包括高密度互連和重分布層的集成器件的制作方法
【專利摘要】集成器件(例如，集成封裝)包括用于集成器件的基底部分、耦合至基底部分的第一表面的第一管芯(206)、以及第一管芯與基底部分之間的底部填料(222)?；撞糠职ń殡妼?202)以及一組重分布金屬層(230?260)。在一些實現(xiàn)中，集成器件進一步包括封裝第一管芯的封裝材料(220)。在一些實現(xiàn)中，集成器件進一步包括耦合至基底部分的第一表面的第二管芯(208)。在一些實現(xiàn)中，集成器件進一步包括基底部分上的一組互連(280)，該組互連耦合第一管芯和第二管芯。在一些實現(xiàn)中，第一管芯包括第一組互連柱(216)，并且第二管芯包括第二組互連柱(218)。
【專利說明】包括高密度互連和重分布層的集成器件
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2014年3月4日向美國專利商標局提交的美國非臨時專利申請N0.14/196，817的優(yōu)先權和權益，其全部內(nèi)容通過援引納入于此。
[0003]背景
技術領域
[0004]各特征涉及包括高密度互連和重分布層的集成器件。
【背景技術】
[0005]圖1解說了常規(guī)集成封裝100，其包括基板102、第一管芯106、第二管芯108、第一組焊球116、第二組焊球118和第三組焊球120。第一管芯106通過第一組焊球116耦合至基板102。第二管芯108通過第二組焊球118耦合至基板102。第三組焊球120耦合至基板102。通常，第三組焊球120耦合至印刷電路板(PCB)(未示出)。
[0006]常規(guī)的集成封裝(諸如圖1中描述的集成封裝)具有某些限制和不利方面。例如，圖1的集成封裝100的基板102通常由有機層壓(例如，剛性或柔性)或硅(Si)中介體制成。將此類材料用作基板在嘗試制造低剖面集成封裝時產(chǎn)生設計問題。即，這些材料由于其制造限制而產(chǎn)生顯著的設計懲罰。具體而言，這些材料使得提供低剖面集成封裝是不可能或成本很尚的。
[0007]此外，使用焊球作為管芯與基板之間的耦合方法限制了可能存在于管芯與基板之間的連接的密度，因為各焊球之間所需的最小間隔往往大于基板上的各跡線和/或通孔之間所需的最小間隔。
[0008]另外，在集成器件的制造過程期間，工具調(diào)準容限和管芯偏移可導致基板上管芯的放置的不準確性。為了考慮到這些問題，必須提供大著陸焊盤來確保管芯存在合適的連接。這些大著陸焊盤可占據(jù)集成器件中有價值的空間并且向集成器件的制造添加不必要的成本。
[0009]因此，需要具有低剖面但還占據(jù)盡可能小的占用空間的成本高效的集成封裝。理想地，此類集成封裝還將提供與管芯的較高密度連接。
[0010]概述
[0011]本文所描述的各特征、裝置和方法提供了包括高密度互連重分布層的集成器件。
[0012]第一示例提供了一種集成器件，其包括用于集成器件的基底部分、耦合至基底部分的第一表面的第一管芯、以及第一管芯與基底部分之間的底部填料?；撞糠职ń殡妼右约耙唤M重分布金屬層。
[0013]根據(jù)一方面，該集成器件進一步包括封裝第一管芯的封裝材料。
[0014]根據(jù)一個方面，該集成器件進一步包括耦合至基底部分的第一表面的第二管芯。在一些實現(xiàn)中，集成器件進一步包括基底部分上的一組互連，該組互連電耦合第一管芯和第二管芯。在一些實現(xiàn)中，第一管芯包括第一組互連柱，并且第二管芯包括第二組互連柱。該組互連耦合至第一組互連柱和第二組互連柱，同時繞過凸塊焊盤和/或著陸焊盤。在一些實現(xiàn)中，該組互連具有約40微米(μπι)或更小的第一間距。在一些實現(xiàn)中，底部填料還位于第二管芯與基底部分之間。
[0015]根據(jù)一方面，第一管芯是第一晶片級管芯。
[0016]根據(jù)一方面，第一管芯包括第一組互連柱，第一管芯通過第一組互連柱耦合至該組重分布金屬層。在一些實現(xiàn)中，第一組互連柱具有約40微米(μπι)或更小的第一間距。
[0017]根據(jù)一個方面，集成器件被納入以下至少一者中:音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、移動設備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計算機、和/或膝上型計算機中。
[0018]第二示例提供了一種包括用于集成器件的基底部分的設備?；撞糠职ń殡妼右约爸胤植佳b置。該設備進一步包括耦合至基底部分的第一表面的第一管芯、用于封裝第一管芯與基底部分之間的區(qū)域的裝置。
[0019]根據(jù)一方面，該設備進一步包括封裝第一管芯的封裝裝置。
[0020]根據(jù)一個方面，該設備進一步包括耦合至基底部分的第一表面的第二管芯。在一些實現(xiàn)中，該設備進一步包括基底部分上的一組互連。該組互連電耦合第一管芯和第二管芯。在一些實現(xiàn)中，第一管芯包括第一組互連柱。第二管芯包括第二組互連柱。該組互連耦合至第一組互連柱和第二組互連柱，同時繞過著陸焊盤。在一些實現(xiàn)中，該組互連包括約40微米(MO或更小的第一間距。
[0021 ]根據(jù)一方面，第一管芯是第一晶片級管芯。
[0022]根據(jù)一個方面，第一管芯包括第一組互連柱。第一管芯通過第一組互連柱耦合至重分布裝置。
[0023]根據(jù)一方面，第一組互連柱包括約40微米(μπι)或更小的第一間距。
[0024]根據(jù)一個方面，該設備被納入到以下至少一者中:音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、移動設備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計算機、和/或膝上型計算機。
[0025]第三示例提供了一種用于提供集成器件的方法。該方法形成用于該集成器件的基底部分，其中形成基底部分包括形成介電層以及形成一組重分布金屬層。該方法在基底部分的第一表面上提供第一管芯。該方法在第一管芯與基底部分之間形成底部填料。
[0026]根據(jù)一方面，該方法進一步形成封裝第一管芯的封裝材料。
[0027]根據(jù)一個方面，該方法在基底部分的第一表面上提供第二管芯。在一些實現(xiàn)中，該方法在基底部分上形成一組互連。該組互連電耦合第一管芯和第二管芯。在一些實現(xiàn)中，第一管芯包括第一組互連柱，并且第二管芯包括第二組互連柱。該組互連耦合至第一組互連柱和第二組互連柱，同時繞過焊盤。在一些實現(xiàn)中，該組互連包括約40微米(μπι)或更小的第一間距。
[0028]根據(jù)一方面，第一管芯是第一晶片級管芯。
