在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法
【專利摘要】一種在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，包括如下步驟：在導(dǎo)線上形成第一絕緣薄膜；通過(guò)蝕刻工藝在第一絕緣薄膜中形成第一接觸孔，第一接觸孔貫穿第一絕緣薄膜；在第一絕緣薄膜上形成第二絕緣薄膜，第二絕緣薄膜填入第一接觸孔中；通過(guò)蝕刻工藝在第二絕緣薄膜中形成第二接觸孔，第二接觸孔貫穿第二絕緣薄膜；以及在第二絕緣薄膜上形成導(dǎo)電連接層，導(dǎo)電連接層填入第二接觸孔中并與導(dǎo)線接觸導(dǎo)通。該制作方法，可以有效地避免底切(undercut)問(wèn)題，且制作工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。
【專利說(shuō)明】
在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地設(shè)及一種在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示面板化iquid Crystal Display,LCD)因其輕便、 低福射等優(yōu)點(diǎn)使用越來(lái)越普遍。液晶顯示面板包括對(duì)置的彩色濾光片基板(CF基板)和薄膜 晶體管陣列基板(TFT陣列基板)W及夾置在兩者之間的液晶層。
[0003] 如圖1所示，在TFT制造工藝中，往往要求蝕刻過(guò)后的圖形或過(guò)孔斷面有一定的坡 度角，運(yùn)樣有利于下一層薄膜沉積時(shí)能夠很好的覆蓋。而目前TFT制造工藝中，在兩層或多 層非金屬膜中制作接觸孔時(shí)，通常采取一次蝕刻同時(shí)蝕刻兩層或多層非金屬膜層的制程。 在圖1中，在兩層絕緣膜11、12中，通過(guò)一次干蝕刻工藝制作形成有接觸孔(圖未標(biāo)），該接觸 孔具有一定的坡度角，運(yùn)樣下一層薄膜13在沉積時(shí)能夠很好的覆蓋該接觸孔。
[0004] 如圖2所示，當(dāng)疊加在一起的不同非金屬層蝕刻速率相差過(guò)大，典型的如下層絕緣 膜11比上層絕緣膜12蝕刻速率快較多時(shí)，蝕刻過(guò)后會(huì)出現(xiàn)底切(undercut)現(xiàn)象，下一層薄 膜13在沉積時(shí)無(wú)法很好的覆蓋接觸孔，嚴(yán)重的導(dǎo)致下一層薄膜13在爬坡位置斷裂(如圖中 所示）。
[0005] 現(xiàn)有解決底切(undercut)現(xiàn)象的方式為調(diào)整蝕刻制程參數(shù)，調(diào)整諸如氣體配比、 制程功率、環(huán)境壓力等等，使對(duì)不同絕緣膜層的蝕刻速率盡量接近。但該方法需設(shè)計(jì)大量實(shí) 驗(yàn)，費(fèi)時(shí)費(fèi)力，而且在薄膜間蝕刻率差異過(guò)于巨大的情況下，依靠調(diào)整蝕刻制程參數(shù)的方法 無(wú)法很好的解決底切(undercut)現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的是提供一種在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，可W有效地避 免底切(undercut)問(wèn)題，且制作工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。
[0007] 本發(fā)明第一實(shí)施例提供的解決其技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下：
[000引一種在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，包括如下步驟：
[0009] 在導(dǎo)線上形成第一絕緣薄膜，導(dǎo)線由導(dǎo)電材料制成；
[0010] 通過(guò)蝕刻工藝在第一絕緣薄膜中形成第一接觸孔，第一接觸孔貫穿第一絕緣薄 膜，W露出導(dǎo)線；
[0011] 在第一絕緣薄膜上形成第二絕緣薄膜，第二絕緣薄膜填入第一接觸孔中；
