載具以及將半導體元件附接到載具的方法與半導體方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導體元件載具以及將半導體元件附接到載具的方法與半導體方法。所述半導體元件載具包含多個單元，其中所述單元中的每一者包含第一主體部、第二主體部和活塞件。所述第一主體部具有第一通孔，所述第一通孔具有第一孔徑。所述第二主體部具有第二通孔，其中所述第二通孔與所述第一通孔連通，且具有第二孔徑，其中所述第二孔徑小于所述第一孔徑。所述活塞件具有頂部，所述頂部位于所述第一通孔中且具有頂部外徑，所述頂部外徑大于所述第二孔徑。
【專利說明】
載具以及將半導體元件附接到載具的方法與半導體方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體元件載具和利用所述半導體元件載具的半導體方法，特別是一種利用活塞件以控制吸附力的半導體元件載具和利用所述半導體元件載具的半導體方法。
【背景技術】
[0002]常規(guī)的半導體方法是將晶片置于切割膠帶(dicingtape)上，且所述切割膠帶的外緣通常由環(huán)狀的膜片架(Film Frame)所固定，之后再將晶片放置在切割工作站的載臺上。當晶片經(jīng)由切割形成多顆裸片時，由于所述膜片架對所述切割膠帶的橫向拉力，使得所述裸片會被橫向拉開而發(fā)生位置偏移的情況，即所述裸片彼此間的間隙在切割后會加大。而且此偏移會累積，即在外圍的裸片的偏移量會更大。由于測試用的探針在探針頭的位置是固定的，當裸片的偏移量超過一數(shù)值后，探針便無法有效地測試所有裸片，因此常規(guī)的產(chǎn)品測試方式的作業(yè)效率會下降。舉例來說，常規(guī)的產(chǎn)品測試方式一次只能測試4顆裸片，因此，機臺的單位小時產(chǎn)能(Units Per Hour，UPH)無法有效提升。且，在使用熱解離的方式將裸片從切割膠帶分離時，需要有等待膠帶熱解離的時間，如此則會造成整體半導體方法所需花費的時間較長，也使得產(chǎn)能無法提升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的一方面涉及一種半導體元件載具。在實施例中，所述半導體元件載具包含多個單元，其中所述單元中的每一者包含第一主體部、第二主體部和活塞件。所述第一主體部具有第一通孔，所述第一通孔具有第一孔徑。所述第二主體部位于所述第一主體部的下方，且具有第二通孔，其中所述第二通孔與所述第一通孔連通，且具有第二孔徑，其中所述第二孔徑小于所述第一孔徑。所述活塞件具有頂部和桿部，其中所述頂部位于所述第一通孔中且具有頂部外徑，所述頂部外徑大于所述第二孔徑，且所述桿部位于所述第二通孔中。
[0004]在實施例中，所述單元中的每一者進一步包含第三主體部，位于所述第二主體部的下方，且具有第三通孔，所述第三通孔與所述第二通孔連通，所述第三通孔具有第三孔徑，其中所述第三孔徑大于所述第二孔徑，所述活塞件進一步具有底部，所述底部位于所述第三通孔中且具有底部外徑，所述底部外徑大于所述第二孔徑。
[0005]在實施例中，所述半導體元件載具進一步包含多個凹槽，所述凹槽從所述半導體元件載具的頂面向下延伸。
[0006]本發(fā)明的另一方面涉及一種將半導體元件附接到載具的方法。在實施例中，所述安裝的方法包含:(a)提供半導體元件；(b)提供載具，所述載具包含多個單元，其中所述單元中的每一者包含第一主體部、第二主體部和活塞件，所述第一主體部具有第一通孔，所述第一通孔具有第一孔徑;所述第二主體部位于所述第一主體部的下方，且具有第二通孔，其中所述第二通孔與所述第一通孔連通，且具有第二孔徑，其中所述第二孔徑小于所述第一孔徑;所述活塞件具有頂部和桿部，其中所述頂部位于所述第一通孔中且具有頂部外徑，所述頂部外徑大于所述第二孔徑，所述桿部位于所述第二通孔中；(C)將所述半導體元件放置于所述載具的頂面，其中所述半導體元件覆蓋多個單元的第一通孔；以及(d)在所述載具的下方提供吸力，以排出所述第一通孔內(nèi)的空氣，使得所述半導體元件被吸附于所述載具的所述頂面上。