[0029]根據(jù)一個方面，第一管芯包括第一組互連柱。第一管芯通過第一組互連柱耦合至該組重分布金屬層。在一些實現(xiàn)中，第一組互連柱包括約40微米(μπι)或更小的第一間距。
[0030]根據(jù)一個方面，該集成器件被納入以下至少一者中:音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、移動設備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計算機、和/或膝上型計算機中。
[0031]附圖
[0032]在結合附圖理解下面闡述的詳細描述時，各種特征、本質(zhì)和優(yōu)點會變得明顯，在附圖中，相像的附圖標記貫穿始終作相應標識。
[0033]圖1解說了常規(guī)的集成器件的剖面圖。
[0034]圖2解說了集成器件的示例。
[0035]圖3解說了管芯的示例。
[0036]圖4解說了包括穿基板通孔的管芯的示例。
[0037]圖5解說了集成器件的示例。
[0038]圖6解說了集成器件的示例。
[0039]圖7A解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0040]圖7B解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0041]圖7C解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0042]圖7D解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0043]圖8A解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0044]圖SB解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0045]圖SC解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0046]圖8D解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0047]圖9解說了用于提供/制造集成器件的示例性方法。
[0048]圖1OA解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0049]圖1OB解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0050]圖1OC解說了用于提供/制造集成器件的示例性序列的一部分。
[0051]圖11解說了可集成本文所描述的半導體器件、管芯、集成電路和/或PCB的各種電子設備。
[0052]詳細描述
[0053]在以下描述中，給出了具體細節(jié)以提供對本公開的各方面的透徹理解。然而，本領域普通技術人員將理解，沒有這些具體細節(jié)也可實踐這些方面。例如，電路可能用框圖示出以避免使這些方面煙沒在不必要的細節(jié)中。在其他實例中，公知的電路、結構和技術可能不被詳細示出以免模糊本公開的這些方面。
[0054]總覽
[0055]—些新穎特征涉及集成器件(例如，集成封裝)，其包括用于集成器件的基底部分、耦合至基底部分的第一表面的第一管芯(例如，第一晶片級管芯)、以及第一管芯與基底部分之間的底部填料。基底部分包括介電層以及一組重分布金屬層。在一些實現(xiàn)中，集成器件進一步包括封裝第一管芯的封裝材料。在一些實現(xiàn)中，集成器件進一步包括耦合至基底部分的第一表面的第二管芯(例如，第二晶片級管芯)。在一些實現(xiàn)中，集成器件進一步包括基底部分上的一組互連，該組互連電耦合第一管芯和第二管芯。在一些實現(xiàn)中，第一管芯包括第一組互連柱，并且第二管芯包括第二組互連柱。該組互連耦合至第一組互連柱和第二組互連柱，同時繞過著陸焊盤(例如，凸塊焊盤)。在一些實現(xiàn)中，該組互連具有約40微米(μπι)或更小的間距。在一些實現(xiàn)中，底部填料還位于第二管芯與基底部分之間。
[0056]包括重分布層的示例性集成器件
[0057]圖2概念地解說了包括若干管芯的集成器件(例如，半導體器件、集成封裝)的側視圖的示例。具體而言，圖2解說了集成器件200(例如，集成封裝)，其包括介電層202、第一組焊球204、第一管芯206、第二管芯208、封裝材料220以及底部填料222。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于封裝材料220。例如，封裝材料220可以包括至少模塑、環(huán)氧樹脂和/或聚合物填料中的一者。管芯(例如，第一管芯206、第二管芯208)可以表不不同類型的管芯，諸如存儲器管芯和/或處理器。在一些實現(xiàn)中，第一管芯206和/或第二管芯208是晶片級管芯。管芯在以下參照圖3-4進一步詳細描述。
[0058]介電層202可包括一個介電層或若干介電層。在一些實現(xiàn)中，介電層202是絕緣層。圖2解說了介電層202包括一組金屬層。具體地，介電層202包括第一組重分布互連230、第一凸塊下金屬化(UBM)層232、第二組重分布互連240、第二凸塊下金屬化(UBM)層242、第三組重分布互連250、第三凸塊下金屬化(UBM)層252、第四組重分布互連260、第四凸塊下金屬化(UBM)層262、以及第五組重分布互連280。在一些實現(xiàn)中，第一、第二、第三和第四組重分布互連230、240、250和260是介電層202中的重分布層。這些重分布層可以包括通孔。不同實現(xiàn)可以具有不同數(shù)目的重分布金屬層(例如，I個、2個或更多個金屬層)。
[0059]第五組重分布互連280是介電層202上(例如，在介電層202的表面上)的金屬層。在一些實現(xiàn)中，第一、第二、第三和第四組重分布互連230、240、250和260分別具有第一間距、第二間距、第三間距和第四間距。在一些實現(xiàn)中，第五組重分布互連280具有不同于第一間距、第二間距、第三間距和/或第四間距的第五間距。在一些實現(xiàn)中，第五間距小于第一間距、第二間距、第三間距和/或第四間距。第五組重分布互連280耦合至第一組互連216和第二組互連218。在一些實現(xiàn)中，第五組重分布互連280包括一組高密度互連。在一些實現(xiàn)中，第五組重分布互連280包括約40微米(μπι)或更小的第一間距。
