帶樹脂引線框、半導(dǎo)體裝置及其制造方法

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帶樹脂引線框、半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【專利摘要】一種帶樹脂引線框、半導(dǎo)體裝置及其制造方法，所述帶樹脂引線框具備：載置LED元件的芯片焊盤，與所述芯片焊盤的周圍隔著空間設(shè)置的引線部，和形成在所述芯片焊盤和所述引線部的外側(cè)樹脂部，所述芯片焊盤和所述引線部分別具有對向面，所述芯片焊盤的所述對向面和所述引線部的所述對向面隔著空間彼此相對，所述芯片焊盤具有載置所述LED元件的載置面和位于所述載置面的相反側(cè)的底面，在所述芯片焊盤的所述對向面中的所述芯片焊盤的厚度方向中央部，形成向所述空間突出的突起部，在所述芯片焊盤的截面視中，在所述突起部和所述底面之間形成曲線，所述曲線在所述載置面?zhèn)葟澢?，所述外?cè)樹脂部填充于所述芯片焊盤和所述引線部之間的所述空間。
【專利說明】
帶樹脂引線框、半導(dǎo)體裝置及其制造方法
[00011 本申請是申請日為2011年3月30日、申請?zhí)枮?01180014468.0、發(fā)明名稱為："LED 用引線框或基板、半導(dǎo)體裝置和LED用引線框或基板的制造方法"的中國專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明涉及載置LED元件的LED用引線框或基板及其制造方法、具有這樣的LED用引線框或基板的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 一直以來，將LED(發(fā)光二極管)元件作為光源使用的照明裝置被用于各種家電、OA 設(shè)備、車輛設(shè)備的顯示燈、普通照明、車載照明以及顯示器等。在這樣的照明裝置中，包含具有LED用基板和LED元件的半導(dǎo)體裝置。
[0004] LED元件有進(jìn)行紅、綠、藍(lán)所代表的可見光區(qū)域、紫外光區(qū)域的發(fā)光等的LED元件，但基本上波長分布小，表觀上可以說是一種色。在實(shí)用化了的白色LED中，具有:使用發(fā)出如紫外、藍(lán)色那樣的能量高的光的LED元件和將其光的一部分變換為更長波長的光的熒光體來合成白色的LED;使用多種色的元件來合成白色的LED。
[0005] 作為這樣的半導(dǎo)體裝置，例如在專利文獻(xiàn)1中記載了：在Cu基板的一面?zhèn)刃纬砂?部，將LED元件搭載于該凹部，在配設(shè)于該凹部側(cè)的絕緣層上形成連接用的Cu配線層，將LED 的端子部和Cu配線層進(jìn)行線接合連接，并進(jìn)行了樹脂封裝的半導(dǎo)體裝置。另外，在專利文獻(xiàn) 1中，在Cu配線層表面施加有Ag鍍層。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)1:特開2006-245032號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 但是，特別是使用高亮度LED時(shí)，封裝LED用半導(dǎo)體裝置的樹脂遭受強(qiáng)光。因此，近年對于樹脂開始要求耐氣候性，作為這樣的樹脂使用硅樹脂（有機(jī)硅樹脂；silicone resin)的要求在提高。但是，使用硅樹脂時(shí)，有氣體阻隔性差的傾向，因此空氣中的氧和硫化氫氣體等腐蝕性氣體滲透至半導(dǎo)體裝置內(nèi)部的Ag層中。Ag容易與硫化氫氣體等進(jìn)行反應(yīng) 得到硫化銀等的生成物，因此，其結(jié)果，產(chǎn)生以下的問題:外觀上Ag層變色，使Ag層的反射率在整個(gè)可見光區(qū)域顯著降低。
[0010] 本發(fā)明是考慮這樣的問題而完成，其目的在于提供:能夠在高效率地反射來自LED 元件的光的同時(shí)，抑制氣體所致的腐蝕，維持來自LED元件的光的反射特性的LED用引線框或基板及其制造方法、以及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
[0011] 本發(fā)明為一種引線框或基板，是載置LED元件的LED用引線框或基板，其特征在于，具備:具有載置LED元件的載置面的主體部;和設(shè)置于主體部的載置面，作為用于反射來自 LED元件的光的反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層，反射用金屬層包含金與銀的合金。
[0012] 本發(fā)明為引線框或基板，其特征在于，反射用金屬層具有以下組成:含有5~50重量％金，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0013] 本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備:具有包含載置LED元件的載置面的主體部的LED用引線框或基板;載置于引線框或基板的主體部的載置面上的LED元件;將引線框或基板與LED元件電連接的導(dǎo)電部;和將LED元件和導(dǎo)電部封裝的封裝樹脂部，在LED用引線框或基板的主體部的載置面上，設(shè)置有作為用于反射來自LED元件的光的反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層，反射用金屬層包含金與銀的合金。
[0014] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，反射用金屬層具有以下組成：含有5~50重量％金，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0015] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，封裝樹脂部包含硅樹脂。
[0016] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具有包圍LED元件并且具有凹部的外側(cè)樹脂部，封裝樹脂部填充于該外側(cè)樹脂部的凹部內(nèi)。
[0017] 本發(fā)明為一種LED用引線框或基板的制造方法，其制造載置LED元件的LED用引線框或基板，其特征在于，具備:準(zhǔn)備具有載置LED元件的載置面的主體部的工序;和在主體部的載置面?zhèn)刃纬勺鳛榉瓷鋵影l(fā)揮功能的反射用金屬層的工序，反射用金屬層包含金與銀的合金。
[0018] -種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備:采用LED用引線框或基板的制造方法制作引線框或基板的工序;在引線框或基板的主體部的載置面上載置LED元件的工序；將LED元件與引線框或基板利用導(dǎo)電部進(jìn)行連接的工序；以及將LED元件和導(dǎo)電部利用封裝樹脂進(jìn)行樹脂封裝的工序。
[0019] 本發(fā)明為一種引線框或基板，是載置LED元件的LED用引線框或基板，其特征在于，具備:具有載置LED元件的載置面的主體部;設(shè)置于主體部的載置面，作為用于反射來自LED 元件的光的反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層，反射用金屬層包含金與銀的合金，主體部包含銅或銅合金，在反射用金屬層與主體部之間設(shè)置有中間介在層，中間介在層具有從主體部側(cè)順序配置的鎳層和金層。
[0020] 本發(fā)明為引線框或基板，其特征在于，反射用金屬層具有以下組成:含有5~50重量％金，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0021 ]本發(fā)明為引線框或基板，其特征在于，中間介在層還具有設(shè)置于鎳層的主體部側(cè) 的銅層。
[0022] 本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備:具有包含載置LED元件的載置面的主體部的LED用引線框或基板;載置于引線框或基板的主體部的載置面上的LED元件;將引線框或基板與LED元件電連接的導(dǎo)電部;將LED元件和導(dǎo)電部封裝的封裝樹脂部，在LED用引線框或基板的主體部的載置面上設(shè)置有作為用于反射來自LED元件的光的反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層，反射用金屬層包含金與銀的合金，主體部包含銅或銅合金，在反射用金屬層與主體部之間設(shè)置有中間介在層，中間介在層具有從主體部側(cè)順序配置的鎳層和金層。
[0023] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，反射用金屬層具有以下組成：含有5~50重量％金，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0024] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，中間介在層還具有設(shè)置于鎳層的主體部側(cè)的銅層。
[0025] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，封裝樹脂部包含硅樹脂。
[0026] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具有包圍LED元件并且具有凹部的外側(cè)樹脂部，封裝樹脂部填充于該外側(cè)樹脂部的凹部內(nèi)。
[0027] 本發(fā)明為一種LED用引線框或基板的制造方法，其制造載置LED元件的LED用引線框或基板，其特征在于，具備:準(zhǔn)備具有載置LED元件的載置面的主體部的工序;在主體部上形成中間介在層的工序;和在中間介在層上形成作為反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層的工序，反射用金屬層包含金與銀的合金，主體部包含銅或銅合金，中間介在層具有從主體部側(cè) 順序配置的鎳層和金層。
[0028] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備:準(zhǔn)備具有載置LED元件的載置面的主體部的工序;在主體部上，形成中間介在層的工序;在中間介在層上，形成作為反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層的工序;在主體部的載置面上載置LED元件，將LED元件和主體部利用導(dǎo)電部連接的工序;將LED元件和導(dǎo)電部采用透光性的封裝樹脂部封裝的工序，反射用金屬層包含金與銀的合金，主體部包含銅或銅合金，中間介在層具有從主體部側(cè)順序配置的鎳層和金層。
[0029] 本發(fā)明為一種引線框或基板，是載置LED元件的LED用引線框或基板，其特征在于，具備：具有載置LED元件的芯片焊盤(芯片安裝面積，die pad)和與芯片焊盤間隔地設(shè)置的引線部的主體部；設(shè)置于主體部的芯片焊盤和引線部兩者上的銀鍍層(鍍銀層）；和設(shè)置于銀鍍層上，作為用于反射來自LED元件的光的反射層發(fā)揮功能的銦鍍層(鍍銦層）。
[0030] 本發(fā)明為引線框或基板，其特征在于，在主體部與銀鍍層之間，設(shè)置了提高主體部與銀鍍層的接合性的基底鍍層。
[0031] 本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備:具有包含載置LED元件的芯片焊盤和與芯片焊盤間隔地設(shè)置的引線部的主體部的LED用引線框或基板;載置于引線框或基板的主體部的芯片焊盤上的LED元件;將引線框或基板與LED元件電連接的導(dǎo)電部;將LED元件和導(dǎo)電部封裝的封裝樹脂部，在LED用引線框或基板的主體部的芯片焊盤和引線部兩者上設(shè)置有銀鍍層，在銀鍍層上，設(shè)置有作為用于反射來自LED元件的光的反射層發(fā)揮功能的銦鏈層。
[0032] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在主體部與銀鍍層之間，設(shè)置了提高主體部與銀鍍層的接合性的基底鍍層。
[0033 ]本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，封裝樹脂部包含硅樹脂。
[0034] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具有包圍LED元件并且具有凹部的外側(cè)樹脂部，封裝樹脂部填充于該外側(cè)樹脂部的凹部內(nèi)。
[0035] 本發(fā)明為一種LED用引線框或基板的制造方法，其制造載置LED元件的LED用引線框或基板，其特征在于，具備:準(zhǔn)備具有載置LED元件的芯片焊盤和與芯片焊盤間隔地設(shè)置的引線部的主體部的工序;在主體部的芯片焊盤和引線部兩者上形成銀鍍層的工序；和在銀鍍層上形成作為反射層發(fā)揮功能的銦鍍層的工序。
[0036] 本發(fā)明為LED用引線框或基板的制造方法，其特征在于，在形成銀鍍層的工序之前，設(shè)置有以下工序:在主體部上，設(shè)置提高主體部與銀鍍層的接合性的基底鍍層的工序。
[0037] 本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備:采用權(quán)利要求25所述的 LED用引線框或基板的制造方法制作引線框或基板的工序;將LED元件載置于引線框或基板的主體部的芯片焊盤上的工序;將LED元件和引線框或基板利用導(dǎo)電部進(jìn)行連接的工序；以及將LED元件和導(dǎo)電部利用封裝樹脂進(jìn)行樹脂封裝的工序。
[0038]本發(fā)明為一種引線框或基板，其是載置LED元件的LED用引線框或基板，其特征在于，具備:具有載置LED元件的載置面的主體部;和設(shè)置于主體部的載置面、作為用于反射來自LED元件的光的反射層發(fā)揮功能的反射用鍍層，反射用鍍層包含錫與銀的合金。
[0039]本發(fā)明為引線框或基板，其特征在于，反射用鍍層具有以下組成：含有10~50重量％錫，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0040] 本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其具備:具有包含載置LED元件的載置面的主體部的LED用引線框或基板;載置于引線框或基板的主體部的載置面上的LED元件;將弓丨線框或基板與LED元件電連接的導(dǎo)電部;和將LED元件和導(dǎo)電部封裝的封裝樹脂部，在LED 用引線框或基板的主體部的載置面上設(shè)置有作為用于反射來自LED元件的光的反射層發(fā)揮功能的反射用鍍層，反射用鍍層包含錫與銀的合金。
[0041] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，反射用鍍層具有以下組成:含有10~50重量％錫，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0042 ]本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，封裝樹脂部包含硅樹脂。
[0043] 本發(fā)明為半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具有包圍LED元件并且具有凹部的外側(cè)樹脂部，封裝樹脂部填充于該外側(cè)樹脂部的凹部內(nèi)。
[0044] 本發(fā)明為一種LED用引線框或基板的制造方法，其制造載置LED元件的LED用引線框或基板，其特征在于，具備:準(zhǔn)備具有載置LED元件的載置面的主體部的工序;和在主體部的載置面?zhèn)刃纬勺鳛榉瓷鋵影l(fā)揮功能的反射用鍍層的工序，反射用鍍層包含錫與銀的合金。
[0045] 本發(fā)明為LED用引線框或基板的制造方法，其特征在于，反射用鍍層具有以下組成:含有10~50重量％錫，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0046] 本發(fā)明為一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備:采用LED用引線框或基板的制造方法制作引線框或基板的工序;將LED元件載置于引線框或基板的主體部的載置面上的工序;將LED元件與引線框或基板利用導(dǎo)電部進(jìn)行連接的工序；以及將LED元件和導(dǎo) 電部利用封裝樹脂進(jìn)行樹脂封裝的工序。