[0007]在實施例中，所述步驟(d)中，被所述半導體元件覆蓋的所述第一通孔中，所述活塞件的頂部覆蓋所述第二通孔，使得所述第一通孔內(nèi)的壓力小于大氣壓。
[0008]本發(fā)明的又一方面涉及一種半導體方法。在實施例中，所述半導體方法包含以下步驟:(a)提供半導體元件；(b)提供載具；(C)利用所述載具吸住所述半導體元件，以形成結合結構；以及(d)將所述結合結構移動到切割工作站，以切割所述半導體元件而形成多個半導體元件單體。
[0009]在實施例中，所述步驟(C)中，所述載具包含多個單元，其中所述單元中的每一者包含第一主體部、第二主體部和活塞件，所述第一主體部具有第一通孔，所述第一通孔具有第一孔徑;所述第二主體部位于所述第一主體部的下方，且具有第二通孔，其中所述第二通孔與所述第一通孔連通，且具有第二孔徑，其中所述第二孔徑小于所述第一孔徑;所述活塞件具有頂部和桿部，其中所述頂部位于所述第一通孔中且具有頂部外徑，所述頂部外徑大于所述第二孔徑，所述桿部位于所述第二通孔中。
[0010]在實施例中，所述步驟(C)之后進一步包含:(Cl)移動所述結合結構到測試工作站，以測試所述半導體元件。
[0011]在實施例中，其中所述步驟(d)之后進一步包含:(e)移動所述結合結構到測試工作站，以測試所述半導體元件單體。
[0012]在實施例中，其中所述步驟(d)之后進一步包含:(e)解除所述載具部分區(qū)域的吸力；以及(f)取放對應被解除吸力的所述載具部分區(qū)域的半導體元件單體。
【附圖說明】
[0013]圖1顯示本發(fā)明半導體元件載具和半導體元件的實施例的立體示意圖。
[0014I圖2A顯示圖1的半導體載具的局部放大立體示意圖。
[0015]圖2B顯示圖1的半導體載具的局部放大剖面示意圖。
[0016]圖3顯示本發(fā)明的半導體載具的另一實施例的局部放大立體示意圖。
[0017]圖4顯示本發(fā)明的半導體載具的另一實施例的局部放大剖面示意圖。
[0018]圖5到圖13顯示本發(fā)明半導體方法的實施例的示意圖。
【具體實施方式】
[0019]參考圖1，顯示本發(fā)明半導體元件載具2和半導體元件I的實施例的立體示意圖。所述半導體元件載具2是由多個單元20排列所組成，而所述半導體元件I可經(jīng)放置并固定于所述半導體元件載具2的頂面。在本實施例中，所述半導體元件載具2是用以吸住所述半導體元件I。所述半導體元件I具有多個單體區(qū)域17，所述單體區(qū)域17是由多條垂直交錯的切割道15所定義。所述半導體元件載具2的所述單元20是由多條垂直交錯的凹槽29所圍繞。
[0020]參考圖2A，顯示圖1的半導體載具2的局部放大立體示意圖。在本實施例中，所述單元20呈矩陣排列，且彼此大致成一體，其中在的尺寸中約包括有四到四十個單元20。然而，所述尺寸可包括的單元20的數(shù)目并不以此為限，可依實際設計而有所調(diào)整。在本實施例中，所述凹槽29位于所述單元20之間，且所述單元20的所述第一通孔211分別被所述凹槽29所圍繞，其中，所述凹槽29對應于所述半導體元件I的所述切割道15。
[0021]參考圖2B，顯示圖1的半導體載具2的局部放大剖面示意圖。在本實施中，每一單元20具有第一主體部21、第二主體部23、第三主體部25和活塞件27。
[0022]所述第一主體部21可由復合材料、軟質(zhì)材料或彈性材料所制成，例如橡膠。所述第一主體部21具有第一通孔211，且所述第一通孔211具有第一孔徑Dl。所述第二主體部23位于所述第一主體部21的下方，其可由硬質(zhì)材料所制成，例如金屬材料。
[0023]所述第二主體部23具有第二通孔231，所述第二通孔231與所述第一通孔211連通，且所述第二通孔231具有第二孔徑D2。所述第二孔徑D2小于所述第一孔徑D1。