[0060]第一管芯206通過第一組互連216耦合至介電層202的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第一組互連216是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第一管芯206通過第一組互連216、第一組重分布互連230、第一 UBM層232、第二組重分布互連240、和/或第二 UBM層242電耦合至該組焊球204中的至少一個焊球。
[0061 ] 第二管芯208通過第二組互連218耦合至介電層202的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第二組互連218是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第二管芯208通過第二組互連218、第三組重分布互連250、和/或第三UBM層252電耦合至該組焊球204中的至少一個焊球。
[0062]如圖2所示，第一管芯206可通過第五組重分布互連280耦合至第二管芯208。圖2還解說了通過底部填料222封裝的第一組互連216和第二組互連218。在一些實例中，底部填料222是可任選的。
[0063]圖3概念性地解說了管芯300(其為集成器件的一種形式)的示例。出于清楚的目的，圖3解說了管芯的概括。由此，圖3中并未示出管芯的全部組件。在一些實現(xiàn)中，管芯300可對應于圖2的管芯206和/或208中的至少一者。如圖3所示，管芯300(例如，集成器件)包括基板301、若干下級金屬層和介電層302、一組互連311-316(例如，凸塊、柱互連)、以及封裝材料320(例如，模塑、環(huán)氧樹脂、聚合物填料)。在一些實現(xiàn)中，封裝材料320是可任選的。
[0064]管芯300包括正面區(qū)域(例如，活躍區(qū)域)和背面區(qū)域。在一些實現(xiàn)中，管芯300是晶片級管芯。
[0065]在一些實現(xiàn)中，管芯300還可包括焊盤、鈍化層、第一絕緣層、第一凸塊下金屬化(UBM)層、和第二凸塊下金屬化(UBM)層。在此類實例中，焊盤可以被耦合到下級金屬層和介電層302。鈍化層可以被置于下級金屬層和介電層302與封裝材料320之間。第一凸塊層可以被耦合到焊盤以及諸互連311-316中的一者。
[0066]在一些實現(xiàn)中，管芯還可包括一個或多個穿基板通孔(TSV)。圖4概念地解說了包括至少一個TSV的管芯400(其為集成器件的一種形式)的示例。出于清楚的目的，圖4解說了管芯的概括。由此，圖4中并未示出管芯的全部組件。在一些實現(xiàn)中，管芯400可對應于圖2的管芯206和/或208中的至少一者。如圖4所示，管芯400(例如，集成器件)包括基板401、若干下級金屬層和介電層402、一組互連411-416(例如，凸塊、柱互連)、以及封裝材料420(例如，模塑、環(huán)氧樹脂、聚合物填料)。在一些實現(xiàn)中，封裝材料420是可任選的。
[0067]管芯400包括正面區(qū)域(例如，活躍區(qū)域)和背面區(qū)域。在一些實現(xiàn)中，管芯400是晶片級管芯。
[0068]如圖4所示，管芯400包括第一穿基板通孔(TSV)421、第二TSV 422、第三TSV 423和第四TSV 424。第一TSV 421和第二TSV 422穿過基板401和下級金屬層及介電層402。也就是說，第一TSV 421和第二TSV 422穿過管芯400的活躍區(qū)域(例如，正面)和背面區(qū)域。第三TSV433和第四TSV 434穿過基板401。也就是說，第三TSV 433和第四TSV 434穿過管芯400的活躍區(qū)域(例如，正面)。
[0069]在一些實現(xiàn)中，管芯400還可包括焊盤、鈍化層、第一絕緣層、第一凸塊下金屬化(UBM)層和第二凸塊下金屬化(UBM)層。在此類實例中，焊盤可以被耦合到下級金屬層和介電層402。鈍化層可以被置于下較低級金屬層和介電層402與封裝材料420之間。第一凸塊層可以被耦合至焊盤以及互連411-416中的一者。
[0070]圖5概念地解說了包括若干管芯的集成器件(例如，半導體器件、集成封裝)的側視圖的示例。具體而言，圖5解說了集成器件500(例如，集成封裝)，其包括介電層502、第一組焊球504、第一管芯506、第二管芯508、封裝材料520以及底部填料522。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于封裝材料520。例如，封裝材料520可以包括至少模塑、環(huán)氧樹脂和/或聚合物填料中的一者。管芯(例如，第一管芯506、第二管芯508)可以表不不同類型的管芯，諸如存儲器管芯和/或處理器。在一些實現(xiàn)中，第一管芯506和/或第二管芯508是晶片級管芯。管芯參照圖3-4詳細描述。
[0071]介電層502可包括一個介電層或若干介電層。在一些實現(xiàn)中，介電層502是絕緣層。圖5解說了介電層502包括一組金屬層。具體地，介電層502包括第一組重分布互連530、第一凸塊下金屬化(UBM)層532、第二組重分布互連540、第二凸塊下金屬化(UBM)層542、第三組重分布互連550、第三凸塊下金屬化(UBM)層552、第四組重分布互連560、第四凸塊下金屬化(UBM)層562、以及第五組重分布互連580。在一些實現(xiàn)中，第一、第二、第三、第四和第五組重分布互連530、540、550、560和580是重分布層。這些重分布層可以包括通孔。不同實現(xiàn)可以具有不同數(shù)目的重分布金屬層(例如，I個、5個或更多個金屬層)。
[0072]第一管芯506通過第一組互連516耦合至介電層502的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第一組互連516是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第一管芯506通過第一組互連516、第一組重分布互連5 30、第一UBM層532、第二組重分布互連540、和/或第二 UBM層542電耦合至該組焊球504中的至少一個焊球。
[0073]第二管芯508通過第二組互連518耦合至介電層502的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第二組互連518是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第二管芯508通過第二組互連518、第三組重分布互連550、和/或第三UBM層552電耦合至該組焊球504中的至少一個焊球。
[0074]如圖5所示，第一管芯506可通過第五組重分布互連580耦合至第二管芯508。圖5還解說了通過底部填料522封裝的第一組互連516和第二組互連518。在一些實例中，底部填料522是可任選的。
