一種雙層固晶結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及USB芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說是涉及一種USB芯片的雙層固晶結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著網(wǎng)絡(luò)時(shí)代的來臨，促使信息分享的速度加快，也加速了信息科技普及與進(jìn)步的腳步。如電子計(jì)算機(jī)(computer)、通信(Communicat1ns)和消費(fèi)性電子(Consumer-Electronics)產(chǎn)品等都已廣泛深入消費(fèi)者的生活。其中以儲(chǔ)存裝置，如隨身碟、硬盤或其它以閃存為主的裝置而言，由于擁有輕、薄、短、小的特性，具備高度的移動(dòng)性，且其儲(chǔ)存容量已增至Tbyte級(jí)容量，且仍有持續(xù)增加的趨勢，因此在信息分享的用途上，日益受到消費(fèi)者的青睞。
[0003]USB是一種用閃存來進(jìn)行數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的介質(zhì)，通常使用USB插頭。隨身碟不僅體積極小、重量輕、可熱插拔也可以重復(fù)寫入。隨身碟通常使用塑料或金屬外殼，內(nèi)部含有一張小的印刷電路板，讓隨身碟尺寸小到像鑰匙圈飾物一樣能夠放到口袋中，或是串在頸繩上。只有USB連接頭突出于保護(hù)殼外，且通常被一個(gè)小蓋子蓋住。大多數(shù)的隨身碟使用標(biāo)準(zhǔn)的Type-A USB接頭，這使得它們可以直接插入個(gè)人計(jì)算機(jī)上的USB端口中。閃存將數(shù)據(jù)儲(chǔ)存在由浮閘晶體管組成的記憶單元數(shù)組內(nèi)，在單階儲(chǔ)存單元(Single-level cell, SLC)裝置中，每個(gè)單元只儲(chǔ)存I位的信息。而多階儲(chǔ)存單元(Mult1-level cel I, MLC)裝置則利用多種電荷值的控制讓每個(gè)單元可以儲(chǔ)存I位以上的數(shù)據(jù)。
[0004]然而，隨著現(xiàn)代生活或工作的需求，現(xiàn)有技術(shù)中小容量的USB存儲(chǔ)設(shè)備已經(jīng)不能滿足人們學(xué)習(xí)和工作需求了，人們需要存儲(chǔ)容量的USB存儲(chǔ)設(shè)備，但是由于生產(chǎn)出存儲(chǔ)容量大的USB存儲(chǔ)設(shè)備需要較高的工藝，即便是生產(chǎn)出了存儲(chǔ)容量大的USB存儲(chǔ)設(shè)備，其結(jié)構(gòu)也十分復(fù)雜，而且存儲(chǔ)容量也沒有達(dá)到預(yù)期的效果。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、存儲(chǔ)容量大的雙層固晶結(jié)構(gòu)。
[0006]為解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案為:一種雙層固晶結(jié)構(gòu)，包括基板、芯片和金屬線，所述基板的上表面粘附金屬反光導(dǎo)電層，所述芯片通過設(shè)置于其下方的銀膠粘接層安裝于所述金屬反光導(dǎo)電層上，所述芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片錯(cuò)位安裝于所述第二芯片上，所述第一芯片上設(shè)有第一接點(diǎn)，所述第二芯片上設(shè)有第二接點(diǎn)；所述金屬線包括第一金屬線和第二金屬線，所述第一金屬線的一端連接第一節(jié)點(diǎn)，其另一端連接第二接點(diǎn)，所述第二金屬線的一端連接第二接點(diǎn)，其另一端連接金屬反光導(dǎo)電層。
[0007]進(jìn)一步的，所述芯片還包括第一芯片與第二芯片錯(cuò)位安裝形成的第一缺口和第二缺口，所述第一缺口位于所述芯片的右上方，所述第二缺口位于所述芯片的左下方，所述第二缺口處安裝墊塊。
[0008]進(jìn)一步的，所述墊塊的上表面、下表面和右表面都是通過銀膠粘接在與之相對(duì)應(yīng)的面上，所述墊塊的左表面與所述第一芯片的左表面平齊。
[0009]進(jìn)一步的，所述基板包括底層、形成與所述底層上的金屬層、形成于所述金屬層上的中間層和形成于所述中間層上的導(dǎo)電線路層。
[0010]進(jìn)一步的，所述中間層為一層結(jié)構(gòu)的絕緣層。
[0011]進(jìn)一步的，所述中間層為金屬層與絕緣層交替堆疊的多層結(jié)構(gòu)。
