置在器件部分30a的側(cè)壁上的分離層40b幫助第二部分P2與器件部分30a的側(cè)壁容易地分離。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思，噴射到中間層40的第二部分P2的高壓水的噴射角度Θ可大于30度且小于90度。在實施例中，高壓水的噴射角度Θ可在從45度至60度的范圍內(nèi)。如果高壓水的噴射角度Θ小于45度，則第二部分P2不會容易地分離。如果高壓水的噴射角度Θ大于60度，則中間層40的第一部分Pl的一部分也可在第二部分P2的去除期間被去除，所以底切區(qū)域會形成在中間層40的第一部分Pl中。這是因為施加到第二部分P2的高壓水的物理力根據(jù)高壓水的噴射角度Θ而改變。如參照圖4所描述的，通過噴嘴主體136和噴射噴嘴138的沿著臂134的線性運動、噴嘴主體136和噴射噴嘴138的沿著支撐軸132的豎直運動以及噴射噴嘴138的繞著軸137的旋轉(zhuǎn)來控制高壓水的噴射角度Θ。
[0084]參照圖8和圖12，在完成工藝S20之后，去除中間層40的第二部分P2?？刹糠值鼗蛲耆厝コ虚g層40的第二部分P2。根據(jù)實施例，如在將第二部分P2的保留部分的外側(cè)壁示為傾斜表面的圖12中所示，第二部分P2的與中間層40的第一部分Pl接觸的部分可保留。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。在去除中間層40的第二部分P2之后，可對器件部分30a的背面執(zhí)行第二粗研磨工藝(S30) ο在執(zhí)行第二粗研磨工藝之后，器件部分30a將具有第三厚度T3。第三厚度T3可為例如大約120μπι。
[0085]在可選擇的操作中，可同時執(zhí)行工藝S20和工藝S30。圖13示出對同一器件部分30a同時執(zhí)行工藝S20和工藝S30的狀態(tài)。如在圖13中所示，在通過工藝SlO暴露中間層40的第二部分P2之后，可將高壓水噴射到中間層40的暴露的第二部分P2。在通過噴射噴嘴138噴射高壓水的同時，通過第二粗研磨工藝同時研磨器件部分30a的背面。因此，可同時執(zhí)行研磨器件部分30a的工藝S30和噴射高壓水的工藝S20。換句話說，在第一研磨區(qū)域R2中，可在通過粗研磨工藝暴露中間層40的第二部分P2之后將高壓水噴射到中間層40的第二部分P2。連續(xù)地執(zhí)行粗研磨工藝直到器件部分30a具有第三厚度T3為止，并在粗研磨工藝期間去除中間層40的第二部分P2。結(jié)果，可連續(xù)地執(zhí)行而不是順序地執(zhí)行第一粗研磨工藝和第二粗研磨工藝。在這種情況下，第一粗研磨工藝和第二粗研磨工藝可與基本上單個工藝對應(yīng)。
[0086]參照圖8和圖14，在完成第二粗研磨工藝(S30)之后，可將載體10移動到第二研磨區(qū)域R3中。對第二研磨區(qū)域R3中的基板30執(zhí)行精加工工藝(S40)。因此，可去除通過粗研磨工藝在基板30中形成的細裂紋。在完成精加工工藝(S40)之后，可將載體層10移動到拋光區(qū)域R4中。在拋光區(qū)域R4中對基板30執(zhí)行拋光工藝(S50)。因此，器件部分30a的背面被平坦化以暴露通孔35的頂表面。
[0087]在實施例中，如果基板處理設(shè)備200A包括與第二研磨區(qū)域R3或拋光區(qū)域R4相鄰的噴嘴構(gòu)件130，則可在精加工工藝S40或拋光工藝S50之后噴射高壓水。同時，在本實施例中，可在同一設(shè)備中執(zhí)行用于減薄基板30的研磨工藝S 10和S30至S50以及噴射高壓水的工藝S20。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此?？稍诟郊拥脑O(shè)備中執(zhí)行噴射高壓水的工藝S20。
[0088]如上所述，可通過工藝SlO至S50執(zhí)行基板處理工藝。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的基板處理工藝可包括通過研磨經(jīng)由中間層40結(jié)合到載體10的基板30的背面來減薄基板30以及通過將高壓水噴射到減薄的基板30的背面來去除中間層40的一部分(例如，第二部分P2)。因為中間層40的第二部分P2在隨后的工藝中會充當(dāng)污染源，所以將其去除。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例，通過使用水噴射法由噴射噴嘴138噴射的高壓水的物理力來去除中間層40的第二部分P2。因此，不論中間層40是由熱固性粘合劑還是紫外(UV)固化粘合劑形成，都可有效地去除第二部分P2。另外，可在同一設(shè)備中執(zhí)行減薄基板30的工藝和去除中間層40的所述部分的工藝，因此，工藝被簡化，從而改善了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率。接著，描述用于制造半導(dǎo)體器件的方法的隨后的工藝。
