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      晶圓承載盤的制作方法

      文檔序號:8563670閱讀:287來源:國知局
      晶圓承載盤的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型系關(guān)于一種應(yīng)用于晶圓加工機(jī)上的晶圓承載盤方面的技術(shù)領(lǐng)域,尤指一種不會發(fā)生加工雜質(zhì)堆積而影響精密度,以及具有組裝簡單方便、成本低及降低不良率等功效的晶圓承載盤者。
      【背景技術(shù)】
      [0002]請參閱圖1 一圖3所示,指出一般已知的晶圓承載盤I包含陶瓷材質(zhì)制成的一盤座10及一盤蓋11。該盤座10中央形成一穿孔12可供容納一機(jī)臺2的靜電吸盤20,該盤座10的底面結(jié)合在該機(jī)臺2上,該盤座10的頂面呈階級狀,而且于靠近穿孔12處等間隔設(shè)有四承載凸塊13。該承載凸塊13具有一支撐面14及兩側(cè)面15,該支撐面14位于頂面且由外向內(nèi)逐漸低斜呈矩形狀及該兩側(cè)面15位于兩相對側(cè),且呈三角形,其的上側(cè)邊與該支撐面14的兩側(cè)邊連接。該盤蓋11呈環(huán)狀,且供結(jié)合于該盤座10頂面的階級上。
      [0003]然而,由于該已知的晶圓承載盤I由一盤座10及一盤蓋11結(jié)合而成,因此當(dāng)其承載晶圓3進(jìn)行加工(如氣相沉積等)時(shí),加工所產(chǎn)生的雜質(zhì)日積月累下易堆積在該盤座10與該盤蓋11的交接處及接觸面之間,而使其易因此產(chǎn)生變形、破裂的情形,進(jìn)而影響其水平度與真圓度,因此會使加工精密度大幅降低。而且,加工所產(chǎn)生的雜質(zhì)亦會使該盤座10與該盤蓋11沾黏在一起而不易分離,而如此更是會造成拆裝困難不便的問題。另外,分別制作出該盤座10及該盤蓋11,再將其結(jié)合組成晶圓承載盤1,不但組裝不方便,而且制作上亦具有較高的成本。尤其是,該多數(shù)承載凸塊13用以承載支撐晶圓3的傾斜狀支撐面14呈矩形,因此會使該多數(shù)承載凸塊13與該晶圓3的接觸區(qū)域(Wl)較大,而使得晶圓3于其上承載及移載時(shí)易發(fā)生磨擦受損的機(jī)會,進(jìn)而使不良率大幅增加。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0004]已知的晶圓承載盤存在組裝麻煩不便、成本聞及不良率聞等問題,尤其是其在使用時(shí)更是存在著盤座與盤蓋之間易堆積加工雜質(zhì)而影響加工精密度的問題,本實(shí)用新型提供一種具有較高加工精密度,而且可使組裝較簡單方便及降低制作成本功效的晶圓承載盤。
      [0005]本實(shí)用新型提供的晶圓承載盤,為高純度的絕緣材質(zhì)(如陶瓷)一體制成,其包括一穿孔、一結(jié)合面及一承載面。其中,該穿孔位于中央且由頂面貫穿到底面以使整體呈環(huán)狀,該穿孔可供容納一機(jī)臺的靜電吸盤。該結(jié)合面位于底面,可供用于結(jié)合于該機(jī)臺上。該承載面位于頂面,且靠近該穿孔邊緣處等間隔設(shè)有多數(shù)承載凸塊。每一承載凸塊具有一支撐面及兩側(cè)面,該支撐面位于頂面且呈由外向內(nèi)逐漸向下傾斜的斜面狀,以供用于支撐承載晶圓的周邊下緣,該兩側(cè)面位于兩相對側(cè)且呈由外向內(nèi)逐漸相對傾斜接近的斜面狀,該兩側(cè)面的上側(cè)邊與該支撐面的兩相對側(cè)邊相接。
      [0006]該晶圓承載盤呈圓環(huán)形。
      [0007]該結(jié)合面更具有環(huán)狀的一凹槽供該機(jī)臺的陶瓷絕緣體嵌設(shè)。