[0012]進(jìn)一步的，所述金屬反光導(dǎo)電層上設(shè)有金屬引腳。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果為:本實(shí)用新型的雙層固晶結(jié)構(gòu)中芯片包括第一芯片和第二芯片，第一芯片錯(cuò)位安裝于第二芯片上；金屬線包括第一金屬線和第二金屬線，第一金屬線用于連接第一芯片與第二芯片，第二金屬線用于連接第二芯片與金屬反光導(dǎo)電層。采用兩個(gè)芯片解決了現(xiàn)有技術(shù)中存儲(chǔ)容量小的缺點(diǎn)，使USB設(shè)備具有較大的存儲(chǔ)容量。通過第一芯片與第二芯片的錯(cuò)位安裝，可以保證第一芯片與第二芯片之間的良好接觸，也便于第一芯片與第二芯片的安裝于拆分。采用銀膠粘接層將芯片安裝在金屬反光導(dǎo)電層可以保證各元件之間的連接牢固。采用金屬線將第一芯片、第二芯片和金屬反光導(dǎo)電層連接保證了這三個(gè)部分之間的電路連接通暢，綜上，該雙層固晶結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上簡單，而且牢固、耐用，拆分、安裝方便，容量大、性能穩(wěn)定。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型雙層固晶結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0015]圖2為本實(shí)用新型雙層固晶結(jié)構(gòu)中的芯片結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0016]圖3為本實(shí)用新型雙層固晶結(jié)構(gòu)中的基板結(jié)構(gòu)剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型詳細(xì)說明:
[0018]如圖1至圖2所不，一種雙層固晶結(jié)構(gòu)，包括基板10、芯片和金屬線,基板10的上表面粘附金屬反光導(dǎo)電層40，芯片通過設(shè)置于其下方的銀膠粘接層50安裝于金屬反光導(dǎo)電層40上，芯片包括第一芯片21和第二芯片22，第一芯片21錯(cuò)位安裝于第二芯片22上，第一芯片21上設(shè)有第一接點(diǎn)211，第二芯片22上設(shè)有第二接點(diǎn)221 ;金屬線包括第一金屬線31和第二金屬線32，第一金屬線31的一端連接第一節(jié)點(diǎn)211，其另一端連接第二接點(diǎn)221，第二金屬線32的一端連接第二接點(diǎn)221，其另一端連接金屬反光導(dǎo)電層40。芯片還包括第一芯片與第二芯片錯(cuò)位安裝形成的第一缺口和第二缺口，第一缺口位于芯片的右上方，第二缺口位于芯片的左下方，第二缺口處安裝墊塊60。墊塊60的上表面、下表面和右表面都是通過銀膠粘接在與之相對(duì)應(yīng)的面上，墊塊60的左表面與第一芯片的左表面平齊。金屬反光導(dǎo)電層40上設(shè)有金屬引腳41。
[0019]如圖3所不,基板10包括底層11、形成與底層11上的金屬層12、形成于金屬層12上的中間層13和形成于中間層13上的導(dǎo)電線路層14。中間層13為一層結(jié)構(gòu)的絕緣層，另夕卜，中間層13也可以為金屬層與絕緣層交替堆疊的多層結(jié)構(gòu)。底層11的材料為陶瓷，金屬層12用于接地。
[0020]本實(shí)用新型采用兩個(gè)芯片解決了現(xiàn)有技術(shù)中存儲(chǔ)容量小的缺點(diǎn)，使USB設(shè)備具有較大的存儲(chǔ)容量。通過第一芯片與第二芯片的錯(cuò)位安裝，可以保證第一芯片與第二芯片之間的良好接觸，也便于第一芯片與第二芯片的安裝于拆分。采用銀膠粘接層將芯片安裝在金屬反光導(dǎo)電層可以保證各元件之間的連接牢固。采用金屬線將第一芯片、第二芯片和金屬反光導(dǎo)電層連接保證了這三個(gè)部分之間的電路連接通暢。本實(shí)用新型的雙層固晶結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上簡單，而且牢固、耐用，拆分、安裝方便，容量大、性能穩(wěn)定。