[0047] 根據(jù)本發(fā)明，反射用金屬層(反射用鍍層)在可高效率地反射來自LED元件的光的同時(shí)，反射用金屬層(反射用鍍層)不會由于空氣中的氧、硫化氫氣體等腐蝕性氣體而腐蝕，可將整個(gè)可見光區(qū)域、或整個(gè)紫外~可見光區(qū)域、或至少可見光區(qū)域的一部分的其反射特性維持得較高。
【附圖說明】
[0048] 圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的引線框或基板的截面圖。
[0049] 圖2是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的引線框或基板的變形例的截面圖。
[0050] 圖3是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的截面圖。
[0051]圖4是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的引線框的制造方法的圖。
[0052]圖5是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
[0053]圖6是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0054]圖7是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0055]圖8是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0056]圖9是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0057] 圖10是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0058] 圖11是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0059] 圖12是表示在實(shí)施例1-A中反射率的變化的曲線圖。
[0060] 圖13是表示在比較例1_A(比較例3-A)中反射率的變化的曲線圖。
[0061] 圖14是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框或基板的截面圖。
[0062] 圖15是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框或基板的變形例的截面圖。
[0063]圖16是Ag-Sn合金的相圖。
[0064]圖17是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的截面圖（圖18的A-A線截面圖）。 [0065]圖18是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
[0066] 圖19是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的引線框的制造方法的圖。
[0067] 圖20是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
[0068] 圖21是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0069]圖22是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0070]圖23是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0071]圖24是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0072]圖25是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0073]圖26是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0074]圖27是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0075]圖28是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0076] 圖29是表示在本發(fā)明的第2實(shí)施方式中，進(jìn)行了耐腐蝕試驗(yàn)時(shí)的各基板的變化的圖。
[0077] 圖30是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的引線框或基板的截面圖。
[0078] 圖31是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的引線框或基板的變形例的截面圖。
[0079]圖32是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的截面圖（圖33的B-B線截面圖）。 [0080]圖33是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
[0081] 圖34是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的引線框的制造方法的圖。
[0082] 圖35是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
[0083]圖36是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0084]圖37是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0085] 圖38是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0086] 圖39是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0087] 圖40是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0088] 圖41是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0089] 圖42是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0090] 圖43是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0091]圖44是表示在本發(fā)明的第3實(shí)施方式中，進(jìn)行了耐腐蝕試驗(yàn)時(shí)的各基板的變化的圖。
[0092]圖45是表示在實(shí)施例3-A中反射率的變化的曲線圖。
[0093] 圖46是表示在實(shí)施例3-B中反射率的變化的曲線圖。
[0094] 圖47是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的引線框或基板的截面圖。
[0095] 圖48是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的引線框或基板的變形例的截面圖。
[0096]圖49是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的截面圖（圖50的C-C線截面圖）。 [0097]圖50是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
[0098] 圖51是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的引線框的制造方法的圖。
[0099] 圖52是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。
[0100]圖53是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的引線框的作用的截面圖。
[0101]圖54是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0102]圖55是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0103]圖56是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0104]圖57是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0105] 圖58是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0106] 圖59是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例的截面圖。
[0107] 圖60是在實(shí)施例4-A與比較例4-A之間比較反射率變化的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0108] (第1實(shí)施方式）
[0109] 在本發(fā)明的第1實(shí)施方式中，參照圖1至圖13進(jìn)行說明。
[0110] LED用引線框或基板的構(gòu)成
[0111] 首先，通過圖1和圖2,對于LED用引線框或基板的概略進(jìn)行說明。另外，在圖1和圖2 中，為了說明LED用引線框或基板的層構(gòu)成，為方便起見將LED用引線框或基板的截面設(shè)為矩形形狀來表示。
[0112] 如圖1所示，本實(shí)施方式的LED用引線框或基板10(以下，也稱為引線框10或者基板 10)，是為載置LED元件21(后述)而使用的，其具備:具有載置LED元件21的載置面Ila的主體部11;和設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的反射用金屬層12。
[0113] 其中，主體部11包含金屬板。作為構(gòu)成主體部11的金屬板的材料，例如可舉出銅、銅合金、42合金(41%Ni的Fe合金)等。該主體部11的厚度，取決于半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成，但優(yōu) 選在引線框10的場合為〇. 〇5mm~0.5mm、在基板10的場合為0.005mm~0.03mm。
[0114] 反射用金屬層12,是作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的，位于 LED用引線框或基板10的最表面?zhèn)?。該反射用金屬?2包含鉑(Pt)與銀(Ag)的合金、或者金 (Au)與銀(Ag)的合金，可見光的反射率高，且相對于氧氣和硫化氫氣體具有高的耐腐蝕性。
[0115] 反射用金屬層12包含鉑(Pt)與銀(Ag)的合金的場合，優(yōu)選該合金具有以下組成：含有10~40重量％鉑，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成，特別優(yōu)選具有以下組成:含有20 重量％鉬，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0116] 另一方面，反射用金屬層12包含金(Au)與銀(Ag)的合金的場合，優(yōu)選具有以下組成:該合金含有5~50重量％金，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成，特別優(yōu)選具有以下組成:含有金20重量％，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0117]反射用金屬層12，其厚度非常薄地形成，具體地優(yōu)選為0.005μπι~0.2μπι。
[0118] 另外，在主體部11與反射用金屬層12之間，從主體部11側(cè)順序地層疊有銅鍍層13 和銀鍍層14。
[0119] 其中，銅鍍層13是作為銀鍍層14的基底層使用的，具有提高銀鍍層14與主體部11 的接合性的功能。該銅鍍層13的厚度，優(yōu)選為0.005μπι~0. Ιμπι。
[0120] 另外，銀鍍層14是作為反射用金屬層12的基底層使用的，具有提高銅鍍層13與反射用金屬層12的接合性的功能。另外，銀鍍層14的厚度比反射用金屬層12厚，例如優(yōu)選為1μ m ~5μπι〇
[0121] 銀鍍層14可以包含無光澤銀鍍層或光澤銀鍍層的任一種。如上述那樣，反射用金屬層12的厚度非常薄，因此可以表現(xiàn)出銀鍍層14的輪廓。例如，在銀鍍層14包含無光澤鍍層的場合，反射用金屬層12的表面也可以設(shè)為無光澤，在銀鍍層14包含光澤鍍層的場合，反射用金屬層12的表面也可帶光澤。
[0122] 另外，如圖2(a)所示，也可以是不設(shè)置銅鍍層13的構(gòu)成。此時(shí)，LED用引線框或基板 10具備：主體部11;設(shè)置于主體部11的載置面Ila的銀鍍層14;設(shè)置于銀鍍層14上的反射用金屬層12。
[0123] 另外，如圖2(b)所示，也可以是不設(shè)置銀鍍層14的構(gòu)成。此時(shí)，LED用引線框或基板 10具備：主體部11;設(shè)置于主體部11的載置面Ila的銅鍍層13;設(shè)置于銅鍍層13上的反射用金屬層12。
[0124] 進(jìn)而，另外，如圖2(c)所示，也可以是不設(shè)置銅鍍層13和銀鍍層14的構(gòu)成。此時(shí)， LED用引線框或基板10具備：主體部11;直接設(shè)置于主體部11的載置面Ila的反射用金屬層 12。
[0125]半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成
[0126] 接著，通過圖3,對于使用了圖1所示的LED用引線框或基板的半導(dǎo)體裝置的第1實(shí) 施方式進(jìn)行說明。圖3表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置(SON型）的截面圖。
[0127] 如圖3所示，半導(dǎo)體裝置20具備:LED用引線框10;載置于引線框10的主體部11的載置面Ila上的LED元件21;將引線框10與LED元件21電連接的接合線(導(dǎo)電部)22。
[0128] 另外，以包圍LED元件21的形式設(shè)置有具有凹部23a的外側(cè)樹脂部23。該外側(cè)樹脂部23，與引線框10-體化。進(jìn)而，LED元件21與接合線22，由透光性的封裝樹脂部24封裝。封裝樹脂部24,填充于外側(cè)樹脂部23的凹部23a內(nèi)。
[0129] 以下，對于構(gòu)成這樣的半導(dǎo)體裝置20的各構(gòu)成部件，順次進(jìn)行說明。
[0130] 引線框10具備:具有載置面Ila的主體部11;設(shè)置于主體部11上的銅鍍層13;設(shè)置于銅鍍層13上的銀鍍層14;和設(shè)置于銀鍍層14上，作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層12。在引線框10的表面(上面），形成有用于提高引線框10與外側(cè)樹脂部23的密著性的溝槽19。對于該引線框10的層構(gòu)成，與使用圖1已經(jīng)進(jìn)行說明的構(gòu)成同樣，因此在此省略詳細(xì)的說明。另外，作為引線框10的層構(gòu)成，也可使用圖2(a)-(c)所示的構(gòu)成。
[0131] 在本實(shí)施方式中，引線框10的主體部11具備:LED元件21側(cè)的第1部分25(芯片焊盤）；與第1部分25間隔的第2部分26(引線部）。在該第1部分25與第2部分26之間，填充有外側(cè)樹脂部23,第1部分25與第2部分26相互電絕緣。另外，在第1部分25的底面形成有第1外弓丨線部27,在第2部分26的底面形成有第2外引線部28。第1外引線部27和第2外引線部28,分別從外側(cè)樹脂部23露出到外方。
[0132] LED元件21，作為發(fā)光層適宜選擇包含例如GaP、GaAs、GaAlAs、GaAsP、AlInGaPS InGaN等的化合物半導(dǎo)體單晶的材料，由此可選擇從紫外光到紅外光的發(fā)光波長。作為這樣的LED元件21，可使用以往通常使用的LED元件。
[0133] 另外，LED元件21，利用焊料或芯片焊膏，在外側(cè)樹脂部23的凹部23a內(nèi)固定于主體部11的載置面Ila上(嚴(yán)格地講，固定在反射用金屬層12上）。另外，在使用芯片焊膏的場合，可選擇包含具有耐光性的環(huán)氧樹脂、硅樹脂的芯片焊膏。
[0134] 接合線22,包含例如金等的導(dǎo)電性好的材料，其一端連接于LED元件21的端子部 21a，并且，其另一端連接于引線框10的主體部11的第2部分26表面上。