[0024]所述第三主體部25位于所述第二主體部23的下方，其可由硬質(zhì)材料所制成，例如金屬材料。在本實施例中，所述第三主體部25與所述第二主體部23為相同材質(zhì)且為一體成形。然而，可以理解的是，所述第三主體部25也可以為非金屬材料。在本實施例中，所有單元20的第一主體部21為一體成形，且所有單元20的第二主體部23和第三主體部25為一體成形。所述第三主體部25具有第三通孔251，所述第三通孔251與所述第二通孔231連通，且所述第三通孔251具有第三孔徑D3。所述第三孔徑D3大于所述第二孔徑D2。
[0025]所述活塞件27位于所述第一通孔211、所述第二通孔231和所述第三通孔251內(nèi)，其具有頂部271、桿部273和底部275。所述活塞件27的頂部271位于所述第一通孔211中，且具有頂部外徑D4。所述頂部外徑D4大于所述第二通孔231的所述第二孔徑D2，且小于所述第一通孔211的所述第一孔徑D1。所述活塞件27的桿部273連接于所述頂部271的下方并位于所述第二通孔231中，且所述桿部273的長度大于所述第二主體部23的厚度。所述桿部273具有桿部外徑D5，所述桿部外徑D5小于所述第二孔徑D2。所述活塞件27的底部275連接于所述桿部273的下方并位于所述第三通孔251中。所述底部275具有底部外徑D6，所述底部外徑D6大于所述第二通孔231的所述第二孔徑D2，且小于所述第三通孔251的第三孔徑D3。
[0026]在本實施例中，所述活塞件27的桿部273的長度大于第二主體部23的厚度，所述頂部外徑D4小于所述第一孔徑Dl，所述桿部外徑D5小于所述第二孔徑D2，且所述底部外徑D6小于第三孔徑D3，因此，所述活塞件27可在單元20的內(nèi)部自由地上下移動。又，因所述活塞件27的所述頂部外徑D4大于所述第二通孔231的所述第二孔徑D2，因此，當所述活塞件27的頂部271經(jīng)由外部吸力而緊緊抵靠所述第一主體部21的第一通孔211的底部時，所述活塞件27的頂部271可完全覆蓋所述第二通孔231，使得所述第一通孔211與所述第二通孔231完全被所述活塞件27的頂部271所隔開，導致空氣互不流通。此外，由于所述活塞件27的底部外徑D6大于所述第二通孔231的第二孔徑D2，因此所述活塞件27可在所述單元20的內(nèi)部自由地上下移動，而不會從所述單元20脫離與所述單元20彼此分開。
[0027]在本實施例中，所述半導體元件載具2進一步包含多個凹槽29。所述凹槽29從所述半導體元件載具2的第一主體部21的頂面向下延伸，但不會延伸到所述單元20的第二主體部23處。所述凹槽29位于所述單元20之間，所述凹槽29平行于所述第一通孔211的側壁，且不連通所述第一通孔211。在本實施例中，所述凹槽29對應于所述半導體元件I的所述切割道15，并用以容置切割半導體元件I過程中所使用的刀具60(圖12)的下端。由于所述第一主體部21的材質(zhì)可為復合材料、軟質(zhì)材料或彈性材料所制成，且所述凹槽29設置于第一主體部21之間，因此，當使用刀具進行晶片切割時，可降低刀具因?qū)ξ徽`差而碰觸所述第一主體部21時所造成的刀具損傷程度。
[0028]參考圖3，顯示本發(fā)明的半導體載具的另一實施例的局部放大立體示意圖。本實施例的半導體載具2a與圖2A所示的半導體載具2大致相同，其不同處如下所述。在本實施例的半導體載具2a中，凹槽29a穿過所述第一通孔211。亦即，凹槽29a并未平行于所述第一通孔211的側壁，且連通所述第一通孔211。在另一實施例(未繪示)中，所述凹槽29、29a同時存在于所述半導體載具上，以符合不同半導體元件I的所述切割道15的設計需求。
[0029]參考圖4，顯示本發(fā)明的半導體載具的另一實施例的局部放大剖面示意圖。本實施例的半導體載具2b與圖2B所示的半導體載具2大致相同，其不同處如下所述。本實施例的半導體載具2b進一步包含網(wǎng)狀結構40，位于所述第一通孔211的開口處。所述網(wǎng)狀結構40并不會阻礙外界空氣進出所述第一通孔211，但是所述網(wǎng)狀結構40可防止所述活塞件27從所述第一通孔211掉出而脫離所述單元20。因此，本實施例的半導體載具2b可省略所述第三主體部25和所述活塞件27的底部275。
