有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示設(shè)備。本發(fā)明的一個方面提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括：在基板上的第一電極；在所述基板上的有機發(fā)光層；和在所述有機發(fā)光層上的包括至少兩個層的第二電極，所述至少兩個層包含具有不同組成的補償材料。本發(fā)明的另一方面提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中第一電極包括兩個或更多層，所述兩個或更多層包含具有不同組成的補償材料的，使得在有機發(fā)光層的兩個表面上形成薄雙層的補償層。
【專利說明】
有機發(fā)光顯示設(shè)備
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求享有2015年4月23日遞交的韓國專利申請No. 10-2015-0057471和2015 年9月24日遞交的韓國專利申請No. 10-2015-0135682的優(yōu)先權(quán)，這些專利申請文件為了所 有目的在此被并入以供參考，如同在此完全闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明涉及包括異物補償層(foreign body compensation layer)的有機發(fā)光顯 示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0004] 隨著面向信息社會的發(fā)展，對于各種用于顯示圖像的顯示設(shè)備的需要日益增加。 近來，已經(jīng)使用了各種顯示設(shè)備，比如LCD(液晶顯示器）、rop(等離子體顯示面板）、0LED(有 機發(fā)光顯示設(shè)備）、或者有機電致發(fā)光顯示設(shè)備。各種顯示設(shè)備包括與之對應(yīng)的顯示面板。
[0005] 在顯示面板中，在每一像素區(qū)域中形成薄膜晶體管，通過薄膜晶體管的電流來控 制特定像素區(qū)域。薄膜晶體管由柵極電極和源極/漏極電極組成。
[0006] 有機發(fā)光顯示器包括在兩個不同電極之間形成的發(fā)光層。當由一個電極產(chǎn)生的電 子和由另一個電極產(chǎn)生的空穴被注入到發(fā)光層中，注入的電子和空穴彼此結(jié)合，以產(chǎn)生激 子。然后，所產(chǎn)生的激子在從激發(fā)態(tài)躍迀到基態(tài)的同時發(fā)光，因此顯示圖像。
[0007] 然而，在有機發(fā)光顯示設(shè)備的制造工藝期間，微小顆?？赡苓M入顯示設(shè)備，這種顆 粒被稱為異物。當在本應(yīng)當保持絕緣狀態(tài)的各電極之間存在異物時，在各電極之間可能發(fā) 生短路，這種短路可能損壞特定像素。因此，為了防止由于異物導(dǎo)致的短路，可以鋪展厚的 材料。然而，鋪展厚的材料可能降低有機發(fā)光顯示設(shè)備的可見性。另外，由于需要額外工藝， 所以可能增加成本或者可能降低工藝效率。因此，需要一種能夠在保持工藝效率的同時防 止異物的構(gòu)造。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 在這樣的背景下，本發(fā)明的一個方面是為了防止由于有機發(fā)光顯示設(shè)備或者顯示 面板的異物導(dǎo)致的缺陷。
[0009] 本發(fā)明的另一方面是在陰極下方包括異物補償層，該異物補償層是用于防止當在 頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)中為了提高陰極的透射率而薄薄地形成陰極時由于陰極和陽極之間的異物 導(dǎo)致的短路。
[0010] 本發(fā)明的另一方面是為了降低由于陰極和陽極之間的短路導(dǎo)致的暗點的發(fā)生率， 并由此提尚顯不面板的效率。
[0011] 本發(fā)明的又一方面是為了防止由于異物導(dǎo)致的短路，并且還防止由于在陰極下方 包括的用于補償異物的補償層導(dǎo)致的透射率降低。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種有機發(fā)光顯不設(shè)備包括:在基本上的第一電極;有機 發(fā)光層，所述有機發(fā)光層在所述基板上；以及第二電極，所述第二電極在所述有機發(fā)光層 上，所述第二電極包括至少兩個層，所述至少兩個層包含具有不同組成的補償材料。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，使得第二電極包括補償 層和電極層，所述補償層和電極層是從有機發(fā)光層開始順序地設(shè)置的，并且補償層中包括 的補償材料的組成比率大于電極層中包括的補償材料的組成比率。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，使得第二電極包括補償 層，并且第一電極包括電極層和補償層，所述電極層和補償層是從基板開始順序地設(shè)置的， 所述補償層的補償材料的組成比率大于所述電極層的補償材料的組成比率。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，一種有機發(fā)光顯示設(shè)備包括:基板;第一電極，所述第 一電極在所述基板上;有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層在所述第一電極上；以及第二電極，所 述第二電極的補償材料的組成在接近于所述有機發(fā)光層的第一界面處和在與所述第一界 面相對的第二界面處是不同的。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，使得第二電極中的補償 材料的組成比率在所述第一界面處最高，所述第二電極中的補償材料的組成比率在所述第 二界面處最低。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括:基板;第一電極，所 述第一電極在所述基板上;有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層在所述第一電極上；以及第二電 極，所述第二電極在所述有機發(fā)光層上，所述第二電極包括至少兩個層，所述至少兩個層包 含具有不同組成的補償材料。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括:基板;第一電極，所 述第一電極在所述基板上;有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層在所述第一電極上；以及第二電 極，所述第二電極在所述有機發(fā)光層上，其中所述第一電極和所述第二電極的至少之一包 括兩個或更多層，所述兩個或更多層包括具有彼此不同的組成的補償材料。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，包括:基板;第一電極，所 述第一電極在所述基板上;有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層在所述第一電極上；以及第二電 極，所述第二電極在所述有機發(fā)光層上，其中所述第一電極和所述第二電極的至少之一包 括接近于所述有機發(fā)光層的上表面的第一界面、和與所述第一界面相對的第二界面，所述 第一界面和所述第二界面的補償材料具有彼此不同的組成。
