一種微型耐壓高散熱的mosfet的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于半導體技術領域，涉及一種微型耐壓高散熱的M0SFET。
【背景技術】
[0002]如圖1所示，現(xiàn)有的很多MOSFET的第一外延片22，第二外延片23 二者是一體設置的，然后封裝體21封裝，這樣設置的目的是散熱，但是實際效果很差，由于第一外延片，第二外延片的散熱面積有限，導致散熱不暢，另外第一外延片，第二外延片二者是一體設置很容易造成短路?，F(xiàn)有的MOSFET對耐壓程度也不高，不能承受特殊環(huán)境狀態(tài)下使用。
[0003]所以現(xiàn)有技術有缺陷，需要改進。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是:提供一種微型耐壓高散熱的M0SFET，能夠提高微型耐壓提高散熱效果的MOSFET。
[0005]為解決上述技術問題，本實用新型采用如下技術方案:
[0006]一種微型耐壓高散熱的M0SFET，它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝；
[0007]還包括一殼體,封裝于殼體內的電路結構,殼體包括外殼和蓋于外殼上的外蓋，電路結構包括功率端子、信號端子、絕緣陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述絕緣陶瓷基板通過高溫回流焊接到散熱基板上，在絕緣陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片與絕緣陶瓷基板上刻蝕的電路結構連接起來，并通過鋁線將碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之間連接起來，至少三個功率端子焊接在絕緣陶瓷基板的對應位置上，在第一外延片的第一段的側部連接所述外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。
[0008]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第一外延片與外殼是一體設置。
[0009]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第二外延片與外殼是一體設置。
[0010]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內。
[0011 ] 所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，外殼設置在第一外延片第一端的左側。
[0012]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，外殼設置在第一外延片第一端的右側。
[0013]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET,其中，外殼設置在第一外延片第一端的前端。
[0014]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET,其中，外殼設置在第一外延片第一端的后端。
[0015]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，在封裝體內設置處理器模塊、加解密模塊，存儲模塊，電源檢測模塊和輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過MOSFET內部的總線相互連接，管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間。
[0016]本實用新型的有益效果在于:本實用新型提出在第一外延片的第一段的側部連接一外殼，等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護外殼，比以前單獨的封裝體堅固了很多，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導通壓降，進而降低通態(tài)功耗，使可控硅MOSFET發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長。
【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有MOSFET的結構示意圖；
[0018]圖2為本實用微型耐壓高散熱的MOSFET的結構示意圖之一；
[0019]圖3為本實用微型耐壓高散熱的MOSFET的結構示意圖之二。
【具體實施方式】
[0020]下面結合附圖詳細說明本實用新型的優(yōu)選實施例。
[0021]實施例一
[0022]請參閱圖2、圖3所示，本實用新型揭示了一種微型耐壓高散熱的M0SFET，它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝；
[0023]還包括一殼體,封裝于殼體內的電路結構,殼體包括外殼和蓋于外殼上的外蓋，電路結構包括功率端子、信號端子、絕緣陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述絕緣陶瓷基板通過高溫回流焊接到散熱基板上，在絕緣陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片與絕緣陶瓷基板上刻蝕的電路結構連接起來，并通過鋁線將碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之間連接起來，至少三個功率端子焊接在絕緣陶瓷基板的對應位置上，在第一外延片的第一段的側部連接所述外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。本實用新型最大的創(chuàng)意就是把第一外延片26，一第二外延片25分離開，避免產生短路現(xiàn)象，把第一外延片26與外殼27 —體設置，第一外延片與外殼是一體設置。第一外延片26在MOSFET內部產生的熱量通過第一外延片26直接擴散到外殼上，能夠很好散熱；第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內。這樣外殼就形成一個保護外殼，增加了本MOSFET的堅固性。
