柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
【專利摘要】公開了一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。在一方面,顯示器包括由第一材料形成的基底和形成在基底上方的OLED,第一材料包括金屬。
【專利說明】柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法
[0001 ] 本申請要求于2015年4月30日在韓國知識產(chǎn)權局提交的第10-2015-0062085號韓國專利申請的優(yōu)先權和權益,本申請的全部內(nèi)容通過引用包含于此。
技術領域
[0002]描述的技術總體上涉及一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。
【背景技術】
[0003]與液晶顯示器不同,有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器是自發(fā)射的(S卩,不需要單獨的光源)。因此,OLED顯示器可以制成更薄且更輕。此外,OLED技術具有諸如低能耗、高亮度和快反應速度的其它有利特性。
[0004]通常,OLED顯示器包括基底、位于基底上的OLED和與基底一起包封OLED的包封部分。
[0005]柔性OLED顯示器通過在支撐基底上形成包括諸如聚酰亞胺的樹脂的基底、在基底上形成OLED并使基底與支撐基底分離來制造。
[0006]該【背景技術】部分中公開的上述信息僅用于加強對所描述的技術的背景的理解,因此,它可能包含不構成對于本領域普通技術人員來說在本國已知的現(xiàn)有技術的信息。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]一個發(fā)明方面涉及一種縮短了制造時間并降低了制造成本的柔性OLED顯示器和制造柔性OLED顯示器的方法。
[0008]另一方面是在制造期間抑制了缺陷的發(fā)生的柔性OLED顯示器和制造該柔性OLED顯示器的方法。
[0009]另一方面是簡化了其制造工藝的柔性OLED顯示器和制造該柔性OLED顯示器的方法。
[0010]另一方面是包括基底和OLED的柔性OLED顯示器,基底包括第一材料,第一材料包括金屬,OLED設置在基底上。
[0011]包括第二材料的升華材料可以附著到基底的后表面,第二材料包括與在第一材料中包括的金屬相同的金屬。
[0012]第一材料的熔點可以高于第二材料的熔點。
[0013]第一材料可以不溶于溶解第二材料的溶劑。
[0014]金屬可以是鉬(Mo)。
[0015]第二材料可以是金屬氧化物。
[0016]第一材料可以是二氧化鉬(MoO2),第二材料可以是三氧化鉬(MoO3)。
[0017]第一材料可以是鉬(Mo),第二材料可以是三氧化鉬(MoO3)。
[0018]金屬可以包括鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鋅(Zn)和鋨(Os)中的一種或更多種。
[0019]第一材料可以是二氧化鉬(MoO2)。
[0020]第一材料可以是鉬(Mo)。
[0021]柔性OLED顯示器還可以包括設置在基底與OLED之間并連接到OLED的薄膜晶體管。
[0022]第一材料的熔點可以高于構成薄膜晶體管的材料的熔點。
[0023]柔性OLED顯示器還可以包括設置在基底與薄膜晶體管之間并包括無機材料的緩沖層。
[0024]柔性OLED顯示器還可以包括:第一保護膜,設置在基底的下側處;以及第二保護膜,設置在OLED的上側處。
[0025]第一保護膜和第二保護膜中每個的厚度可以大于基底、薄膜晶體管和OLED的總厚度。
[0026]第一保護膜和第二保護膜可以均包括有機材料。
[0027]另一方面是制造柔性OLED顯示器的方法,所述方法包括:在支撐基底上形成犧牲層;在犧牲層上形成包括第一材料的基底,第一材料包括與在犧牲層中包括的金屬相同的金屬;在基底上形成OLED;以及使犧牲層升華以使基底與支撐基底分離。
[0028]犧牲層可以包括第二材料,第二材料包括與在第一材料中包括的金屬相同的金屬O
[0029]第一材料的熔點可以高于第二材料的熔點。
[0030]所述方法還可以包括:通過使用溶劑清洗形成有犧牲層和基底的支撐基底,其中,第一材料不溶于溶解第二材料的溶劑。
[0031]可以通過使激光束穿過支撐基底輻射在犧牲層上來執(zhí)行使犧牲層升華以使基底與支撐基底分離的步驟。
[0032]所述方法還可以包括將第一保護膜附著到基底的下側和將第二保護膜附著到OLED的上側。
[0033]另一方面是柔性有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器,所述柔性OLED顯示器包括:基底,由包括金屬的第一材料形成;以及OLED,形成在基底上方。
[0034]上面的柔性OLED顯示器還包括升華材料,升華材料包括第二材料,其中,第二材料由與所述金屬相同的物質形成,其中,基底包括彼此相對的第一表面和第二表面,其中,第一表面面對0LED,其中,升華材料附著到基底的第二表面。