[0020] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以實現(xiàn)一種有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中包括用于補償異物 的補償層。另外，可以通過在形成第二電極（比如陰極）的工藝期間區(qū)分包括用于形成補償 層的補償材料的氣體的組成比率或者組成，來沉積補償層。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的，通過包括補償層和電極層的第二電極，可以防止由異物所引起的 陰極和陽極之間的短路。另外，形成了確保第二電極的透射率的補償層，因此可以提高有機 發(fā)光顯不設(shè)備的光效率。
[0022] 根據(jù)本發(fā)明，通過包括補償層和電極層的第一電極，能夠減薄第二電極的補償層， 因此可以進一步提尚有機發(fā)光顯不設(shè)備的光效率。
[0023]根據(jù)本發(fā)明，在形成用于補償異物的層期間，由于可以在形成第二電極（比如陰 極)或者第一電極(比如陽極)期間僅僅控制補償材料(比如氧和臭氧)的分壓比而無需額外 的設(shè)備，因而可以提高工藝效率，并且可以降低工藝成本。
【附圖說明】
[0024] 本發(fā)明的上述及其他目的、特征和優(yōu)點將通過以下結(jié)合附圖的詳細說明而變得清 楚，其中：
[0025] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示設(shè)備的示意圖；
[0026] 圖2是示出可以應(yīng)用本發(fā)明的有機發(fā)光層、第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)的視圖；
[0027] 圖3是更詳細示出圖2的構(gòu)造中的第二電極下方的構(gòu)造的視圖；
[0028] 圖4至6是示出顯示面板的橫截面的視圖，其中設(shè)置有包括根據(jù)本發(fā)明一個實施方 式的異物補償層的第二電極；
[0029]圖7至10是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的顯示面板的剖視圖；
[0030] 圖11至13是示出用于形成圖7至9中示出的第二電極的補償材料的分壓比、以及基 于分壓比在第二電極中的補償材料的組成比率的視圖；
[0031] 圖14是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的顯示面板的剖視圖；
[0032]圖15至17是示出圖14的構(gòu)造中的Rep_Comp的組成比率的圖表；
[0033]圖18是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的顯示面板的剖視圖；
[0034]圖19是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的包括兩種材料的補償層和第二電極的補 償材料分布的視圖；
[0035]圖20至22是示出顯示面板的橫截面的視圖，其中設(shè)置有包括根據(jù)本發(fā)明另一實施 方式的異物補償層的第一電極；
[0036]圖23至27是顯示面板的剖視圖，每一視圖具體示出了包括異物補償層的第一電極 的實施方式；
[0037]圖28是示出作為用于形成第二電極的材料的Cath_Comp、與作為用于濺射形成補 償層的材料的Rep_Comp之間的關(guān)系的圖表；
[0038]圖29是示出根據(jù)本發(fā)明的一實施方式的薄層電阻根據(jù)Rep_Comp的分壓比而增加 的圖表；
[0039] 圖30是示出透射率根據(jù)包括補償層的第二電極的厚度的增加而降低的圖表;以及
[0040] 圖31是示出在現(xiàn)有面板與其中包括了在本發(fā)明中提出的異物補償層的面板之間 比較的視圖。
【具體實施方式】
[0041] 在下文中，將參照【附圖說明】本發(fā)明的實施方式。在通過附圖標記表示圖中元件時， 將通過相同的附圖標記表示相同的元件，盡管它們是在不同的圖中示出。進一步來講，在本 發(fā)明的下文說明中，當對于此處涉及的已知功能和構(gòu)造的詳細說明可能導(dǎo)致本發(fā)明的主題 不清楚時，將省略這種詳細說明。
[0042] 另外，當描述本發(fā)明的部件時可能使用諸如第一、第二、A、B、（a)、（b)等之類的術(shù) 語。這些術(shù)語中的每一個并不是用于限定相應(yīng)部件的本質(zhì)、等級或者順序，而僅僅是用于將 相應(yīng)部件與其他部件區(qū)分開。在描述到某一結(jié)構(gòu)元件與另一結(jié)構(gòu)元件"連接"、"耦接"或"結(jié) 合"的情形中，應(yīng)當理解，另一結(jié)構(gòu)元件可以通過中間元件與多個結(jié)構(gòu)元件"連接"、"耦接〃 或〃結(jié)合〃，某一結(jié)構(gòu)元件也可以與另一結(jié)構(gòu)元件直接連接或者直接接觸。
[0043] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施方式的顯示設(shè)備的示意圖。
[0044] 參見圖1，根據(jù)實施方式的顯示設(shè)備100包括其中沿第一方向（例如垂直方向）形成 多條第一線VLl至VLm、和沿第二方向（例如水平方向）形成多條第二線HLl至HLn的顯示面板 110,用于將第一信號提供到多條第一線VLl至VLm的第一驅(qū)動單元120,用于將第二信號提 供到多條第二線HLl至HLn的第二驅(qū)動單元130,和用于控制第一驅(qū)動單元120和第二驅(qū)動單 元130的時序控制器140。
[0045] 當沿第一方向（例如垂直方向）形成的多條第一線VLl至VLm和沿第二方向（例如水 平方向）形成的多條第二線HLl至HLn彼此交叉時，在顯示面板110中限定了多個像素 P。
[0046] 上述的第一驅(qū)動單元120和第二驅(qū)動單元130中的每一個可以包括輸出用于圖像 顯示的信號的至少一個驅(qū)動集成電路。
[0047] 在顯示面板110中沿第一方向形成的多條第一線VLl至VLm例如可以是沿垂直方向 (第一方向）形成的用于將數(shù)據(jù)電壓(第一信號)傳送到垂直像素列的數(shù)據(jù)線，第一驅(qū)動單元 120可以是用于將數(shù)據(jù)電壓提供到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動單元。
[0048]另外，在顯示面板110中沿第二方向形成的多條第二線HLl至HLn可以是沿水平方 向（第二方向）形成的用于將掃描信號(第一信號)傳送到水平像素行的柵極線，第二驅(qū)動單 元130可以是用于將掃描信號提供到柵極線的柵極驅(qū)動單元。
[0049] 另外，為了接入第一驅(qū)動單元120和第二驅(qū)動單元130,在顯示面板110中還組態(tài)了 焊盤部。當?shù)谝或?qū)動單元120將第一信號提供到多條第一線VLl至VLm時，焊盤部將第一信號 傳送到顯示面板110。以相同的方式，當?shù)诙?qū)動單元130將第二信號提供到多條第二線HLl 至HLn時，焊盤部將第二信號傳送到顯示面板110。
[0050] 每一像素包括至少一個子像素。子像素表示其中可以形成一種具體濾色器的單 元，或者其中不形成濾色器而是由有機發(fā)光器件發(fā)射一種具體顏色的光的單元。在子像素 中限定的顏色可以包括紅色、綠色和藍色，并且可以選擇性地包括白色。然而，本發(fā)明不限 于此。因為每一子像素包括額外的薄膜晶體管和與薄膜晶體管連接的電極，所以在下文中， 構(gòu)成像素的子像素被稱為一個像素區(qū)域。
[0051] 顯示面板中的每一像素區(qū)域的與控制發(fā)光的薄膜晶體管連接的電極被稱為第一 電極。設(shè)置在顯示面板的前表面上或者設(shè)置為包括兩個或更多像素區(qū)域的電極被稱為第二 電極。當?shù)谝浑姌O是陽極電極時，第二電極是陰極電極，反之亦然。在下文中，將以陽極電極 作為第一電極的實施方式并且陰極電極作為第二電極的實施方式為基礎(chǔ)描述本說明書，但 是本發(fā)明不限于此。
