半導體處理系統(tǒng)中的外部基板旋轉(zhuǎn)的制作方法
【專利摘要】公開了一種半導體處理系統(tǒng)中的外部基板旋轉(zhuǎn)。本文公開一種用于處理半導體的方法和設備。在一個實施例中，公開了一種用于半導體處理的處理系統(tǒng)。處理腔室包括兩個傳送腔室、處理腔室和旋轉(zhuǎn)模塊。處理腔室耦接至傳送腔室。旋轉(zhuǎn)模塊定位在傳送腔室之間。旋轉(zhuǎn)模塊配置成旋轉(zhuǎn)基板。傳送腔室配置成在處理腔室與傳送腔室之間傳送基板。在另一實施例中，本文公開了一種用于在裝置上處理基板的方法。
【專利說明】
半導體處理系統(tǒng)中的外部基板旋轉(zhuǎn)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開總體上涉及用于半導體處理中的膜均勻性的方法和設備。更具體地，本公開涉及具有耦接在兩個傳送腔室之間以增加半導體處理中的膜均勻性的旋轉(zhuǎn)模塊的處理系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]半導體器件性能是由多種因素確定的。一個重要因素是沉積在基板上的膜的均勻性。期望均勻地沉積膜以使得跨基板的表面最小化厚度變化。例如，可期望形成跨基板的表面小于約5%的厚度變化的膜。
[0003]然而，膜均勻性可能不利地受若干因素影響，所述因素包括加熱器溫度、腔室?guī)缀涡螤?、工藝氣流不均勻性和等離子體不均勻性等等。這些因素可能導致非均勻膜在基板的表面上的沉積，這可能最終降低器件性能。
[0004]在處理期間旋轉(zhuǎn)基板提供改進的均勻性。然而，在處理期間旋轉(zhuǎn)基板要求昂貴的設備，諸如滑環(huán)和旋轉(zhuǎn)接頭。
[0005]因此，存在對在半導體處理中的膜均勻性的改進的裝置和方法的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在一個實施例中，本文公開了一種半導體處理系統(tǒng)。此處理系統(tǒng)包括兩個傳送腔室、處理腔室和旋轉(zhuǎn)模塊。所述處理腔室耦接至兩個傳送腔室中的一個傳送腔室。所述旋轉(zhuǎn)模塊定位在傳送腔室之間。所述旋轉(zhuǎn)模塊配置成旋轉(zhuǎn)基板。
[0007]在另一實施例中，本文公開了一種用于處理基板的方法。所述方法包括在處理腔室中的基板上沉積膜的第一部分。所述方法包括將基板傳送至旋轉(zhuǎn)模塊。旋轉(zhuǎn)基板預定的量。將基板往回傳送到處理腔室中。在基板上沉積膜的第二部分。
[0008]在另一實施例中，本文公開了一種半導體處理系統(tǒng)。此處理系統(tǒng)包括傳送腔室、處理腔室和旋轉(zhuǎn)模塊。處理腔室耦接至兩個傳送腔室。旋轉(zhuǎn)模塊耦接至傳送腔室。旋轉(zhuǎn)模塊配置成當基板的一部分保持在傳送腔室中時旋轉(zhuǎn)所述基板。
【附圖說明】
[0009]因此，為了可詳細地理解本公開的上述特征的方式，可參考實施例得出以上簡要概述的本公開的更具體的描述，在附圖中示出實施例中的一些。然而應注意的是，所附附圖僅示出本公開的典型實施例，并且因此不被視為本公開的范圍的限制，因為本公開可允許其他等效實施例。
[0010]圖1示出根據(jù)一個實施例的包括至少一個旋轉(zhuǎn)模塊的處理系統(tǒng)的俯視圖。
[0011]圖2示出根據(jù)一個實施例的圖1的旋轉(zhuǎn)模塊的側(cè)視圖。
[0012]圖3示出根據(jù)一個實施例的圖1的處理系統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)模塊部分的另一實施例的側(cè)視圖。
[0013]圖4示出根據(jù)一個實施例的處理基板的方法。