      [0008]該多數(shù)承載凸塊為尖錐部朝向該穿孔的四角錐狀。
      [0009]該多數(shù)承載凸塊的尖錐部距該穿孔的孔緣一距離。
      [0010]該承載面呈由內(nèi)向外逐漸低斜的斜面狀。
      [0011]該承載凸塊的數(shù)量為四個(gè)。
      [0012]該晶圓承載盤為陶瓷材質(zhì)制成。
      [0013]本實(shí)用新型所提供的晶圓承載盤,由于為高純度的絕緣材質(zhì)(如陶瓷)一體制成,因此當(dāng)其承載晶圓在進(jìn)行加工(如氣相沉積等)時(shí),不會有雜質(zhì)堆積進(jìn)而變形、破裂而影響水平度、真圓度以及沾黏而不易拆裝的情形,因此可具有較高的加工精密度,而且亦具有可使組裝較簡單方便及降低制作成本的功效。尤其是,該多數(shù)承載凸塊用以承載支撐晶圓的傾斜狀的支撐面呈由外向內(nèi)漸縮狀,因此便可使該多數(shù)承載凸塊與該晶圓的接觸區(qū)域進(jìn)一步的降低,而可減少晶圓于其上承載及移載時(shí)磨擦受損的機(jī)會,進(jìn)而可降低不良率。
      【附圖說明】
      [0014]圖1為已知晶圓承載盤的立體分解不意圖。
      [0015]圖2為已知晶圓承載盤的組合剖面放大示意圖。
      [0016]圖3為已知晶圓承載盤使用狀態(tài)的局部立體放大示意圖。
      [0017]圖4為本實(shí)用新型的立體外觀示意圖。
      [0018]圖5為本實(shí)用新型的組合剖面放大示意圖。
      [0019]圖6為本實(shí)用新型使用狀態(tài)的局部立體放大示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0020]請參閱圖4 一圖6所示,顯示本實(shí)用新型所述的晶圓承載盤4為高純度的絕緣材質(zhì)(如陶瓷等)一體制成。其具有一穿孔40、一結(jié)合面41及一承載面42。其中:
      [0021]該穿孔40位于中央,且由頂面貫穿到底面以使整體呈圓環(huán)狀。該穿孔40內(nèi)部可供容納一機(jī)臺5的靜電吸盤50。
      [0022]該結(jié)合面41位于底面,且可供用于結(jié)合于該機(jī)臺5上。該結(jié)合面41上具有環(huán)狀的一凹槽43可供該機(jī)臺5的陶瓷絕緣體51嵌設(shè)。
      [0023]該承載面42位于頂面,且呈由內(nèi)向外逐漸低斜的斜面狀,該承載面42上靠近該穿孔40的邊緣處等間隔設(shè)置有四承載凸塊44。每一承載凸塊44具有一支撐面45及兩側(cè)面46。該支撐面45位于頂面且呈由外向內(nèi)逐漸向下傾斜的斜面狀,以供用于支撐承載晶圓6的周邊下緣。該兩側(cè)面46位于兩相對側(cè)且呈由外向內(nèi)逐漸相對傾斜接近的斜面狀,該兩側(cè)面46的上側(cè)邊并與該支撐面45的兩相對側(cè)邊相接,使該承載凸塊44的整體概呈尖錐部朝向該穿孔40的四角錐狀,而該支撐面45及該兩側(cè)面46則呈由外向內(nèi)漸縮的三角形,另外并使該承載凸塊44的尖錐部距該穿孔40的孔緣一距離。