[0052]同時，有機發(fā)光顯示設(shè)備包括頂部發(fā)光、底部發(fā)光、雙向發(fā)光等等。盡管可選擇任 何發(fā)光類型，不過在增加了顯示面板面積的大面積顯示面板中，應(yīng)當執(zhí)行工藝的區(qū)域變寬， 因此增加了異物進入的可能性。特別是，當異物進入在工藝中本不應(yīng)當發(fā)生短路的第一電 極和第二電極之間的區(qū)域時，可能發(fā)生短路，因此相應(yīng)像素區(qū)域可能作為暗點(dark spot) 工作。
[0053]圖2是示出可以應(yīng)用本發(fā)明的有機發(fā)光層、第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)的視圖。有 機發(fā)光層設(shè)置在第一電極210和第二電極290之間。顯示面板可以如附圖標記201所示具有 一個有機發(fā)光層，可以如附圖標記202所示具有兩個有機發(fā)光層，也可以如附圖標記203所 示具有三個有機發(fā)光層。
[0054]在附圖標記201的情形中，有機發(fā)光層220發(fā)射白色光。
[0055]在附圖標記202的情形中，第一發(fā)光層230可以發(fā)射藍色光，第二有機發(fā)光層240可 以發(fā)射綠色光或者黃綠色光中的任一種。
[0056]在附圖標記203的情形中，第一發(fā)光層250可以發(fā)射藍色光，第二有機發(fā)光層260可 以發(fā)射綠色光或者黃綠色光中的任一種，第三發(fā)光層270可以發(fā)射紅色光和藍色光兩者。 [0057]可以在圖2的構(gòu)造中摻雜具體顏色的摻雜劑，以便發(fā)射具體顏色的光。
[0058]可以根據(jù)本發(fā)明的實施方式而不同地選擇附圖標記201、202和203中的各發(fā)光層 的各種顏色的組合，并且本發(fā)明不限于此。
[0059] 在圖2的構(gòu)造中，第一電極210可以是作為具有高導(dǎo)電性和高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材 料的氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（IZ0)、IGZ0、Sn0 2、Zn0等等。另外，當?shù)谝浑姌O210包括具有 低功函數(shù)的金屬時，第一電極210可以是41^8、1%、1^、0 &等等，但是不限于此。第二電極290 可以是上述的具有高功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料1!'0、120、1620、5110 2、2110等等。另外，當?shù)诙?極290包括具有低功函數(shù)的金屬時，第二電極290可以是41^8、1%、1^、0 &等等，但是不限于 此。
[0060] 圖3是更詳細示出圖2的構(gòu)造中的第二電極下方的構(gòu)造的視圖。
[0061 ]上文所述的有機發(fā)光層可以被劃分為發(fā)光層(EML)、電子注入層(EIL)、電子傳輸 層(ETL)、空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)等等。另外，當在有機發(fā)光層中包括兩個或更 多EML時，可以設(shè)置電荷產(chǎn)生層(CGL)，CGL用于將上下兩個有機發(fā)光層之間的電荷控制為平 衡。
[0062] 而第二電極下方的發(fā)光層220、240和270的構(gòu)造包括緩沖層318、EIL316、ETL314、 具體顏色的EML312和HIL310。
[0063] 在圖2和3中，當異物進入第一電極210和第二電極290之間的區(qū)域、從而由于異物 而導(dǎo)致在第一電極210和第二電極290之間發(fā)生短路時，相應(yīng)像素不發(fā)光。當為了防止這一 點而將第一電極210和第二電極290之間的區(qū)域形成得很厚時，例如增加了緩沖層318的厚 度，會發(fā)生光效率降低的問題。
[0064]在下文的本說明中，將描述在第二電極下方包括用于補償異物的補償層的有機發(fā) 光層。特別是，補償層可以在形成第二電極的工藝期間使得構(gòu)成補償層的補償材料中包括 的氣體的組成比率或者組成量不同，從而不需要額外工藝。
[0065]根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，組成成分可以根據(jù)第二電極與緩沖層相距的距離而 不同。更具體地說，第二電極可以被劃分為電極層和補償層。作為另一實施方式，第二電極 可以被形成為使得鄰近于緩沖層的界面處的第二電極的組成材料不同于遠離緩沖層的界 面處的第二電極的組成材料。為此目的，在本發(fā)明中包括補償材料，在第二電極的下部分中 形成高電阻區(qū)域，在第二電極的上部分中形成低電阻區(qū)域，其中下部分是接近于緩沖層的 區(qū)域，上部分是遠離緩沖層的區(qū)域。因此，高電阻區(qū)域用作補償異物的補償層，低電阻區(qū)域 用作接收基礎(chǔ)電力的電極層。
[0066]圖4至6是示出顯示面板的橫截面的視圖，其中設(shè)置有包括根據(jù)本發(fā)明一個實施方 式的異物補償層的第二電極。圖4的構(gòu)造可以被應(yīng)用于圖2的附圖標記201。圖5的構(gòu)造可以 被應(yīng)用于圖2的附圖標記202。圖6的構(gòu)造可以被應(yīng)用于圖2的附圖標記203。
[0067] 在圖4至6中，分區(qū)段顯示了每個層。上文所述的有機發(fā)光層可以包括ETUEML和 HTL，并且可以根據(jù)第一電極210和第二電極490的位置而選擇性地包括EIL和HIL。另外，CGL 可以被設(shè)置在有機發(fā)光層之間。
[0068]在圖4至6中，示出了其中有機發(fā)光層的數(shù)目是一個、兩個或者三個的情形作為實 施方式，但是本發(fā)明不限于此。在圖5中，第一發(fā)光層240可以發(fā)射黃綠色光或者綠色光，第 二發(fā)光層230可以發(fā)射藍色光，并且通過組合這些顏色可以發(fā)射白色光。即使在圖6中，也可 以通過組合三種發(fā)光層250、260和270的顏色來發(fā)射白色光。在圖4至6的構(gòu)造中，第二電極 被劃分為包括補償層的兩個層。另外，即使在其中應(yīng)當薄薄地鋪展第二電極的情形中，第二 電極也包括防止由于異物導(dǎo)致的陰極-陽極短路的補償層。另外，為了提高白色光的發(fā)光效 率，在本發(fā)明中，在第二電極下方形成確保第二電極的透射率的補償層以提高光效率，而不 是形成具有低透射率的補償層。
[0069]在圖4至6中，第二電極400被劃分為電極層490和補償層480。上述的兩個層可以根 據(jù)形成補償層的補償材料的組成比率來區(qū)分。因此，兩個層之間的界面可能不是很清晰。 即，在第二電極400中，電極層490和補償層480可能不是通過一個精確的界面來區(qū)分的。然 而，第二電極400可以包括作為兩個區(qū)域的高電阻區(qū)域和低電阻區(qū)域，其中補償材料的分布 較高的高電阻區(qū)域可以用作補償異物的補償層480，而補償材料的分布較低的低電阻區(qū)域 可以用作接收電力的電極層490。
[0070]在圖4至6中，補償層480可以通過在形成第二電極400的工藝期間控制補償氣體的 注入量來形成。例如，在濺射用于形成第二電極400的材料的同時，初始地大量注入用于形 成補償層480的補償材料，然后可以逐漸地減少注入量。因此，在鄰近于緩沖層318的區(qū)域中 形成高電阻區(qū)域的補償層480。另外，在減少了補償材料的注入量之后，可以在補償層480上 形成電極層490。上文所述的補償材料可以與形成電極層490的電極材料相組合。另外，作為 一個實施方式，上文所述的補償材料可以是用于提高電極層490的電阻的材料。
