基于雙elc非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料的制作方法
【專利摘要】基于雙ELC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料，屬于電磁波全矢量傳輸調(diào)控器件技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明包括襯底介質(zhì)基片和設(shè)置于襯底介質(zhì)基片表面的金屬結(jié)構(gòu)層，所述金屬結(jié)構(gòu)層上周期性排列有M*N個(gè)結(jié)構(gòu)相同的諧振單元，M和N為自然數(shù)且M≥2，N≥2，其特征在于，每個(gè)諧振單元由兩個(gè)開口和金屬臂長(zhǎng)度均不同的諧振器結(jié)合構(gòu)成，諧振器依據(jù)下述條件確定：在單個(gè)諧振器仿真狀態(tài)下，第一個(gè)諧振器具有三個(gè)諧振峰，第二個(gè)諧振器具有兩個(gè)諧振峰；在兩個(gè)諧振器結(jié)合的狀態(tài)下，諧振單元具有四個(gè)諧振峰；所述諧振峰為透過(guò)率低于?15dB的信號(hào)峰。本發(fā)明利用微納制造技術(shù)加工，相對(duì)于利用離子刻蝕、電光晶體等結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)太赫茲反射式極化器，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、加工成本低、可控精度高。
【專利說(shuō)明】
基于雙ELC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明屬于電磁波全矢量傳輸調(diào)控器件技術(shù)領(lǐng)域，涉及的是透射式太赫茲四諧振超材料。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著無(wú)線通信和高精度雷達(dá)技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)大數(shù)據(jù)文件傳輸和空間高速網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)的需求日益增加，迫切需要實(shí)現(xiàn)Tb/s以上數(shù)據(jù)傳輸速率的新型高速無(wú)線通信體制。太赫茲波具有豐富的頻譜資源(頻率為0.1THz?1THz)，只需要適當(dāng)?shù)膸捫时隳軐?shí)現(xiàn)100Gb/S以上的數(shù)據(jù)傳輸速率。相比毫米波通信和光通信，太赫茲無(wú)線通信系統(tǒng)具有不可替代的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在未來(lái)高速短距離無(wú)線通信和空間通信等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，得到了廣泛的關(guān)注。
[0003]而在太赫茲頻段，現(xiàn)有的自然材料不具備理想的電磁特性，難以用來(lái)制備太赫茲器件。超材料(Metamater ial s)具有自然材料所不具備的超常電磁特性，例如，負(fù)折射現(xiàn)象、反常切倫科夫輻射、反常多普勒效應(yīng)、超分辨成像、隱身、極化旋轉(zhuǎn)能力以及多諧振特性等，在電磁學(xué)或光學(xué)器件等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。具有多諧振特性的太赫茲超材料在一定的太赫茲頻段內(nèi)能夠產(chǎn)生多個(gè)諧振頻率不同的諧振峰，可以在不改變結(jié)構(gòu)的前提下同時(shí)對(duì)多個(gè)頻率的電磁波產(chǎn)生帶通或者帶阻效果，對(duì)于太赫茲濾波器、開關(guān)、調(diào)制器等的研制具有重要意義。