[0014]圖5A至圖5C示出根據(jù)一個實施例的圖1的旋轉(zhuǎn)模塊的側(cè)視圖，這些圖描繪基板如何被放置在基板支撐組件上。
[0015]圖6示出根據(jù)一個實施例的具有旋轉(zhuǎn)模塊的處理系統(tǒng)的俯視圖。
[0016]圖7示出根據(jù)一個實施例的具有旋轉(zhuǎn)模塊的處理系統(tǒng)的俯視圖。
[0017]為清楚起見，在適用的情況下，已使用相同的附圖標記指定各圖之間共同的相同元件。另外，一個實施例的元件可有利地適于在本文所述的其他實施例中利用。
【具體實施方式】
[0018]圖1示出用于處理基板(未示出)的處理系統(tǒng)100的示意圖。處理系統(tǒng)100包括兩個傳送腔室104a和104b、旋轉(zhuǎn)模塊106和一個或多個處理腔室108。處理系統(tǒng)100也可包括負載鎖定腔室110、工廠接口 112和控制器113。工廠接口 112配置成從處理系統(tǒng)100裝載和卸載基板。工廠接口 112可包括適于裝載將處理的基板以及存儲已處理的基板的各種機器人和裝載端口。
[0019]負載鎖定腔室110將傳送腔室104a耦接至工廠接口112。負載鎖定腔室110選擇性地與傳送腔室104a流體地連通，以使得基板可在工廠接口 112的大氣環(huán)境與負載鎖定腔室110之間被傳送。傳送腔室104a包括機器人114a。機器人114a配置成傳送基板進出腔室106、108。傳送腔室104b包括機器人114b ο機器人114b配置成傳送基板進出腔室106、108。
[0020]處理腔室108耦接至傳送腔室104a、104b。在一個實施例中，處理腔室108可以是沉積腔室或處置腔室。適當?shù)某练e腔室的示例包括但不限于:化學氣相沉積(CVD)腔室、旋涂腔室、可流動CVD腔室、物理氣相沉積(PVD)腔室、原子層沉積(ALD)腔室、外延沉積腔室等等。處置腔室的示例包括但不限于:熱處置腔室、退火腔室、快速熱退火腔室、激光處置腔室、電子束處置腔室、紫外線(UV)處置腔室、離子束注入腔室、離子浸沒注入腔室等等。還構(gòu)想到，處理腔室108中的一個或多個可以是另一類型的真空處理腔室。
[0021]旋轉(zhuǎn)模塊106耦接至傳送腔室104a、104b。旋轉(zhuǎn)模塊106將傳送腔室104a與傳送腔室104b分離。旋轉(zhuǎn)模塊106允許傳送腔室104a、104b之間的流體連通，以使得從腔室104a傳送至104b的基板經(jīng)過旋轉(zhuǎn)模塊106。旋轉(zhuǎn)模塊106配置成旋轉(zhuǎn)基板。在圖2中更詳細地討論旋轉(zhuǎn)模塊106。
[0022]繼續(xù)參看圖1，處理腔室108、旋轉(zhuǎn)模塊106、傳送腔室104a和104b，以及負載鎖定腔室110被連接以形成真空密閉平臺116。一個或多個栗送系統(tǒng)118耦接至負載鎖定腔室110、傳送腔室104a和104b、旋轉(zhuǎn)模塊106，以及處理腔室108。在圖1中，示出耦接至負載鎖定腔室110的單個栗送系統(tǒng)118以避免圖示雜亂。栗系統(tǒng)118控制處理系統(tǒng)100內(nèi)的壓力。栗系統(tǒng)118可用于根據(jù)需要抽空并排空負載鎖定腔室110，以便促進基板從真空密閉平臺116的進入和移除。
[0023]處理系統(tǒng)100由通信電纜120耦接至控制器113?？刂破?13可操作以控制在處理系統(tǒng)100內(nèi)對基板的處理?？刂破?13包括可編程中央處理單元(CPU) 122，所述可編程CPU 122可與存儲器124和大容量存儲裝置、輸入控制單元和顯示器單元(未示出)(諸如電源、時鐘、高速緩沖存儲器、輸入/輸出(I/O)電路等等)一起操作，并且耦接至處理系統(tǒng)100的各個部件以便促進對處理基板的工藝的控制?？刂破?13也可包括用于通過處理系統(tǒng)100中的傳感器(未示出)來監(jiān)測對基板的處理的硬件。