[0071]第二電極400可以包括電極材料和補償材料，它們是兩種類型的材料。毫無疑問， 每種材料可以是另一種材料的化合物。在第二電極400中，補償層或者高電阻區(qū)域480中的 電極材料和補償材料之間的比率不同于電極層或者低電阻區(qū)域490中的電極材料和補償材 料之間的比率。
[0072]在下文中，為了便于說明，電極材料表示為"Cath_Comp"，補償材料表示為"Rep_ Comp"。形成補償層480和電極層490的"Rep_Comp"的組態(tài)可以隨著"Rep_Comp"的組態(tài)接近 于第二電極400的上界面而增加。替代地，"Rep_Comp"的組成比率可以在補償層480和電極 層490中清晰地區(qū)分開。
[0073] 作為電極材料的Cath_Comp可以是311〇2、11'0、120、1620等等，但是不限于此。另外， 當使用至少兩種材料時，為了區(qū)分這些材料，可以添加序號，如Cath_Compl、Cath_Comp2、 Cath_Comp3 等等。
[0074]作為補償材料的Rep_Comp與導(dǎo)電材料相組合，因而具有高電阻的性質(zhì)。作為一個 實施方式，Rep_Comp可以是02、03、0)2、014、014〇、0：14、^)、吣、!1 23等等，但是不限于此。另外， 如果使用兩種或更多種材料，為了區(qū)分這些材料，可以添加序號，如Rep_Compl、Rep_Comp2、 Rep_Comp3等等。
[0075]另外，當在諸如濺射之類的工藝中組合兩種或更多種材料時，可以并列書寫相應(yīng) 材料。例如，如果Cath_Comp和Rep_Comp是在諸如派射之類的工藝中沉積的兩種材料時， Cath_Comp和Rep_Comp的組合表示為Cath_Comp+Rep_Comp。當確定了每種材料的組成比率 時，可以使用括號并列書寫組成比率，如Cath_Comp (90 % ) +Rep_Comp (IO % )。
[0076] 作為本發(fā)明的第一實施方式，描述了其中區(qū)分補償層480和電極層490的實例。根 據(jù)補償材料的分布或者組成比率，補償層480可以包括兩個或更多不同的層。
[0077] 圖7至10是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的顯示面板的剖視圖。為了便于說明，沒有示 出緩沖層318下方的EIL至第一電極210。
[0078]圖7示出其中在根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的電極層490a中不包括補償材料的組態(tài) 411，以及其中補償層和電極層中的補償材料的組成比率不同的組態(tài)412。
[0079] 在圖7中，可以在形成第二電極400a和400b的工藝中的濺射方法期間沉積一層 Cath_Comp。派射Cath_Comp和Rep_Comp，并且在其中增加了 Rep_Comp的分壓比的狀態(tài)下形 成補償層480a和480b，然后降低Rep_Comp的分壓比。替代地，可以僅僅派射Cath_Comp來進 行沉積，而不派射Rep_Comp。然而，即使在其中僅僅沉積Cath_Comp以形成電極層490a的情 形中，由于在處理室內(nèi)保持的少量Rep_Comp，如由附圖標記412所示，在電極層490b中仍可 能包括Rep_Comp。附圖標記411示出其中在電極層490a中不包括作為補償材料的Rep_Comp 的情形。
[0080] 作為附圖標記412的一個實施方式，當Cath_Comp是IZO并且Rep_Comp是O2時，O 2的 分壓比可以增加，以便形成作為InZnOy的補償層480b。另外，可以用InZnOx形成電極層 490b。這里，形成"x〈y"的關(guān)系。由于〇2或者〇3的分壓比在派射工藝中較低，因此InZnOx構(gòu)成 低電阻膜，因而成為電極層。由于O 2或者O3的分壓比在濺射工藝中較高，因此InZnOy構(gòu)成高 電阻膜，因而成為補償層。"X"可以具有值1至2, "y"可以具有值2至3。這里，作為一個實施方 式，在Ar和O2的比率中增加了O2分壓的狀態(tài)（例如，16 % )下形成補償層480b之后，在Ar和O2 的比率中降低了 O2分壓的狀態(tài)(例如，9%)下形成電極層490b。因此，形成補償層480b的O2的 比率(例如，A%)高于形成電極層490b的O 2的比率(例如，B%)。
[0081 ]分壓比表示在濺射工藝中的處理室內(nèi)的各種氣體之中的Rep_Comp的比率，該比率 并不是絕對地等于補償層480b中的Rep_Comp的組成比率。然而，由于分壓比越高，Rep_Comp 的組成比率越高，因此可以執(zhí)行濺射工藝，以使得補償層中的Rep_Comp的分壓比高于電極 層中的Rep_Comp的分壓比。
[0082]圖8示出其中包括根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的補償層的組態(tài)，這里，補償層包括其 中Itep_Comp的組成比率不同的兩個層。
[0083] 在緩沖層318上沉積〇81:11_(]〇11^1，以常規(guī)分壓比沉積1^口_(]〇11^1。形成其中1^口_(]〇11^1 構(gòu)成C%的第一補償層480c。以降低的分壓比在第一補償層480c上設(shè)置Rep_Comp，以形成其 中Rep_Comp構(gòu)成D %的第二補償層480d。接下來，不派射Rep_Comp，僅僅沉積Cath_Comp。 [0084] 在圖8中，第一補償層480c和第二補償層480d包括相同的Rep_Comp，在沉積工藝中 分壓比存在差異，第一補償層480c的Rep_Comp的組成比率變?yōu)镃%，第二補償層480d的Rep_ Comp的組成比率變?yōu)镈%，因此第一補償層480c和第二補償層480d具有"C>D"的關(guān)系。
[0085]圖9示出其中根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的補償層包括Rep_Comp的組成比率不同的 三個層的組態(tài)。與圖7和8相同，在緩沖層318上沉積Cath_Comp。通過按三個階段中的第一階 段降低Rep_Comp的分壓比來沉積Rep_Comp，形成第一補償層480e。通過在第二階段降低 Rep_Comp的分壓比并且在第一補償層480e上沉積Rep_Comp，來形成第二補償層480f。通過 在第三階段降低Itep_C〇mp的分壓比，在第二補償層480f上形成第三補償層480g。接下來，不 派射Rep_Comp，僅僅沉積Cath_Comp。可以按照如下方式執(zhí)行工藝：隨著Rep_Comp接近于電 極層490d而降低分壓比，并且每一補償層中的Rep_Comp的組成比率的關(guān)系可以具有"E>F> G"的關(guān)系。
[0086]同時，由于盡管不派射Rep_Comp，但是Rep_Comp可能殘留在處理室內(nèi)，所以形成電 極層490d的材料可以是Cath_Comp+Rep_Comp(P% )。在這種情形下，P可以小于G。作為一個 實施方式，E、F、G和P可以具有〃P〈〈G〈F〈E 〃的關(guān)系。
[0087] 由于在圖7至9中不同的補償材料形成各個層中的第二電極400,所以在其中大量 地包含補償材料的高電阻區(qū)域的補償層480中防止了由于從外部進入的異物導(dǎo)致的陰極-陽極短路，從而阻止了暗點的可能性。
[0088] 在圖4至9中以虛線的方式示出補償層和電極層之間的界面或者補償層之間的界 面，是為了顯示在這些界面的前后區(qū)域處作為補償材料的Rep_Comp的組成比率可能逐漸地 變化。參照圖10描述在兩個界面910和920處的補償材料分布。