[0004]對(duì)于帶阻型超材料，當(dāng)電磁波入射到超材料表面時(shí)，入射波將激發(fā)超材料中電子使其產(chǎn)生振蕩。根據(jù)能量守恒定律，入射波一部分能量被電子吸收維持振蕩，另一部分能量將透過(guò)超材料以透射波形式繼續(xù)傳播。當(dāng)在某一頻率時(shí)，電子振蕩產(chǎn)生的場(chǎng)在透射面將抵消透射波產(chǎn)生的場(chǎng)，從而表現(xiàn)出零透射現(xiàn)象。而帶阻型多諧振超材料則在多個(gè)頻點(diǎn)處表現(xiàn)出零透射現(xiàn)象，即存在多個(gè)諧振點(diǎn)。由于這種特性，其在雷達(dá)罩、天線、濾波器等器件具有廣闊應(yīng)用前景，成為了超材料研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一。
[0005]該多諧振太赫茲超材料具有四個(gè)低透射率阻帶，同時(shí)四個(gè)諧振峰之間無(wú)相互干擾，獨(dú)立性好。其工作原理完全基于電場(chǎng)響應(yīng)，包括電偶極子響應(yīng)與ELC響應(yīng)。其中電偶極子響應(yīng)主要對(duì)應(yīng)0.173,0.323THz兩個(gè)諧振點(diǎn)的產(chǎn)生，ELC響應(yīng)主要對(duì)應(yīng)于0.481,0.622THz兩個(gè)諧振點(diǎn)的產(chǎn)生。這種新型太赫茲超材料在滿足多諧振，低透過(guò)率的條件下，金屬結(jié)構(gòu)與基片厚度均有較大電長(zhǎng)度。通常太赫茲波段多諧振超材料基片厚度約1/20波長(zhǎng)，金屬結(jié)構(gòu)最細(xì)寬度在微米量級(jí)，而本發(fā)明的基片厚度約為1/6波長(zhǎng)，金屬結(jié)構(gòu)最細(xì)為十微米量級(jí)，可以采用傳統(tǒng)光刻工藝進(jìn)行加工，對(duì)加工要求大大降低，節(jié)省了加工成本，有效提高了本發(fā)明的應(yīng)用型，易于推廣。
[0006]2008年美國(guó)杜克大學(xué)Yu Yuan等人設(shè)計(jì)并制造了一種基于電諧振親合的雙諧振太赫茲超材料，并在APPLIED PHYSICS LETTERS上發(fā)表文章。該超材料的諧振單元也由兩個(gè)不同的ELC諧振單元組成，但這兩個(gè)ELC諧振單元僅僅是金屬臂長(zhǎng)度不同而開口大小相同。該超材料具有兩個(gè)諧振峰，與組合前相比，第一個(gè)諧振峰諧振強(qiáng)度與帶寬(_ 1dB處)均有提高，但第二個(gè)諧振峰諧振強(qiáng)度與帶寬被明顯削弱。該超材料測(cè)試結(jié)果顯示其在測(cè)試頻段傳輸系數(shù)整體低于0.5，且該超材料諧振單元金屬結(jié)構(gòu)部分最小達(dá)到微米量級(jí)，對(duì)加工工藝要求很高，提高了加工成本。而本發(fā)明提出的基于雙Electric-LC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料具有四個(gè)諧振峰，與組合前相比，前三個(gè)諧振峰在諧振強(qiáng)度與帶寬上均有明顯增加，第四個(gè)諧振峰諧振強(qiáng)度與帶寬上略有減小。且在四個(gè)諧振點(diǎn)均獲得了-30dB以下的傳輸系數(shù)，具有良好的濾波性能。本發(fā)明的超材料電長(zhǎng)度較大，對(duì)工藝要求較低，控制了加工成本，易于推廣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種多諧振頻率、高諧振強(qiáng)度、可設(shè)計(jì)性、易加工的基于雙Electric-LC非對(duì)稱親合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料。
[0008]本發(fā)明解決所述技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案是，基于雙ELC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料，包括襯底介質(zhì)基片和設(shè)置于襯底介質(zhì)基片表面的金屬結(jié)構(gòu)層，所述金屬結(jié)構(gòu)層上周期性排列有M*N個(gè)結(jié)構(gòu)相同的諧振單元，M和N為自然數(shù)且M多2，N多2，其特征在于，每個(gè)諧振單元由兩個(gè)開口和金屬臂長(zhǎng)度均不同的諧振器結(jié)合構(gòu)成，諧振器依據(jù)下述條件確定:
[0009]在單個(gè)諧振器仿真狀態(tài)下，第一個(gè)諧振器具有三個(gè)諧振峰，第二個(gè)諧振器具有兩個(gè)諧振峰；
[0010]在兩個(gè)諧振器結(jié)合的狀態(tài)下，諧振單元具有四個(gè)諧振峰；
[0011 ]所述諧振峰為透過(guò)率低于-15dB的信號(hào)峰。
[0012]本發(fā)明的諧振峰如圖5所示，為向下的尖峰。
[0013]進(jìn)一步的，諧振單元為左右對(duì)稱，第一諧振器為左右軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)，第二諧振器為左右軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)，且二者的左右對(duì)稱軸重合于諧振單元對(duì)稱軸。
[0014]第一諧振器包括一個(gè)矩形的中心金屬條，中心金屬條的中線與諧振單元對(duì)稱軸重合，在中心金屬條的一側(cè)設(shè)置有第一側(cè)臂和第二側(cè)臂，第一側(cè)臂和第二側(cè)臂上下對(duì)稱，
[0015]所述第一側(cè)臂包括皆為矩形的第一長(zhǎng)橫臂、第一短橫臂和第一縱臂；第一縱臂的兩端分別連接第一長(zhǎng)橫臂和第一短橫臂，第一縱臂的長(zhǎng)邊平行于諧振單元的對(duì)稱軸，第一長(zhǎng)橫臂的長(zhǎng)邊和第一短橫臂的長(zhǎng)邊垂直于諧振器的左右對(duì)稱軸，第一長(zhǎng)橫臂連接第一縱臂和中心金屬條；
[0016]所述第二側(cè)臂包括皆為矩形的第二長(zhǎng)橫臂、第二短橫臂和第二縱臂。
[0017]所述第二諧振器包括一個(gè)矩形的縱向金屬條，其中線與諧振單元對(duì)稱軸重合，在縱向金屬條的一側(cè)設(shè)置有皆為矩形的第一橫臂和第二橫臂，所述第一橫臂即為第一諧振器的第二長(zhǎng)橫臂，第一橫臂的長(zhǎng)邊和第二橫臂的長(zhǎng)邊皆垂直于諧振單元對(duì)稱軸。
[0018]本發(fā)明提供的基于雙Electric-LC非對(duì)稱親合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料，具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0019](I)本發(fā)明利用微納制造技術(shù)加工，相對(duì)于利用離子刻蝕、電光晶體等結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)太赫茲反射式極化器，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、加工成本低、可控精度高。
[0020](2)本發(fā)明具有四個(gè)諧振峰，每個(gè)諧振峰之間相互獨(dú)立，無(wú)交叉，傳輸系數(shù)可達(dá)到均在-30dB以下，在太赫茲無(wú)線通訊、雷達(dá)等方面具有重要應(yīng)用價(jià)值。
[0021](3)本發(fā)明基于非對(duì)稱耦合，具有ELC諧振與電偶極子諧振兩種諧振模式，相對(duì)于組合前諧振單元有更強(qiáng)的諧振強(qiáng)度與更寬的帶寬。
[0022](4)本發(fā)明可以通過(guò)改變相應(yīng)結(jié)構(gòu)參數(shù)從而實(shí)現(xiàn)對(duì)特定諧振峰中心頻率進(jìn)行調(diào)整，并且可以在微波-太赫茲-光波頻段靈活調(diào)解工作范圍，大大增加了本發(fā)明的普適性。本發(fā)明對(duì)于制備太赫茲波段無(wú)線傳輸器件具有重要意義。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1為本發(fā)明提供的基于雙Electric-LC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料三維結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖2為本發(fā)明仿真結(jié)果圖。
