一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管芯片包括依次層疊的N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層,所述發(fā)光二極管芯片還包括非吸光襯底、AB膠、以及硅化物薄膜,所述硅化物薄膜層疊在所述P型電流擴(kuò)展層上,所述AB膠涂覆在所述非吸光襯底上,所述非吸光襯底和所述P型電流擴(kuò)展層之間通過(guò)所述AB膠和所述硅化物薄膜鍵合。本發(fā)明通過(guò)AB膠和硅化物薄膜實(shí)現(xiàn)非吸光襯底與LED外延片的鍵合,采用非吸光襯底替代GaAs襯底,避免由于襯底吸光造成LED芯片亮度較低,提高了LED芯片的發(fā)光亮度,可以滿足用戶需求。
【專利說(shuō)明】
_種發(fā)光二極管芯片及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為目前全球最受矚目的新一代光源,發(fā)光二極管(LightEmitting D1de,簡(jiǎn)稱LED)因其高亮度、低熱量、長(zhǎng)壽命、無(wú)毒、可回收再利用等優(yōu)點(diǎn),被稱為是21世紀(jì)最有發(fā)展前景的綠色照明光源。
[0003]目前的紅黃光LED芯片包括GaAs襯底、以及依次層疊在GaAs襯底上的N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中,發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題:
[0005]GaAs襯底會(huì)吸光,造成芯片亮度較低,無(wú)法滿足用戶需求。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)芯片亮度較低的問(wèn)題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]—方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片,所述發(fā)光二極管芯片包括依次層疊的N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層,所述發(fā)光二極管芯片還包括非吸光襯底、AB膠、以及硅化物薄膜,所述硅化物薄膜層疊在所述P型電流擴(kuò)展層上,所述AB膠涂覆在所述非吸光襯底上,所述非吸光襯底和所述P型電流擴(kuò)展層之間通過(guò)所述AB膠和所述硅化物薄膜鍵合。
[0008]可選地,所述非吸光襯底為藍(lán)寶石襯底、硅襯底、玻璃襯底中的任一種。
[0009]另一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的制備方法,所述制備方法包括:
[0010]在GaAs襯底上依次生長(zhǎng)N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層;
[0011 ]在所述P型電流擴(kuò)展層上沉積硅化物薄膜;
[0012]將A膠和B膠均勻混合形成AB膠,并抽取所述AB膠中的氣泡;
[0013]將所述AB膠旋涂在非吸光襯底上;
[0014]將所述硅化物薄膜和所述AB膠鍵合;
[0015]去除所述GaAs襯底。
[0016]可選地,所述將所述硅化物薄膜和所述AB膠鍵合,包括:
[0017]將所述硅化物薄膜和所述AB膠相對(duì)地貼合在一起;
[0018]將鍵合機(jī)保持在Okg壓力、常溫、真空狀態(tài)下120s;
[0019]將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、100°C、真空狀態(tài)下600s ;
[0020]將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、150°C、真空狀態(tài)下1800s。
[0021]可選地,所述制備方法包括:
[0022]在所述硅化物薄膜上涂覆一層光刻膠;
[0023]對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,形成設(shè)定圖形的所述光刻膠;
[0024]在所述光刻膠的保護(hù)下,在所述硅化物薄膜上形成延伸至所述GaAs襯底的切割道;
[0025]剝離所述光刻膠。
[0026]又一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片,所述發(fā)光二極管芯片包括依次層疊的N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層,所述發(fā)光二極管芯片還包括非吸光襯底、AB膠、以及硅化物薄膜,所述硅化物薄膜層疊在所述N型電流擴(kuò)展層上,所述AB膠涂覆在所述非吸光襯底上,所述非吸光襯底和所述N型電流擴(kuò)展層之間通過(guò)所述AB膠和所述硅化物薄膜鍵合。
[0027]可選地,所述非吸光襯底為藍(lán)寶石襯底、硅襯底、玻璃襯底中的任一種。