[0135] 外側(cè)樹脂部23,例如是在引線框10上將熱塑性樹脂或熱固性樹脂注射成形或傳遞成形而形成的。外側(cè)樹脂部23的形狀，通過注射成形或傳遞成形中使用的金屬模的設(shè)計(jì)，可以各種各樣地實(shí)現(xiàn)。例如，可使外側(cè)樹脂部23的整體形狀成為長方體、圓筒形和錐形等的形狀。凹部23a的底面，可以設(shè)為圓形、橢圓形或多角形等。凹部23a的側(cè)壁的截面形狀，可以如圖3那樣由直線構(gòu)成，或者也可以由曲線構(gòu)成。
[0136] 對于外側(cè)樹脂部23所使用的熱塑性樹脂或熱固性樹脂，特別優(yōu)選耐熱性、耐氣候性和機(jī)械性強(qiáng)度優(yōu)異的樹脂。作為熱塑性樹脂的種類，可使用聚酰胺、聚鄰苯二甲酰胺、聚苯硫醚、液晶聚合物、聚醚砜、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚酰亞胺等，作為熱固性樹脂的種類，可使用有機(jī)硅系樹脂、環(huán)氧系樹脂和聚氨酯等。進(jìn)而，另外，在這些樹脂中，通過添加二氧化鈦、二氧化鋯、鈦酸鉀、氮化鋁和氮化硼中的任一種來作為光反射劑，在凹部23a的底面 (第1部分25與第2部分26之間）和側(cè)面，可增大來自LED元件21的光的反射率，增大半導(dǎo)體裝置20整體的光取出效率。
[0137] 作為封裝樹脂部24,為了提高光的取出效率，優(yōu)選在半導(dǎo)體裝置20的發(fā)光波長下光透過率高、并且屈折率高的材料。因此，作為滿足耐熱性、耐氣候性和機(jī)械性強(qiáng)度高的特性的樹脂，可選擇環(huán)氧樹脂、硅樹脂。特別是作為LED元件21使用高亮度LED的場合，封裝樹脂部24遭受強(qiáng)光，因此封裝樹脂部24優(yōu)選包含具有高的耐氣候性的硅樹脂。
[0138] LED用引線框的制造方法
[0139] 接著，對于圖3所示的半導(dǎo)體裝置20中使用的LED用引線框10的制造方法，通過4 (a)-(g)進(jìn)行說明。
[0140] 首先，如4(a)所示，準(zhǔn)備包含金屬基板的主體部11。作為該主體部11，如上述那樣可使用包含銅、銅合金、42合金(41 %Ni的Fe合金)等的金屬基板。另外，主體部11優(yōu)選使用對其兩面進(jìn)行脫脂等并實(shí)施了洗滌處理的主體部。
[0141]接著，在主體部11的表面和背面涂布感光性抗蝕劑，并進(jìn)行干燥，將其通過所希望的光掩模進(jìn)行曝光后，進(jìn)行顯像，形成蝕刻用抗蝕劑層32、33(圖4(b))。另外，作為感光性抗蝕劑，可使用以往公知的感光性抗蝕劑。
[0142]接著，將蝕刻用抗蝕劑層32、33作為耐腐蝕膜，用腐蝕液對主體部11實(shí)施蝕刻（圖4 (c))。腐蝕液，可根據(jù)使用的主體部11的材質(zhì)適宜選擇，例如，作為主體部11使用銅的場合，通常，可使用氯化鐵水溶液，從主體部11的兩面通過噴霧蝕刻來進(jìn)行。
[0143] 接著，將蝕刻用抗蝕劑層32、33剝離除去。這樣進(jìn)行操作，得到具有第1部分25和與第1部分25間隔的第2部分26的主體部11 (圖4(d))。另外，此時(shí)，通過半蝕刻在主體部11的表面(上面)形成溝槽19。
[0144] 接著，在主體部11的表面和背面設(shè)置分別具有所希望的圖案的鍍敷用抗蝕劑層 30、31(圖4(e))。其中，表面?zhèn)鹊腻兎笥每刮g劑層30,在相當(dāng)于反射用金屬層12的形成部位的地方形成有開口部30a，主體部11的載置面I Ia從該開口部30a露出。另一方面，背面?zhèn)鹊?鍍敷用抗蝕劑層31，覆蓋主體部11的背面整體。
[0145] 接著，在被鍍敷用抗蝕劑層30、31覆蓋的主體部11的表面?zhèn)龋瑢?shí)施電解鍍。由此，在主體部11上析出金屬(銅），在主體部11上形成銅鍍層13。此時(shí)，作為形成銅鍍層13的電解鍍用鍍液，可使用以氰化銅和氰化鉀為主成分的銅鍍液。
[0146] 接著，同樣地操作，通過電解鍍在銅鍍層13上析出金屬(銀），形成銀鍍層14。此時(shí)，作為形成銀鍍層14的電解鍍用鍍液，可使用以氰化銀和氰化鉀為主成分的銀鍍液。
[0147] 進(jìn)而，在銀鍍層14上使金屬析出，形成反射用金屬層12(圖4(f))。
[0148] 如上述那樣，反射用金屬層12,包含鉑(Pt)與銀(Ag)的合金、或者金(Au)與銀(Ag) 的合金。在此，反射用金屬層12包含鉑與銀的合金的場合，反射用金屬層12可通過合金的濺射、離子鍍或蒸鍍等來形成。另一方面，在反射用金屬層12包含金與銀的合金的場合，反射用金屬層12可通過電解鍍來形成。此時(shí)，作為電解鍍用鍍液，可使用將氰化銀、氰化金和氰化鉀作為主成分的銀鍍液。
[0149] 接著，通過剝離鍍敷用抗蝕劑層30、31，可得到圖3所示的半導(dǎo)體裝置20中所使用的引線框1〇(圖4(g))。
[0150] 另外，在4(a)_(g)中，通過實(shí)施蝕刻使主體部11成為規(guī)定形狀后(4(a)_(d))，在主體部11上形成銅鍍層13、銀鍍層14和反射用金屬層12(圖4(e)-(g))。但不限定于此，也可以首先在主體部11上形成銅鍍層13、銀鍍層14和反射用金屬層12,其后，通過蝕刻將主體部11 加工成規(guī)定的形狀。
[0151] 半導(dǎo)體裝置的制造方法
[0152] 接著，對于圖3所示的半導(dǎo)體裝置20的制造方法，通過圖5(a)_(e)進(jìn)行說明。
[0153] 首先，通過上述的工序（圖4(a)_(g))，制成引線框10,所述引線框10具備:具有載置面Ila的主體部11和作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層12(圖5(a))。
[0154] 接著，對于該引線框10通過將熱塑性樹脂或熱固性樹脂注射成形或傳遞成形，形成外側(cè)樹脂部23(圖5(b))。由此，外側(cè)樹脂部23與引線框10-體地形成。另外，此時(shí)，通過適宜設(shè)計(jì)在注射成形或傳遞成形中使用的金屬模，使得在外側(cè)樹脂部23形成凹部23a的同時(shí)，在該凹部23a底面，反射用金屬層12露出到外方。
[0155] 接著，在引線框10的主體部11的載置面Ila上，搭載LED元件21。此時(shí)，使用焊料或芯片焊膏，將LED元件21載置于主體部11的載置面Ila上(反射用金屬層12上)并固定（管芯安裝(Die Attach)工序）（圖5(c))。
[0156] 接著，利用接合線22將LED元件21的端子部21a和主體部11的第2部分26表面相互電連接(線接合工序）（圖5(d))。
[0157] 其后，向外側(cè)樹脂部23的凹部23a內(nèi)填充封裝樹脂部24,利用封裝樹脂部24將LED 元件21和接合線22封裝，可得到圖3所示的半導(dǎo)體裝置20(圖5(e))。
[0158] 此時(shí)，在引線框10上預(yù)先搭載多個(gè)LED元件21，將各LED元件21間的外側(cè)樹脂部23 分別進(jìn)行切割，由此可制作各半導(dǎo)體裝置20(參照后述的第2實(shí)施方式至第4實(shí)施方式）。 [0159] 本實(shí)施方式的作用效果
[0160] 接著，對于本實(shí)施方式的作用效果進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置20中，如上述那樣，在主體部11的載置面Ila上，設(shè)置有作為反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層12。該反射用金屬層12,包含鉑與銀的合金、或者金與銀的合金。由此，可得到如下那樣的作用效果。
[0161] 即，有時(shí)制造半導(dǎo)體裝置20后經(jīng)過一定時(shí)間后，例如從外側(cè)樹脂部23與封裝樹脂部24之間，空氣中的氧氣、硫化氫氣體等的腐蝕性氣體滲透至半導(dǎo)體裝置20內(nèi)部。根據(jù)本實(shí) 施方式，在主體部11的載置面Ila上設(shè)置作為反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層12,該反射用金屬層12包含鉑與銀的合金、或金與銀的合金。由此，即使是腐蝕性氣體滲透至半導(dǎo)體裝置 20內(nèi)部的場合，反射層(反射用金屬層12)變色或者腐蝕的情況也很少，其反射率不會降低。另一方面，作為比較例，反射層僅包含銀鍍層時(shí)，腐蝕性氣體滲透了時(shí)，有反射層發(fā)生變色或腐蝕之虞。
[0162] 另外，根據(jù)本實(shí)施方式，反射層包含反射用金屬層12,具有高的反射特性，因此可高效地反射來自LED元件21的光。
[0163] 進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，反射用金屬層12如上述那樣包含非常薄的（0.005μπι~0.2 μπι)膜。因此，在管芯安裝時(shí)或者線接合中，由于該時(shí)施加的能量，反射用金屬層12被部分地破壞。因此，可得到與在銀鍍層上直接進(jìn)行管芯安裝或者線接合時(shí)大致同等的接合強(qiáng)度。
[0164] 進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，通過非常薄地形成反射用金屬層12,即使是使用比較高價(jià) 的鉑或金時(shí)，成本的上升幅度也較少。而且，通過反射用金屬層12包含鉑與銀的合金、或者金與銀的合金，與作為反射用金屬層12的材料僅使用鉑或金時(shí)進(jìn)行比較，可抑制制造成本。
[0165] 變形例
[0166] 以下，對于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的各變形例，參照圖6至圖11進(jìn)行說明。在圖6 至圖11中，對于與圖3所示的實(shí)施方式相同部分賦予相同的標(biāo)記，詳細(xì)的說明省略。
[0167] 另外，在圖6至圖11所示的各變形例中，與圖3所示的實(shí)施方式同樣，反射用金屬層 12包含鉑與銀的合金、或者金與銀的合金。
[0168] 圖6是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（SON型）的截面圖。圖6所示的實(shí) 施方式，作為導(dǎo)電部，使用焊料球41a、41b，該點(diǎn)是不同的，其他的構(gòu)成與上述圖3所示的實(shí) 施方式大致相同。
[0169] 在圖6所示的半導(dǎo)體裝置40中，在引線框10的主體部11的載置面Ila上，載置LED元件21。此時(shí)，跨越主體部11的第1部分25(芯片焊盤）和第2部分26(引線部）而載置LED元件 21〇
[0170]另外，LED元件21，代替接合線22,利用焊料球(導(dǎo)電部)41a、41b連接于引線框10的反射用金屬層12(倒裝片方式）。另外，如圖6所示，焊料球41a、41b中的、一方焊料球41a連接于第1部分25，另一方焊料球41b連接于第2部分26。
[0171]另外，可使用包含金凸塊的導(dǎo)電部，來代替焊料球41a、41b。
[0172] 圖7是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(LGA型）的截面圖。圖7所示的實(shí) 施方式，基板10的構(gòu)成等與圖3所示的實(shí)施方式不同。
[0173] 在圖7所示的半導(dǎo)體裝置50中，基板10具備:具有載置LED元件21的載置面Ila的主體部11;和設(shè)置于主體部11的載置面Ila上、作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā) 揮功能的反射用金屬層12。
[0174] 其中，主體部11具有所載置LED元件21的第1部分(芯片焊盤)51和與第1部分51間隔的第2部分(端子部)52。在該第1部分51與第2部分52之間填充有封裝樹脂部24,第1部分 51與第2部分52相互電絕緣。另外，在第1部分51的底面形成有第1外部端子53,在第2部分52 的底面形成有第2外部端子54。第1外部端子53和第2外部端子54,分別從封裝樹脂部24露出到外方。
[0175] 另外，在圖7中，主體部11可包含將一個(gè)鍍層或多個(gè)鍍層層疊了的構(gòu)成。
[0176] 此時(shí)，LED元件21，在第1部分51上，載置于主體部11的載置面I Ia上。另外，基板10 的第2部分52與LED元件21，利用接合線（導(dǎo)電部)22電連接。即，接合線22的一端連接于LED 元件21的端子部21a，接合線22的另一端連接于第2部分52的表面上。
[0177] 另一方面，透光性的封裝樹脂部24,將基板10的上側(cè)部分、LED元件21和接合線22 封裝。
[0178] 另外，在圖7中，沒有設(shè)置外側(cè)樹脂部23,但并不限定于此，也可以與圖3同樣地以包圍LED元件21的形式設(shè)置外側(cè)樹脂部23。
[0179] 圖8是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(PLCC型)截面圖。圖8所示的實(shí)施方式，引線框10的構(gòu)成與圖3所示的實(shí)施方式不同。
[0180]在圖8所示的半導(dǎo)體裝置60中，引線框10具備:具有載置LED元件21的載置面Ila的主體部11;和設(shè)置于主體部11的載置面Ila上、作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層12。
[0181] 其中，主體部11，具備:所載置LED元件21的第1部分(芯片焊盤)61和與第1部分61 間隔的第2部分(端子部)62以及第3部分(端子部)63。在該第1部分61與第2部分62之間、以及第1部分61與第3部分63之間，分別填充有外側(cè)樹脂部23。由此，第1部分61與第2部分62相互電絕緣，且第1部分61與第3部分63相互電絕緣。
[0182] 另外，第2部分62和第3部分63，分別彎曲為截面大致J字狀。而且，在第2部分62的端部形成有第1外引線部64,在第3部分63的端部形成有第2外引線部65。該第1外引線部64 和第2外引線部65，分別從外側(cè)樹脂部23露出到外方。
[0183] 此時(shí)，LED元件21，在第1部分61上，載置于主體部11的載置面Ila上。另外，LED元件 21，分別利用接合線（導(dǎo)電部)22電連接于引線框10的主體部11的第2部分62和第3部分63。
[0184] 圖9是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(基板型）的截面圖。圖9所示的實(shí) 施方式，基板10配置于非導(dǎo)電性基板74上，該方面等與圖3所示的實(shí)施方式不同。
[0185] 在圖9所示的半導(dǎo)體裝置70中，基板10具備:具有載置LED元件21的載置面Ila的主體部11;和設(shè)置于主體部11的載置面Ila上、作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā) 揮功能的反射用金屬層12。
[0186] 其中，主體部11具有第1部分71和與該第1部分71間隔的第2部分72。在該第1部分 71與第2部分72之間填充有封裝樹脂部24,第1部分71與第2部分72相互電絕緣。此時(shí)，跨越第1部分71和第2部分72來載置LED元件21。
[0187] 另外，LED元件21，代替接合線22,利用焊料球(導(dǎo)電部)73a、73b連接于引線框10的反射用金屬層12(倒裝片方式）。另外，如圖9所示，在焊料球73a、73b中，焊料球73a連接于第 1部分71，焊料球73b連接于第2部分72。
[0188] 另外，可使用包含金凸塊的導(dǎo)電部，來代替焊料球73a、73b。
[0189] 但是，在圖9中，基板10配置于非導(dǎo)電性基板74上。非導(dǎo)電性基板74,可以是有機(jī)基板也可以是無機(jī)基板。作為有機(jī)基板，例如，可舉出包含聚醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯 (PEN)、聚酰胺、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚醚醚酮、液晶聚合物、氟樹脂、聚碳酸酯、聚降冰片烯系樹脂、聚砜、多芳基化合物、聚酰胺酰亞胺、聚醚酰亞胺或熱塑性聚酰亞胺等的有機(jī)基板，或它們的復(fù)合基板。另外，作為無機(jī)基板，例如，可舉出玻璃基板、硅基板、陶瓷基板等。
[0190]在非導(dǎo)電性基板74上形成有多個(gè)通孔75。另外，在各通孔75內(nèi)分別填充有導(dǎo)電性物質(zhì)76。接著，主體部11的第1部分71和第2部分72,分別利用各通孔75內(nèi)的導(dǎo)電性物質(zhì)76，電連接于第1外部端子77以及第2外部端子78。另外，作為導(dǎo)電性物質(zhì)76,可舉出通過鍍敷在通孔75內(nèi)形成的銅等的導(dǎo)電性金屬、或者含有銅粒子、銀粒子等導(dǎo)電性粒子的導(dǎo)電性糊等。 [0191]另外，在圖9中沒有設(shè)置外側(cè)樹脂部23,但并不限定于此，可以與圖3所示的實(shí)施方式同樣地以包圍LED元件21的形式來設(shè)置外側(cè)樹脂部23。