[0012] 通過(guò)蝕刻工藝在第二絕緣薄膜中形成第二接觸孔，第二接觸孔貫穿第二絕緣薄 膜，W露出導(dǎo)線，其中第二接觸孔的尺寸小于第一接觸孔，使得在對(duì)第二絕緣薄膜進(jìn)行蝕刻 形成第二接觸孔的過(guò)程中不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜;W及
[0013] 在第二絕緣薄膜上形成導(dǎo)電連接層，導(dǎo)電連接層填入第二接觸孔中并與導(dǎo)線接觸 導(dǎo)通。
[0014] 本發(fā)明第二實(shí)施例提供的解決其技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下：
[0015] -種在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，包括如下步驟：
[0016] 在導(dǎo)線上形成第一絕緣薄膜，導(dǎo)線由導(dǎo)電材料制成；
[0017] 通過(guò)蝕刻工藝在第一絕緣薄膜上形成第一接觸孔，第一接觸孔貫穿第一絕緣薄 膜，W露出導(dǎo)線；
[0018] 在第一絕緣薄膜上形成由導(dǎo)電材料制成的蝕刻阻擋層，蝕刻阻擋層填入第一接觸 孔中并與導(dǎo)線接觸導(dǎo)通；
[0019] 在第一絕緣薄膜上形成第二絕緣薄膜，第二絕緣薄膜覆蓋蝕刻阻擋層；
[0020] 通過(guò)蝕刻工藝在第二絕緣薄膜中形成第二接觸孔，第二接觸孔貫穿第二絕緣薄 膜，W露出蝕刻阻擋層，其中蝕刻阻擋層具有阻隔作用，使得在對(duì)第二絕緣薄膜進(jìn)行蝕刻形 成第二接觸孔的過(guò)程中不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜;W及
[0021] 在第二絕緣薄膜上形成導(dǎo)電連接層，導(dǎo)電連接層填入第二接觸孔中并與蝕刻阻擋 層接觸導(dǎo)通。
[0022] 本發(fā)明較佳實(shí)施例中，導(dǎo)線為T(mén)FT陣列基板上的柵源漏極金屬層中的柵極或源極 或漏極。
[0023] 本發(fā)明較佳實(shí)施例中，第一絕緣薄膜為T(mén)FT陣列基板上的柵極絕緣層，第二絕緣薄 膜為T(mén)FT陣列基板上的純化絕緣層。
[0024] 本發(fā)明較佳實(shí)施例中，第一絕緣薄膜為T(mén)FT陣列基板上的第一純化絕緣層，第二絕 緣薄膜為T(mén)FT陣列基板上的第二純化絕緣層。
[0025] 本發(fā)明較佳實(shí)施例中，導(dǎo)電連接層為T(mén)FT陣列基板上的像素電極層。
[0026] 本發(fā)明較佳實(shí)施例中，蝕刻阻擋層由金屬或透明導(dǎo)電金屬氧化物制成。
[0027] 本發(fā)明較佳實(shí)施例中，第一接觸孔的尺寸小于導(dǎo)線的寬度。
[0028] 本發(fā)明較佳實(shí)施例中，在第一絕緣薄膜中形成第一接觸孔的蝕刻工藝具體包括： 在第一絕緣薄膜上涂覆光阻;對(duì)光阻進(jìn)行曝光和顯影，在將要制作第一接觸孔的位置去除 光阻，而其他位置保留光阻;在光阻的遮罩下對(duì)第一絕緣薄膜進(jìn)行蝕刻W形成第一接觸孔； 去除第一絕緣薄膜上的光阻。
[0029] 本發(fā)明較佳實(shí)施例中，在第二絕緣薄膜中形成第二接觸孔的蝕刻工藝具體包括： 在第二絕緣薄膜上涂覆光阻;對(duì)光阻進(jìn)行曝光和顯影，在將要制作第二接觸孔的位置去除 光阻，而其他位置保留光阻;在光阻的遮罩下對(duì)第二絕緣薄膜進(jìn)行蝕刻W形成第二接觸孔； 去除第二絕緣薄膜上的光阻。
[0030] 在本發(fā)明第一實(shí)施例中，通過(guò)蝕刻工藝先在第一絕緣薄膜中形成第一接觸孔，然 后在蝕刻第二絕緣薄膜形成第二接觸孔的過(guò)程中，第二接觸孔的尺寸小于第一接觸孔，因 此不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜，避免了多層絕緣薄膜因蝕刻速率的不同而導(dǎo)致的底切 (undercut)問(wèn)題，提高產(chǎn)品品質(zhì)及良率；同時(shí)不需要調(diào)整蝕刻制程參數(shù)，可W節(jié)省時(shí)間、人 力、成本，制作工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。