[0024]為了促進處理系統(tǒng)100的控制和處理基板，CPU 122可以是用于控制基板工藝的任何形式的通用計算機處理器之一。存儲器124耦接至CPU122并且存儲器124是非暫態(tài)的，所述存儲器124可以是容易獲得的存儲器中的一種或多種，諸如隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(R0M)、軟盤驅(qū)動器、硬盤，或任何其他形式的數(shù)字存儲設備(無論是在本地的還是在遠程的)。支持電路126耦接至CPU 122以便以常規(guī)方式支持CPU 122。用于處理基板的工藝通常被存儲在存儲器124中。用于處理基板的工藝也可由第二CPU(未示出)儲存和/或執(zhí)行，所述第二CHJ遠離由CPU 122控制的硬件。
[0025]存儲器124是含有指令的計算機可讀存儲介質(zhì)的形式，當所述指令由CPU122執(zhí)行時促進在處理系統(tǒng)100中處理基板的操作。存儲器124中的指令是程序產(chǎn)品(諸如實施處理基板的操作的程序)的形式。程序代碼可符合數(shù)個不同編程語言的任何一種。在一個實例中，本公開可實施為存儲在與計算機系統(tǒng)一起使用的計算機可讀存儲介質(zhì)中的程序產(chǎn)品。程序產(chǎn)品的(多個)程序定義實施例的功能。說明性計算機可讀存儲介質(zhì)包括，但不限于:
(i)信息被永久地存儲在其上的非可寫存儲介質(zhì)(例如，計算機內(nèi)的只讀存儲器裝置，諸如由⑶-ROM讀取的CD-ROM盤，閃存、ROM芯片或任何類型的固態(tài)非易失性半導體存儲器)；以及
(ii)可改變的信息存儲在其上的寫入存儲介質(zhì)(例如，磁盤驅(qū)動器內(nèi)的軟盤或硬盤驅(qū)動器或任何類型的固態(tài)隨機存取半導體存儲器)。此類計算機可讀存儲介質(zhì)當攜帶引導本文所述方法的功能的計算機可讀指令時是本公開的實施例。
[0026]圖2示出旋轉(zhuǎn)模塊106的一個實施例。旋轉(zhuǎn)模塊106包括腔室主體202和基板支撐組件212。腔室主體202包括側(cè)壁204、頂板206，和底部208。側(cè)壁204、頂板206和底部208限定內(nèi)部體積210。基板支撐組件212設置在內(nèi)部體積210中?；逯谓M件212包括平臺290、軸216和旋轉(zhuǎn)致動器218。平臺290具有配置成接收基板的基板接收表面214。軸216通過開口 224貫穿腔室主體202的底部208。開口 224由波紋管226密封。板294耦接至波紋管226并圍繞軸216。軸封件292是滑動密封件，所述滑動密封件在軸的致動期間在板294和軸216之間提供真空密閉耦接。軸216耦接至平臺290。在一個實施例中，基板支撐組件212進一步包括多個升降銷222。所述多個升降銷222被配置成延伸穿過基板接收表面214以升高和/或降低基板從而促進機器人式傳送。
[0027]旋轉(zhuǎn)致動器218可以是步進電機、伺服電機等等。在一個實施例中，基板支撐組件212進一步包括旋轉(zhuǎn)傳感器223。旋轉(zhuǎn)致動器218耦接至基板支撐組件212的軸216。旋轉(zhuǎn)致動器218可配置成旋轉(zhuǎn)基板支撐組件212。旋轉(zhuǎn)傳感器223耦接至旋轉(zhuǎn)致動器218。旋轉(zhuǎn)傳感器配置成測量基板支撐組件212的旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)傳感器223可耦接至控制器(未示出)以向控制器提供實時的反饋。在一個實施例中，旋轉(zhuǎn)傳感器223可以是編碼器。