[0192] 圖10是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(模塊型）的截面圖。圖10所示的實(shí)施方式，在一個(gè)非導(dǎo)電性基板74上配置了多個(gè)基板10,該方面是不同的，其他的構(gòu)成與上述的圖9所示的實(shí)施方式大致相同。
[0193] 在圖10所示的半導(dǎo)體裝置80中，在一個(gè)非導(dǎo)電性基板74上配置有多個(gè)基板10。各基板I0具備：具有載置LED元件21的載置面Ila的主體部11;和設(shè)置于主體部11的載置面 11a、作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層12。
[0194] 此外，在圖10中，對于與圖9所示的實(shí)施方式相同部分賦予相同的標(biāo)記，詳細(xì)的說明省略。
[0195] 圖11表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（SON型）的截面圖。圖11所示的實(shí) 施方式，在主體部11的第1部分(芯片焊盤)91的周圍，設(shè)置有2個(gè)引線部(第2部分92和第3部分93)，該方面是不同的，其他的構(gòu)成與上述的與圖3所示的實(shí)施方式大致相同。
[0196] 即，在圖11所示的半導(dǎo)體裝置90中，主體部11具備:載置LED元件21的第1部分(芯片焊盤)91;設(shè)置在第1部分(芯片焊盤)91的周圍的、夾著第1部分91而相互對向的位置的一對引線部(第2部分92和第3部分93)。
[0197] 在圖11中，LED元件21具有一對端子部21a，該一對端子部21a，分別利用接合線22 連接于第2部分92以及第3部分93。
[0198] 在以上說明的本實(shí)施方式的各變形例的半導(dǎo)體裝置40、50、60、70、80、90(圖6至圖 11)中，可得到與圖3所示的半導(dǎo)體裝置20大致相同的作用效果。
[0199] 實(shí)施例
[0200] 接著，對于本實(shí)施方式的LED用引線框或基板的具體實(shí)施例進(jìn)行說明。
[0201 ]制作了以下所示的3種基板(實(shí)施例1-A、實(shí)施例1-B、比較例I-A)。
[0202](實(shí)施例 1-A)
[0203] 在包含銅板的主體部11上，形成銅鍍層13(厚度0.05μπι)，在該銅鍍層13上施加了銀鍍層14(厚度3μπι)。接著，在銀鍍層14上，鍍敷形成包含金(Au)與銀(Ag)的合金的反射用金屬層12(厚度Ο.?μπι)，由此制作了基板10(實(shí)施例1-A)。此時(shí)，反射用金屬層12具有以下組成:含有50重量％金，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0204] (實(shí)施例卜Β)
[0205]反射用金屬層12具有以下組成:含有30重量％金，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì) 組成，除此以外，與實(shí)施例1-A同樣操作，制作了基板10(實(shí)施例1-Β)。
[0206] (比較例 1-Α)
[0207] 在包含銅板的主體部上，形成銅鍍層(厚度0.05μπι)，在該銅鍍層上形成銀鍍層，由此制作了基板(比較例1-Α)。
[0208] <初期反射率>
[0209] 測定這3種基板(實(shí)施例1-A、實(shí)施例1-B、比較例I-A)的表面的反射率(初期反射率）。另外，反射率的測定，使用島津制作所制的分光光度計(jì)MPC-2200、UV-2550。
[0210] <溶液試驗(yàn)后的反射率>
[0211] 為了調(diào)查上述3種基板(實(shí)施例1-A、實(shí)施例1-B、比較例1-A)的耐硫化性，對各基板進(jìn)行溶液試驗(yàn)。具體地說，將各基板在0.25%硫化銨水溶液(R.T)中浸漬5分鐘。其后，利用與上述初期反射率時(shí)同樣的方法來測定反射率(溶液試驗(yàn)后的反射率）。
[0212] <氣體試驗(yàn)后的反射率>
[0213]為了調(diào)查上述3種基板(實(shí)施例1-A、實(shí)施例1-B、比較例1-A)的耐硫化性，對各基板進(jìn)行氣體試驗(yàn)。具體地說，將各基板在含有3ppn^^H2S、溫度40°C、濕度80%Rh的氣體中暴露 1小時(shí)。其后，利用與上述初期反射率的場合同樣的方法來測定反射率(氣體試驗(yàn)后的反射率)。
[0214] 將其結(jié)果示于圖12和圖13。圖12和圖13,是分別對于實(shí)施例1-A(50重量％金)和比較例I-A(銀），表示初期反射率、溶液試驗(yàn)后的反射率和氣體試驗(yàn)后的反射率的曲線圖。
[0215]其結(jié)果可知，實(shí)施例1_A( 50重量％金)的基板，溶液試驗(yàn)后的反射率和氣體試驗(yàn)后的反射率的任一個(gè)都在整個(gè)紫外-可見光區(qū)域中從初期反射率的降低較小，反射用金屬層 12被硫化氫氣體等腐蝕性氣體腐蝕的擔(dān)心小。
[0216]實(shí)施例1-B(30重量％金）的基板，在整個(gè)可見光區(qū)域中，具有與銀（比較例1-A)同等的高的初期反射率，溶液試驗(yàn)后的反射率和氣體試驗(yàn)后的反射率兩方，反射率從初期反射率稍稍降低，在長波長區(qū)域的降低為一點(diǎn)點(diǎn)，且在藍(lán)色區(qū)域(例如波長460nm)中的反射率值，維持了與上述實(shí)施例1_A(50重量％金)的場合同等。
[0217] 比較例I-A(銀）的基板，在整個(gè)可見光區(qū)域中，溶液試驗(yàn)后的反射率和氣體試驗(yàn)后的反射率的任一個(gè)都從初期反射率的降低較大，特別是在藍(lán)色區(qū)域(例如波長460nm)中的反射率值，也比上述實(shí)施例1_A(50重量％金）、實(shí)施例1-B(30重量％金）的場合低。因此，可以說存在銀鍍層被硫化氫氣體等腐蝕性氣體腐蝕之虞。
[0218] <線接合(W/B)的連續(xù)性>
[0219] 調(diào)查是否能夠在上述3種基板(實(shí)施例1-A、實(shí)施例1-B、比較例1-A)的表面連續(xù)地進(jìn)行線接合。具體地說，使用線接合試驗(yàn)裝置- 制，HW27U-HF)，對基板連續(xù)地進(jìn)行20次線接合，調(diào)查此時(shí)接合線是否切斷。
[0220] <線接合(W/B)強(qiáng)度>
[0221] 對于在上述3種基板(實(shí)施例1-A、實(shí)施例1-B、比較例1-A)的表面進(jìn)行了線接合時(shí) 的線接合強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)查。具體地說，使用牽拉試驗(yàn)機(jī)(DAGE社制求^ K于只夕一4000)，以 0.2mm/秒來拉伸接合線時(shí)，測定接合線切斷的載荷。
[0222] <焊料潤濕性>
[0223] 對于上述3種基板(實(shí)施例1-A、實(shí)施例1-B、比較例1-A)的焊料潤濕性進(jìn)行調(diào)查。具體地說，使用可焊性測試儀（P只力社制，SAT-5200)，利用弧面狀沾錫試驗(yàn)(meniscograph) 法測定基板的焊料潤濕性。此時(shí)，設(shè)為以下條件，即，焊料溫度:240°C，浸漬時(shí)間：10秒，浸漬深度:2mm、速度:2mm/秒。另外，所謂弧面狀沾錫試驗(yàn)法，是將試驗(yàn)片(基板)浸漬于熔融的焊料中，測定:焊料對試驗(yàn)片未浸潤而排斥的力，向在浸潤后拉伸試驗(yàn)片的力變化的時(shí)間，進(jìn) 行焊料潤濕性的評價(jià)。此時(shí)，測定直至焊料對試驗(yàn)片浸潤的潤濕力的矢量發(fā)生變化的時(shí)間 "零交叉時(shí)間"。
[0224] 其結(jié)果，上述3種基板(實(shí)施例1-A、實(shí)施例1-B、比較例1-A)全部是，線接合(W/B)的連續(xù)性、線接合(W/B)強(qiáng)度和焊料潤濕性均良好。將以上的結(jié)果匯總示于表1。
[0225] 表 1
[0227] (第2實(shí)施方式）
[0228] 接著，對于本發(fā)明的第2實(shí)施方式，參照圖14至圖29進(jìn)行說明。圖14至圖29所示的第2實(shí)施方式，是在主體部11的載置面Ila上設(shè)置的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的第1實(shí)施方式大致相同。在圖14至圖29中，對于與上述的第1實(shí)施方式相同的部分賦予相同的標(biāo)記并省略詳細(xì)的說明。
[0229] LED用引線框或基板的構(gòu)成
[0230] 首先，通過圖14至圖16,對于LED用引線框或基板的概略進(jìn)行說明。另外，在圖14和圖15中，為了說明LED用引線框或基板的層構(gòu)成，為方便起見將LED用引線框或基板的截面設(shè)為矩形形狀來表示。
[0231 ]如圖14所示，本實(shí)施方式的LED用引線框或基板IOA(以下，也可稱為引線框IOA或者基板10A)，具備:具有載置LED元件21的載置面Ila的主體部11;和設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的反射用鍍層12A。
[0232]其中，主體部11包含金屬板。作為構(gòu)成主體部11的金屬板的材料，例如可舉出銅、銅合金、42合金(41 %Ni的Fe合金)等。該主體部11的厚度，也取決于半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成，但優(yōu)選在引線框IOA的場合為0.05mm~0.5mm、在基板IOA的場合為0.005mm~0.03mm。
[0233] 反射用鍍層12A，是作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的，位于 LED用引線框或基板IOA的最表面?zhèn)?。此時(shí)，反射用鍍層12A包含錫(Sn)與銀(Ag)的合金，可見光的反射率尚，且對于氧氣和硫化氛氣體具有尚的耐腐蝕性。
[0234] 反射用鍍層12A，優(yōu)選具有以下組成：含有10~50重量％錫，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成，特別地進(jìn)一步優(yōu)選具有以下組成:含有10~25重量％錫，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0235] 圖16表示Ag-Sn合金的相圖（出典：長崎誠三，平林真編著，"二元合金狀態(tài)圖集"， 7夕''氺技術(shù)中心刊）。一般地，在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)的接合工序、管芯安裝工序中，LED用引線框或基板IOA，有時(shí)加熱至例如400 °C左右。因此，當(dāng)構(gòu)成反射用鍍層12A的錫的比例超過 25重量％時(shí)，LED用引線框或基板IOA被加熱了時(shí)，反射用鍍層12A會再結(jié)晶化，因此，其性能容易變化。另外，當(dāng)錫的比例低于10重量％時(shí)，錫的比例變少，因此擔(dān)心反射用鍍層12A容易被空氣中的氧、硫化氫氣體等腐蝕性氣體腐蝕。
[0236] 而且，當(dāng)構(gòu)成反射用鍍層12A的錫的比例超過70重量％時(shí)，反射用鍍層12A的熔點(diǎn) 下降（參照圖16 )，因此，LED用引線框或基板IOA被加熱至例如400 °C左右時(shí)，擔(dān)心反射用鍍層12A熔融。另外，構(gòu)成反射用鍍層12A的錫的比例超過50重量％時(shí)，擔(dān)心反射用鍍層12A的反射特性、接合性降低。
[0237] 另外，根據(jù)制造半導(dǎo)體裝置的方法，LED用引線框或基板IOA，也有未必被加熱至高溫(例如400°C左右）的情況。此時(shí)，不用擔(dān)心反射用鍍層12A由于熱的作用而再結(jié)晶化、或者熔融。因此，構(gòu)成反射用鍍層12A的錫的比例，并不限定于上述的范圍。
[0238] 另外，反射用鍍層12A，其厚度非常薄地形成，具體地優(yōu)選為0.005μπι~0.2μπι。
[0239] 另一方面，在主體部11與反射用鍍層12Α之間，介有基底鍍層13Α。作為構(gòu)成基底鍍層13Α的金屬鍍層，可舉出例如銅鍍層或鎳鍍層。
[0240]該基底鍍層13Α，是作為反射用鍍層12Α的基底層使用的，具有提高反射用鍍層12Α 與主體部11的接合性的功能。該基底鍍層13Α的厚度，優(yōu)選為0.005ym~0. ιμπι。
[0241]另外，如圖15所示，也可以是未設(shè)置基底鍍層13Α的構(gòu)成。此時(shí)，LED用引線框或基板10A，具有主體部11和直接設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的反射用鍍層12A。
[0242]半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成
[0243] 接著，通過圖17和圖18,對于使用圖14所示的LED用引線框或基板的半導(dǎo)體裝置的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖17和圖18是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置(SON型）的圖。
[0244] 如圖17和圖18所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置20A具備:LED用引線框10A;載置于引線框IOA的主體部11的載置面Ila上的LED元件21;和將引線框IOA和LED元件21電連接的接合線(導(dǎo)電部)22。
[0245] 另外，以包圍LED元件21的形式設(shè)置有具有凹部23a的外側(cè)樹脂部23。該外側(cè)樹脂部23,與引線框IOA-體化。而且，LED元件21與接合線22,利用透光性的封裝樹脂部24封裝。該封裝樹脂部24,填充于外側(cè)樹脂部23的凹部23a內(nèi)。
[0246] 引線框IOA具備:具有載置面Ila的主體部11;設(shè)置于主體部11上的基底鍍層13A; 和設(shè)置于基底鍍層13A上、作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的反射用鍍層12A。在引線框IOA的表面(上面），形成有用于提高引線框IOA與外側(cè)樹脂部23的密著性的溝槽19。對于該引線框IOA的層構(gòu)成，與使用圖14已經(jīng)進(jìn)行說明的構(gòu)成同樣，因此在此省略詳細(xì)的說明。另外，作為引線框IOA的層構(gòu)成，也可以使用圖15所示的構(gòu)成。
[0247] 除此以外，構(gòu)成半導(dǎo)體裝置20A的各構(gòu)成部件的構(gòu)成，與上述的第1實(shí)施方式相同，因此對于與上述的第1實(shí)施方式相同的部分賦予相同的標(biāo)記并省略詳細(xì)的說明。
[0248] LED用引線框的制造方法
[0249] 接著，對于圖17和圖18所示的半導(dǎo)體裝置20A中所使用的LED用引線框IOA的制造方法，通過圖19(a)_(g)進(jìn)行說明。另外，以下，對于與上述的第1實(shí)施方式相同的部分，省略一部分說明。
[0250]首先，與第1實(shí)施方式時(shí)同樣(4(a)-(d))，制作具有第1部分25和與第1部分25間隔的第2部分26的主體部11(圖19(a)-(d))。
[0251] 接著，在主體部11的表面和背面分別設(shè)置具有所希望的圖案的鍍敷用抗蝕劑層 30、31(圖19(E))，對被鍍敷用抗蝕劑層30、31覆蓋的主體部11的表面?zhèn)葘?shí)施電解鍍。由此，在主體部11上析出金屬(銅），在主體部11上形成基底鍍層13A?；族儗?3A包含銅鍍層時(shí)，作為電解鍍用鍍液，可使用將氰化銅和氰化鉀作為主成分的銅鍍液。
[0252] 接著，通過電解鍍在基底鍍層13A上析出金屬，形成反射用鍍層12A(圖19(f))。
[0253] 如上述那樣，反射用鍍層12A包含錫(Sn)與銀(Ag)的合金。作為用于形成反射用鍍層12A的電解鍍用的鍍液，可使用含有銀和錫的鹽的非氰酸性鍍液。
[0254]接著，通過剝離鍍敷用抗蝕劑層30、31，可得到半導(dǎo)體裝置20A中所使用的引線框 IOA(圖 19(g))。