      [0024]本實(shí)用新型所提供的晶圓承載盤4,由于為高純度的絕緣材質(zhì)(如陶瓷)一體制成,因此當(dāng)其承載晶圓6在進(jìn)行加工(如氣相沉積等)時(shí),不會有雜質(zhì)堆積進(jìn)而變形、破裂而影響水平度、真圓度以及沾黏而不易拆裝的情形,因此具有較高的加工精密度,而且亦可使組裝較簡單方便以及可大幅降低制作成本。尤其是,該多數(shù)承載凸塊44用以承載支撐晶圓6的傾斜狀的支撐面45呈由外向內(nèi)漸縮的三角形狀,因此可使該多數(shù)承載凸塊44與該晶圓6的接觸區(qū)域(W2)進(jìn)一步的減少,而可降低晶圓6于其上承載及移載時(shí)產(chǎn)生磨擦受損的機(jī)會,因此可大幅降低不良率的產(chǎn)生。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種晶圓承載盤,其特征在于包括:一穿孔,位于中央且由頂面貫穿到底面以使整體呈環(huán)狀,該穿孔供容納一機(jī)臺的靜電吸盤; 一結(jié)合面,位于底面,供結(jié)合于該機(jī)臺上;以及 一承載面,位于頂面,且靠近該穿孔邊緣處等間隔設(shè)置有多數(shù)承載凸塊,每一承載凸塊具有一支撐面及兩側(cè)面,該支撐面位于頂面且呈由外向內(nèi)逐漸向下傾斜的斜面狀,以供用于支撐承載晶圓的周邊下緣,該兩側(cè)面位于兩相對側(cè)且呈由外向內(nèi)逐漸相對傾斜接近的斜面狀,該兩側(cè)面的上側(cè)邊與該支撐面的兩相對側(cè)邊相接。
      2.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載盤,其特征在于,該晶圓承載盤呈圓環(huán)形。
      3.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載盤,其特征在于,該結(jié)合面更具有環(huán)狀的一凹槽供該機(jī)臺的陶瓷絕緣體嵌設(shè)。
      4.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載盤,其特征在于,該多數(shù)承載凸塊為尖錐部朝向該穿孔的四角錐狀。
      5.如權(quán)利要求4所述的晶圓承載盤,其特征在于,該多數(shù)承載凸塊的尖錐部距該穿孔的孔緣一距離。
      6.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載盤,其特征在于,該承載面呈由內(nèi)向外逐漸低斜的斜面狀。
      7.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載盤,其特征在于,該承載凸塊的數(shù)量為四個(gè)。
      8.如權(quán)利要求1所述的晶圓承載盤,其特征在于,該晶圓承載盤為陶瓷材質(zhì)制成。
      【專利摘要】一種晶圓承載盤,為陶瓷材質(zhì)一體制成,其包括一穿孔、一結(jié)合面及一承載面,該穿孔位于中央且由頂面貫穿到底面以使整體呈環(huán)狀,該穿孔可供容納一機(jī)臺的靜電吸盤,該結(jié)合面位于底面可供用于結(jié)合于該機(jī)臺上,該承載面位于頂面,且靠近該穿孔邊緣處等間隔設(shè)置有多數(shù)承載凸塊,每一承載凸塊具有一支撐面及兩側(cè)面,該支撐面位于頂面且呈由外向內(nèi)逐漸向下傾斜的斜面狀,以供用于支撐承載晶圓的周邊下緣,該兩側(cè)面位于兩相對側(cè)且呈由外向內(nèi)逐漸相對傾斜接近的斜面狀,該兩側(cè)面的上側(cè)邊與該支撐面的兩相對側(cè)邊相接;藉由上述結(jié)構(gòu)使其不會發(fā)生加工雜質(zhì)堆積而影響精密度的情形,而且亦具有組裝簡單方便、成本低及降低不良率的功效。
      【IPC分類】H01L21-687, H01L21-683
      【公開號】CN204271061
      【申請?zhí)枴緾N201420672157
      【發(fā)明人】黃見駱
      【申請人】天虹科技股份有限公司
      【公開日】2015年4月15日
      【申請日】2014年11月12日
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