集成電路封裝體及其制造方法與所使用的封裝基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是關(guān)于集成電路封裝體及其制造方法與所使用的封裝基板。根據(jù)一實施例的射頻集成電路封裝體包括：上表面與下表面分別設(shè)有若干焊墊與外部引腳的封裝基板；承載于封裝基板上表面的集成電路晶片，其經(jīng)配置以與焊墊中的相應(yīng)第一者電連接；濾波器晶片，包括：設(shè)有叉指換能器的第一表面、與第一表面相對的第二表面，及設(shè)于第一表面的金屬結(jié)構(gòu)。金屬結(jié)構(gòu)與焊墊中的相應(yīng)第二者連接且與濾波器晶片的第一表面、封裝基板的上表面共同形成容納叉指換能器的第一空腔；絕緣殼體，至少遮蔽封裝基板的上表面、集成電路晶片及濾波器晶片；及承載于封裝基板的上表面以隔離絕緣殼體與第一空腔的隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可以低成本實現(xiàn)高度可靠的產(chǎn)品質(zhì)量。
【專利說明】
集成電路封裝體及其制造方法與所使用的封裝基板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，特別是涉及集成電路封裝體、制造集成電路封裝體的方法及所使用的封裝基板。
【背景技術(shù)】
[0002]為迎合電子產(chǎn)品日益輕薄短小的發(fā)展趨勢，濾波器與射頻發(fā)射組件/接收組件需要被高度集成在有限面積的封裝結(jié)構(gòu)中，形成系統(tǒng)級封裝(System In Package，SIP)結(jié)構(gòu)，以減小硬件系統(tǒng)的尺寸。目前系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)的濾波器主要采用兩種方式:芯片級封裝(Chip Sized Package，CSP)濾波器和晶片級封裝(Die Sized Package，DSP)濾波器。無論哪一種結(jié)構(gòu)，其內(nèi)部均需形成保護(hù)容納濾波器的叉指換能器(Inter-Digital Transducer,IDT)的空腔。對CSP濾波器而言，其空腔支撐力較小。因而在以注塑材料，如黑色環(huán)氧樹脂塑封模塊產(chǎn)品時，CSP濾波器的本體結(jié)構(gòu)極易因無法承受注塑過程中的模流壓力而垮塌，使得IDT空腔受到外力破壞而造成濾波器功能失效。另一方面，對于DSP濾波器而言，其雖然具有更好的強度可以保護(hù)IDT空腔的完整，但其制作程序十分復(fù)雜，且成本比CSP濾波器高出數(shù)倍，無法在系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)與射頻前端模塊(Rad1 Frequency Front End Module ,RFFEM)中大量普及。
[0003]因此，對于系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)中的濾波器與射頻前端模塊封裝整合技術(shù)，業(yè)內(nèi)仍存在相當(dāng)多的技術(shù)問題亟需解決。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的之一在于提供集成電路封裝體，制造集成電路封裝體的方法以及所使用的封裝基板，其可以簡單的制程和工藝實現(xiàn)低成本高質(zhì)量的射頻集成電路封裝體。
[0005]本發(fā)明的一實施例提供一射頻集成電路封裝體，其包括:封裝基板，其上表面設(shè)置有若干焊墊，其下表面設(shè)置有若干外部引腳;集成電路晶片，其承載于該封裝基板上且經(jīng)配置以與若干焊墊中的相應(yīng)第一者電連接;濾波器晶片，其包括:設(shè)置有叉指換能器的第一表面、與第一表面相對的第二表面，以及設(shè)置于第一表面的金屬結(jié)構(gòu)，其中金屬結(jié)構(gòu)與若干焊墊中的相應(yīng)第二者連接且與濾波器晶片的第一表面、該封裝基板的上表面共同形成容納該叉指換能器的第一空腔;絕緣殼體，至少遮蔽該封裝基板的上表面、集成電路晶片及濾波器晶片；以及隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)，其承載于該封裝基板的上表面以隔離該絕緣殼體與第一空腔。
