處理被處理體的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種處理被處理體的方法，該方法包括：第一步驟，向收納有被處理體的處理容器內(nèi)供給包含含硅氣體的第一氣體；在執(zhí)行第一步驟之后，在處理容器內(nèi)生成稀有氣體的等離子體的第二步驟；在執(zhí)行第二步驟之后，在處理容器內(nèi)生成含有氧氣的第二氣體的等離子體的第三步驟；和在執(zhí)行第三步驟之后，在處理容器內(nèi)生成稀有氣體的等離子體的第四步驟。該方法反復(fù)執(zhí)行包括所述第一～第四步驟的流程，由此形成硅氧化膜。另外，在該方法中，在第二步驟、第三步驟和第四步驟的至少任一者中，對(duì)電容耦合型的等離子體處理裝置的上部電極施加負(fù)的直流電壓。
【專利說(shuō)明】
處理被處理體的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及對(duì)被處理體進(jìn)行處理的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體器件這樣的電子器件的制造中，存在使用等離子體處理裝置進(jìn)行被處理體的等離子體處理的情況。在等離子體處理中，要求抑制能夠造成產(chǎn)品的缺陷的主要原因的顆粒的產(chǎn)生。
[0003]顆粒能夠從劃分生成等離子體的處理空間的等離子體處理裝置的內(nèi)壁面產(chǎn)生。用于抑制來(lái)自內(nèi)壁面的顆粒的產(chǎn)生的對(duì)策之一是定期地更換提供內(nèi)壁面的部件。另外，抑制來(lái)自內(nèi)壁面的顆粒的產(chǎn)生的其它對(duì)策有在被處理體的等離子體處理的實(shí)施之前，在內(nèi)壁面形成覆膜。后者，即在被處理體的等離子體處理的實(shí)施之前在內(nèi)壁面形成覆膜的技術(shù)，例如被記載在下列的專利文獻(xiàn)I?3中。
[0004]但是，作為等離子體處理的一種，具有等離子體蝕刻。等離子體蝕刻是為了將設(shè)置在被蝕刻層上的掩模的圖案轉(zhuǎn)印到該被蝕刻層而進(jìn)行的。作為掩模，通常使用抗蝕劑掩模。抗蝕劑掩模通過(guò)光刻技術(shù)形成。因此，形成在被蝕刻層的圖案的極限尺寸依賴于通過(guò)光刻技術(shù)形成的抗蝕劑掩模的分辨率。但是，抗蝕劑掩模的分辨率具有極限、即分辨率極限。
[0005]另一方面，對(duì)于電子設(shè)備的高集成化的要求日益增高，要求形成比抗蝕劑掩模的分辨率極限小的尺寸的圖案。因此，如專利文獻(xiàn)4所記載的那樣，提案有通過(guò)在抗蝕劑掩模上形成硅氧化膜，調(diào)整該抗蝕劑掩模的尺寸，縮小由該抗蝕劑掩模提供的開(kāi)口寬度的技術(shù)。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:特開(kāi)2014-53644號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)2:美國(guó)專利第7204913號(hào)說(shuō)明書(shū)
[0010]專利文獻(xiàn)3:特開(kāi)2007-165479號(hào)公報(bào)
[0011]專利文獻(xiàn)4:特開(kāi)2011-82560號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]發(fā)明想要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0013]如上所述，在使用調(diào)整了尺寸的掩模進(jìn)行的等離子體蝕刻中，也需要抑制顆粒的產(chǎn)生。因此，要求在等離子體處理裝置的內(nèi)壁面設(shè)置覆膜。另外，這樣的覆膜并不是在內(nèi)壁面的全部區(qū)域中形成，而是要求有選擇地將該覆膜形成在內(nèi)壁面。而且，要求避免由于覆膜的形成被處理體的處理所需要的時(shí)間增加。即要求抑制生產(chǎn)量的降低。
[0014]因此，在包含掩模的尺寸的調(diào)整的被處理體的處理中，需要在等離子體處理裝置的內(nèi)壁面有選擇地形成覆膜，并且要抑制生產(chǎn)量的降低。
[0015]用于解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案
[0016]—種方式提供使用電容耦合型的等離子體處理裝置處理被處理體的方法。被處理體具有掩模。等離子體處理裝置包括:處理容器、載置臺(tái)和上部電極。處理容器構(gòu)成為提供處理空間。載置臺(tái)構(gòu)成為在其上載置所述被處理體，包括下部電極。上部電極包括頂板。頂板是硅制的，隔著該處理容器內(nèi)的處理空間面對(duì)所述載置臺(tái)。該方法包括:(a)第一步驟，向收納有被處理體的處理容器內(nèi)供給包含含硅氣體的第一氣體；(b)在執(zhí)行第一步驟之后，在處理容器內(nèi)生成稀有氣體的等離子體的第二步驟；(C)在執(zhí)行第二步驟之后，在處理容器內(nèi)生成含有氧氣的第二氣體的等離子體的第三步驟;和(d)在執(zhí)行第三步驟之后，在處理容器內(nèi)生成稀有氣體的等離子體的第四步驟。該方法反復(fù)執(zhí)行包括上述第一步驟?上述第四步驟的流程，由此形成硅氧化膜。另外，在該方法中，在所述第二步驟、所述第三步驟和所述第四步驟的至少任一者中，對(duì)所述上部電極施加負(fù)的直流電壓。
[0017]在一種方式的方法中，在流程中的第一步驟中，在被處理體上形成含硅的前體，在該流程中的第三步驟中，前體發(fā)生氧化。因此，根據(jù)該方法，在被處理體上形成具有對(duì)應(yīng)于流程的反復(fù)進(jìn)行次數(shù)的膜厚的硅氧化膜。由此，調(diào)整掩模的尺寸。另外，該硅氧化膜也形成在劃分等離子體處理裝置的處理空間的內(nèi)壁面。但是，通過(guò)對(duì)上部電極施加的負(fù)的直流電壓，正離子與形成在頂板的表面的膜、即含硅膜或者硅氧化膜碰撞，將該膜除去。因此，根據(jù)該方法，能夠在劃分處理空間的內(nèi)壁面的全部區(qū)域中的頂板以外的區(qū)域有選擇地形成硅氧化膜作為覆膜。并且，在該方法中，在執(zhí)行用于調(diào)整掩模的尺寸的流程時(shí)，在內(nèi)壁面形成覆膜，因此能夠抑制生產(chǎn)量的降低。
[0018]并且，在上述方法中，在第一步驟與第三步驟之間的第二步驟中，利用稀有氣體原子的活性種，使前體表面中的結(jié)合活化。另外，在第四步驟中，硅氧化膜的表面的結(jié)合被活化。由此，消除了硅氧化膜中的S1-O網(wǎng)中的氧缺損。因此，使形成的硅氧化膜致密化，具有高密度。由此，即使是具有提供高縱橫比的開(kāi)口的掩模的被處理體，也能夠在該被處理體的表面上形成高面內(nèi)均勻性和共形的覆蓋性的硅氧化膜。即，能夠降低在被處理體的表面上形成的硅氧化膜的膜厚的不均。此外，共形的覆蓋性是指，掩模的上表面之上的硅氧化膜的膜厚、沿著形成開(kāi)口的掩模的側(cè)面的硅氧化膜的膜厚(寬度)和開(kāi)口的底面上的硅氧化膜的膜厚的相互差異小。
[0019]在一個(gè)實(shí)施方式中，含硅氣體可以是氨基硅烷氣體。在該實(shí)施方式中，在第一步驟中不生成等離子體。
[0020]在一個(gè)實(shí)施方式中，含硅氣體可以是鹵化硅氣體，在該實(shí)施方式的第一步驟中，生成第一氣體的等離子體。鹵化硅氣體例如SiCl4氣體、SiBr4氣體、SiF4氣體或SiH2Cl4氣體在常溫下為氣體狀態(tài)，所以能夠不使用專用的氣化器，而使前體堆積在被處理體上和等離子體處理裝置的內(nèi)壁面。
[0021]在一個(gè)實(shí)施方式中，第一步驟、第二步驟、第三步驟和第四步驟按順序連續(xù)執(zhí)行，在第一步驟、第二步驟、第三步驟和第四步驟中生成所述稀有氣體的等離子體。根據(jù)該實(shí)施方式，在第一步驟與第三步驟之間、第三步驟與接下來(lái)的第一步驟之間不需要另行進(jìn)行處理容器內(nèi)的空間的吹掃。另外，能夠也省略用于使等離子體穩(wěn)定化的期間。因此，能夠進(jìn)一步改善生產(chǎn)量。
[0022]在一個(gè)實(shí)施方式中，在第四步驟中供給到處理容器內(nèi)的稀有氣體的流量，比在第三步驟中供給到處理容器內(nèi)的所述稀有氣體的流量大。在該實(shí)施方式中，能夠?qū)⒃诘谌襟E中使用的氧氣高速地從處理容器內(nèi)的空間排出。因此，能夠進(jìn)一步改善生產(chǎn)量。此外，可以將在第四步驟中供給到處理容器內(nèi)的稀有氣體的流量設(shè)定為在第三步驟中供給到處理容器內(nèi)的所述稀有氣體的流量的5倍以上的流量。通過(guò)在第四步驟中使用這樣的流量的稀有氣體，能夠?qū)⒃诘谌襟E中使用的氧氣更高速地從處理容器內(nèi)排出。
