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      一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝的制作方法

      文檔序號(hào):10727790閱讀:367來(lái)源:國(guó)知局
      一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝,其特征在于,包括以下步驟:硅片的檢測(cè)、表面制絨、清洗、擴(kuò)散制結(jié)、去磷硅玻璃、等離子刻蝕、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和鍍反射膜,本發(fā)明通過采用特殊的表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)的生產(chǎn)工藝,從而增加了太陽(yáng)能電池片的光能利用率;本發(fā)明還通過增加了背面鍍反射膜工藝,從而使透過太陽(yáng)能電池片的光線,重新被二次利用,進(jìn)而增加了太陽(yáng)能電池片的光能利用率。
      【專利說(shuō)明】
      一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池的領(lǐng)域,特別是一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝的技術(shù)領(lǐng)域。
      【【背景技術(shù)】】
      [0002]太陽(yáng)能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源,也是清潔能源,不產(chǎn)生任何的環(huán)境污染。在太陽(yáng)能的有效利用當(dāng)中;大陽(yáng)能光電利用是近些年來(lái)發(fā)展最快,最具活力的研究領(lǐng)域,是其中最受矚目的項(xiàng)目之一。為此,人們研制和開發(fā)了太陽(yáng)能電池。制作太陽(yáng)能電池主要是以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ),其工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電于轉(zhuǎn)換反應(yīng),太陽(yáng)電池是將太陽(yáng)光能直接轉(zhuǎn)換為電能的半導(dǎo)體器件,太陽(yáng)能電池片的是太陽(yáng)能電池的重要組成部分,太陽(yáng)能電池片一般分為單晶電池片和多晶電池片兩種,由于太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝的不足,現(xiàn)有太陽(yáng)能電池片一般光能利用率都較差。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足,本發(fā)明提出了一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝,本發(fā)明通過采用特殊的生產(chǎn)工藝,從而大大提高了太陽(yáng)能電池片的光能利用率。
      [0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出了一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝,其特征在于,包括以下步驟:
      [0005]a)硅片的檢測(cè):首先來(lái)料硅片的表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋進(jìn)行檢測(cè);
      [0006]b)表面制絨:將步驟a)檢測(cè)合格的硅片放入制絨溶液中,進(jìn)行表面腐蝕制絨;
      [0007]c)清洗:將步驟b)表面制絨后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中進(jìn)行清洗;
      [0008]d)擴(kuò)散制結(jié):將步驟c)清洗后的硅片放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散制結(jié);
      [0009]e)去磷硅玻璃:將步驟d)擴(kuò)散制結(jié)后的硅片,放入HF酸中浸泡,以去除擴(kuò)散制結(jié)后在娃片表面形成的一層磷娃玻璃;
      [0010]f)等離子刻蝕:將步驟e)處理過后的硅片,進(jìn)行等離子刻蝕處理,以去除硅片邊緣的PN結(jié);
      [0011]g)鍍減反射膜:將步驟f)等離子刻蝕處理后的硅片,在PECVD設(shè)備上,鍍一層減反射膜;
      [0012]h)絲網(wǎng)印刷:將步驟g)做鍍減反射膜處理后的硅片,在絲網(wǎng)印刷上制備正負(fù)電機(jī);
      [0013]i)燒結(jié):將步驟h)絲網(wǎng)印刷后的硅片,放入燒結(jié)爐中做燒結(jié)處理,從而得到粗制太陽(yáng)能電池片;
      [0014]j)鍍反射膜:將步驟i)粗制太陽(yáng)能電池片的背面電極的一面,鍍一層銀反射膜,并淋層保護(hù)漆,從而得到太陽(yáng)能電池片。
      [0015]作為優(yōu)選,所述步驟b)的制絨溶液,在制造單晶太陽(yáng)能電池片時(shí),采用的是NaOH、Na2Si03、IPA的混合溶液,在制造多晶太陽(yáng)能電池片時(shí),采用的是HN03和HF的混合溶液。
      [0016]作為優(yōu)選,所述步驟b)的腐蝕制絨的制絨溫度為70°C-80°C,所述步驟d)擴(kuò)散制結(jié)時(shí)的溫度為850°C-900°C。
      [0017]作為優(yōu)選,所述步驟g)鍍減反射膜的厚度為70nm-75nm,所述步驟d)擴(kuò)散制結(jié)中,采用的擴(kuò)散源為P0C13。
      [0018]本發(fā)明的有益結(jié)果:本發(fā)明通過采用特殊的表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)的生產(chǎn)工藝,從而增加了太陽(yáng)能電池片的光能利用率;本發(fā)明還通過增加了背面鍍反射膜工藝,從而使透過太陽(yáng)能電池片的光線,重新被二次利用,進(jìn)而增加了太陽(yáng)能電池片的光能利用率。
