量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件、背光模組及液晶顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件、背光模組及液晶顯示裝置，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，形成在發(fā)光裝置的外圍，受所述發(fā)光裝置發(fā)射的激勵(lì)光可產(chǎn)生波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換光，擴(kuò)散粒子層，形成在所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的內(nèi)表面一側(cè)，密封部件，形成在所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的表面上，對(duì)所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層進(jìn)行密封，克服相關(guān)技術(shù)中量子點(diǎn)光源器件不同位置的出射光線顏色不一致問(wèn)題。
【專利說(shuō)明】
量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件、背光模組及液晶顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件、背光模組及液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置是由液晶面板、機(jī)構(gòu)框架、光學(xué)部件及一些電路板等組成。由于液晶本身不發(fā)光，需要配置一些背光源才能顯示出畫(huà)面。其中，背光模組用于為液晶顯示裝置提供亮度及分布均勻的背光源，使液晶顯示裝置能正常的顯示畫(huà)面。
[0003]為了實(shí)現(xiàn)高色域背光源，采用量子點(diǎn)技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)100%及以上NTSC的高色域背光源。其中，量子點(diǎn)為1nm及更小的半導(dǎo)體納米晶體，可產(chǎn)生量子限制效應(yīng)，量子點(diǎn)可較窄的波長(zhǎng)范圍內(nèi)發(fā)射出比焚光體發(fā)射更強(qiáng)的光，即使在相同材料下量子點(diǎn)情況下，量子點(diǎn)可根據(jù)粒子大小發(fā)射出不同波長(zhǎng)的光，隨著量子點(diǎn)尺寸的減小，量子點(diǎn)可以發(fā)射出短波長(zhǎng)光，從而可以通過(guò)調(diào)整量子點(diǎn)的粒子大小來(lái)獲得所需要的波長(zhǎng)光。
[0004]在相關(guān)技術(shù)中采用藍(lán)色LED發(fā)光芯片發(fā)射藍(lán)色光激發(fā)量子點(diǎn)材料產(chǎn)生白方案，圖1為相關(guān)技術(shù)中包含藍(lán)色LED芯片與量子點(diǎn)材料封的量子點(diǎn)光源器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，藍(lán)色LED芯片130設(shè)置在PCB印制板上，封裝支架120通過(guò)粘接在PCB印制板上形成凹槽狀，其中，LED芯片位于凹槽底板的中心，封裝支架120底端設(shè)置量子點(diǎn)層110，且量子層110由兩層玻璃之間封裝量子點(diǎn)材料形成。為了防止量子點(diǎn)材料遇高溫(70度以上)失效，將量子點(diǎn)層110與藍(lán)色LED芯片之間設(shè)置隔熱層，如:隔熱材料層，或者保留一定距離的空氣層。
[0005]圖2為圖1相關(guān)技術(shù)中量子點(diǎn)光源器件的發(fā)光光線示意圖，如圖2所示，一方面，由于LED芯片的發(fā)光光線有一定發(fā)散角度，且光強(qiáng)呈朗伯分布，其中，發(fā)光角度越小光強(qiáng)越強(qiáng)，發(fā)光角度越大光強(qiáng)越弱，且LED發(fā)光芯片的出光面與呈平面狀的量子點(diǎn)層之間通常會(huì)設(shè)置一定距離空氣間隙層，這樣，量子點(diǎn)層中心位置單位時(shí)間通過(guò)的光子多，遠(yuǎn)離中心位置邊緣通過(guò)光子少，因此，對(duì)于均勾分布量子點(diǎn)材料的量子點(diǎn)層來(lái)講，中心藍(lán)光成分偏多導(dǎo)致偏藍(lán)，邊緣位置藍(lán)光成分偏少導(dǎo)致偏黃，造成量子點(diǎn)光源器件不同位置的出射光線顏色不一致問(wèn)題；另一方面，該量子點(diǎn)光源器件的出光面為平面結(jié)構(gòu)，其出光面角度有限，極大限制了該量子點(diǎn)光源器件的出光角度問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)光源器件、背光模組及液晶顯示裝置，以克服相關(guān)技術(shù)中量子點(diǎn)光源器件不同位置的出射光線顏色不一致以及出光角度小的問(wèn)題。
[0007]第一方面，本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件，包括:
電路板，布設(shè)為所述量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件提供電力的電路；