[0023]在一個(gè)實(shí)施方式的第一步驟中，處理容器內(nèi)的壓力為13.33Pa以上的壓力，等離子體生成用的高頻電源的電力被設(shè)定為100W以下的高壓低功率的條件。通過(guò)以這樣的高壓且低功率的條件生成等離子體，能夠抑制過(guò)剩的鹵素的活性種的產(chǎn)生。由此，能夠抑制掩模的損傷和/或已經(jīng)形成的硅氧化膜的損傷。另外，能夠降低基于在被處理體上的位置導(dǎo)致的硅氧化膜的膜厚的不均。并且，在掩模存在較密地設(shè)置的區(qū)域和較疏地設(shè)置的區(qū)域的情況下，即，掩模的圖案存在疏密的情況下，能夠降低在兩種區(qū)域形成的硅氧化膜的膜厚的差異。
[0024]在一個(gè)實(shí)施方式的第一步驟中，不對(duì)下部電極供給引入離子用的高頻偏置電力。根據(jù)該實(shí)施方式，能夠進(jìn)一步提高相對(duì)于凹凸部的掩模形狀在掩模的上表面和側(cè)面以及該掩模的基底的表面分別形成的硅氧化膜的膜厚的均勻性。
[0025]在一個(gè)實(shí)施方式中，被處理體還具有有機(jī)膜，上述掩?？梢栽O(shè)置在該有機(jī)膜上。該實(shí)施方式的方法還包括:利用在處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體，對(duì)硅氧化膜進(jìn)行蝕刻，使得保留沿著掩模的側(cè)壁形成的硅氧化膜的部分區(qū)域的步驟;和利用在處理容器內(nèi)生成的等離子體，對(duì)有機(jī)膜進(jìn)行蝕刻的步驟。根據(jù)該方法，由于在等離子體處理裝置的內(nèi)壁面形成有覆膜，所以能夠抑制在有機(jī)膜的蝕刻時(shí)生成的等離子體導(dǎo)致的從內(nèi)壁面產(chǎn)生顆粒的狀況。
[0026]在一個(gè)實(shí)施方式中，被處理體還具有由硅氧化膜構(gòu)成的被蝕刻層，有機(jī)膜設(shè)置在該被蝕刻層上。該實(shí)施方式的方法還包括:在執(zhí)行蝕刻有機(jī)膜的上述步驟之后，利用在處理容器內(nèi)生成的等離子體，對(duì)被蝕刻層進(jìn)行蝕刻的步驟。根據(jù)該實(shí)施方式，在蝕刻被蝕刻層時(shí)，也能夠除去在等離子體處理裝置的內(nèi)壁面形成的硅氧化膜。
[0027]在一個(gè)實(shí)施方式中，被處理體還具有設(shè)置在有機(jī)膜上的含硅防反射膜，掩模為設(shè)置在防反射膜上的抗蝕劑掩模。該實(shí)施方式的方法還包括以下步驟:在執(zhí)行蝕刻硅氧化膜的上述步驟之后、執(zhí)行蝕刻有機(jī)膜的上述步驟之前，利用在處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體，對(duì)防反射膜進(jìn)行蝕刻。
[0028]在一個(gè)實(shí)施方式的方法中，還包括以下步驟:在反復(fù)執(zhí)行包含第一?第四步驟的流程之前，在處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體，對(duì)上部電極施加負(fù)的直流電壓，由此對(duì)掩模照射二次電子。根據(jù)該實(shí)施方式，將抗蝕劑掩模改性，能夠抑制后續(xù)的步驟導(dǎo)致的抗蝕劑掩模的損傷。
[0029]在一個(gè)實(shí)施方式的方法中，還包括以下步驟:在反復(fù)執(zhí)行包含第一?第四步驟的流程之前，利用在處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體，對(duì)在其上具有抗蝕劑掩模的防反射膜進(jìn)行蝕刻，來(lái)由上述防反射膜形成上述掩模。
[0030]在一個(gè)實(shí)施方式的方法中，還包括以下步驟:在執(zhí)行蝕刻防反射膜的步驟之前，在處理容器內(nèi)生成等離子體，對(duì)上部電極施加負(fù)的直流電壓，由此對(duì)抗蝕劑掩模照射二次電子。根據(jù)該實(shí)施方式，將抗蝕劑掩模改性，能夠抑制后續(xù)的步驟導(dǎo)致的抗蝕劑掩模的損傷。
[0031]在一個(gè)實(shí)施方式的方法中，還包括以下步驟:在執(zhí)行蝕刻防反射膜的上述步驟之后且反復(fù)執(zhí)行包括第一?第四步驟的流程之前，在被處理體上形成氧化硅制的保護(hù)膜。根據(jù)該實(shí)施方式，能夠保護(hù)有機(jī)膜不受在第三步驟中產(chǎn)生的氧氣的等離子體損傷。
[0032]發(fā)明效果
[0033]如以上所說(shuō)明，在包括調(diào)整掩模的尺寸的被處理體的處理中，能夠在等離子體處理裝置的內(nèi)壁面有選擇地形成覆膜，并且能夠抑制生產(chǎn)量的降低。
【附圖說(shuō)明】
[0034]圖1是表示一個(gè)實(shí)施方式的處理被處理體的方法的流程圖。
[0035]圖2是表示等離子體處理裝置的一例的圖。
[0036]圖3是概略地表示圖1所示的方法的實(shí)施之前的被處理體的狀態(tài)和等離子體處理裝置的狀態(tài)的截面圖。
[0037]圖4是概略地表示圖1所示的方法的實(shí)施的途中階段的被處理體的狀態(tài)和等離子體處理裝置的狀態(tài)的截面圖。
[0038]圖5是表不對(duì)上部電極施加負(fù)的直流電壓時(shí)的正離子的動(dòng)作的圖。
[0039]圖6是概略地表示圖1所示的方法的實(shí)施的途中階段的被處理體的狀態(tài)和等離子體處理裝置的狀態(tài)的截面圖。
[0040]圖7是概略地表示圖1所示的方法的實(shí)施結(jié)束時(shí)的被處理體的狀態(tài)和等離子體處理裝置的狀態(tài)的截面圖。
[0041]圖8是關(guān)于圖1所示的方法的時(shí)序圖。
[0042]圖9是表示另一實(shí)施方式的處理被處理體的方法的流程圖。
[0043]圖10是表示關(guān)于圖9所示的方法的等離子體的生成和稀有氣體的氣體流量的時(shí)序圖。
[0044]圖11是表示包括圖1所示的方法或者圖9所示的方法的、處理被處理體的方法的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。
[0045]圖12是表示執(zhí)行圖11所示的方法的各步驟后的被處理體的狀態(tài)的截面圖。
[0046]圖13是表示執(zhí)行圖11所示的方法的各步驟后的被處理體的狀態(tài)的截面圖。
[0047]圖14是表示包括圖1所示的方法或者圖9所示的方法的、處理被處理體的方法的另一實(shí)施方式的流程圖。
[0048]圖15是表示執(zhí)行圖14所示的方法的各步驟后的被處理體的狀態(tài)的截面圖。
[0049]圖16是表示執(zhí)行圖14所示的方法的各步驟后的被處理體的狀態(tài)的截面圖。
[0050]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0051 ] 10等離子體處理裝置
[0052]12處理容器
[0053]PD載置臺(tái)
[0054]ESC靜電卡盤
[0055]LE下部電極
[0056]30上部電極
[0057]34 頂板
[0058]40氣體源組
[0059]50排氣裝置
[0060]62第一高頻電源[0061 ] 64第二高頻電源
[0062]70 電源
[0063]Cnt控制部
[0064]ff 晶片
[0065]MK 掩模
[0066]UR基底區(qū)域
[0067]SB 基板
[0068]EL被蝕刻層
[0069]OL有機(jī)膜
[0070]AL防反射膜[0071 ]MKl 掩模
[0072]SX、SX2 硅氧化膜。
【具體實(shí)施方式】
[0073]以下，參照附圖對(duì)各種實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。此外，在各附圖中，對(duì)相同或者對(duì)應(yīng)的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記。
[0074]圖1是表示一個(gè)實(shí)施方式的處理被處理體的方法的流程圖。圖1所示的方法MTA是包含調(diào)整被處理體(以下，有時(shí)稱為“晶片W” )的抗蝕劑掩模的尺寸，縮小該抗蝕劑掩模的開(kāi)口寬度的方法。在一個(gè)實(shí)施方式的方法MTA中，能夠使用單一的等離子體處理裝置執(zhí)行一系列的步驟。
[0075]圖2是表示等離子體處理裝置的一例的圖。在圖2中概略地表示了在處理被處理體的方法的各種實(shí)施方式中能夠利用的等離子體處理裝置10的截面構(gòu)造。圖2表示的等離子體處理裝置10是容量耦合型的等離子體蝕刻裝置。等離子體處理裝置10具有處理容器12。處理容器12具有大致圓筒形狀。處理容器12例如由鋁構(gòu)成。另外，在處理容器12的內(nèi)壁面、即劃分該處理容器12的內(nèi)部空間的壁面，實(shí)施陽(yáng)極氧化處理。另外，處理容器12的內(nèi)壁面能夠包括氧化釔這樣的陶瓷材料所形成的覆蓋。另外，在處理容器12的側(cè)壁12s設(shè)置有晶片W的搬入搬出口 12g。該搬入搬出口 12g能夠通過(guò)閘閥54而開(kāi)閉。處理容器12被接地。