[0028]又一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的制備方法,所述制備方法包括:
[0029]在第一GaAs襯底上依次生長(zhǎng)N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層;
[0030]在所述P型電流擴(kuò)展層上沉積第一硅化物薄膜;
[0031]將A膠和B膠均勻混合形成第一AB膠,并抽取所述第一 AB膠中的氣泡;
[0032]在第二GaAs襯底上沉積第二硅硅化物薄膜,并將所述第一 AB膠旋涂在所述第二硅化物薄膜上;
[0033]將所述第一硅化物薄膜和所述第一AB膠鍵合;
[0034]在所述第二GaAs襯底上形成保護(hù)層;
[0035]去除所述第一GaAs襯底;
[0036]在所述N型電流擴(kuò)展層上沉積第三硅化物薄膜;
[0037]將A膠和B膠均勻混合形成第二AB膠,并抽取所述第二 AB膠中的氣泡;
[0038]將所述第二AB膠旋涂在非吸光襯底上;
[0039]將所述第三硅化物薄膜和所述第二AB膠鍵合;
[0040]去除所述第二GaAs襯底、所述第二硅化物薄膜、所述第一 AB膠、所述第一硅化物薄膜。
[0041 ]可選地,所述將所述第一硅化物薄膜和所述第一 AB膠鍵合,包括:
[0042]將所述第一硅化物薄膜和所述第一 AB膠相對(duì)地貼合在一起;
[0043 ]將鍵合機(jī)保持在Okg壓力、常溫、真空狀態(tài)下120s;
[0044]將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、100 °C、真空狀態(tài)下600s ;
[0045]將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、150°C、真空狀態(tài)下1800s。
[0046]可選地,所述制備方法包括:
[0047]在所述第三硅化物薄膜上涂覆一層光刻膠;
[0048]對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,形成設(shè)定圖形的所述光刻膠;
[0049]在所述光刻膠的保護(hù)下,在所述第三硅化物薄膜上形成延伸至所述GaAs襯底的切割道;
[0050]剝離所述光刻膠。
[0051]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0052]通過(guò)AB膠和硅化物薄膜實(shí)現(xiàn)非吸光襯底與LED外延片的鍵合,采用非吸光襯底替代GaAs襯底,避免由于襯底吸光造成LED芯片亮度較低,提高了 LED芯片的發(fā)光亮度,可以滿足用戶需求。
【附圖說(shuō)明】
[0053]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0054]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0055]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種發(fā)光二極管芯片的制備方法的流程圖;
[0056]圖3是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0057]圖4是本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0058]圖5是本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種發(fā)光二極管芯片的制備方法的流程圖;
[0059]圖6是本發(fā)明實(shí)施例四提供的一種發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0060]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0061 ] 實(shí)施例一
[0062]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片,參見(jiàn)圖1,該發(fā)光二極管芯片包括依次層疊的N型電流擴(kuò)展層1、N型限制層2、多量子阱層3、P型限制層4、P型電流擴(kuò)展層5,該發(fā)光二極管芯片還包括非吸光襯底6、AB膠7、以及硅化物薄膜8,硅化物薄膜8層疊在P型電流擴(kuò)展層5上,AB膠7涂覆在非吸光襯底6上,非吸光襯底6和P型電流擴(kuò)展層5之間通過(guò)AB膠7和硅化物薄膜8鍵合。
[0063]需要說(shuō)明的是,AB膠是兩液混合硬化膠的別稱,一液是本膠(S卩A膠),一液是硬化劑(即B膠),兩液相混才能硬化,是常溫硬化劑的一種。
[0064]在本實(shí)施例中,N型電流擴(kuò)展層I為AlGaInP層,N型限制層2為N型AlInP層,多量子阱層3包括交替層疊的AlGaInP量子阱層和AlGaInP量子皇層,P型限制層4為P型AlInP層,P型電流擴(kuò)展層5為GaP層。