發(fā)光裝置，設(shè)置所述電路板上，以產(chǎn)生激勵(lì)光；
波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，形成在所述發(fā)光裝置的外圍，受所述發(fā)光裝置發(fā)射的所述激勵(lì)光可產(chǎn)生波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換光，其中，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層內(nèi)外表面形成弧面，向外凸出的外表面為出光面，相對(duì)于所述外表面的內(nèi)表面為凹面，所述內(nèi)表面為入光面；
擴(kuò)散粒子層，形成在所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的內(nèi)表面一側(cè)；
密封部件，形成在所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的表面上，對(duì)所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層進(jìn)行密封。。
[0008]第二方面，本發(fā)明還提供一種直下式背光模組，包括:
固定部件，用于將所述直下式背光模組組裝在一起；
量子點(diǎn)光源器件，為上述所述量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件，設(shè)置在所述固定部件上，位于所述直下式背光模組的正下方；
勻光光學(xué)部件，用于對(duì)所述量子點(diǎn)光源器件提供光源進(jìn)行勻化處理。
[0009]第三方面，本發(fā)明再提供一種側(cè)入式背光模組，包括:
固定部件，用于將所述直下式背光模組組裝在一起；
量子點(diǎn)光源器件，為前述所述量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件，設(shè)置在所述固定部件上，位于所述側(cè)入式背光模組的側(cè)部；
勻光光學(xué)部件，用于對(duì)所述量子點(diǎn)光源器件提供光源進(jìn)行勻化處理。
[0010]第四方面，本發(fā)明又提供一種液晶顯示設(shè)備，包括:如第二方面或第三方面提供所述的背光模組和液晶顯示面板，其中，所述顯示面板設(shè)置于所述背光模組上方。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例中提供的量子點(diǎn)光源器件、背光模組及液晶顯示裝置中，由于波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的內(nèi)外表面形成弧面，且在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的內(nèi)表面一側(cè)形成擴(kuò)散粒子層，其中，從發(fā)光裝置發(fā)出的激勵(lì)光線，經(jīng)擴(kuò)散粒子層中擴(kuò)散粒子的擴(kuò)散作用，擴(kuò)大了激勵(lì)光線的發(fā)散角度，然后，經(jīng)過(guò)入光面和出光面均為弧面的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，激發(fā)產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換光的出光角度大，且出光面強(qiáng)度均勻，進(jìn)而避免由于激發(fā)光線光強(qiáng)過(guò)度集中而造成局部偏色問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0012]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1為相關(guān)技術(shù)中包含藍(lán)色LED芯片與量子點(diǎn)材料封的量子點(diǎn)光源器件封裝結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為圖1相關(guān)技術(shù)中量子點(diǎn)光源器件的發(fā)光光線示意圖；
圖3為本發(fā)明實(shí)施一提供一種量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為本發(fā)明實(shí)施例二提供又一種量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5為本實(shí)施例三中一種直下式背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6為本實(shí)施例四中一種側(cè)入式背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖7為本實(shí)施例五提供一種液晶顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0015]為了解決相關(guān)技術(shù)量子點(diǎn)光源器件的發(fā)光能量集中在發(fā)光面上中心區(qū)域，導(dǎo)致發(fā)光不均勻而偏色以及能量集中而導(dǎo)致量子點(diǎn)材料失效，進(jìn)一步提高該量子點(diǎn)光源器件發(fā)光角度，本發(fā)明中采用量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件中，將量子點(diǎn)材料封裝成凸面型出光面，且在靠近發(fā)光裝置一側(cè)的內(nèi)表面上設(shè)置有擴(kuò)散粒子層，其中，擴(kuò)散粒子層中擴(kuò)散粒子會(huì)對(duì)發(fā)光裝置的光線進(jìn)行光擴(kuò)散，使進(jìn)入透鏡中量子點(diǎn)材料層光線更均勻，減輕光線過(guò)于集中中心區(qū)域，且由于凸面型出光面的出光角度更大。