[0035]在上面的柔性OLED顯示器中,第一材料的熔點大于第二材料的熔點。
[0036]在上面的柔性OLED顯示器中,第一材料不溶于被配置為溶解第二材料的溶劑。
[0037]在上面的柔性OLED顯示器中,金屬包括鉬(Mo)。
[0038]在上面的柔性OLED顯示器中,第二材料包括金屬氧化物。
[0039]在上面的柔性OLED顯示器中,第一材料包括二氧化鉬(MoO2),其中,第二材料包括三氧化鉬(MoO3)。
[0040]在上面的柔性OLED顯示器中,第一材料包括鉬(Mo),其中,第二材料包括三氧化鉬
(Μθ〇3)ο
[0041]在上面的柔性OLED顯示器中,金屬包括鉬(Mo)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鋅(Zn)和鋨(Os)中的一種或更多種。
[0042]在上面的柔性OLED顯示器中,第一材料包括二氧化鉬(MoO2)。
[0043]在上面的柔性OLED顯示器中,第一材料包括鉬(Mo)。
[0044]柔性OLED顯示器還包括電連接到OLED并布置在基底與OLED之間的薄膜晶體管(TFT)0
[0045]在上面的柔性OLED顯示器中,第一材料的熔點大于在TFT中包括的材料的熔點。
[0046]柔性OLED顯示器還包括由無機材料形成并布置在基底與TFT之間的緩沖層。
[0047]柔性OLED顯示器還包括:第一保護膜,形成在基底下方;以及第二保護膜,形成在OLED上方。
[0048]在上面的柔性OLED顯示器中,第一保護膜和第二保護膜中每個的厚度大于基底、薄膜晶體管和OLED的總厚度。
[0049]在上面的柔性OLED顯示器中,第一保護膜和第二保護膜均由有機材料形成。
[0050]另一方面是制造柔性有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的方法,所述方法包括:在支撐基底上方形成包括金屬的犧牲層;在犧牲層上形成基底,其中,基底由包括金屬的第一材料形成;在基底上方形成OLED;以及使犧牲層升華以使基底與支撐基底分離。
[0051 ]在上面的方法中,犧牲層由包括金屬的第二材料形成。
[0052]在上面的方法中,第一材料的熔點大于第二材料的熔點。
[0053]上面的方法還包括:在溶劑中清洗形成有犧牲層和基底的支撐基底,其中,第一材料不溶于被配置成溶解第二材料的溶劑。
[0054]在上面的方法中,通過使激光束穿過支撐基底輻射在犧牲層上來執(zhí)行使犧牲層升華的步驟。
[0055]上面的方法還包括將第一保護膜附著到基底的下側和將第二保護膜附著到OLED的上側。
[0056]另一方面是柔性有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器,柔性OLED顯示器包括:包括金屬的基底,其中,基底包括彼此相對的第一表面和第二表面;OLED,形成在基底的第一表面上方;以及升華材料,包括金屬并形成在基底的第二表面上。
[0057]根據(jù)至少一個公開的實施例,提供了具有縮短的制造時間和減小的制造成本的柔性OLED顯示器及其制造方法。
[0058]此外,提供了一種可以在制造期間抑制缺陷的制造柔性OLED顯示器的方法。
【附圖說明】
[0059]圖1是示出根據(jù)示例性實施例的制造柔性OLED顯示器的方法的流程圖。
[0060]圖2、圖3、圖4、圖5和圖6是示出根據(jù)示例性實施例的制造柔性OLED顯示器的方法的剖視圖。
[0061 ]圖7是示出根據(jù)另一示例性實施例的柔性OLED顯示器的剖視圖。
[0062]圖8是具體地示出圖7的部分A的剖視圖。
【具體實施方式】
[0063]在下文中將參照附圖更加充分地描述所描述的技術,其中,在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實施例以使本領域普通技術人員易于理解。如本領域技術人員將認識到的,在全部不脫離所描述的技術的精神或范圍的情況下,描述的實施例可以以各種不同的方式進行修改。
[0064]將省略與本描述無關的部分以清楚地描述所描述的技術,貫穿說明書,相同的元件將由相同的附圖標記表示。
[0065]另外,為了理解和便于描述,示出在附圖中的每個構造的尺寸和厚度是任意示出的,但描述的技術不限于此。
[0066]在附圖中,為了清楚,夸大了層、膜、面板、區(qū)域等的厚度。在附圖中,為了理解和便于描述,夸大了一些層和區(qū)域的厚度。將理解的是,當諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”時,該元件可以直接在所述另一元件上或者還可以存在中間元件。
[0067]另外,除非明確地做出相反描述,否則詞語“包括”及諸如“包含”或“具有”的變型將被理解為意指包括陳述的元件,但不排除任何其它元件。此外,在說明書中,詞語“在……上”是指位于目標部分上或下方,但不必意味著基于重力方向位于對象部分的上側上。在本公開中,術語“基本上”包括在一些應用下并根據(jù)本領域技術人員的完全地、幾乎完全地或到任何顯著程度的意思。術語“連接”可以包括電連接。