[0028]在一個實施例中，基板支撐組件212進一步包括豎直致動器220。豎直致動器220配置成在z方向上豎直地移動軸216，以使得平臺290被升高或降低。在圖2中，平臺290示出為處于升高的位置。
[0029]測量裝置228耦接至旋轉(zhuǎn)模塊106的頂板206。在一個實施例中，測量裝置228可以是橢率測量法裝置，所述橢率測量法裝置配置成通過形成在腔室主體202的頂板206中的窗口 230檢測沉積在基板上的膜的介電屬性。動態(tài)計量學可提供對基板的旋轉(zhuǎn)對膜屬性均勻性的有效性的實時反饋。
[0030]在圖2中所示的實施例中，基板支撐組件212完全地在旋轉(zhuǎn)模塊106的內(nèi)部體積210內(nèi)?；逯谓M件212不延伸至第一傳送腔室104a的內(nèi)部體積280中，也不延伸至第二傳送腔室104b的內(nèi)部體積282中。
[0031]圖3示出根據(jù)一個實施例的圖1的處理系統(tǒng)100的一部分的側(cè)視圖。圖3包括第一傳送腔室104a、第二傳送腔室104b和旋轉(zhuǎn)模塊106。旋轉(zhuǎn)模塊106耦接至第一傳送腔室104a和第二傳送腔室104b兩者。旋轉(zhuǎn)模塊106允許第一傳送腔室104a與第二傳送腔室104b之間的流體連通，以使得可在第一傳送腔室104a與第二傳送腔室104b之間傳送基板。在圖3中所示的實施例中，基板支撐組件212不完全在旋轉(zhuǎn)模塊106的內(nèi)部體積210內(nèi)。相反，基板支撐組件212部分地延伸至第一傳送腔室104a的內(nèi)部體積280中和第二傳送腔室104b的內(nèi)部體積282中。例如，平臺290可延伸至傳送腔室104a、104b中。因此，在圖3中所示的實施例中，旋轉(zhuǎn)模塊106具有比在圖2中所示的旋轉(zhuǎn)模塊106的內(nèi)部體積210更小的內(nèi)部體積210。
[0032]圖4示出在諸如圖1中所描繪的處理系統(tǒng)100中處理基板的方法400。方法400通過在第一處理腔室108中的基板上執(zhí)行膜沉積工藝的第一部分而開始于框402。基板由設置在第一傳送腔室104a中的機器人114a傳送至第一處理腔室108。機器人114a配置成在傳送腔室104a與處理腔室108之間移動基板。機器人114a將基板從負載鎖定腔室110傳送至第一傳送腔室104a中。第一處理腔室108可以是沉積腔室，所述沉積腔室諸如CVD腔室、旋涂腔室、可流動CVD腔室、PVD腔室和ALD腔室，或者適合在基板上沉積膜的任何其他沉積腔室。第一處理腔室108中，對基板執(zhí)行膜沉積工藝的第一部分。
[0033]在框404處，由機器人114a將基板從第一處理腔室108傳送至旋轉(zhuǎn)模塊106，如圖5A至圖5B所示。圖5A至圖5B示出在方法400的框404處的旋轉(zhuǎn)模塊106。圖5A示出當機器人正在將基板501定位在基板支撐組件212上時的旋轉(zhuǎn)模塊106。豎直致動器220在向下的z方向上致動基板支撐組件212以允許機器人114a將基板501放置在基板支撐組件212上?；宓纳典N222是穿過支撐組件212的平臺290而形成。在向上的z方向上致動升降銷222，以使得當基板支撐組件212被降低時，升降銷222在基板接收表面214上方延伸出。在降低的位置中，升降銷222接觸腔室主體202的底部208。結(jié)果，升降銷222在基板接收表面214上方延伸出。來自機器人114a的機器人葉片550從傳送腔室104a延伸穿過開口以將基板501定位在內(nèi)部體積210中。致動升降銷222允許基板接收表面214從機器人葉片550接收基板501而不阻礙機器人葉片550的通道。升降銷222可在向下的z方向上致動以當從基板501下方移除葉片時，將基板501定位在平臺290的基板接收表面214上。為了在向下的z方向上致動升降銷222，在向上的z方向上致動基板支撐組件212，以使得升降銷222不再接觸腔室主體202的底部208。