[0024]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第一外延片與外殼是一體設置。
[0025]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第二外延片與外殼是一體設置。
[0026]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內。
[0027]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，外殼設置在第一外延片第一端的左側。
[0028]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，外殼設置在第一外延片第一端的右側。
[0029]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET,其中，外殼設置在第一外延片第一端的前端。
[0030]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET,其中，外殼設置在第一外延片第一端的后端。
[0031]所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其中，在封裝體內設置處理器模塊、加解密模塊，存儲模塊，電源檢測模塊和輸入輸出模塊，且所述所有模塊通過MOSFET內部的總線相互連接，管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間。
[0032]本實用新型的有益效果在于:本實用新型提出在第一外延片的第一段的側部連接一外殼，等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護外殼，比以前單獨的封裝體堅固了很多，能夠形成良好的歐姆接觸，減小接觸電阻，從而減小導通壓降，進而降低通態(tài)功耗，使可控硅MOSFET發(fā)熱量低，可靠性好，使用壽命長。
[0033]本實施例中，所述微型耐壓高散熱的MOSFET的部分側壁或全部側壁呈鋸齒狀。優(yōu)選地，所述微型耐壓高散熱的MOSFET的所有側壁呈鋸齒狀。
[0034]本實施例中微型耐壓高散熱的MOSFET的這種側壁結構也可以增加側向光源的出光面積，使MOSFET獲得更多的出光。
[0035]此外，微型耐壓高散熱的MOSFET的部分側壁或全部側壁還可以呈現(xiàn)其他凹凸不平狀，如不規(guī)則的凹凸不平狀，只要可以增加MOSFET側面的出光面積即可。
[0036]這里本實用新型的描述和應用是說明性的，并非想將本實用新型的范圍限制在上述實施例中。這里所披露的實施例的變形和改變是可能的，對于那些本領域的普通技術人員來說實施例的替換和等效的各種部件是公知的。
【主權項】
1.一種微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于,它包括第一外延片、第二外延片，其中，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝； 還包括一殼體，封裝于殼體內的電路結構，殼體包括外殼和蓋于外殼上的外蓋，電路結構包括功率端子、信號端子、絕緣陶瓷基板、碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片；所述絕緣陶瓷基板通過高溫回流焊接到散熱基板上，在絕緣陶瓷基板上焊接有碳化硅MOSFET芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片與絕緣陶瓷基板上刻蝕的電路結構連接起來，并通過鋁線將碳化硅MOSFET芯片、碳化硅SBD芯片相互之間連接起來，至少三個功率端子焊接在絕緣陶瓷基板的對應位置上，在第一外延片的第一段的側部連接所述外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。
2.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:第一外延片與外殼是一體設置。
3.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其特征在于:第二外延片與外殼是一體設置。
4.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:第一外延片與外殼形成U字形空間，封裝體在U字形空間內。
5.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:外殼設置在第一外延片第一端的左側。
6.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:外殼設置在第一外延片第一端的右側。
7.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:外殼設置在第一外延片第一端的前端。
8.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的MOSFET,其特征在于:外殼設置在第一外延片弟一端的后端。
9.根據權利要求1所述的微型耐壓高散熱的M0SFET，其特征在于:在封裝體內設置處理器模塊、加解密模塊，存儲模塊，電源檢測模塊和輸入輸出模塊，所有模塊通過MOSFET內部的總線相互連接，管腳控制模塊連接于處理器模塊和管腳模塊之間。
【專利摘要】本實用新型公開了一種微型耐壓高散熱的MOSFET，包括一第一外延片，一第二外延片，第一外延片的第一端與第二外延片第一端被一封裝體封裝，在第一外延片的第一段的側部連接一外殼，該外殼包覆在封裝體的外部，該外殼用于散熱。本實用新型的有益效果在于：本實用新型提出在第一外延片的第一段的側部連接一外殼,等同增大了散熱面積，提高了散熱效果，在原來封裝體的外部增加了外殼，等同增加了保護外殼，比以前單獨的封裝體堅固了很多，增加了使用壽命。
【IPC分類】H01L23-02, H01L29-06, H01L25-18, H01L23-367
【公開號】CN204271079
【申請?zhí)枴緾N201420586141
【發(fā)明人】黃澤軍
【申請人】深圳市銳駿半導體有限公司
【公開日】2015年4月15日
【申請日】2014年10月11日