[0031 ]在本發(fā)明第二實(shí)施例中，通過(guò)蝕刻工藝先在第一絕緣薄膜中形成第一接觸孔，然 后在第一絕緣薄膜上形成由導(dǎo)電材料制成的蝕刻阻擋層，蝕刻阻擋層填入第一接觸孔中并 與導(dǎo)線接觸導(dǎo)通，再在第二絕緣薄膜中形成第二接觸孔。由于蝕刻阻擋層的阻隔作用，在對(duì) 第二絕緣薄膜進(jìn)行蝕刻形成第二接觸孔的過(guò)程中不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜，避免了多層絕 緣薄膜因蝕刻速率的不同而導(dǎo)致的底切(undercut)問(wèn)題，提高產(chǎn)品品質(zhì)及良率；同時(shí)不需 要調(diào)整蝕刻制程參數(shù)，可W節(jié)省時(shí)間、人力、成本，制作工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。
【附圖說(shuō)明】
[0032] 圖1為在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔達(dá)到預(yù)定效果的示意圖。
[0033] 圖2為在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔出現(xiàn)底切現(xiàn)象的示意圖。
[0034] 圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例中在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法的制作步驟流 程圖。
[0035] 圖4A至圖4E為圖3中在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法的制作步驟示意圖。
[0036] 圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例中在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法的制作步驟流 程圖。
[0037] 圖6A至圖6F為圖5中在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法的制作步驟示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038] 為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)方式及功效，W下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
[0039] 【第一實(shí)施例】
[0040] 本實(shí)施例提出一種在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法。
[0041] 圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例中在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法的制作步驟流 程圖，該制作方法包括如下步驟：
[0042] Sll:在導(dǎo)線10上形成第一絕緣薄膜21，導(dǎo)線10由導(dǎo)電材料制成；
[0043] Sl 2:通過(guò)蝕刻工藝在第一絕緣薄膜21中形成第一接觸孔THl 1，第一接觸孔THl 1貫 穿第一絕緣薄膜21，W露出導(dǎo)線10;
[0044] S13:在第一絕緣薄膜21上形成第二絕緣薄膜22,第二絕緣薄膜22填入第一接觸孔 THll 中；
[0045] S14:通過(guò)蝕刻工藝在第二絕緣薄膜22中形成第二接觸孔TH12,第二接觸孔TH12貫 穿第二絕緣薄膜22, W露出導(dǎo)線10,其中第二接觸孔TH12的尺寸小于第一接觸孔TH11，使得 在對(duì)第二絕緣薄膜22進(jìn)行蝕刻形成第二接觸孔TH12的過(guò)程中不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜21;
[0046] S15:在第二絕緣薄膜22上形成導(dǎo)電連接層23,導(dǎo)電連接層23填入第二接觸孔TH12 中并與導(dǎo)線10接觸導(dǎo)通。
[0047] 圖4A至圖4E為本實(shí)施例中在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法的制作步驟示 意圖，W下結(jié)合圖4A至圖4E，對(duì)本實(shí)施例中在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法進(jìn)行詳 細(xì)說(shuō)明如下。