[0065]可選地,非吸光襯底6可以為藍(lán)寶石襯底、硅襯底、玻璃襯底中的任一種。其中,藍(lán)寶石襯底和玻璃襯底為透明襯底,可以使光透射出去;硅襯底為反光襯底,可以使光從相反反向射出。在實(shí)際應(yīng)用中,也可以采用其它透光或反光的襯底,本實(shí)施例采用的AB膠可以實(shí)現(xiàn)任何襯底與外延片的鍵合,避免由于受到外延片和襯底的材料的限制而導(dǎo)致LED芯片外量子效率低。
[0066]可選地,AB膠7可以為PMG-8868。
[0067]可選地,硅化物薄膜8可以為氧化硅層或氮化硅層。
[0068]可選地,硅化物薄膜8的厚度可以為1000埃。
[0069]可選地,N型限制層2的摻雜雜質(zhì)可以為硅元素,N型限制層2的摻雜濃度可以為8 X10—17?3父10—18011—34型限制層2的厚度可以為250?55011111,如40011111。
[0070]可選地,P型限制層4的摻雜雜質(zhì)可以為鎂元素,P型限制層4的摻雜濃度可以為8X10—17?10—18cm—3,P型限制層4的厚度可以為400?600nm,如500nm。
[0071]可選地,P型電流擴(kuò)展層5的摻雜雜質(zhì)可以為鎂元素,P型電流擴(kuò)展層5的摻雜濃度可以為2 X 10—18?7 X 10—18cm—3,P型電流擴(kuò)展層5的厚度可以為7?ΙΟμπι,如8.5μπι。
[0072]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)AB膠和硅化物薄膜實(shí)現(xiàn)非吸光襯底與LED外延片的鍵合,采用非吸光襯底替代GaAs襯底,避免由于襯底吸光造成LED芯片亮度較低,提高了 LED芯片的發(fā)光亮度,可以滿足用戶需求。
[0073]實(shí)施例二
[0074]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的制備方法,適用于制備實(shí)施例一提供的發(fā)光二極管芯片,參見(jiàn)圖2,該制備方法包括:
[0075]步驟201:在GaAs襯底上依次生長(zhǎng)N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層。
[0076]步驟202:在P型電流擴(kuò)展層上沉積硅化物薄膜。
[0077]可選地,該步驟202可以包括:
[0078]米用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical VaporD印osit1n,簡(jiǎn)稱PECVD)在P型電流擴(kuò)展層上沉積硅化物薄膜。
[0079]在實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,在步驟202之后,該制備方法還可以包括:
[0080]在硅化物薄膜上涂覆一層光刻膠;
[0081]對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,形成設(shè)定圖形的光刻膠;
[0082]在光刻膠的保護(hù)下,在硅化物薄膜上形成延伸至GaAs襯底的切割道;
[0083]剝離光刻膠。
[0084]可選地,在硅化物薄膜上形成延伸至GaAs襯底的切割道,可以包括:
[0085]采用濕法刻蝕技術(shù)刻蝕硅化物薄膜;
[0086]米用電感親合等離子體(InductiveCoupled Plasma Emiss1n Spectrometer,簡(jiǎn)稱ICP)干法刻蝕技術(shù)刻蝕P型電流擴(kuò)展層、P型限制層、多量子阱層、N型限制層、N型電流擴(kuò)展層。
[0087]圖3為上述實(shí)現(xiàn)方式下執(zhí)行步驟206后的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3中,I為N型電流擴(kuò)展層,2為N型限制層,3為多量子阱層,4為P型限制層,5為P型電流擴(kuò)展層,6為非吸光襯底,7為AB膠,8為硅化物薄膜,10為切割道。此后,沿切割道進(jìn)行切割,即可得到若干相互獨(dú)立的LED芯片。
[0088]步驟203:將A膠和B膠均勻混合形成AB膠,并抽取AB膠中的氣泡。
[0089]可選地,將A膠和B膠均勻混合形成AB膠,可以包括:
[0090]將A膠和B膠按1:1的體積比分別存放在兩個(gè)容器中;
[0091 ]將A膠按1:1的體積比加入二甲苯稀釋并攪拌均勻;
[0092]將B膠按1:1的體積比加入二甲苯稀釋并攪拌均勻;
[0093]在A膠的稀釋液和B膠的稀釋液均攪拌均勻之后,將A膠和B膠混合并攪拌均勻,SP得到AB膠。
[0094]可選地,抽取AB膠中的氣泡,可以包括:
[0095]采用脫泡機(jī)或抽真空的設(shè)備,將AB膠中的氣泡抽干凈。
[0096]步驟204:將AB膠旋涂在非吸光襯底上。
[0097]可選地,該步驟204可以包括:
[0098]采用自動(dòng)勻膠機(jī)或手動(dòng)勻膠機(jī),將AB膠旋涂在非吸光襯底上。