[0006]在本發(fā)明的另一實施例中，該隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括承載于該封裝基板的上表面的支撐部及設(shè)于支撐部頂部和該濾波器晶片上方的保護(hù)蓋;該支撐部、該保護(hù)蓋與該封裝基板的上表面之間形成保護(hù)該濾波器晶片的第二空腔。該保護(hù)蓋的材料為玻璃、硅或其它具有硬度的半導(dǎo)體材料。在本發(fā)明的又一實施例中，該隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)可為延伸于該濾波器晶片的第一表面與該封裝基板的上表面之間的非導(dǎo)電膏柱。在本發(fā)明的另一實施例中，該封裝基板進(jìn)一步設(shè)有自封裝基板的上表面凹陷的凹槽，其中與金屬結(jié)構(gòu)連接的若干焊墊中的相應(yīng)第二者設(shè)置于凹槽中，該支撐部的材料為延伸于該保護(hù)蓋的下表面與該封裝基板的上表面之間的非導(dǎo)電膏柱。在本發(fā)明的又一實施例中，該支撐部是由與該封裝基板相同的材料構(gòu)成，且由粘合劑連接至封裝基板的上表面。在本發(fā)明的另一實施例中，該封裝基板進(jìn)一步設(shè)有自封裝基板的上表面凹陷的凹槽，其中與該金屬結(jié)構(gòu)連接的若干焊墊中的相應(yīng)第二者設(shè)置于凹槽中。在本發(fā)明的又一實施例中，該射頻集成電路封裝體進(jìn)一步包括設(shè)置于該保護(hù)蓋上的另一集成電路晶片，且該另一集成電路晶片經(jīng)配置以與若干焊墊中的相應(yīng)第三者電連接。在本發(fā)明的一實施例中，該濾波器晶片是以倒裝固晶的方式經(jīng)由該金屬結(jié)構(gòu)固定至該封裝基板的上表面的。
[0007]本發(fā)明的另一實施例提供一制造射頻集成電路封裝體的方法，其包括:提供封裝基板，該封裝基板包括:上表面，其設(shè)置有若干焊墊;及下表面，其設(shè)置有若干外部引腳。制造該射頻集成電路封裝體的方法進(jìn)一步包括提供濾波器晶片，該濾波器晶片包括:第一表面，其設(shè)置有叉指換能器;與第一表面相對的第二表面；以及設(shè)置于第一表面的金屬結(jié)構(gòu)。制造該射頻集成電路封裝體的方法進(jìn)一步包含將集成電路晶片與濾波器晶片設(shè)置于該封裝基板，其中集成電路晶片經(jīng)配置以與若干焊墊的相應(yīng)第一者電連接，該金屬結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以連接至若干焊墊中的相應(yīng)第二者且與濾波器晶片的第一表面、該封裝基板的上表面之間形成容納該叉指換能器的第一空腔;于該封裝基板的上表面形成隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)以隔離保護(hù)第一空腔；以及注塑形成絕緣殼體，該絕緣殼體至少遮蔽該封裝基板的上表面、集成電路晶片及濾波器晶片，其中在注塑過程中該隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)將注塑材料隔離于該第一空腔外。
[0008]本發(fā)明的又一實施例還提供用于本發(fā)明的射頻集成電路封裝體的封裝基板。
[0009]本發(fā)明實施例提供的射頻集成電路封裝體及其制造方法不僅能夠保證IDT空腔的完整，還具有成本低，防止濾波器晶片被污染的優(yōu)點。而且，在本發(fā)明的一些實施例中，可在濾波器晶片上進(jìn)一步堆疊另外的集成電路晶片，因而可額外凸顯提升產(chǎn)品整合密度、減小產(chǎn)品尺寸的優(yōu)點。
【附圖說明】
[0010]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的射頻集成電路封裝體的縱向截面示意圖
[0011]圖2a-2d是根據(jù)本發(fā)明一實施例制造射頻集成電路封裝體的流程示意圖，其可制造圖1所示的射頻集成電路封裝體
[0012]圖3a_3c是根據(jù)本發(fā)明另一實施例制造射頻集成電路封裝體的流程示意圖，其可制造圖3c所示的射頻集成電路封裝體
[0013]圖4a_4c是根據(jù)本發(fā)明又一實施例制造射頻集成電路封裝體的流程示意圖，其可制造圖4c所示的射頻集成電路封裝體
[0014]圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的射頻集成電路封裝體的縱向截面示意圖
【具體實施方式】
[0015]為更好的理解本發(fā)明的精神，以下結(jié)合本發(fā)明的部分優(yōu)選實施例對其作進(jìn)一步說明。
[0016]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的射頻集成電路封裝體100的縱向截面示意圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明一實施例的射頻集成電路封裝體100包括:封裝基板10、集成電路晶片12、濾波器晶片14、絕緣殼體16及隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18。請注意本文所指的“集成電路晶片”是指“濾波器晶片”之外的其它普通晶片，“濾波器晶片”是指未封裝的裸片，本文僅是為清楚起見而將“濾波器晶片”與“集成電路晶片”并列描述。該射頻集成電路封裝體100還可包括貼裝元件或其他附件17，例如本實施例中，其可進(jìn)一步包括通過表面貼裝(Surface MountTechnology，SMT)技術(shù)設(shè)置于該封裝基板10上的無源元件17。
