不間斷電源的含鉑電極的制備方法
【專利摘要】一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:步驟1：通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板（FTO導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的SnO2透明導(dǎo)電玻璃(SnO2：F)，簡稱為FTO）上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE?1010離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長。
【專利說明】
不間斷電源的含鉑電極的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種電池電極，尤其是應(yīng)用于不間斷電源的含鉑電極的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]金屬鉑具有很強(qiáng)的抗腐蝕性，覆蓋到電極上后，能提升電池性能和壽命，但是現(xiàn)有的制備含鉑電極的工藝復(fù)雜，耗能高，不利于大規(guī)模工業(yè)化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提出一種全新的制備方法，簡化工藝流程，提高制備效率。
[0004 ] 一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.1 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0005]步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
【具體實(shí)施方式】
[0006]實(shí)施例1:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.1 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0007]步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
[0008]
實(shí)施例2:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.2 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0009]步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
[0010]
實(shí)施例3:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法: 步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FTO導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.3 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0011]步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
[0012]
實(shí)施例4:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0013]步驟5:將1.4 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
[0014]
實(shí)施例5:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.5 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0015]步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
[0016]
實(shí)施例6:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.6 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0017]步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
[0018]
實(shí)施例7:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.7 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0019]步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
[0020]
實(shí)施例8:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.8 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0021] 步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
[0022]
實(shí)施例9:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.9 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0023]步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
[0024]
實(shí)施例10:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將2.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中； 步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0025]步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL), 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
[0026]
實(shí)施例11:
一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法:
步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FT0導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長；
步驟2:將1.0 mL(也可以從下列數(shù)量中選擇:1.1ml，1.2ml，1.3ml，1.4ml，1.5ml，I.6ml01.7ml，I.8ml，I.9ml，2.0ml)氯鉑酸(濃度為20 mg/mL)，0.4g聚丙烯吡咯烷酮,0.2mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極。
[0027]步驟5:將1.0 mL(也可以從下列數(shù)量中選擇:1.1ml，1.2mI，1.3ml，1.4ml，1.5mI，
1.6ml o I.7ml，I.8ml，1.9ml，2.0ml)氯鈾酸(濃度為20 mg/mL) , 0.6g月桂酸異鯨錯酯,
0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液；
步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中；
步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種不間斷電源的含鉑電極的制備方法: 步驟1:通過離子濺射法在FTO導(dǎo)電玻璃基板(FTO導(dǎo)電玻璃為摻雜氟的Sn02透明導(dǎo)電玻璃(Sn02:F)，簡稱為FT0)上涂覆一層的金屬金薄膜，所使用的儀器為HitachiE-1OlO離子濺射儀，設(shè)置的參數(shù)為壓力12 Pa，電流14 mA，時間25 s，噴一層金薄膜的目的是將金作為種子使后續(xù)的鉑沉積能夠從FTO的表面開始生長； 步驟2:將1.1 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL) , 0.4g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液； 步驟3:將上述混合液放入60 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟I制備的含有金顆粒的FTO玻璃基底正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中； 步驟4:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1500C烘箱中恒溫保持2小時，從而制得初級含鉑電極； 步驟5:將1.0 mL氯鉑酸(濃度為20 mg/mL) , 0.6g月桂酸異鯨蠟酯，0.2g聚丙烯吡咯烷酮，0.2 mL甲胺溶液(濃度為20 mg/mL)與20 mL甲基乙基胺(濃度為10 mg/mL)混合均勻，溶液由無色透明漸漸變?yōu)辄S色渾濁液； 步驟6:將上述混合液放入70 mL的氟化乙烯丙烯共聚物襯底的高壓釜中，同時將步驟4制備的初級含鉑電極正面朝上放入高壓釜，使其完全浸沒在反應(yīng)液中； 步驟7:將密封的高壓反應(yīng)釜放置于1800C烘箱中恒溫保持I小時，從而制得成品含鉑電極。2.本發(fā)明應(yīng)用于不間斷電源領(lǐng)域。
【文檔編號】H01G9/042GK106098388SQ201610535840
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月9日
【發(fā)明人】王瑞明
【申請人】王瑞明