[0068]在下文中,將參照圖1至圖6描述根據(jù)示例性實施例的制造柔性OLED顯示器的方法。
[0069]圖1是示出根據(jù)示例性實施例的用于制造柔性OLED顯示器的方法的流程圖。根據(jù)實施例,在圖1的程序中,可以添加另外的狀態(tài),去除其它的狀態(tài),或者改變狀態(tài)的次序。這還可以應用到其它的公開的實施例。圖2至圖6是示出根據(jù)示例性實施例的用于制造柔性OLED顯示器的方法的剖視圖。
[0070]首先,如圖1和圖2中所示,在支撐基底MS上形成犧牲層SL(SlOO)。
[0071]例如,在由玻璃、金屬、無機材料(陶瓷)等制成的支撐基底MS上形成犧牲層SL??梢酝ㄟ^使用諸如化學氣相沉積(CVD)和濺射的沉積工藝在腔室中的支撐基底MS上形成犧牲層SL ο犧牲層SL包括第二材料,第二材料包括金屬。這里,金屬可以是鉬(Mo),第二材料可以是二氧化鑰(M0O3)。
[0072]在另一示例性實施例中,在包括在犧牲層SL中的第二材料中包括的金屬可以包括鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鋅(Zn)和鋨(Os)中的一種或更多種,第二材料可以包括氧化鈦(Ti02)、氧化招(AI2O3)、氧化鉭(Ta205)、氧化媽(WO3)、氧化銅(C112O)、氧化絡(Cr203)、氧化釹(Nd203)、氧化鐵(Fe203)、氧化鎳(M2O3)、氧化鈷(CoO)、氧化舒(R11O2)、氧化銘(RI12O3)、氧化鈀(PdO)、氧化銥(IrO2)、氧化錯(ZrO2)、氧化鋅(ZnO)和氧化鋨(OsO4)中的一種或更多種。
[0073]接著,在犧牲層SL上形成包括第一材料的基底SUB,其中,第一材料包括與犧牲層SL中包括的金屬相同的金屬(S200)。
[0074]可以通過使用諸如化學氣相沉積(CVD)和濺射的沉積工藝在形成犧牲層SL的同一腔室中來形成基底SUB。因為在形成犧牲層SL的同一腔室中形成基底SUB,所以不需要用于去除顆粒的附加的清洗工藝。基底SUB包括第一材料,第一材料包括與犧牲層SL中包括的金屬相同的金屬。這里,金屬可以是鉬(Mo),第一材料可以是二氧化鉬(MoO2)或鉬(Mo)。
[0075]在另一示例性實施例中,在包括在基底SUB中的第一材料中包括的金屬包括鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鋅(Zn)和鋨(Os)中的一種或更多種,第一材料可以包括鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鋅(Zn)和鋨(Os)中的一種或更多種。
[0076]基底SUB和犧牲層SL分別包括第一材料和第二材料,第一材料和第二材料是包括相同金屬的不同材料。在基底SUB中包括的第一材料可以具有比在犧牲層SL中包括的第二材料的熔點高的熔點。此外,在基底SUB中包括的第一材料可以不溶于溶解犧牲層SL中包括的第二材料的溶劑。
[0077]接著,通過使用溶劑清洗形成有犧牲層SL和基底SUB的支撐基底MS(S300)。
[0078]例如,為了去除可能位于基底SUB上的諸如顆粒的不需要的材料,通過使用溶劑清洗形成有犧牲層SL和基底SUB的支撐基底MS。在此情況下,犧牲層SL的一部分可以被溶劑溶解,但是因為基底SUB包括不溶于溶解犧牲層SL中包括的第二材料的溶劑的第一材料,所以抑制了溶劑對犧牲層SL的一部分的非預期的溶解。
[0079]接著,如圖3中所示,在基底SUB上形成緩沖層BL、薄膜晶體管TFT和0LED(S400)。
[0080]例如,通過使用沉積工藝在基底SUB上形成由氧化硅、氮化硅等形成的單層或多個層的緩沖層BL,通過使用諸如光刻工藝的MEMS技術在緩沖層BL上形成一個或更多個薄膜晶體管TFT,在薄膜晶體管TFT上順序地層壓第一電極、有機發(fā)射層和第二電極以形成發(fā)光的0LED。之后,在OLED上形成包封部分(或包封層)EN。這里,包封部分EN可以具有諸如薄膜包封部分或包封基底的形式,但不限于此,包封部分EN可以以任何形式形成,只要包封部分包封OLED即可。
[0081 ]此外,在基底SUB上形成緩沖層BL、薄膜晶體管TFT和OLED的同時,可以一次或更多次地執(zhí)行使用溶劑的清洗工藝,但是因為基底SUB包括不溶于溶解犧牲層SL中包括的第二材料的溶劑的第一材料,所以抑制了溶劑對犧牲層SL的一部分的非預期的溶解。
[0082]此外,因為在基底SUB中包括的第一材料具有比在犧牲層SL中包括的第二材料的熔點高的熔點,所以抑制了由在基底SUB上形成緩沖層BL、薄膜晶體管TFT和OLED時產(chǎn)生的熱引起的基底SUB的變形。例如,在犧牲層SL中包括的第二材料是三氧化鉬(MoO3)且在基底SUB中包括的第一材料是二氧化鉬(MoO2)的情況下,因為第二材料的熔點為大約700 V至大約900°C,而第一材料的熔點為大約1900°C至大約2100°C,所以抑制了由在基底SUB上形成緩沖層BL、薄膜晶體管TFT和OLED時產(chǎn)生的熱引起的基底SUB的變形。