[0048] 如圖4A所示，在導(dǎo)線10上形成第一絕緣薄膜21，導(dǎo)線10由導(dǎo)電材料制成。針對(duì)液晶 面板而言，TFT陣列基板通常包括襯底基板和制作形成在該襯底基板上的各膜層結(jié)構(gòu)如柵 極金屬層、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏極金屬層、第一純化絕緣層、第二純化絕緣層、公共 電極、像素電極層等。本實(shí)施例中，導(dǎo)線10具體可W是金屬導(dǎo)線如TFT陣列基板上的柵源漏 極金屬層中的柵極或源極或漏極;第一絕緣薄膜21具體可W是TFT陣列基板上的一個(gè)絕緣 層如第一純化絕緣層，第一絕緣薄膜21例如為由氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)或氮氧化娃 (SiOxNy )等絕緣材料制作形成。
[0049] 如圖4B所示，通過(guò)蝕刻工藝在第一絕緣薄膜21中形成第一接觸孔THll，第一接觸 孔THll貫穿第一絕緣薄膜21，W露出導(dǎo)線10。在蝕刻第一絕緣薄膜21形成第一接觸孔THll 的過(guò)程中，由于只蝕刻第一絕緣薄膜21運(yùn)單一膜層，蝕刻速率均勻，因此可在第一絕緣薄膜 21中形成具有正向錐面角的第一接觸孔THll，在第一次開(kāi)接觸孔后，膜層剖面具有如圖4B 的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，第一接觸孔THll的尺寸小于導(dǎo)線10的寬度，保證第一接觸孔THll全部位于 導(dǎo)線10上方。
[0050] 具體地，在第一絕緣薄膜21中形成第一接觸孔THll的蝕刻工藝具體包括：
[0051] 在第一絕緣薄膜21上涂覆光阻（圖未示）；
[0052] 對(duì)該光阻進(jìn)行曝光和顯影，在將要制作第一接觸孔THll的位置去除該光阻，而其 他位置保留該光阻；
[0053] 在該光阻的遮罩下對(duì)第一絕緣薄膜21進(jìn)行蝕刻W形成第一接觸孔THll;
[0054] 去除第一絕緣薄膜21上的該光阻。
[0055] 如圖4C所示，在第一絕緣薄膜21上形成第二絕緣薄膜22,第二絕緣薄膜22填入第 一接觸孔THll中。第二絕緣薄膜22具體可W是TFT陣列基板上的一個(gè)絕緣層如第二純化絕 緣層，第二絕緣薄膜22例如為由氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)或氮氧化娃(SiOxNy)等絕緣材 料制作形成。
[0056] 如圖4D所示，通過(guò)蝕刻工藝在第二絕緣薄膜22中形成第二接觸孔TH12,第二接觸 孔TH12貫穿第二絕緣薄膜22, W露出導(dǎo)線10,其中第二接觸孔TH12的尺寸小于第一接觸孔 THll，使得在對(duì)第二絕緣薄膜22進(jìn)行蝕刻形成第二接觸孔TH12的過(guò)程中不會(huì)蝕刻到第一絕 緣薄膜21。在蝕刻第二絕緣薄膜22形成第二接觸孔TH12的過(guò)程中，第二接觸孔TH12的尺寸 小于第一接觸孔THll，因此不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜21，由于只蝕刻第二絕緣薄膜22運(yùn)單 一膜層，蝕刻速率均勻，因此可在第二絕緣薄膜22中形成具有正向錐面角的第二接觸孔 TH12,在第二次開(kāi)接觸孔后，膜層剖面具有如圖4D的結(jié)構(gòu)。在第二絕緣薄膜22中形成第二接 觸孔TH12的蝕刻工藝與在第一絕緣薄膜21中形成第一接觸孔THll的蝕刻工藝相同。
[0057] 如圖4E所示，在第二絕緣薄膜22上形成導(dǎo)電連接層23,導(dǎo)電連接層23填入第二接 觸孔TH12中并與導(dǎo)線10接觸導(dǎo)通。本實(shí)施例中，導(dǎo)電連接層23為由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電膜 層，導(dǎo)電連接層23可W是金屬或透明導(dǎo)電金屬氧化物如ITO(氧化銅錫）。導(dǎo)電連接層23具體 可W是TFT陣列基板上的像素電極層。通過(guò)將導(dǎo)電連接層23填入第二接觸孔TH12中，實(shí)現(xiàn)上 方的導(dǎo)電膜層（即導(dǎo)電連接層23)與下方的金屬或透明導(dǎo)電金屬氧化物（即導(dǎo)線10)的導(dǎo)電 連接，如圖4E。