半柔性射頻同軸電纜組件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了半柔性射頻同軸電纜組件及其制作方法，涉及射頻同軸電纜技術(shù)領(lǐng)域，同軸電纜組件包括連接器和內(nèi)導體插入連接器的同軸電纜，所述內(nèi)導體端頭設(shè)有倒角；該同軸電纜組件制作步驟如下：裁切電纜，去除電纜端部的絕緣保護套、外導體屏蔽層、絕緣介質(zhì)，露出內(nèi)導體；修剪外導體屏蔽層和絕緣介質(zhì)；裁切內(nèi)導體并對內(nèi)導體做出倒角；對倒角處理后的內(nèi)導體搪錫；將內(nèi)導體插入連接器接頭插針的焊接腔內(nèi)與接頭插針焊接在一起；外導體屏蔽層插入連接器接頭尾管；將外導體屏蔽層和連接器尾管焊接在一起；測試焊接完成的電纜組件。采用以上技術(shù)方案，很好地滿足了科研生產(chǎn)對電纜組件低插損、低駐波、等相位的要求。
【專利說明】
半柔性射頻同軸電纜組件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及射頻同軸電纜連接技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]射頻同軸電纜組件的制作是隨著微波通信系統(tǒng)的研制、生產(chǎn)、制造發(fā)展而發(fā)展的。實現(xiàn)系統(tǒng)內(nèi)不同組件、模塊間的微波信號的短距離傳輸。不同頻率的信號、不同應(yīng)用環(huán)境對傳輸電纜的要求也不相同，涉及到技術(shù)指標包括:插損、駐波、相位波動等等。
[0003]隨著微波通信頻率的不斷提高，對同軸電纜組件的要求也越來越高，插損和電纜有關(guān)，而電纜接頭的制造影響也比較大，特別是應(yīng)用頻率較高時，電纜的端口駐波也是電纜組件制作的難點。電纜組件用于多信道信號傳輸時，不同電纜組件間的相位一致性又成為新的難點。
[0004]目前一般用途的同軸電纜組件的制作較多，而低插損、低駐波、等相位等高指標要求的電纜組件制作起來還是難度較大。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了半柔性射頻同軸電纜組件的制作方法，可以滿足微波通信系統(tǒng)中信號傳輸對半柔性同軸電纜組件針對插損、駐波、相位的要求。
[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:半柔性射頻同軸電纜組件，包括連接器和內(nèi)導體插入連接器的同軸電纜，其特征在于，所述的內(nèi)導體端頭設(shè)有倒角。
[0007]進一步優(yōu)化的技術(shù)方案為所述的倒角為在內(nèi)導體端頭直徑1/4到1/3處設(shè)有45度倒角。
[0008]半柔性射頻同軸電纜組件的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟:
裁切電纜；
去除同軸電纜端部的絕緣保護套、外導體屏蔽層、絕緣介質(zhì)，露出內(nèi)導體；
將同軸電纜的絕緣介質(zhì)和外導體屏蔽層修剪整齊，達到要求；
對露出的內(nèi)導體確定好長度進行裁切，并對內(nèi)導體端面做出倒角；
對倒角處理后的內(nèi)導體作搪錫處理；
將同軸電纜內(nèi)導體插入連接器的接頭插針的焊接腔焊接，與接頭插針焊接在一起； 將修剪整齊的外導體屏蔽層插入連接器的接頭尾管內(nèi)；
將電纜外導體和連接器的接頭尾管焊接在一起，記得到半柔性射頻同軸電纜組件； 測試焊接完成的電纜組件性能是否滿足要求。
[0009]進一步優(yōu)化的技術(shù)方案為所述的內(nèi)導體、絕緣介質(zhì)、外導體屏蔽層不出現(xiàn)擠壓，絕緣介質(zhì)和外導體屏蔽層修剪后，絕緣介質(zhì)切割整齊、表面無金屬肩和其它污染，外導體屏蔽層切口整齊，無毛刺，無翻卷。
[0010]進一步優(yōu)化的技術(shù)方案為所述的內(nèi)導體與焊接腔的焊接充實可靠。
[0011]進一步優(yōu)化的技術(shù)方案為外導體屏蔽層和連接器的接頭尾管的焊接焊料填實，X射線檢查無超過線徑1/4的空洞。
[0012]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:利用以上技術(shù)方案制作的半柔性射頻同軸電纜組件可以滿足微波通信系統(tǒng)中信號傳輸對半柔性同軸電纜組件針對插損、駐波、相位的要求:低插損、低駐波、等相位。
【附圖說明】
[0013]圖1是本發(fā)明所述同軸電纜結(jié)構(gòu)圖。
[0014]圖2是本發(fā)明所述同軸電纜組件組裝示意圖。
[0015]圖中:1、內(nèi)導體;2、絕緣介質(zhì)；3、外導體屏蔽層;4、絕緣保護層;5、倒角;6、接頭插針;7、焊接觀察孔;8、焊接腔;9、接頭尾管。
【具體實施方式】