[0030]圖5到圖13顯示本發(fā)明半導體方法的實施例的示意圖。參考圖5，提供半導體元件I，其中圖5顯示所述半導體元件I的局部剖面示意圖。在本實施例中，所述半導體元件I為晶片，其包含半導體元件主體10、多個接墊(Pad) 103、鈍化層(Passi vat 1n Layer) 104和多條切割道15。所述半導體元件主體10的材質(zhì)可以是例如硅、鍺、砷化鎵等半導體材料。所述半導體元件主體10具有上表面101和下表面102，所述接墊103位于所述半導體元件主體10的上表面101。所述鈍化層104覆蓋所述半導體元件主體10的上表面101和部分接墊103，且具有多個鈍化層開口 1041以顯露部分所述接墊103。所述切割道15定義出多個單體區(qū)域17，且兩個單體區(qū)域17間的間距(Pitch)定義為第一間距Pu
[0031]參考圖6，形成第一保護層13以覆蓋部分接墊103和所述鈍化層104，其中所述第一保護層13具有多個第一開口 131以顯露部分所述接墊103。在本實施例中，所述第一保護層13的材質(zhì)為聚酰亞胺(Polyimide)。接著，形成重布層(Redistribut1n Layer，RDL) 14于所述第一保護層13上和其第一開口 131中，以接觸所述接墊103。所述重布層14的材質(zhì)為金屬，例如銅。接著，形成第二保護層16以覆蓋所述重布層14和所述第一保護層13，其中所述第二保護層16具有多個第二開口 161以顯露部分重布層14。接著，形成凸塊下金屬層(UnderBump Metallurgy，UBM)18于所述第二開口 161中以接觸所述重布層14。
[0032]參考圖7，形成多個焊球120于所述凸塊下金屬層18上。此時，所述半導體元件I具有主動面11和背面12。所述主動面11即包括所述重布層14和所述焊球120的表面;所述背面12即所述半導體元件主體10的下表面102。
[0033]參考圖8，進行第一次測試步驟。在本實施例中，利用測試裝置19測試所述半導體元件I。所述測試裝置19包括探針頭191和多個探針34，所述探針34連接到所述探針頭191，且所述探針34的位置固定。在本實施例中，利用所述探針34經(jīng)由所述半導體元件I的單體區(qū)域17上的焊球120以測試所述半導體元件I的單體區(qū)域17的電性。
[0034]參考圖8A，顯示圖8第一次測試后的測試結果示意圖。如圖所示，兩個X符號所標示的區(qū)域代表其對應的兩個單體區(qū)域17未通過電性測試，即其為有缺陷的。
[0035]參考圖9，薄化所述半導體元件I。在本實施例中，研磨(Grinding)所述半導體元件I的背面12(所述半導體元件主體10的下表面102)，以薄化所述半導體元件主體10，且增加所述半導體元件I的背面12的平坦性。
[0036]參考圖10，將所述半導體元件載具2放置于抽氣機臺35上，其中所述抽氣機臺35的多個氣孔351優(yōu)選地分別對準且連通所述半導體元件載具2的第一通孔211、第二通孔231和第三通孔251。接著，將所述半導體元件I放置于所述半導體元件載具2的頂面上，其中所述半導體元件I覆蓋至少一個單元20的第一通孔211。在本實施例中，所述半導體元件I的一個單體區(qū)域17對應覆蓋四個單元20的第一通孔211。然而可以理解的是，一個單體區(qū)域17也可以對應覆蓋更多個單元20的第一通孔211。此外，在本實施例中，所述半導體元件I的切割道15對應所述凹槽29(切割道15d延伸方向在所述凹槽29的正上方)；然而可以理解的是，在其它實施例中，所述半導體元件I的切割道15也可以不對應所述凹槽29。
