一種漿料用量少的多晶硅太陽能電池片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽一種多晶硅太陽能電池片。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池片是一種由于光生伏特效應(yīng)而將太陽光能直接轉(zhuǎn)化為電能的器件，是一種新型電源，具有永久性、清潔性和靈活性三大特點(diǎn)。但現(xiàn)有的太陽能電池片存在轉(zhuǎn)換效率低、生產(chǎn)成本高等不足。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的就是針對上述情況提供一種轉(zhuǎn)換效率高的多晶硅太陽能電池片。本實(shí)用新型的目的可通過以下方案來實(shí)現(xiàn):一種漿料用量少的多晶硅太陽能電池片，包括硅片，硅片的正面鍍有反折射膜，反折射膜上面印主柵線和次柵線，硅片的背面印有背電極，其特征是所述反折射膜包括折射率為2.1-2.4的第一層氮化硅減反射膜和折射率為1.7-1.9的第二層氮化硅減反射膜，所述第一層氮化硅減反射膜鍍在硅片的表面，所述第二層氮化硅減反射膜鍍在第一層氮化硅減反射膜鍍表面，所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為10—15nm，所述第二層氮化娃減反射膜的厚度為65—75nm，通過這兩層反折射膜的設(shè)計(jì)大大提高了光電轉(zhuǎn)換效率，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設(shè)置在所述硅片的對稱線上，另外二根分置在所述對稱線上的主柵線兩側(cè)，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述三根主柵線的線寬均為1.4mm，每根次柵線的線寬為40um，每根次柵線的兩端距離硅片的邊緣均為1.5mm，所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小，呈等腰三角形。這種主柵線和次柵線的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，即可以節(jié)省印刷漿料，降低生產(chǎn)成本，也可以減少遮光面積，提升轉(zhuǎn)換效率，所述背電極為條形，有三根，每根背電極分為三段，每段長為20— 23.2mm，這種背電極的設(shè)計(jì)可以降低生產(chǎn)成本。本實(shí)用新型具有制造成本低，轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)。
【附圖說明】
[0004]圖1，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0005]圖2，本實(shí)用新型正面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0006]圖3，背電極結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0007]對照圖1、圖2、圖3可知，一種漿料用量少的多晶硅太陽能電池片，包括硅片1，硅片的正面鍍有反折射膜2，反折射膜上面印主柵線3和次柵線4，硅片的背面印有背電極5，其特征是所述反折射膜包括折射率為2.1-2.4的第一層氮化硅減反射膜和折射率為1.7-1.9的第二層氮化硅減反射膜，所述第一層氮化硅減反射膜鍍在硅片的表面，所述第二層氮化硅減反射膜鍍在第一層氮化硅減反射膜鍍表面，所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為10—15nm，所述第二層氮化娃減反射膜的厚度為65—75nm，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設(shè)置在所述硅片的對稱線上，另外二根分置在所述對稱線上的主柵線兩側(cè)，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述三根主柵線的線寬均為1.4mm，每根次柵線的線寬為40um，每根次柵線的兩端距離硅片的邊緣均為
1.5mm，所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小，呈等腰三角形，所述背電極為條形，有三根，每根背電極分為三段，每段長為20—23.2mm。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種漿料用量少的多晶硅太陽能電池片，包括硅片(1)，硅片的正面鍍有反折射膜(2)，反折射膜上面印主柵線(3)和次柵線(4)，硅片的背面印有背電極(5)，其特征是所述反折射膜包括折射率為2.1-2.4的第一層氮化硅減反射膜和折射率為1.7-1.9的第二層氮化硅減反射膜，所述第一層氮化硅減反射膜鍍在硅片的表面，所述第二層氮化硅減反射膜鍍在第一層氮化硅減反射膜鍍表面，所述第一層氮化硅減反射膜的厚度為10 — 15nm，所述第二層氮化硅減反射膜的厚度為65— 75nm，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設(shè)置在所述硅片的對稱線上，另外二根分置在所述對稱線上的主柵線兩側(cè)，且各相距52mm，所述次柵線為等距離分布，所述三根主柵線的線寬均為1.4mm，每根次柵線的線寬為40um，每根次柵線的兩端距離硅片的邊緣均為1.5mm，所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小，呈等腰三角形，所述背電極為條形，有三根，每根背電極分為三段，每段長為20—23.2_。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種漿料用量少的多晶硅太陽能電池片，包括硅片，硅片的正面鍍有反折射膜，反折射膜上面印主柵線和次柵線，硅片的背面印有背電極，其特征是所述反折射膜包括折射率為2.1—2.4的第一層氮化硅減反射膜和折射率為1.7—1.9的第二層氮化硅減反射膜，所述第一層氮化硅減反射膜鍍在硅片的表面，所述第二層氮化硅減反射膜鍍在第一層氮化硅減反射膜鍍表面，所述主柵線和次柵線呈相互垂直狀，所述主柵線具有三根，其中一根設(shè)置在所述硅片的對稱線上，另外二根分置在所述對稱線上的主柵線兩側(cè)，所述三根主柵線兩端的線寬逐漸縮小，呈等腰三角形。本實(shí)用新型具有制造成本低，轉(zhuǎn)換效率高等特點(diǎn)。
【IPC分類】H01L31-054, H01L31-0216, H01L31-0224
【公開號】CN204348726
【申請?zhí)枴緾N201520091125
【發(fā)明人】葉挺寧
【申請人】江西金泰新能源有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2015年2月10日