[0076]在處理容器12內(nèi)，設(shè)置有載置臺(tái)PD。在載置臺(tái)H)的上表面保持晶片W。載置臺(tái)PD包括支承部14、下部電極LE和靜電卡盤ESC。支承部14具有大致圓筒形狀，由石英這樣的絕緣材料構(gòu)成。支承部14在處理容器12內(nèi)從處理容器12的底部在鉛直方向上延伸。該支承部14支承下部電極LE和靜電卡盤ESC。
[0077]下部電極LE包括第一板18a和第二板18b。第一板18a和第二板18b例如由鋁這樣的金屬構(gòu)成，形成為大致圓盤形狀。第二板18b設(shè)置在第一板18a上，與第一板18a電連接。
[0078]在第二板18b上設(shè)置有靜電卡盤ESC。靜電卡盤ESC具有在一對(duì)絕緣層或者絕緣片之間配置有作為導(dǎo)電膜的電極的結(jié)構(gòu)。直流電源22經(jīng)由開(kāi)關(guān)23與靜電卡盤ESC的電極電連接。該靜電卡盤ESC通過(guò)來(lái)自直流電源22的直流電壓產(chǎn)生的庫(kù)侖力等的靜電力吸附晶片W。由此，靜電卡盤ESC能夠保持晶片W。
[0079]在第二板18b的周緣部上，以包圍晶片W的邊緣和靜電卡盤ESC的方式配置有聚焦環(huán)FR。該聚焦環(huán)FR是為了提高等離子體處理的均勻性而設(shè)置的。聚焦環(huán)FR能夠根據(jù)等離子體處理適當(dāng)選擇材料來(lái)形成，例如能夠由石英構(gòu)成。
[0080]在第二板18b的內(nèi)部，設(shè)置有制冷介質(zhì)流路24。制冷介質(zhì)流路24構(gòu)成溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)。從設(shè)置在處理容器12的外部的冷卻器單元經(jīng)由配管26a對(duì)該制冷介質(zhì)流路24供給制冷介質(zhì)。供給到制冷介質(zhì)流路24的制冷介質(zhì)經(jīng)由配管26b返回到冷卻器單元。像這樣，制冷介質(zhì)在制冷介質(zhì)流路24中循環(huán)供給。通過(guò)控制該制冷介質(zhì)的溫度，能夠控制由靜電卡盤ESC支承的晶片W的溫度。
[0081]另外，在等離子體處理裝置10設(shè)置有氣體供給管28。氣體供給管28將來(lái)自導(dǎo)熱氣體供給機(jī)構(gòu)的導(dǎo)熱氣體、例如He氣體供給到靜電卡盤ESC的上表面與晶片W的背面之間。
[0082]另外，在等離子體處理裝置10設(shè)置有作為加熱元件的加熱器HT。加熱器例如埋入在第二板18b內(nèi)。在加熱器HT連接有加熱器電源HP。從加熱器電源HP向加熱器HT供給電力，由此調(diào)整載置臺(tái)PD的溫度，從而能夠調(diào)整載置在該載置臺(tái)H)上的晶片W的溫度。此外，加熱器HT也可以內(nèi)置在靜電卡盤ESC中。
[0083]另外，等離子體處理裝置10具有上部電極30。上部電極30在載置臺(tái)PD的上方與該載置臺(tái)ro相對(duì)配置。下部電極LE與上部電極30相互大致平行地設(shè)置。
[0084]上部電極30隔著絕緣性遮擋部件32被支承在處理容器12的上部。絕緣性遮擋部件32由絕緣材料構(gòu)成，例如，能夠由石英構(gòu)成。上部電極30包含頂板34和電極支承體36。頂板34面向處理空間S，在該頂板34設(shè)置有多個(gè)氣體噴出孔34a。該頂板34由硅構(gòu)成。
[0085]電極支承體36將頂板34以能夠自由裝卸的方式支承，例如能夠由鋁這樣的導(dǎo)電性材料構(gòu)成。該電極支承體36能夠具有水冷構(gòu)造，在電極支承體36的內(nèi)部設(shè)置有氣體擴(kuò)散室36a。與氣體噴出孔34a連通的多個(gè)氣體流通孔36b從該氣體擴(kuò)散室36a向下方延伸。另外，在電極支承體36形成有向氣體擴(kuò)散室36a導(dǎo)入處理氣體的氣體導(dǎo)入口 36c，由此，該氣體導(dǎo)入口 36c與氣體供給管38連接。
[0086]氣體供給管38經(jīng)由閥門組42和流量控制器組44與氣體源組40連接。氣體源組40具有多個(gè)氣體源。多個(gè)氣體源能夠包括含有硅的氣體源、氧氣源、氮?dú)庠?、氟碳?xì)怏w源、稀有氣體源和不活潑性氣體源。在一個(gè)實(shí)施方式中，含硅氣體為氨基硅烷氣體。另外，在另一實(shí)施方式中，含硅氣體為鹵化硅氣體。作為鹵化硅氣體例如能夠使用SiCl4氣體。另外，作為鹵化硅氣體也可以使用SiBr4氣體、SiF4氣體SiH2Cl4氣體。另外，作為氟碳?xì)怏w能夠使用CF4氣體、C4F6氣體、C4F8氣體這樣的任意的氟碳?xì)怏w。另外，作為稀有氣體能夠使用He氣體、Ne氣體、Ar氣體、Kr氣體這樣的任意的稀有氣體。另外，作為不活潑性氣體，沒(méi)有特別的限定，可以使用氮?dú)狻?br>[0087]閥門組42包含多個(gè)閥門，流量控制器組44包含稱為質(zhì)量流量控制器的多個(gè)流量控制器。氣體源組40的多個(gè)氣體源分別經(jīng)由閥門組42的對(duì)應(yīng)的閥門和流量控制器組44的對(duì)應(yīng)的流量控制器與氣體供給管38連接。因此，等離子體處理裝置10能夠?qū)?lái)自從氣體源組40的多個(gè)氣體源中選擇的一個(gè)以上的氣體源的氣體以單獨(dú)地調(diào)整后的流量，供給到處理容器12內(nèi)。
[0088]在處理容器12內(nèi)、且在支承部14與處理容器12的側(cè)壁12s之間，設(shè)置有排氣板48。排氣板48例如能夠通過(guò)在鋁材覆蓋氧化釔等的陶瓷來(lái)形成。在該排氣板48形成有多個(gè)貫通孔。在排氣板48的下方，排氣管52連接到處理容器12的底部。在該排氣管52連接有排氣裝置50。排氣裝置50具有渦輪分子栗等的真空栗，能夠?qū)⑻幚砣萜?2內(nèi)的空間減壓到要求的真空度。
[0089]另外，等離子體處理裝置10還具有第一高頻電源62和第二高頻電源64。第一高頻電源62是產(chǎn)生等離子體生成用的第一高頻的電源，產(chǎn)生27?10MHz的頻率、例如40MHz的高頻。第一高頻電源62經(jīng)由匹配器66與上部電極30連接。匹配器66是用于使第一高頻電源62的輸出阻抗與負(fù)載側(cè)(上部電極30側(cè))的輸入阻抗匹配的電路。此外，第一高頻電源62可以經(jīng)由匹配器66與下部電極LE連接。
[0090]第二高頻電源64是產(chǎn)生用于向晶片W引入離子的第二高頻、即高頻偏置電力的電源，產(chǎn)生400kHz?13.56MHz的范圍內(nèi)的高頻、例如3.2MHz的高頻偏置電力。第二高頻電源64經(jīng)由匹配器68與下部電極LE連接。匹配器68是用于使第二高頻電源64的輸出阻抗與負(fù)載側(cè)(下部電極LE側(cè))的輸入阻抗匹配的電路。
[0091]另外，等離子體處理裝置10還具有電源70。電源70與上部電極30連接。電源70對(duì)上部電極30施加負(fù)的直流電壓，該負(fù)的直流電壓用于將處理空間S內(nèi)存在的正離子引入到頂板34。
[0092]在使用該等離子體處理裝置10執(zhí)行等離子體處理時(shí)，來(lái)自從氣體源組40的多個(gè)氣體源中選擇的氣體源的氣體被供給到處理容器12內(nèi)。被供給到處理容器12內(nèi)的氣體被由來(lái)自第一高頻電源62的高頻產(chǎn)生的高頻電場(chǎng)激勵(lì)。由此，在處理容器12內(nèi)的處理空間S中產(chǎn)生等離子體。此外，處理空間S是等離子體處理裝置10中生成等離子體的空間，是比排氣板48靠上方的處理容器12內(nèi)的空間。劃分該處理空間S的等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面包括處理容器12的側(cè)壁12s的內(nèi)壁面121、載置臺(tái)H)的表面和頂板34的下表面34i。當(dāng)在這樣的處理空間S中生成等離子體時(shí)，利用離子和自由基這樣的活性種對(duì)載置在載置臺(tái)H)上的晶片W進(jìn)行處理。此外，在等離子體處理中，當(dāng)需要對(duì)晶片W進(jìn)行離子的引入的情況下，在執(zhí)行該等離子體處理時(shí)，來(lái)自第二高頻電源64的高頻偏置電力可以被施加到下部電極LE。另外，當(dāng)在等離子體處理中需要對(duì)上部電極30進(jìn)行正離子的引入的情況下，在執(zhí)行該等離子體處理時(shí)，可以從電源70對(duì)上部電極30施加負(fù)的直流電壓。
[0093]在一個(gè)實(shí)施方式中，等離子體處理裝置10還能夠具有控制部Cnt。該控制部Cnt是具有處理器、存儲(chǔ)部、輸入裝置、顯示裝置等的計(jì)算機(jī)，控制等離子體處理裝置10的各部。具體而言，控制部Cnt連接有閥門組42、流量控制器組44、排氣裝置50、第一高頻電源62、匹配器66、第二高頻電源64、匹配器68、電源70、加熱器電源HP和冷卻器單元。