[0017]該封裝基板10的上表面102設(shè)置有若干焊墊104，該封裝基板10的下表面106設(shè)置有若干外部引腳108。
[0018]本實施例中，該集成電路晶片12可以是射頻發(fā)射晶片或接收晶片，可通過晶片接合(Die Bond)工藝承載于該封裝基板10的上表面102，且通過打線接合(Wire Bond)工藝由引線連接至封裝基板10的上表面102的若干焊墊104中的相應(yīng)第一者104’以經(jīng)配置而實現(xiàn)兩者間的電連接，其中打線接合使用的引線可以是金線或銅線。
[0019]該濾波器晶片14可以是聲表面波濾波器晶片，其包括設(shè)置有叉指換能器142的第一表面144、與該第一表面144相對的第二表面146，以及設(shè)置于該第一表面144上的金屬結(jié)構(gòu)148。該金屬結(jié)構(gòu)148可以是錫球或金屬柱。該濾波器晶片14可通過倒裝固晶(Flip-ChipDie Bond,FC Die Bond)的方式經(jīng)由該金屬結(jié)構(gòu)148與封裝基板10上若干焊墊104中的相應(yīng)第二者104”連接，從而該金屬結(jié)構(gòu)148與該濾波器晶片14的第一表面144、該封裝基板10的上表面102共同形成保護(hù)容納該叉指換能器142的第一空腔15。
[0020]該絕緣殼體16至少遮蔽該封裝基板10的上表面102、該集成電路晶片12及該濾波器晶片14。
[0021]該隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18承載于封裝基板10的上表面102以隔離絕緣殼體16與該第一空腔15。在本實施例中，該隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18包括承載于該封裝基板10的上表面102的支撐部182及設(shè)于該支撐部182頂部和該濾波器晶片14上方的保護(hù)蓋184。該支撐部182、該保護(hù)蓋184與該封裝基板10的上表面102之間形成第二空腔25以隔離該絕緣殼體16與該第一空腔15從而防止該絕緣殼體16成型時注塑材料進(jìn)入該第一空腔15。該支撐部182可由與該封裝基板10相同的材料構(gòu)成，且由粘合劑連接至該封裝基板10的上表面102。粘合劑可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的任意類型，此處不詳述。該保護(hù)蓋184的材料為玻璃、硅或其它具有硬度的半導(dǎo)體材料，其可使用類似于傳統(tǒng)的晶片背覆(Wafer Back Coating，WBC)工藝的方法形成。
[0022]根據(jù)本發(fā)明實施例，在將濾波器晶片14整合至系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)過程中，濾波器晶片14的叉指換能器142與封裝基板10的上表面102之間形成第一空腔15，且該第一空腔15得到隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18的隔離保護(hù)。因而在后續(xù)注塑形成絕緣殼體16時，第一空腔15得以保持完整、無污。相應(yīng)的，本發(fā)明無需采購昂貴的DSP封裝級濾波器，且具有制造工藝簡單，制造成本低的優(yōu)點。
[0023]此外，本發(fā)明實施例還提供了用于制造射頻集成電路封裝體100的方法。
[0024]圖2a_2d是根據(jù)本發(fā)明一實施例制造射頻集成電路封裝體100的流程示意圖，其可制造圖1所示的射頻集成電路封裝體100。
[0025]如圖2a所示，提供一封裝基板10，該封裝基板10的上表面102設(shè)置有若干焊墊104，該封裝基板10的下表面106設(shè)置有若干外部引腳108。在本實施例中，該封裝基板10可進(jìn)一步包括預(yù)設(shè)的隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18的支撐部182，該支撐部182可由與該封裝基板10相同的材料構(gòu)成，且由粘合劑連接至該封裝基板10的上表面102。在其他實施例中，該支撐部182也可非預(yù)設(shè)，而可在后續(xù)步驟，即形成隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18的步驟中形成。
[0026]如圖2b所示，提供濾波器晶片14，其包括:設(shè)置有叉指換能器142的第一表面144;與該第一表面144相對的第二表面146，以及設(shè)置于該第一表面144上的金屬結(jié)構(gòu)148。該金屬結(jié)構(gòu)148可以是預(yù)先焊接至該第一表面144的錫球或金屬柱。