[0255] 另外，在圖19(a)_(g)中，通過實(shí)施蝕刻使主體部11成為規(guī)定形狀后（圖19(a)-(d))，在主體部11上形成基底鍍層13A和反射用鍍層12A(圖19(e)-(g))。但是并不限定于此，也可以首先在主體部11上形成基底鍍層13A和反射用鍍層12A，其后，通過蝕刻將主體部 11加工成為規(guī)定的形狀。
[0256] 半導(dǎo)體裝置的制造方法
[0257] 接著，對于圖17和圖18所示的半導(dǎo)體裝置20A的制造方法，通過圖20(a)_(g)進(jìn)行說明。另外，在圖20(a)_(g)中，對與上述的第1實(shí)施方式相同的部分賦予相同的標(biāo)記。
[0258] 首先，通過圖19(a)_(g)所示的工序，制作引線框IOA(圖20(a))，對于該引線框 10A，通過將熱塑性樹脂或熱固性樹脂注射成形或傳遞成形，形成外側(cè)樹脂部23(圖20(b))。
[0259] 接著，在引線框IOA的主體部11的載置面11 a上，搭載LED元件21。此時(shí)，使用焊料或芯片焊膏，將LED元件21載置于主體部11的載置面Ila上(反射用鍍層12A上)并固定(管芯安裝工序）（圖20(c))。
[0260]接著，將LED元件21的端子部21a與主體部11的第2部分26表面，利用接合線22相互電連接(線接合工序）（圖20(d))。
[0261] 其后，向外側(cè)樹脂部23的凹部23a內(nèi)填充封裝樹脂部24,利用封裝樹脂部24將LED 元件21和接合線22封裝（圖20 (e))。
[0262] 接著，通過切割各LED元件21間的外側(cè)樹脂部23,將引線框IOA分離成為各個(gè)LED元件21(圖20(f))。此時(shí)，首先將引線框IOA載置于切割帶37上并固定，其后，采用包含例如金剛石磨粒等的刀片(blade)38,在垂直方向上切斷各LED元件21間的外側(cè)樹脂部23。
[0263]這樣進(jìn)行操作，可得到圖17和圖18所示的半導(dǎo)體裝置20A(圖20(g))。
[0264] 本實(shí)施方式的作用效果
[0265] 接著，對于本實(shí)施方式的作用效果進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置20A中，如上述那樣，在主體部11的載置面Ila上設(shè)置有作為反射層發(fā)揮功能的反射用鍍層12A。該反射用鍍層12A，包含錫與銀的合金。由此，與上述的第1實(shí)施方式時(shí)同樣，即使是制造半導(dǎo) 體裝置20A后經(jīng)過一定時(shí)間后，腐蝕性氣體滲透到半導(dǎo)體裝置20A內(nèi)部的場合，反射層(反射用鍍層12A)變色或者腐蝕的情況也很少，其反射率不會降低。
[0266] 另外，根據(jù)本實(shí)施方式，反射用鍍層12A包含錫與銀的合金，具有高的反射特性，因此可高效地反射來自LED元件21的光。
[0267] 進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，反射用鍍層12A，如上述那樣包含非常薄的（0.005μπι~0.2 μπι)膜。因此，在管芯安裝時(shí)或者線接合時(shí)，由于此時(shí)所施加的能量，反射用鍍層12Α被部分地破壞。因此，可得到與在銀鍍層上直接進(jìn)行管芯安裝或者線接合時(shí)大致同等的接合強(qiáng)度。
[0268] 變形例
[0269] 以下，對于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的各變形例，參照圖21至圖28進(jìn)行說明。在圖 21至圖28中，對于與圖6至圖11所示的形態(tài)相同的部分賦予相同的標(biāo)記，并省略詳細(xì)的說明。
[0270] 在圖21至圖28所示的各變形例中，與圖17和圖18所示的實(shí)施方式同樣，反射用鍍層12Α包含錫與銀的合金。
[0271] 圖21是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（SON型）的截面圖。圖21所示的半導(dǎo)體裝置40A，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖6所示的半導(dǎo)體裝置40的構(gòu)成大致相同。
[0272] 圖22是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(LGA型）的截面圖。圖22所示的半導(dǎo)體裝置50A，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖7所示的半導(dǎo)體裝置50的構(gòu)成大致相同。
[0273] 圖23是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(PLCC型）的截面圖。圖23所示的半導(dǎo)體裝置60A，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖8所示的半導(dǎo)體裝置60的構(gòu)成大致相同。
[0274]圖24是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(基板型）的截面圖。圖24所示的半導(dǎo)體裝置70A，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖9所示的半導(dǎo)體裝置70的構(gòu)成大致相同。
[0275]圖25是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(模塊型）的截面圖。圖25所示的半導(dǎo)體裝置80A，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖10所示的半導(dǎo)體裝置80的構(gòu)成大致相同。
[0276]圖26是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（SON型）的截面圖。圖26所示的半導(dǎo)體裝置90A，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖11所示的半導(dǎo)體裝置90的構(gòu)成大致相同。
[0277]圖27是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（帶透鏡總括模塑型）的截面圖。圖27所示的實(shí)施方式，在LED元件21的周圍未設(shè)置外側(cè)樹脂部23,在封裝樹脂部24設(shè)置有透鏡101，上述這些方面是不同的，其他的構(gòu)成與上述的圖21所示的實(shí)施方式大致相同。
[0278] 即，在圖27所示的半導(dǎo)體裝置100A中，外側(cè)樹脂部23填充于主體部11的第1部分25 與第2部分26之間。另一方面，與圖21所示的實(shí)施方式不同，在引線框IOA上未設(shè)置外側(cè)樹脂部23。
[0279]另外，在圖27中，在封裝樹脂部24的表面(上面），形成有控制來自LED元件21的光的照射方向的拱頂(dome)狀的透鏡101。
[0280]圖28是表示半導(dǎo)體裝置的一變形例（總括模塑型）的截面圖。圖28表示的實(shí)施方式，僅利用封裝樹脂部24封裝LED元件21和接合線22,該點(diǎn)是不同的，其他的構(gòu)成與上述的圖17和圖18所示的實(shí)施方式大致相同。
[0281] 即，在圖28所示的半導(dǎo)體裝置IlOA中，不使用外側(cè)樹脂部23,僅利用封裝樹脂部24 將LED元件21和接合線22總括封裝。在主體部11的第1部分25與第2部分26之間填充有封裝樹脂部24。
[0282] 在以上說明的本實(shí)施方式的各變形例的半導(dǎo)體裝置40A、50A、60A、70A、80A、90A、 IOOA、11OA(圖21至圖28)中，可得到與圖17和圖18所示的半導(dǎo)體裝置20A大致相同的作用效果。
[0283] 實(shí)施例
[0284] 接著，使用圖29對于本實(shí)施方式的LED用引線框或基板的具體實(shí)施例進(jìn)行說明。
[0285] 制作了以下所示的3種基板(實(shí)施例2-1、實(shí)施例2-2、比較例2-1)。
[0286] (實(shí)施例2-1)
[0287] 在矩形狀的包含銅板的主體部11上，作為基底鍍層13A施加了鎳鍍層。接著，在該基底鍍層13A上，形成包含錫（Sn)與銀(Ag)的合金的反射用鍍層12A，由此制作了基板IOA (實(shí)施例2-1)。此時(shí)，反射用鍍層12A具有以下組成:含有20重量％錫，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0288] (實(shí)施例2-2)
[0289] 反射用鍍層12A具有以下組成:含有35重量％錫，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成，除此以外，與實(shí)施例2-1同樣操作，制作了基板10A(實(shí)施例2-2)。
[0290] (比較例2-1)
[0291] 反射用鍍層包含銀鍍層，除此以外，與實(shí)施例2-1同樣操作，制作了基板(比較例2-1)〇
[0292] 接著，測定這3種基板(實(shí)施例2-1、實(shí)施例2-2、比較例2-1)的表面的光澤度。另外，在光澤度的測定中，使用微小面分光色差計(jì)（日本電色工業(yè)株式會社（NIPPON DENSH0KU INDUSTRIES CO.，LTD.)制VSR300)。其結(jié)果，對于實(shí)施例2-1的基板IOA，光澤度為0.32，呈現(xiàn) 半光澤(乳白色）的外觀。另外，對于實(shí)施例2-2的基板10A，光澤度為1.25~0.47,與實(shí)施例 2-1的基板IOA比較，光澤提高。另一方面，比較例2-1的基板的光澤為1.28。作為結(jié)果，3種基板(實(shí)施例2-1、實(shí)施例2-2、比較例2-1)的光澤度，都是足以作為反射來自LED元件的光的反射層使用的值。
[0293] 接著，對于上述的3種基板(實(shí)施例2-1、實(shí)施例2-2、比較例2-1)進(jìn)行耐腐蝕試驗(yàn)。具體地說，將3種基板直接分別放置于含有SO 2(IOppm)和H2S(3ppm)的混合氣體中。另外，該期間，將基板周圍的溫度維持在40°C，將濕度維持在75%Rh。其后，目視觀察開始放置后2小時(shí)后、5小時(shí)后和10小時(shí)后的基板的表面狀態(tài)，比較研究其優(yōu)劣（圖29)。
[0294] 其結(jié)果，比較例2-1的基板，在2小時(shí)后已經(jīng)開始產(chǎn)生變色，在10小時(shí)后完全變色。相對于此，實(shí)施例2-1和實(shí)施例2-2的基板，經(jīng)過10小時(shí)后也基本沒有看到變色。
[0295] (第3實(shí)施方式）
[0296] 接著，對于本發(fā)明的第3實(shí)施方式，參照圖30至圖46進(jìn)行說明。圖30至圖46所示的第3實(shí)施方式，設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的第1 實(shí)施方式以及第2實(shí)施方式大致相同。在圖30至圖46中，對與上述的第1實(shí)施方式以及第2實(shí) 施方式相同的部分賦予相同的標(biāo)記并省略詳細(xì)的說明。
[0297] LED用引線框或基板的構(gòu)成
[0298] 首先，通過圖30和圖31，對于LED用引線框或基板的概略進(jìn)行說明。另外，在圖30和圖31中，為了說明LED用引線框或基板的層構(gòu)成，為方便起見將LED用引線框或基板的截面設(shè)為矩形形狀來表示。
[0299] 如圖30所示，LED用引線框或基板IOB(以下，也稱為引線框IOB或者基板10B)，是為了載置LED元件21(后述)而使用的，具備:具有載置LED元件21的載置面Ila的主體部11;和設(shè)置于主體部11的載置面I Ia側(cè)的銦鍍層12B。
[0300] 其中，主體部11包含金屬板。作為構(gòu)成主體部11的金屬板的材料，可舉出例如銅、銅合金、42合金(41 %Ni的Fe合金)等。該主體部11的厚度，也取決于半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成，但優(yōu)選在引線框IOB的場合為0.05mm~0.5mm、在基板IOB的場合為0.005mm~0.03mm。
[0301] 銦鍍層12B，是作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的，位于LED用引線框或基板IOB的最表面?zhèn)?。該銦鍍?2B包含銦(In)鍍層，可見光的反射率高，且對于氧氣和硫化氫氣體具有高的耐腐蝕性。另外，銦鍍層12B，其厚度非常薄地形成，具體地優(yōu)選為 0 · 005μπι~0 · 2μπι〇
[0302] 另一方面，在主體部11與銦鍍層12Β之間，從主體部11側(cè)順序介有基底鍍層13Β和銀鏈層14。
[0303]其中，基底鍍層13Β，是作為銀鍍層14的基底層使用的，具有提高銀鍍層14與主體部11的接合性的功能。作為構(gòu)成基底鍍層13Β的金屬鍍層，可舉出例如銅鍍層或鎳鍍層。該基底鍍層13Β的厚度，優(yōu)選為0 · 005μπι~0 · Ιμπι。
[0304] 另外，銀鍍層14,是作為銦鍍層12Β的基底層使用的，具有提高基底鍍層13Β與銦鍍層12Β的接合性的功能。另外，銀鍍層14的厚度，比銦鍍層12Β厚，例如優(yōu)選為Ιμπι~5μπι。
[0305] 銀鍍層14,可以包括無光澤銀鍍層或光澤銀鍍層的任一種。如上述那樣，銦鍍層 12Β的厚度非常薄，因此可表現(xiàn)出銀鍍層14的輪廓。例如，銀鍍層14包含無光澤鍍層時(shí)，銦鍍層12Β的表面也可為無光澤，銀鍍層14包含光澤鍍層時(shí)，銦鍍層12Β的表面也可帶光澤。 [0306]另外，如圖31所示，也可以是沒有設(shè)置基底鍍層13Β的構(gòu)成。此時(shí)，LED用引線框或基板IOB具備:主體部11;設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的銀鍍層14;和設(shè)置于銀鍍層14上的銦鍍層12B。
[0307]半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成
[0308]接著，通過圖32和圖33,對于使用了圖30所示的LED用引線框或基板的半導(dǎo)體裝置的第3實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖32和圖33是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置(SON型）的圖。
[0309] 如圖32和圖33所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置20B具備:LED用引線框IOB;載置于引線框IOB的主體部11的載置面Ila上的LED元件21;和將引線框IOB和LED元件21電連接的接合線(導(dǎo)電部)22。
[0310] 另外，以包圍LED元件21的形式設(shè)置有具有凹部23a的外側(cè)樹脂部23。該外側(cè)樹脂部23與引線框IOB-體化。進(jìn)而，LED元件21和接合線22,利用透光性的封裝樹脂部24封裝。該封裝樹脂部24,填充于外側(cè)樹脂部23的凹部23a內(nèi)。
[0311] 引線框IOB具備:具有載置面Ila的主體部11;設(shè)置于主體部11上的基底鍍層13B; 設(shè)置于基底鍍層13B上的銀鍍層14;和設(shè)置于銀鍍層14上、作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的銦鍍層12B。在引線框IOB的表面(上面），形成有用于提高引線框IOB 與外側(cè)樹脂部23的密著性的溝槽19。對于該引線框IOB的層構(gòu)成，與使用圖30已進(jìn)行說明的構(gòu)成同樣，因此在此省略詳細(xì)的說明。另外，作為引線框IOB的層構(gòu)成，也可以使用圖31所示的構(gòu)成。
[0312]除此以外，構(gòu)成半導(dǎo)體裝置20B的各構(gòu)成部件的構(gòu)成，與上述的第1實(shí)施方式和第2 實(shí)施方式相同，因此對與上述的第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式相同的部分賦予相同的標(biāo)記并省略詳細(xì)的說明。
[0313] LED用引線框的制造方法