[0016]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0017]半柔性射頻同軸電纜組件包括連接器和內(nèi)導體I插入連接器的同軸電纜，內(nèi)導體I端頭設(shè)有倒角5，倒角5在內(nèi)導體I端頭直徑I /4到I /3處設(shè)有45度倒角。
[0018]圖1是本發(fā)明所述同軸電纜結(jié)構(gòu)圖。同軸電纜包括內(nèi)導體1、覆蓋內(nèi)導體的絕緣介質(zhì)2、外導體屏蔽層3和外層的絕緣保護套4。
[0019]首先計算同軸電纜需要裁切的長度，并預(yù)留出焊接所需的長度，裁切電纜;去除同軸電纜端部的絕緣保護層4，露出外導體屏蔽層3，將外導體屏蔽層3適當裁切，露出絕緣介質(zhì)2，再將絕緣介質(zhì)2剝除適當長度，露出內(nèi)導體I適當長度;修剪整齊同軸電纜外導體屏蔽層3和絕緣介質(zhì)2，內(nèi)導體1、絕緣介質(zhì)2、外導體屏蔽層3不出現(xiàn)擠壓，外導體屏蔽層3切口整齊，無毛刺，無翻卷，絕緣介質(zhì)2切割整齊、表面無金屬肩和其它污染;對露出的內(nèi)導體I確定好長度進行裁切，并對內(nèi)導體I端頭做出倒角5，清理掉內(nèi)導體I端頭的毛刺，利于裝配到接頭插針6的焊接腔8內(nèi)進行焊接，倒角5修正了剪切擠壓造成的同軸電纜內(nèi)導體I的變形，消除了內(nèi)導體I變形對電性的影響，避免出現(xiàn)阻抗突變點，減小了電壓駐波比；對倒角處理后的內(nèi)導體I作搪錫處理；內(nèi)導體I的長度是關(guān)鍵控制點。
[0020]結(jié)合圖2解釋本發(fā)明所述半柔性射頻同軸電纜組件的組裝過程:
將電纜內(nèi)導體I插入接頭插針6的焊接腔8內(nèi)，通過焊接觀察孔7觀察焊接情況，保證焊接可靠，無焊錫殘留；
將電纜外導體屏蔽層3和接頭尾管9焊接在一起，并保證焊料填實，經(jīng)X射線檢查無超過線徑1/4的空洞，保證低插損；
對焊接完成的電纜進行測試，并檢查線頭是否焊接好，避免造成虛焊、短接的情況；當同軸電纜組件傳輸特性有等相位要求時，根據(jù)測量結(jié)果調(diào)整同軸電纜長度及焊接位置，以滿足等相位要求。
[0021]采用以上技術(shù)方案制作的半柔性射頻同軸電纜組件可以滿足微波通信系統(tǒng)中信號傳輸對半柔性同軸電纜組件針對插損、駐波、相位的要求:低插損、低駐波、等相位。
【主權(quán)項】
1.半柔性射頻同軸電纜組件，包括連接器和內(nèi)導體插入連接器的同軸電纜，其特征在于，所述的內(nèi)導體端頭設(shè)有倒角。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半柔性射頻同軸電纜組件，其特征在于所述的倒角為在內(nèi)導體端頭直徑1/4到1/3處設(shè)有45度倒角。3.半柔性射頻同軸電纜組件的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟: 1)裁切電纜； 2)去除同軸電纜端部的絕緣保護套、外導體屏蔽層、絕緣介質(zhì)，露出內(nèi)導體； 3)將同軸電纜的絕緣介質(zhì)和外導體屏蔽層修剪整齊，達到要求； 4)對露出的內(nèi)導體確定好長度進行裁切，并對內(nèi)導體端面做出倒角； 5)對倒角處理后的內(nèi)導體作搪錫處理； 6)將同軸電纜內(nèi)導體插入連接器的接頭插針的焊接腔焊接，與接頭插針焊接在一起； 7)將修剪整齊的外導體屏蔽層插入連接器的接頭尾管內(nèi)； 8)將電纜外導體和連接器的接頭尾管焊接在一起，即得半柔性射頻同軸電纜組件； 9)測試焊接完成的電纜組件性能是否滿足要求。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半柔性射頻同軸電纜組件的制作方法，其特征在于所述的內(nèi)導體、絕緣介質(zhì)、外導體屏蔽層不出現(xiàn)擠壓，絕緣介質(zhì)和外導體屏蔽層修剪后，絕緣介質(zhì)切割整齊、表面無金屬肩和其它污染，外導體屏蔽層切口整齊，無毛刺，無翻卷。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半柔性射頻同軸電纜組件的制作方法，其特征在于所述的內(nèi)導體與焊接腔的焊接充實可靠。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半柔性射頻同軸電纜組件的制作方法，其特征在于所述的外導體屏蔽層和連接器的接頭尾管的焊接焊料填實，X射線檢查無超過線徑1/4的空洞。
【文檔編號】H01R24/40GK106099290SQ201610361666
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年5月27日
【發(fā)明人】魏愛新, 楊國喆, 王志會
【申請人】中國電子科技集團公司第十三研究所