[0027]接著將集成電路晶片12與濾波器晶片14設(shè)置于該封裝基板10，其中該集成電路晶片12可以是射頻發(fā)射晶片或接收晶片，可以傳統(tǒng)的方式通過晶片接合工藝連接至該封裝基板10的上表面102，且可通過打線接合工藝由引線連接至封裝基板10的上表面102的若干焊墊104中的相應(yīng)第一者104’以實現(xiàn)兩者間的電連接。而在設(shè)置濾波器晶片14時，可通過倒裝固晶的方式將該金屬結(jié)構(gòu)148焊接至若干焊墊104中的相應(yīng)第二者104”且與該濾波器晶片14的第一表面144、該封裝基板10的上表面102之間形成容納該叉指換能器142的第一空腔
15。貼裝元件或其他附件17可通過表面貼裝技術(shù)連接至封裝基板10的上表面102。
[0028]如圖2c所示，在本實施例中，于預(yù)先形成在該封裝基板10上的支撐部182頂部和濾波器晶片14上方設(shè)置保護(hù)蓋184以形成完整的隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18，從而在該支撐部182、該保護(hù)蓋184與該封裝基板10的上表面102之間形成保護(hù)隔離第一空腔15的第二空腔25。該保護(hù)蓋184的材料為玻璃、硅或其它具有硬度的半導(dǎo)體材料以足以抵抗注塑過程中的模流壓力而不斷裂，其可使用類似于傳統(tǒng)WBC工藝的方法形成。在其他沒有預(yù)先形成支撐部182的實施例中，還需先形成該隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18的支撐部182。即在該封裝基板10的上表面102設(shè)置支撐部182，其中該支撐部182具有與該封裝基板10相同的材料，且使用粘合劑將支撐部182連接至該封裝基板10的上表面102。此外，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的，在其它實施例中，可在將濾波器晶片14設(shè)置于封裝基板10上之后，形成完整的隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18;而后再設(shè)置集成電路晶片12，上述器件的安裝并不拘泥于一定的順序。
[0029]如圖2d所示，接著以常規(guī)的注塑方式形成絕緣殼體16以至少遮蔽該封裝基板10的上表面102、該集成電路晶片12及該濾波器晶片14，其中在注塑過程中該隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18構(gòu)建的第二空腔25可有效的將注塑材料隔離于該第一空腔15外。因而，容納于第一空腔15內(nèi)的叉指換能器142可被確保不受外力沖擊且不受污染。
[0030]在其它實施例中，隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18還具有其它的實施例方式，容后敘。
[0031]圖3a_3c是根據(jù)本發(fā)明另一實施例制造射頻集成電路封裝體100的流程示意圖。根據(jù)本實施例得到的射頻集成電路封裝體100同樣包括:封裝基板10、集成電路晶片12、濾波器晶片14、絕緣殼體16及隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18。略不同的是，在本實施例中，該隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18是延伸于濾波器晶片14的第一表面144與該封裝基板10的上表面102之間的非導(dǎo)電膏柱。
[0032]具體的，如圖3a所示，提供一封裝基板10，該封裝基板10的上表面102設(shè)置有若干焊墊104，該封裝基板10的下表面106設(shè)置有若干外部引腳108?？梢猿Ｒ?guī)的方式將濾波器晶片14設(shè)置于封裝基板10上，同樣該濾波器晶片14包含設(shè)置于其第一表面144上的金屬結(jié)構(gòu)148。金屬結(jié)構(gòu)148與該濾波器晶片14的第一表面144、該封裝基板10的上表面102之間形成容納該叉指換能器142的第一空腔15。
[0033]如圖3b所示，通過點膠工藝于該濾波器晶片14的第一表面144與該封裝基板10的上表面102之間形成非導(dǎo)電膏柱，即形成隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18。非導(dǎo)電膏不僅具有較低的成本，還不會污染晶片。接著可依常規(guī)的方式，如晶片接合、引線接合等將集成電路晶片12設(shè)置于封裝基板10上。當(dāng)然在其它實施例中，可在形成隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18之前甚至安裝濾波器晶片14之前安裝集成電路晶片12。
[0034]最后，如圖3c所示，注塑形成遮蔽上述器件的絕緣殼體16從而得到完整的射頻集成電路封裝體100。