[0083]接著,如圖4和圖5中所示,使犧牲層SL升華以使基底SUB與支撐基底MS分離(S500)。
[0084]例如,如圖4中所示,激光束LB穿過支撐基底MS輻射在犧牲層SL上以使犧牲層SL從固體升華為氣體,因此,如圖5中所示,基底SUB與支撐基底MS分離。在此情況下,因為基底SUB包括具有比犧牲層SL的第二材料的熔點高的熔點的第一材料,所以基底SUB未因使犧牲層SL升華的激光束LB而變形。由氣體凝華為固體的升華材料SM不規(guī)則地附著到與支撐基底MS分離的基底SUB的后表面。升華材料可以包括與犧牲層SL相同的第二材料。通過使犧牲層SL升華,可以在基底SUB的后表面處檢測到鉬的六價正離子(Mo6+),但是離子不限于此。在另一示例性實施例中,去除了附著到基底SUB的后表面的升華材料SM。
[0085]如上所述,通過使用激光束LB使犧牲層SL升華為氣體以使基底SUB與支撐基底MS容易地分離,因為在基底SUB與支撐基底MS分離的同時不產(chǎn)生靜電,所以抑制了由無意中產(chǎn)生的靜電引起的薄膜晶體管TFT的破損。
[0086]接著,如圖6中所示,將第一保護膜PFl附著到基底SUB的下側,并將第二保護膜PF2附著到OLED的上側(S600)。
[0087]例如,將第一保護膜PFl附著到位于基底SUB的下側處的基底SUB的后表面,并且將第二保護膜PF2附著到位于OLED的上側處的包封部分EN的前表面,以制造柔性OLED顯示器。第一保護膜PFl和第二保護膜PF2中的每個包括有機材料(諸如聚對苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯),并且可以是柔性的、可拉伸的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。因為第一保護膜PFl和第二保護膜PF2中的每個是柔性的、可拉伸的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的,所以整個柔性OLED顯示器可以是柔性的、可拉伸的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。
[0088]為了便于描述,圖6示出了第一保護膜PFl和第二保護膜PF2中的每個的厚度小于基底SUB、緩沖層BL、薄膜晶體管TFT、0LED和包封部分EN的總厚度,但是所述厚度不限于此。第一保護膜PFl和第二保護膜PF2中的每個的厚度可以為基底SUB、緩沖層BL、薄膜晶體管TFT、0LED和包封部分EN的總厚度的大約5倍至大約50倍。
[0089]如上所述,在根據(jù)示例性實施例的用于制造柔性OLED顯示器的方法中,因為基底SUB和犧牲層SL分別包括第一材料和第二材料,第一材料和第二材料包括相同的金屬,所以在形成犧牲層SL的同一腔室中形成基底SUB,因此不需要用于去除顆粒的附加的清洗工藝。即,在形成犧牲層SL之后,因為不需要用于去除顆粒的附加的清洗工藝,所以提供了用于制造柔性OLED顯示器的方法,其中縮短了總的制造時間并降低了制造成本。
[0090]此外,在根據(jù)示例性實施例的用于制造柔性OLED顯示器的方法中,因為基底SUB和犧牲層SL分別包括第一材料和第二材料,第一材料和第二材料包括相同的金屬,所以在形成犧牲層SL的同一腔室中形成基底SUB。因此,不需要將形成有犧牲層SL的支撐基底MS移到另一室以形成基底SUB。即,提供了縮短了總的制造時間并降低了制造成本的用于制造柔性OLED顯示器的方法。
[0091]此外,通常,使用包括聚酰亞胺的基底作為柔性OLED顯示器的基底,但是在根據(jù)示例性實施例的用于制造柔性OLED顯示器的方法中,因為基底SUB包括作為第一材料的鉬或二氧化鉬(第一材料包括的金屬與犧牲層SL中包括的金屬相同),所以不需要用于形成包括聚酰亞胺的基底的附加的材料和附加的工藝。因此,提供了縮短了總的制造時間并降低了制造成本的用于制造柔性OLED顯示器的方法。
[0092]此外,在根據(jù)示例性實施例的制造柔性OLED顯示器的方法中,因為包括不溶于溶解犧牲層SL中包括的第二材料的溶劑的第一材料的基底SUB覆蓋犧牲層SL,所以在整個制造工藝期間,即使通過使用溶劑清洗支撐基底MS來去除諸如顆粒的不需要的材料,仍抑制了溶劑對犧牲層SL的一部分的非預期的溶解。即,提供了改善了整體制造可靠性的用于制造柔性OLED顯示器的方法。
[0093]此外,在根據(jù)示例性實施例的制造柔性OLED顯示器的方法中,通過使用激光束LB使犧牲層SL從固體升華為氣體以使基底SUB與支撐基底MS容易地分離,因為在基底SUB與支撐基底MS分離時不產(chǎn)生靜電,所以抑制了由無意中產(chǎn)生的靜電引起的薄膜晶體管TFT的破損。即,提供了改善了整體制造可靠性的用于制造柔性OLED顯示器的方法。
[0094]此外,在根據(jù)示例性實施例的用于制造柔性OLED顯示器的方法中,因為基底SUB中包括的第一材料的熔點比犧牲層SL中包括的第二材料的熔點高,所以抑制了由在基底SUB上形成緩沖層BL、薄膜晶體管TFT和OLED時產(chǎn)生的熱引起的基底SUB的變形。即,因為抑制了根據(jù)形成緩沖層BL、薄膜晶體管TFT和OLED時的工藝溫度的基底SUB的變形,所以緩沖層BL、薄膜晶體管TFT和OLED中每個的工藝溫度不受限于基底SUB變形時的溫度。即,提供了用于制造改善了整體制造便易性的柔性OLED顯示器的方法。