[0075]圖6概念地解說了包括若干管芯的集成器件(例如，半導體器件、集成封裝)的側視圖的示例。具體而言，圖6解說了集成器件600(例如，集成封裝)，其包括介電層602、第一組焊球604、第一管芯606、第二管芯608、以及封裝材料620。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于封裝材料620。例如，封裝材料620可以包括至少模塑、環(huán)氧樹脂和/或聚合物填料中的一者。管芯(例如，第一管芯606、第二管芯608)可以表不不同類型的管芯，諸如存儲器管芯和/或處理器。在一些實現(xiàn)中，第一管芯606和/或第二管芯608是晶片級管芯。管芯參照圖3-4詳細描述。
[0076]介電層602可包括一個介電層或若干介電層。在一些實現(xiàn)中，介電層602是絕緣層。圖6解說了介電層602包括一組金屬層。具體地，介電層602包括第一組重分布互連630、第一凸塊下金屬化(UBM)層632、第二組重分布互連640、第二凸塊下金屬化(UBM)層642、第三組重分布互連650、第三凸塊下金屬化(UBM)層652、第四組重分布互連660、第四凸塊下金屬化(UBM)層662、以及第五組重分布互連680。在一些實現(xiàn)中，第一、第二、第三和第四組重分布互連630、640、650和660是重分布層。這些重分布層可以包括通孔。不同實現(xiàn)可以具有不同數(shù)目的重分布金屬層(例如，I個、6個或更多個金屬層)。
[0077]第一管芯606通過第一組互連616親合至介電層602的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第一組互連616是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第一管芯606通過第一組互連616、第一組重分布互連6 30、第一UBM層632、第二組重分布互連640、和/或第二 UBM層642電耦合至該組焊球604中的至少一個焊球。
[0078]第二管芯608通過第二組互連618耦合至介電層602的第一表面。在一些實現(xiàn)中，第二組互連618是金屬柱(例如，金屬層)。在一些實現(xiàn)中，金屬柱是銅柱。在一些實現(xiàn)中，第二管芯608通過第二組互連618、第三組重分布互連650、和/或第三UBM層652電耦合至該組焊球604中的至少一個焊球。
[0079]如圖6所示，第一管芯606可通過第五組重分布互連680耦合至第二管芯608。
[0080]在已描述了若干集成器件的情況下，現(xiàn)在將在以下描述用于提供/制造集成器件(例如，半導體器件)的序列。
[0081 ]用于提供/制造包括重分布層的集成器件的示例性序列
[0082]在一些實現(xiàn)中，提供包括重分布層的集成器件(例如，集成封裝)包括若干過程。圖7A-7D解說了用于提供集成器件的示例性序列。在一些實現(xiàn)中，圖7A-7D的序列可被用于提供/制造圖2和/或5-6的集成器件，和/或本公開中所描述的其他集成器件。
[0083]還應當注意，圖7A-7D的序列可被用于提供/制造還包括電路元件的集成器件。應當進一步注意，圖7A-7D的序列可以組合一個或多個階段以便簡化和/或闡明用于提供包括若干管芯的集成器件的序列。
[0084]在一些實現(xiàn)中，圖7A-7D的過程解說了一新穎過程，該新穎過程提供了具有高密度互連(例如，互連之間的間距約為40微米或更小)的集成器件和/或避免使用不必要的大著陸焊盤(例如，大凸塊焊盤)的集成器件。
[0085]如圖7A的階段I所示，提供了載體(例如，載體700)、第一組互連702(例如，第一組跡線)和第二組互連704(例如，第二組跡線)。在一些實現(xiàn)中，該載體是基板。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于該載體(例如，硅基板、玻璃基板、陶瓷基板)。
[0086]在階段2，在載體上提供了若干管芯。如階段2所示，在載體700上提供第一管芯712和第二管芯714。具體而言，第一管芯712和第二管芯714的正面(有源側)耦合至載體700。管芯的示例在圖3-4中描述。第一管芯712包括第一組互連722(例如，凸塊、銅柱)。第二管芯714包括第二組互連724(例如，凸塊、銅柱)。如階段2所示，第一管芯712的第一組互連722耦合至載體700的第一組互連702。類似地，第二管芯714的第二組互連724耦合至載體700的第二組互連704。在一些實現(xiàn)中，第一管芯712和/或第二管芯714是晶片級管芯。
[0087]在階段3，在載體700上提供底部填料730。在一些實現(xiàn)中，提供底部填料730以使得底部填料730覆蓋第一組互連702、第二組互連704、第一組互連722、以及第二組互連724。在一些實現(xiàn)中，提供底部填料730是可任選的。
[0088]在階段4，提供封裝材料740。封裝材料740基本上或完全地圍繞或封裝第一管芯712和第二管芯714。
[0089]如圖7B所示，在階段5，集成器件被翻轉并耦合至臨時載體742。也就是說，封裝材料740耦合至臨時載體742。不同實現(xiàn)可以將不同材料(例如，基板、硅、玻璃、陶瓷)用于載體742。在一些實現(xiàn)中，粘合劑層(未示出)可被用來將集成器件的封裝材料740耦合至臨時載體742。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于粘合層。在一些實現(xiàn)中，臨時載體742是接合帶。
[0090]在階段6，移除(例如，拋光、研磨)集成器件的第一表面。在該示例中，移除(例如，拋光、研磨)包括載體700的表面。在一些實現(xiàn)中，拋光集成器件可包括拋光和/或研磨載體700、第一組互連702、第二組互連704、第一組互連722、第二組互連724、底部填料730和/或封裝材料740。在一些實現(xiàn)中，拋光集成器件可留下第一組互連702、第二組互連704、第一組互連722、第二組互連724、底部填料730和/或封裝材料740的部分。
[0091]在階段7，在第一管芯712和第二管芯714的正面上提供第一介電層750和若干重分布互連(例如，重分布互連751-755)。具體而言，在第一組互連722和第二組互連724上提供若干互連。在一些實現(xiàn)中，在第一重分布金屬層上形成重分布互連751-755。在一些實現(xiàn)中，重分布互連755-755可包括至少一個通孔。在一些實現(xiàn)中，重分布互連751-755避免了在親合至第一組互連722和/或第二組互連724時使用不必要的著陸焊盤(例如，大凸塊焊盤)。在一些實現(xiàn)中，重分布互連751-755直接耦合至第一組互連722和/或第二組互連724。
