一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種無(wú)線充電器用耦合磁體，特別是一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片。
【背景技術(shù)】
[0002]在便攜式電子設(shè)備中，由于對(duì)空間和重量的特殊要求，需要薄的磁性片屏蔽吸收電磁波或隔離金屬體以降低對(duì)電磁場(chǎng)的削弱。例如，手機(jī)無(wú)線充電領(lǐng)域中，手機(jī)中的金屬電池殼會(huì)削弱電磁耦合效果，大大降低充電效率，最常用的解決辦法是在電池殼上貼一層磁性片，將電磁場(chǎng)與金屬電池殼隔開，使磁場(chǎng)從磁性片中穿過，這就要求磁性片的磁導(dǎo)率高，功率損耗低，又由于電池殼面積大，手機(jī)又薄，這就要求磁性片大而薄。
[0003]現(xiàn)有的磁性片使用的是燒結(jié)鐵氧體或塑膠磁片，由于燒結(jié)鐵氧體是用鐵氧體粉料成型出薄片后再燒結(jié)而成，工藝復(fù)雜，成品率低，成本高；而塑膠磁片是將磁粉中添加塑膠粉末復(fù)合而成，塑膠粉末與磁粉顆粒相互隔離開來，大大降低了磁導(dǎo)率，雖然成本低，但使用效果不佳。由于非晶納米晶磁導(dǎo)率高，功率損耗小，而且本身就是厚度為0.02—0.03mm的薄帶，薄而面積大，價(jià)格便宜，符合批量生產(chǎn)的要求，但該磁片太脆，在后續(xù)使用中很容易破碎。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，磁導(dǎo)率高，功率損耗小，本身厚度較薄且面積大，成本低廉，且結(jié)實(shí)耐用。
[0005]本實(shí)用新型解決其問題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，包括一層或多層非晶納米晶磁性片，所述非晶納米晶磁性片的下表面或者上下表面均設(shè)置有保護(hù)層。
[0007]進(jìn)一步，所述一層或多層非晶納米晶磁性片中任一層非晶納米晶磁性片的厚度均小于0.1毫米。
[0008]進(jìn)一步，所述多層非晶納米晶磁性片中，每層非晶納米晶磁性片之間設(shè)置有結(jié)合層O
[0009]進(jìn)一步，所述結(jié)合層為有機(jī)或無(wú)機(jī)膠黏劑薄膜層，或者為帶有PET基材的有機(jī)或無(wú)機(jī)膠黏劑薄膜層。
[0010]進(jìn)一步，所述保護(hù)層為有機(jī)或無(wú)機(jī)膠的PET膜層，或者為有機(jī)或無(wú)機(jī)膠黏劑層。
[0011]進(jìn)一步，所述一層或多層非晶納米晶磁性片的總厚度小于3毫米。
[0012]進(jìn)一步，當(dāng)所述復(fù)合型非晶納米晶磁性片為:
[0013]一層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，其總厚度小于0.2毫米；
[0014]兩層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，其總厚度小于0.3毫米；
[0015]三層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，其總厚度小于0.4毫米；
[0016]四層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，其總厚度小于0.5毫米；
[0017]五層或大于五層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，其總厚度小于3毫米。
[0018]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0019]本實(shí)用新型采用一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，包括一層或多層厚度小于0.1毫米非晶納米晶磁性片，多層非晶納米晶磁性片之間有結(jié)合層，上下面或下面覆上一層保護(hù)層，其磁導(dǎo)率高，功率損耗小，本身厚度較薄且面積大，成本低廉，該復(fù)合型非晶納米晶磁性片具有柔性和一定的電磁特性，具備巨大的商業(yè)應(yīng)用價(jià)值。
【附圖說明】
[0020]下面結(jié)合附圖和實(shí)例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0021]圖1是本實(shí)用新型包含一層非晶納米晶磁性片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2是本實(shí)用新型包含二層非晶納米晶磁性片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖3是本實(shí)用新型包含三層非晶納米晶磁性片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4是本實(shí)用新型包含四層非晶納米晶磁性片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5是本實(shí)用新型包含五層非晶納米晶磁性片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6是本實(shí)用新型另一種包含一層非晶納米晶磁性片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖7是本實(shí)用新型另一種包含二層非晶納米晶磁性片的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]參照?qǐng)D1 一圖7所示，本實(shí)用新型的一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，包括一層或多層非晶納米晶磁性片，所述非晶納米晶磁性片的下表面或者上下表面均設(shè)置有保護(hù)層。
[0029]為了使本實(shí)用新型更加輕薄，所述一層或多層非晶納米晶磁性片中任一層非晶納米晶磁性片的厚度均小于0.1毫米，且本實(shí)用新型的一層或多層非晶納米晶磁性片的總厚度小于3毫米。