[0037]在所述半導體元件I放置于所述半導體元件載具2的頂面上后，所述抽氣機臺35可提供吸力于所述半導體元件載具2的下方。在本實施例中，所述抽氣機臺35的所述氣孔351對應所述半導體元件載具2的所述活塞件27下方，接著以抽氣方式排出所述單元20的所述第一通孔211內(nèi)的空氣，因此，被所述半導體元件I覆蓋的所述第一通孔中，所述活塞件27被吸引而向下移動以使其頂部271緊緊地覆蓋所述第二通孔231。此時，所述單元20的所述第一通孔211形成密閉空間，且其內(nèi)的壓力小于大氣壓，優(yōu)選的氣壓接近真空。如此，所述半導體元件I的背面12被緊緊吸附于所述半導體元件載具2的頂面，S卩，所述半導體元件載具2吸住所述半導體元件I，以形成結合結構。
[0038]可以理解的是，圖8所示的第一次測試步驟可以在此時才進行。即，在所述半導體元件載具2與所述半導體元件I形成所述結合結構之后，將所述結合結構移動到測試工作站，才進行所述第一次測試步驟。
[0039]參考圖11，所述半導體元件I與所述半導體元件載具2所結合而形成的所述結合結構可被移動到切割工作站。接著，利用刀具60沿著所述切割道15切割所述半導體元件I以形成多個半導體元件單體4(即裸片(Die))。在本實施例中，所述刀具60大致對準所述凹槽29，而在切割所述半導體元件I時，所述刀具60的下端會正好進入所述凹槽29中，以確保所述刀具60可完全切斷所述半導體元件I。在其它實施例中，如果所述刀具60并未與所述凹槽29對準(即所述切割道15未對應所述凹槽29)，在進行切割時，刀具60則會接觸到所述半導體元件載具2的所述單元20的第一主體部21，然而，所述第一主體部21由具有彈性的復合材料所制成，即使所述第一主體部21被刀具60所切割或碰觸，可減緩所述第一主體部21所受到的損壞，如此可延長所述半導體元件載具2的使用壽命，也可減緩刀具60的受損情形。再者，由于所述第一主體部21具有彈性，因此當所述半導體元件I放置于所述半導體元件載具2上時，所述第一主體部21可提供緩沖力，避免所述半導體元件I受損。此外，也可通過所述具有彈性的第一主體部21，以提供所述半導體元件I放置于所述半導體元件載具2時可有優(yōu)選的密合度(氣密性)。
[0040]此外，切割所述半導體元件I時，由于所述半導體元件I緊緊貼附于所述半導體元件載具2的頂面上，所以可以控制切割后形成的所述半導體元件單體4之間保持相同的第二間距P2。如圖所示，所述半導體元件單體4與左邊的半導體元件單體間的間隙的寬度為CU，所述半導體元件單體4與右邊的半導體元件單體間的間隙的寬度為山，其中
[0041 ] O = d2~di = 4μπι
[0042]因此，所述半導體元件單體4間的偏移量可定義為(Cl2-Cl1)，且所述偏移量小于4μπι，如此，所述半導體元件單體4之間可保持幾乎相同的第二間距Ρ2。而且所述第二間距P2與圖6的第一間距PJl乎相同，換句話說，切割后的所述半導體元件單體4的位置與未切割前的單體區(qū)域17的位置幾乎相同而未偏移，如此將有助于測試步驟的效率。
[0043]參考圖12，進行第二次測試步驟。由于所述經(jīng)切割后的半導體元件1(半導體元件單體4)仍緊緊吸附于所述半導體元件載具2的頂面上，因此可直接將所述結合結構移動到測試工作站以進行測試。在本實施例中，因切割后形成的所述半導體元件單體4之間保持相同間距(第二間距P2)，因此可利用與圖8相同的測試裝置19測試所述半導體元件單體4，即利用所述探針34經(jīng)由所述半導體元件單體4上的焊球120以測試所述半導體元件單體4。在本實施例中，由于切割后的所述半導體元件單體4幾乎未發(fā)生偏移，因此，第二次測試步驟中所述測試裝置19所測試的所述半導體元件單體4的數(shù)目與第一次測試步驟中所述測試裝置19所測試的所述單體區(qū)域17的數(shù)目相同。如此，所述測試裝置19可一次測試較多的半導體元件單體4 (例如:一次可測32個)，因此，機臺的單位小時產(chǎn)能(Uni ts Per Hour, UPH)可有效提升。要注意的是，在圖11的切割步驟中，如果所述半導體元件單體4間的偏移量(d2-Cl1)大于4μπι，由于偏移量的累積，會使得所述測試裝置19一次僅能測試較少的半導體元件單體4(例如:一次僅可測16個)。如此，第二次測試步驟中所述測試裝置19所測試的所述半導體元件單體4的數(shù)目則會小于第一次測試步驟中所述測試裝置19所測試的所述單體區(qū)域17的數(shù)目。