[0095]在下文中,將參照圖7和圖8描述根據(jù)另一示例性實施例的柔性OLED顯示器。如將在下面描述的根據(jù)另一示例性實施例的柔性OLED顯示器可以通過使用根據(jù)示例性實施例的用于制造柔性OLED顯示器的前述方法來形成,但不限于此,柔性OLED顯示器可以通過使用用于制造OLED顯示器的另一方法來形成。
[0096]圖7是示出根據(jù)另一示例性實施例的柔性OLED顯示器的剖視圖。圖8是具體示出圖7的部分A的剖視圖。
[0097]如圖7和圖8中所示,根據(jù)另一示例性實施例的柔性OLED顯示器1000包括基底SUB、升華材料SM、緩沖層BL、薄膜晶體管TFT、0LED、包封部分EN、第一保護膜PFl和第二保護膜PF2。
[0098]基底SUB包括第一材料,第一材料包括與附著到基底SUB的后表面的升華材料SM中包括的金屬相同的金屬。這里,金屬可以是鉬(Mo),第一材料可以是二氧化鉬(MoO2)或鉬(Mo)0
[0099]在另一示例性實施例中,在包括在基底SUB中的第一材料中包括的金屬可以包括鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鋅(Zn)和鋨(Os)中的一種或更多種,第一材料可以包括鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鋅(Zn)和鋨(Os)中的一種或更多種。
[0100]在基底SUB中包括的第一材料的熔點可以比在升華材料SM中包括的第二材料的熔點高。例如,在基底SUB中包括的第一材料的熔點可以為大約1900°C至大約2100°C,在升華材料SM中包括的第二材料的熔點可以為大約7000C至大約9000C。
[0101]此外,在基底SUB中包括的第一材料的熔點可以高于構成薄膜晶體管TFT的組成中的每個組成的熔點。
[0102]此外,在基底SUB中包括的第一材料可以不溶于溶解升華材料SM中包括的第二材料的溶劑。
[0103]可以在基底SUB的后表面處檢測到鉬的六價正離子(Mo6+),但離子不限于此。
[0104]升華材料SM附著到基底SUB的后表面,并可以是由氣體凝華為固體的材料。升華材料SM包括第二材料,第二材料包括金屬。這里,金屬可以是鉬(Mo),第二材料可以是作為金屬氧化物的三氧化鉬(MoO3)。
[0105]在另一示例性實施例中,在包括在升華材料SM中的第二材料中包括的金屬可以包括鈦(Ti)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鋯(Zr)、鋅(Zn)和鋨(Os)中的一種或更多種,第二材料可以包括二氧化鈦(T12)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化媽(WO3)、氧化銅(Cu2O)、氧化絡(Cr203)、氧化釹(Nd203)、氧化鐵(Fe203)、氧化鎳(Ni2θ3)、氧化鈷(CoO)、氧化(R11O2)、氧化銘(Rh203)、氧化鈀(PdO)、氧化銥(Ir02)、氧化錯(Zr02)、氧化鋅(ZnO)和氧化鋨(Os(k)中的一種或更多種。
[0106]如上所述,在升華材料SM中包括的第二材料是三氧化鉬(MoO3)的情況下,在基底SUB中包括的第一材料可以是二氧化鉬(MoO2)或鉬(Mo)。
[0107]在另一示例性實施例中,升華材料SM可以不附著到基底SUB的后表面,但在此情況下,可以在基底SUB的后表面處檢測到鉬的六價正離子(Mo6+)。
[0108]緩沖層BL以包括無機材料(諸如氧化硅或氮化硅)的單層或多個層設置在基底SUB上。緩沖層BL位于基底SUB與薄膜晶體管TFT之間。
[0109]薄膜晶體管TFT位于基底SUB與OLED之間,并連接到OLED。為了便于描述,僅示出一個薄膜晶體管TFT,但是薄膜晶體管不限于此,薄膜晶體管TFT可以連接到一條或更多條掃描線、一條或更多條數(shù)據(jù)線、多個薄膜晶體管和一個或更多個電容器中的每個,前述組成可以以各種已知的結構連接到薄膜晶體管TFT。
[0110]薄膜晶體管TFT包括有源層AC、柵電極GE、源電極SE和漏電極DE。
[0111]有源層AC位于緩沖層BL上,并可以由多晶硅或氧化物半導體形成。氧化物半導體可以包括氧化物及其復合氧化物中的任何一種,氧化物具有作為基質的鈦(Ti)、鉿(Hf)、鋯(Zr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、錫(Sn)或銦(In),復合氧化物例如為氧化銦鎵鋅(InGaZn04)、氧化銦鋅(Zn-1n-O)、氧化鋅錫(Zn-Sn-O)、氧化銦鎵(In-Ga-O)、氧化銦錫(In-Sn-O)、氧化銦錯(In-Zr-O)、氧化銦錯鋅(In-Zr-Zn-O)、氧化銦錯錫(In-Zr-Sn-O)、氧化銦鋯鎵(In-Zr-Ga-O)、氧化銦鋁(In-Al-O)、氧化銦鋅鋁(In-Zn-Al-O)、氧化銦錫鋁(In-Sn-Al-O)、氧化銅招嫁(In-Al-Ga-O)、氧化銅組(In-Ta-O)、氧化銅組梓(In-Ta-Zn-O)、氧化銦鉭錫(In-Ta-Sn-O)、氧化銦鉭鎵(In-Ta-Ga-O)、氧化銦鍺(In-Ge-O)、氧化銦鍺鋅(In-Ge-Zn-O)、氧化銅錯錫(In-Ge-Sn-O)、氧化銅錯嫁(In-Ge-Ga-O)、氧化欽銅梓(T1-1n-Zn-O)和氧化給銦鋅(Hf-1n-Zn-O)。