[0089]參照作為圖14的部分“A”的放大圖的圖15，從基板處理設(shè)備200A卸載載體10，然后回蝕刻器件部分基板30a的部分42以暴露絕緣層31的側(cè)壁的部分31a和通孔35的頂表面。
[0090]參照作為圖14的部分“A”的放大圖的圖16，在器件部分基板30a的背面上形成第二鈍化層39，將第二導(dǎo)電焊盤41形成為與通孔35接觸。即使未在附圖中示出，也可形成再分配互連件以與第二導(dǎo)電焊盤41接觸。
[0091]參照圖17，將載體10與器件部分基板30a分離?？赏ㄟ^機械方法分離載體10。在實施例中，可通過能夠支持載體10的端部的合適的設(shè)備將載體10與器件部分基板30a分離，分1?層40b促進載體10與器件部分基板30a的分1?。在將器件部分基板30a與載體10分1?之后，去除保留在基板30上的中間層40。為了去除保留的中間層40，如上所述，可根據(jù)用于中間層40的材料對中間層40施加熱或可將光輻照到中間層40。可選擇地，可對中間層40施加物理力以將它從基板30去除?？赏ㄟ^上述的工藝來獲得包括通孔35的減薄的器件部分基板30a?？赏ㄟ^下面的工藝來封裝獲得的器件部分基板30a。
[0092]參照圖18，將器件部分基板30a裝載到包括用于粘合在其上的芯片的膠帶160的晶粒結(jié)合器設(shè)備(die bonder apparatus)。如所示出的，還通過支持件170來穩(wěn)固地固定器件部分基板30a。
[0093]參照圖19，器件部分基板30a被鋸切以劃分成均包括至少一個通孔35和凸起38的多個單獨的半導(dǎo)體芯片30c。在實施例中，器件部分基板30a可通過切割輪(未示出)沿著劃片線來切割以劃分成多個半導(dǎo)體芯片30c。
[0094]參照圖20，將從器件部分基板30a劃分的一對半導(dǎo)體芯片30c安裝在諸如印刷電路板(PCB)的封裝基板51上。然而，將理解的是，可將單個半導(dǎo)體芯片30c或2個以上的半導(dǎo)體芯片30c安裝在基板上。在實施例中，以面朝下的方式將半導(dǎo)體芯片30c安裝在封裝基板51上。此后，可執(zhí)行模制工藝以形成覆蓋半導(dǎo)體芯片30c和封裝基板51的模制層60。將至少一個焊球55結(jié)合到封裝基板51的底表面。結(jié)果，可完成半導(dǎo)體器件70。
[0095]如上所述，在基板30中形成通孔35。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。在另一實施例中，可不在基板30中形成通孔35。上述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法可應(yīng)用于各種類型的半導(dǎo)體器件和包括半導(dǎo)體器件的封裝模塊。
[0096]圖21是示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例制造的半導(dǎo)體器件的封裝模塊的示例的圖。參照圖21，封裝模塊1200可包括通過四方扁平封裝(QFP)技術(shù)封裝的半導(dǎo)體集成電路芯片(例如，半導(dǎo)體器件)1220和半導(dǎo)體集成電路芯片(例如，半導(dǎo)體器件)1230。換句話說，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的上面的實施例的使用半導(dǎo)體器件技術(shù)實施的半導(dǎo)體器件1220和1230可安裝在模塊基板1210上以制造封裝模塊1200。封裝模塊1200可通過提供在模塊基板1200的一個邊緣部分上的外部連接端子1240而電連接到外部電子裝置。