[0030]本實(shí)用新型具有多層非晶納米晶磁性片時(shí)，為了保證其結(jié)合度，每層非晶納米晶磁性片之間設(shè)置有結(jié)合層。為保證結(jié)合層充分輕薄，所述結(jié)合層為有機(jī)或無(wú)機(jī)膠黏劑薄膜層，或者為帶有PET基材的有機(jī)或無(wú)機(jī)膠黏劑薄膜層。
[0031]同理，為使保護(hù)層充分輕薄，所述保護(hù)層為有機(jī)或無(wú)機(jī)膠的PET膜層，或者為有機(jī)或無(wú)機(jī)膠黏劑層。
[0032]為進(jìn)一步對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說明，本實(shí)施例例舉了圖1 一圖7共7種結(jié)構(gòu)對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說明。具體如下:
[0033]參照?qǐng)D1所示，本實(shí)用新型所述的復(fù)合型非晶納米晶磁性片具有一層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，此時(shí)，其總厚度小于0.2毫米。
[0034]參照?qǐng)D2所示，本實(shí)用新型所述的復(fù)合型非晶納米晶磁性片具有二層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，此時(shí)，其總厚度小于0.3毫米。
[0035]參照?qǐng)D3所示，本實(shí)用新型所述的復(fù)合型非晶納米晶磁性片具有三層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，此時(shí)，其總厚度小于0.4毫米。
[0036]參照?qǐng)D4所示，本實(shí)用新型所述的復(fù)合型非晶納米晶磁性片具有四層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，此時(shí)，其總厚度小于0.5毫米。
[0037]參照?qǐng)D5所示，本實(shí)用新型所述的復(fù)合型非晶納米晶磁性片具有五層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，此時(shí)，其總厚度小于3毫米。
[0038]參照?qǐng)D6所示，本實(shí)用新型所述的復(fù)合型非晶納米晶磁性片具有一層非晶納米晶磁性片，且在其上下表面均設(shè)置保護(hù)層，此時(shí)，其總厚度小于3毫米。
[0039]參照?qǐng)D7所示，本實(shí)用新型所述的復(fù)合型非晶納米晶磁性片具有二層非晶納米晶磁性片，且在其上下表面設(shè)置保護(hù)層，此時(shí)，其總厚度小于3毫米。
[0040]以上所述，只是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，本實(shí)用新型并不局限于上述實(shí)施方式，只要其以相同的手段達(dá)到本實(shí)用新型的技術(shù)效果，都應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，其特征在于，包括一層或多層非晶納米晶磁性片，所述非晶納米晶磁性片的下表面或者上下表面均設(shè)置有保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，其特征在于，所述一層或多層非晶納米晶磁性片中任一層非晶納米晶磁性片的厚度均小于0.1毫米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，其特征在于，所述多層非晶納米晶磁性片中，每層非晶納米晶磁性片之間設(shè)置有結(jié)合層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，其特征在于，所述結(jié)合層為有機(jī)或無(wú)機(jī)膠黏劑薄膜層，或者為帶有PET基材的有機(jī)或無(wú)機(jī)膠黏劑薄膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，其特征在于，所述保護(hù)層為有機(jī)或無(wú)機(jī)膠的PET膜層，或者為有機(jī)或無(wú)機(jī)膠黏劑層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，其特征在于，所述一層或多層非晶納米晶磁性片的總厚度小于3毫米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1一 6任一所述的一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，其特征在于，當(dāng)所述復(fù)合型非晶納米晶磁性片為: 一層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，其總厚度小于0.2毫米； 兩層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，其總厚度小于0.3毫米； 三層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，其總厚度小于0.4毫米； 四層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，其總厚度小于0.5毫米； 五層或大于五層非晶納米晶磁性片，且僅在其下表面設(shè)置保護(hù)層時(shí)，其總厚度小于3毫米。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種復(fù)合型非晶納米晶磁性片，包括一層或多層非晶納米晶磁性片，所述非晶納米晶磁性片的下表面或者上下表面均設(shè)置有保護(hù)層。所述每層非晶納米晶磁性片的厚度均小于0.1毫米，且本實(shí)用新型的總厚度小于3毫米。其磁導(dǎo)率高，功率損耗小，本身厚度較薄且面積大，成本低廉，該復(fù)合型非晶納米晶磁性片具有柔性和一定的電磁特性，具備巨大的商業(yè)應(yīng)用價(jià)值。
【IPC分類】H01F7-00, H01F1-153
【公開號(hào)】CN204332575
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420556898
【發(fā)明人】侯海彬, 劉志堅(jiān)
【申請(qǐng)人】麥格磁電科技（珠海）有限公司
【公開日】2015年5月13日
【申請(qǐng)日】2014年9月25日