[0089] 在圖10中，第二補償層480f的Ref_Comp 1010由非常高的密度構(gòu)成，即F%。同時， 第三補償層480g中的Ref_Comp 1010的組成比率是G%，低于第二補償層480f中的Ref_Comp 1010的組成比率。另外，電極層490d中的Ref_Comp 1010的組成比率是P%，是一個非常低的 比率。這里，Ref_Comp 1010的組成密度可以基于界面910和920而不同，但是組成密度可能 并不是清晰區(qū)分的，并且可能逐漸地降低。這是因為，即使在執(zhí)行濺射工藝的處理室內(nèi)不再 沉積Ref_Comp的情形中，仍然會由于處理室內(nèi)殘留的Ref_Comp，而導(dǎo)致Ref_Comp的組成比 率可能具有錯誤。本發(fā)明可應(yīng)用于全部實施方式，比如基于第二電極的兩個界面，在鄰近于 緩沖層的界面和遠離緩沖層的界面之間的用于補償異物的補償材料的實施方式，例如形成 高電阻膜的材料逐漸地降低組成比率或者以階梯類型降低。
[0090]圖11至13是示出用于形成圖7至9中示出的第二電極的補償材料的分壓比、以及基 于分壓比在第二電極中的補償材料的組成比率的視圖。
[0091 ]圖11的附圖標記1101是在形成第二電極400b的工藝中Rep_Comp的分壓比，相當于 圖7的附圖標記412。附圖標記1102示出以等于附圖標記1101的分壓比形成的第二電極400b 中的Rep_Comp的組成比率。在附圖標記1102中，Rep_Comp的組成比率在第二電極400b中的 補償層480b和電極層490b之間的界面處快速地降低。在與緩沖層318接觸的界面和與第二 電極490b接觸的界面之間，形成補償層480b。在形成緩沖層318之后，濺射形成第二電極 490b的Cath_Comp材料，并且可以在Cath_Comp材料的派射工藝中派射作為用于形成補償層 480b 的材料的 Rep_Comp。
[0092]圖12的附圖標記1201是在形成如圖8所示的第二電極400 c的工藝期間的Rep_Comp 的分壓比。附圖標記1202示出以等于附圖標記1201的分壓比形成的第二電極400c中的Rep_ Comp的組成比率。在附圖標記1202中，Rep_Comp的組成比率在第二電極400c中的第一補償 層480c和第二補償層480d之間的界面、以及第二補償層480d和電極層490c之間的界面處快 速地降低。
[0093]圖13的附圖標記1301是在形成如圖9所示的第二電極400d的工藝期間的Rep_Comp 的分壓比。附圖標記1302示出以等于附圖標記1301的分壓比形成的第二電極400d中的Rep_ Comp的組成比率。在附圖標記1302中，Rep_Comp的組成比率在第二電極400d中的第一補償 層480e和第二補償層480f之間的界面、以及第二補償層480f和電極層490d之間的界面處快 速地降低。
[0094] 在形成緩沖層318之后，派射1^口_(]〇11^1和〇31:11_(]〇11^1，通過如通過附圖標記1301所 示分階段降低分壓比來沉積Rep_Comp，以形成第一、第二和第三補償層480e、480f和480g。 然而，即使僅僅派射Cath_Comp以形成電極層490d，在電極層490d中可能包括殘留物Rep_ Comp。因此，在第二電極490d中可能還殘留了非常少量例如P%的Rep_Comp。
[0095] 在補償層和電極層中分布的分壓比對應(yīng)于圖11至13中的附圖標記1101、1201和 1301。因此，作為形成補償層的材料的Rep_Comp的分布（或者組成比率）在補償層480b、 480(3、480(1、4806、48(^和48(^的區(qū)域中較高，而1^?_(：〇111?的分布（或者組成比率）在電極層 490b、490c 和490d 中較低。
[0096] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于可以不必單獨地形成補償層，并且可以選擇性地輸入 形成補償層的材料，因此可以生產(chǎn)能夠簡化工藝并且能夠在不需要額外材料或者工藝以及 設(shè)備投資的情況下補償異物的顯示面板和顯示設(shè)備。另外，可以通過異物補償層來降低由 于異物導(dǎo)致的發(fā)生暗點的缺陷率，因此可以改善顯示面板的質(zhì)量。
[0097] 作為本發(fā)明的第二實施方式，提供了一種其中在補償層和電極層中逐漸地降低補 償材料的分布或者組成比率的實例。在上文所述的第一實施方式中，在濺射工藝中分階段 控制作為補償材料的Rep_Comp的分壓比。因此，在第二實施方式中，不形成其中構(gòu)成補償層 和電極層的化合物的組成比率具有急劇差異的界面，而是逐漸地降低Rep_Comp。因此，根據(jù) 第二實施方式，形成第二電極，而不是形成單獨區(qū)分開的補償層。第二電極可以被形成為使 得Rep_Comp的組成比率在接近于緩沖層的界面處較高，而Rep_Comp的組成比率在相對的界 面處較低。
[0098] 圖14是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的顯示面板的剖視圖。為了便于說明，沒有示出 緩沖層318下方的EIL至第一電極210。為了示出Rep_Comp的組成比率或者分布，構(gòu)成Rep_ Comp的分子被顯示為附圖標記1410。在第二電極1490中，Rep_Comp 1410的組成比率在與緩 沖層318接觸的界面1490a的區(qū)域中較高，并且Itep_Comp 1410的組成比率在與緩沖層318間 隔開并且遠離緩沖層318的界面1490b的區(qū)域中較低。因此，在接近于緩沖層318的區(qū)域中形 成高電阻膜，因而為接近于緩沖層318的區(qū)域提供了補償層的功能，而在遠離緩沖層318的 區(qū)域中形成低電阻膜，因而為遠離緩沖層318的區(qū)域提供了電極層的功能。因此，電極的導(dǎo) 電性在低電阻膜中提高，用于補償異物的功能在高電阻膜中提高。更具體地說，在接近于有 機發(fā)光層的第一界面1490a處的補償材料的組成不同于在與第一界面1490a相對的第二界 面1490b處的補償材料的組成。如參照圖10所描述的，補償材料1010的組成比率在隨機界面 910和920中不同的情形也反映了圖14的實施方式。
[0099] 圖15至17是示出圖14的構(gòu)造中的Rep_Comp的組成比率的圖表。示出了通過在濺射 中逐漸地控制Rep_Comp的分壓比而形成的第二電極的兩個界面1490a和1490b之間的Rep_ Comp的組成比率。
[0?00]作為本發(fā)明的第三實施方式，可以使用至少兩種Rep_Comp材料形成補償層。例如， 可以使用Rep_Compl和Rep_Comp2形成補償層，以提高異物補償?shù)男阅?。Rep_Compl可以與 Cath_Comp-起沉積，以形成高電阻膜。Rep_Comp2可以與Cath_Comp-起沉積以形成其電阻 低于Itep_Comp 1的電阻的低電阻膜。
[0101] 圖18是根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的顯示面板的剖視圖。附圖標記1801是其中兩種 補償材料形成第二電極1800a的實施方式，第二電極1800a包括兩層的補償層1881和1882以 及電極層490。Rep_Comp 1形成其電阻高于Rep_Comp2的電阻的電阻膜。附圖標記1802是其中 三種補償材料形成第二電極1800b的實施方式，第二電極1800b包括三層的補償層1883、 1884和1885以及電極層490 JepJ^ompS形成其電阻高于Rep_Comp4的電阻的電阻膜。Rep_ Comp4形成其電阻高于Rep_Comp5的電阻的電阻膜。如上所述，可以在電極層490中，以與補 償層相比非常低的比率包括補償材料。