[0099]步驟205:將硅化物薄膜和AB膠鍵合。
[0100]可選地,該步驟205可以包括:
[0101 ]將硅化物薄膜和AB膠相對(duì)地貼合在一起;
[0102]將鍵合機(jī)保持在Okg壓力、常溫、真空狀態(tài)下120s;
[0103]將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、100°C、真空狀態(tài)下600s ;
[0104]將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、150°C、真空狀態(tài)下1800s。
[0105]需要說(shuō)明的是,將鍵合機(jī)保持在Okg壓力、常溫、真空狀態(tài)下120s,有利于將粘合面中的氣泡抽干凈;將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、100°C、真空狀態(tài)下600s,有利于AB膠中的稀釋劑揮發(fā);將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、150°C、真空狀態(tài)下1800s,有利于AB膠固化。
[0106]步驟206:去除GaAs襯底。
[0107]可選地,該步驟206可以包括:
[0108]將GaAs襯底放置在45°C的襯底去除劑中30?60min。
[0109]具體地,襯底去除劑可以為體積比為1:2:1的NH40H、H202、H20混合而成。
[0110]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)AB膠和硅化物薄膜實(shí)現(xiàn)非吸光襯底與LED外延片的鍵合,采用非吸光襯底替代GaAs襯底,避免由于襯底吸光造成LED芯片亮度較低,提高了 LED芯片的發(fā)光亮度,可以滿足用戶需求。
[0111]實(shí)施例三
[0112]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片,參見(jiàn)圖4,該發(fā)光二極管芯片與實(shí)施例一提供的發(fā)光二極管芯片的不同之處在于,硅化物薄膜8層疊在N型電流擴(kuò)展層I上,非吸光襯底6和N型電流擴(kuò)展層I之間通過(guò)AB膠7和硅化物薄膜8鍵合。
[0113]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)AB膠和硅化物薄膜實(shí)現(xiàn)非吸光襯底與LED外延片的鍵合,采用非吸光襯底替代GaAs襯底,避免由于襯底吸光造成LED芯片亮度較低,提高了 LED芯片的發(fā)光亮度,可以滿足用戶需求。
[0114]實(shí)施例四
[0115]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的制備方法,適用于制備實(shí)施例三提供的發(fā)光二極管芯片,參見(jiàn)圖5,該制備方法包括:
[0116]步驟401:在第一GaAs襯底上依次生長(zhǎng)N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層。
[0117]具體地,該步驟401可以與實(shí)施例二中的步驟201類似,在此不再詳述。
[0118]步驟402:在P型電流擴(kuò)展層上沉積第一硅化物薄膜。
[0119]具體地,該步驟402可以與實(shí)施例二中的步驟202類似,在此不再詳述。
[0120]可選地,第一硅化物薄膜可以為氧化硅層或氮化硅層。
[0121]可選地,第一硅化物薄膜的厚度可以為2μπι。
[0122]步驟403:將A膠和B膠均勻混合形成第一AB膠,并抽取第一 AB膠中的氣泡。
[0123]具體地,該步驟403可以與實(shí)施例二中的步驟203類似,在此不再詳述。
[0124]可選地,第一 AB膠可以為PMG-8868。
[0125]步驟404:在第二 GaAs襯底上沉積第二硅化物薄膜,并將第一 AB膠旋涂在第二硅化物薄膜上。
[0126]需要說(shuō)明的是,由于GaAs襯底無(wú)法與AB膠粘連,因此本實(shí)施例中利用硅化物薄膜將GaAs襯底無(wú)法與AB膠粘連。
[0127]可選地,第二硅化物薄膜的厚度可以為1000埃。
[0128]具體地,該步驟404可以與實(shí)施例二中的步驟201和步驟204類似,在此不再詳述。
[0129]步驟405:將第一硅化物薄膜和第一 AB膠鍵合。
[0130]具體地,該步驟405可以與實(shí)施例二中的步驟205類似,在此不再詳述。
[0131 ]步驟406:在第二 GaAs襯底上形成保護(hù)層。
[0132]可選地,該步驟406可以包括:
[0133]采用手動(dòng)勻膠機(jī)或自動(dòng)勻膠機(jī)在第二GaAs襯底上涂覆一層光刻膠;
[0134]對(duì)光刻膠進(jìn)行溫度為90°C、時(shí)長(zhǎng)為20min的烘烤,將光刻膠烤干。