[0025]圖3為單個(gè)諧振單元結(jié)構(gòu)示意圖及尺寸標(biāo)注。
[0026]圖4為本發(fā)明的ELCl與ELC2諧振器組合示意圖；
[0027]圖5為ELCl諧振器，ELC2諧振器與組合后單元的仿真結(jié)果圖。
[0028]圖6為ELCl與ELC2在各自諧振頻率附近的電流大小分布圖；
[0029]圖7為組合后的諧振單元在四個(gè)諧振頻率附近的電流大小分布圖。
[0030]圖8為諧振單元在四個(gè)諧振頻率附近的電流矢量分布圖。
[0031 ]圖9為諧振單元裝置第一組尺寸參數(shù)時(shí)仿真結(jié)果圖。
[0032]圖10為諧振單元裝置第一組尺寸參數(shù)時(shí)仿真結(jié)果圖。
[0033]圖11為諧振單元裝置第一組尺寸參數(shù)時(shí)仿真結(jié)果圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]一種基于雙Electric-LC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料如圖1所示，包括信號(hào)輸入端1、襯底上表面金屬結(jié)構(gòu)層2、襯底介質(zhì)基片3以及信號(hào)投射輸出端4。所述金屬層位于襯底介質(zhì)基片表面，金屬層具有N*N個(gè)周期性長(zhǎng)方形排列的基于雙Electric-LC的諧振單元，N>20。所述諧振單元由兩個(gè)開口大小與金屬臂長(zhǎng)度均不同的ELC諧振器組成，參見圖4 JLCl與ELC2在入射平面方向?yàn)樽笥覍?duì)稱結(jié)構(gòu)。襯底介質(zhì)基片材料可以采用陶瓷介質(zhì)材料、晶體介質(zhì)材料或半導(dǎo)體材料;所述金屬諧振結(jié)構(gòu)的線條材料可以為Au、Ag、Cu、Al或Ti/Pt/Au合金等金屬材料。
[0035]諧振單元由兩個(gè)開口大小與金屬臂長(zhǎng)度均不同的ELC諧振器組合而成，如圖3、4所示。在單獨(dú)仿真時(shí)，上部分ELC諧振單元(ELCl)為三諧振，另一個(gè)ELC諧振單元(ELC2)為雙諧振。
[0036]諧振單元為左右對(duì)稱，諧振單元由第一諧振器和第二諧振器組合構(gòu)成，第一諧振器為左右軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)，第二諧振器為左右軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)，且二者的左右對(duì)稱軸重合于諧振單元對(duì)稱軸。
[0037]第一諧振器包括一個(gè)矩形的中心金屬條10，中心金屬條10的中線與諧振單元對(duì)稱軸重合，在中心金屬條10的一側(cè)設(shè)置有第一側(cè)臂和第二側(cè)臂，第一側(cè)臂和第二側(cè)臂上下對(duì)稱，
[0038]所述第一側(cè)臂包括皆為矩形的第一長(zhǎng)橫臂11、第一短橫臂12和第一縱臂13;第一縱臂13的兩端分別連接第一長(zhǎng)橫臂11和第一短橫臂12，第一縱臂13的長(zhǎng)邊平行于諧振單元的對(duì)稱軸，第一長(zhǎng)橫臂11的長(zhǎng)邊和第一短橫臂12的長(zhǎng)邊垂直于諧振器的左右對(duì)稱軸，第一長(zhǎng)橫臂11連接第一縱臂13和中心金屬條10;
[0039]所述第二側(cè)臂包括皆為矩形的第二長(zhǎng)橫臂、第二短橫臂和第二縱臂。
[0040]所述第二諧振器包括一個(gè)矩形的縱向金屬條20，其中線與諧振單元對(duì)稱軸重合，其寬度與第一諧振器的中心金屬條相同。
[0041 ]在縱向金屬條20的一側(cè)設(shè)置有皆為矩形的第一橫臂和第二橫臂，所述第一橫臂即為第一諧振器的第二長(zhǎng)橫臂，第一橫臂的長(zhǎng)邊和第二橫臂的長(zhǎng)邊皆垂直于諧振單元對(duì)稱軸。