[0314] 接著，對于圖32和圖33所示的半導(dǎo)體裝置20B中所使用的LED用引線框IOB的制造方法，通過圖34(a)-(g)進(jìn)行說明。另外，以下，對于與上述的第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式相同的部分，省略一部分說明。
[0315] 首先，與第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式的情況同樣(4(a)_(d)和圖19(a)_(d))地，制作具有第1部分25和與第1部分25間隔的第2部分26的主體部11(圖34(a)-(d))。
[0316] 接著，在主體部11的表面和背面分別設(shè)置具有所希望的圖案的鍍敷用抗蝕劑層 30、31(圖34(e))，對被鍍敷用抗蝕劑層30、31覆蓋的主體部11的表面?zhèn)葘?shí)施電解鍍。由此，在主體部11上析出金屬，在主體部11上形成基底鍍層13B。在基底鍍層13B包含銅時(shí)，作為形成基底鍍層13B的電解鍍用鍍液，可使用將氰化銅和氰化鉀作為主成分的銅鍍液。
[0317] 接著，同樣進(jìn)行操作，通過電解鍍在基底鍍層13B上析出金屬(銀），形成銀鍍層14。此時(shí)，作為形成銀鍍層14的電解鍍用鍍液，可使用將氰化銀和氰化鉀作為主成分的銀鍍液。 [0318]進(jìn)而，同樣操作，通過電解鍍在銀鍍層14上析出金屬（銦），形成銦鍍層12B(圖34 (F))。作為用于形成銦鍍層12B的電解鍍用的鍍液，可使用將有機(jī)酸銦鹽作為主成分的閃鍍 (沖擊鍍)液。
[0319]接著，通過剝離鍍敷用抗蝕劑層30、31，可得到半導(dǎo)體裝置20B中所使用的引線框 IOB(圖 34(g))。
[0320]另外，在圖34(a)_(g)中，通過實(shí)施蝕刻使主體部11成為規(guī)定形狀后（圖34(a)-(d))，在主體部11上形成基底鍍層13B、銀鍍層14和銦鍍層12B(圖34(e)-(g))。但并不限定于此，也可以首先在主體部11上順次形成基底鍍層13B、銀鍍層14和銦鍍層12B，其后通過蝕刻將主體部11加工成規(guī)定的形狀。
[0321] 半導(dǎo)體裝置的制造方法
[0322]接著，對于圖32和圖33所示的半導(dǎo)體裝置20B的制造方法，通過圖35(a)_(g)進(jìn)行說明。另外，在圖35(a)-(g)中，對與上述的第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式相同的部分賦予相同的標(biāo)記。
[0323] 首先，通過圖34(a)_(g)所示的工序，制作引線框IOB(圖35(a))，對于該引線框IOB 將熱塑性樹脂或熱固性樹脂注射成形或傳遞成形，由此形成外側(cè)樹脂部23(圖35(b))。
[0324] 接著，在引線框IOB的主體部11的載置面Ila上，搭載LED元件21。此時(shí)，使用焊料或芯片焊膏，將LED元件21載置于主體部11的載置面Ila上(銦鍍層12B上)并固定(管芯安裝工序）（圖35(c))。
[0325] 接著，將LED元件21的端子部21a與主體部11的第2部分26表面，利用接合線22相互電連接(線接合工序）（圖35(d))。
[0326]其后，向外側(cè)樹脂部23的凹部23a內(nèi)填充封裝樹脂部24,利用封裝樹脂部24將LED 元件21和接合線22封裝（圖35 (e))。
[0327]接著，通過切割各LED元件21間的外側(cè)樹脂部23,將引線框IOB分離成為各個(gè)LED元件21(圖35(f))。
[0328]這樣進(jìn)行操作，可得到圖32和圖33所示的半導(dǎo)體裝置20B(圖35(g))。
[0329] 本實(shí)施方式的作用效果
[0330]接著，對于本實(shí)施方式的作用效果進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置20B中，如上述那樣，在主體部11的載置面Ila側(cè)，設(shè)置有作為反射層發(fā)揮功能的銦鍍層12B。由此，與上述的第1實(shí)施方式和第2實(shí)施方式的情況同樣，即使是制造半導(dǎo)體裝置20B后經(jīng)過一定時(shí)間后，腐蝕性氣體滲透到半導(dǎo)體裝置20B內(nèi)部的場合，反射層(銦鍍層12B)變色或者腐蝕的情況也很少，其反射率不會降低。
[0331] 另外，根據(jù)本實(shí)施方式，銦鍍層12B具有高的反射特性，因此可高效地反射來自LED 元件21的光。
[0332] 進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，銦鍍層12B，如上述那樣包含非常薄的（0·005μπι~0·2μπι) 膜。因此，在管芯安裝時(shí)或者線接合時(shí)，由于此時(shí)所施加的能量，銦鍍層12Β被部分地破壞。因此，可得到與在銀鍍層上直接進(jìn)行管芯安裝或者線接合時(shí)大致同等的接合強(qiáng)度。
[0333] 變形例
[0334] 以下對于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的各變形例，參照圖36至圖43進(jìn)行說明。在圖 36至圖43中，對與圖6至圖11以及圖21至圖28所示的形態(tài)相同的部分賦予相同的標(biāo)記，省略詳細(xì)的說明。
[0335] 在圖36至圖43所示的各變形例中，與圖32和圖33所示的實(shí)施方式同樣，在主體部 11的載置面Ila側(cè)設(shè)置有銀鍍層14,在該銀鍍層14上，設(shè)置有作為用于反射來自LED元件21 的光的反射層發(fā)揮功能的銦鍍層12B。
[0336]圖36是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（SON型）的截面圖。圖36所示的半導(dǎo)體裝置40B，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖6所示的半導(dǎo)體裝置40和圖21所示的半導(dǎo)體裝置40A的構(gòu)成大致相同。
[0337]圖37是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(LGA型）的截面圖。圖37所示的半導(dǎo)體裝置50B，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖7所示的半導(dǎo)體裝置50和圖22所示的半導(dǎo)體裝置50A的構(gòu)成大致相同。
[0338]圖38表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(PLCC型）的截面圖。圖38所示的半導(dǎo)體裝置60B，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖8所示的半導(dǎo)體裝置60和圖23所示的半導(dǎo)體裝置60A的構(gòu)成大致相同。
[0339]圖39是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(基板型）的截面圖。圖39所示的半導(dǎo)體裝置70B，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖9所示的半導(dǎo)體裝置70和圖24所示的半導(dǎo)體裝置70A的構(gòu)成大致相同。
[0340]圖40是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(模塊型）的截面圖。圖40所示的半導(dǎo)體裝置80B，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖10所示的半導(dǎo)體裝置80和圖25所示的半導(dǎo)體裝置80A的構(gòu)成大致相同。
[0341]圖41是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（SON型）的截面圖。圖41所示的半導(dǎo)體裝置90B，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖11所示的半導(dǎo)體裝置90和圖26所示的半導(dǎo)體裝置90A的構(gòu)成大致相同。
[0342]圖42是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（帶透鏡總括模塑型）的截面圖。圖42所示的半導(dǎo)體裝置100B，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖27所示的半導(dǎo)體裝置100A的構(gòu)成大致相同。
[0343]圖43是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（總括模塑）的截面圖。圖43所示的半導(dǎo)體裝置110B，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖28所示的半導(dǎo)體裝置IlOA的構(gòu)成大致相同。
[0344] 在以上說明的本實(shí)施方式的各變形例的半導(dǎo)體裝置40B、50B、60B、70B、80B、90B、 100B、IlOB(圖36至圖43)中，可得到與圖32和圖33所示的半導(dǎo)體裝置20B大致相同的作用效果。
[0345] 實(shí)施例
[0346]接著，使用圖44至圖46對于本實(shí)施方式的LED用引線框或基板的具體實(shí)施例進(jìn)行說明。
[0347](實(shí)施例3-1)
[0348]首先，在矩形狀的包含銅板的主體部11上，作為基底鍍層13B施加了鎳鍍層。接著，在該基底鍍層13B上，通過電解鍍形成了光澤性的銀鍍層14。其后，在銀鍍層14上，通過電解鍍(閃鍍)形成了銦鍍層12B，由此制作了基板10B(實(shí)施例3-1)。
[0349] (比較例3-1)
[0350] 在矩形狀的銅板上，作為基底鍍層施加了鎳鍍層，接著，在該基底鍍層上形成銀鍍層，由此制作了基板(比較例3-1)。此時(shí)，銀鍍層作為分散來自LED元件的光的反射層發(fā)揮功能。
[0351] 接著，測定這2個(gè)基板(實(shí)施例3-1和比較例3-1)的表面的光澤度。另外，在光澤度的測定中，使用微小面分光色差計(jì)（日本電色工業(yè)株式會社制VSR300)。其結(jié)果，對于實(shí)施例 3-1的基板10B，光澤度為1.33。另一方面，比較例3-1的基板的光澤為1.28。作為結(jié)果，這2個(gè) 基板(實(shí)施例3-1和比較例3-1)的光澤度，都是對作為反射來自LED元件的光的反射層使用較充分的值。
[0352] 接著，對于上述的2個(gè)基板(實(shí)施例3-1和比較例3-1)進(jìn)行耐腐蝕試驗(yàn)。具體地說，將這些基板立即分別放置于含有SO2(IOppm)和H 2S(3ppm)的混合氣體中。另外，該期間，將基板周圍的溫度維持為40 °C，將濕度維持為75 % Rh。其后，目視觀察開始放置后2小時(shí)后、5小時(shí)后和10小時(shí)后的基板的表面狀態(tài)，比較研究其優(yōu)劣（圖44)。
[0353] 其結(jié)果，比較例3-1的基板，在2小時(shí)后已經(jīng)開始產(chǎn)生變色，在10小時(shí)后完全變色。相對于此，實(shí)施例3-1的基板10B，經(jīng)過10小時(shí)后也基本沒有看到變色。由此可知，設(shè)置于基板IOB的銀鍍層14上的銦鍍層12B，具有高的耐腐蝕性。
[0354] 接著，制作以下所示的3種基板(實(shí)施例3-A、實(shí)施例3-B、比較例3-A)。
[0355] (實(shí)施例 3-A)
[0356] 在包含銅板的主體部11上，形成包含鎳鍍層的基底鍍層13B(厚度Ο.?μπι)，在該基底鍍層13Β上施加了銀鍍層14(厚度3μπι)。接著，在銀鍍層14上，通過電解鍍(閃鍍敷)形成了銦鍍層12Β(厚度約50nm)，由此制作了基板10Β(實(shí)施例3-Α)。
[0357] (實(shí)施例 3_Β)
[0358] 將銦鍍層12Β的厚度設(shè)為約10nm，除此以外，與實(shí)施例3-A同樣操作，制作了基板 1(?(實(shí)施例3-8)。
[0359] (比較例 3-A)
[0360]在包含銅板的主體部11上，形成銅鍍層（厚度Ο.?μπι)，在該銅鍍層上形成銀鍍層 (厚度3μπι)，由此制作了基板(比較例3-Α)。另外，該基板(比較例3-Α)是與上述的比較例I-A 的基板同樣的。
[0361] <初期反射率>
[0362] 測定這3種基板(實(shí)施例3-Α、實(shí)施例3-Β、比較例3-Α)的表面的反射率(初期反射率)。
[0363] <溶液試驗(yàn)后的反射率>
[0364] 另外，為調(diào)查上述3種基板(實(shí)施例3-Α、實(shí)施例3-Β、比較例3-Α)的耐硫化性，對各基板進(jìn)行溶液試驗(yàn)，測定溶液試驗(yàn)后的反射率。
[0365] <氣體試驗(yàn)后的反射率>
[0366] 進(jìn)而，為了調(diào)查上述3種基板(實(shí)施例3-Α、實(shí)施例3-Β、比較例3-Α)的耐硫化性，對各基板進(jìn)行氣體試驗(yàn)，測定溶液試驗(yàn)后的反射率。
[0367] 另外，初期反射率、溶液試驗(yàn)后的反射率和氣體試驗(yàn)后的反射率的測定方法，與上述的第1實(shí)施方式(實(shí)施例1-Α、實(shí)施例1-Β、比較例1-Α)的情況同樣。
[0368] 將該結(jié)果示于圖45、圖46和圖13。圖45、圖46和圖13,是分別對于實(shí)施例3-Α，實(shí)施例3-Β和比較例3-Α，表示初期反射率、溶液試驗(yàn)后的反射率和氣體試驗(yàn)后的反射率的曲線圖（對于圖13所示的比較例3-Α而言，與比較例I-A的情況同樣）。
[0369] 該結(jié)果可知，實(shí)施例3-Α(Ιη約50nm)的基板，初期反射率與比較例I-A(銀)相比，在紫外區(qū)域的反射率高、良好，而且，初期反射的溶液試驗(yàn)后的反射率和氣體試驗(yàn)后的反射率都在整個(gè)紫外-可見光區(qū)域中，與初期反射率相比基本沒有變化，銦鍍層12B被硫化氫氣體等腐蝕性氣體腐蝕的擔(dān)心很小。
[0370] 實(shí)施例3-B(In約IOnm)的基板，初期反射率在整個(gè)可見光區(qū)域中與比較例I-A(銀）同等、良好，而且，對于氣體試驗(yàn)后的反射率，從初期反射率的降低，在整個(gè)紫外可見光區(qū)域較小。另一方面，對于溶液試驗(yàn)后的反射率，在長波長區(qū)域的降低為一點(diǎn)點(diǎn)，且對于藍(lán)色區(qū) 域而言，從初期反射率稍稍降低，是沒有問題的值。
[0371] 比較例3-A(銀）（比較例I-A(銀））的基板，溶液試驗(yàn)后的反射率和氣體試驗(yàn)后的反射率都是從初期反射率的降低較大，可以說存在銀鍍層被硫化氫氣體等腐蝕性氣體腐蝕之虞。
[0372] <線接合(W/B)的連續(xù)性>
[0373]調(diào)查了是否能夠在上述3種基板(實(shí)施例3-A、實(shí)施例3-B、比較例3-A)的表面連續(xù) 地進(jìn)行線接合。
[0374] <線接合(W/B)強(qiáng)度>
[0375] 對于在上述3種基板(實(shí)施例3-A、實(shí)施例3-B、比較例3-A)的表面進(jìn)行線接合時(shí)的線接合強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)查。
[0376] <焊料潤濕性>
[0377] 對于上述3種基板(實(shí)施例3-A、實(shí)施例3-B、比較例3-A)的焊料潤濕性進(jìn)行調(diào)查。
[0378] 另外，線接合(W/B)的連續(xù)性、線接合(W/B)強(qiáng)度和焊料潤濕性的測定方法，與上述的第1實(shí)施方式(實(shí)施例1-A、實(shí)施例1-B、比較例I-A)的情況同樣。
[0379] 其結(jié)果，上述3種基板(實(shí)施例3-A、實(shí)施例3-B、比較例3-A)中，實(shí)施例3-B和比較例 3-A的基板，線接合(W/B)的連續(xù)性、線接合(W/B)強(qiáng)度和焊料潤濕性全部為良好。實(shí)施例3-A 的基板，對于線接合(W/B)的連續(xù)性、線接合(W/B)強(qiáng)度和焊料潤濕性而言，比實(shí)施例3-B的基板低，根據(jù)所使用的地方，為沒有問題的水平。將以上的結(jié)果匯總示于表2。
[0380] 表 2
[0382] (第4實(shí)施方式）
[0383] 接著，對于本發(fā)明的第4實(shí)施方式，參照圖47至圖60進(jìn)行說明。
[0384] LED用引線框或基板的構(gòu)成