導(dǎo)電連接層23的制作可W是通過(guò)磁控瓣射(sputter)或熱蒸發(fā)等方法在第二 絕緣薄膜22上沉積形成一層導(dǎo)電膜層，然后再對(duì)該導(dǎo)電膜層進(jìn)行蝕刻圖案化W在第二絕緣 薄膜22上形成導(dǎo)電連接層23,同時(shí)導(dǎo)電連接層23填入第二接觸孔TH12中與第一絕緣薄膜21 下方的導(dǎo)線10接觸，W實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電連接層23與導(dǎo)線10的導(dǎo)電連接。
[005引本實(shí)施例提供的在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，通過(guò)蝕刻工藝先在第一 絕緣薄膜21中形成第一接觸孔THll，然后在蝕刻第二絕緣薄膜22形成第二接觸孔TH12的過(guò) 程中，第二接觸孔TH12的尺寸小于第一接觸孔THll，因此不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜21，避免 了多層絕緣薄膜因蝕刻速率的不同而導(dǎo)致的底切(undercut)問(wèn)題，提高產(chǎn)品品質(zhì)及良率； 同時(shí)不需要調(diào)整蝕刻制程參數(shù)，可W節(jié)省時(shí)間、人力、成本，制作工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。
[0化9]【第二實(shí)施例】
[0060] 本實(shí)施例提出一種在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法。
[0061] 圖5為本實(shí)施例中在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法的制作步驟流程圖，該 制作方法包括如下步驟：
[0062] S21:在導(dǎo)線10上形成第一絕緣薄膜21，導(dǎo)線10由導(dǎo)電材料制成；
[0063] S22:通過(guò)蝕刻工藝在第一絕緣薄膜21中形成第一接觸孔TH21，第一接觸孔T肥1貫 穿第一絕緣薄膜21，W露出導(dǎo)線10;
[0064] S23:在第一絕緣薄膜21上形成由導(dǎo)電材料制成的蝕刻阻擋層30,蝕刻阻擋層30填 入第一接觸孔TH21中并與導(dǎo)線10接觸導(dǎo)通；
[0065] S24:在第一絕緣薄膜21上形成第二絕緣薄膜22，第二絕緣薄膜22覆蓋蝕刻阻擋層 30；
[0066] S25:通過(guò)蝕刻工藝在第二絕緣薄膜22中形成第二接觸孔TH22,第二接觸孔T肥2貫 穿第二絕緣薄膜22, W露出蝕刻阻擋層30,其中由于蝕刻阻擋層30的阻隔作用，使得在對(duì)第 二絕緣薄膜22進(jìn)行蝕刻形成第二接觸孔T肥2的過(guò)程中不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜21;
[0067] S26:在第二絕緣薄膜22上形成導(dǎo)電連接層23,導(dǎo)電連接層23填入第二接觸孔TH22 中并與蝕刻阻擋層30接觸導(dǎo)通。
[0068] 圖6A至圖6F為本實(shí)施例中在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法的制作步驟示 意圖，W下結(jié)合圖6A至圖6F，對(duì)本實(shí)施例中在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法進(jìn)行詳 細(xì)說(shuō)明如下。
[0069] 如圖6A所示，在導(dǎo)線10上形成第一絕緣薄膜21，導(dǎo)線10由導(dǎo)電材料制成。本實(shí)施例 中，導(dǎo)線10由金屬或者透明導(dǎo)電金屬氧化物如ITO(氧化銅錫)制成。W液晶面板為例，導(dǎo)線 10具體可W是金屬導(dǎo)線如TFT陣列基板上的柵源漏極金屬層中的柵極或源極或漏極，第一 絕緣薄膜21具體可W是TFT陣列基板上的一個(gè)絕緣層如第一純化絕緣層，第一絕緣薄膜21 例如為由氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)或氮氧化娃(SiOxNy)等絕緣材料制作形成。