[0092]如圖7C所示，在階段8，在第一介電層750和重分布互連751-754上提供第二介電層760和若干重分布互連(例如，重分布互連761-764)。在一些實現(xiàn)中，在第二重分布金屬層上形成重分布互連761-764。在一些實現(xiàn)中，重分布互連761-764可包括至少一個通孔。
[0093]在階段9，在第二管芯760和重分布互連761-764上提供第三介電層770和若干重分布互連(例如，重分布互連771-774)。在一些實現(xiàn)中，在第三重分布金屬層上形成重分布互連771-774。在一些實現(xiàn)中，重分布互連771-774可包括至少一個通孔。
[0094]在階段10，提供至少一個凸塊下金屬化(UBM)層。具體而言，提供第一凸塊下金屬化(UBM)層781、第二 UBM層782、第三UBM層783、以及第四UBM層784。在第四介電層780上提供這些UBM層。在一些實現(xiàn)中，提供UBM層是可任選的。
[0095]如圖7D所示，在階段11，在UBM層上提供至少一個焊球。具體而言，第一焊球791耦合至第一UBM層781，第二焊球792耦合至第二UBM層782，第三焊球793耦合至第三UBM層783，并且第四焊球794耦合至第四UBM層784。階段11解說了一組介電層790。在一些實現(xiàn)中，該組介電層790包括介電層750、760、770和780。在一些實現(xiàn)中，焊球可耦合至重分布互連而非UBMjlo
[0096]在階段12，移除(例如，拋光)集成器件的一部分。如階段12所示，移除載體742的至少一部分(例如，移除整個載體742)。在一些實現(xiàn)中，還移除封裝材料740的至少一部分。
[0097]用于提供/制造包括重分布層的集成器件的示例性序列
[0098]在一些實現(xiàn)中，提供包括重分布層的集成器件(例如，集成封裝)包括若干過程。圖8A-8D解說了用于提供集成器件的示例性序列。在一些實現(xiàn)中，圖8A-8D的序列可被用來提供/制造圖2和/或5-6的集成器件、和/或本公開描述的其它集成器件。
[0099]還應注意，圖8A-8D的序列可被用于提供/制造還包括電路元件的集成器件。應當進一步注意，圖8A-8D的序列可以組合一個或多個階段以便簡化和/或闡明用于提供包括若干管芯的集成器件的序列。
[0100]在一些實現(xiàn)中，圖8A-8D的過程解說了一新穎過程，該新穎過程提供了具有高密度互連(例如，互連之間的間距約為40微米或更小)的集成器件和/或避免使用不必要的大著陸焊盤(例如，大凸塊焊盤)的集成器件。
[0101]如圖8A的階段I所示，提供了載體(例如，載體800)、第一組互連802(例如，第一組跡線)和第二組互連804(例如，第二組跡線)。在一些實現(xiàn)中，該載體是基板。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于該載體(例如，硅基板、玻璃基板、陶瓷基板)。
[0102]在階段2，在載體上提供了若干管芯。如階段2所示，在載體800上提供第一管芯812和第二管芯814。具體而言，第一管芯812和第二管芯814的正面(有源側)耦合至載體800。管芯的示例在圖3-4中描述。第一管芯812包括第一組互連822(例如，凸塊、銅柱)。第二管芯814包括第二組互連824(例如，凸塊、銅柱)。如階段2所示，第一管芯812的第一組互連822耦合至載體800的第一組互連802。類似地，第二管芯814的第二組互連824耦合至載體800的第二組互連804。在一些實現(xiàn)中，第一管芯812和/或第二管芯814是晶片級管芯。
[0103]在階段3，在載體800上提供了底部填料830。在一些實現(xiàn)中，提供底部填料830以使得底部填料830覆蓋第一組互連802、第二組互連804、第一組互連822、以及第二組互連824。在一些實現(xiàn)中，提供底部填料830是可任選的。
[0104]在階段4，提供封裝材料840。封裝材料840基本上或完全地圍繞或封裝第一管芯812和第二管芯814。
[0105]如圖SB所示，在階段5，集成器件被翻轉并耦合至臨時載體842。也就是說，封裝材料840耦合至臨時載體842。不同實現(xiàn)可以將不同材料(例如，基板、硅、玻璃、陶瓷)用于載體842。在一些實現(xiàn)中，粘合劑層(未示出)可被用來將集成器件的封裝材料840耦合至臨時載體842。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于粘合層。在一些實現(xiàn)中，臨時載體842是接合帶。
[0106]在階段6，移除(例如，拋光、研磨)集成器件的第一表面。在該示例中，移除(例如，拋光、研磨)包括載體800的表面。在一些實現(xiàn)中，拋光集成器件可包括拋光和/或研磨載體800、第一組互連802、第二組互連804、第一組互連822、第二組互連824、底部填料830和/或封裝材料840。在一些實現(xiàn)中，拋光集成器件可留下第一組互連802、第二組互連804、第一組互連822、第二組互連824、底部填料830和/或封裝材料840的部分。
[0107]在一些實現(xiàn)中，拋光集成器件包括在集成器件中創(chuàng)建至少一個腔(例如，腔825)。例如，腔825可被創(chuàng)建在底部填料830和/或封裝材料840中。
[0108]在階段7，在腔825中提供金屬層。該金屬層限定了與一組互連826的互連。在一些實現(xiàn)中，在創(chuàng)建若干腔時，可提供若干金屬層。該組互連826電耦合第一組互連822和第二組互連824。在一些實現(xiàn)中，該組互連826電耦合第一管芯812和第二管芯814。在一些實現(xiàn)中，該組互連826避免了在耦合至第一組互連822和/或第二組互連824時使用不必要的著陸焊盤(例如，大凸塊焊盤)。在一些實現(xiàn)中，該組互連826直接耦合至第一組互連822和第二組互連824。在一些實現(xiàn)中，該組互連826耦合至第一組互連822的側表面和第二組互連824的側表面。在一些實現(xiàn)中，該組互連826耦合至第一組互連822的頂部表面和第二組互連824的頂部表面。在一些實現(xiàn)中，該組互連826是高密度互連。在一些實現(xiàn)中，該組互連826的間距約為40微米(μπι)或更小。