[0042]參見圖5，本發(fā)明將組合結(jié)構(gòu)的四個(gè)諧振峰命名為Al，A2，A3，A4;將ELCI三個(gè)諧振峰命名為B1，B2，B3;將ELC2兩個(gè)諧振峰命名為C1，C2?？梢钥闯雠c組合前相比時(shí)，組合后結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的四個(gè)諧振峰的諧振頻率有適當(dāng)紅移。其中前三個(gè)諧振峰的諧振強(qiáng)度與帶寬均有明顯增加，第四個(gè)諧振峰諧振強(qiáng)度與帶寬略有減小。且由于B2，C2兩個(gè)諧振峰的重疊，原有的五個(gè)諧振峰變?yōu)樗膫€(gè)。
[0043]參見圖6?7 31，(:1，02三個(gè)諧振峰主要由電偶極子諧振產(chǎn)生，82，83兩個(gè)諧振峰主要由ELC諧振產(chǎn)生。并且在ELCl與ELC2組合以后，上下兩個(gè)諧振器之間的耦合導(dǎo)致了諧振頻率有一定程度的紅移。
[0044]圖8為Al，A2，A3與A4四個(gè)諧振點(diǎn)的電流矢量分布圖，由圖可得，在AI，A3兩個(gè)諧振頻峰的中心頻率附近，ELCl與ELC2中的電偶極子具有相同方向，從而導(dǎo)致兩個(gè)電偶極子之間耦合增強(qiáng)，因此組合后Al，A3的諧振強(qiáng)度與帶寬均增加。而在A4的中心頻率附近，ELCl與ELC2中的電偶極子方向相反，導(dǎo)致電偶極子部分抵消，從而諧振強(qiáng)度與帶寬均有減小。在A2中心頻率附近，由圖5中電流方向可得ELCl的ELC諧振與ELC2的電偶極子諧振之間因電流同向存在耦合，導(dǎo)致A2諧振強(qiáng)度與帶寬均增加。
[0045]通過(guò)調(diào)整第一諧振器中兩個(gè)長(zhǎng)橫臂之間的距離I1、和第二諧振器中兩個(gè)橫臂之間的距離I2的長(zhǎng)度，可以控制電偶極子之間的耦合，從而可以對(duì)相應(yīng)的諧振頻率進(jìn)行調(diào)節(jié)，如圖9?10所示。通過(guò)調(diào)整開口寬度W3，可以調(diào)整ELC諧振中等效電容的大小，從而也可以調(diào)節(jié)相應(yīng)的諧振頻率，如圖11。
[0046]實(shí)施例:
[0047]本實(shí)施例的襯底介質(zhì)基片材料采用晶向?yàn)镺O OI的單晶石英晶體，介電常數(shù)約為4.41，磁導(dǎo)率為I，損耗正切約為0.0004，厚度h為170m;所述金屬諧振結(jié)構(gòu)的線條材料采用電導(dǎo)率為3.72X10TS/m，厚度hi為Im的金屬鋁。
[0048]如圖3所示，諧振單元金屬結(jié)構(gòu)的尺寸參數(shù)為:l = 360ym，w=180ym, 1ι = 220μηι，?2=ΙΟΟμπι，?3 = 20μπι，?4 = 60μπι，Is = 100m，g = 80um，wi = 40um，w2 = 60um，w3 = 20um，I = 170μπι，Px=400um，Py = 200um。
[0049]基于雙Electric-LC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料是利用有限元法，在三維電磁仿真軟件HFSS(High Frequency Structure Simulator)中設(shè)計(jì)。其仿真結(jié)果圖如圖2所示。其中四個(gè)諧振頻率分別為0.173，0.323，0.481和0.622THz，其對(duì)應(yīng)的傳輸系數(shù)(dB)分別為-40.01，-34.31，-38.21和-30.15dB。三個(gè)傳輸系數(shù)最大值分別為-1.24，-
0.26和-0.71dB，對(duì)應(yīng)的頻率分別為0.284，0.418和0.545THz。四個(gè)諧振峰在-1OdB處的帶寬分別為0.074,0.048,0.045和0.029THz。本發(fā)明擬采用微納光刻加工技術(shù)，在介質(zhì)基片上實(shí)現(xiàn)周期排列的諧振單元的金屬結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)方案擬采用太赫茲時(shí)域光譜儀或太赫茲矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)制備的超材料進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試時(shí)應(yīng)采用TE模式的平面電磁波垂直入射。考慮由于基底材料電參數(shù)、金屬材料導(dǎo)電率、加工精度和測(cè)量設(shè)備精度等帶來(lái)的測(cè)量誤差，并結(jié)合測(cè)試結(jié)果對(duì)極化器模型進(jìn)行進(jìn)一步的工程優(yōu)化有望進(jìn)一步提高極化器的性能。