[0070] 如圖6B所示，通過(guò)蝕刻工藝在第一絕緣薄膜21中形成第一接觸孔TH21，第一接觸 孔TH21貫穿第一絕緣薄膜21，W露出導(dǎo)線10。在蝕刻第一絕緣薄膜21形成第一接觸孔THl 1 的過(guò)程中，由于只蝕刻第一絕緣薄膜21運(yùn)單一膜層，蝕刻速率均勻，因此可在第一絕緣薄膜 21中形成具有正向錐面角的第一接觸孔TH21，在第一次開(kāi)接觸孔后，膜層剖面具有如圖6B 的結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，第一接觸孔TH21的尺寸小于導(dǎo)線10的寬度，保證第一接觸孔TH21全部位于 導(dǎo)線10上方。
[0071] 如圖6C所示，在第一絕緣薄膜21上形成由導(dǎo)電材料制成的蝕刻阻擋層30,蝕刻阻 擋層30填入第一接觸孔TH21中并與導(dǎo)線10接觸導(dǎo)通。蝕刻阻擋層30由金屬或透明導(dǎo)電金屬 氧化物如口 〇(氧化銅錫)制成;例如，蝕刻阻擋層30可W是侶，厚度為2000A~3000A;蝕刻 阻擋層30也可W是IT0,厚度為400A~600A。蝕刻阻擋層30的制作可W是通過(guò)磁控瓣射 (sputter)或熱蒸發(fā)等方法在第一絕緣薄膜21上沉積形成一層導(dǎo)電膜層，然后再對(duì)該導(dǎo)電 膜層進(jìn)行蝕刻圖案化W在第一絕緣薄膜21上形成蝕刻阻擋層30,同時(shí)蝕刻阻擋層30填入第 一接觸孔TH21中與第一絕緣薄膜21下方的導(dǎo)線10接觸導(dǎo)通。
[0072] 如圖6D所示，在第一絕緣薄膜21上形成第二絕緣薄膜22,第二絕緣薄膜22覆蓋蝕 刻阻擋層30。第二絕緣薄膜22具體可W是TFT陣列基板上的一個(gè)絕緣層如第二純化絕緣層。 第二絕緣薄膜22例如為由氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)或氮氧化娃（SiOxNy)等絕緣材料制 作成的絕緣層。
[0073] 如圖6E所示，通過(guò)蝕刻工藝在第二絕緣薄膜22中形成第二接觸孔TH22,第二接觸 孔TH22貫穿第二絕緣薄膜22, W露出蝕刻阻擋層30,其中由于蝕刻阻擋層30的阻隔作用，使 得在對(duì)第二絕緣薄膜22進(jìn)行蝕刻形成第二接觸孔TH22的過(guò)程中不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜 21。在蝕刻第二絕緣薄膜22形成第二接觸孔TH22的過(guò)程中，蝕刻阻擋層30在第一絕緣薄膜 21與第二絕緣薄膜22之間起到阻隔作用，因此不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜21，由于只蝕刻第 二絕緣薄膜22運(yùn)單一膜層，蝕刻速率均勻，因此可在第二絕緣薄膜22中形成具有正向錐面 角的第二接觸孔TH22，在第二次開(kāi)接觸孔后，膜層剖面具有如圖6E的結(jié)構(gòu)。
[0074] 本實(shí)施例中，在蝕刻第二絕緣薄膜22形成第二接觸孔TH22的過(guò)程中，蝕刻阻擋層 30起到保護(hù)第一絕緣薄膜21的作用，由于不用擔(dān)屯、會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜21，本實(shí)施例相 較于第一實(shí)施例，第二接觸孔T肥2的孔徑可W更大，蝕刻工藝也更為簡(jiǎn)單。
[0075] 如圖6F所示，在第二絕緣薄膜22上形成導(dǎo)電連接層23,導(dǎo)電連接層23填入第二接 觸孔TH22中并與蝕刻阻擋層30接觸導(dǎo)通。本實(shí)施例中，導(dǎo)電連接層23為由導(dǎo)電材料制成的 導(dǎo)電膜層，導(dǎo)電連接層23可W是金屬或透明導(dǎo)電金屬氧化物如口 0(氧化銅錫）。導(dǎo)電連接層 23具體可W是TFT陣列基板上的像素電極層。通過(guò)將導(dǎo)電連接層23填入第二接觸孔T肥2中， 使上方的導(dǎo)電膜層（即導(dǎo)電連接層23)與下方的金屬或透明導(dǎo)電氧化物（即導(dǎo)線10)通過(guò)蝕 刻阻擋層30實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電連接，如圖6F。導(dǎo)電連接層23的制作可W是通過(guò)磁控瓣射(sputter)或 熱蒸發(fā)等方法在第二絕緣薄膜22上沉積形成一層導(dǎo)電膜層，然后再對(duì)該導(dǎo)電膜層進(jìn)行蝕刻 圖案化W在第二絕緣薄膜22上形成導(dǎo)電連接層23,同時(shí)導(dǎo)電連接層23填入第二接觸孔TH22 中與蝕刻阻擋層30接觸導(dǎo)通。