[0021]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，并非因此限制本本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種雙層固晶結(jié)構(gòu)，包括基板(10)、芯片和金屬線，其特征在于:所述基板(10)的上表面粘附金屬反光導(dǎo)電層(40)，所述芯片通過設(shè)置于其下方的銀膠粘接層(50)安裝于所述金屬反光導(dǎo)電層(40)上,所述芯片包括第一芯片(21)和第二芯片(22),所述第一芯片(21)錯(cuò)位安裝于所述第二芯片(22)上，所述第一芯片(21)上設(shè)有第一接點(diǎn)(211)，所述第二芯片(22)上設(shè)有第二接點(diǎn)(221);所述金屬線包括第一金屬線(31)和第二金屬線(32)，所述第一金屬線(31)的一端連接第一節(jié)點(diǎn)(211)，其另一端連接第二接點(diǎn)(221)，所述第二金屬線(32)的一端連接第二接點(diǎn)(221)，其另一端連接金屬反光導(dǎo)電層(40)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙層固晶結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述芯片還包括第一芯片(21)與第二芯片(22)錯(cuò)位安裝形成的第一缺口和第二缺口，所述第一缺口位于所述芯片的右上方，所述第二缺口位于所述芯片的左下方，所述第二缺口處安裝墊塊(60 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙層固晶結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述墊塊(60)的上表面、下表面和右表面都是通過銀膠粘接在與之相對(duì)應(yīng)的面上，所述墊塊(60)的左表面與所述第一芯片(21)的左表面平齊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙層固晶結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述基板(10)包括底層(11)、形成與所述底層(11)上的金屬層(12)、形成于所述金屬層(12)上的中間層(13)和形成于所述中間層(13)上的導(dǎo)電線路層(14)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙層固晶結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述中間層(13)為一層結(jié)構(gòu)的絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種雙層固晶結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述中間層(13)為金屬層與絕緣層交替堆疊的多層結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙層固晶結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬反光導(dǎo)電層(40)上設(shè)有金屬引腳(41)。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種雙層固晶結(jié)構(gòu)，包括基板、芯片和金屬線，所述基板的上表面粘附金屬反光導(dǎo)電層，所述芯片通過設(shè)置于其下方的銀膠粘接層安裝于所述金屬反光導(dǎo)電層上，所述芯片包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片錯(cuò)位安裝于所述第二芯片上，所述第一芯片上設(shè)有第一接點(diǎn)，所述第二芯片上設(shè)有第二接點(diǎn)；所述金屬線包括第一金屬線和第二金屬線，所述第一金屬線的一端連接第一節(jié)點(diǎn)，其另一端連接第二接點(diǎn)，所述第二金屬線的一端連接第二接點(diǎn)，其另一端連接金屬反光導(dǎo)電層。該雙層固晶結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)上簡單，而且牢固、耐用，拆分、安裝方便，容量大、性能穩(wěn)定。
【IPC分類】H01L23-49, H01L25-065, H01L23-488
【公開號(hào)】CN204375747
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520029001
【發(fā)明人】倪黃忠
【申請(qǐng)人】深圳市時(shí)創(chuàng)意電子有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請(qǐng)日】2015年1月16日