[0044]參考圖12Α，顯示圖12第二次測試后的測試結果示意圖。如圖所示，三個O符號所標示的區(qū)域代表其對應的三個半導體元件單體4未通過電性測試，即其為有缺陷的。由于第二次測試步驟所使用的測試裝置19(圖12)與第一次測試步驟所使用的測試裝置19(圖8)相同，且切割后的所述半導體元件單體4的位置與未切割前的單體區(qū)域17的位置幾乎相同，因此，通過比對(mapping)二次測試步驟的測試結果，例如:比對缺陷模式(defect mode)(圖8A和圖12A)可看出切割后才形成的缺陷，進而調(diào)整切割機臺和相關的工藝參數(shù)，以提升切割成出率。
[0045]參考圖13，解除所述半導體元件載具2部分區(qū)域的吸力，以取放對應被解除吸力的所述半導體元件載具2部分區(qū)域的半導體元件單體4。在本實施例中，將經(jīng)切割的半導體元件I與所述半導體元件載具2的結合結構放置于取放(pick and place)機臺37上，所述半導體元件單體4的下方對應一個或多個活塞件27，在所述活塞件27下方對應一個或多個頂針355。通過所述頂針355向上推擠所述對應的活塞件27時，所述活塞件27則會向上移動且其頂部271不再緊緊覆蓋所述第二通孔231。隨后，空氣則會進入所述第一通孔211內(nèi)，使得所述第一通孔211的內(nèi)部的壓力與所述第一通孔211外部的壓力相同(例如:同為大氣壓)。如此，所欲選取的半導體元件單體4與所述半導體元件載具2之間的吸力則被解除，而所述所欲選取的半導體元件單體4則不再緊緊吸附于所述半導體元件載具2的頂面。與此同時，利用取放機臺37的吸取頭(圖中未示)從所述所欲選取的半導體元件單體4上方進行選取(PI ck-up)的步驟，所述所欲選取的半導體元件4則可被取放機臺37所取下。
[0046]在本實施例中，因所述半導體元件I的背面12可緊緊吸附于所述半導體元件載具2的頂面而形成結合結構，如圖10和其相關敘述所示，故所述結合結構本身可直接在切割工作站與測試工作站之間移動。例如:可先移動到測試工作站進行半導體元件I的測試后，再移動到切割工作站將所述半導體元件I切割成多個半導體元件單體4。之后，再將所述結合結構移動回測試工作站，以對所述經(jīng)切割成多個半導體元件單體4進行測試。且透過此結合結構進行切割后，所述半導體元件單體4的位置與未切割前的單體區(qū)域17的位置幾乎相同而未偏移，如此，利用同一個測試裝置19進行二次測試時，第二次測試步驟中所述測試裝置19所測試的所述半導體元件單體4的數(shù)目可與第一次測試步驟中所述測試裝置19所測試的所述單體區(qū)域17的數(shù)目相同，有助于測試步驟的效率。
[0047]又，所述結合結構本身可直接在切割工作站與測試工作站之間移動，不再需要配合不同的機臺而更換不同的載具，大大提升所述半導體元件I在切割工作站與測試工作站之間的轉(zhuǎn)換速度，大幅減少半導體方法所需時間。
[0048]此外，本實施例利用取放機臺37的頂針355推頂所述半導體元件載具2內(nèi)的活塞件27，以解除所述半導體元件載具2對所述半導體元件單體4的吸附力，而使所述半導體元件單體4可與所述半導體元件載具2分離，如圖13和其相關說明所示。上述將半導體元件單體4與半導體元件載具2的分離方式所花費的時間相較于常規(guī)需通過熱解離切割膠帶的方式短，因此可減少半導體方法的時間。且此半導體元件載具2不受環(huán)境溫度的影響，故可適用于各種工作溫度范圍，即，可配合產(chǎn)品于各種溫度下測試，以確保產(chǎn)品成出率。
[0049]惟上述實施例僅為說明本發(fā)明的原理和其功效，而非用以限制本發(fā)明。因此，所屬領域的技術人員對上述實施例進行修改和變化而仍不脫離本發(fā)明的精神。本發(fā)明的權利范圍應如后述的權利要求書所列。
【主權項】