[0035]圖4a_4c是根據(jù)本發(fā)明又一實施例制造射頻集成電路封裝體100的流程示意圖。根據(jù)本實施例得到的射頻集成電路封裝體100同樣包括:封裝基板10、集成電路晶片12、濾波器晶片14、絕緣殼體16及隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18。與圖2a-2d及圖3a-3c中實施例略不同的是，在本實施例中，該封裝基板1進(jìn)一步設(shè)有自該封裝基板10的上表面102凹陷的凹槽11，該濾波器晶片14至少部分設(shè)置于凹槽11中。該隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18包括承載于該封裝基板10的上表面102的支撐部182及設(shè)于該支撐部182頂部和該濾波器晶片14上方的保護(hù)蓋184。其中，該支撐部182為延伸于保護(hù)蓋184的下表面與該封裝基板10的上表面102之間的非導(dǎo)電膏柱，其可使用點膠工藝形成。在其它實施例中，該支撐部182可由與該封裝基板10相同的材料構(gòu)成，且由粘合劑連接至該封裝基板1的上表面102。。
[0036]具體的，如圖4a所示，提供一封裝基板10，該封裝基板10的上表面102設(shè)置有若干焊墊104，該封裝基板10的下表面106設(shè)置有若干外部引腳108，且該封裝基板10進(jìn)一步設(shè)有自該封裝基板10的上表面102凹陷的凹槽11，其中經(jīng)配置以與該金屬結(jié)構(gòu)148連接的若干焊墊104中的相應(yīng)第二者104”設(shè)置于凹槽11中?？梢猿Ｒ?guī)的方式將濾波器晶片14設(shè)置于封裝基板10上的凹槽11內(nèi)，同樣該濾波器晶片14包含設(shè)置于其第一表面144上的金屬結(jié)構(gòu)148。金屬結(jié)構(gòu)148與該濾波器晶片14的第一表面144、該封裝基板10的上表面102(凹陷于凹槽11的底部的部分)之間形成容納該叉指換能器142的第一空腔15。
[0037]如圖4b所示，通過點膠工藝于該封裝基板10的上表面102形成非導(dǎo)電膏柱，即形成支撐部182。非導(dǎo)電膏不僅具有較低的成本，還不會污染晶片。接著可使用類似于傳統(tǒng)的晶片背覆工藝的方法于支撐部182頂部和濾波器晶片14上方設(shè)置保護(hù)蓋184。該保護(hù)蓋184的材料為玻璃、硅或其它具有硬度的半導(dǎo)體材料。可依常規(guī)的方式，如晶片接合、引線接合等將集成電路晶片12設(shè)置于封裝基板10上。當(dāng)然在其它實施例中，可在形成隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18之前甚至安裝濾波器晶片14之前安裝集成電路晶片12。
[0038]最后，如圖4c所示，注塑形成遮蔽上述器件的絕緣殼體16從而得到完整的射頻集成電路封裝體100。
[0039]在封裝基板10上設(shè)置容納濾波器晶片14的凹槽11可降低射頻集成電路封裝體100的封裝高度，同時可在需要的情況下允許進(jìn)一步在保護(hù)蓋184上堆疊其它集成電路晶片20而不至于使封裝體高度過高。當(dāng)然在不考慮封裝尺寸限制的前提下，裝基板10上完全可不設(shè)置凹槽11，同樣可在保護(hù)蓋184上堆疊其它集成電路晶片20。
[0040]圖5是根據(jù)本發(fā)明又一實施例射頻集成電路封裝體100的縱向截面示意圖，其演示在保護(hù)蓋184上堆疊其它集成電路晶片20。
[0041 ]如圖5所示，本實施例的射頻集成電路封裝體100具有類似于圖4a_4c所示實施例的結(jié)構(gòu)。類似的，射頻集成電路封裝體100包括:封裝基板10、集成電路晶片12、濾波器晶片
14、絕緣殼體16及隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18。射頻集成電路封裝體100進(jìn)一步包括可通過傳統(tǒng)的晶片結(jié)合工藝設(shè)置于該保護(hù)蓋184上的另一集成電路晶片20，且該另一集成電路晶片20可通過打線接合工藝由引線連接至封裝基板10的上表面102的若干焊墊104中的相應(yīng)第三者104”’以實現(xiàn)兩者間的電連接，其中打線接合使用的引線可以是金線或銅線。
[0042]本發(fā)明實施例提供的射頻集成電路封裝體100，通過濾波器晶片14上設(shè)置的金屬結(jié)構(gòu)148將濾波器晶片14固定至封裝基板10上，從而在將濾波器晶片14順利整合至系統(tǒng)級封裝結(jié)構(gòu)或射頻前端模塊的同時，為濾波器晶片14提供了 IDT空腔。因此，本發(fā)明可無需采購昂貴的預(yù)先制作保護(hù)空腔的DSP封裝級濾波器，而直接采用低價的普通的濾波器晶片14。此外，本發(fā)明實施例提供的射頻集成電路封裝體還具有隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)18，其不僅在后續(xù)注塑形成絕緣殼體16時保證IDT空腔的完整性，還具有成本低，防止晶片被污染的優(yōu)點。另外，在本發(fā)明的一些實施例中，可在濾波器晶片14上進(jìn)一步堆疊另一集成電路晶片20，可進(jìn)一步提升產(chǎn)品整合密度，減小產(chǎn)品尺寸，且降低封裝成本。