[0385] 首先，通過圖47和圖48,對于LED用引線框或基板的概略進(jìn)行說明。另外，在圖47和圖48中，為了說明LED用引線框或基板的層構(gòu)成，為方便起見將LED用引線框或基板的截面設(shè)為矩形形狀來表示。
[0386] 如圖47所示，LED用引線框或基板IOC(以下，也稱為引線框IOC或者基板10C)，是為了載置LED元件21(后述)而使用的，具備:具有載置LED元件21的載置面Ila的主體部11;和設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的反射用金屬層12C。
[0387] 其中，主體部11包含金屬板。作為構(gòu)成主體部11的金屬板的材料，可舉出例如銅、銅合金、42合金(41 %Ni的Fe合金)等。該主體部11的厚度，也取決于半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成，但優(yōu)選在引線框IOC時(shí)為0 · 05mm~0 · 5mm、在基板IOC時(shí)為0 · 005mm~0 · 03mm〇
[0388] 反射用金屬層12C，是作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的，位于LED用引線框或基板IOC的最表面?zhèn)取Ｔ摲瓷溆媒饘賹?2C包含鉑(Pt)與銀(Ag)的合金、或者金(Au)與銀(Ag)的合金，可見光的反射率高，且具有相對于氧氣和硫化氫氣體的高的耐腐蝕性。
[0389] 反射用金屬層12C包含鉑(Pt)與銀(Ag)的合金時(shí)，該合金優(yōu)選具有以下組成:含有 10~40重量％鉑，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成，特別是進(jìn)一步優(yōu)選具有以下組成:含有20重量％鉑，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0390]另一方面，反射用金屬層12C包含金(Au)與銀(Ag)的合金時(shí)，該合金優(yōu)選具有以下組成：含有5~50重量％金，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成，特別是進(jìn)一步優(yōu)選具有以下組成:含有金20重量％，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0391 ]反射用金屬層12C，其厚度非常薄地形成，具體地優(yōu)選為0.005μπι~0.2μπι。
[0392] 另外，在主體部11與反射用金屬層12C之間，設(shè)置有中間介在層15。
[0393] 中間介在層15具有:從主體部11側(cè)順序配置的銅層16(Cu)、鎳層17(Ni)和金層18 (Au) 〇
[0394] 其中，銅層16,是作為鎳層17的基底層使用的，具有提高鎳層17與主體部11的接合性的功能。該銅層16,可通過例如電解鍍形成。該銅層16的厚度優(yōu)選設(shè)為0.005μηι~0.8μηι。
[0395] 另外，鎳層17，是在銅層16上使用例如電解鍍法形成的，具有例如0.5μπι~Ιμπι的厚度。
[0396] 另外，金層18,是在鎳層17上使用例如電解鍍法形成的，包含非常薄的層，具有例如0 · 002μηι~0 · Iym的厚度。
[0397] 另外，如圖48所示，也可以是沒有設(shè)置銅層16的構(gòu)成。此時(shí)，中間介在層15具有:設(shè) 置于主體部11上的鎳層17;和設(shè)置于鎳層17上的金層18。
[0398]半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成
[0399] 接著，通過圖49和圖50,對于使用圖47所示的LED用引線框或基板的半導(dǎo)體裝置的第4實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖49表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置(SON型）的截面圖，圖 50表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的平面圖。
[0400] 如圖49和圖50所示，半導(dǎo)體裝置20C具備:LED用引線框10C;載置于引線框IOC的主體部11的載置面11 a上的LED元件21;和將引線框IOC和LED元件21電連接的接合線(導(dǎo)電部） 22〇
[0401 ]另外，以包圍LED元件21的形式設(shè)置有具有凹部23a的外側(cè)樹脂部23。該外側(cè)樹脂部23，與引線框IOC-體化。進(jìn)而，LED元件21和接合線22，利用透光性的封裝樹脂部24封裝。封裝樹脂部24填充于外側(cè)樹脂部23的凹部23a內(nèi)。
[0402]引線框IOC具備:具有載置面Ila的主體部11;設(shè)置于主體部11上的中間介在層15; 和設(shè)置于中間介在層15上、作為用于反射來自LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層12C。中間介在層15,從主體部11側(cè)順序地具有銅層16、鎳層17和金層18。另外，在引線框IOC的表面(上面），形成有用于提高引線框IOC與外側(cè)樹脂部23的密著性的溝槽19。對于該引線框IOC的層構(gòu)成，與使用圖47已經(jīng)說明的構(gòu)成同樣，因此在此省略詳細(xì)的說明。另外，作為引線框IOC的層構(gòu)成，也可以使用圖48所示的構(gòu)成。
[0403]除此以外，構(gòu)成半導(dǎo)體裝置20C的各構(gòu)成部件的構(gòu)成，與上述的第1實(shí)施方式至第3 實(shí)施方式相同，因此對與上述的第1實(shí)施方式至第3實(shí)施方式相同的部分賦予相同的標(biāo)記并省略詳細(xì)的說明。
[0404] LED用引線框的制造方法
[0405]接著，對于圖49和圖50所示的半導(dǎo)體裝置20C中所使用的LED用引線框IOC的制造方法，通過圖51(a)-(g)進(jìn)行說明。另外，以下，對于與上述的第1實(shí)施方式至第3實(shí)施方式相同的部分，省略一部分說明。
[0406] 首先，與第1實(shí)施方式至第3實(shí)施方式的場合同樣(4(a)_(d)、圖19(a)_(d)和圖34 (a)-(d))地，制作了具有第1部分25和與第1部分25間隔的第2部分26的主體部11(圖51(a)-(d))〇
[0407] 接著，在主體部11的表面和背面，分別設(shè)置具有所希望的圖案的鍍敷用抗蝕劑層 30、31(圖51(e))。其中，表面?zhèn)鹊腻兎笥每刮g劑層30,在相當(dāng)于反射用金屬層12C的形成部位的地方形成有開口部30a，主體部11的載置面I Ia從該開口部30a露出。另一方面，背面?zhèn)?的鍍敷用抗蝕劑層31，覆蓋主體部11的背面整體。
[0408] 接著，在主體部11的表面?zhèn)龋纬芍虚g介在層15和反射用金屬層12C(圖51(f))。
[0409] 此時(shí)，首先，對被鍍敷用抗蝕劑層30、31覆蓋的主體部11的表面?zhèn)葘?shí)施電解鍍。由此，在主體部11上析出金屬(銅），在主體部11上形成銅層16。作為形成銅層16的電解鍍用鍍液，可使用將氰化銅和氰化鉀作為主成分的銅鍍液。
[0410] 接著，同樣進(jìn)行操作，通過電解鍍在銅層16上析出金屬(鎳），形成鎳層17。作為形成鎳層17的電解鍍用鍍液，可使用高鎳濃度的氨基磺酸鎳鍍液。
[0411]接著，通過電解鍍在鎳層17上析出金屬(金），形成金層18。作為形成金層18的電解鍍用鍍液，可使用將氰化金和氰化鉀作為主成分的金鍍液。
[0412] 采用該銅層16、鎳層17和金層18,構(gòu)成中間介在層15。
[0413] 進(jìn)而，在中間介在層15的金層18上使金屬析出，形成反射用金屬層12C(圖51(f))。
[0414] 如上述那樣，反射用金屬層12C包含鉑(Pt)與銀(Ag)的合金、或者金(Au)與銀(Ag) 的合金。在此，反射用金屬層12C包含鉑與銀的合金時(shí)，反射用金屬層12C可通過合金的濺射、離子鍍或蒸鍍等來形成。
[0415] 另一方面，反射用金屬層12C包含金與銀的合金時(shí)，反射用金屬層12C，除了合金的濺射、離子鍍、蒸鍍以外，還可通過電解鍍來形成。此時(shí)，作為電解鍍用鍍液，可使用將氰化銀、氰化金和氰化鉀作為主成分的銀鍍液。
[0416] 接著，通過剝離鍍敷用抗蝕劑層30、31，可得到圖49和圖50所示的半導(dǎo)體裝置20C 中所使用的引線框IOC(圖51(g))。
[0417]另外，在圖51(a)_(g)中，通過實(shí)施蝕刻而使主體部11成為規(guī)定形狀后（圖51(a)-(d))，在主體部11上形成銅層16、鎳層17、金層18和反射用金屬層12C(圖51 (e)-(g))。但是，不限定于此，也可以首先在主體部11上形成銅層16、鎳層17、金層18和反射用金屬層12C，其后通過蝕刻將主體部11加工成規(guī)定的形狀。
[0418] 或者，采用圖51(a)_(d)的工序通過蝕刻將主體部11加工為規(guī)定的形狀后，代替圖 51(e)_(g)的部分鍍的工序，在主體部全面上依次通過鍍敷形成銅層16、鎳層17、金層18和反射用金屬層12C的各層。
[0419] 半導(dǎo)體裝置的制造方法
[0420]接著，對于圖49和圖50所示的半導(dǎo)體裝置20C的制造方法，通過圖52(a)-(g)進(jìn)行說明。另外，在圖52(a)-(g)中，對與上述的第1實(shí)施方式至第3實(shí)施方式相同的部分賦予相同的標(biāo)記。
[0421] 首先，通過圖51(a)_(g)所示的工序，制作引線框IOC(圖52(a))，對于該引線框IOC 通過將熱塑性樹脂或熱固性樹脂注射成形或傳遞成形，形成外側(cè)樹脂部23(圖52(b))。
[0422] 接著，在引線框IOC的主體部11的載置面Ila上，搭載LED元件21。此時(shí)，使用焊料或芯片焊膏，將LED元件21載置于主體部11的載置面Ila上(反射用金屬層12C上)并固定(管芯安裝工序）（圖52(c))。
[0423]接著，利用接合線22將LED元件21的端子部21a和主體部11的第2部分26表面相互電連接(線接合工序）（圖52(d))。
[0424]其后，向外側(cè)樹脂部23的凹部23a內(nèi)填充封裝樹脂部24,利用封裝樹脂部24來對 LED元件21和接合線22進(jìn)行封裝(圖52 (e))。
[0425]接著，通過切割各LED元件21間的外側(cè)樹脂部23,將引線框IOC分離成為各個(gè)LED元件21(圖52(f))。
[0426]這樣進(jìn)行操作，可得到圖49和圖50所示的半導(dǎo)體裝置20C(圖52(g))。
[0427] 本實(shí)施方式的作用效果
[0428] 接著，對于本實(shí)施方式的作用效果進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置20C中，如上述那樣，在反射用金屬層12C與主體部11之間設(shè)置有中間介在層15,該中間介在層15具有從主體部11側(cè)順序配置的銅層16和鎳層17以及金層18。由此，可得到如以下那樣的作用效果。
[0429] 制造半導(dǎo)體裝置20C時(shí)，例如管芯安裝時(shí)（圖52(c))、或者線接合時(shí)（圖52(d))，有時(shí)對引線框IOC施加熱。具體地說，在芯片接合時(shí)，例如釬焊時(shí)有被施以300 °C~400 °C左右的加熱的情況，例如糊連接時(shí)有被施以150 °C~200°C左右的加熱的情況。另外，在線接合時(shí) 有被施以例如150 °C~250 °C左右的加熱的情況。
[0430] 此時(shí)，如圖53所示，來自主體部11或銅層16的銅（Cu)，與上層的鎳形成合金。在本實(shí)施方式中，來自主體部11或銅層16的銅(Cu)成為與鎳的合金，伴有濃度梯度而穩(wěn)定化。作為結(jié)果，其擴(kuò)散被鎳層17阻止，不會趨向金層18的上方。
[0431] 在此，在主體部為銅合金、且沒有設(shè)置銅層16的場合，有時(shí)在鎳的合金形成時(shí)，銅合金的銅以外的成分的擴(kuò)散被阻礙，產(chǎn)生柯肯德爾空隙(Kirkendall Void)，但通過設(shè)置銅層16,可防止該空隙。
[0432] 因此，可防止來自主體部11或銅層16的銅(Cu)向反射用金屬層12C的表面擴(kuò)散，因此可防止：由于銅(Cu)的擴(kuò)散而使反射用金屬層12C的表面的焊料潤濕性、接合性降低。 [0433]另外，來自鎳層17的鎳(Ni)，向上方的Au進(jìn)行擴(kuò)散(堆積，pie up)。在此，所謂堆積是指在Au晶體的位錯(cuò)之間，通過由Au的熱振動所引起的晶體間的運(yùn)動(再結(jié)晶），很少量的 Ni原子移動，在Au的表面極局部地出現(xiàn)Ni。該擴(kuò)散在金層18與反射用金屬層12C的界面被阻止，沒有趨向到反射用金屬層12C，因此可防止由于鎳(Ni)的擴(kuò)散而使反射用金屬層12C的表面的焊料潤濕性、接合性降低。
[0434] 另外，銀和銀合金可使空氣中的氧透過，使基底的金屬氧化，降低接合性，但金不會使氧氣透過，因此來自空氣中的氧氣(O2)被金層18阻止，不會趨向到主體部11和鎳層17，因此可防止氧氣（O 2)從反射用金屬層12C的表面向主體部11滲透。由此，可防止:鎳層17因來自空氣中的氧氣(O2)而氧化，鎳層17與反射用金屬層12C之間的粘結(jié)強(qiáng)度降低，反射用金屬層12C從鎳層17剝離。
[0435] 這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，可在防止主體部11或銅層16中所含有的銅(Cu)向反射用金屬層12C的表面擴(kuò)散的同時(shí)，防止氧氣(O 2)從反射用金屬層12C的表面向主體部11透過。由此，半導(dǎo)體裝置20C的耐熱性得到提高，并且可使反射用金屬層12C與主體部11之間的中間介在層15的厚度較薄。
[0436] 但是，在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置20C中，如上述那樣，在主體部11的載置面I Ia上設(shè)置有作為反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層12C。該反射用金屬層12C，包含鉑與銀的合金、或者金與銀的合金。由此，與上述的第1實(shí)施方式至第3實(shí)施方式的情況同樣地，即使存在制造半導(dǎo)體裝置20C后經(jīng)過一定時(shí)間后，腐蝕性氣體滲透到半導(dǎo)體裝置20C內(nèi)部的情況，反射層(反射用金屬層12C)變色或者腐蝕的情況也較少，其反射率不會降低。
[0437] 另外，根據(jù)本實(shí)施方式，反射層包含反射用金屬層12C，具有高的反射特性，因此可高效地反射來自LED元件21的光。
[0438] 進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，通過非常薄地形成反射用金屬層12C，即使在使用比較高價(jià)的鉑或金時(shí)，成本的上升幅度也較少。而且，通過反射用金屬層12C包含鉑與銀的合金、或者金與銀的合金，與作為反射用金屬層12C的材料僅使用鉑或金時(shí)相比，可抑制制造成本。
[0439] 進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，可使中間介在層15的厚度較薄(例如約Ιμπι~2μπι)，與使用相對較厚的銀層(Ag層）的情況相比，可降低制造成本。
[0440] 進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，通過如圖51(g)所示那樣進(jìn)行部分的金屬處理，與對全面進(jìn)行金屬處理的情況相比，可降低制造成本。
[0441] 進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，反射用金屬層12C、中間介在層15較薄，因此必然地可減少厚度的偏差，因此在進(jìn)行外側(cè)樹脂部23的成型時(shí)，可減少由于將金屬模按壓在金屬面而產(chǎn) 生的傷痕，可減少由于發(fā)生樹脂向金屬模與金屬面的間隙泄漏所引起的飛邊。
[0442] 進(jìn)而，根據(jù)本實(shí)施方式，反射用金屬層12C、中間介在層15較薄，因此可使半導(dǎo)體裝置20C較薄。
[0443] 以下，對于本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的各變形例，參照圖54至圖59進(jìn)行說明。在圖 54至圖59中，對于與圖6至圖11、圖21至圖28以及圖36至圖43所示的形態(tài)相同的部分，賦予相同的標(biāo)記，省略詳細(xì)的說明。