[0094]控制部Cn按照基于被輸入的方案的程序工作，輸出控制信號(hào)。根據(jù)來(lái)自控制部Cnt的控制信號(hào)，控制來(lái)自氣體源組40的氣體的供給、排氣裝置50的排氣、來(lái)自第一高頻電源62和第二高頻電源64的高頻的供給、來(lái)自電源70的電壓施加、加熱器電源HP的電力供給、來(lái)自冷卻器單元的制冷介質(zhì)流量和制冷介質(zhì)溫度。此外，本說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的處理被處理體的方法的各步驟，通過(guò)基于控制部Cn的控制使等離子體處理裝置10的各部工作，由此能夠執(zhí)行。
[0095]再次參照?qǐng)D1對(duì)方法MTA進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。以下，對(duì)方法MTA的實(shí)施時(shí)使用等離子體處理裝置10的例子進(jìn)行說(shuō)明。而且，在以下的說(shuō)明中參照?qǐng)D3?圖8。圖3是概略地表示圖1所示的方法的實(shí)施之前的被處理體的狀態(tài)和等離子體處理裝置的狀態(tài)的截面圖。圖4和圖6是概略地表示圖1所示的方法的實(shí)施的中途階段的被處理體的狀態(tài)和等離子體處理裝置的狀態(tài)的截面圖。圖5是表示對(duì)上部電極施加負(fù)的直流電壓時(shí)的正離子的行動(dòng)的圖。圖7是概略地表示圖1所示的方法的實(shí)施結(jié)束時(shí)的被處理體的狀態(tài)和等離子體處理裝置的狀態(tài)。圖8是與圖1所示方法關(guān)聯(lián)的時(shí)序圖。圖8中表示鹵化硅氣體的等離子體的生成、氧氣的等離子體的生成、稀有氣體的等離子體的生成和吹掃執(zhí)行的時(shí)序圖。關(guān)于圖8的等離子體的時(shí)序圖中，High電平(圖中以“H”標(biāo)記)表示生成各氣體的等離子體，Low電平(圖中以“L”標(biāo)記)表示不生成各氣體的等離子體。另外，圖8中也表示了關(guān)于吹掃的時(shí)序圖。在關(guān)于吹掃的時(shí)序圖中，High電平(圖中以“H”標(biāo)記)表示正在進(jìn)行吹掃，Low電平(圖中以“L”標(biāo)記)表示沒(méi)有進(jìn)行吹掃。
[0096]圖1所示的方法MTA中，首先準(zhǔn)備圖3的(a)所示的晶片W。晶片W包含基底區(qū)域UR和掩模MK?；讌^(qū)域UR是掩模MK的基底，是包含被蝕刻層的區(qū)域。在方法MTA中，這樣的晶片W被收納在等離子體處理裝置10的處理容器12內(nèi)，如圖3的(b)所示，被載置在載置臺(tái)H)上。
[0097]并且，在方法MTA中，反復(fù)執(zhí)行流程SQA。流程SQA包括步驟STAl、步驟STA2、步驟STA3、和步驟STA4。另外，流程SQA還可以包括執(zhí)行吹掃的步驟STPl、步驟STP2、步驟STP3和步驟STP4。
[0098]如圖1所示，在步驟STAl中，第一氣體被供給到處理容器12內(nèi)。在步驟STAl的一個(gè)實(shí)施方式中，第一氣體作為含硅氣體含有齒化硅氣體。第一氣體作為齒化硅氣體例如含有SiCl4氣體。此外，第一氣體作為鹵化硅氣體也可以含有SiBr4氣體、SiF4氣體SiH2Cl4氣體。另夕卜，第一氣體還能夠含有He氣體、Ne氣體、Ar氣體或者Kr氣體這樣的稀有氣體。
[0099]在第一氣體作為含有硅的氣體包含鹵化硅的實(shí)施方式的步驟STAl中，如圖8所示，生成第一氣體的等離子體。具體而言，在步驟STAl中，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源，向處理容器12內(nèi)供給第一氣體(鹵化硅氣體和稀有氣體)。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另外，從第一高頻電源62供給高頻。由此，生成第一氣體的等離子體。在步驟STAl中生成第一氣體的等離子體時(shí)，生成第一氣體中含有的鹵化硅的離解種這樣的反應(yīng)前體。所生成的前體附著在晶片W上，如圖4的(a)所示，在晶片W的表面上形成含硅膜SF。另外，所生成的前體，如圖4的(b)所示，在處理容器12的內(nèi)壁面121、頂板34的下表面34i這樣的等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面也形成含硅膜SF0
[0100]在步驟STAl的另一實(shí)施方式中，第一氣體作為含硅氣體包含氨基硅烷氣體。該實(shí)施方式即第一氣體含有氨基硅烷的實(shí)施方式中，在步驟STAl中不生成等離子體。在使用含有氨基硅烷的第一氣體的實(shí)施方式中，與生成含有鹵化硅氣體的第一氣體的等離子體的實(shí)施方式同樣地，能夠在晶片W的表面和等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面形成含硅膜SF。
[0101 ]如圖1和圖8所示，在接下來(lái)的步驟STPI中，處理容器12內(nèi)的空間被吹掃。具體而言，在步驟STAl中所供給的第一氣體被排氣。在步驟STPl中，將氮?dú)膺@樣的不活潑性氣體作為吹掃氣體供給到等離子體處理裝置的處理容器12內(nèi)。即，在步驟STPl中，執(zhí)行在處理容器12內(nèi)流通不活潑性氣體的氣體吹掃、或者基于抽真空的吹掃、或者氣體吹掃和基于抽真空的吹掃者兩者。在該步驟STPl中除去在晶片W上過(guò)剩地附著的前體。
[0102]在接下來(lái)的步驟STA2中，在處理容器12內(nèi)，生成He氣體、Ne氣體、Ar氣體或者Kr氣體這樣的稀有氣體的等離子體。具體而言，在步驟STA2中，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源向處理容器12內(nèi)供給稀有氣體。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。并且從第一高頻電源62供給高頻。由此，生成稀有氣體的等離子體。接著，在步驟STP2中，與步驟STPl同樣地吹掃處理容器12內(nèi)的空間。
[0103]在接下來(lái)的步驟STA3中，在處理容器12內(nèi)生成還有氧氣的第二氣體的等離子體。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二氣體在氧氣外還含有He氣體、Ne氣體、Ar氣體或者Kr氣體這樣的稀有氣體，在步驟STA3中，如圖8所示，生成氧氣的等離子體和稀有氣體的等離子體。具體而言，在步驟STA3中，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源向處理容器12內(nèi)供給第二氣體。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為要求的壓力。并且，從第一高頻電源62供給高頻。另外，在一個(gè)實(shí)施方式的步驟STA3中，從電源70向上部電極30施加負(fù)的直流電壓。從電源70向上部電極30施加的負(fù)的直流電壓為-500V以下的電壓值。
[0104]如圖5所示，在步驟STA3中，生成第二氣體的等離子體PL。然后，通過(guò)對(duì)上部電極30施加負(fù)的直流電壓，正離子(圖中以由圓圈包圍的“+”表示)與在頂板34的下表面34i形成的含娃膜SF碰撞。由此，如圖6的(b)所不，將在頂板34的下表面34i形成的含娃膜SF除去。另一方面，在頂板34的下表面34i以外的等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面、即在處理容器12的內(nèi)壁面12i等形成的含硅膜SF與氧發(fā)生反應(yīng)，由此改性為硅氧化膜SX。另外，如圖6的(a)所示，晶片W上的含硅膜SF也改性為硅氧化膜SX。
[0105]在接下來(lái)的步驟STP3中，與步驟STPl和步驟STP2同樣地對(duì)處理容器12內(nèi)的空間進(jìn)行吹掃。在接下來(lái)的步驟STA4中，與步驟STA2同樣地在處理容器12內(nèi)生成稀有氣體的等離子體。在接下來(lái)的步驟STP4中，與步驟STPl和步驟STP2和步驟STP3同樣地進(jìn)行處理容器12內(nèi)的空間的吹掃。
[0106]在接下來(lái)的步驟STJ中，判斷流程SQA的執(zhí)行是否結(jié)束。具體而言，在步驟STJ中判斷流程SQA的執(zhí)行次數(shù)是否達(dá)到規(guī)定次數(shù)。流程SQA的執(zhí)行次數(shù)決定在晶片W的表面和等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面形成的硅氧化膜SX的膜厚。即，由通過(guò)執(zhí)行I次流程SQA形成的硅氧化膜的膜厚和流程SQA的執(zhí)行次數(shù)的乘積，實(shí)質(zhì)上決定最終形成的硅氧化膜SX的膜厚。因此，根據(jù)在晶片W的表面上形成的硅氧化膜的要求膜厚，設(shè)定流程SQA的執(zhí)行次數(shù)。