[0112]有源層AC包括未摻雜雜質的溝道區(qū)以及在溝道區(qū)的兩側處形成為摻雜有雜質的源區(qū)和漏區(qū)。這里,雜質根據(jù)薄膜晶體管的類型而改變,N型雜質或P型雜質是可行的。在有源層AC由氧化物半導體形成的情況下,可以添加單獨的鈍化層以保護不耐受外部環(huán)境(諸如暴露于高溫)的氧化物半導體。
[0113]柵電極GE位于有源層AC上,源電極SE和漏電極DE均位于柵電極GE的上側處以分別通過接觸孔連接到有源層AC的源區(qū)和漏區(qū)。
[0114]為了防止作為薄膜晶體管TFT的組成的有源層AC、柵電極GE、源電極SE和漏電極DE之間的短路,一個或更多個絕緣層位于薄膜晶體管TFT的組成之間。絕緣層包括諸如氮化硅或氧化硅的無機材料,例如,絕緣層可以包括SiNx、Al203、Si02和T12中的一種或更多種。作為薄膜晶體管TFT的組成的有源層AC、柵電極GE、源電極SE和漏電極DE中每個的熔點可以低于在基底SUB中包括的第一材料的熔點。
[0115]薄膜晶體管TFT的漏電極DE連接到0LED。
[0116]OLED包括連接到薄膜晶體管TFT的漏電極DE的第一電極El、位于第一電極El上的有機發(fā)射層OL和位于有機發(fā)射層OL上的第二電極E2。
[0117]第一電極El可以是作為空穴注入電極的陽極,并可以是光反射電極、光半透射電極和光透射電極中的任何一種電極。在另一不例性實施例中,第一電極El可以是作為電子注入電極的陰極。
[0118]有機發(fā)射層OL位于第一電極El上。有機發(fā)射層OL可以由低分子有機材料或諸如PEDOT(聚3,4_乙撐二氧噻吩)的高分子有機材料形成。有機發(fā)射層OL可以包括發(fā)射紅色光的紅色有機發(fā)射層、發(fā)射綠色光的綠色有機發(fā)射層和發(fā)射藍色光的藍色有機發(fā)射層。紅色有機發(fā)射層、綠色有機發(fā)射層和藍色有機發(fā)射層分別形成在紅色像素、綠色像素和藍色像素中以實現(xiàn)彩色圖像。有機發(fā)射層OL可以通過在紅色像素、綠色像素和藍色像素中一起層壓所有的紅色有機發(fā)射層、綠色有機發(fā)射層和藍色有機發(fā)射層并且對于每個像素形成紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器來實現(xiàn)彩色圖像。在另一示例中,作為有機發(fā)射層0L,發(fā)射白色光的白色有機發(fā)射層可以形成在所有的紅色像素、綠色像素和藍色像素中,并且可以對每個像素形成紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器以實現(xiàn)彩色圖像。在通過使用作為有機發(fā)射層OL的白色有機發(fā)射層和濾色器來實現(xiàn)彩色圖像的情況下,可以不使用用于在每個像素(即,紅色像素、綠色像素和藍色像素)中沉積紅色有機發(fā)射層、綠色有機發(fā)射層和藍色有機發(fā)射層的沉積掩模。當然,作為在另一示例中描述的有機發(fā)射層OL,白色有機發(fā)射層可以由一個有機發(fā)射層形成,并包括可以通過層壓多個有機發(fā)射層而發(fā)射白光的組成。例如,有機發(fā)射層OL包括可通過組合至少一個黃色有機發(fā)射層和至少一個藍色有機發(fā)射層而發(fā)射白光的組成、可通過組合至少一個青色有機發(fā)射層和至少一個紅色有機發(fā)射層而發(fā)射白光的組成、可通過組合至少一個品紅色有機發(fā)射層和至少一個綠色有機發(fā)射層而發(fā)射白光的組成等。
[0119]第二電極E2位于有機發(fā)射層OL上,并可以是作為電子注入電極的陰極。第二電極E2可以是光反射電極、光半透射電極和光透射電極中的任何一種電極。第二電極E2可以位于整個基底SUB上方以覆蓋有機發(fā)射層0L。在另一示例性實施例中,第二電極E2可以是作為空穴注入電極的陽極。