[0444] 在圖54至圖59所示的各變形例中，與圖49和圖50所示的實(shí)施方式同樣地，在主體部11的載置面Ila側(cè)設(shè)置有中間介在層15,在該中間介在層15上，設(shè)置有作為用于反射來自 LED元件21的光的反射層發(fā)揮功能的反射用金屬層12C。
[0445]圖54是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（SON型）的截面圖。圖54所示的半導(dǎo)體裝置40C，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖6所示的半導(dǎo)體裝置40、圖21所示的半導(dǎo)體裝置40A和圖36所示的半導(dǎo)體裝置40B的構(gòu) 成大致相同。
[0446]圖55是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（LGA型）的截面圖。圖55所示的半導(dǎo)體裝置50C，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖7所示的半導(dǎo)體裝置50、圖22所示的半導(dǎo)體裝置50A和圖37所示的半導(dǎo)體裝置50B的構(gòu) 成大致相同。
[0447] 圖56是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(PLCC型）的截面圖。圖56所示的半導(dǎo)體裝置60C，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖8所示的半導(dǎo)體裝置60、圖23所示的半導(dǎo)體裝置60A和圖38所示的半導(dǎo)體裝置60B的構(gòu) 成大致相同。
[0448] 圖57是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(基板型）的截面圖。圖57所示的半導(dǎo)體裝置70C，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖9所示的半導(dǎo)體裝置70、圖24所示的半導(dǎo)體裝置70A和圖39所示的半導(dǎo)體裝置70B的構(gòu) 成大致相同。
[0449]圖58是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例(模塊型）的截面圖。圖58所示的半導(dǎo)體裝置80C，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖10所示的半導(dǎo)體裝置80、圖25所示的半導(dǎo)體裝置80A和圖40所示的半導(dǎo)體裝置80B的構(gòu) 成大致相同。
[0450]圖59是表示本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一變形例（SON型）的截面圖。圖59所示的半導(dǎo)體裝置90C，是設(shè)置于主體部11的載置面Ila上的各層的構(gòu)成不同，其他的構(gòu)成與上述的圖11所示的半導(dǎo)體裝置90、圖26所示的半導(dǎo)體裝置90A和圖41所示的半導(dǎo)體裝置90B的構(gòu) 成大致相同。
[0451 ] 在以上說明的本實(shí)施方式的各變形例的半導(dǎo)體裝置40C、50C、60C、70C、80C、90C (圖54至圖59)中，可得到與圖49和圖50所示的半導(dǎo)體裝置20C大致相同的作用效果。
[0452] 實(shí)施例
[0453] 接著，對于本實(shí)施方式的LED用引線框或基板的具體實(shí)施例進(jìn)行說明。
[0454] (實(shí)施例4-1)
[0455] 制作包含圖47所示的構(gòu)成的基板10C(實(shí)施例4-1)。該基板10C，是在主體部11 (銅基材)上順次層疊了銅層16(Cu)、鎳層17(Ni)、金層IS(Au)以及反射用金屬層12C(金(Au)與銀(Ag)的合金）的基板。以下，將這樣的層構(gòu)成標(biāo)記為"主體部（銅基材)/銅層（Cu)/鎳層 (Ni)/金層(Au)/反射用金屬層(合金)"。
[0456] (實(shí)施例4-2)
[0457] 制作包含圖48所示的構(gòu)成的基板10C(實(shí)施例4-2)。該基板10C(實(shí)施例4-2)包含主體部(銅基材)/鎳層(Ni)/金層(Au)/反射用金屬層(合金)這樣的層構(gòu)成。
[0458] (比較例4-1)
[0459] 制作了以下基板:不設(shè)置中間介在層15,在主體部11上直接層疊了反射用金屬層 12C的基板(比較例4-1)。該基板(比較例4-1)包含主體部(銅基材)/反射用金屬層(合金)這樣的層構(gòu)成。
[0460] (比較例4-2)
[0461] 制作了在主體部11與反射用金屬層12C之間僅介有銅層16的基板(比較例4-2)。該基板(比較例4-2)包含主體部(銅基材)/銅層(Cu)/反射用金屬層(合金)這樣的層構(gòu)成。
[0462] (比較例4-3)
[0463] 制作了在主體部11與反射用金屬層12C之間僅介有銀層(Ag)的基板(比較例4-3)。該基板(比較例4-3)包含主體部(銅基材)/銀層(Ag)/反射用金屬層(合金)這樣的層構(gòu)成。
[0464] (比較例4-4)
[0465] 制作了在主體部11與反射用金屬層12C之間僅介有銅層16和銀層(Ag)的基板（比較例4-4)。該基板（比較例4-4)包含主體部(銅基材)/銅層(Cu)/銀層(Ag)/反射用金屬層 (合金)這樣的層構(gòu)成。
[0466] (比較例4-5)
[0467] 制作了在主體部11與反射用金屬層12C之間僅介有鎳層17的基板(比較例4-5)。該基板(比較例4-5)包含主體部(銅基材)/鎳層(Ni)/反射用金屬層(合金)這樣的層構(gòu)成。
[0468] (比較例4-6)
[0469] 制作了在主體部11與反射用金屬層12C之間介有銅層16和鎳層17的基板(比較例 4-6)。該基板(比較例4-6)包含主體部(銅基材)/銅層(Cu)/鎳層(Ni)/反射用金屬層(合金）這樣的層構(gòu)成。
[0470] (比較例 4_7)
[0471] 制作了在主體部11與反射用金屬層12C之間介有鎳層17和銅層的基板（比較例4-7)。該基板(比較例4-7)包含主體部(銅基材)/鎳層(Ni)/銅層(Cu)/反射用金屬層(合金)這樣的層構(gòu)成。
[0472] (比較例4-8)
[0473]制作了在主體部11與反射用金屬層12C之間介有銅層16、鎳層17和銅層的基板(比較例4-8)。該基板(比較例4-8)包含主體部(銅基材)/銅層(Cu)/鎳層(Ni)/銅層(Cu)/反射用金屬層(合金)這樣的層構(gòu)成。
[0474] 接著，對于所述各基板(實(shí)施例4-1、4_2和比較例4-1~4-8)，調(diào)查構(gòu)成各層的金屬間的粘結(jié)強(qiáng)度。另外，驗(yàn)證在加熱了各基板時(shí)主體部11中所含有的銅是否擴(kuò)散至反射用金屬層12C的表面。將該結(jié)果不于表3。
[0475] 表 3
[0477] 〇:粘結(jié)性良好〇:無擴(kuò)散
[0478] 如表3所示，實(shí)施例4-1、4_2的基板10C，構(gòu)成各層的金屬間的粘結(jié)強(qiáng)度良好，且在加熱時(shí)也不會銅擴(kuò)散至反射用金屬層12C的表面。
[0479] 比較例4-3、4_4的基板，構(gòu)成各層的金屬間的粘結(jié)強(qiáng)度良好，銀層(Ag)的厚度超過 IMi時(shí)，在加熱時(shí)不會銅擴(kuò)散至反射用金屬層12C的表面。但是，銀層(Ag)的厚度為Ιμπι以下時(shí)，在加熱時(shí)看到了銅擴(kuò)散至反射用金屬層12C的表面的現(xiàn)象。
[0480] 其他的比較例（比較例4-1、4-2、4-5~4-8)的基板，構(gòu)成各層的金屬間的粘結(jié)強(qiáng) 度，部分性地低（比較例4-3、4-5、4-6、4-7)，或者，在加熱時(shí)發(fā)生了銅擴(kuò)散至反射用金屬層 12C的表面的情況（比較例4-3、4-4、4-7、4-8)。
[0481] 另外，在所述各基板(實(shí)施例4-1、4_2和比較例4-1~4-8)中，作為反射用金屬層，使用了金(Au)與銀(Ag)的合金，但即使是使用了鉑(Pt)與銀(Ag)的合金的場合也可得到同樣的結(jié)果。
[0482] 接著，制作了以下所示的2種基板(實(shí)施例4-A和比較例4-A)。
[0483] (實(shí)施例 4-A)
[0484] 在包含銅基材的主體部11上，順次層疊銅層16(厚度Ο.?μπι)、鎳層17(厚度Ιμπι)、金層18(厚度Ο.ΟΙμπι)，在該金層18上形成包含金與銀的合金的反射用金屬層12C，由此制作了基板l〇C(實(shí)施例4-Α)。此時(shí)，反射用金屬層12C，具有以下組成:含有50重量％金，其余量由銀和不可避免的雜質(zhì)組成。
[0485] (比較例 4-A)
[0486] 在包含銅板的主體部11上，形成銅鍍層（厚度Ο.?μπι)，在該銅鍍層上形成銀鍍層 (厚度3μπι)，由此制作了基板(比較例4-Α)。另外，該基板(比較例4-Α)與上述的比較例I-A的基板同樣。
[0487] <初期反射率>
[0488] 測定這2種基板(實(shí)施例4-Α和比較例4-Α)的表面的反射率(初期反射率）。
[0489] <耐熱試驗(yàn)后的反射率>
[0490] 另外，為了評價(jià)上述2種基板(實(shí)施例4-Α和比較例4-Α)的耐熱性，對各基板進(jìn)行耐熱試驗(yàn)。具體地說，將各基板在150Γ的氣氛下放置1008小時(shí)(42天）。其后，采用與上述初期反射率的情況同樣的方法測定了反射率(耐熱試驗(yàn)后的反射率）。
[0491 ] 將該結(jié)果示于圖60。圖60是對于實(shí)施例4-Α和比較例4-Α，比較地表示初期反射率和耐熱試驗(yàn)后的反射率的曲線圖。
[0492] 其結(jié)果可知，實(shí)施例4-Α(鎳/金/金銀合金）的基板，耐熱試驗(yàn)后的反射率，與初期反射率相比沒有大的變化，反射用金屬層12C的耐熱性得到提高，由于熱而使反射率降低的擔(dān)心較小。
[0493] 比較例I-A(銀）的基板，耐熱試驗(yàn)后的反射率，與初期反射率相比大幅度降低。因此，可以說存在銀鍍層由于熱而使反射率降低之虞。
[0494] <溶液試驗(yàn)后的反射率>
[0495] 接著，為了調(diào)查上述2種基板(實(shí)施例4-Α和比較例4-Α)的耐硫化性，對各基板進(jìn)行溶液試驗(yàn)，測定溶液試驗(yàn)后的反射率。
[0496] <氣體試驗(yàn)后的反射率>
[0497] 進(jìn)而，為了調(diào)查上述2種基板(實(shí)施例4-Α和比較例4-Α)的耐硫化性，對各基板進(jìn)行氣體試驗(yàn)，測定氣體試驗(yàn)后的反射率。
[0498] <線接合(W/B)的連續(xù)性>
[0499] 調(diào)查是否能夠在上述2種基板(實(shí)施例4-Α和比較例4-Α)的表面連續(xù)地進(jìn)行線接合。
[0500] <線接合(W/B)強(qiáng)度>
[0501] 對于在上述2種基板(實(shí)施例4-Α和比較例4-Α)的表面進(jìn)行線接合時(shí)的線接合強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)查。
[0502] <焊料潤濕性>
[0503]對于上述2種基板(實(shí)施例4-Α和比較例4-Α)的焊料潤濕性進(jìn)行調(diào)查。
[0504]另外，所述初期反射率、溶液試驗(yàn)后的反射率、氣體試驗(yàn)后的反射率、線接合(W/B) 的連續(xù)性、線接合(W/B)強(qiáng)度和焊料潤濕性的測定方法，與上述的第1實(shí)施方式(實(shí)施例1-Α、實(shí)施例1-Β、比較例1-Α)的場合同樣。
[0505]將以上的結(jié)果匯總示于表4。
[0506]表4
[0508] 其結(jié)果，實(shí)施例4-A(鎳/金/金銀合金)的基板，溶液試驗(yàn)后的反射率和氣體試驗(yàn)后的反射率都是與初期反射率相比基本沒有變化，可知反射用金屬層12C被硫化氫氣體等腐蝕性氣體腐蝕的可能性小。
[0509] 比較例4-A(銀）的基板，溶液試驗(yàn)后的反射率和氣體試驗(yàn)后的反射率都是從初期反射率的降低較大，可以說存在銀鍍層被硫化氫氣體等腐蝕性氣體腐蝕的可能性。
[0510] 另外，上述2種基板(實(shí)施例4-A和比較例4-A)，線接合(W/B)的連續(xù)性、線接合(W/ B)強(qiáng)度和焊料潤濕性的全部為良好。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種帶樹脂引線框，其特征在于，具備：載置LED元件的芯片焊盤，在所述芯片焊盤的周圍隔著空間設(shè)置的引線部，和形成在所述芯片焊盤和所述引線部的外側(cè)樹脂部，所述芯片焊盤和所述引線部分別具有對向面，所述芯片焊盤的所述對向面和所述引線部的所述對向面隔著空間彼此對向，所述芯片焊盤具有載置所述LED元件的載置面和位于所述載置面的相反側(cè)的底面，在所述芯片焊盤的所述對向面中的所述芯片焊盤的厚度方向中央部，形成有向所述空間突出的突起部，在所述芯片焊盤的截面視圖中，在所述突起部和所述底面之間形成有曲線，所述曲線在所述載置面?zhèn)葟澢? 所述外側(cè)樹脂部填充于所述芯片焊盤和所述引線部之間的所述空間。2. -種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：芯片焊盤，在所述芯片焊盤的周圍隔著空間設(shè)置的引線部，載置于所述芯片焊盤上的LED元件，電連接所述引線部和所述LED元件的導(dǎo)電部，將所述LED元件和所述導(dǎo)電部封裝的封裝樹脂部，和形成在所述芯片焊盤和所述引線部的外側(cè)樹脂部，所述芯片焊盤和所述引線部分別具有對向面，所述芯片焊盤的所述對向面和所述引線部的所述對向面隔著空間彼此對向，所述芯片焊盤具有載置所述LED元件的載置面和位于所述載置面的相反側(cè)的底面，在所述芯片焊盤的所述對向面中的所述芯片焊盤的厚度方向中央部，形成有向所述空間突出的突起部，在所述芯片焊盤的截面視圖中，在所述突起部和所述底面之間形成有曲線，所述曲線在所述載置面?zhèn)葟澢? 所述外側(cè)樹脂部填充于所述芯片焊盤和所述引線部之間的所述空間。3. -種帶樹脂引線框的制造方法，其特征在于，包括：通過蝕刻金屬基板，制作載置LED元件的芯片焊盤和在所述芯片焊盤的周圍隔著空間設(shè)置的引線部的工序，和在所述芯片焊盤和所述引線部形成外側(cè)樹脂部的工序，所述芯片焊盤和所述引線部分別具有對向面，所述芯片焊盤的所述對向面和所述引線部的所述對向面隔著空間彼此對向，所述芯片焊盤具有載置所述LED元件的載置面和位于所述載置面的相反側(cè)的底面，在所述芯片焊盤的所述對向面中的所述芯片焊盤的厚度方向中央部，形成有向所述空間突出的突起部，在所述芯片焊盤的截面視圖中，在所述突起部和所述底面之間形成有曲線，所述曲線在所述載置面?zhèn)葟澢? 所述外側(cè)樹脂部填充于所述芯片焊盤和所述引線部之間的所述空間。4. 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：通過蝕刻金屬基板，制作載置LED元件的芯片焊盤和在所述芯片焊盤的周圍隔著空間設(shè)置的引線部的工序，在所述芯片焊盤和所述引線部形成外側(cè)樹脂部的工序，在所述芯片焊盤上載置LED元件的工序，通過導(dǎo)電部電連接所述引線部和所述LED元件的工序，和通過透光性的封裝樹脂部將所述LED元件和所述導(dǎo)電部封裝的工序，所述芯片焊盤和所述引線部分別具有對向面，所述芯片焊盤的所述對向面和所述引線部的所述對向面隔著空間彼此對向，所述芯片焊盤具有載置所述LED元件的載置面和位于所述載置面的相反側(cè)的底面，在所述芯片焊盤的所述對向面中的所述芯片焊盤的厚度方向中央部，形成有向所述空間突出的突起部，在所述芯片焊盤的截面視圖中，在所述突起部和所述底面之間形成有曲線，所述曲線在所述載置面?zhèn)葟澢? 所述外側(cè)樹脂部填充于所述芯片焊盤和所述引線部之間的所述空間。
【文檔編號】H01L33/56GK106067511SQ201610709193
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2011年3月30日
【發(fā)明人】小田和范, 坂本章, 村田佳則, 川合研三郎, 鈴木綱, 鈴木綱一, 大石惠
【申請人】大日本印刷株式會社

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