[0107]在步驟STJ中判斷為流程SQA的執(zhí)行次數(shù)沒(méi)有達(dá)到規(guī)定次數(shù)的情況下，從步驟STAl起反復(fù)執(zhí)行流程SQA。另一方面，在步驟STJ中判斷為流程SQA的執(zhí)行次數(shù)已經(jīng)達(dá)到規(guī)定次數(shù)的情況下，結(jié)束流程SQA的執(zhí)行。通過(guò)像這樣反復(fù)進(jìn)行流程SQA，如圖7的(a)所示，在晶片W的表面上形成具有要求的膜厚的硅氧化膜SX。另外，如圖7的(b)所示，在等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面的全部區(qū)域中、頂板34的下表面34i以外的區(qū)域即處理容器12的內(nèi)壁面12i等，有選擇地形成作為覆膜的硅氧化膜SX。
[0108]在該方法MTA中，能夠?qū)⒐柩趸X的膜厚調(diào)整為對(duì)應(yīng)于流程SQA的執(zhí)行次數(shù)的要求的膜厚，所以能夠調(diào)整掩模MK的尺寸將該掩模MK的開(kāi)口的寬度調(diào)整為所要求的寬度。另夕卜，在等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面的整個(gè)區(qū)域中、頂板34的下表面34i以外的區(qū)域有選擇地形成作為覆膜的硅氧化膜SX。另外，因?yàn)樵趫?zhí)行用于掩模MK的尺寸的調(diào)整的流程SQA時(shí)，能夠在等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面有選擇地形成硅氧化膜SX，所以能夠抑制生產(chǎn)量的降低。
[0109]此外，在上述的說(shuō)明中，敘述了在步驟STA3中從電源70對(duì)上部電極30施加負(fù)的直流電壓的例子，但是，來(lái)自電源70的負(fù)的直流電壓能夠在步驟STA2、步驟STA3和步驟STA4中的至少一個(gè)步驟中向上部電極30施加。由此，在流程SQA的執(zhí)行中能夠有選擇地除去形成于頂板34的下表面34i的膜。
[0110]另外，根據(jù)方法MTA，在步驟STAl和步驟STA3之間的步驟STA2中，通過(guò)稀有氣體原子的活性種使在含硅膜SF的前體表面的結(jié)合活化。另外，在步驟STA4中，使硅氧化膜SX的表面的結(jié)合活化。由此，消除了硅氧化膜SX中的S1-O的網(wǎng)中的氧缺損。因此，使想成的硅氧化膜SX致密化，成為具有高密度的膜。由此，即使是具有提供以高縱橫比形成的開(kāi)口的掩模MK的晶片W，也在該晶片W的表面上共形地形成具有高面內(nèi)均勻性和共形的覆蓋性的硅氧化膜SX。即，降低在晶片W的表面上形成的硅氧化膜SX的膜厚的不均。
[0111]更具體而言，如圖7的(a)所示，在晶片W上形成的硅氧化膜SX包括區(qū)域R1、區(qū)域R2和區(qū)域R3。區(qū)域R3是在掩模MK的側(cè)面、即劃分開(kāi)口 OP的側(cè)壁面上沿著該側(cè)面延伸的區(qū)域。區(qū)域Rl在掩模MK的上表面之上和區(qū)域R3上延伸。另外，區(qū)域R2是在相鄰的R3之間且在基底區(qū)域UR的表面上延伸。根據(jù)方法MTA，即使是具備具有高縱橫比的開(kāi)口OP的掩模MK的晶片W，也能夠使區(qū)域R1、區(qū)域R2和區(qū)域R3各自的硅氧化膜的膜厚T1、T2、T3的差異降低。
[0112]另外，在一個(gè)實(shí)施方式的步驟STAl中，作為前體用的氣體使用鹵化硅氣體。鹵化硅氣體例如SiCl4氣體、SiBr4氣體、SiF4氣體或者SiH2Cl4氣體在常溫下為氣化狀態(tài)。因此，在一個(gè)實(shí)施方式的步驟STAl中，不使用具有氣化器的專用的成膜裝置，就能夠使含有硅的前體在低溫下堆積在晶片W上和等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面。
[0113]此外，在作為前體用的氣體使用鹵化硅氣體的實(shí)施方式中，執(zhí)行步驟STAl時(shí)的處理容器12內(nèi)的壓力沒(méi)有特別的限定，被設(shè)定為13.33Pa(100mTorr)以上的壓力。另外，執(zhí)行該實(shí)施方式的步驟STAl時(shí)的第一高頻電源62的高頻電力設(shè)定為100W以下的電力。通過(guò)以這樣的高壓且低功率的條件生成等離子體，能夠抑制鹵化硅氣體的過(guò)剩的離解。即，能夠抑制過(guò)剩地產(chǎn)生鹵素的活性種。此外，作為產(chǎn)生抑制了過(guò)剩離解的同樣的等離子體狀態(tài)的方法，也可以使用第二高頻電源64。由此，能夠抑制掩模MK的損傷和/或已經(jīng)形成的硅氧化膜的損傷。此外，能夠降低區(qū)域R1、區(qū)域R2和區(qū)域R3的膜厚的差異。而且，在掩模MK存在設(shè)計(jì)為密的區(qū)域和設(shè)計(jì)為疏的區(qū)域的情況下，即掩模MK的圖案存在疏密的情況下，能夠降低形成在這兩種區(qū)域的硅氧化膜的膜厚的差異。
[0114]另外，在作為前體用的氣體使用鹵化硅氣體的實(shí)施方式中，在執(zhí)行步驟STAl時(shí)，來(lái)自第二高頻電源64的高頻偏置電力幾乎不被供給到下部電極LE、或者不被供給。這是由于施加高頻偏置電力而產(chǎn)生各向異性成分導(dǎo)致的。像這樣通過(guò)使高頻偏置電力的電力為最小限，能夠使前體各向同性地附著在晶片W。其結(jié)果是，能夠使在掩模MK的上表面和側(cè)面、以及該掩模MKl的基底的表面分別形成的硅氧化膜的膜厚的均勻性提高。此外，在使用第二高頻電源64生成等離子體的情況下，為了使前體各向同性地附著，需要選擇使離子能量為最小限的條件。另外，步驟STA3的執(zhí)行為了將在步驟STAl附著的前體置換為硅氧化膜，需要與上述步驟STAl同樣的各向同性的反應(yīng)。因此，在步驟STA3中來(lái)自第二高頻電源64的高頻偏置電力也幾乎不被供給到下部電極LE、或者不被供給到下部電極LE。
[0115]以下，對(duì)處理被處理體的方法的另一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖9是表示另一實(shí)施方式的處理被處理體的方法的流程圖。圖10是圖9所示的方法中的關(guān)于等離子體的生成和稀有氣體的氣體流量的時(shí)序圖。圖10中是表示關(guān)于鹵化硅氣體的等離子體、氧氣的等離子體和稀有氣體的等離子體的時(shí)序圖。圖10的關(guān)于等離子體的時(shí)序圖中，High電平(圖中以“H”標(biāo)記)表示生成各氣體的等離子體，Low電平(圖中以“L”標(biāo)記)表示不生成各氣體的等離子體。另外，圖10中也表示了關(guān)于供給到等離子體處理裝置的處理容器內(nèi)的稀有氣體的流量的時(shí)序圖。關(guān)于稀有氣體的流量的時(shí)序圖中，電平越高表示稀有氣體的流量越高。
[0116]圖9所示的方法MTB，通過(guò)反復(fù)執(zhí)行流程SQB，在晶片W的表面上形成硅氧化膜SXt^b夕卜，方法MTB的步驟STJ是與方法MTA的步驟STJ同樣地判斷流程的執(zhí)行的結(jié)束的步驟。
[0117]流程SQB包括步驟STBl、步驟STB2、步驟STB3和步驟STB4。步驟STBl是與流程SQA的一個(gè)實(shí)施方式的步驟STAl同樣的步驟，該步驟STBl中，在等離子體處理裝置10的處理容器12內(nèi)生成包含鹵化硅氣體和稀有氣體的第一氣體的等離子體。步驟STB2是與流程SQA的步驟STA2同樣的步驟，在該步驟STB2中，在處理容器12內(nèi)生成稀有氣體的等離子體。步驟STB3是與流程SQA的步驟STA3同樣的步驟，在該步驟STB3中，在處理容器12內(nèi)生成第二氣體的等離子體。另外，步驟STB4是與流程SQA的步驟STA4同樣的步驟，在該步驟STB4中，在處理容器12內(nèi)生成稀有氣體的等離子體。此外，對(duì)上部電極30的負(fù)的直流電壓的施加可以在步驟STB2、步驟STB3和步驟STB4中的至少一個(gè)步驟中執(zhí)行。
[0118]在流程SQB中，可以按順序連續(xù)執(zhí)行步驟STBl、步驟STB2、步驟STB3和步驟STB4。即，在流程SQB中，執(zhí)行流程SQA的步驟STPl、步驟STP2、步驟STP3和步驟STP4這樣的吹掃。
[0119]另外，在流程SQB中，如圖10所示，在步驟STBl、步驟STB2、步驟STB3和步驟STB4中生成稀有氣體的等離子體。即，在流程SQB的執(zhí)行期間中，向處理容器12內(nèi)供給稀有氣體，生成該稀有氣體的等離子體。在一個(gè)實(shí)施方式中，在最初執(zhí)行的流程SQB的步驟STBl的執(zhí)行之前，向處理容器12內(nèi)供給稀有氣體，然后供給等離子體生成用的高頻，由此生成稀有氣體的等離子體。之后，也可以向處理容器12內(nèi)供給鹵化硅氣體，由此生成第一氣體的等離子體。