[0135]需要說(shuō)明的是,保護(hù)層是在去除第一GaAs襯底的過(guò)程中(詳見(jiàn)步驟407),防止第二GaAs襯底被一并去除而設(shè)置在第二GaAs襯底上的。待去除第二GaAs襯底時(shí),保護(hù)層自然一并去除,因此不需要單獨(dú)去除保護(hù)層。
[0136]步驟407:去除第一 GaAs襯底。
[0137]具體地,該步驟407可以與實(shí)施例二中的步驟206類似,在此不再詳述。
[0138]步驟408:在N型電流擴(kuò)展層上沉積第三硅化物薄膜。
[0139]具體地,該步驟408可以與步驟402類似,在此不再詳述。
[0140]可選地,第三硅化物薄膜可以為氧化硅層或氮化硅層。
[0141]可選地,第三硅化物薄膜的厚度可以為1000埃。
[0142]在實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,在步驟202之后,該制備方法還可以包括:
[0143]在第三硅化物薄膜上涂覆一層光刻膠;
[0144]對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,形成設(shè)定圖形的光刻膠;
[0145]在光刻膠的保護(hù)下,在第三硅化物薄膜上形成延伸至GaAs襯底的切割道;
[0146]剝離光刻膠。
[0147]可選地,在第三硅化物薄膜上形成延伸至GaAs襯底的切割道,可以包括:
[0148]采用濕法刻蝕技術(shù)刻蝕第三硅化物薄膜;
[0149]采用ICP干法刻蝕技術(shù)刻蝕N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層。
[0150]圖6為上述實(shí)現(xiàn)方式下執(zhí)行步驟412后的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6中,I為N型電流擴(kuò)展層,2為N型限制層,3為多量子阱層,4為P型限制層,5為P型電流擴(kuò)展層,6為非吸光襯底,7為第二AB膠,8為第三硅化物薄膜,10為切割道。此后,沿切割道進(jìn)行切割,即可得到若干相互獨(dú)立的LED芯片。
[0151 ] 步驟409:將A膠和B膠均勻混合形成第二 AB膠,并抽取第二 AB膠中的氣泡。
[0152]具體地,該步驟409可以與步驟403類似,在此不再詳述。
[0153]可選地,第二 AB膠可以為PMG-8868。
[0154]步驟410:將第二AB膠旋涂在非吸光襯底上。
[0155]具體地,該步驟410可以與步驟404類似,在此不再詳述。
[0156]步驟411:將第三硅化物薄膜和第二AB膠鍵合。
[0157]具體地,該步驟411可以與步驟405類似,在此不再詳述。
[0158]步驟412:去除第二 GaAs襯底、第二硅化物薄膜、第一 AB膠、第一硅化物薄膜。
[0159]可選地,該步驟412可以包括:
[0160]將GaAs襯底放置在45 °C的襯底去除劑中30?60min,去除第二 GaAs襯底;
[0161]將芯片浸泡在緩沖氧化硅蝕刻液(Buffer Oxide Etcher,簡(jiǎn)稱B0E)溶液中,通過(guò)氧化硅蝕刻液側(cè)向腐蝕2μπι的第一硅化物薄膜,同時(shí)實(shí)現(xiàn)第一硅化物薄膜、第一AB膠、第二硅化物薄膜的去除。
[0162]具體地,襯底去除劑可以為體積比為1:2:1的ΝΗ40Η、Η202、Η20混合而成。
[0163]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)AB膠和硅化物薄膜實(shí)現(xiàn)非吸光襯底與LED外延片的鍵合,采用非吸光襯底替代GaAs襯底,避免由于襯底吸光造成LED芯片亮度較低,提高了 LED芯片的發(fā)光亮度,可以滿足用戶需求。
[0164]上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述,不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。
[0165]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光二極管芯片,所述發(fā)光二極管芯片包括依次層疊的N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層,其特征在于,所述發(fā)光二極管芯片還包括非吸光襯底、AB膠、以及硅化物薄膜,所述硅化物薄膜層疊在所述P型電流擴(kuò)展層上,所述AB膠涂覆在所述非吸光襯底上,所述非吸光襯底和所述P型電流擴(kuò)展層之間通過(guò)所述AB膠和所述硅化物薄膜鍵合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片,其特征在于,所述非吸光襯底為藍(lán)寶石襯底、硅襯底、玻璃襯底中的任一種。3.