[0102] 圖19是示出根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的包括兩種材料的補償層和第二電極的補 償材料的分布的視圖。構(gòu)成圖18的附圖標記1801的第一補償層1881的Rep_Comp 1被標記為 附圖標記1910，構(gòu)成圖18的附圖標記1801的第二補償層1882的Rep_Comp2被標記為附圖標 記1920。第一補償層1881形成高電阻膜。第二補償層1882形成其電阻低于高電阻膜的電阻 的電阻膜。電極層490形成低電阻膜，其電阻低于通過第二補償層1882形成的電阻膜的電 阻。在電極層490中可以包括少量Rep_Comp2。在接近于緩沖層318的區(qū)域中形成高電阻膜， 因而為接近于緩沖層318的區(qū)域提供了補償層的功能，而在遠離緩沖層318的區(qū)域中形成低 電阻膜，因而為遠離緩沖層318的區(qū)域提供了電極層的功能。因此，電極的導(dǎo)電性在低電阻 膜中提高，用于補償異物的功能在高電阻膜中提高。更具體地說，在接近于有機發(fā)光層的第 一界面處的第一補償層1881中的補償材料的組成不同于在與第一界面相對的第二界面處 的第二補償層1882中的補償材料的組成。
[0103] 同時，當如上所述形成包括補償層的第二電極時，透射率根據(jù)補償層的厚度而降 低，因此有機發(fā)光顯示設(shè)備的性能可能劣化。即，由于當在第二電極中形成的高電阻膜的厚 度增加以改善對于異物的補償性能時，透射率降低，因此可減小高電阻膜的厚度，而這可能 又會導(dǎo)致防止異物進入的效果劣化。
[0104]因此，為了解決當形成單個補償層時透射率降低的問題，本發(fā)明提供了一種更優(yōu) 選的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中在有機發(fā)光層的兩個表面上形成雙層的薄補償層，從而既能 防止透射率降低，又能防止異物進入。
[0105] 圖20至22是示出顯示面板的橫截面的視圖，其中根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式在有 機發(fā)光層的兩個表面上形成薄的異物補償層，以及示出顯示面板的橫截面的視圖，其中設(shè) 置有包括異物補償層的第二電極和包括異物補償層的第一電極。圖20的構(gòu)造被應(yīng)用于圖2 的構(gòu)造201，圖21的構(gòu)造被應(yīng)用于圖2的構(gòu)造202，圖22的構(gòu)造被應(yīng)用于圖2的構(gòu)造203。
[0106] 在圖20至22中，示出了在第一電極2000和第二電極400之間設(shè)置的第一電極2000、 第二電極400和有機發(fā)光層。第二電極400被劃分為電極層490和補償層480。圖20至22示出 其中有機發(fā)光層的數(shù)目是一個、兩個或者三個的實例，但是本發(fā)明不限于此。
[0107] 在圖20至22中，第一電極2000被劃分為電極層2010和補償層2020。第一電極2000 的電極層2010和補償層2020基于構(gòu)成其每個層的補償材料的組成比率而彼此不同。即，電 極層2010和補償層2020通過第一電極2000中的清晰界面而區(qū)分。然而，第一電極2000包括 高電阻區(qū)域和低電阻區(qū)域，其中補償材料的分布較高的高電阻區(qū)域用作補償異物的補償層 2020,其中補償材料的分布較低的低電阻區(qū)域用作被施加電力的電極層2010。
[0108]在圖20至22中，通過在形成第一電極2000的工藝中控制補償氣體的注入量，形成 第一電極2000的補償層2020。例如，當濺射用于形成第一電極2000的材料時，初始地注入用 于形成電極層2010的材料(在下文中，標示為"An_Comp"），然后逐漸地增加作為補償材料的 Rep_Comp的注入量。結(jié)果，鄰近于有機發(fā)光層的區(qū)域被形成為高電阻區(qū)域的補償層2020。
[0? 09 ] AI、Ag、ITO等等被用作作為第一電極2 00 0的電極材料的An_Comp，但是An_Comp不 限于此。第一電極2000可以被形成為具有兩個或更多層，并且包括反射電極層。
[0110]用于形成第一電極2000的補償層2020的補償材料是通過組合導(dǎo)電材料而具有高 電阻特性的〇2、〇3、0)2、014、014〇、(：(：14、^)、吣、!123等等，但是不限于此。用于形成第一電極 2000的補償層2020的補償材料可以等同于或者不同于用于形成第二電極400的補償層480 的補償材料。當?shù)谝浑姌O2000的補償材料是與第二電極400的補償材料相同的材料時，提供 了可以在用于形成第一電極2000和第二電極400的濺射工藝中使用相同材料的優(yōu)點。
[0111]因此，根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，通過形成具有彼此不同的組成比率的兩個或 更多層，在第一電極2000上形成補償層2020,因而能夠在減薄第二電極400的補償層480的 同時實現(xiàn)補償異物的功能。
[0112]在下文中，將參照圖23至25具體描述其中形成有補償層2020的第一電極2000的實 施方式。為了便于說明，沒有示出位于有機發(fā)光層220上方的緩沖層318至第一電極400。 [0113]圖23示出其中在電極層2010中不包括補償材料的組態(tài)2301，以及其中補償層和電 極層的補償材料的組成比率彼此不同的組態(tài)2302。
[0114] 在圖23中，在形成第一電極2000a或者2000b的工藝中，以濺射的方式沉積An_ Comp。即，在派射An_Comp的同時，形成電極層2010a或者2010b，并且在增加 Rep_Comp的分壓 比之后形成補償層2020a或者2020b。
[0115] 在電極層2010中不包括1^口_(：〇11^1，但是在增加1^口_(：〇11^1的分壓比以形成補償層 2020的過程中，在電極層2010中可能部分地包括Itep_Comp。
[0116]圖24示出其中第一電極2000包括兩個層的組態(tài)，這兩個層的補償材料具有彼此不 同的組成比率。
[0?17]沉積An-Comp以形成電極層2010c，然后增加 Rep_Comp的分壓比以形成補償層 2020c和2020d。通過以恒定的分壓比來沉積Rep_Comp，形成其中Rep_Comp具有組成比率 的第一補償層2020c，并且通過增加 Rep_Comp的分壓比來沉積Rep_Comp，形成其中Rep_Comp 具有組成比率K%的第二補償層2020d。
[0118] 在圖24中，第一補償層2020c和第二補償層2020d被形成為包括相同的Rep_Comp， 但是在沉積的過程中分壓比存在差異，從而使得第一補償層2020c包括具有組成比率J%的 Itep_C〇mp，第二補償層2020d包括具有組成比率K%的Itep_C〇mp，J和K之間的關(guān)系是K>J。
[0119] 圖25詳細示出在圖24的兩個界面2410和2420中的補償材料的分布。
[0120] 在圖25中，第二補償層2020d中包含的Itep_Comp 2510具有非常高的組成密度K%， 第一補償層2020c中包含的Rep_Comp 2510具有與第二補償層2020d相比相對較低的組成密 度J^t3RepJomp 2510的組成密度在界面2410和2420周圍存在差異，但是這種差異并不是 清晰區(qū)分的，組成密度是逐漸地減小的。在電極層2010c中不包含Itep_C 〇mp 2510,但是在增 加 Rep_Comp 2510的分壓比以形成補償層的過程中可能包含少量的Itep_Comp 2510。
[0121] 即，根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，通過以類似于在第二電極上形成補償異物的補 償層的方式在第一電極上形成補償異物的補償層，在第二電極上形成薄的補償層。因此，即 使在第二電極上形成補償層，由于補償層的厚度，也能夠防止透射率的惡化。
[0122] 在上文所述的實施方式中，描述了其中當形成第一電極時逐步地(分階段地)增加 一種補償材料的分壓比的情形。根據(jù)另一實施方式，通過逐漸地增加補償材料的分壓比形 成補償層，并且通過使用兩種或更多種補償材料形成補償層。
[0123] 圖26是示出根據(jù)另一實施方式的在形成第一電極的過程中逐漸地增加補償材料 的分壓比的情形的視圖。