[0120]包封部分EN位于基底SUB上,同時緩沖層BL、薄膜晶體管TFT和OLED置于包封部分EN和基底SUB之間。包封部分EN位于整個基底SUB上,并與基底SUB—起包封薄膜晶體管TFT和OLED。包封部分EN可以由薄膜包封部分或包封基底形成。在包封部分EN由薄膜包封部分形成的情況下,包封部分EN可以包括有機層和位于有機層上的無機層。例如,包封部分EN包括交替層壓的一個或更多個有機層和一個或更多個無機層,例如,無機層或有機層均是多個層,多個無機層和多個有機層交替地層壓。包封部分EN可以包括至少一個有機層插入在至少兩個無機層之間的至少一個夾層結構。位于包封部分EN的最上層處的無機層可以以比有機層的面積大的面積層壓,從而覆蓋作為另一層的有機層的端部。包封部分EN的有機層由聚合物形成,優(yōu)選地,可以是由聚對苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任何一種形成的單層或層壓層。例如,有機層可以由聚丙烯酸酯形成,例如,有機層包括通過聚合包括二丙烯酸酯類單體和三丙烯酸酯類單體的單體組合物獲得的物質。這里,單丙烯酸酯類單體可以進一步包括在單體組合物中,諸如TPO的已知的光引發(fā)劑可以進一步包括在單體組合物中,但是單體組合物不限于此。包封部分EN的無機層可以是包括金屬氧化物或金屬氮化物的單層或層壓層。例如,無機層可以包括SiNx、Al203、Si02和T12中的一種或更多種。如上所述,第二保護膜PF2和第一保護膜PFl分別附著到包封部分EN的上側的前表面和基底SUB的下側的后表面。
[0121]第一保護膜PFl和第二保護膜PF2分別保護基底SUB和包封部分EN免受外部干擾,并包括諸如聚對苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯的有機材料。為了便于描述,圖7示出作為基底SUB、緩沖層BL、薄膜晶體管TFT、0LED和包封部分EN的總厚度的第一厚度Tl大于第一保護膜PFl的第二厚度T2和第二保護膜PF2的第三厚度T3中的每個,但是厚度不限于此,第一保護膜PFl的第二厚度T2和第二保護膜PF2的第三厚度T3中的每個可以大于作為基底SUB、緩沖層BL、薄膜晶體管TFT、0LED和包封部分EN的總厚度的第一厚度Tl。例如,第一保護膜PFl的第二厚度T2和第二保護膜PF2的第三厚度T3中的每個可以是作為基底SUB、緩沖層BL、薄膜晶體管TFT、0LED和包封部分EN的總厚度的第一厚度Tl的5倍至50倍。
[0122]第一保護膜PFl和第二保護膜PF2中的每個可以是柔性的、可拉伸的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。因為第一保護膜PFl和第二保護膜PF2中的每個是柔性的、可拉伸的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的,所以整個柔性OLED顯示器1000可以是柔性的、可拉伸的、可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。
[0123]此外,在根據(jù)另一示例性實施例的柔性OLED顯示器1000中,因為在基底SUB中包括的第一材料的熔點高于構成薄膜晶體管TFT的組成中的每個組成的熔點,因此,在制造工藝期間,由形成薄膜晶體管TFT時產(chǎn)生的熱引起的基底SUB的變形受到抑制。即,因為抑制了由制造工藝期間產(chǎn)生的熱引起的基底SUB的變形,所以提供了改善了產(chǎn)品本身的可靠性的柔性OLED顯示器1000。
[0124]此外,在根據(jù)另一示例性實施例的柔性OLED顯示器1000中,因為基底SUB包括鉬或二氧化鉬(即,包括金屬的第一材料),所以與有機材料相比,在基底SUB中包括的第一材料具有致密結構,因此抑制了外部濕氣通過基底SUB向薄膜晶體管TFT或OLED中的滲透。因此,因為延長了薄膜晶體管TFT和OLED中每個的壽命,所以提供了改善了總壽命的柔性OLED顯示器1000。
[0125]此外,通常,使用包括聚酰亞胺的基底作為柔性OLED顯示器的基底,但是在根據(jù)另一示例性實施例的柔性OLED顯示器1000中,因為基底SUB包括第一材料,第一材料包括鉬或包含鉬的二氧化鉬,而鉬與聚酰亞胺相比是具有致密結構的金屬,所以抑制了外部濕氣通過基底SUB向薄膜晶體管TFT或OLED中的滲透。因此,因為延長了薄膜晶體管TFT和OLED中每個的壽命,所以提供了改善了總壽命的柔性OLED顯示器1000。
[0126]雖然已經(jīng)結合當前被認為是可實踐的示例性實施例描述了本發(fā)明技術,但是本領域技術人員容易理解的是,本發(fā)明不限于公開的實施例,相反,本發(fā)明意圖覆蓋在所附權利要求的精神和范圍內(nèi)包括的各種修改和等同布置。
【主權項】
1.一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器,所述柔性有機發(fā)光二極管顯示器包括: 基底,包括第一材料,所述第一材料包括金屬,其中,所述基底包括彼此相對的第一表面和第二表面; 有機發(fā)光二極管,設置在所述基底的所述第一表面上;以及 升華材料,包括第二材料并設置在所述基底的所述第二表面上。2.根據(jù)權利要求1所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第二材料包括所述金屬O3.根據(jù)權利要求2所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第一材料的熔點高于所述第二材料的熔點。4.根據(jù)權利要求2所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第一材料不溶于溶解所述第二材料的溶劑。