[0109]在階段8，在第一管芯812和第二管芯814的正面上提供第一介電層850和若干重分布互連(例如，重分布互連851-854)。具體而言，在第一組互連822和第二組互連824上提供若干互連。在一些實現(xiàn)中，在第一重分布金屬層上形成重分布互連851-854。在一些實現(xiàn)中，重分布互連855-854可包括至少一個通孔。在一些實現(xiàn)中，重分布互連851-854避免了在耦合至第一組互連822和/或第二組互連824時使用不必要的著陸焊盤(例如，大凸塊焊盤)。在一些實現(xiàn)中，重分布互連851-854直接耦合至第一組互連822和/或第二組互連824。
[0110]如圖8C所示，在階段9，在第一介電層850和重分布互連851-854上提供第二介電層860和若干重分布互連(例如，重分布互連861-864)。在一些實現(xiàn)中，在第二重分布金屬層上形成重分布互連861-864。在一些實現(xiàn)中，重分布互連861-864可包括至少一個通孔。
[0111]在階段10，在第二管芯860和重分布互連861-864上提供第三介電層870和若干重分布互連(例如，重分布互連871-874)。在一些實現(xiàn)中，在第三重分布金屬層上形成重分布互連871-874。在一些實現(xiàn)中，重分布互連871-874可包括至少一個通孔。
[0112]在階段11，提供至少一個凸塊下金屬化(UBM)層。具體而言，提供第一凸塊下金屬化(UBM)層881、第二 UBM層882、第三UBM層883、以及第四UBM層884。在第四介電層880上提供這些UBM層。在一些實現(xiàn)中，提供UBM層是可任選的。
[0113]如圖8D所示，在階段12，在UBM層上提供至少一個焊球。具體而言，第一焊球891耦合至第一UBM層881，第二焊球892耦合至第二UBM層882，第三焊球893耦合至第三UBM層883，并且第四焊球894耦合至第四UBM層884。階段12解說了一組介電層890。在一些實現(xiàn)中，該組介電層890包括介電層850、860、870和880。在一些實現(xiàn)中，焊球可耦合至重分布互連而非UBMjlo
[0114]在階段13，移除(例如，拋光)集成器件的一部分。如階段12所示，移除載體842的至少一部分(例如，移除整個載體842)。在一些實現(xiàn)中，還移除封裝材料840的至少一部分。
[0115]在已描述了用于提供/制造集成器件(例如，半導體器件)的序列的情況下，現(xiàn)在將在以下描述用于提供/制造集成器件(例如，半導體器件)的方法。
[0116]用于提供/制造集成器件的示例性方法
[0117]圖9解說了用于提供集成器件(例如，集成封裝)的示例性方法。在一些實現(xiàn)中，圖9的方法可被用來提供/制造圖2和/或5-6的集成器件、和/或本公開描述的其它集成器件(例如，管芯封裝)。
[0118]該方法提供(在805)第一載體(例如，載體800)和互連(例如，跡線)。在一些實現(xiàn)中，第一載體是犧牲載體。在一些實現(xiàn)中，第一載體是基板。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第一載體(例如，硅基板、玻璃基板、陶瓷基板)。
[0119]該方法隨后在該載體上提供(在910)至少一個集成器件(例如，管芯)。在一些實現(xiàn)中，提供(在810)至少一個集成器件包括在第一載體上提供第一管芯以及在第一載體上提供第二管芯。在一些實現(xiàn)中，所提供的管芯是晶片級管芯。提供至少一個管芯的示例在圖8A中示出(例如，參見階段2)。
[0120]該方法可任選地提供(在815)底部填料和封裝材料。在一些實現(xiàn)中，在管芯與第一載體之間提供底部填料。在一些實現(xiàn)中，互連802、804、822和824被底部填料覆蓋。在一些實現(xiàn)中，封裝材料基本上或完全地圍繞或封裝管芯(例如，第一管芯812、第二管芯814)。
[0121]該方法將包括第一載體以及第一和第二管芯的集成器件耦合(在920)至第二載體。在一些實現(xiàn)中，第二載體是臨時載體。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第二載體。在一些實現(xiàn)中，第二載體是接合帶。
[0122]該方法進一步移除(在925)集成器件的至少一部分。在一些實現(xiàn)中，移除集成器件的至少一部分包括移除(例如，拋光、研磨)至少第一載體、底部填料的部分、封裝層的部分、和/或互連(例如，互連802、804、822、824)。在一些實現(xiàn)中，在移除集成器件的一部分之后，可在腔中提供至少一個金屬層。在一些實現(xiàn)中，腔中的金屬層可限定互連(例如，兩個管芯之間的高密度互連)。
[0123]該方法進一步提供(在930)至少一個介電層(例如，介電層850、860、870、880)。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于介電層。例如，第一和第二絕緣層(其是介電層的一種形式)可以是聚苯并惡唑(PbO)層和/或聚合物層。
[0124]該方法還提供(在935)若干金屬重分布層。在一些實現(xiàn)中，提供若干重分布層包括提供若干重分布互連(例如，重分布互連851-854)和/或通孔。應注意，在一些實現(xiàn)中，提供(在930)至少一個介電層和提供(在935)金屬重分布層的方法可以來回順序地執(zhí)行。也就是說，在一些實現(xiàn)中，該方法可提供第一介電層、第一重分布層、第二介電層、第二重分布層，以此類推。
[0125]該方法隨后可任選地提供(在940)凸塊下金屬化(UBM)層。在一些實現(xiàn)中，提供(在940 )UBM層包括將UBM層耦合至金屬重分布層。在一些實現(xiàn)中，UBM層是銅層。該方法進一步在UBM層上提供(在945)焊球。
[0126]該方法進一步移除(在950)集成器件的至少一部分。在一些實現(xiàn)中，移除集成器件的一部分包括移除(例如，拋光、研磨)載體842的至少一部分。在一些實現(xiàn)中，還移除封裝材料840的至少一部分。
[0127]用于提供/制造重分布層的示例性序列
[0128]在一些實現(xiàn)中，提供包括重分布層的集成器件包括若干過程。圖10A-10C解說了用于提供包括若干重分布層的集成器件的示例性序列。在一些實現(xiàn)中，圖10A-10C的序列可被用來提供/制造圖2和/或5-6的集成器件、和/或本公開描述的其它集成器件(例如，管芯)。還應注意到，圖10A-10C的序列可被用于提供/制造還包括電路元件的集成器件。應當進一步注意，圖10A-10C的序列可以組合一個或多個階段以簡化和/或闡明用于提供包括重分布層的集成器件的序列。圖10A-10C是用于提供一個或多個重分布層的更具體過程。