[0050]本案中的雙ELC非對(duì)稱耦合周期結(jié)構(gòu)，可以根據(jù)工作頻段的不同，采用不同加工工藝進(jìn)行加工，比如PCB技術(shù)、離子刻蝕技術(shù)或光刻技術(shù)等。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.基于雙ELC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料，包括襯底介質(zhì)基片(3)和設(shè)置于襯底介質(zhì)基片(3)表面的金屬結(jié)構(gòu)層(2)，所述金屬結(jié)構(gòu)層上周期性排列有M*N個(gè)結(jié)構(gòu)相同的諧振單元，M和N為自然數(shù)且M多2，N多2，其特征在于，每個(gè)諧振單元由兩個(gè)開口和金屬臂長(zhǎng)度均不同的諧振器結(jié)合構(gòu)成，諧振器依據(jù)下述條件確定: 在單個(gè)諧振器仿真狀態(tài)下，第一個(gè)諧振器具有三個(gè)諧振峰，第二個(gè)諧振器具有兩個(gè)諧振峰； 在兩個(gè)諧振器結(jié)合的狀態(tài)下，諧振單元具有四個(gè)諧振峰； 所述諧振峰為透過(guò)率低于_15dB的信號(hào)峰。2.如權(quán)利要求1所述的基于雙ELC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料，其特征在于，諧振單元為左右對(duì)稱，第一諧振器為左右軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)，第二諧振器為左右軸對(duì)稱結(jié)構(gòu)，且二者的左右對(duì)稱軸重合于諧振單元對(duì)稱軸。3.如權(quán)利要求2所述的基于雙ELC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料，其特征在于，第一諧振器包括一個(gè)矩形的中心金屬條，中心金屬條的中線與諧振單元對(duì)稱軸重合，在中心金屬條的一側(cè)設(shè)置有第一側(cè)臂和第二側(cè)臂，第一側(cè)臂和第二側(cè)臂上下對(duì)稱， 所述第一側(cè)臂包括皆為矩形的第一長(zhǎng)橫臂、第一短橫臂和第一縱臂；第一縱臂的兩端分別連接第一長(zhǎng)橫臂和第一短橫臂，第一縱臂的長(zhǎng)邊平行于諧振單元的對(duì)稱軸，第一長(zhǎng)橫臂的長(zhǎng)邊和第一短橫臂的長(zhǎng)邊垂直于諧振器的左右對(duì)稱軸，第一長(zhǎng)橫臂連接第一縱臂和中心金屬條； 所述第二側(cè)臂包括皆為矩形的第二長(zhǎng)橫臂、第二短橫臂和第二縱臂。4.如權(quán)利要求3所述的基于雙ELC非對(duì)稱耦合結(jié)構(gòu)的四諧振太赫茲波段超材料，其特征在于，所述第二諧振器包括一個(gè)矩形的縱向金屬條，其中線與諧振單元對(duì)稱軸重合，在縱向金屬條的一側(cè)設(shè)置有皆為矩形的第一橫臂和第二橫臂，所述第一橫臂即為第一諧振器的第二長(zhǎng)橫臂，第一橫臂的長(zhǎng)邊和第二橫臂的長(zhǎng)邊皆垂直于諧振單元對(duì)稱軸。
【文檔編號(hào)】H01Q15/00GK106099381SQ201610659130
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年8月12日 公開號(hào)201610659130.5, CN 106099381 A, CN 106099381A, CN 201610659130, CN-A-106099381, CN106099381 A, CN106099381A, CN201610659130, CN201610659130.5
【發(fā)明人】蘭峰, 楊梓強(qiáng), 史宗君, 石明磊
【申請(qǐng)人】電子科技大學(xué)