[0034]圖5B示出具有在延伸的位置中的被提升的基板支撐組件212的旋轉(zhuǎn)模塊106。豎直致動器220將基板支撐組件212致動至延伸的位置。在延伸的位置中，旋轉(zhuǎn)致動器218配置成旋轉(zhuǎn)基板支撐組件212(在圖5C中示出)。如圖所示，升降銷222脫離與基板接觸?，F(xiàn)在，基板正停留在基板接收表面214上。在延伸的位置中，沉積在第一處理腔室108中的基板上的膜的屬性可使用測量裝置228來測量。測量膜的屬性允許對在沉積工藝的各階段期間的膜均勻性的更好的理解。
[0035]返回參看圖4，在框406處，使旋轉(zhuǎn)模塊106旋轉(zhuǎn)預定的角度，如圖5C中所示。圖5C示出如框406中所述的、經(jīng)由旋轉(zhuǎn)致動器218對基板501的旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)致動器218旋轉(zhuǎn)基板支撐組件212的軸216，以使得平臺290和基板501隨著軸216—起旋轉(zhuǎn)。基板501的旋轉(zhuǎn)改變基板501相對于基板的原始位置的位置。在一個實施例中，旋轉(zhuǎn)致動器218可在約I度與360度之間繞基板501的中心軸線旋轉(zhuǎn)。例如，旋轉(zhuǎn)致動器218可在約90與180度之間旋轉(zhuǎn)基板501。一旦基板501被旋轉(zhuǎn)，就以可逆序地執(zhí)行圖5A至圖5C中所示的工藝，以使得機器人114a可從旋轉(zhuǎn)模塊106移除基板501。
[0036]繼續(xù)參看圖4，在框408處，將基板501從旋轉(zhuǎn)模塊106傳送至第二處理腔室108。在第二處理腔室108中，基板501經(jīng)歷膜沉積工藝的第二部分，如由框410所示。機器人114b將基板501從旋轉(zhuǎn)模塊106傳送至第二傳送腔室104b，且隨后傳送至第二處理腔室108。膜沉積工藝的第二部分可以是與膜沉積工藝的第一部分相同的膜沉積工藝。例如，膜沉積工藝的第二部分可以是CVD腔室、旋涂腔室、可流動CVD腔室、PVD腔室和ALD腔室，或者適合在基板上沉積薄膜的任何其他沉積腔室。
[0037]基板的處理可通過重復圖4中所述的方法400進行，直到在基板上已形成滿意的膜為止。隨后，可從處理系統(tǒng)100移除基板。在一個實施例中，基板可被旋轉(zhuǎn)約90度四次，以使得基板經(jīng)歷四次膜沉積工藝且被傳送至旋轉(zhuǎn)模塊106四次。因此，當基板在處理腔室108中處于四個不同的取向時，基板可在處理腔室108中被處理。也可使用在旋轉(zhuǎn)模塊106的頂上的測量裝置228單獨地測量膜的屬性四次。
[0038]圖6示出根據(jù)一個實施例的用于處理基板的處理系統(tǒng)600。處理系統(tǒng)600類似于處理系統(tǒng)100。相應地，已使用相同的附圖標記指定上文參看圖1描述的相同部件。處理系統(tǒng)600包括傳送腔室104、旋轉(zhuǎn)模塊606和一個或多個處理腔室108。處理系統(tǒng)600也可包括負載鎖定腔室110、工廠接口 112和控制器113。一個或多個處理腔室108和旋轉(zhuǎn)模塊606耦接至傳送腔室104。