[0120]在包含這樣的流程SQB的方法MTB中，在步驟STBl中供給到處理容器12內(nèi)的鹵化硅氣體，在步驟STB2的稀有氣體的等離子體的生成中，被從處理容器12內(nèi)的空間排出。在一個(gè)實(shí)施方式的步驟STB2中，利用發(fā)射光譜計(jì)測(cè)法(0ES:Optical Emiss1n Spectroscopy)測(cè)量處理容器12內(nèi)的等離子體的發(fā)光，在成為大致不能觀察到基于鹵化硅氣體的發(fā)光的狀態(tài)時(shí)，能夠結(jié)束該步驟STB2。另外，在步驟STB3中向處理容器12內(nèi)供給的氧氣，在步驟STB4的稀有氣體的等離子體的生成中被從處理容器12內(nèi)的空間排出。在一個(gè)實(shí)施方式的步驟STB4中，利用OES測(cè)量處理容器12內(nèi)的等離子體的發(fā)光，當(dāng)成為大致不能觀察到基于氧氣的發(fā)光的狀態(tài)時(shí)，能夠結(jié)束該步驟STB4。
[0121]根據(jù)以上的說(shuō)明可知，在方法MTB中，不需要另行進(jìn)行吹掃。另外，能夠省略用于等離子體的穩(wěn)定化的期間。即，在利用等離子體進(jìn)行的各步驟的執(zhí)行前不需要確保為了使等離子體穩(wěn)定化的期間。因此，根據(jù)方法MTB能夠改善生成量。
[0122]在該方法MTB中，在流程SQB執(zhí)行期間中被供給的稀有氣體的量可以是一定的，也可以改變。在一個(gè)實(shí)施方式中，如圖10所示，設(shè)定為在步驟STB4中供給到處理容器12內(nèi)的稀有氣體的流量，比在步驟STB3中供給到處理容器12內(nèi)的稀有氣體的流量大的流量。由此，能夠?qū)⒃诓襟ESTB3中所使用的氧氣從處理容器12內(nèi)的空間高速地排出。因此，能夠進(jìn)一步改善生產(chǎn)量。
[0123]另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，也可以設(shè)定為在步驟STB4中供給到處理容器12內(nèi)的稀有氣體的流量是在步驟STB3中供給到處理容器12內(nèi)的稀有氣體的流量的5倍以上的流量。通過(guò)在步驟STB4中使用這樣的流量的稀有氣體，能夠?qū)⒃诓襟ESTB3中所使用得氧氣更高速地從處理容器12內(nèi)的空間排出。
[0124]以下，對(duì)包括方法MTA或者方法MTB的處理被處理體的方法的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖11是表示包括圖1所示的方法或者圖9所示的方法的處理被處理體的方法的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。另外，圖12和圖13是表示執(zhí)行圖11所示的方法的各步驟后的被處理體的狀態(tài)的截面圖。
[0125]在圖11所示的方法MTl中，首先，在步驟STl中準(zhǔn)備晶片W。在步驟STl中準(zhǔn)備的晶片W，如圖12的(a)所示，作為基底區(qū)域UR具有基板SB、被蝕刻層EL、有機(jī)膜OL和防反射膜AL，還具有掩模MKl。被蝕刻層EL設(shè)置在基板SB上。被蝕刻層EL在一個(gè)實(shí)施方式中是由氧化硅(S12)構(gòu)成的層。有機(jī)膜OL設(shè)置在被蝕刻層EL上。有機(jī)膜OL是含碳的層，例如是S0H(旋涂硬質(zhì)掩模)層。防反射膜AL是含有硅的防反射膜，設(shè)置在有機(jī)膜OL上。
[0126]掩模MKl設(shè)置在防反射膜AL上。掩模MKl是由抗蝕劑材料構(gòu)成的抗蝕劑掩模，利用光刻技術(shù)對(duì)抗蝕劑層圖案化而制成。掩模MKl將防反射膜AL部分覆蓋。另外，掩模MKl提供使防反射膜AL部分地露出的開(kāi)口 OPl。掩模MKl的圖案例如是線和空白的圖案。此外，掩模MKl在俯視時(shí)具有提供圓形的開(kāi)口的圖案?；蛘撸谀Kl在俯視時(shí)具有提供橢圓形的開(kāi)口的圖案。
[0127]在步驟STl中，準(zhǔn)備如圖12的(a)所示的晶片W，該晶片W被收納在等離子體處理裝置10的處理容器12內(nèi)，載置在載置臺(tái)H)上。
[0128]在方法MTI中，接著執(zhí)行步驟ST2。在步驟ST2中對(duì)晶片W照射二次電子。具體而言，向處理容器12內(nèi)供給氫氣和稀有氣體，從第一高頻電源62供給高頻，由此生成等離子體。另夕卜，通過(guò)電源70對(duì)上部電極30施加負(fù)的直流電壓。由此，處理空間S中的正離子被引入到上部電極30，該正尚子與上部電極30的頂板34發(fā)生碰撞。通過(guò)正尚子與頂板34的碰撞，從頂板34釋放出二次離子。然后通過(guò)對(duì)晶片W照射所釋放出的二次離子，掩模MKl被改性。此外，在施加到上部電極30的負(fù)的直流電壓的絕對(duì)值的電平高的情況下，通過(guò)正離子與頂板34碰撞，作為該頂板34的構(gòu)成材料的硅與二次離子一起被釋放。所釋放出的硅與從曝露在等離子體中的等離子體處理裝置10的構(gòu)成部件釋放出的氧結(jié)合。該氧例如從支承部14和絕緣性遮擋部件32這樣的部件釋放出來(lái)。通過(guò)這樣的硅和氧的結(jié)合，生成氧化硅化合物，該氧化硅化合物堆積在晶片W上，覆蓋和保護(hù)掩模MKl。通過(guò)這些改性和保護(hù)的效果，能夠抑制后續(xù)的步驟對(duì)掩模MKl的損傷。此外，在步驟ST2中，為了基于二次離子的照射產(chǎn)生的改性和保護(hù)膜的形成，使第二高頻電源64的高頻偏置電力的電力為最小限，也可以抑制硅的釋放。
[0129]接著，在方法MTl中執(zhí)行步驟ST3。在步驟ST3中執(zhí)行上述的方法MTA或者方法MTB。由此，如圖12的(b)所示，在掩模MKl的表面上和防反射膜AL上形成硅氧化膜SX。另外，如圖7的(b)所示，硅氧化膜SX在頂板34的下表面34i以外的等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面有選擇性地形成。
[0130]在方法MT I中，接著執(zhí)行步驟ST4。在步驟ST4中，以將區(qū)域Rl、區(qū)域R2和區(qū)域R3中的區(qū)域R3保留的方式，對(duì)在晶片W上的硅氧化膜SX進(jìn)行蝕刻。即，蝕刻晶片W上的硅氧化膜SX，使得除去區(qū)域Rl和區(qū)域R2。為了除去這些區(qū)域Rl和區(qū)域R2，需要各向異性的蝕刻條件。因此，在步驟ST4中，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源向處理容器12內(nèi)供給包含氟碳?xì)怏w的處理氣體。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另外，從第一高頻電源62供給高頻來(lái)生成等離子體。并且，從第二高頻電源64供給高頻偏置電力。由此，生成氟碳?xì)怏w的等離子體。所生成的等離子體中的含氟的活性種由于高頻偏置電力而向鉛直方向引入，由此優(yōu)先地蝕刻區(qū)域Rl和區(qū)域R2。其結(jié)果是，如圖12的(c)所示，除去區(qū)域Rl和區(qū)域R2，由保留的區(qū)域R3形成掩模MS。掩模MS與掩模MKl —起形成以使掩模MKl的開(kāi)口 OPl的寬度縮小的方式構(gòu)成的掩模MK2 ο通過(guò)該掩模MK2提供比開(kāi)口 OPl的寬度小的寬度的開(kāi)口 0P2。
[0131 ]接著，在步驟ST5中，蝕刻防反射膜AL。具體而言，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源，向處理容器12內(nèi)供給含有氟碳?xì)怏w的處理氣體。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另外，從第一高頻電源62供給高頻。并且，從第二高頻電源64供給高頻偏置電力。由此生成氟碳?xì)怏w的等離子體。所生成的等離子體中的含氟的活性種將防反射膜AL的全部區(qū)域中從掩模MK2露出的區(qū)域蝕刻。由此，如圖13的(a)所示，從防反射膜AL形成掩模ALM。之后，可以除去掩模MK2。
[0132]在接下來(lái)的步驟ST6中，蝕刻有機(jī)膜0L。具體而言，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源，向處理容器12內(nèi)供給含有氧氣的處理氣體。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另外，從第一高頻電源62供給高頻。并且，從第二高頻電源64供給高頻偏置電力。由此，生成含有氧氣的處理氣體的等離子體。所生成的等離子體中的氧的活性種蝕刻有機(jī)膜OL的全部區(qū)域中從掩模ALM露出的區(qū)域。由此，如圖13的(b)所示，由有機(jī)膜OL形成掩模OLM ο該掩模OLM提供的開(kāi)口 0P3的寬度與開(kāi)口 0P2(參照?qǐng)D12的(c))的寬度大致相同。此外，作為蝕刻有機(jī)膜OL的氣體，可以使用含有氮?dú)夂蜌錃獾奶幚須怏w。