[0097]可將前述實施例的半導(dǎo)體器件技術(shù)應(yīng)用于電子系統(tǒng)。圖22是示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例制造的半導(dǎo)體器件的電子裝置的示例的示意性框圖。參照圖22，電子系統(tǒng)1300可包括控制器1310、輸入/輸出(I/O)裝置1320和存儲裝置1330?？刂破?310、1/0裝置1320和存儲裝置1330可通過數(shù)據(jù)總線1350彼此通信。數(shù)據(jù)總線1350可與傳輸電信號所通過的路徑對應(yīng)。例如，控制器1310可包括微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器或具有與它們中的任何一個相同功能的其他邏輯器件中的至少一種?？刂破?310和存儲裝置1330中的至少一個可包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的上述實施例制造的半導(dǎo)體器件。I/O裝置1320可包括小型鍵盤、鍵盤和/或顯示裝置。存儲裝置1330可以是存儲數(shù)據(jù)的裝置。存儲裝置1330可存儲通過控制器1310執(zhí)行的數(shù)據(jù)和/或指令。存儲裝置1330可包括易失性存儲裝置和/或非易失性存儲裝置。在實施例中，存儲裝置1330可包括閃存裝置。例如，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的上述實施例制造的閃存裝置可安裝在諸如移動裝置或桌上型計算機的信息處理系統(tǒng)中。閃存裝置可實現(xiàn)為固態(tài)硬盤(SSD)。在這種情況下，電子系統(tǒng)1300可在存儲裝置1330中穩(wěn)固地存儲大量的數(shù)據(jù)。電子系統(tǒng)1300還可包括用于將電數(shù)據(jù)傳輸?shù)酵ㄐ啪W(wǎng)絡(luò)和/或用于從通信網(wǎng)絡(luò)接收電數(shù)據(jù)的接口單元1340。接口單元1340可通過無線或電纜來操作。例如，接口單元1340可包括天線或電纜/無線收發(fā)器。雖然未在附圖中示出，但是電子系統(tǒng)1300還可包括應(yīng)用芯片集和/或相機圖像處理器。
[0098]電子系統(tǒng)1300可實現(xiàn)為移動系統(tǒng)、個人計算機、工業(yè)計算機或執(zhí)行各種功能的邏輯系統(tǒng)。例如，移動系統(tǒng)可以是個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式計算機、上網(wǎng)本、移動電話、無線電話、膝上型計算機、存儲卡、數(shù)字音樂系統(tǒng)或信息發(fā)送/接收系統(tǒng)中的任何一種。如果電子系統(tǒng)1300是能夠執(zhí)行無線通信的系統(tǒng)，則電子系統(tǒng)1300可以在諸如CDMA、GSM、NADC、E-TDMA、WCDMA、CDMA2000、W1-F1、Muni W1-F1、藍牙、DECT、無線USB、Flash_0FDM、IEEE802.20、GPRS、iBurst、WiBro、WiMAX、WiMAX-Advanced、UMTS-TDD、HSPA、EVD0、LTE-Advanced或MMDS的通信系統(tǒng)的通信接口協(xié)議中使用。
[0099]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的前述實施例制造的半導(dǎo)體器件可提供在存儲系統(tǒng)中。圖23是示出包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例制造的半導(dǎo)體器件的存儲系統(tǒng)的示例的示意性框圖。參照圖23，存儲系統(tǒng)1400可包括非易失性存儲裝置1410和存儲控制器1420。非易失性存儲裝置1410和存儲控制器1420可存儲數(shù)據(jù)和/或可讀取存儲的數(shù)據(jù)。非易失性存儲裝置1410可包括根據(jù)發(fā)明構(gòu)思制造的非易失性存儲裝置中的至少一種。存儲控制器1420可響應(yīng)于主機1430的讀取/寫入請求來控制非易失性存儲裝置1410，使得存儲的數(shù)據(jù)可被讀取和/或數(shù)據(jù)可被存儲。
[0100]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例，由中間層結(jié)合到載體的基板的背面通過研磨工藝減薄，高壓水噴射到減薄的基板的背面以去除中間層的一部分。由于使用水噴射法通過高壓水的物理力去除中間層的所述部分，因此能夠有效地去除中間層的所述部分。結(jié)果，能夠最小化或防止如果中間層未被適當(dāng)?shù)厝コ齽t會在隨后的工藝中由中間層導(dǎo)致的工藝缺陷。另外，可在同一設(shè)備中執(zhí)行減薄基板的工藝和去除中間層的所述部分的工藝，因此，工藝可被簡化以改進半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)率。