[0039]旋轉(zhuǎn)模塊606類似于旋轉(zhuǎn)模塊106。相應地，已使用相同的附圖標記指定上文參看圖1、圖2和圖3描述的相同部件。旋轉(zhuǎn)模塊606與傳送腔室104處于流體地連通。旋轉(zhuǎn)模塊606被配置成旋轉(zhuǎn)基板。旋轉(zhuǎn)模塊606進一步包括基板支撐組件612?；逯谓M件612包括平臺690。旋轉(zhuǎn)模塊606被尺寸設定為使得旋轉(zhuǎn)模塊606具有長度L，所述長度L小于平臺690的直徑D。因此，基板支撐組件612部分地延伸至傳送腔室104中。相比平臺690的直徑D的旋轉(zhuǎn)模塊606的長度L具有若干優(yōu)點。旋轉(zhuǎn)模塊606的處理體積V被減小，導致將抽空旋轉(zhuǎn)模塊606所需的更少的時間。另外，因為平臺690延伸至旋轉(zhuǎn)模塊606中，所以去除了移動的部件(諸如在傳送腔室和旋轉(zhuǎn)模塊之間的狹縫閥門)。
[0040]圖7示出根據(jù)一個實施例的用于處理基板的處理系統(tǒng)700。處理系統(tǒng)700類似于處理系統(tǒng)100。相應地，已使用相同的附圖標記指定上文參看圖1描述的相同部件。處理系統(tǒng)700包括傳送腔室104、旋轉(zhuǎn)模塊706和一個或多個處理腔室108。旋轉(zhuǎn)模塊706定位在負載鎖定位置處。旋轉(zhuǎn)模塊706配置成旋轉(zhuǎn)基板。旋轉(zhuǎn)模塊706和一個或多個處理腔室108與傳送腔室104流體地連通。
[0041]雖然上述內(nèi)容針對本公開的實施例，但是可設計本公開的其他和進一步的實施例而不背離本公開的基本范圍，并且本公開的范圍由所附權(quán)利要求書來確定。
[0042]元件符號
[0043]100 處理系統(tǒng)
[0044]104a 腔室
[0045]104b腔室
[0046]106腔室
[0047]108腔室
[0048]HO負載鎖定腔室
[0049]112工廠接口
[0050]113控制器[0051 ] 114a 機器人
[0052]114b機器人
[0053]116真空密閉平臺
[0054]118栗系統(tǒng)
[0055]120通信電纜
[0056]122中央處理單元
[0057]124存儲器
[0058]126支持電路
[0059]202腔室主體
[0060]204側(cè)壁[0061 ] 206頂板
[0062]210內(nèi)部體積
[0063]212基板支撐組件
[0064]214基板接收表面
[0065]216軸
[0066]218旋轉(zhuǎn)致動器
[0067]220豎直致動器
[0068]222升降銷
[0069]223旋轉(zhuǎn)傳感器
[0070]224開口[0071 ] 226波紋管
[0072]228測量裝置
[0073]230窗口
[0074]280內(nèi)部體積
[0075]282內(nèi)部體積
[0076]290平臺
[0077]292軸密封件
[0078]294板
[0079]400方法
[0080]402步驟[0081 ] 404步驟
[0082]406步驟
[0083]408步驟
[0084]410步驟
[0085]501基板
[0086]550機器人葉片
[0087]600處理系統(tǒng)
[0088]606旋轉(zhuǎn)模塊
[0089]612基板支撐組件
[0090]690平臺
[0091]700處理系統(tǒng)
[0092]706旋轉(zhuǎn)模塊
【主權(quán)項】