[0016]實(shí)施例一:
圖3為本發(fā)明實(shí)施例一提供一種量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，一種量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件500，可用作為光源，用于背光模組中的背光源，可以單獨(dú)用作為一種照明光源使用，包括:
電路板51，布設(shè)為量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件500提供電力電路。
[0017]發(fā)光裝置52，設(shè)置電路板51上，以產(chǎn)生激勵(lì)光。其中，發(fā)光裝置52可以為發(fā)光二極管(LED)芯片，如:應(yīng)用發(fā)射藍(lán)光的基于GaN的LED芯片。且在發(fā)光裝置52的外圍封裝波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54和擴(kuò)散粒子層53。
[0018]波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54，形成在發(fā)光裝置52的外圍，且波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54與發(fā)光裝置52之間最短距離大于3mm，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54受發(fā)光裝置52發(fā)射的激勵(lì)光可產(chǎn)生波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換光，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54的內(nèi)外表面形成弧面，向外凸出的外表面為出光面，相對(duì)于外表面的內(nèi)表面為凹面，內(nèi)表面為入光面。
[0019I通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)表明，當(dāng)距離大于3mm時(shí)，發(fā)光裝置52的平均熱量不會(huì)造成量子點(diǎn)粒子失效。優(yōu)選的，發(fā)光裝置52與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)化層54之間的最小距離為大于3mm且小于10mm，這樣有利量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件小型化設(shè)計(jì)。
[0020]其中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54中采用硅膠與量子點(diǎn)粒子混合而成，量子點(diǎn)可以是直徑為Inm至I Onm的半導(dǎo)體納米晶體，可表現(xiàn)出量子限制效應(yīng)，如:基于S i的納米晶體、I1-VI族化合物半導(dǎo)體納米晶體、II1-V族化合物半導(dǎo)體納米晶體，以及IV-VI族化合物半導(dǎo)體納米晶體等納米晶體，本實(shí)施例中可單獨(dú)或組合使用前述的量子點(diǎn)。
[0021]硅膠材料可以選用具有苯醚撐等結(jié)構(gòu)的硅膠，由于其具有良好的光高透過(guò)率、耐高溫性、防潮性、和較低的導(dǎo)熱系數(shù)，可以有效保護(hù)量子點(diǎn)粒子免受高溫高濕影響，以避免量子點(diǎn)受潮和受熱失效。
[0022]優(yōu)選的，硅膠為硅樹(shù)脂，即含有硅氧烷基團(tuán)的高度交聯(lián)有機(jī)網(wǎng)絡(luò)，兼具了有機(jī)材料的可塑性和無(wú)機(jī)材料的耐候性穩(wěn)定性。示例的，以α，ω -二羥基聚二甲基硅氧烷、甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷、苯基三氯硅烷、甲基苯基二氯硅烷等任一組合為基體，填充補(bǔ)強(qiáng)填料，交聯(lián)劑及其他助劑等制備而成。其中，填料為二甲基硅油、六甲基二硅氮烷、白炭黑、甲基三乙酰氧基硅烷二正丁基二醋酸烯等任一組合。
[0023]擴(kuò)散粒子層53，形成在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54的內(nèi)表面一側(cè)，其中，包含擴(kuò)散粒子對(duì)光線有擴(kuò)散作用。
[0024]本實(shí)施例中，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54的內(nèi)外表面形成弧面，且在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54的內(nèi)表面一側(cè)形成擴(kuò)散粒子層53，其中，從發(fā)光裝置52發(fā)出的激勵(lì)光線，經(jīng)擴(kuò)散粒子層53中擴(kuò)散粒子的擴(kuò)散作用，擴(kuò)大了激勵(lì)光線的發(fā)散角度，然后，經(jīng)過(guò)入光面和出光面均為弧面的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54，激發(fā)產(chǎn)生的轉(zhuǎn)換光的出光角度大，且出光面強(qiáng)度均勻，進(jìn)而避免由于激發(fā)光線光強(qiáng)過(guò)度集中而造成局部偏色問(wèn)題。