[0076] 本實(shí)施例提供的在多層絕緣薄膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，通過(guò)蝕刻工藝先在第一 絕緣薄膜21中形成第一接觸孔TH21，然后在第一絕緣薄膜21上形成由導(dǎo)電材料制成的蝕刻 阻擋層30,蝕刻阻擋層30填入第一接觸孔TH21中并與導(dǎo)線10接觸導(dǎo)通，再在第二絕緣薄膜 22中形成第二接觸孔TH22, W及形成導(dǎo)電連接層23,導(dǎo)電連接層23填入第二接觸孔TH22中 并與蝕刻阻擋層30接觸導(dǎo)通。由于蝕刻阻擋層30的阻隔作用，使得在對(duì)第二絕緣薄膜22進(jìn) 行蝕刻形成第二接觸孔TH22的過(guò)程中不會(huì)蝕刻到第一絕緣薄膜21，避免了多層絕緣薄膜因 蝕刻速率的不同而導(dǎo)致的底切(under cut)問(wèn)題，提高產(chǎn)品品質(zhì)及良率；同時(shí)不需要調(diào)整蝕 刻制程參數(shù)，可W節(jié)省時(shí)間、人力、成本，制作工藝簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)。
[0077] 在本文中，術(shù)語(yǔ)"包括"、"包含"或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，除 了包含所列的那些要素，而且還可包含沒(méi)有明確列出的其他要素。
[0078] 在本文中，所設(shè)及的前、后、上、下等方位詞是W附圖中零部件位于圖中W及零部 件相互之間的位置來(lái)定義的，只是為了表達(dá)技術(shù)方案的清楚及方便。應(yīng)當(dāng)理解，所述方位詞 的使用不應(yīng)限制本申請(qǐng)請(qǐng)求保護(hù)的范圍。
[0079] 在不沖突的情況下，本文中上述實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可W相互結(jié)合。
[0080] W上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用W限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 在導(dǎo)線（10)上形成第一絕緣薄膜(21)，所述導(dǎo)線（10)由導(dǎo)電材料制成； 通過(guò)蝕刻工藝在所述第一絕緣薄膜(21)中形成第一接觸孔(TH11)，所述第一接觸孔 (TH11)貫穿所述第一絕緣薄膜(21)，以露出所述導(dǎo)線（10); 在所述第一絕緣薄膜(21)上形成第二絕緣薄膜(22)，所述第二絕緣薄膜(22)填入所述 第一接觸孔(TH11)中； 通過(guò)蝕刻工藝在所述第二絕緣薄膜(22)中形成第二接觸孔(TH12)，所述第二接觸孔 (TH12)貫穿所述第二絕緣薄膜(22)，以露出所述導(dǎo)線（10)，其中所述第二接觸孔(TH12)的 尺寸小于所述第一接觸孔(TH11)，使得在對(duì)所述第二絕緣薄膜(22)進(jìn)行蝕刻形成所述第二 接觸孔(TH12)的過(guò)程中不會(huì)蝕刻到所述第一絕緣薄膜(21);以及 在所述第二絕緣薄膜(22)上形成導(dǎo)電連接層(23)，所述導(dǎo)電連接層(23)填入所述第二 接觸孔(TH12)中并與所述導(dǎo)線（10)接觸導(dǎo)通。2. -種在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 在導(dǎo)線（10)上形成第一絕緣薄膜(21)，所述導(dǎo)線（10)由導(dǎo)電材料制成； 通過(guò)蝕刻工藝在所述第一絕緣薄膜(21)上形成第一接觸孔(TH21)，所述第一接觸孔 (TH21)貫穿所述第一絕緣薄膜(21)，以露出所述導(dǎo)線（10); 在所述第一絕緣薄膜(21)上形成由導(dǎo)電材料制成的蝕刻阻擋層(30)，所述蝕刻阻擋層 (30)填入所述第一接觸孔(TH21)中并與所述導(dǎo)線（10)接觸導(dǎo)通； 