[0043 ]本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本發(fā)明的教示及揭示而作種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為本專利申請權(quán)利要求書所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種射頻集成電路封裝體，其包括: 封裝基板，所述封裝基板的上表面設(shè)置有若干焊墊，所述封裝基板的下表面設(shè)置有若干外部引腳； 集成電路晶片，其承載于所述封裝基板上且經(jīng)配置以與所述若干焊墊中的相應(yīng)第一者電連接； 濾波器晶片，其包括: 第一表面，所述第一表面設(shè)置有叉指換能器； 第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對；以及 金屬結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于所述第一表面;所述金屬結(jié)構(gòu)與所述若干焊墊中的相應(yīng)第二者連接，且與所述濾波器晶片的第一表面、所述封裝基板的上表面共同形成容納所述叉指換能器的第一空腔； 絕緣殼體，至少遮蔽所述封裝基板的上表面、所述集成電路晶片及所述濾波器晶片；以及 隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)，其承載于所述封裝基板的上表面以隔離所述絕緣殼體與所述第一空腔。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻集成電路封裝體，其中所述隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括承載于所述封裝基板的上表面的支撐部及設(shè)于所述支撐部頂部和所述濾波器晶片上方的保護(hù)蓋;所述支撐部、所述保護(hù)蓋與所述封裝基板的上表面之間形成保護(hù)所述濾波器晶片的第二空腔。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻集成電路封裝體，其中所述保護(hù)蓋的材料為玻璃、硅或其它具有硬度的半導(dǎo)體材料。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻集成電路封裝體，其中所述隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)為延伸于所述濾波器晶片的第一表面與所述封裝基板的上表面之間的非導(dǎo)電膏柱。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻集成電路封裝體，其中所述封裝基板進(jìn)一步設(shè)有自所述封裝基板的上表面凹陷的凹槽，其中與所述金屬結(jié)構(gòu)連接的所述若干焊墊中的相應(yīng)第二者設(shè)置于所述凹槽中，所述支撐部的材料為延伸于所述保護(hù)蓋的下表面與所述封裝基板的上表面之間的非導(dǎo)電膏柱。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻集成電路封裝體，其中所述支撐部是由與所述封裝基板相同的材料構(gòu)成，且由粘合劑連接至所述封裝基板的上表面。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的射頻集成電路封裝體，其中所述封裝基板進(jìn)一步設(shè)有自所述封裝基板的上表面凹陷的凹槽，其中與所述金屬結(jié)構(gòu)連接的所述若干焊墊中的相應(yīng)第二者設(shè)置于所述凹槽中。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻集成電路封裝體，其進(jìn)一步包括設(shè)置于所述保護(hù)蓋上的另一集成電路晶片，且所述另一集成電路晶片經(jīng)配置以與所述若干焊墊中的相應(yīng)第三者電連接。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻集成電路封裝體，其中所述濾波器晶片是以倒裝固晶的方式經(jīng)由所述金屬結(jié)構(gòu)固定至所述封裝基板的上表面的。10.