[0025]進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)表明，雖然距離大于3mm時(shí)，發(fā)光裝置的平均熱量不會(huì)造成量子點(diǎn)粒子失效，但是，若光源發(fā)出的光線過(guò)于集中，局部能量太大可使局部量子點(diǎn)造成損傷而導(dǎo)致的失效問(wèn)題，因此，本發(fā)明在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54靠近于發(fā)光裝置52—側(cè)表面上設(shè)置擴(kuò)散粒子層53，包含擴(kuò)散粒子對(duì)光線有擴(kuò)散作用，將集中的光線均勻擴(kuò)散，使光的能量不會(huì)過(guò)于集中于局部，以防止局部量子點(diǎn)過(guò)熱而損傷失效。
[0026]本實(shí)施例中，一方面，控制波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54與發(fā)光裝置52之間最短距離大于3mm，在避免由于發(fā)光裝置52熱量導(dǎo)致波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54中量子點(diǎn)高溫失效，保證發(fā)光裝置52與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54之間最小距離，另一方面，為了量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件500的小型化設(shè)計(jì)，控制波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54與發(fā)光裝置52之間最短距離小于10mm。進(jìn)一步，在控制量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件500的最佳小型化的基礎(chǔ)，為了避免局部熱量過(guò)大而導(dǎo)致局部量子點(diǎn)的高溫失效問(wèn)題，在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54的內(nèi)表面一側(cè)設(shè)置有擴(kuò)散粒子層53，將發(fā)光裝置52的光線進(jìn)行散射，可以使發(fā)光裝置52的熱量更大面積均勻散熱，也可以擴(kuò)大量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件500的發(fā)光角度。
[0027]本實(shí)施例中，通過(guò)大量實(shí)驗(yàn)得出，在實(shí)現(xiàn)了量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件500的小型化設(shè)計(jì)基礎(chǔ)上，又設(shè)置擴(kuò)散粒子層53，也避免由于小型化局部散熱而導(dǎo)致量子點(diǎn)高溫失效問(wèn)題。
[0028]密封部件55，密封部件55形成在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54的表面上，以對(duì)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54進(jìn)行密封。
[0029]具體的，密封部件55形成在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54的外表面上，在本發(fā)明一些實(shí)施方式中，使用化學(xué)液相沉積法或者等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54的外表面沉積形成密封部件55，其中，密封部件55為一層水氧阻隔層，該水氧阻隔層可以是Si02薄膜、Si3N4薄膜或者S1N薄膜，也可以通過(guò)物理氣相沉積法或原子層沉積法制備A1203或V205等薄層作為水氧阻隔層。
[0030]優(yōu)選的，Si02層作為水氧阻隔層，其制備工藝步驟如下:
將制備的混合有量子點(diǎn)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54表面超聲清洗后，經(jīng)過(guò)稀酸或稀堿(0.005mol/L)進(jìn)行表面刻蝕處理，制備微結(jié)構(gòu)的同時(shí)打開(kāi)硅羥基；
將波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54放入Μ0Π反應(yīng)室的襯底上加熱至80°C-120°C，將反應(yīng)室抽真空至50Pa以下，在空氣或氮?dú)庾鳛橄♂尯洼d體氣體的環(huán)境下，通入TEOS，反應(yīng)室壁和電極夾層通水冷卻；
沉積功率為130W-200W，沉積速率0.090mg/cm2/h，沉積厚度速率在lnm/s以下，沉積20-50nm厚度的Si02層多層至Ιμπι，滿足水氧阻隔要求。
[0031]實(shí)施例二:
圖4為本發(fā)明實(shí)施例二中又提供一種量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，一種量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件600，可用作為光源，用于背光模組中的背光源，可以單獨(dú)用作為一種照明光源使用。
[0032]本實(shí)施例二中提供量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件600中，包括:電路板61、發(fā)光裝置62與實(shí)施例一中相同，在此不再贅述。
[0033]量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件600，還包括:
密封部件65，為內(nèi)外表面形成弧面的透鏡，向外凸出的外表面為出光面，相對(duì)于外表面的內(nèi)表面為凹面，內(nèi)表面為入光面，在內(nèi)表面與外表面之間形成空腔。
[0034]波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層64，形成密封部件65的空腔內(nèi)，且在發(fā)光裝置62的外圍，以及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層64與發(fā)光裝置62之間最短距離大于3mm，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層64受發(fā)光裝置62發(fā)射的激勵(lì)光可產(chǎn)生波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換光，波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層64的內(nèi)外表面形成弧面，向外凸出的外表面為出光面，相對(duì)于外表面的內(nèi)表面為凹面，內(nèi)表面為入光面。密封部件55在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54的外表面上，形成水氧阻隔層。
[0035]波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層64與實(shí)施例一中波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層54相同，在此不再贅述。
[0036]擴(kuò)散粒子層63，形成在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層64的內(nèi)表面一側(cè)，且設(shè)置在密封部件65的內(nèi)表面上。其中，包含擴(kuò)散粒子對(duì)光線有擴(kuò)散作用與實(shí)施例一相同，在此不再贅述。
[0037]實(shí)施例三:
本實(shí)施例三提供一種直下式背光模組，該直下式背光模組采用量子點(diǎn)光源器件提供光源。
[0038]圖5為本實(shí)施例三中一種直下式背光模組的結(jié)構(gòu)不意圖，如圖5所不，直下式背光模組10，包括:
固定部件12，用于將直下式背光模組10組裝在一起，如背板和膠框等連接部件。
[0039]量子點(diǎn)光源器件11，設(shè)置在固定部件12上，位于直下式背光模組10的正下方，量子點(diǎn)光源器件11為實(shí)施例一中量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件500或?qū)嵤├辛孔狱c(diǎn)發(fā)光裝置封裝件600 0
[0040]勻光光學(xué)部件13，用于對(duì)量子點(diǎn)光源器件11提供光源進(jìn)行勻化處理。
[0041 ] 實(shí)施例四:
本實(shí)施例四提供一種側(cè)入式背光模組，該側(cè)入式背光模組采用量子點(diǎn)光源器件提供光源。
[0042]圖6為本實(shí)施例四中一種側(cè)入式背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖6所示，側(cè)入式背光模組20，包括:
固定部件22，用于將直下式背光模組20組裝在一起，如背板和膠框等連接部件。
[0043]量子點(diǎn)光源器件21，設(shè)置在固定部件22上，位于側(cè)入式背光模組20的側(cè)部，量子點(diǎn)光源器件21為實(shí)施例一中量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件500或?qū)嵤├辛孔狱c(diǎn)發(fā)光裝置封裝件600。
[0044]勻光光學(xué)部件23，用于對(duì)量子點(diǎn)光源器件21提供光源進(jìn)行勻化處理。
[0045]實(shí)施例五:
本發(fā)明實(shí)施例五還提供一種液晶顯示設(shè)備，包括:
如上述實(shí)施例三直下式背光模組或者實(shí)施例四中側(cè)入式背光模組、和液晶顯示面板；其中，顯示面板設(shè)置于背光模組上方，背光模組為顯示面板提供顯示光線，以使液晶顯示設(shè)備顯示畫(huà)面。
[0046]圖7為本實(shí)施例五提供一種液晶顯不設(shè)備的結(jié)構(gòu)不意圖，如圖7所不，本實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備500包括:包括外殼501、液晶顯示面板502和背光模組503，其中，背光模組503可以采用圖6和圖7任一背光模組實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，此處不再贅述。其中，外殼501可以包括前殼和后殼。