[0101]雖然已經(jīng)參照示例實施例描述了發(fā)明構(gòu)思，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，在不脫離發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的情況下，可作出各種改變和修改。因此，應(yīng)該理解的是，上面的實施例不是限制性的，而是說明性的。因此，發(fā)明構(gòu)思的范圍將通過權(quán)利要求及其等同物的最廣泛的可容許的解釋來確定，并且不應(yīng)被前面的描述限制或限定。
【主權(quán)項】
1.一種基板處理設(shè)備，所述基板處理設(shè)備包括: 旋轉(zhuǎn)卡盤，被構(gòu)造成支撐基板； 研磨頭，設(shè)置在旋轉(zhuǎn)卡盤上方，研磨頭被構(gòu)造成研磨由旋轉(zhuǎn)卡盤支撐的基板；以及 噴嘴構(gòu)件，包括被構(gòu)造成將高壓水噴射到由旋轉(zhuǎn)卡盤支撐的基板的噴射噴嘴， 其中，噴射噴嘴與基板疊置以將高壓水噴射到基板的邊緣。2.如權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中，當(dāng)從平面圖觀察時，高壓水在從基板的中心朝著基板的邊緣的方向上噴射， 其中，當(dāng)從剖視圖觀察時，高壓水以與旋轉(zhuǎn)卡盤的頂表面傾斜的角度噴射。3.如權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中，噴射噴嘴通過水噴射法來噴射高壓水。4.如權(quán)利要求3所述的基板處理設(shè)備，其中，高壓水的噴射壓強在100巴至800巴的范圍內(nèi)。5.如權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，其中，噴嘴構(gòu)件還包括: 支撐軸，與旋轉(zhuǎn)卡盤相鄰地設(shè)置； 臂，連接到支撐軸并且在基板上方延伸；以及 噴嘴主體，結(jié)合到臂以與基板疊置， 其中，噴射噴嘴與噴嘴主體結(jié)合。6.如權(quán)利要求5所述的基板處理設(shè)備，其中，噴嘴主體被構(gòu)造成在臂的縱向方向上沿著臂可線性地移動， 其中，噴嘴主體還被構(gòu)造成在與臂的縱向方向垂直的旋轉(zhuǎn)軸上的豎直面中是可旋轉(zhuǎn)的。7.如權(quán)利要求5所述的基板處理設(shè)備，其中，臂被構(gòu)造成沿著支撐軸的縱向方向可豎直地移動。8.如權(quán)利要求1所述的基板處理設(shè)備，所述基板處理設(shè)備還包括: 分度工作臺，在其上安裝旋轉(zhuǎn)卡盤， 其中，設(shè)置多個旋轉(zhuǎn)卡盤，所述多個旋轉(zhuǎn)卡盤包括以90度間隔安裝在分度工作臺上的第一旋轉(zhuǎn)卡盤、第二旋轉(zhuǎn)卡盤、第三旋轉(zhuǎn)卡盤和第四旋轉(zhuǎn)卡盤， 其中，研磨頭包括分別設(shè)置在第二旋轉(zhuǎn)卡盤、第三旋轉(zhuǎn)卡盤和第四旋轉(zhuǎn)卡盤上方的多個研磨頭。9.如權(quán)利要求8所述的基板處理設(shè)備，其中，設(shè)置在第二旋轉(zhuǎn)卡盤上方的研磨頭包括被構(gòu)造為執(zhí)行粗略地研磨設(shè)置在其下方的基板的粗研磨工藝的研磨頭， 其中，設(shè)置在第三旋轉(zhuǎn)卡盤上方的研磨頭包括被構(gòu)造為執(zhí)行精細地研磨設(shè)置在其下方的基板的精加工工藝的研磨頭， 其中，設(shè)置在第四旋轉(zhuǎn)卡盤上方的研磨頭包括被構(gòu)造為執(zhí)行使設(shè)置在其下方的基板平坦化的拋光工藝， 其中，噴嘴構(gòu)件與第二旋轉(zhuǎn)卡盤至第四旋轉(zhuǎn)卡盤中的一個旋轉(zhuǎn)卡盤相鄰地來提供以將高壓水噴射到由所述一個旋轉(zhuǎn)卡盤支撐的基板。10.如權(quán)利要求9所述的基板處理設(shè)備，其中，噴嘴構(gòu)件與第二旋轉(zhuǎn)卡盤相鄰地來提供。11.如權(quán)利要求9所述的基板處理設(shè)備，其中，噴嘴構(gòu)件包括分別與第二旋轉(zhuǎn)卡盤至第四旋轉(zhuǎn)卡盤相鄰地提供的多個噴嘴構(gòu)件。12.—種用于處理基板的方法，所述方法包括下述步驟: 通過粘合層將結(jié)合到載體的基板裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤上； 執(zhí)行研磨工藝以減薄基板并且暴露設(shè)置在通過研磨工藝減薄的基板的側(cè)壁上的粘合層；以及 將高壓水噴射到暴露的粘合層以去除暴露的粘合層的至少一部分， 其中，當(dāng)從平面圖觀察時，在從基板的中心朝著基板的邊緣的方向上噴射高壓水， 其中，當(dāng)從剖視圖觀察時，以與旋轉(zhuǎn)卡盤的頂表面傾斜的噴射角度來噴射高壓水。