1.一種半導體元件載具，其包含: 多個單元，其中所述單元中的每一者包含: 第一主體部，具有第一通孔，所述第一通孔具有第一孔徑； 第二主體部，位于所述第一主體部的下方，且具有第二通孔，其中所述第二通孔與所述第一通孔連通，且具有第二孔徑，其中所述第二孔徑小于所述第一孔徑；以及 活塞件，具有頂部和桿部，其中所述頂部位于所述第一通孔中且具有頂部外徑，所述頂部外徑大于所述第二孔徑，且所述桿部位于所述第二通孔中。2.根據(jù)權利要求1所述的半導體元件載具，其中所述單元中的每一者進一步包含第三主體部，位于所述第二主體部的下方，且具有第三通孔，所述第三通孔與所述第二通孔連通，所述第三通孔具有第三孔徑，其中所述第三孔徑大于所述第二孔徑;所述活塞件進一步具有底部，所述底部位于所述第三通孔中且具有底部外徑，所述底部外徑大于所述第二孔徑。3.根據(jù)權利要求1所述的半導體元件載具，其進一步包含多個凹槽，所述凹槽從所述半導體元件載具的頂面向下延伸。4.一種將半導體元件附接到載具的方法，其包含以下步驟: (a)提供半導體元件； (b)提供載具，所述載具包含多個單元，其中所述單元中的每一者包含第一主體部、第二主體部和活塞件，所述第一主體部具有第一通孔，所述第一通孔具有第一孔徑;所述第二主體部位于所述第一主體部的下方，且具有第二通孔，其中所述第二通孔與所述第一通孔連通，且具有第二孔徑，其中所述第二孔徑小于所述第一孔徑;所述活塞件具有頂部和桿部，其中所述頂部位于所述第一通孔中且具有頂部外徑，所述頂部外徑大于所述第二孔徑，所述桿部位于所述第二通孔中； (c)將所述半導體元件放置于所述載具的頂面，其中所述半導體元件覆蓋至少一個單元的第一通孔；以及 (d)在所述載具的下方提供吸力，以排出所述第一通孔內(nèi)的空氣，使得所述半導體元件被吸附于所述載具的所述頂面上。5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中所述步驟(d)中，被所述半導體元件覆蓋的所述第一通孔中，所述活塞件的頂部覆蓋所述第二通孔，使得所述第一通孔內(nèi)的壓力小于大氣壓。6.一種半導體方法，其包含以下步驟: (a)提供半導體元件； (b)提供載具； (C)利用所述載具吸住所述半導體元件，以形成結合結構；以及 (d)將所述結合結構移動到切割工作站，以切割所述半導體元件而形成多個半導體元件單體。7.根據(jù)權利要求6所述的半導體方法，其中所述步驟(C)中，所述載具包含多個單元，其中所述單元中的每一者包含第一主體部、第二主體部和活塞件，所述第一主體部具有第一通孔，所述第一通孔具有第一孔徑;所述第二主體部位于所述第一主體部的下方，且具有第二通孔，其中所述第二通孔與所述第一通孔連通，且具有第二孔徑，其中所述第二孔徑小于所述第一孔徑;所述活塞件具有頂部和桿部，其中所述頂部位于所述第一通孔中且具有頂部外徑，所述頂部外徑大于所述第二孔徑，所述桿部位于所述第二通孔中。8.根據(jù)權利要求6所述的半導體方法，其中所述步驟(C)之后進一步包含: (Cl)將所述結合結構移動到測試工作站，以測試所述半導體元件。9.根據(jù)權利要求6所述的半導體方法，其中所述步驟(d)之后進一步包含:(e)將所述結合結構移動到測試工作站，以測試所述半導體元件單體。10.根據(jù)權利要求6所述的半導體方法，其中所述步驟(d)之后進一步包含: (e)解除所述載具部分區(qū)域的吸力；以及(f)取放對應被解除吸力的所述載具部分區(qū)域的半導體元件單體。
【文檔編號】H01L21/683GK106067438SQ201610255376
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年4月22日 公開號201610255376.6, CN 106067438 A, CN 106067438A, CN 201610255376, CN-A-106067438, CN106067438 A, CN106067438A, CN201610255376, CN201610255376.6
【發(fā)明人】曾雅珮
【申請人】日月光半導體制造股份有限公司