1.一種用于半導體處理的處理腔室，所述處理腔室包含: 兩個傳送腔室； 處理腔室，耦接至所述兩個傳送腔室中的一個傳送腔室； 旋轉(zhuǎn)模塊，定位在所述傳送腔室之間，所述旋轉(zhuǎn)模塊配置成旋轉(zhuǎn)基板。2.一種用于半導體處理的處理腔室，所述處理腔室包含: 傳送腔室； 處理腔室，耦接至所述傳送腔室； 旋轉(zhuǎn)模塊，耦接至所述傳送腔室，所述旋轉(zhuǎn)模塊被配置當基板的一部分保持在所述傳送腔室中時旋轉(zhuǎn)所述基板。3.如權(quán)利要求1或2所述的處理系統(tǒng)，其中所述旋轉(zhuǎn)模塊包含: 腔室主體，限定內(nèi)部體積； 基板支撐組件，設置在所述內(nèi)部體積中； 旋轉(zhuǎn)致動器，耦接至所述基板支撐組件，所述旋轉(zhuǎn)致動器配置成旋轉(zhuǎn)所述基板支撐組件。4.如權(quán)利要求3所述的處理系統(tǒng)，其中所述旋轉(zhuǎn)模塊進一步包含: 旋轉(zhuǎn)傳感器，與所述旋轉(zhuǎn)致動器連通，所述旋轉(zhuǎn)傳感器配置成測量所述基板支撐組件的旋轉(zhuǎn)。5.如權(quán)利要求3所述的處理系統(tǒng)，其中所述旋轉(zhuǎn)模塊進一步包含: 豎直致動器，耦接至所述基板支撐組件，所述豎直致動器配置成豎直地移動所述基板支撐組件。6.如權(quán)利要求3所述的處理系統(tǒng)，其中所述旋轉(zhuǎn)模塊進一步包含: 測量模塊，耦接至所述腔室主體，其中所述測量模塊配置成通過形成在所述腔室主體中的窗口來檢測沉積在基板上的膜的介電屬性。7.如權(quán)利要求3所述的處理系統(tǒng)，其中所述基板支撐組件完全地被包含在所述旋轉(zhuǎn)模塊的所述內(nèi)部體積內(nèi)。8.如權(quán)利要求3所述的處理系統(tǒng)，其中所述基板支撐組件部分地延伸至第一傳送腔室的內(nèi)部體積和第二傳送腔室的內(nèi)部體積中。9.一種用于處理基板的方法，所述方法包含以下步驟: 在處理腔室中的基板上沉積膜的第一部分； 將所述基板傳送至旋轉(zhuǎn)模塊； 旋轉(zhuǎn)所述基板預定的量； 將所述基板傳送至處理腔室； 在所述處理腔室中的所述基板上沉積所述膜的第二部分。10.如權(quán)利要求9所述的方法，進一步包含以下步驟: 在向下的z方向上致動所述處理腔室中的基板支撐組件； 將所述基板定位在所述處理腔室中的所述基板支撐組件上，其中所述處理腔室被配置成在所述基板上沉積所述膜的所述第一部分；以及 在向上的z方向上致動所述處理腔室中的所述基板支撐組件。11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中將所述基板從所述處理腔室、通過傳送腔室傳送至所述旋轉(zhuǎn)模塊。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述基板定位在部分地延伸至所述傳送腔室中的基板支撐組件上。13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述基板被旋轉(zhuǎn)180°。14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述基板被旋轉(zhuǎn)η次且經(jīng)歷η次沉積。15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述基板被旋轉(zhuǎn)四次且經(jīng)歷四次沉積。
【文檔編號】H01L21/67GK106067433SQ201610248104
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年4月20日 公開號201610248104.3, CN 106067433 A, CN 106067433A, CN 201610248104, CN-A-106067433, CN106067433 A, CN106067433A, CN201610248104, CN201610248104.3
【發(fā)明人】T·A·恩古耶, A·K·班塞爾, J·C·羅查-阿爾瓦瑞茲
【申請人】應用材料公司