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，高壓水的噴射壓強在100巴至800巴的范圍內(nèi)。14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，高壓水的噴射角度在45度至60度的范圍內(nèi)。15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，基板包括器件部分和圍繞器件部分的邊緣部分， 其中，器件部分從邊緣部分朝著載體突出第一厚度， 其中，粘合層包括:設(shè)置在器件部分與載體之間的第一部分；以及設(shè)置在邊緣部分與載體之間的第二部分， 其中，通過研磨工藝來去除第二部分， 其中，暴露的粘合層與粘合層的第二部分對應(yīng)。16.如權(quán)利要求15所述的方法，執(zhí)行研磨工藝的步驟包括下述步驟: 執(zhí)行粗略地研磨基板的粗研磨工藝； 執(zhí)行精細地研磨粗研磨后的基板的精加工工藝；以及 執(zhí)行使精細研磨后的基板平坦化的拋光工藝， 其中，通過粗研磨工藝來去除邊緣部分， 其中，高壓水噴射作為粗研磨工藝的一部分。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，執(zhí)行粗研磨工藝的步驟包括:執(zhí)行第一粗研磨工藝和第二粗研磨工藝， 其中，器件部分通過第一粗研磨工藝來減薄以具有比第一厚度小的第二厚度， 其中，器件部分通過第二粗研磨工藝來減薄以具有比第二厚度小的第三厚度， 其中，在第一粗研磨工藝之后噴射高壓水。18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，在同一設(shè)備中執(zhí)行研磨工藝和噴射高壓水。19.一種基板處理系統(tǒng)，所述基板處理系統(tǒng)包括: 基板處理設(shè)備，包括至少一個基板處理站，所述至少一個基板處理站中的至少一個包括: 旋轉(zhuǎn)卡盤，被構(gòu)造為將基板安裝在其上； 研磨構(gòu)件，設(shè)置在旋轉(zhuǎn)卡盤上方并且被構(gòu)造成使其與基板接觸以研磨基板的表面； 噴嘴構(gòu)件，與基板處理設(shè)備相鄰地設(shè)置，包括噴嘴主體和用于將噴嘴主體定位在旋轉(zhuǎn)卡盤的中心部分上方的臂，噴嘴主體包括被構(gòu)造成通過將高壓水朝著基板的外邊緣引導(dǎo)來執(zhí)行水噴射工藝的噴射噴嘴。20.如權(quán)利要求19所述的基板處理系統(tǒng)，其中，當(dāng)從剖視圖觀察時，高壓水以與旋轉(zhuǎn)卡盤的頂表面傾斜的角度噴射。21.如權(quán)利要求19所述的基板處理系統(tǒng)，其中，噴嘴主體被構(gòu)造成在臂的縱向方向上沿著臂可線性地移動， 其中，噴嘴主體還被構(gòu)造成在與縱向方向垂直的旋轉(zhuǎn)軸上的豎直面中是可旋轉(zhuǎn)的。22.如權(quán)利要求19所述的基板處理系統(tǒng)，其中，噴嘴構(gòu)件被構(gòu)造成相對于旋轉(zhuǎn)卡盤豎直地移動噴嘴主體。23.如權(quán)利要求19所述的基板處理系統(tǒng)，其中，基板處理設(shè)備包括多個基板處理站。24.如權(quán)利要求23所述的基板處理系統(tǒng)，其中，基板處理設(shè)備的第一基板處理站包括被構(gòu)造為對基板執(zhí)行粗研磨工藝的研磨構(gòu)件，基板處理設(shè)備的第二基板處理站包括被構(gòu)造為對基板執(zhí)行拋光工藝的研磨構(gòu)件。25.如權(quán)利要求24所述的基板處理系統(tǒng)，其中，噴嘴構(gòu)件與第一基板處理站相鄰地設(shè)置。
【文檔編號】H01L21/67GK106067430SQ201610214879
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年4月8日 公開號201610214879.9, CN 106067430 A, CN 106067430A, CN 201610214879, CN-A-106067430, CN106067430 A, CN106067430A, CN201610214879, CN201610214879.9
【發(fā)明人】金一煥, 裵相泫, 李赫宰, 趙泰濟, 崔光喆
【申請人】三星電子株式會社