[0124] 如圖26所示，當逐漸地增加補償材料時，形成了第一電極2600,在第一電極2600 中，從遠離有機發(fā)光層220的界面2690a至鄰近于有機發(fā)光層220的界面2690b，逐漸地增加 補償材料2610。因此，在鄰近于有機發(fā)光層220的區(qū)域中形成高電阻膜，以用作補償層，并且 在遠離有機發(fā)光層220的區(qū)域中形成低電阻膜，以用作電極層。
[0125] 圖27示出其中通過兩種或更多種補償材料形成補償層的第一電極，第一電極是通 過使用 Rep_Comp62710 和 Rep_Comp72720 形成的。Rep_Comp72720 形成電阻比 Itep_Comp62710 尚的尚電阻月旲。
[0126] 在圖27中，通過派射An_Comp，形成電極層2010。通過派射An_Comp和Rep_ Comp62710，形成第一補償層2020e，通過派射An_Comp和Rep_Comp72720，形成第二補償層 2020f。第二補償層2020f形成高電阻膜，第一補償層2020e形成電阻低于第二補償層2020f 的低電阻膜，電極層2010形成電阻低于第一補償層2020e的低電阻膜。在鄰近于有機發(fā)光層 220的區(qū)域中形成高電阻膜，以用作補償層，并且在遠離有機發(fā)光層220的區(qū)域中形成低電 阻膜，以用作電極層。
[0127] 因此，在本發(fā)明的另一實施方式中，在有機發(fā)光層上形成的具有薄雙層的補償層 用于防止異物進入，并且以各種方式形成包括補償層的第一電極和第二電極。進一步來講， 可以僅僅在第一電極中包括補償層，因此防止了異物進入，并且確保了第二電極的高透射 率。
[0128] 圖28是示出作為用于形成第二電極的材料的Cath_Comp、與作為用于濺射形成補 償層的材料的Rep_Comp之間的關(guān)系的圖表。如圖28所示，可以根據(jù)形成第二電極的Cath_ Comp，不同地選擇和形成作為形成補償層的材料的Rep_Comp。另外，可以選擇兩種或更多種 Rep_Comp以形成補償層，已參照圖18和19說明了這一點。在這種情形下，在與緩沖層鄰近地 沉積了用于形成電阻相對較高的高電阻膜的Rep_Comp 1的材料之后，可以在Rep_Comp 1上沉 積其電阻低于Rep_Comp 1的電阻的Rep_Comp 2的材料。
[0129]另外，如圖28所示，由于甚至在作為電極材料的Cath_Comp和作為補償材料的Rep_ Comp之間的關(guān)系方面形成了促進補償層的形成的關(guān)系圖表，因此可以選擇這樣的補償材 料:可以根據(jù)具體電極材料的選擇而更加容易沉積該補償材料，或者該補償材料的補償功 能非常優(yōu)秀。
[0130]圖29是示出根據(jù)本發(fā)明的一實施方式的薄層電阻根據(jù)Rep_Comp的分壓比而增加 的圖表。如果當Rep_Comp是O2時分壓比增加，則第二電極的補償層中包括的O2量也增加。另 外，薄層電阻根據(jù)O 2的增加而增加。然而，根據(jù)厚度而產(chǎn)生的偏差不高。
[0131]圖30是示出透射率根據(jù)包括補償層的第二電極的厚度的增加而降低的圖表。當包 括補償層的第二電極被形成為具有某一厚度或更高厚度以防止異物進入時，證實透射率會 降低。本發(fā)明提供了其中形成單個高電阻膜以補償異物的基礎(chǔ)實施方式，但是如圖30所示， 還提供了其中形成薄雙層的補償層來防止由于單個補償層的厚度增加而導(dǎo)致的透射率降 低的實施方式。
[0132] 圖31是示出在現(xiàn)有面板與其中包括了在本發(fā)明中提出的異物補償層的面板之間 比較的視圖。在圖31中，附圖標記3110表示在面板工藝中滲入的異物。在附圖標記3101中， 當異物3110滲入其中不包括補償層的第二電極290時，在第一電極210和第二電極290之間 發(fā)生短路。與此相對照，如通過附圖標記3102所示，即使異物3110滲入包括補償層480和電 極層490的第二電極400,通過補償層480,也不會發(fā)生第一電極210和第二電極490之間的短 路。因此，不產(chǎn)生諸如暗點之類的缺陷。進一步來講，如附圖標記3103,第一電極2000包括補 償層2020和電極層2010,使得在有機發(fā)光層220的兩個表面上形成薄的補償層480和2020。 例如，補償層480和2020中的每一個被形成為具有在僅僅在第二電極400中形成補償層480 的情形中的補償層480的一半厚度。在這種情形下，通過在有機發(fā)光層220的兩個表面上形 成的補償層480和2020,防止了第一電極2000和第二電極400之間的短路，并且通過將第二 電極400的補償層480形成為具有很薄的厚度，防止了由于補償層480的厚度所導(dǎo)致的透射 率降低。
[0133] 表1是示出根據(jù)本發(fā)明的異物補償性能的表格。
[0134] [表 1]
[0136] 如表1中所公開的，在未應(yīng)用本發(fā)明的參考例1、參考例2和參考例3中，所產(chǎn)生的暗 點的平均數(shù)目是242.3,而在此之中，由于異物導(dǎo)致的暗點的數(shù)目是181.3。然而，根據(jù)本發(fā) 明，所產(chǎn)生的暗點的總數(shù)目是125,而由于異物導(dǎo)致的暗點的數(shù)目是93。因此，本發(fā)明具有將 暗點的數(shù)目減少一半乃至更多的效果。
[0137] 本發(fā)明的實施方式提供了在顯示面板中包括補償層以防止由于異物導(dǎo)致的電極 之間的短路的結(jié)構(gòu)。特別是，在沉積諸如ΙΖ0、ΙΤ0和IGZO之類的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)作為 第二電極的工藝中形成異物補償層，異物補償層形成高電阻膜。通過減少用作異物補償層 的補償材料（即，Rep_Comp)的分布，在不需要額外工藝或者額外設(shè)備的情況下，在一個處理 室內(nèi)形成第二電極和異物補償層。除TCO之外，還可以將可能變?yōu)镺LED的透明陰極的氧化膜 (比如WO和MO)應(yīng)用于第二電極，并且本發(fā)明不局限于第二電極的特定材料。
[0138] 根據(jù)本發(fā)明，因為當在電極上存在異物或者凸起的時候無需額外工藝便可形成高 電阻膜，因此防止了第一電極(例如陽極)和第二電極(例如陰極)之間的短路。因此，降低了 暗點發(fā)生概率，并且增加了面板產(chǎn)量。在本說明書中，通過在形成透明的第二電極的工藝中 控制用于形成高電阻膜的補償材料的分布比率，可以在相同的工藝中或者同時地形成第二 電極和高電阻膜。上文所述的對于補償材料的分布比率的控制可以包括逐漸地降低補償材 料的分布比率的方法，離散地形成補償材料分布使得異物補償層與第二電極清晰區(qū)分的方 法，等等。另外，可以使用兩種或更多種異物補償材料形成異物補償層的高電阻膜、具有大 致中間電阻的電阻膜以及第二電極。
[0139] 當在面板上濺射第二電極時，由于在將補償材料濺射到第二電極之前或者在濺射 工藝中，根據(jù)預(yù)定分壓比在面板上部分地擠壓和沉積補償材料，所以無需額外的和單獨的 工藝和設(shè)備便可以在面板中包括異物補償結(jié)構(gòu)。
[0140] 上文所述的說明和附圖僅僅用于說明的目的而提供了本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的實例。 本發(fā)明所屬的技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員可以理解的是，可以在不脫離本發(fā)明的實質(zhì)特征 的情況下實現(xiàn)形式上的各種變型和變更，比如構(gòu)造的組合、分離、置換和改變。因此，在本發(fā) 明中公開的實施方式僅僅是用以描述本發(fā)明的技術(shù)精神，而不是對其進行限制。進一步來 講，本發(fā)明的技術(shù)精神的范圍不受限于這些實施方式。本發(fā)明的范圍應(yīng)當視為以這樣的方 式基于所附權(quán)利要求書：在等效于各權(quán)利要求的范圍內(nèi)包括的所有技術(shù)構(gòu)思都屬于本發(fā) 明。