[0129]如圖1OA的階段I所示，提供基板(例如，基板1001)。在一些實現(xiàn)中，基板1001是晶片。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于基板(例如，硅基板、玻璃基板、陶瓷基板)。
[0130]另外，在階段I，在基板1001上提供若干下級金屬層和介電層(例如，下級金屬和介電層1002)。不同實現(xiàn)可提供不同數(shù)目的下級金屬層和介電層(例如，Ml金屬層、M2金屬層、M3金屬層、M4金屬層、M5金屬層、M6金屬層、M7金屬層)。
[0131]在一些實現(xiàn)中，還提供電路、線路和/或互連。然而，出于簡化和清楚的目的，電路、線路和/或互連未在下級金屬層和介電層1002中示出。
[0132]此外，在階段I，在下級金屬層和介電層1002上提供至少一個焊盤(例如，焊盤1004、1025、1029)。在一些實現(xiàn)中，焊盤1004耦合至下級金屬層之一(例如，頂部下級金屬層，M7金屬層)。在一些實現(xiàn)中，焊盤1004是鋁焊盤。然而，不同實現(xiàn)可以將不同材料用于焊盤1004。不同實現(xiàn)可將不同工藝用于在下級金屬層和介電層1002上提供焊盤。例如，在一些實現(xiàn)中，光刻和/或蝕刻工藝可被用于在下級金屬層和介電層1002上提供焊盤1004。
[0133]另外，在階段I，在下級金屬層和介電層1006上提供鈍化層(例如，鈍化層1006)。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于鈍化層1006。如階段4所示，在下級金屬層和介電層1002上提供鈍化層1006以使得焊盤1004的至少一部分被暴露。
[0134]在階段2，在鈍化層1006和焊盤1004、1025和1029上提供第一絕緣層(例如，第一絕緣層1008)。在一些實現(xiàn)中，第一絕緣層1008是介電層。不同實現(xiàn)可以將不同材料用于第一絕緣層1008。例如，第一絕緣層1008可以是聚苯并惡唑(PbO)層或聚合物層。
[0135]在階段3，在第一絕緣層1008中提供/創(chuàng)建若干腔(例如，腔、溝槽)。如進一步在階段3中所示，在焊盤1004之上創(chuàng)建腔1009。類似地，在焊盤1025之上創(chuàng)建腔1011并且在焊盤1029之上創(chuàng)建腔1013。不同實現(xiàn)可不同地創(chuàng)建腔(例如，腔1009)。例如，可通過蝕刻第一絕緣層1008來提供/創(chuàng)建腔1009。
[0136]在圖1OB的階段4，提供第一金屬重分布層。具體而言，在焊盤1004和第一絕緣層1008之上提供第一金屬重分布層1010。如階段4所示，第一金屬重分布層1010被耦合至焊盤1004。第一金屬重分布層1010還包括第一金屬層1030和第二金屬層1032。也就是說，第一金屬層1030和第二金屬層1032在與第一金屬重分布層1010相同的層上。在一些實現(xiàn)中，第一和第二金屬層1030和1032是通孔。在一些實現(xiàn)中，第一金屬重分布層1010是銅層。
[0137]在階段5，提供若干絕緣層和若干重分布層。具體而言，提供第二絕緣層1014和第三絕緣層1016。此外，提供第二金屬重分布層1020。另外，提供若干金屬層(1040、1050、1042、1052)。在一些實現(xiàn)中，金屬層是重分布層的一部分。在一些實現(xiàn)中，一些金屬層包括通孔。例如，在一些實現(xiàn)中，金屬層1042和1052是通孔，并且金屬層1040和1050是跡線。
[0138]在階段6，在絕緣層1016中提供腔1017。絕緣層1016中的腔1017在第二金屬重分布層1020的一部分(例如，互連)之上。
[0139]在圖1OC的階段7，提供凸塊下金屬化(UBM)層。具體而言，在絕緣層1016的腔1017中提供凸塊下金屬化(UBM)層1070。在一些實現(xiàn)中，UBM層1070是銅層。
[0140]在階段8，在UBM層上提供焊球。具體而言，焊球1080耦合至UBM層1070。
[0141]示例性電子設備
[0142]圖11解說了可集成有前述半導體器件、集成電路、管芯、中介體或封裝中的任一者的各種電子設備。例如，移動電話1102、膝上型計算機1104以及固定位置終端1106可包括如本文所述的集成電路(IC) IlOOtJC 1100可以是例如本文所述的集成電路、管芯或封裝件中的任何一種。圖11中所解說的設備1102、1104、1106僅是不例性的。其它電子設備也可以IC1100為特征，包括但不限于移動設備、手持式個人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個人數(shù)字助理)、啟用GPS的設備、導航設備、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、固定位置數(shù)據(jù)單位(諸如儀表讀取裝備)、通信設備、智能電話、平板計算機、或者存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機指令的任何其它設備，或者其任何組合。
[0143]圖2、3、4、5、6、7六-70、8六-80、9、1(^-10(:和/或11中解說的組件、步驟、特征和/或功能中的一個或多個可被重新安排和/或組合成單個組件、步驟、特征或功能，或可在若干組件、步驟、或功能中實施。也可添加額外的元件、組件、步驟、和/或功能而不會脫離本公開。還應當注意，本公開中的圖2、3、4、5、6、7六-70、8六-80、9、1(^-10(:和/或11及其相應描述不限于管芯和/或1C。在一些實現(xiàn)中，圖2、3、4、5、6、7A-7D、8A-8D、9、10A-10C和/或11及其相應描述可被用于制造、創(chuàng)建、提供、和/或生產(chǎn)集成器件。在一些實現(xiàn)中，集成器件可以包括管芯封裝、集成電路(1C)、晶片、半導體器件、和/或中介體。
[0144]措辭“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或解說”。本文中描述為示例性摂?shù)娜魏螌崿F(xiàn)或方面不必被解釋為優(yōu)于或勝過本公開的其他方面。同樣，術語“方面”不要求本公開的所有方面都包括所討論的特征、優(yōu)點或操作模式。術語“耦合”在本文中被用于指兩個對象之間的直接或間接耦合。例如，如果對象A物理地接觸對象B，且對象B接觸對象C，則對象A和C可仍被認為是彼此耦合的一一即便它們并非彼此直接物理接觸。
[0145]還應注意，這些實施例可能是作為被描繪為流程圖、流圖、結構圖、或框圖的過程來描述的。盡管流程圖可能會把諸操作描述為順序過程，但是這些操作中有許多操作能夠并行或并發(fā)地執(zhí)行。另外，這些操作的次序可被重新安排。過程在其操作完成時終止。