一種制造射頻集成電路封裝體的方法，其包括: 提供封裝基板，所述封裝基板包括: 上表面，所述上表面設(shè)置有若干焊墊； 下表面，所述下表面設(shè)置有若干外部引腳； 提供濾波器晶片，所述濾波器晶片包括: 第一表面，所述第一表面設(shè)置有叉指換能器； 第二表面，所述第二表面與所述第一表面相對；以及 金屬結(jié)構(gòu)，所述金屬結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第一表面； 將集成電路晶片與所述濾波器晶片設(shè)置于所述封裝基板，其中所述集成電路晶片經(jīng)配置以與所述若干焊墊的相應(yīng)第一者電連接，所述金屬結(jié)構(gòu)經(jīng)配置以連接至所述若干焊墊中的相應(yīng)第二者且與所述濾波器晶片的第一表面、所述封裝基板的上表面之間形成容納所述叉指換能器的第一空腔； 于所述封裝基板的上表面形成隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)以隔離保護(hù)所述第一空腔； 以及 注塑形成絕緣殼體，所述絕緣殼體至少遮蔽所述封裝基板的上表面、所述集成電路晶片及所述濾波器晶片，其中在所述注塑過程中所述隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)將注塑材料隔離于所述第一空腔外。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含于所述封裝基板的上表面設(shè)置支撐部，及于所述支撐部頂部和所述濾波器晶片上方設(shè)置保護(hù)蓋，以便所述支撐部、所述保護(hù)蓋與所述封裝基板的上表面之間形成保護(hù)所述濾波器晶片的第二空腔。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述保護(hù)蓋的材料為玻璃或硅或其它具有硬度的半導(dǎo)體材料。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括于所述濾波器晶片的第一表面與所述封裝基板的上表面之間形成非導(dǎo)電膏柱。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述封裝基板進(jìn)一步設(shè)有自所述封裝基板的上表面凹陷的凹槽，與所述金屬結(jié)構(gòu)連接的所述若干焊墊中的相應(yīng)第二者設(shè)置于所述凹槽中，其中設(shè)置所述支撐部進(jìn)一步包含于所述封裝基板的上表面形成非導(dǎo)電膏柱。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中設(shè)置所述支撐部進(jìn)一步包含使用粘合劑將具有與所述封裝基板相同的材料的隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)連接至所述封裝基板的上表面。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述封裝基板進(jìn)一步設(shè)有自所述封裝基板的上表面凹陷的凹槽，其中與所述金屬結(jié)構(gòu)連接的所述若干焊墊中的相應(yīng)第二者設(shè)置于所述凹槽中。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其進(jìn)一步包括將另一集成電路晶片設(shè)置于所述保護(hù)蓋上，所述另一集成電路晶片經(jīng)配置以與所述若干焊墊中的相應(yīng)第三者電連接。18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其進(jìn)一步包括將所述濾波器晶片以倒裝固晶的方式經(jīng)由所述金屬結(jié)構(gòu)固定至所述封裝基板的上表面。19.一種封裝基板，其包括: 上表面，所述上表面設(shè)置有若干焊墊； 下表面，所述下表面設(shè)置有若干外部引腳；以及 隔離保護(hù)結(jié)構(gòu)，其是由與所述封裝基板相同的材料構(gòu)成，且經(jīng)由粘合劑連接至所述封裝基板的上表面。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的封裝基板，其中所述封裝基板進(jìn)一步設(shè)有自所述封裝基板的上表面凹陷的凹槽，且其中所述若干焊墊中的相應(yīng)者設(shè)置于所述凹槽中。21.—種封裝基板，其包括: 上表面，所述上表面設(shè)置有若干焊墊； 下表面，所述下表面設(shè)置有若干外部引腳；以及 凹槽，所述凹槽自所述封裝基板的上表面凹陷，且其中所述若干焊墊中的相應(yīng)者設(shè)置于所述凹槽中。
【文檔編號】H01L23/498GK106067457SQ201610653888
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2016年8月11日
【發(fā)明人】汪虞, 李維鈞, 郭桂冠
【申請人】蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司