【主權(quán)項】
1. 一種有機發(fā)光顯不設(shè)備，包括： 基板； 第一電極，所述第一電極在所述基板上； 有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層在所述第一電極上；以及 第二電極，所述第二電極在所述有機發(fā)光層上，所述第二電極包括至少兩個層，所述至 少兩個層包含具有不同組成的補償材料。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二電極包括補償層和電極層， 所述補償層和電極層是從所述有機發(fā)光層開始順序地設(shè)置的，以及 所述補償層中包括的補償材料的組成比率大于所述電極層中包括的補償材料的組成 比率。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述有機發(fā)光層包括： 第一發(fā)光層，所述第一發(fā)光層在所述第一電極上； 傳輸層，所述傳輸層在所述第一發(fā)光層上；以及 第二發(fā)光層，所述第二發(fā)光層在所述傳輸層上， 其中從彼此組合的第一發(fā)光層和第二發(fā)光層發(fā)射的光對應(yīng)于白色光。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二電極包括第一補償層、第二 補償層和電極層，所述第一補償層、第二補償層和電極層是從所述有機發(fā)光層開始順序地 設(shè)置的， 其中所述第一補償層中的補償材料和所述第二補償層中的補償材料是不同的。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述補償材料是02、03、C02、CH4、CH4〇、 CCl4、N0、fc或者H 2S中的任一種。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極包括具有彼此不同的 組成的兩個或更多補償層。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極包括電極層和補償層， 所述電極層和補償層是從所述基板開始順序地設(shè)置的，所述補償層的補償材料的組成比率 大于所述電極層的補償材料的組成比率。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極包括電極層、第一補償 層和第二補償層，所述電極層、第一補償層和第二補償層是從所述基板開始順序地設(shè)置的， 所述第一補償層中包括的補償材料不同于所述第二補償層中包括的補償材料。9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一補償層中包括的補償材料 等同于所述第二補償層中包括的補償材料。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極包括接近于所述有機 發(fā)光層的上表面的第一界面、和與所述第一界面相對的第二界面，所述第一界面和所述第 二界面的補償材料具有彼此不同的組成。11. 一種有機發(fā)光顯不設(shè)備，包括： 基板； 第一電極，所述第一電極在所述基板上； 有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層在所述第一電極上；以及 第二電極，所述第二電極的補償材料的組成在接近于所述有機發(fā)光層的第一界面處和 在與所述第一界面相對的第二界面處是不同的。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第二電極中的補償材料的組 成比率在所述第一界面處最高，所述第二電極中的補償材料的組成比率在所述第二界面處 最低。13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中第一補償材料的組成比率在所述 第一界面處最高， 第二補償材料的組成比率在所述第一界面和所述第二界面之間的區(qū)域處最高，以及 所述第一補償材料和所述第二補償材料的組成比率在所述第二界面處最低。14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中形成所述第二電極的電極材料是 Sn02，所述補償材料是02、03、C02和CH4之一。15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中形成所述第二電極的電極材料是 ITO,所述補償材料是CH4〇、CCl4和NO之一。16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中形成所述第二電極的電極材料是 IZ0，所述補償材料是〇2、〇3、N2和H2S之一。17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極包括具有兩個或更 多補償層，所述兩個或更多補償層包含具有彼此不同的組成的補償材料。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極包括電極層和補償 層，所述電極層和補償層是從所述基板開始順序地設(shè)置的，所述補償層的補償材料的組成 比率大于所述電極層的補償材料的組成比率。19. 一種有機發(fā)光顯不設(shè)備，包括： 基板； 第一電極，所述第一電極在所述基板上； 有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層在所述第一電極上；以及 第二電極，所述第二電極在所述有機發(fā)光層上，其中所述第一電極和所述第二電極的 至少之一包括兩個或更多層，所述兩個或更多層包括具有彼此不同的組成的補償材料。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極的 至少之一包括電極層和補償層，所述電極層和補償層是從所述有機發(fā)光層開始順序地設(shè)置 的，所述補償層的補償材料的組成比率大于所述電極層的補償材料的組成比率。21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機發(fā)光顯示設(shè)備，其中所述第一電極和所述第二電極的 至少之一包括電極層、第一補償層和第二補償層，所述電極層、第一補償層和第二補償層是 從所述有機發(fā)光層開始順序地設(shè)置的，所述第一補償層中包括的補償材料不同于所述第二 補償層中包括的補償材料。22. -種有機發(fā)光顯不設(shè)備，包括： 基板； 第一電極，所述第一電極在所述基板上； 有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層在所述第一電極上；以及 第二電極，所述第二電極在所述有機發(fā)光層上，其中所述第一電極和所述第二電極的 至少之一包括接近于所述有機發(fā)光層的上表面的第一界面、和與所述第一界面相對的第二 界面，所述第一界面和所述第二界面的補償材料具有彼此不同的組成。
【文檔編號】H01L27/32GK106067470SQ201511019279
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2015年12月29日 公開號201511019279.9, CN 106067470 A, CN 106067470A, CN 201511019279, CN-A-106067470, CN106067470 A, CN106067470A, CN201511019279, CN201511019279.9
【發(fā)明人】許峻瑛, 金英美, 樸容敏, 鄭允燮
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