—種發(fā)光二極管芯片的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括: 在GaAs襯底上依次生長(zhǎng)N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層; 在所述P型電流擴(kuò)展層上沉積硅化物薄膜; 將A膠和B膠均勻混合形成AB膠,并抽取所述AB膠中的氣泡; 將所述AB膠旋涂在非吸光襯底上; 將所述硅化物薄膜和所述AB膠鍵合; 去除所述GaAs襯底。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述將所述硅化物薄膜和所述AB膠鍵合,包括: 將所述硅化物薄膜和所述AB膠相對(duì)地貼合在一起; 將鍵合機(jī)保持在Okg壓力、常溫、真空狀態(tài)下120s; 將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、100 °C、真空狀態(tài)下600s; 將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、150 °C、真空狀態(tài)下1800s。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括: 在所述硅化物薄膜上涂覆一層光刻膠; 對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,形成設(shè)定圖形的所述光刻膠; 在所述光刻膠的保護(hù)下,在所述硅化物薄膜上形成延伸至所述GaAs襯底的切割道; 剝離所述光刻膠。6.—種發(fā)光二極管芯片,所述發(fā)光二極管芯片包括依次層疊的N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層,其特征在于,所述發(fā)光二極管芯片還包括非吸光襯底、AB膠、以及硅化物薄膜,所述硅化物薄膜層疊在所述N型電流擴(kuò)展層上,所述AB膠涂覆在所述非吸光襯底上,所述非吸光襯底和所述N型電流擴(kuò)展層之間通過(guò)所述AB膠和所述硅化物薄膜鍵合。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片,其特征在于,所述非吸光襯底為藍(lán)寶石襯底、硅襯底、玻璃襯底中的任一種。8.一種發(fā)光二極管芯片的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括: 在第一 GaAs襯底上依次生長(zhǎng)N型電流擴(kuò)展層、N型限制層、多量子阱層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層; 在所述P型電流擴(kuò)展層上沉積第一硅化物薄膜; 將A膠和B膠均勻混合形成第一 AB膠,并抽取所述第一 AB膠中的氣泡; 在第二 GaAs襯底上沉積第二硅硅化物薄膜,并將所述第一 AB膠旋涂在所述第二硅化物薄膜上; 將所述第一硅化物薄膜和所述第一 AB膠鍵合; 在所述第二 GaAs襯底上形成保護(hù)層; 去除所述第一 GaAs襯底; 在所述N型電流擴(kuò)展層上沉積第三硅化物薄膜; 將A膠和B膠均勻混合形成第二 AB膠,并抽取所述第二 AB膠中的氣泡; 將所述第二 AB膠旋涂在非吸光襯底上; 將所述第三硅化物薄膜和所述第二 AB膠鍵合; 去除所述第二 GaAs襯底、所述第二硅化物薄膜、所述第一 AB膠、所述第一硅化物薄膜。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述將所述第一硅化物薄膜和所述第一 AB膠鍵合,包括: 將所述第一硅化物薄膜和所述第一 AB膠相對(duì)地貼合在一起; 將鍵合機(jī)保持在Okg壓力、常溫、真空狀態(tài)下120s; 將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、100 °C、真空狀態(tài)下600s; 將鍵合機(jī)保持在200kg壓力、150 °C、真空狀態(tài)下1800s。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括: 在所述第三硅化物薄膜上涂覆一層光刻膠; 對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影,形成設(shè)定圖形的所述光刻膠; 在所述光刻膠的保護(hù)下,在所述第三硅化物薄膜上形成延伸至所述GaAs襯底的切割道; 剝離所述光刻膠。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK106098879SQ201610594796
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月25日 公開號(hào)201610594796.7, CN 106098879 A, CN 106098879A, CN 201610594796, CN-A-106098879, CN106098879 A, CN106098879A, CN201610594796, CN201610594796.7
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