      【【具體實(shí)施方式】】
      [0019]本發(fā)明提出了一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝,其特征在于,包括以下步驟:
      [0020]a)硅片的檢測(cè):首先來(lái)料硅片的表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋進(jìn)行檢測(cè);b)表面制絨:將步驟a)檢測(cè)合格的硅片放入制絨溶液中,進(jìn)行表面腐蝕制絨;c)清洗:將步驟b)表面制絨后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中進(jìn)行清洗;d)擴(kuò)散制結(jié):將步驟c)清洗后的硅片放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散制結(jié);e)去磷硅玻璃:將步驟d)擴(kuò)散制結(jié)后的硅片,放入HF酸中浸泡,以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷硅玻璃;f)等離子刻蝕:將步驟e)處理過后的硅片,進(jìn)行等離子刻蝕處理,以去除硅片邊緣的PN結(jié);g)鍍減反射膜:將步驟f)等離子刻蝕處理后的硅片,在PECVD設(shè)備上,鍍一層減反射膜;h)絲網(wǎng)印刷:將步驟
      g)做鍍減反射膜處理后的硅片,在絲網(wǎng)印刷上制備正負(fù)電機(jī);i)燒結(jié):將步驟h)絲網(wǎng)印刷后的硅片,放入燒結(jié)爐中做燒結(jié)處理,從而得到粗制太陽(yáng)能電池片;j)鍍反射膜:將步驟i)粗制太陽(yáng)能電池片的背面電極的一面,鍍一層銀反射膜,并淋層保護(hù)漆,從而得到太陽(yáng)能電池片,所述步驟b)的制絨溶液,在制造單晶太陽(yáng)能電池片時(shí),采用的是Na0H、Na2Si03、IPA的混合溶液,在制造多晶太陽(yáng)能電池片時(shí),采用的是HN03和HF的混合溶液,所述步驟b)的腐蝕制絨的制絨溫度為70 0C-80 0C,所述步驟d)擴(kuò)散制結(jié)時(shí)的溫度為850 V-900 V,所述步驟g)鍍減反射膜的厚度為70nm-75nm,所述步驟d)擴(kuò)散制結(jié)中,采用的擴(kuò)散源為P0C13。
      [0021]本發(fā)明通過采用特殊的表面制絨、擴(kuò)散制結(jié)的生產(chǎn)工藝,從而增加了太陽(yáng)能電池片的光能利用率;本發(fā)明還通過增加了背面鍍反射膜工藝,從而使透過太陽(yáng)能電池片的光線,重新被二次利用,進(jìn)而增加了太陽(yáng)能電池片的光能利用率。
      [0022]上述實(shí)施例是對(duì)本發(fā)明的說(shuō)明,不是對(duì)本發(fā)明的限定,任何對(duì)本發(fā)明簡(jiǎn)單變換后的方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝,其特征在于,包括以下步驟: a)硅片的檢測(cè):首先來(lái)料硅片的表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋進(jìn)行檢測(cè); b)表面制絨:將步驟a)檢測(cè)合格的硅片放入制絨溶液中,進(jìn)行表面腐蝕制絨; c)清洗:將步驟b)表面制絨后的硅片放入HCl和HF的混合溶液中進(jìn)行清洗; d)擴(kuò)散制結(jié):將步驟c)清洗后的硅片放入擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散制結(jié); e)去磷硅玻璃:將步驟d)擴(kuò)散制結(jié)后的硅片,放入HF酸中浸泡,以去除擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表面形成的一層磷娃玻璃; f)等離子刻蝕:將步驟e)處理過后的硅片,進(jìn)行等離子刻蝕處理,以去除硅片邊緣的PN結(jié); g)鍍減反射膜:將步驟f)等離子刻蝕處理后的硅片,在PECVD設(shè)備上,鍍一層減反射膜; h)絲網(wǎng)印刷:將步驟g)做鍍減反射膜處理后的硅片,在絲網(wǎng)印刷上制備正負(fù)電機(jī); i)燒結(jié):將步驟h)絲網(wǎng)印刷后的硅片,放入燒結(jié)爐中做燒結(jié)處理,從而得到粗制太陽(yáng)能電池片; j)鍍反射膜:將步驟i)粗制太陽(yáng)能電池片的背面電極的一面,鍍一層銀反射膜,并淋層保護(hù)漆,從而得到太陽(yáng)能電池片。2.權(quán)利要求1所述一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝,其特征在于:所述步驟b)的制絨溶液,在制造單晶太陽(yáng)能電池片時(shí),采用的是Na0H、Na2Si03、IPA的混合溶液,在制造多晶太陽(yáng)能電池片時(shí),采用的是HN03和HF的混合溶液。3.權(quán)利要求1所述一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝,其特征在于:所述步驟b)的腐蝕制絨的制絨溫度為70°C_80°C,所述步驟d)擴(kuò)散制結(jié)時(shí)的溫度為850°C-900°C。4.權(quán)利要求1所述一種太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝,其特征在于:所述步驟g)鍍減反射膜的厚度為70nm-75nm,所述步驟d)擴(kuò)散制結(jié)中,采用的擴(kuò)散源為P0C13。
      【文檔編號(hào)】H01L31/056GK106098860SQ201610739116
      【公開日】2016年11月9日
      【申請(qǐng)日】2016年8月27日
      【發(fā)明人】趙華飛
      【申請(qǐng)人】浙江中晶新能源有限公司
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