[0047]在一些其他可能實(shí)現(xiàn)方式中，外殼501可以省略，外殼501的外觀功能集成在背光模組503上。
[0048I 在實(shí)際應(yīng)用中，液晶顯示面板可以為薄膜晶體管液晶顯示器件(Liquid CrystalDisplay，簡(jiǎn)稱LCD)。
[0049]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制;盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件，其特征在于，包括: 電路板，布設(shè)為所述量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件提供電力的電路； 發(fā)光裝置，設(shè)置所述電路板上，以產(chǎn)生激勵(lì)光； 波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層，形成在所述發(fā)光裝置的外圍，受所述發(fā)光裝置發(fā)射的所述激勵(lì)光可產(chǎn)生波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換光，其中，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層內(nèi)外表面形成弧面，向外凸出的外表面為出光面，相對(duì)于所述外表面的內(nèi)表面為凹面，所述內(nèi)表面為入光面； 擴(kuò)散粒子層，形成在所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的內(nèi)表面一側(cè)； 密封部件，形成在所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層的表面上，對(duì)所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層進(jìn)行密封。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件，其特征在于，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層與所述發(fā)光裝置之間最短距離大于3mm。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件，其特征在于，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層與所述發(fā)光裝置之間最短距離小于10mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件，其特征在于，所述密封部件，為內(nèi)外表面形成弧面的透鏡，向外凸出的外表面為出光面，相對(duì)于所述外表面的內(nèi)表面為凹面，所述內(nèi)表面為入光面，在所述內(nèi)表面與所述外表面之間形成空腔。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背光模組，其特征在于，所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層形成所述密封部件的空腔內(nèi)。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背光模組，其特征在于，所述擴(kuò)散粒子層設(shè)置在所述密封部件的內(nèi)表面上。7.一種直下式背光模組，其特征在于，包括: 固定部件，用于將所述直下式背光模組組裝在一起； 量子點(diǎn)光源器件，為權(quán)利要求1-6任一所述量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件，設(shè)置在所述固定部件上，位于所述直下式背光模組的正下方； 勻光光學(xué)部件，用于對(duì)所述量子點(diǎn)光源器件提供光源進(jìn)行勻化處理。8.一種側(cè)入式背光模組，其特征在于，包括: 固定部件，用于將所述直下式背光模組組裝在一起； 量子點(diǎn)光源器件，為權(quán)利要求1-6任一所述量子點(diǎn)發(fā)光裝置封裝件，設(shè)置在所述固定部件上，位于所述側(cè)入式背光模組的側(cè)部； 勻光光學(xué)部件，用于對(duì)所述量子點(diǎn)光源器件提供光源進(jìn)行勻化處理。9.一種液晶顯示設(shè)備，其特征在于，包括: 如權(quán)利要求7或8所述的背光模組和液晶顯示面板，其中，所述顯示面板設(shè)置于所述背光模組上方。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK106098906SQ201610412428
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月13日 公開(kāi)號(hào)201610412428.6, CN 106098906 A, CN 106098906A, CN 201610412428, CN-A-106098906, CN106098906 A, CN106098906A, CN201610412428, CN201610412428.6
【發(fā)明人】邱婧雯, 劉振國(guó), 高上
【申請(qǐng)人】青島海信電器股份有限公司