[0133]在執(zhí)行步驟ST6時(shí)產(chǎn)生的活性種，如果等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面沒(méi)有被硅氧化膜SX覆蓋，則會(huì)對(duì)該內(nèi)壁面造成損傷，所以能夠從該內(nèi)壁面釋放出顆粒。但是，在執(zhí)行方法MTl的步驟ST6時(shí)，由于等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面被硅氧化膜SX覆蓋，所以抑制了從該內(nèi)壁面產(chǎn)生顆粒。
[0134]接著，在步驟ST7中，對(duì)被蝕刻層EL進(jìn)行蝕刻。具體而言，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源向處理容器12內(nèi)供給處理氣體。處理氣體為了對(duì)構(gòu)成被蝕刻層EL的材料、即氧化硅進(jìn)行蝕刻而能夠適當(dāng)選擇。例如，處理氣體能夠含有氟碳?xì)怏w。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另外，在步驟ST7中，從第一高頻電源62供給高頻。并且，從第二高頻電源64供給高頻偏置電力。由此，生成處理氣體的等離子體。所生成的等離子體中的活性種蝕刻被蝕刻層EL的全部區(qū)域中從掩模OLM露出的區(qū)域。由此，如圖13的(c)所示，掩模OLM的圖案被轉(zhuǎn)印到被蝕刻層EL。另外，在步驟ST7中，形成在等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面的硅氧化膜SX也被除去。由此，在步驟ST7結(jié)束后，等離子體處理裝置1的內(nèi)壁面的狀態(tài)成為與圖3的(b)所示的初始的狀態(tài)大致相同的狀態(tài)。
[0135]在方法MTl中，能夠用單一的等離子體處理裝置10執(zhí)行步驟ST2?步驟ST7、即從基于抗蝕劑掩模的掩模的制作到被蝕刻層的蝕刻的全部的步驟。因此，能夠省略晶片W的搬送時(shí)間，能夠以高生產(chǎn)量實(shí)現(xiàn)被蝕刻層EL的高分辨率的蝕刻。
[0136]以下，對(duì)于包括方法MTA或者方法MTB的處理被處理體的方法的另一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。圖14是表示包括圖1所示的方法或者圖9所示的方法的處理被處理體的方法的另一實(shí)施方式的流程圖。另外，圖15和圖16是表示執(zhí)行圖14所示的方法的各步驟后的被處理體的狀態(tài)的截面圖。
[0137]在圖14所示的方法MT2中，首先執(zhí)行步驟ST21。步驟ST21是與方法MTl的步驟STl同樣的步驟。因此，在步驟ST21中，準(zhǔn)備圖15的(a)所示的晶片W、即與圖12的(a)所示的晶片相同的晶片W，該晶片W被收納在處理容器12內(nèi)，載置在載置臺(tái)H)上。
[0138]接著，在方法MT2中，執(zhí)行與方法MTl的步驟ST2同樣的步驟ST22。即，對(duì)晶片W照射二次電子將掩模MKI改性。另外，在對(duì)上部電極30施加的負(fù)的直流電壓的絕對(duì)值的電平高的情況下，關(guān)于步驟ST2，如上所述，通過(guò)頂板34的濺射而從該頂板34釋放出的硅和從曝露于等離子體中的等離子體處理裝置10的構(gòu)成部件釋放出的氧結(jié)合，生成氧化硅化合物，該氧化硅化合物堆積在晶片W上可以保護(hù)掩模MKl。
[0139]在接下來(lái)的步驟ST23中，防反射膜AL被蝕刻。具體而言，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源，向處理容器12內(nèi)供給包含氟碳?xì)怏w的處理氣體。另外，使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另外，從第一高頻電源62供給高頻。并且，從第二高頻電源64供給高頻偏置電力。由此，生成氟碳?xì)怏w的等離子體。所生成的等離子體中的含氟的活性種將防反射膜AL的全部區(qū)域中的從掩模MKl露出的區(qū)域蝕刻。由此，如圖15的(b)所示，由防反射膜AL形成掩模ALM2。
[0140]接著，在步驟ST24中，在如圖15的(b)所示的晶片W的表面上形成保護(hù)膜PF。該保護(hù)膜PF是為了保護(hù)有機(jī)膜OL不受到在執(zhí)行后續(xù)的方法MTA或者方法MTB時(shí)產(chǎn)生的氧的活性種損傷。
[0141 ]在一個(gè)實(shí)施方式的步驟ST24中，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源，向處理容器12內(nèi)供給例如包含氫氣和稀有氣體的混合氣體。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另外，從第一高頻電源62供給高頻。由此，在處理容器12內(nèi)生成等離子體。并且，從電源70向上部電極30施加負(fù)的直流電壓。由此，等離子體中的正離子與頂板34碰撞，從該頂板34釋放出硅。另外，從曝露在等離子體中的等離子體處理裝置10的部件釋放出氧。像這樣，釋放出的氧與從頂板34釋放出的硅結(jié)合，生成氧化硅，該氧化硅堆積在晶片W上，如圖15的(c)所示，形成氧化硅制的保護(hù)膜PF。
[0142]在另一實(shí)施方式的步驟ST24中，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源，向處理容器12內(nèi)供給包含鹵化硅氣體和氧氣的混合氣體。另外，從第一高頻電源62供給高頻。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。由此，生成氧化硅，該氧化硅堆積在晶片W上，如圖15的(c)所示，形成保護(hù)膜PF。
[0143]在方法MT2中，接著執(zhí)行步驟ST25。在步驟ST25中，執(zhí)行上述的方法MTA或者方法MTB。由此，如圖15的(d)所示，在晶片W的表面上形成硅氧化膜SX2。硅氧化膜SX2包括區(qū)域Rl、區(qū)域R2和區(qū)域R3。區(qū)域R3是在掩模MKl和掩模ALM2的側(cè)面上沿著該側(cè)面延伸的區(qū)域。區(qū)域Rl在掩模MKl的上表面之上和區(qū)域R3上延伸。區(qū)域R3從形成在有機(jī)膜OL上的保護(hù)膜PF的表面延伸到區(qū)域Rl的下側(cè)。另外，區(qū)域R2在相鄰的區(qū)域R3之間且在有機(jī)膜OL的表面上(SP，有機(jī)膜OL上的保護(hù)膜PF上)延伸。另外，在步驟ST25中，硅氧化膜也有選擇地形成在頂板34的下表面34i以外的等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面。參照在圖7的(b)中由參照附圖標(biāo)記SX表示的區(qū)域。
[0144]接著，在方法MT2中執(zhí)行步驟ST26。在步驟ST26中，以將區(qū)域R1、區(qū)域R2和區(qū)域R3中的區(qū)域R3保留的方式對(duì)晶片W上的硅氧化膜SX2進(jìn)行蝕刻。即，蝕刻硅氧化膜SX2，使得除去區(qū)域Rl和區(qū)域R2的方式。具體而言，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源，向處理容器12內(nèi)供給含有氟碳的處理氣體。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另外，從第一高頻電源62供給高頻。并且從第二高頻電源64供給高頻偏置電力。由此，生成氟碳的等離子體。所生成的等離子體中的含氟的活性種由于高頻偏置電力而被向鉛直方向引入，由此優(yōu)先蝕刻區(qū)域Rl和區(qū)域R2。其結(jié)果是，如圖16的(a)所示，形成除去了區(qū)域Rl和區(qū)域R2而保留區(qū)域R3的掩模MS2。掩模MS2與掩模ALM2—起形成掩模MK22，使得掩模MKl的開(kāi)口 OPl的寬度縮小。利用該掩模MK22能夠提供比開(kāi)口 OPl的寬度小的寬度的開(kāi)口 0P2。
[0145]接著，在步驟ST27中，有機(jī)膜OL被蝕刻。具體而言，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源，向處理容器12內(nèi)供給含有氧氣的處理氣體。另外，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另外，從第一高頻電源62供給高頻。并且，從第二高頻電源64供給高頻偏置電力。由此，生成含有氧氣的處理氣體的等離子體。所生成的等離子體中的氧的活性種對(duì)有機(jī)膜OL的全部區(qū)域中的從掩模MK22露出的區(qū)域進(jìn)行蝕刻。由此，如圖16的(b)所示，由有機(jī)膜OL形成掩模OLM。該掩模OLM提供的開(kāi)口 0P3的寬度與開(kāi)口 0P2 (參照?qǐng)D12的(a))的寬度大致相同。此外，作為蝕刻有機(jī)膜OL的氣體，可以使用還有氮?dú)夂蜌錃獾奶幚須怏w。在該步驟ST27中，也與方法MTl的步驟ST6同樣地，由于等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面由硅氧化膜覆蓋，所以能夠抑制從該內(nèi)壁面產(chǎn)生顆粒。