5.根據(jù)權利要求2所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述金屬包括鉬。6.根據(jù)權利要求5所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第二材料包括金屬氧化物。7.根據(jù)權利要求2所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第一材料包括二氧化鉬,其中,所述第二材料包括三氧化鉬。8.根據(jù)權利要求2所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第一材料包括鉬,其中,所述第二材料包括三氧化鉬。9.根據(jù)權利要求1所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述金屬包括鉬、鈦、鋁、鉭、媽、銅、絡、釹、鐵、鎳、鈷、舒、銘、鈀、銥、錯、鋅和鋨中的一種或更多種。10.根據(jù)權利要求1所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第一材料包括二氧化鉬。11.根據(jù)權利要求1所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第一材料包括鉬。12.根據(jù)權利要求1所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,所述柔性有機發(fā)光二極管顯示器還包括電連接到所述有機發(fā)光二極管并布置在所述基底與所述有機發(fā)光二極管之間的薄膜晶體管。13.根據(jù)權利要求12所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第一材料的熔點高于在所述薄膜晶體管中包括的材料的熔點。14.根據(jù)權利要求12所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,所述柔性有機發(fā)光二極管顯示器還包括緩沖層,所述緩沖層包括無機材料并布置在所述基底與所述薄膜晶體管之間。15.根據(jù)權利要求12所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,所述柔性有機發(fā)光二極管顯示器還包括: 第一保護膜,設置在所述基底下方;以及 第二保護膜,設置在所述有機發(fā)光二極管上方。16.根據(jù)權利要求15所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第一保護膜和所述第二保護膜中每個的厚度大于所述基底、所述薄膜晶體管和所述有機發(fā)光二極管的總厚度。17.根據(jù)權利要求15所述的柔性有機發(fā)光二極管顯示器,其中,所述第一保護膜和所述第二保護膜均包括有機材料。18.—種制造柔性有機發(fā)光二極管顯示器的方法,所述方法包括: 在支撐基底上方形成包括金屬的犧牲層; 在所述犧牲層上形成基底,其中,所述基底由包括所述金屬的第一材料形成; 在所述基底上方形成有機發(fā)光二極管;以及 使所述犧牲層升華,以使所述基底與所述支撐基底分離。19.根據(jù)權利要求18所述的方法,其中,所述犧牲層由包括所述金屬的第二材料形成。20.根據(jù)權利要求19所述的方法,其中,所述第一材料的熔點高于所述第二材料的熔點。21.根據(jù)權利要求19所述的方法,所述方法還包括:在溶劑中清洗形成有所述犧牲層和所述基底的所述支撐基底,其中,所述第一材料不溶于被配置成溶解所述第二材料的溶劑。22.根據(jù)權利要求18所述的方法,其中,通過使激光束穿過所述支撐基底輻射在所述犧牲層上來執(zhí)行使所述犧牲層升華的步驟。23.根據(jù)權利要求18所述的方法,所述方法還包括:將第一保護膜附著到所述基底的下側以及將第二保護膜附著到所述有機發(fā)光二極管的上側。24.一種柔性有機發(fā)光二極管顯示器,所述柔性有機發(fā)光二極管顯示器包括: 包括金屬的基底,其中,所述基底包括彼此相對的第一表面和第二表面; 有機發(fā)光二極管,設置在所述基底的所述第一表面上;以及 升華材料,包括所述金屬并設置在所述基底的所述第二表面上。
【文檔編號】H01L51/56GK106098938SQ201610265027
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年4月26日 公開號201610265027.2, CN 106098938 A, CN 106098938A, CN 201610265027, CN-A-106098938, CN106098938 A, CN106098938A, CN201610265027, CN201610265027.2
【發(fā)明人】金基鉉, 金善浩, 金楨晧, 具賢祐, 金泰雄, 牟然坤
【申請人】三星顯示有限公司