在所述第一絕緣薄膜(21)上形成第二絕緣薄膜(22)，所述第二絕緣薄膜(22)覆蓋所述 蝕刻阻擋層(30); 通過(guò)蝕刻工藝在所述第二絕緣薄膜(22)中形成第二接觸孔(TH22)，所述第二接觸孔 (TH22)貫穿所述第二絕緣薄膜（22)，以露出所述蝕刻阻擋層（30)，其中所述蝕刻阻擋層 (30)具有阻隔作用，使得在對(duì)所述第二絕緣薄膜(22)進(jìn)行蝕刻形成所述第二接觸孔(TH22) 的過(guò)程中不會(huì)蝕刻到所述第一絕緣薄膜(21);以及 在所述第二絕緣薄膜(22)上形成導(dǎo)電連接層(23)，所述導(dǎo)電連接層(23)填入所述第二 接觸孔(TH22)中并與所述蝕刻阻擋層(30)接觸導(dǎo)通。3. 如權(quán)利要求1或2所述的在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo) 線（10)為T(mén)FT陣列基板上的柵源漏極金屬層中的柵極或源極或漏極。4. 如權(quán)利要求1或2所述的在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第 一絕緣薄膜(21)為T(mén)FT陣列基板上的柵極絕緣層，所述第二絕緣薄膜(22)為T(mén)FT陣列基板上 的鈍化絕緣層。5. 如權(quán)利要求1或2所述的在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第 一絕緣薄膜(21)為T(mén)FT陣列基板上的第一鈍化絕緣層，所述第二絕緣薄膜(22)為T(mén)FT陣列基 板上的第二鈍化絕緣層。6. 如權(quán)利要求1或2所述的在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo) 電連接層(23)為T(mén)FT陣列基板上的像素電極層。7. 如權(quán)利要求2所述的在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，其特征在于，所述蝕刻阻 擋層(30)由金屬或透明導(dǎo)電金屬氧化物制成。8. 如權(quán)利要求1或2所述的在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第 一接觸孔(TH11/TH21)的尺寸小于所述導(dǎo)線（10)的寬度。9. 如權(quán)利要求1或2所述的在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，其特征在于，在所述 第一絕緣薄膜(21)中形成所述第一接觸孔(TH11 /TH21)的蝕刻工藝具體包括： 在所述第一絕緣薄膜(21)上涂覆光阻； 對(duì)所述光阻進(jìn)行曝光和顯影，在將要制作所述第一接觸孔(TH11/TH21)的位置去除所 述光阻，而其他位置保留所述光阻； 在所述光阻的遮罩下對(duì)所述第一絕緣薄膜（21)進(jìn)行蝕刻以形成所述第一接觸孔 (TH11/TH21)； 去除所述第一絕緣薄膜(21)上的所述光阻。10. 如權(quán)利要求1或2所述的在多層絕緣膜上開(kāi)接觸孔的制作方法，其特征在于，在所述 第二絕緣薄膜(22)中形成所述第二接觸孔(TH12/TH22)的蝕刻工藝具體包括： 在所述第二絕緣薄膜(22)上涂覆光阻； 對(duì)所述光阻進(jìn)行曝光和顯影，在將要制作所述第二接觸孔(TH12/TH22)的位置去除所 述光阻，而其他位置保留所述光阻； 在所述光阻的遮罩下對(duì)所述第二絕緣薄膜（22)進(jìn)行蝕刻以形成所述第二接觸孔 (TH12/TH22)； 去除所述第二絕緣薄膜(22)上的所述光阻。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK106098614SQ201610670104
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年8月16日 公開(kāi)號(hào)201610670104.2, CN 106098614 A, CN 106098614A, CN 201610670104, CN-A-106098614, CN106098614 A, CN106098614A, CN201610670104, CN201610670104.2
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