[0146]接著，在步驟ST28中，蝕刻被蝕刻層EL。具體而言，從選自氣體源組40的多個(gè)氣體源中的氣體源，向處理容器12內(nèi)供給含有氧氣的處理氣體。為了對(duì)構(gòu)成被蝕刻層EL的材料、即氧化硅進(jìn)行蝕刻，能夠適當(dāng)選擇處理氣體。例如，處理氣體能夠含有氟碳?xì)怏w。另外，在步驟ST28中，通過(guò)使排氣裝置50工作，將處理容器12內(nèi)的空間的壓力設(shè)定為規(guī)定的壓力。另夕卜，在步驟ST28中，從第一高頻電源62供給高頻。并且，從第二高頻電源64供給高頻偏置電力。由此，生成處理氣體的等離子體。所生成的等離子體中的活性種對(duì)被蝕刻層EL的全部區(qū)域中的從掩模OLM露出的區(qū)域進(jìn)行蝕刻。由此，如圖16的(c)所示，掩模OLM的圖案被轉(zhuǎn)印到被蝕刻層EL。另外，在步驟ST28中，在等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面形成的硅氧化膜被除去。由此，在步驟ST28結(jié)束后，等離子體處理裝置10的內(nèi)壁面的狀態(tài)成為與圖3的(b)所示的初始的狀態(tài)大致相同的狀態(tài)。
[0147]在該方法MT2中，能夠使用單一的等離子體處理裝置10執(zhí)行步驟ST22?步驟ST28、即從基于抗蝕劑掩模的掩模的制作至被蝕刻層的蝕刻的全部步驟。因此，能夠節(jié)省晶片W的搬送的時(shí)間，能夠以高生產(chǎn)量實(shí)現(xiàn)被蝕刻層EL的高分辨率的蝕刻。
[0148]以上，對(duì)于各種實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限定于上述的實(shí)施方式，能夠構(gòu)成各種變形方式。例如，在上述的方法MTA、方法MTB、方法MT I和方法MT2的說(shuō)明中，表示了使用等離子體處理裝置10的例子，但也能夠使用包括具有硅制的頂板的上部電極的任意的電容耦合型的等離子體處理裝置實(shí)施方法MTA、方法MTB、方法MTl和方法MT2。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種使用電容耦合型的等離子體處理裝置對(duì)被處理體進(jìn)行處理的方法，所述方法的特征在于: 所述被處理體具有掩模， 所述等離子體處理裝置包括: 提供處理空間的處理容器； 用于在其上載置所述被處理體的載置臺(tái)，該載置臺(tái)包括下部電極;和包括硅制的頂板的上部電極，該上部電極隔著該處理容器內(nèi)的處理空間與所述載置臺(tái)相對(duì)， 所述方法包括: 第一步驟，向收納有所述被處理體的所述處理容器內(nèi)供給包含含硅氣體的第一氣體；在執(zhí)行所述第一步驟之后，在所述處理容器內(nèi)生成稀有氣體的等離子體的第二步驟；在執(zhí)行所述第二步驟之后，在所述處理容器內(nèi)生成含有氧氣的第二氣體的等離子體的第三步驟;和 在執(zhí)行所述第三步驟之后，在所述處理容器內(nèi)生成稀有氣體的等離子體的第四步驟，反復(fù)執(zhí)行包括所述第一步驟、所述第二步驟、所述第三步驟和所述第四步驟的流程，由此形成硅氧化膜， 在所述第二步驟、所述第三步驟和所述第四步驟的至少任一者中，對(duì)所述上部電極施加負(fù)的直流電壓。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于: 所述含硅氣體為氨基硅烷氣體，在所述第一步驟中不生成等離子體。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于: 所述含硅氣體為齒化硅氣體，在所述第一步驟中，生成所述第一氣體的等離子體。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于: 所述含娃氣體為SiCl4氣體。5.如權(quán)利要求3或4所述的方法，其特征在于: 所述第一步驟、所述第二步驟、所述第三步驟和所述第四步驟按順序連續(xù)執(zhí)行， 在所述第一步驟、所述第二步驟、所述第三步驟和所述第四步驟中生成所述稀有氣體的等離子體。6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于: 在所述第四步驟中供給到所述處理容器內(nèi)的所述稀有氣體的流量，比在所述第三步驟中供給到所述處理容器內(nèi)的所述稀有氣體的流量大。7.如權(quán)利要求3?6中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于: 在所述第一步驟中設(shè)定以下的高壓低電力的條件:所述處理容器內(nèi)的壓力為13.33Pa以上的壓力，等離子體生成用的高頻電源的電力為10W以下。8.如權(quán)利要求3?7中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于: 在所述第一步驟中，不對(duì)所述下部電極供給引入離子用的高頻偏置電力。9.如權(quán)利要求1?8中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于: 所述被處理體還具有有機(jī)膜，所述掩模設(shè)置在該有機(jī)膜上， 所述方法還包括:利用在所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體，對(duì)所述硅氧化膜進(jìn)行蝕刻，使得保留沿著所述掩模的側(cè)壁形成的所述硅氧化膜的部分區(qū)域的步驟;和 利用在所述處理容器內(nèi)生成的等離子體，對(duì)所述有機(jī)膜進(jìn)行蝕刻的步驟。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于: 所述被處理體還具有由硅氧化膜構(gòu)成的被蝕刻層，所述有機(jī)膜設(shè)置在該被蝕刻層上， 還包括在執(zhí)行蝕刻所述有機(jī)膜的所述步驟之后，利用在所述處理容器內(nèi)生成的等離子體，對(duì)所述被蝕刻層進(jìn)行蝕刻的步驟。11.如權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于: 所述被處理體還具有設(shè)置在所述有機(jī)膜上的含硅防反射膜， 所述掩模為設(shè)置在所述防反射膜上的抗蝕劑掩模， 所述方法還包括:在執(zhí)行蝕刻硅氧化膜的所述步驟之后、執(zhí)行蝕刻所述有機(jī)膜的所述步驟之前，利用在所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生的等離子體，對(duì)所述防反射膜進(jìn)行蝕刻的步驟。12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于: 還包括以下步驟:在反復(fù)執(zhí)行所述流程之前，在所述處理容器內(nèi)產(chǎn)生等離子體，對(duì)所述上部電極施加負(fù)的直流電壓，由此對(duì)所述掩模照射二次電子。13.如權(quán)利要求9或10所述的方法，其特征在于: 還包括以下步驟:在反復(fù)執(zhí)行所述流程之前，利用在所述處理容器內(nèi)生成的等離子體，對(duì)在其上具有抗蝕劑掩模的防反射膜進(jìn)行蝕刻，來(lái)由所述防反射膜形成所述掩模。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于: 還包括以下步驟:在執(zhí)行蝕刻所述防反射膜的所述步驟之前，在所述處理容器內(nèi)生成等離子體，對(duì)所述上部電極施加負(fù)的直流電壓，由此對(duì)所述抗蝕劑掩模照射二次電子。15.如權(quán)利要求13或14所述的方法，其特征在于: 還包括以下步驟:在執(zhí)行蝕刻所述防反射膜的所述步驟之后且反復(fù)執(zhí)行所述流程之前，在所述被處理體上形成氧化硅制的保護(hù)膜。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK106098523SQ201610268935
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年4月27日 公開(kāi)號(hào)201610268935.7, CN 106098523 A, CN 106098523A, CN 201610268935, CN-A-106098523, CN106098523 A, CN106098523A, CN201610268935, CN201610268935.7
【發(fā)明人】木原嘉英, 大石智之, 久松亨
【申請(qǐng)人】東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社