[0146]本文中所描述的本公開的各種方面可實現(xiàn)于不同系統(tǒng)中而不會脫離本公開。應注意，本公開的以上各方面僅是示例，且不應被解釋成限定本公開。對本公開的各方面的描述旨在是解說性的，而非限定所附權利要求的范圍。由此，本發(fā)明的教導可以現(xiàn)成地應用于其他類型的裝置，并且許多替換、修改和變形對于本領域技術人員將是顯而易見的。
【主權項】
1.一種集成器件，包括: 用于所述集成器件的基底部分，所述基底部分包括: 介電層；以及 一組重分布金屬層； 耦合至所述基底部分的第一表面的第一管芯；以及 所述第一管芯與所述基底部分之間的底部填料。2.如權利要求1所述的集成器件，其特征在于，進一步包括封裝所述第一管芯的封裝材料。3.如權利要求1所述的集成器件，其特征在于，進一步包括耦合至所述基底部分的第一表面的第二管芯。4.如權利要求3所述的集成器件，其特征在于，進一步包括，所述基底部分上的一組互連，所述一組互連電耦合所述第一管芯和所述第二管芯。5.如權利要求4所述的集成器件，其特征在于，所述第一管芯包括第一組互連柱并且所述第二管芯包括第二組互連柱，所述一組互連耦合至所述第一組互連柱和所述第二組互連柱同時繞過著陸焊盤。6.如權利要求4所述的集成器件，其特征在于，所述一組互連包括約40微米(μπι)或更小的第一間距。7.如權利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一管芯是第一晶片級管芯。8.如權利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一管芯包括第一組互連柱，所述第一管芯通過所述第一組互連柱耦合至所述一組重分布金屬層。9.如權利要求8所述的集成器件，其特征在于，所述第一組互連柱包括約40微米(μπι)或更小的第一間距。10.如權利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、移動設備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計算機、和/或膝上型計算機中的至少一者中。11.一種設備，包括: 用于集成器件的基底部分，所述基底部分包括: 介電層；以及 重分布裝置； 耦合至所述基底部分的第一表面的第一管芯；以及 用于封裝所述第一管芯與所述基底部分之間的區(qū)域的裝置。12.如權利要求11所述的設備，其特征在于，進一步包括封裝所述第一管芯的封裝裝置。13.如權利要求11所述的設備，其特征在于，進一步包括耦合至所述基底部分的第一表面的第二管芯。14.如權利要求13所述的設備，其特征在于，進一步包括，所述基底部分上的一組互連，所述一組互連電耦合所述第一管芯和所述第二管芯。15.如權利要求14所述的設備，其特征在于，所述第一管芯包括第一組互連柱并且所述第二管芯包括第二組互連柱，所述一組互連耦合至所述第一組互連柱和所述第二組互連柱同時繞過著陸焊盤。16.如權利要求14所述的設備，其特征在于，所述一組互連包括約40微米(μπι)或更小的第一間距。17.如權利要求11所述的設備，其特征在于，所述第一管芯是第一晶片級管芯。18.如權利要求11所述的設備，其特征在于，所述第一管芯包括第一組互連柱，所述第一管芯通過所述第一組互連柱耦合至所述重分布裝置。19.如權利要求18所述的設備，其特征在于，所述第一組互連柱包括約40微米(μπι)或更小的第一間距。20.如權利要求11所述的設備，其特征在于，所述設備被納入到以下至少一者中:音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、移動設備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板計算機、和/或膝上型計算機。21.—種用于提供集成器件的方法，包括: 形成用于所述集成器件的基底部分，其中形成所述基底部分包括: 形成介電層；以及 形成一組重分布金屬層； 在所述基底部分的第一表面上提供第一管芯；以及 在所述第一管芯與所述基底部分之間形成底部填料。22.如權利要求21所述的方法，其特征在于，進一步包括，形成封裝所述第一管芯的封裝材料。23.如權利要求21所述的方法，其特征在于，進一步包括，在所述基底部分的第一表面上提供第二管芯。24.如權利要求23所述的方法，其特征在于，進一步包括，在所述基底部分上形成一組互連，所述一組互連電耦合所述第一管芯和所述第二管芯。25.如權利要求24所述的方法，其特征在于，所述第一管芯包括第一組互連柱并且所述第二管芯包括第二組互連柱，所述一組互連耦合至所述第一組互連柱和所述第二組互連柱同時繞過著陸焊盤。26.如權利要求24所述的方法，其特征在于，所述一組互連包括約40微米(μπι)或更小的第一間距。27.如權利要求21所述的方法，其特征在于，所述第一管芯是第一晶片級管芯。28.如權利要求21所述的方法，其特征在于，所述第一管芯包括第一組互連柱，所述第一管芯通過所述第一組互連柱耦合至所述一組重分布金屬層。29.如權利要求28所述的方法，其特征在于，所述第一組互連柱包括約40微米(μπι)或更小的第一間距。30.如權利要求21所述的方法，其特征在于，所述集成器件被納入在音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、通信設備、移動設備、移動電話、智能電話、個人數(shù)字助理、固定位置終端、平板式計算機、和/或膝上型計算機中的至少一者中。
【文檔編號】H01L23/538GK106068558SQ201580011603
【公開日】2016年11月2日
【申請日】2015年3月4日 公開號201580011603.4, CN 106068558 A, CN 106068558A, CN 201580011603, CN-A-106068558, CN106068558 A, CN106068558A, CN201580011603, CN201580011603.4, PCT/2015/18784, PCT/US/15/018784, PCT/US/15/18784, PCT/US/2015/018784, PCT/US/2015/18784, PCT/US15/018784, PCT/US15/18784, PCT/US15018784, PCT/US1518784, PCT/US2015/018784, PCT/US2015/18784, PCT/US2015018784, PCT/US201518784
【發(fā)明人】D·W·金, H·B·蔚, J·S·李, S·顧
【申請人】高通股份有限公司